專利名稱：用于磁頭鼓的薄膜技術(shù)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用帶式記錄媒質(zhì)來記錄和播放信號的磁頭鼓的制造方法。
業(yè)已知道，為了提高數(shù)字記錄裝置的記錄密度，使用薄膜技術(shù)而制造的固定寫/讀磁頭結(jié)構(gòu)中，已可以使記錄槽寬度小于10μm。例如，歐洲專利說明書EP 0519 182 B1公開了這種類型的讀/寫磁頭，它是在一制造工序中加工一基底上。這里使用的基底是鐵氧體或氧化鋁陶瓷，在所有情況下，用作數(shù)字信號的讀/寫頭和一用作模擬信號的讀/寫頭(在下文中稱作磁頭)排列在同一基底上。這兩個磁頭均可有若干通道，并使用軸向循軌方法記錄和播放。
本發(fā)明的目的是確定一使用帶式記錄媒質(zhì)作信號記錄和播放的并能夠使用薄膜技術(shù)高效率、低成本地生產(chǎn)的磁頭鼓。
這個目的可以通過權(quán)利要求1的特征來實現(xiàn)。優(yōu)點和用途將在從屬權(quán)利要求中闡述。
本發(fā)明基于使用薄膜技術(shù)將使用帶式記錄媒質(zhì)來作信號記錄和播放的一磁頭鼓中的各個磁頭和信號轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)動部一起制造在一基底上的構(gòu)思。
本發(fā)明的優(yōu)點是提供一種結(jié)構(gòu)，它包括各個磁頭和信號轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)動部的結(jié)構(gòu)，下面稱作磁頭結(jié)構(gòu)，能夠使用已知的薄膜技術(shù)，尤其是集成電路制造技術(shù)大量生產(chǎn)。通過選擇磁頭結(jié)構(gòu)和它們各自的幾何形狀，使用此技術(shù)能夠使薄膜表面得到最佳利用。
這項技術(shù)也適用于用薄膜技術(shù)來大量生產(chǎn)旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的固定部，廣為人知的優(yōu)點是能同時在同一工步中處理大量此類結(jié)構(gòu)，完成后，用已知的方法分離它們。
對一設(shè)定高度的基底，薄膜技術(shù)能方便地使磁頭高精度地排列，特別是可使用螺旋掃描方法在記錄媒質(zhì)上作很小記錄軌道寬度跟蹤的信號記錄和/或播放。磁頭間的軌道高度可以選擇，以便軌道無需防護帶記錄，也就是不用間隔，因此記錄媒質(zhì)100％被利用。因此，鄰近記錄軌道可以不同方位角寫入。
形成環(huán)狀盤芯的各磁頭，在基底上使用薄膜技術(shù)由導磁材料制成，旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)動部也是同樣。在任何情況下都指向記錄媒質(zhì)側(cè)面的盤芯的那端，形成一構(gòu)成頭部間隙的叉形臂，而在任何情況下形成叉形臂的盤芯的那些部分被線圈或螺旋線圈環(huán)繞，以便讀寫信息。旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)動部的導磁材料被做成環(huán)狀腔，在腔里放置的旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器線圈最好是由銅制成。
制造時，這一磁頭結(jié)構(gòu)與一可旋轉(zhuǎn)的主體一道連接到一磁頭鼓的轉(zhuǎn)動部。另一方面，合理選擇基底厚度，這一磁頭結(jié)構(gòu)自己也可用作一磁頭鼓的轉(zhuǎn)動部。
根據(jù)本發(fā)明的第一種方案，提供這樣的一磁頭結(jié)構(gòu)具有各自可以在用薄膜技術(shù)制成的基底上大量生產(chǎn)的磁頭和信號轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)動部。
根據(jù)第二種方案，提供一種將記錄或播放的信號從固定部到磁頭鼓的轉(zhuǎn)動部轉(zhuǎn)換的方式，不用傳統(tǒng)的轉(zhuǎn)換器，反之亦然。由此，當記錄時，從固定部產(chǎn)生并從末端擴展到轉(zhuǎn)動部的磁場，經(jīng)導磁材料直接傳到各個設(shè)計成沒有線圈的磁頭。這有利于進一步簡化設(shè)計，因此進一步降低了產(chǎn)品成本。
