專利名稱：圖形形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在例如滑塊條與記錄介質(zhì)相對向的面上粘貼耐蝕膜，通過曝光顯影，在上述耐蝕膜上形成ABS面蝕刻圖形的圖形形成方法，特別是涉及能形成尺寸精確的蝕刻圖形的圖形形成方法。
裝載于硬盤等裝置的磁頭裝置，是在板簧材料形成的萬向架的前端裝上滑塊，再在該滑塊的端部形成具有記錄與再現(xiàn)功能的薄膜元件而制成的。


圖15是表示與記錄介質(zhì)相對向的面向上時(shí)的上述滑塊的立體圖。
圖15所示的滑塊30由鋁鈦金屬陶瓷或Si(硅)等陶瓷材料形成，在其與記錄介質(zhì)硬盤相對向的面上形成氣槽31，在其兩側(cè)形成軌道部32、32。
如圖15所示，上述的軌道部32、32形成特定的隆起形狀，上述的軌道部32、32的表面是ABS面(懸浮面)33、33。上述軌道部32、32的前側(cè)A端部形成傾斜部34、34。
滑塊30的后側(cè)B端面(端部)設(shè)有薄膜元件35。
上述薄膜元件35，由具有AMR元件或旋轉(zhuǎn)閥(スピンバルブ)型薄膜元件等具有磁阻效果元件層的再現(xiàn)用MR頭與磁性材料制成的磁芯與線圈形成的記錄用感應(yīng)頭層積而成。
如圖15所示，在后側(cè)B端面上形成有從上述薄膜元件35引出的若干端子電極部36。
在制造上述滑塊30時(shí)，先將作為上述滑塊30原料的陶瓷材料做成圓形，再在上述陶瓷材料上并列地噴涂上若干薄膜元件。
然后將上述陶瓷材料切割成薄片狀，使上述陶瓷材料成為若干細(xì)長形的滑塊條。
圖16是上述滑塊條40的立體圖。
如圖16所示，在上述滑塊條40的側(cè)面41(后側(cè)端面)形成有若干個(gè)薄膜元件35。
圖16所示的符號42是與記錄介質(zhì)相對向的面，通過在該相對面上曝光顯影，形成了與薄膜元件35的數(shù)量相對應(yīng)的若干圖15所示的ABS面33。
下面用圖17對現(xiàn)有的ABS面蝕刻圖形形成方法進(jìn)行說明。
首先，如圖17所示，在平面狀的夾具45上，放置若干滑塊條40(參照圖16)，使其與記錄介質(zhì)相對向的面42朝上。
這時(shí)，因?yàn)樵诟骰瑝K條40的側(cè)面形成有圖16所示的薄膜元件35，所以為了不至損傷該薄膜元件35，要在各滑塊條40之間留有一定的空隙46。
如圖17所示，各滑塊條40用粘結(jié)劑47固定在夾具45上。
然后，在上述滑塊條40的表面，貼上感光耐蝕膜48。
抗蝕劑除了有薄膜狀之外還有液體狀的，但是與液體狀的抗蝕劑相比，耐蝕膜價(jià)格便宜，此外如使用液體狀的抗蝕劑，因?yàn)橐獙⑸鲜鲆后w狀的抗蝕劑中所含的溶劑除去，所以在涂敷到滑塊條40的表面之后必須進(jìn)行加熱處理。但若使用耐蝕膜，就不必進(jìn)行上述的加熱工序，具有減少工序的優(yōu)點(diǎn)。
接著，通過曝光掩模(圖中未表示出)，在上述耐蝕膜48的表面，對ABS面蝕刻圖形進(jìn)行曝光，顯影，干蝕刻，在滑塊條40的相對面42(參照圖16)上形成若干圖15所示的ABS面33。
從薄膜元件35之間對這種在相對面42上形成了若干ABS面33的滑塊條40進(jìn)行切割，便可由一條滑塊條40制得若干圖15所示的滑塊30。
但是，現(xiàn)有的ABS面蝕刻圖形形成方法存在以下問題。
