專利名稱：相位變化光記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于包括相位變化記錄材料的相位變化光記錄介質(zhì)，該相位變化記錄材料的光學(xué)常數(shù)通過電磁波特別是半導(dǎo)體激光束施加到其上面是可以變化的，以完成信息的記錄和再現(xiàn)。
相位變化光學(xué)記錄介質(zhì)是光學(xué)記錄介質(zhì)之一，它通過施加激光束在其上面能夠記錄，再現(xiàn)和擦除信息。
就層結(jié)構(gòu)而論，在單一的圖上示出了相位變化光學(xué)記錄介質(zhì)的實(shí)例，如圖所示，下熱阻保護(hù)層2，記錄層3，上熱阻保護(hù)層4和光反射和熱耗散層5以這樣順序依次覆蓋在相位變化光記錄介質(zhì)的基片1上。
各種材料，例如GeTe,GeTeSe,GeSbTe和GeSbTeSe是通常熟知的使用在記錄層3內(nèi)的相位變化記錄材料。進(jìn)而，在日本公開專利申請2-37466,2-171325,2-415581和4-141485中公開了包括具有高靈敏度和極好擦除特性的AgInSbTe的相位變化記錄材料。
前述的通常相位變化光學(xué)記錄材料經(jīng)受了在熱模式下的記錄操作，所以可以觀察到記錄和擦除操作的重復(fù)性變差的趨勢。這樣重復(fù)特性的改進(jìn)因此是最重要的研究課題之一。
為了改進(jìn)重復(fù)特性，在日本公開專利申請4-16383和8-287515公開了加氮原子到記錄層的提議。進(jìn)而，在日本公開專利申請8-287515中，為了改進(jìn)重復(fù)特性，記錄層是如此放置，使它插在下熱阻保護(hù)層和上熱阻保護(hù)層之間，進(jìn)而另一熱阻保護(hù)層作為第三熱阻保護(hù)層覆蓋在上熱阻保護(hù)層的上面。在這種情況下，第三熱阻保護(hù)層的熱擴(kuò)展系數(shù)被控制得小于下和上熱阻保護(hù)層的熱擴(kuò)展系數(shù)，作為結(jié)果，能夠防止當(dāng)熱施加到記錄介質(zhì)時(shí)由于構(gòu)成記錄層的元素運(yùn)動形成的記錄層的變形。
然后，添加氮原子到記錄材料增加了記錄材料的結(jié)晶溫度，作為結(jié)果，相位變化光學(xué)記錄介質(zhì)的初始結(jié)晶不能很好地完成，結(jié)果初始結(jié)晶需要的時(shí)間增加了。進(jìn)而，提供第三熱阻保護(hù)層有增加制造成本的缺點(diǎn)。
依此，本發(fā)明的第一個目標(biāo)是提供在記錄，擦除和再現(xiàn)操作重復(fù)時(shí)不變差的相位變化光學(xué)記錄介質(zhì)。
本發(fā)明的第二目標(biāo)是提供初始結(jié)晶能很容易完成的相位變化光學(xué)記錄介質(zhì)。
本發(fā)明的上述目標(biāo)能按如下方式完成，相位變化光學(xué)記錄介質(zhì)包括基片，下熱阻保護(hù)層，通過利用在記錄層內(nèi)相位變化記錄材料的相位變化來記錄和擦除信息的記錄層，上熱阻保護(hù)層和光反射和熱耗散層，它們以這樣的順序連續(xù)地覆蓋在基片上，記錄材料包括Ag,In,Sb和Te作為主要元素，至少一種附加的元素從包括(1)B,C,N,Al,Si和P的組中選出和至少一種附加的元素從包括(2)鹵素原子和堿金屬元素的組中選出。
作為堿金屬元素，Na和K是優(yōu)選的。
為了更詳細(xì)一些，最好記錄材料包括Ag,In,Sb和Te作為主要元素，至少一種附加元素從組(1)的B,C,N,Al,Si和P中選出和至少一種附加元素從組(2’)的Cl,Br,I,Na和K中選出。