此外，本發(fā)明涉及利用帶式記錄媒質(zhì)記錄和播放信息的一帶式記錄裝置的磁頭鼓。本發(fā)明基于權(quán)利要求10所述的一磁頭鼓，此磁頭鼓的設(shè)計復雜。
在此基礎(chǔ)上，本發(fā)明的一目的是改進已知的磁頭鼓。這個目的通過權(quán)利要求10的特征界定的一磁頭鼓來實現(xiàn)。
密集排列使磁頭在一基底上一個緊靠另一個，磁頭所占間隔比已知標準結(jié)構(gòu)減少一半是可能的。
磁頭緊靠排列也能使相應(yīng)數(shù)據(jù)儲存系統(tǒng)有很高的適應(yīng)性。因此，例如，數(shù)據(jù)甚至以正常帶速的一半或三分之一被記錄，如果相對的兩對磁頭被用來同時記錄，則數(shù)據(jù)速度將被提高。而且，依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例可達到的很好的交叉力矩衰減，也可使寫和讀磁頭互相緊靠排列，從而使讀和寫都很方便。如果薄隔磁板被另外放在兩個磁頭之間和兩個轉(zhuǎn)換器線圈之間，則交叉力矩衰減可以增加到90dB。
另外，象磁頭放大器和磁頭轉(zhuǎn)換開關(guān)這樣的電子元件也可以被集成到基底上。在大量生產(chǎn)時，磁頭鼓可以低成本生產(chǎn)，同時具有很高的精度。由于磁頭被布置或形成在一基底上，這省去了復雜的調(diào)整。
這些磁頭鼓尤其用在數(shù)據(jù)視頻和計算機數(shù)據(jù)儲存用戶組中，及象DV-CAM和DV-PRO這樣的專業(yè)組中。
最后，本發(fā)明涉及使用一記錄媒質(zhì)記錄和播放信息的一帶式記錄裝置，因此，本發(fā)明的目的是減少此類帶式裝置的復雜的設(shè)計。
這個目的通過一具有至少一磁頭鼓的一帶式記錄裝置實現(xiàn)，與在同一基底上的旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)動部一道，使用薄膜技術(shù)而達到。
以下面附圖為例對本發(fā)明作更詳細的解釋。在附圖中附

圖1a是一平面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的第一個優(yōu)選實施例的一磁頭鼓的轉(zhuǎn)動部。
附圖1b為磁頭鼓的剖視圖。
附圖1c為具有一寫/讀磁頭和旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器線圈的磁頭鼓的轉(zhuǎn)動部的細節(jié)部分的剖視圖。
附圖1d示出了細節(jié)部分的結(jié)構(gòu)。
附圖2a示出了本發(fā)明的第一種結(jié)構(gòu)，它具有旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)動部和兩個寫/讀磁頭。
附圖2b示出多個第一種結(jié)構(gòu)在基底上重復的情形。
附圖2c示出磁頭鼓的轉(zhuǎn)動部。
附圖3a示出了本發(fā)明的第二種結(jié)構(gòu)，它具有旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)動部和兩個寫/讀磁頭。
附圖3b示出多個第二種結(jié)構(gòu)在基底上重復的情形。
附圖3c示出一磁頭鼓的轉(zhuǎn)動部。
附圖4a是如圖2a-2c或3a-3c所示的磁頭鼓的轉(zhuǎn)動部的平面圖，其上具有旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)動部和兩個寫/讀磁頭。
附圖4b是附圖4a所示的磁頭鼓的剖視圖。
附圖5a是依照第二種方案的具有不帶線圈的旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器和寫/讀磁頭的一磁頭鼓的一透視圖。
附圖5b示出如圖5a所示具有不帶線圈的寫/讀磁頭旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的磁頭鼓的局部透視圖。
首先應(yīng)該指出，在附圖1a-5b中，同樣的參考號表示同樣的或類似的部件。