如圖17所示，在夾具45上放置若干滑塊條40，再在上述滑塊條40的表面貼上耐蝕膜48后，滑塊條40之間的間隙46上所貼的耐蝕膜48會彎曲，上述耐蝕膜48的表面就不會平坦。
耐蝕膜48表面不平坦的另一個(gè)重要原因，是因?yàn)槿鐖D16所示的滑塊條40，其相對面42事先便形成了圖15所示的傾斜部34，或者是因?yàn)樯鲜龌瑝K條40的相對面42事先就形成了隆起形狀。
在如圖17所示的耐蝕膜48表面不平坦的狀態(tài)下，在上述耐蝕膜48的表面進(jìn)行ABS面蝕刻圖形曝光的話，就會產(chǎn)生上述蝕刻圖形歪斜，不能形成尺寸精確的ABS面33(參照圖15)的問題。
另外，在上述蝕刻圖形形成之后，用該蝕刻圖形在上述滑塊條40上進(jìn)行干蝕刻，但因?yàn)樯鲜龌瑝K條40的側(cè)面處于露出狀態(tài)，所以上述滑塊條40的側(cè)面也會被蝕刻，被刻下的陶瓷粉末會再附著在位于鄰側(cè)的滑塊條40等的側(cè)面。
由于上述滑塊條40的側(cè)面已形成了薄膜元件35(參照圖16)，因此上述薄膜元件35會因干蝕刻而受損傷。
本發(fā)明是為解決上述問題而完成的，其目的是提供一種能形成尺寸精確的蝕刻圖形，并且能防止干蝕刻時(shí)基板粉末再附著，以及防止薄膜元件受損傷的圖形形成方法。
本發(fā)明第一實(shí)施方式的圖形形成方法具有在夾具上并列放置若干條其側(cè)面有若干薄膜元件的滑塊條的工序；
在上述滑塊條的表面粘貼耐蝕膜或涂敷液體抗蝕劑，用上述耐蝕膜或液體抗蝕劑堵填上述滑塊條之間的間隙的準(zhǔn)備工序；用顯影液將上述滑塊條上的耐蝕膜或液體抗蝕劑除去，讓堵填于上述滑塊條之間的間隙中的耐蝕膜或液體抗蝕劑依然殘留的工序；在上述滑塊條的表面粘貼耐蝕膜的工序；對上述耐蝕膜表面進(jìn)行曝光顯影、形成ABS面蝕刻圖形的工序；以及用上述蝕刻圖形，對上述滑塊條表面進(jìn)行干蝕刻的工序。
在上述準(zhǔn)備工序中，最好是對滑塊條表面的耐蝕膜進(jìn)行加熱，用上述耐蝕膜堵填上述滑塊條之間的間隙。
本發(fā)明第二實(shí)施方式的圖形形成方法具有在夾具上并列放置若干條其側(cè)面有若干薄膜元件的滑塊條的工序；在上述滑塊條的表面粘貼耐蝕膜的工序；對上述滑塊條表面的耐蝕膜進(jìn)行加熱、加壓，用上述耐蝕膜堵填上述滑塊條之間的間隙的工序；對上述滑塊條表面的耐蝕膜進(jìn)行曝光顯影、形成ABS面蝕刻圖形的工序；以及用上述蝕刻圖形，對上述滑塊條表面進(jìn)行干蝕刻的工序。
根據(jù)本發(fā)明，滑塊條表面粘貼的耐蝕膜的厚度最好大于形成ABS面蝕刻圖形所需的厚度。
本發(fā)明第三實(shí)施方式的圖形形成方法具有在基板上形成若干薄膜元件，接著形成覆蓋上述薄膜元件的抗蝕劑層的工序；對上述基板進(jìn)行切割，形成若干滑塊條的工序；
在夾具上并列放置若干條滑塊條，使其具有薄膜元件的面成為滑塊條之間相對側(cè)面的工序；在并列的上述滑塊條的表面粘貼耐蝕膜的工序；對上述滑塊條表面的耐蝕膜進(jìn)行曝光顯影、形成ABS面蝕刻圖形的工序；以及用上述蝕刻圖形，對上述滑塊條表面進(jìn)行干蝕刻的工序。
根據(jù)本發(fā)明，上述抗蝕劑層可用耐蝕膜，也可以用液體抗蝕劑。
另外，根據(jù)本發(fā)明，從上述薄膜元件引出、在形成上述薄膜元件的同一面上形成的端子電極部上，最好不形成上述抗蝕劑層。