在這種情況下，所希望的是，就原子百分比(原子％)而論的相位變化記錄材料的組成可用下面的公式(Ⅰ)表示AgαInβSbγTeδXεYκ(Ⅰ)這里X是從B,C,N,Al,Si和P組成的組中選出的至少一種元素；Y是從Cl,Br,I,Na和K組成的組中選出的至少一種元素；α+β+γ+ε+K=100；0.5≤ε≤5；和0.5≤K≤3。
作為替換，最好是，記錄材料包括Ag,In,Sb和Te作為主要元素，從B,C,Al,Si和P和氯原子組成的組(1’)中至少選出一種附加元素。
在這種情況下，所希望的是，就原子百分比(原子％)而論的相位變化記錄材料的組成用下面公式(Ⅱ)表示為AgαInβSbγTeδX′ρY′φ(Ⅱ)這里X是從B,C,Al,Si和P組成的組中選出的至少一元素；Y’是F；α+β+γ+δ+ρ+φ=100；0.5≤ρ≤5；和0.5≤φ≤3。
進(jìn)而，最好是，每一下熱阻保護(hù)層或上熱組保護(hù)層的熱擴(kuò)展系數(shù)是在10 ×10-6/℃至25×10-6/℃。
在這種情況下，最好是，每一下或上熱阻保護(hù)層包括從由NaF,BaF2,CoF2,RbF2,SrF2,MgF2,PbF2,KF,CeF3,NdF3,ZnS和ZnO組成的組中選出至少一種化合物。
當(dāng)考慮附圖
時(shí)并結(jié)合下面詳細(xì)的描述可以更好的理解本發(fā)明受欣賞的地方和由此附帶的優(yōu)點(diǎn)單個的圖是依本發(fā)明的相位變化光學(xué)記錄介質(zhì)的斷面圖。
依照本發(fā)明，相位變化光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄層包括由Ag,In,Sb和Te作為主要元素的相位變化光學(xué)記錄材料。可以使用Au代替Ag。進(jìn)而，記錄材料進(jìn)一步包括具有大的配位數(shù)并屬于周期表中第二和第三系列的至少一種附加的元素，它可以從組成組(1)的B,C,N,Al,Si和P中選出，和至少一種附加元素從組成組(2)的鹵素原子和堿金屬元素中選出。
在構(gòu)成記錄材料的元素中的平均配位數(shù)通過添加具有大配位數(shù)的上述元素到記錄材料中可以調(diào)整到2.35。在平均配位數(shù)接近2.35的情況下，當(dāng)記錄材料被熔化并隨著迅速冷卻時(shí)很容易變成玻璃狀，這就意味著改進(jìn)了記錄特性的同時(shí)，熔化記錄材料的粘性增加了。因此，當(dāng)記錄層通過施加激光照射而熔化時(shí)，記錄層被禁止在內(nèi)流動和移動，作為結(jié)果，所獲得記錄介質(zhì)的再現(xiàn)特性被改進(jìn)了。
然后，添加具有大配位數(shù)的上述元素到記錄材料產(chǎn)生了不好的副作用。即，記錄層的最初結(jié)晶不能容易地完成。因此，依照本發(fā)明，記錄材料進(jìn)一步包括從上述鹵素原子和堿金屬元素組成的組中選出的至少一種附加的元素。
特別是，最好記錄介質(zhì)包括Ag,In,Sb和Te作為主要元素，至少一種附加的元素從由B,C,N,Al,Si和P組成的組(1)中選出，和至少一種附加的元素從由Cl,Br,I和堿金屬組成的組(2’)中選出。
替換地，最好記錄材料包括Ag,In,Sb和Te作為主要元素，至少一種附加元素從由B,C,Al,Si和P和氟(F)原子組成的組(1’)中選出。
作為堿金屬元素，在本發(fā)明中最好使用Na和K。
最好，具有大配位數(shù)的附加元素的量是在0.5至5原子％的范圍內(nèi)，依記錄材料組成的百分比最好在2至5的原子％。