附圖1a-1b是一磁頭鼓1的示意圖。附圖1a為磁頭鼓1的轉(zhuǎn)動部2的平面圖。所述轉(zhuǎn)動部2上具有例如，兩個寫/讀磁頭3、4(下面稱作磁頭3、4)。通過一記錄媒質(zhì)(未圖示)讀寫信息，一旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)動部具有線圈5、6。附圖1b是磁頭鼓1的剖視圖。附圖1c示意具有旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器線圈5、6的兩磁頭3、4之一的一放大的剖視圖。附圖1d示意附圖1c放大的磁頭平面圖。
磁頭3、4和具有線圈5、6的旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)動部，最好通過薄膜技術(shù)在由SiO2構(gòu)成的基底13(圖1c)的層中制造。磁頭3、4每一個包括一具有由導磁材料構(gòu)成并被設(shè)計成一有一對稱傾斜角的頭部間隙10的兩臂8、9的叉臂7。臂8、9每一個被一沿軸向纏繞的線圈所環(huán)繞。軸向線圈一道構(gòu)成一經(jīng)電線11、12與寫/讀放大器(未示出)連接的磁頭結(jié)構(gòu)。
磁頭3、4和具有線圈5、6的旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)動部由一系列連續(xù)工步制成，下面通過磁頭的制造進行詳細描述。例如，使用薄膜技術(shù)，基底13以一已知的方法裝載由對設(shè)置在叉臂8、9上的磁頭繞線部分顯影的導電材料例如銅(Cu)構(gòu)成，以及由用來形成叉臂7和磁頭間隙10及有一同線圈5、6排列成U形的旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)動部的導磁材料例如Ni-Fe構(gòu)成的第一薄膜層14。通過將SiO2添加到磁電絕緣材料中，就組成了對應(yīng)薄層14的補充。磁頭間隙10，例如，可以用光蝕方法以一獨立的生產(chǎn)步驟制作，同樣填充SiO2。另一導電材料構(gòu)成的第二薄層15用作另一個磁頭線圈，再加上形成臂8、9的導磁材料，通過再添加SiO2，組成此薄層15相應(yīng)的補充。最后，另一個導電材料構(gòu)成的第三薄層16被構(gòu)成磁頭線圈，通過導線11,12，它與旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)動部的線圈5、6之一的電路連接，通過使用SiO2，構(gòu)成了這個薄膜層16相應(yīng)的補充，最后覆蓋一鈍化層(未圖示)，例如SiO2，就完成了此生產(chǎn)過程。
一由鐵鋁硅或鈷鋯組成的高導磁性薄膜也適合作導磁材料。
與磁頭3、4一樣，具有線圈5、6的旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的各轉(zhuǎn)動部也可以這種方法制造，在上述生產(chǎn)過程中，通過將導磁材料施加到基底13上，線圈5、6被埋進與磁頭鼓1的旋轉(zhuǎn)軸17同心制作的U形體內(nèi)。此外，各個具有線圈5、6的旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的固定部18也可按此方法生產(chǎn)。
而且，按此方法，如同2a-2c和3a-3c所示，依照第一種方案，旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的固定部以及具有各磁頭3、4和旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)動部的這種磁頭結(jié)構(gòu)通過已知的薄膜技術(shù)，尤其是集成電路制造可大量生產(chǎn)。
附圖2a-2c和附圖3a-3c，示意了根據(jù)本發(fā)明借助在所有情況下都具有所述類型的磁頭3、4和一旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)動部的兩個帶狀結(jié)構(gòu)20(下面簡稱結(jié)構(gòu)20)使用薄膜技術(shù)的原理。附圖2a示出了第一種結(jié)構(gòu)的平面圖。附圖3a示意了一在所有情況下從一基底13分離出來的第二種磁頭結(jié)構(gòu)20的平面圖。而附圖2b和3b通過示例示出了在所有情況下在一薄膜上排列成一組時磁頭結(jié)構(gòu)20的簡圖。附圖2c和3c為具有這樣一磁頭結(jié)構(gòu)20的磁頭鼓1的轉(zhuǎn)動部2的平面圖。