采用本發(fā)明，可以在例如與滑塊條的記錄介質(zhì)相對的面上，形成尺寸精確的ABS面(懸浮面)蝕刻圖形，而且可以防止在用上述蝕刻圖形對滑塊條進(jìn)行干蝕刻時(shí)，對滑塊條的側(cè)面造成損傷。
要形成尺寸精確的蝕刻圖形，就應(yīng)使粘貼于上述滑塊條的耐蝕膜表面做成平面狀。
要防止在進(jìn)行干蝕刻時(shí)對滑塊條的側(cè)面造成損傷，就應(yīng)使固定于夾具上的若干滑塊條之間的間隙浸透抗蝕劑，以上述抗蝕劑保護(hù)上述滑塊條的側(cè)面。
本發(fā)明的ABS面蝕刻圖形形成工序如圖3至圖5、圖6至圖8、圖9至圖11、圖12至圖14所示。
圖3至圖5以及圖6至圖8所示的ABS面蝕刻圖形形成方法是，對固定于夾具9上的若干滑塊條6的表面加熱、粘貼耐蝕膜12，或者涂敷液體抗蝕劑14，使上述耐蝕膜12或液體抗蝕劑14堵填于上述滑塊條6之間的間隙11中。
然后，用顯影液將上述滑塊條6上的耐蝕膜12或液體抗蝕劑14除去，再在上述滑塊條6的表面粘貼耐蝕膜13。
圖9至圖11所示的ABS面蝕刻圖形形成方法是，在固定于夾具9上的若干滑塊條6的表面，粘貼其厚度大于通常形成蝕刻圖形所需厚度的耐蝕膜15，對上述耐蝕膜15加熱、加壓，將上述耐蝕膜15堵填于上述滑塊條6之間的間隙中，同時(shí)使上述耐蝕膜15的表面變得平坦。
圖12至圖14所示的ABS面蝕刻圖形形成方法是，在形成圓形的陶瓷材料18上，形成抗蝕劑層20，將上述陶瓷材料18切割成滑塊條21。
在將若干條上述滑塊條21固定于夾具9上時(shí)，使上述滑塊條21之間的間隙22較窄，在這種狀態(tài)下在滑塊條21上粘貼耐蝕膜23。
不管采用本發(fā)明的哪一種實(shí)施方式，固定與夾具上的若干滑塊條之間的間隙均被耐蝕膜或液體抗蝕劑堵填，耐蝕膜是貼在因上述間隙被抗蝕劑堵填而變得平坦的上述滑塊條的表面。因此，張貼于滑塊條表面的耐蝕膜的表面也處于平坦?fàn)顟B(tài)。
因此，根據(jù)本發(fā)明，因?yàn)榭梢栽谄教沟哪臀g膜表面形成ABS面蝕刻圖形，所以能形成尺寸精確的上述蝕刻圖形。
在對耐蝕膜形成蝕刻圖形的顯影工序中，滑塊條之間的間隙中浸透的抗蝕劑不被顯影液除去。
根據(jù)本發(fā)明，在蝕刻圖形形成之后進(jìn)行干蝕刻時(shí)，滑塊條側(cè)面不會因干蝕刻而被刻損，可以防止干蝕刻刻下的粉末再附著在滑塊條的側(cè)面。
另外，通過在滑塊條之間的間隙中堵填抗蝕劑，形成于滑塊條側(cè)面的薄膜元件不會因干蝕刻而受損傷。
圖1是表示與記錄介質(zhì)相對的面向上時(shí)的滑塊的立體圖。
圖2是滑塊條的立體圖。
圖3是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的ABS面蝕刻圖形形成方法的工序圖。
圖4是表示ABS面蝕刻圖形形成方法中圖3所示工序的后續(xù)工序的工序圖。
圖5是表示ABS面蝕刻圖形形成方法中圖4所示工序的后續(xù)工序的工序圖。
圖6是表示本發(fā)明第二實(shí)施方式的ABS面蝕刻圖形形成方法的工序圖。
圖7是表示ABS面蝕刻圖形形成方法中圖6所示工序的后續(xù)工序的工序圖。
圖8是表示ABS面蝕刻圖形形成方法中圖7所示工序的后續(xù)工序的工序圖。
圖9是表示本發(fā)明第三實(shí)施方式的ABS面蝕刻圖形形成方法的工序圖。
圖10是表示ABS面蝕刻圖形形成方法中圖9所示工序的后續(xù)工序的工序圖。