最好，從由鹵素原子例如Cl,Br,I和F和從堿金屬例如Na和K組成的組中選出的另一附加元素的量是在0.5至3原子％的范圍內(nèi)，依記錄材料組成的百分比最好是在1至3原子％的范圍內(nèi)。
在本發(fā)明當(dāng)中，最好每一個下熱阻保護(hù)層或上熱阻保護(hù)層的熱擴(kuò)展系數(shù)呈現(xiàn)在10×10-6/℃至25×10-6/℃的范圍內(nèi)。
在本發(fā)明中所用的記錄層的熱擴(kuò)展系數(shù)是23×10-6/℃。當(dāng)下和上熱阻保護(hù)層的熱擴(kuò)展系數(shù)接近插在這些保護(hù)層之間的記錄層的熱擴(kuò)展系數(shù)時(shí)，這三層的熱擴(kuò)展系數(shù)幾乎是相同的，盡管激光束施加到記錄介質(zhì)以進(jìn)行記錄和擦除操作。作為結(jié)果，熱擴(kuò)展差形成的應(yīng)力能被最小化，和因此，記錄介質(zhì)的重復(fù)特性得到了改進(jìn)。
為了獲得這樣的下和上熱阻保護(hù)層，值得推薦的是，每一下和上熱阻保護(hù)層至少包括一種化合物是從由NaF,BaF2,CoF2,RbF2,SrF2,MgF2,PbF2,KF2,CeF3,NdF3,ZnS和ZnO組成的組中選出的。
上述化合物的熱擴(kuò)展系數(shù)如下NaF:32×10-6/℃BaF2:18×10-6/℃CoF2:18×10-6/℃RbF2:34×10-5/℃SrF2:17×10-5/℃MgF2:20×10-6/℃PbF2:32×10-6/℃KF:25×10-6/℃CeF3:15×10-6/℃NbF3:15×10-6/℃ZnS:8.0×10-6/℃ZnO:8.5×10-3/℃通過添加上述列出的化合物中的至少一種到每一熱阻保護(hù)層的成份中可以調(diào)整下和上熱阻保護(hù)層的熱擴(kuò)展系數(shù)。依本發(fā)明的相位變化光學(xué)記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)類似于單張圖示出的結(jié)構(gòu)。
即，下熱阻保護(hù)層2，記錄層3，上熱阻保護(hù)層4，和光反射和熱耗散層5依次附著在承受引導(dǎo)槽的基片1上面。
基片材料的實(shí)例是玻璃，陶瓷和樹脂。從可塑性的觀點(diǎn)來看，在本發(fā)明中基片最好是樹脂。
對于做基片1的示例包括聚炭酸酯樹酯，丙烯酸樹脂，環(huán)氧樹脂，聚本乙烯樹脂，聚乙烯樹脂，聚丙烯樹脂，聚硅桐樹脂，含氟樹脂，ABS樹脂和尿烷樹脂。在考慮工作性和光學(xué)特性時(shí)，這些樹脂中的聚碳酸酯最適合作為基片1的材料。
基片1可以是盤形，片形或片型。
通過例如真空沉積，噴涂或電子束沉積可以提供下和上熱阻保護(hù)層2和4。
每一熱阻保護(hù)層2或4的厚度作為熱阻和光學(xué)相干層的函數(shù)而變化。在本發(fā)明中，最好下熱阻保護(hù)層2的厚度是在500至3,000，最好是在800至2,000。最好上熱阻保護(hù)層4的厚度是在100至1,000的范圍內(nèi)，最好是在150至350。
用上述同樣的方法可以在下熱阻保護(hù)層2上配置有記錄層3。記錄層3的厚度取決于作為記錄層3所使用的記錄材料的能帶寬度。當(dāng)使用能帶寬度為1ev或更多的記錄材料時(shí)，記錄層3的厚度是在50至500范圍，最好是在100至250范圍內(nèi)。與此相反，當(dāng)記錄層3的能帶寬度小于1.0ev時(shí)，記錄層3的厚度可以減小以增加傳送的光。