每個磁頭結(jié)構(gòu)20的磁頭3、4用一對同心圓環(huán)來示出，此同心環(huán)代表排列在使用記錄媒質(zhì)(沒圖示)上來讀寫各磁頭3、4兩臂上的一線圈。每一個磁頭3、4的線圈利用導線11、12用電線連接到一形成一旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的每一個轉(zhuǎn)動部的線圈5、6。旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器和導線11、12，如同各個用薄膜技術(shù)制作的磁頭結(jié)構(gòu)20上的磁頭2、3一樣制作。
然后，這些磁頭結(jié)構(gòu)20中的每一個磁頭，象圖1a-1e所示的旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)動器的轉(zhuǎn)動部和磁頭3、4一樣，被一起連接到或排列在一轉(zhuǎn)動柱體上形成磁頭鼓1的轉(zhuǎn)動部2。
根據(jù)基底材料的形狀和厚度，如圖4a-4b所示，這一技術(shù)也允許將磁頭結(jié)構(gòu)20制成圓盤形，并用作磁頭鼓1的轉(zhuǎn)動部2，而不必使用旋轉(zhuǎn)柱體，如果其制作已經(jīng)完成且已經(jīng)從薄膜上分離下來的話。由于所需基底表面的原因，按這種方式形成的磁頭結(jié)構(gòu)20的形狀尤其適于如攝錄一體機和磁頭鼓較小的設(shè)備中。
圖4a-4b示出了具有這一磁頭結(jié)構(gòu)的磁頭鼓1，圖4a示出了磁頭鼓1的轉(zhuǎn)動部2的平面圖，在優(yōu)選實施例中，轉(zhuǎn)動部2完全由該磁頭結(jié)構(gòu)形成。圖4b為磁頭鼓1的剖視圖。
這一磁頭結(jié)構(gòu)呈圓盤形，除了具有兩個磁頭3、4外，還具有旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)動部。如優(yōu)選實施例所示，它可以設(shè)置成在固定的下圓柱22和上圓柱21之間旋轉(zhuǎn)，從而使磁頭鼓1和圓柱21、22成為一體。
和圖1a-1d所示的磁頭鼓的情形一樣，此處的旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)動部和固定部也由U形導磁材料制成，它和磁頭鼓1的轉(zhuǎn)軸同心設(shè)置，且其中埋有旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的線圈5、6。
在該優(yōu)選實施例和下面將要描述的圖5a-5b所示的優(yōu)選實施例中，為再現(xiàn)這樣磁頭結(jié)構(gòu)，利用薄膜技術(shù)在基底13上制成磁頭3、4。在每種情況中，均是和旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)動部一起形成。
圖5a為磁頭1的透視圖，它包括一轉(zhuǎn)動部2和一固定部18。根據(jù)本發(fā)明的第二個方案，其磁頭25,26上沒有線圈。圖5b是放大的透視圖，示出了具有不帶線圈的磁頭25,26之一的且具有旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的磁頭鼓1的細節(jié)。
旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)動部也沒有線圈，它由環(huán)形轉(zhuǎn)換器環(huán)27、28；29、30組成，這些環(huán)和磁頭鼓1的旋轉(zhuǎn)軸17同心設(shè)置，其在與其相對的位置設(shè)有轉(zhuǎn)移元件，其上具有線圈5、6并和旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的固定部分相適應(yīng)。磁頭25,26和彼此相應(yīng)的各轉(zhuǎn)換器環(huán)27、28；29、30磁連接，且僅由導磁材料利用薄膜技術(shù)制成在基底上，基底最好由SiO2制成。在此情況中，轉(zhuǎn)換器環(huán)27、28；29、30(以下稱薄膜轉(zhuǎn)換器環(huán)27、28；29、30)設(shè)計成以下面的方式被斷開一方面只有通過各磁頭25,26才能構(gòu)成磁回路，同時又可防止交叉干擾。在該實施例中，薄膜轉(zhuǎn)換器環(huán)27、28；29、30和磁頭25,26處于同一平面中。在另一實施例中，磁頭25,26可交替布置在較高的平面或不同的薄膜層中。
旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的固定部具有輪廓呈U形的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，其中埋有線圈5、6。通過將導磁材料和磁阻材料加到基底上形成這些輪廓，所述材料以下述方式施加，各輪廓的中央?yún)^(qū)域由磁阻材料制成，而邊部由導磁材料制成。根據(jù)該優(yōu)選實施例的方案，磁阻材料用于形成磁阻材料(MR)31,32，用于帶式記錄機的播放操作。眾所周知，用于讀取所謂硬盤的磁阻磁頭也用此材料制成，由該材料制成的磁頭需要被提供電源。
正如圖1a-1d所示的優(yōu)選例已描述的那樣，線圈5、6這里也能使用薄膜技術(shù)來制成，用于實現(xiàn)電信號到相應(yīng)磁通信號的對應(yīng)轉(zhuǎn)換，在記錄狀態(tài)經(jīng)過形成一空間的空氣間隙33被轉(zhuǎn)移到旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)動部。基于所述轉(zhuǎn)動部從薄膜轉(zhuǎn)換器環(huán)27、28；29、30進入和出來并這樣穿過各磁頭25、26的磁頭間隙10的狹窄區(qū)域的事實，一位于它前部的記錄媒質(zhì)(未圖示)可以一熟知的方法被重寫。
從另一方面來說，在播放狀態(tài)，激勵在各磁頭間隙10里的磁通借助磁阻元件31、32被轉(zhuǎn)換成一電讀取信號，并被饋送到一未圖示的播放放大器(例如VTC VM 6122型)作進一步處理。這個放大器也通過各磁阻元件31、32提供電流，通常為10-15mA。
使用所述多層技術(shù)，磁阻元件31、32也可以用大量稱作GMS(高磁阻元件)的薄層來制作。依靠大量的薄層，這些元件將單層磁阻元件提供的輸出電壓增加了3-10倍。
對寫和讀很快轉(zhuǎn)換的操作情況，通過減少提供各磁阻元件31、32的電流，可方便地阻止讀放大器的過載。換句話說，讀放大器的增益系數(shù)也可以被適當減少。
為了使用磁阻元件31、32來使各磁頭間隙10里激勵的磁通轉(zhuǎn)換成一相應(yīng)的電讀取信號，具有線圈5、6的旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的電感部分可被交替使用，因此，操作除了在磁頭鼓1的轉(zhuǎn)動側(cè)面上沒發(fā)生電流信號的轉(zhuǎn)換外，與傳統(tǒng)帶式記錄裝置沒有不同。
在此優(yōu)選實施例中，轉(zhuǎn)動部2和固定部18，也就是磁頭鼓1幾乎可以使用薄膜技術(shù)完全制作在基底上。
雖然對利用薄膜技術(shù)制造磁頭3、4和旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器作了描述，當使用薄膜技術(shù)進行制造時，也可在生產(chǎn)工序中使用或增加例如光蝕和汽相淀積等類似工藝。
權(quán)利要求
1．磁頭鼓(1)的制造方法，所述磁頭鼓具有一轉(zhuǎn)動部(2)和一固定部(18)，至少有一磁頭(3、4；25、26)來記錄/播放信息，和具有一包括轉(zhuǎn)動部和固定部用作信號轉(zhuǎn)換的一旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器，其特征為，磁頭(3、4；25、26)和旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)動部利用薄膜技術(shù)被制成在同一基底(13)上。
2．按照權(quán)利要求1的方法，其特征為，磁頭(3、4；25、26)和旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)動部在一個生產(chǎn)過程被制成。