圖11是表示ABS面蝕刻圖形形成方法中圖10所示工序的后續(xù)工序的工序圖。
圖12是表示本發(fā)明第四實(shí)施方式的ABS面蝕刻圖形形成方法的工序圖。
圖13是表示ABS面蝕刻圖形形成方法中圖12所示工序的后續(xù)工序的工序圖。
圖14是表示ABS面蝕刻圖形形成方法中圖13所示工序的后續(xù)工序的工序圖。
圖15是表示與記錄介質(zhì)相對的面向上時(shí)的滑塊的立體圖。
圖16是滑塊條的立體圖。
圖17是表示現(xiàn)有的ABS面蝕刻圖形形成方法的工序圖。
圖1是表示與記錄介質(zhì)相對的面(ABS面、懸浮面)向上時(shí)的、裝在硬盤等裝置中的本發(fā)明滑塊的立體圖。
圖1所示的滑塊1由鋁鈦金屬陶瓷或Si(硅)等陶瓷材料形成。
如圖1所示，在與作為記錄介質(zhì)的硬盤相對的面上形成氣槽2，在其兩側(cè)形成軌道部3、3。
如圖1所示，上述的軌道部3、3形成特定的隆起形狀，上述的軌道部3、3的表面是ABS面(懸浮面)4、4。上述軌道部3、3的前側(cè)C端部形成傾斜部5、5。
滑塊1的后側(cè)D端面(端部)設(shè)有薄膜元件7。
上述薄膜元件7，由具有AMR元件或旋轉(zhuǎn)閥型薄膜元件等具有磁阻效果元件層的再現(xiàn)用MR頭與磁性材料制成的磁芯與線圈形成的記錄用感應(yīng)頭層積而成。
上述磁阻效果元件層由AMR(amisotropic magnetoresistive)元件或以旋轉(zhuǎn)閥膜為代表的GMR(giant magnetoresistive)元件構(gòu)成，可能因記錄介質(zhì)泄漏的磁場而引起磁阻變化而輸出電壓變化。
如圖1所示，在滑塊1的后側(cè)D端面上，形成從薄膜元件7引出的薄膜形成的電極端子部17。
圖1所示的滑塊1的下面?zhèn)?，即ABS面4的反面?zhèn)妊b有板簧材料形成的撓性構(gòu)件或承重梁式的支承部件，上述撓性構(gòu)件上也形成導(dǎo)電圖形，該導(dǎo)電圖形通過金(Au)等球焊與上述電極端子部17連接。
裝載圖1所示的滑塊1的磁頭裝置是以CSS方式工作的，在上述滑塊1在懸浮于記錄介質(zhì)一定量的狀態(tài)下，用薄膜元件7進(jìn)行記錄與再現(xiàn)。
在制造圖1所示的滑塊1時(shí)，先將作為上述滑塊1原料的陶瓷材料形成圓板形。
然后，在上述陶瓷材料上并列地圖形形成若干個(gè)薄膜元件7，再將上述陶瓷材料切割成薄片狀，從一個(gè)圓板形的陶瓷材料制成若干圖2所示的滑塊條6。
這時(shí)，如圖2所示，在滑塊條6的端面上有若干個(gè)薄膜元件7成膜。
下面，對在圖2所示的滑塊條6的表面(與記錄介質(zhì)相對的面)8上，形成圖1所示ABS面4的蝕刻圖形的方法進(jìn)行說明。
如圖3所示，在夾具9上，用粘結(jié)劑10固定若干滑塊條6。
這時(shí)，如圖3所示，要在滑塊條6之間留有一定的空隙11。
滑塊條6之間之所以要留有一定的空隙11，是因?yàn)樵谏鲜龌瑝K條6的側(cè)面，薄膜元件7成膜(參照圖2)，這樣可以不損傷該薄膜元件7。
然后，如圖3所示，在上述滑塊條6的表面貼上耐蝕膜12。
上述耐蝕膜12是在薄膜狀的抗蝕劑下側(cè)貼上覆蓋膜與/或上述抗蝕劑的上側(cè)貼上基膜層積而成的，該耐蝕膜12用輥粘貼到圖3所示的滑塊條6上。