可以用各種材料和合金制造光反射和熱耗散層5。特別是，Al合金例如Al-Ti,Al-Ni,Al-Mn,Al-Cr,Al-Zr和Al-Si和Ag合金例如Ag-Pd最好被使用以準(zhǔn)備光反射和熱耗散層5。使用真空沉積，噴涂或電子束沉積方法可以形成光反射和熱耗散層，最好光反射和熱耗散層是在200至3000，更好為500至2000。
通過下面描述實(shí)例的過程使本發(fā)明的其它特點(diǎn)變得更加明顯，這些示出發(fā)明所給出的實(shí)例并不限制發(fā)明。
實(shí)例1在其上面設(shè)有寬為1.6μm和深為600引導(dǎo)槽的厚度為1.2mm和直徑為120mm的聚碳酸酯基片，下熱阻保護(hù)層，記錄層，上熱阻保護(hù)層，光反射和熱耗散層用噴涂方法依次復(fù)蓋在其上面。在表1中給出每一層的厚度。
這樣制出依本發(fā)明的相位變化光學(xué)記錄介質(zhì)No.1。
表1
使用高功率輸出的半導(dǎo)體激光光束初始化這樣制造的No.1記錄介質(zhì)。
在記錄介質(zhì)被初始化以后立即測量記錄介質(zhì)任一軌跡的反射系數(shù)所獲得的反射系數(shù)分布。其結(jié)果在表2中示出。
此后，記錄標(biāo)志以這樣的方式寫進(jìn)記錄介質(zhì)No.1,8對14調(diào)制隨機(jī)模式(EFM)的記錄信號(8.64MHz)以記錄介質(zhì)被設(shè)置為2.8m/s的線性速度施加到記錄介質(zhì)。
通過再現(xiàn)重寫EFM隨機(jī)模式就相對于3T信號的跳動值而言評價(jià)光學(xué)記錄介質(zhì)No.1的再寫重現(xiàn)特性。記錄介質(zhì)的線速度在再現(xiàn)操作時(shí)是2.8m/s。
其結(jié)果在表2中示出。
表2
(*)重復(fù)再寫次數(shù)當(dāng)Cl的原子百分比是3原子％或低于在實(shí)例1的光記錄介質(zhì)No1的記錄介質(zhì)層的組成時(shí)，在記錄介質(zhì)存儲時(shí)結(jié)晶被防止，換言之，記錄介質(zhì)的保持穩(wěn)定性是極佳的。進(jìn)而，如例1所示，除Cl以外的鹵素原子產(chǎn)生同樣的效果。
比較例1在實(shí)例1的相位變化光學(xué)記錄介質(zhì)No1的制造過程被重復(fù)，除了記錄層的成分按表3所示進(jìn)行了改變。
表3
這樣，比較相位變化光學(xué)記錄介質(zhì)No1被制造。
在表4中示出了在初始化后的反射系數(shù)分布和最佳初始化條件。
和實(shí)例1相同，進(jìn)而，對比較光學(xué)記錄介質(zhì)No1的再寫重現(xiàn)特性進(jìn)行了評價(jià)。
在表4中重現(xiàn)了這些結(jié)果。
表4
(*)重復(fù)再寫次數(shù)當(dāng)表2所示評價(jià)結(jié)果和表4的評價(jià)結(jié)果相比較時(shí)，從實(shí)例1的記錄介質(zhì)所獲得的相應(yīng)3T信號的跳動值類似于從比較例1的比較記錄介質(zhì)獲得的跳動值，直至重復(fù)再現(xiàn)次數(shù)達(dá)到1000次，當(dāng)再寫操作被重復(fù)5000次時(shí)，在比較例1中的跳動值急劇增加。
進(jìn)而，當(dāng)記錄功率低時(shí)，從表2和表4的結(jié)果可以看出，從實(shí)例1的記錄介質(zhì)獲得的跳動值小于從比較例1的比較記錄介質(zhì)中獲得的值。這意指，在實(shí)例1中制造的記錄介質(zhì)在靈敏度方面得到了改進(jìn)。