3．按照權(quán)利要求1或2的方法，其特征為，用薄膜技術(shù)制成的磁頭(3、4；25、26)和旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)動部形成帶狀的磁頭結(jié)構(gòu)(20)，它可以使用薄膜技術(shù)在基底(13)的基礎(chǔ)上大量形成。
4．按照權(quán)利要求1或2的方法，其特征為，用薄膜技術(shù)制成的磁頭(3、4；25、26)和旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)動部形成一圓盤狀的磁頭結(jié)構(gòu)(20)，它可以通過薄膜技術(shù)在一基底(13)的基礎(chǔ)上大量形成。
5．按照權(quán)利要求3或4的方法，其特征為，為了形成磁頭鼓(1)的各轉(zhuǎn)動部(2)，磁頭結(jié)構(gòu)(20)被制成并從薄膜上分離出來時在任何情況下都被布置在一轉(zhuǎn)動圓柱體上。
6．按照權(quán)利要求4的方法，其特征為，磁頭鼓(1)完全由圓盤狀的磁頭結(jié)構(gòu)(20)形成。
7.按照權(quán)利要求1至6任何一個的方法，其特征為，磁頭(25、26)和旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)動部沒有線圈，磁頭(25、26)和轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)動部用同一導磁材料制作。
8．按照權(quán)利要求7的方法，其特征為，旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)動部的導磁材料以下面的方式布置在基底(13)的圓環(huán)內(nèi)在旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的固定部相面對形成具有轉(zhuǎn)換元件(相應(yīng)地為環(huán)狀并有線圈(5、6))的斷開的轉(zhuǎn)換器圓環(huán)(27、28、29、30)，從而一方面可通過磁頭(25、26)形成磁回路，另一方面又避免了交叉干擾。
9．按照權(quán)利要求8的方法，其特征為，在旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)動部里的轉(zhuǎn)移裝置由使磁頭間隙(10)里激勵的磁通轉(zhuǎn)換成電讀取信號的磁阻元件(31、32)制成。
10．磁頭鼓，具有至少一磁頭(3、4；25、26)用來記錄或播放使用帶式記錄媒質(zhì)的信息，包括一轉(zhuǎn)動部(2)和一固定部(18)，以及具有一旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器，它具有轉(zhuǎn)動部和固定部，其特征為，磁頭(3、4；25、26)和旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)動部使用薄膜技術(shù)在同一基底(13)上制成。
11．按照權(quán)利要求1的磁頭鼓，其特征為，旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的固定部(18)使用薄膜技術(shù)在基底(13)上制成。
12．帶式記錄裝置，其特征為，它具有權(quán)利要求10和/或11所述的磁頭鼓(1)。
全文摘要
本發(fā)明給出了在同一基底上利用薄膜技術(shù)制造磁頭以及用于信號轉(zhuǎn)移的旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)動部的方法,對具有采用帶式記錄媒質(zhì)的用于記錄/播放信息的轉(zhuǎn)動磁頭的可較低成本制造的磁頭鼓進行了描述。
文檔編號G11B5/02GK1215877SQ9812361
公開日1999年5月5日 申請日期1998年10月27日 優(yōu)先權(quán)日1997年10月29日
發(fā)明者于爾根·卡登, 克勞斯·奧爾德曼, 埃德加·沃斯特豪恩 申請人:德國湯姆遜-布朗特公司