根據(jù)本發(fā)明，粘貼時(shí)要加熱，具體地說是將滑塊條6予加熱至60℃～100℃之間，上述輥的溫度在100℃～140℃之間，然后將上述耐蝕膜貼到滑塊條6上。
這樣，通過加熱粘貼上述耐蝕膜12，上述耐蝕膜12被融化，上述耐蝕膜12便浸透在滑塊條6之間的間隙11中。
如圖3所示，浸透在上述間隙11中的耐蝕膜12的表面是凹陷的。
接著，根據(jù)本發(fā)明，要用顯影液將上述耐蝕膜12除去。
如圖4所示，滑塊條6上的上述耐蝕膜12被顯影液除去，但是堵填于顯影液不易滲入的滑塊條6之間的間隙11中的上述耐蝕膜12則原封不動(dòng)地殘留下來了。
由于耐蝕膜12殘留在上述的間隙11中，滑塊條6的表面就變成了平坦的狀態(tài)。
然后，如圖5所示，在滑塊條6與耐蝕膜12的表面貼上耐蝕膜13。
該耐蝕膜13是與圖3所示的耐蝕膜12一樣的層積狀，用輥將其貼在滑塊條6的表面與耐蝕膜12的表面。
粘貼時(shí)的溫度要比粘貼圖3所示的耐蝕膜12時(shí)的溫度低，用UV等使貼在上述滑塊條6表面的耐蝕膜13硬化。
根據(jù)本發(fā)明，由于在滑塊條6的間隙11中堵填了耐蝕膜12，所以可以在變得平坦的滑塊條6的表面貼耐蝕膜13，因此所貼的上述耐蝕膜13的表面也就容易平坦。
在圖5所示的狀態(tài)下，對上述耐蝕膜13的表面進(jìn)行曝光、顯影，在上述耐蝕膜13的表面形成ABS面蝕刻圖形。
在上述顯影工序中，只有作為蝕刻圖形的耐蝕膜13殘留在滑塊條6的表面，其余的耐蝕膜13從滑塊條6的表面被除去，但是堵填于顯影液不易滲入的滑塊條6之間的間隙11中的耐蝕膜12則未除去，原封不動(dòng)地殘留下來。
如上所述，由于上述耐蝕膜13的表面變得平坦，因此根據(jù)本發(fā)明，通過對上述耐蝕膜13的表面進(jìn)行曝光、顯影，便可形成尺寸精確的ABS面蝕刻圖形。
接著，用顯影工序后留在滑塊條6上的耐蝕膜13進(jìn)行干蝕刻工序。
進(jìn)行干蝕刻時(shí)，因?yàn)橛心臀g膜12殘留在滑塊條6之間的間隙11中，所以上述滑塊條6的側(cè)面不會因上述干蝕刻而被刻損，干蝕刻刻下的粉末不會附著在例如相鄰的滑塊條6的側(cè)面。
而且，由于在滑塊條6之間的間隙11中堵填了耐蝕膜12，所以形成于滑塊條6側(cè)面的薄膜元件7(參照圖2)也不會受干蝕刻的影響，可防止上述薄膜元件7因干蝕刻而受損傷。
接下來，將滑塊條6上殘留的耐蝕膜13以及在滑塊條6之間的間隙11中殘留的耐蝕膜12除去，將上述滑塊條6從夾具9上取下，將上述滑塊條6切割成圖1所示的一個(gè)個(gè)滑塊。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，在固定于夾具9上的若干滑塊條6的間隙11中浸透耐蝕膜12(參照圖3)，用顯影液僅將滑塊條6上的耐蝕膜12除去之后(參照圖4)，便可使上述滑塊條6的表面變得平坦。
在變得平坦的上述滑塊條6的表面再貼上耐蝕膜13(參照圖5)，便可容易地使上述耐蝕膜13的表面變得平坦。
因此，根據(jù)本發(fā)明，便可在上述耐蝕膜13的表面形成尺寸精確的ABS面蝕刻圖形。
另外，在形成蝕刻圖形的顯影工序中，因?yàn)椴⒉怀ザ绿钣谏鲜龌瑝K條6之間的間隙11中的耐蝕膜12，所以滑塊條的側(cè)面不會因?yàn)楦晌g刻而被刻掉。
在圖3至圖5所示的圖形形成方法中，滑塊條6之間的間隙11中雖然堵填了耐蝕膜12，但是也可以用液體抗蝕劑取代上述耐蝕膜12。
采用液體抗蝕劑的圖形形成方法如圖6至圖8所示。