考慮到初始化條件，初始化實(shí)例1的記錄介質(zhì)的功率能做得較低，實(shí)例1的記錄介質(zhì)的線性速度能做得比比較實(shí)例1的比較記錄介質(zhì)的線性速度高些。即，在初始化時(shí)的記錄介質(zhì)的熱損壞比例1中減少。可以考慮，在初始化時(shí)熱損壞的減少改進(jìn)了再寫重復(fù)特性。
實(shí)例2實(shí)例1的相位變化光學(xué)記錄介質(zhì)No1的制造過程被重復(fù)，除了記錄層的成份按表5所示的改變。
表5
這樣，依本發(fā)明的相位變化光學(xué)記錄介質(zhì)No2被制造。
最佳初始化條件和在初始化后反射系數(shù)分布被示在表6中。
進(jìn)而，和實(shí)例1的情況一樣，光學(xué)記錄介質(zhì)No2的再寫重復(fù)特性被評價(jià)。
在表6中給出其結(jié)果。
表6
(*)重復(fù)再寫次數(shù)當(dāng)表2所示的評價(jià)結(jié)果和表6的評價(jià)結(jié)果相比較時(shí)，對重寫操作重復(fù)5000次時(shí)，記錄介質(zhì)No1的再寫重復(fù)特性比記錄介質(zhì)No2的記錄特性略好一些。這理由是，在實(shí)例1記錄層的成分中的N內(nèi)容是更適合一些。
從在初始化后的反射系數(shù)分布的結(jié)果來看記錄介質(zhì)No1和記錄介質(zhì)No2兩者的初始化能很容易地完成。當(dāng)記錄功率低時(shí)，記錄介質(zhì)No1的記錄靈敏度比記錄介質(zhì)No2的靈敏度要略好一些。記錄介質(zhì)No1的這些優(yōu)點(diǎn)源于在記錄層的成份中的Cl的適當(dāng)成分。因此可以考慮，Cl做為記錄層中的施主成分。
例3實(shí)例1中的相位變化光學(xué)記錄介質(zhì)No1的制造過程被重復(fù)，除了記錄層的成分按表7所示的改變。
表7
這樣，依本發(fā)明的相位變化光學(xué)記錄介質(zhì)No3被制造。
最佳初始化條件和在初始化后反射系數(shù)分布在表8中示出。
進(jìn)而，光學(xué)記錄介質(zhì)No3的再寫重復(fù)特性和實(shí)例1一樣被評價(jià)。
其結(jié)果示在表8中。
表8
(*)重復(fù)再寫次數(shù)當(dāng)表8所示評價(jià)結(jié)果和表4的結(jié)果相比較時(shí)，記錄介質(zhì)No3的再寫重復(fù)特性得到了改進(jìn)。然而，當(dāng)表8的結(jié)果和表2進(jìn)行比較時(shí)，當(dāng)記錄的激光功率相對低時(shí)，記錄介質(zhì)No3示出了記錄靈敏度變壞的趨勢。理由是，Na并不象Cl在記錄層中象施主那樣起作用。
當(dāng)記錄層的化合物中的Si成分是5原子％或更小時(shí)(沒在表8中示出)，初始的結(jié)晶能容易完成；和當(dāng)記錄層的化合物中的Na成分是3原子％或更少時(shí)，改進(jìn)了記錄介質(zhì)的保持的穩(wěn)定性。進(jìn)而，當(dāng)記錄層的化合物的Si成分是2原子％或更多，記錄介質(zhì)再寫重復(fù)特性顯著地改進(jìn)；和當(dāng)記錄層化合物的Na成份是1原子％或更多，記錄介質(zhì)的初始化能非常容易地完成。
例4實(shí)例1的相位變化光學(xué)記錄介質(zhì)No1的制造過程被重復(fù)，除了記錄層化合物按表9所示的變化。
表9
這樣，依本發(fā)明的相位變化光學(xué)記錄介質(zhì)No4被制造了。
最佳初始化條件和初始化后的反射系數(shù)分散示于表10。
進(jìn)而，光學(xué)記錄介質(zhì)No4的再寫重復(fù)特性和實(shí)例1一樣被評價(jià)。其結(jié)果示于表10中。