如圖6所示，在用粘結(jié)劑10固定于夾具9上的若干滑塊條6的表面，涂敷液體抗蝕劑14。
這時(shí)，在上述滑塊條6之間的間隙11中也浸透了上述液體抗蝕劑14，浸透上述間隙11的液體抗蝕劑14的表面呈凹陷狀態(tài)。
然后，再進(jìn)行加熱，使上述液體抗蝕劑14硬化，之后用顯影液，如圖7所示，將上述液體抗蝕劑14除去。
如圖7所示，只有滑塊條6上涂敷的液體抗蝕劑14被顯影液除去，浸透在滑塊條6之間的間隙11中的液體抗蝕劑14被原封不動(dòng)地留了下來。
接著，如圖8所示，在滑塊條6的表面以及堵填于上述滑塊條6之間的間隙11中的液體抗蝕劑14的表面，貼上耐蝕膜13，之后進(jìn)行曝光、顯影，以及干蝕刻工序。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，用耐蝕膜12或液體抗蝕劑14(下面簡稱“抗蝕劑”)堵填固定于夾具9上的若干滑塊條6之間的間隙11，然后將上述滑塊條6上的抗蝕劑用顯影液除去。
但是，因?yàn)轱@影液不易滲到浸透滑塊條6之間的間隙11中的抗蝕劑中，所以上述抗蝕劑不會被除去，而殘留在滑塊條6之間的間隙11中。
這樣，由于抗蝕劑殘留在滑塊條6之間的間隙11中，滑塊條6的表面變得平坦，根據(jù)本發(fā)明，可以在該變得平坦的滑塊條6的表面粘貼耐蝕膜13，因此，上述耐蝕膜13的表面容易變得平坦。
根據(jù)本發(fā)明，在上述耐蝕膜13的表面可以形成尺寸精確的ABS面蝕刻圖形。
另外，在形成蝕刻圖形的顯影工序中，因?yàn)椴⒉怀ザ绿钣谏鲜龌瑝K條6之間的間隙11中的抗蝕劑，所以滑塊條6的側(cè)面不會因?yàn)楦晌g刻而被刻掉，可防止蝕刻粉末的再附著以及薄膜元件7的被損傷。
圖9至圖11以及圖12至圖14表示了本發(fā)明的其它圖形形成方法。
如圖9所示，用粘結(jié)劑10將若干滑塊條6粘接、固定于夾具9上。
在上述滑塊條6的表面貼上耐蝕膜15。
上述耐蝕膜15的厚度要厚于通常蝕刻圖形曝光、顯影所需的厚度。
如圖9所示，貼在滑塊條6之間的間隙11上的耐蝕膜15的表面呈凹陷狀態(tài)。
根據(jù)本發(fā)明，最好是在對耐蝕膜15加熱的同時(shí)，將其貼到滑塊條6的表面。
通過加熱，貼在滑塊條6之間的間隙11上的耐蝕膜15被融化，堵填在上述間隙11之間。
接著根據(jù)本發(fā)明，如圖10所示，用加熱了的壓板16對上述耐蝕膜15加壓。
上述壓板16下面的形狀必須是平面。
通過用壓板16加熱、加壓，上述耐蝕膜15被融化，上述耐蝕膜15浸透到滑塊條6之間的間隙11中去，上述滑塊條6的表面變得平坦。
接著，如圖11所示，將壓板16取走，在上述滑塊條6之間的間隙11中堵填上述耐蝕膜15，而且上述耐蝕膜15在滑塊條6上面有一定的厚度，其表面呈平坦?fàn)顟B(tài)。
然后，對變得平坦的耐蝕膜15的表面進(jìn)行曝光、顯影，便可形成尺寸精確的ABS面蝕刻圖形。
另外，在形成上述蝕刻圖形的顯影工序中，因?yàn)椴⒉怀ソ赣谏鲜龌瑝K條6之間的間隙11中的耐蝕膜15，所以滑塊條6的側(cè)面不會因?yàn)楦晌g刻而被刻掉，可防止蝕刻粉末的再附著到滑塊條6的側(cè)面上，并可防止薄膜元件7(參照圖2)被損傷。
上述圖3至圖5所示的蝕刻形成方法，圖6至圖8所示的蝕刻形成方法，以及圖9至圖11所示的蝕刻形成方法，均系將若干滑塊條6固定在夾具9上之后，在上述滑塊條6之間的間隙11中堵填耐蝕膜或液體抗蝕劑的，然而圖12至圖14所示的蝕刻形成方法可在將若干滑塊條6粘接、固定于夾具9上時(shí)，預(yù)先將上述滑塊條6之間形成的間隙留得很小。
如上所述，為了形成滑塊1(參照圖1)，首先要將上述滑塊1的原材料陶瓷材料做成圓形，然后再將若干薄膜元件成膜于上述陶瓷材料上。
在形成這些薄膜元件的同時(shí)，還要成膜圖1所示的從薄膜元件7引出的電極端子部17。
圖12是形成圓形的陶瓷材料18的截面圖。
圖12中所示的符號19是由薄膜元件及上述薄膜元件的保護(hù)層形成的薄膜元件形成層。
根據(jù)本發(fā)明，在上述薄膜元件形成層19的上面，再形成構(gòu)成上述薄膜元件保護(hù)層的抗蝕劑層20。
該保護(hù)用抗蝕劑層20可以用耐蝕膜形成，也可以用液體抗蝕劑形成。
在上述薄膜元件形成層19中，形成有薄膜元件以及從上述薄膜元件引出的電極端子部(圖1所示的符號17)，根據(jù)本發(fā)明，在上述電極端子部17上，最好不要形成上述保護(hù)用抗蝕劑層20。
上述電極端子部17起著為薄膜元件7內(nèi)形成的線圈或?qū)щ妼庸┙o電流的“端子”作用，該電極端子部17與支承圖1所示的滑塊1的支承部件上成膜的導(dǎo)電圖形，通過球焊進(jìn)行連接。
這樣，在薄膜元件形成層19上形成圖12所示的保護(hù)用抗蝕劑層20時(shí)，如在上述電極端子部17上形成了保護(hù)用抗蝕劑層20，則上述電極端子部17與支承部件的導(dǎo)電圖形不能連接，而且不能用上述電極端子部17來測定薄膜元件的性能，因此，不要在電極端子部17上形成保護(hù)用抗蝕劑層20。
接著，根據(jù)本發(fā)明，要將圖12所示的陶瓷材料18切割成薄片狀，形成若干滑塊條。
再如圖13所示，用粘結(jié)劑10將上述滑塊條21粘接、固定到夾具9上。
如圖13所示，因?yàn)樵谏鲜龌瑝K條21的側(cè)面形成有薄膜元件形成層19與保護(hù)用抗蝕劑層20，所以形成于上述薄膜元件形成層19內(nèi)的薄膜元件，處于得到上述保護(hù)用抗蝕劑層20充分保護(hù)的狀態(tài)。
這樣，如圖13所示，即便將上述滑塊條21放置于夾具9上時(shí)使滑塊條21之間的間隙充分地窄小，也不會使上述滑塊條21上形成的薄膜元件受到損傷。
在圖13所示的狀態(tài)下，在上述滑塊條21的表面粘貼耐蝕膜23。
如上所述，因?yàn)榛瑝K條21之間的間隙22非常窄小，所以即使在上述滑塊條21的表面貼上耐蝕膜23，貼在間隙22上的上述耐蝕膜23也不會彎曲，上述耐蝕膜23的表面很容易變得平坦。
這樣，通過對變得平坦的耐蝕膜23的表面進(jìn)行曝光、顯影，便可形成尺寸精確的ABS面蝕刻圖形。
在進(jìn)行干蝕刻工序時(shí)，因?yàn)樯鲜龌瑝K條21的側(cè)面受到保護(hù)用抗蝕劑層20的保護(hù)，所以上述滑塊條21的側(cè)面不會因上述干蝕刻而被刻掉，在上述滑塊條21的側(cè)面形成的薄膜元件(薄膜元件形成層19)也不會因干蝕刻而受到損傷。
這樣，根據(jù)本發(fā)明，在滑塊條6與記錄介質(zhì)相對的面上，圖形形成ABS面4(參照圖1)時(shí)，第一圖形形成方法是用耐蝕膜12(參照圖3)或者液體抗蝕劑14(參照圖6)堵填固定于夾具9上的若干條滑塊條6之間的間隙11，然后用顯影液將上述滑塊條6上的上述抗蝕劑除去。