表10
(*)重復(fù)再寫次數(shù)從表10示出的結(jié)果可以看出，記錄介質(zhì)No4的再寫重復(fù)特性得到了改進(jìn)。
當(dāng)記錄層的化合物里的B成分是5原子％或更少(未在表10中示出)，初始結(jié)晶能更容易完成；和當(dāng)B的成份是2原子％或更多，記錄介質(zhì)的再寫重復(fù)特性顯著地改進(jìn)了。另一方面，當(dāng)記錄層化合物的K成分是3原子％或更少，記錄介質(zhì)保持的穩(wěn)定性得到了改進(jìn)；和當(dāng)K的成分是1原子％或更多，記錄介質(zhì)的初始化能非常容易地完成。
實(shí)例5實(shí)例1的相位變化光學(xué)記錄介質(zhì)No1的制造過程被重復(fù)，除了下和上熱阻保護(hù)層的化合物按表11所示的改變。
表11<
這樣，依本發(fā)明的相位變化光記錄介質(zhì)No5被制成了。
最佳初始化條件和初始化后反射特性分布示在表12中。
進(jìn)而，和實(shí)例1一樣，光學(xué)記錄介質(zhì)No5的再寫重復(fù)特性被評價(jià)。
其結(jié)果在表12中示出。
表12<
>
(*)重復(fù)再寫次數(shù)可以證實(shí)的是，通過使用表11所示的化合物的下和上熱阻保護(hù)層改進(jìn)了記錄介質(zhì)No5的再寫重復(fù)特性。再寫重復(fù)特性改進(jìn)的理由是，下和上熱阻保護(hù)層的熱擴(kuò)展系數(shù)接近記錄層和光反射和熱耗散層的系數(shù)，因此減少了層之間產(chǎn)生的應(yīng)力。
實(shí)例6實(shí)例1的相位變化光學(xué)記錄介質(zhì)No.1的制造過程被重復(fù)，除了下和上熱阻保護(hù)層的化合物按表13加以改變。
表13
這樣，依本發(fā)明的相位變化光記錄介質(zhì)No6就被制成了。
光學(xué)初始化條件和初始化后反射系數(shù)分布示在表14中。
進(jìn)而，和實(shí)例1相同，對光學(xué)記錄介質(zhì)No6的再寫重復(fù)特性進(jìn)行評價(jià)。
其結(jié)果在表14中示出。
表14
>
(*)重復(fù)再寫次數(shù)可以證實(shí)的是，記錄介質(zhì)No.6示出的改進(jìn)再寫重復(fù)特性類似于在實(shí)例5制造的相位變化光學(xué)記錄介質(zhì)No.5。
實(shí)例7實(shí)例1的相位變化光學(xué)記錄介質(zhì)No.1的制造過程被重復(fù)，除了下和上熱阻保護(hù)層的化合物按表15變化。
表15
這樣，依本發(fā)明的相位變化光記錄介質(zhì)No7就被制成了。
最佳初始化條件和初始化后反射系數(shù)分散示在表16中示出。
進(jìn)而，光學(xué)記錄介質(zhì)No.7的再寫重復(fù)特性和實(shí)例1一樣被評價(jià)。
其結(jié)果在表16中示出。
表16
(*)重復(fù)再寫次數(shù)可以證實(shí)的是，記錄介質(zhì)No.7示出的改進(jìn)的重寫重復(fù)特性類似于在實(shí)例5和6分別制造的相位變化光學(xué)記錄介質(zhì)No.5和No.6。
正如前面解釋的，依本發(fā)明的相位變化光學(xué)記錄介質(zhì)的最初結(jié)晶能很容易完成。以此同時(shí)，顯著地改善了再寫重復(fù)特性和記錄靈敏度。
權(quán)利要求
1．相位變化光學(xué)記錄介質(zhì)包括基片，下熱阻保護(hù)層，通過利用在所說記錄層的相位變化記錄材料的相位變化進(jìn)行記錄和擦除信息的記錄層，上熱阻保護(hù)層和光反射和熱耗散層，這些層按此順序依次覆蓋在所說基片上，所說的記錄材料包括Ag,In,Sb和Te做為主元素；從組成組(1)的B,C,N,Al,Si和P中選定至少一種附加元素；和從組成組(2)的鹵素原子和堿金屬元素中選定至少一種附加元素。
2．權(quán)利要求1的相位變化光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所說堿金屬元素包括Na和K。
3．權(quán)利要求1的相位變化光學(xué)記錄介質(zhì)，其中所說記錄材料包括Ag,In,Sb和Te做為主元素，從組成組(1)的B,C,N,Al,Si和P中選定至少一種附加元素；和從組成組(2’)的Cl,Br,I,Na和K中選定至少一種附加元素。
4．權(quán)利要求1的相位變化光學(xué)記錄介質(zhì)，其中記錄材料包括Ag,In,Sb和Te作為主元素；從組成組(1’)的B,C,Al,Si和P中選定至少一種附加元素和氟(F)原子。
5．權(quán)利要求3的相位變化光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所說相位變化記錄材料化合物的原子百分比可用公式(Ⅰ)表示為AgαInβSbγTeδXεYκ(Ⅰ)這里X是至少從組成組(1)的B,C,N,Al,Si和P中選定的一種附加元素；Y是至少從組成組(2’)的Cl,Br,I,Na和K中選定的一種附加元素；α+β+γ+ε+K=100；0.5≤ε≤5；和0.5≤K≤3。
6．權(quán)利要求4的相位變化光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所說相位變化記錄材料的化合物的原子百分?jǐn)?shù)用公式(Ⅱ)表示為AgαInβSbγTeδX′ρY′φ(Ⅱ)這里X’是從組成組(1’)B,C,Al,Si和P中選定的至少一種附加元素；Y’是氟原子；α+β+γ+δ+ρ+φ=100；0.5≤ρ≤5；和0.5≤φ≤3。
7．權(quán)利要求1的相位變化光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所說下熱阻保護(hù)層和所說上熱阻保護(hù)層呈現(xiàn)的熱擴(kuò)展系數(shù)范圍是10×10-6℃至25×10-6℃。
8．權(quán)利要求7的相位變化光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所說下熱阻保護(hù)層和所說上熱阻保護(hù)層包括至少一種化合物，它們從NaF,BaF2,CoF2,RbF2,SrF2,MgF2,PbF2,KF,CeF3,NdF3,ZnS和ZnO組成的組中選出。
全文摘要
相位變化光學(xué)記錄介質(zhì)具有基片,和下熱阻保護(hù)層,利用在記錄層中的相位記錄材料的相位變化進(jìn)行記錄和擦除信息的記錄層,上熱阻保護(hù)層和光反射和熱耗散層,它們按這樣的順序依次覆蓋在基片上,該記錄材料包括Ag,In,Sb和Te作為主元素,至少一種附加元素選于組成組(1)的B,C,N,Al,Si和P;和至少一種附加元素選自于組成組(2)的鹵素原子和堿金屬元素。
文檔編號G11B7/257GK1220446SQ9812654
公開日1999年6月23日 申請日期1998年11月28日 優(yōu)先權(quán)日1997年11月28日
發(fā)明者讓原肇, 芝口孝, 出口浩司, 針谷真人, 筱塚道明, 木下干夫, 影山喜之, 安倍通治 申請人:株式會社理光