但是在進(jìn)行該顯影處理時(shí)，由于顯影液不滲入至浸透滑塊條6之間的間隙11中的抗蝕劑，所以上述抗蝕劑不會被除去，通過該顯影處理，上述滑塊條的表面便可變得平坦。
通過在該變得平坦的滑塊條6的表面粘貼耐蝕膜13，上述耐蝕膜13的表面就容易變得平坦。
第二圖形形成方法是在若干滑塊條6上粘貼厚度較厚的耐蝕膜15，用加熱的壓板16對上述的耐蝕膜15加壓。
通過對上述的耐蝕膜15加熱、加壓，上述耐蝕膜15便可浸透于上述滑塊條6之間的間隙11中，而且便可在滑塊條6上面形成有一定厚度，且表面平坦的耐蝕膜15。
第三圖形形成方法則是在圓形的陶瓷材料18上形成薄膜元件形成層19，再在該薄膜元件形成層19上形成保護(hù)用抗蝕劑層20后，將上述陶瓷材料18切割成薄片狀，形成滑塊條21。
在將若干條滑塊條21固定在夾具9上時(shí)，使上述滑塊條21之間的間隙22盡可能地窄小，這樣便可容易地使貼在上述滑塊條21上面的耐蝕膜23的表面變得平坦。
這樣，根據(jù)本發(fā)明，無論采用何種方法，都是用抗蝕劑堵填滑塊條6(或符號21)之間的間隙11(或符號22)，再使滑塊條6上的耐蝕膜表面變得平坦。
因此，便可在上述耐蝕膜的表面，形成尺寸精確的ABS面蝕刻圖形。
另外，在形成上述蝕刻圖形的顯影工序中，因?yàn)椴⒉怀ザ绿钣谏鲜龌瑝K條之間的間隙中的抗蝕劑，所以上述滑塊條的側(cè)面不會因?yàn)楦晌g刻而被刻掉，可防止蝕刻粉末的再附著與薄膜元件7的被損傷。
根據(jù)上面已詳細(xì)說明的本發(fā)明，在滑塊條與記錄介質(zhì)相對的面上，形成ABS面的蝕刻圖形時(shí)的圖形形成方法是，用耐蝕膜或者液體抗蝕劑堵填固定于夾具上的若干條滑塊條之間的間隙，然后再使上述滑塊條上的耐蝕膜變得平坦。
因此，本發(fā)明可以在上述滑塊條上的耐蝕膜表面形成尺寸精確的ABS面蝕刻圖形。
另外，在形成上述蝕刻圖形的顯影工序中，因?yàn)椴⒉怀ザ绿钣诨瑝K條之間的的抗蝕劑，所以在進(jìn)行干蝕刻時(shí)，滑塊條的側(cè)面受到上述抗蝕劑的保護(hù)。
因此，上述滑塊條的側(cè)面不會因?yàn)楦晌g刻而被刻掉，可防止蝕刻粉末的再附著于滑塊條的側(cè)面，還可防止薄膜元件因干蝕刻而受損傷。
權(quán)利要求
1．一種圖形形成方法，其特征是，具有在夾具上并列放置若干條其側(cè)面有若干元件的滑塊條的工序；在上述滑塊條的表面粘貼耐蝕膜或涂敷液體抗蝕劑，用上述耐蝕膜或液體抗蝕劑堵填上述滑塊條之間的間隙的準(zhǔn)備工序；用顯影液將上述滑塊條上的耐蝕膜或液體抗蝕劑除去，使堵填于上述滑塊條之間的間隙中的耐蝕膜或液體抗蝕劑依然殘留的工序；在上述滑塊條的表面粘貼耐蝕膜的工序；對上述耐蝕膜表面進(jìn)行曝光、顯影，形成ABS面蝕刻圖形的工序；以及用上述蝕刻圖形對上述滑塊條表面進(jìn)行干蝕刻的工序。
2．根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖形形成方法，其特征是，在上述準(zhǔn)備工序中，對滑塊條表面的耐蝕膜進(jìn)行加熱，用上述耐蝕膜堵填上述滑塊條之間的間隙。
3．一種圖形形成方法，其特征是，具有在夾具上并列放置若干條其側(cè)面有若干元件的滑塊條的工序；在上述滑塊條的表面粘貼耐蝕膜的工序；對上述滑塊條表面的耐蝕膜進(jìn)行加熱、加壓，用上述耐蝕膜堵填上述滑塊條之間的間隙的工序；對上述滑塊條表面的耐蝕膜進(jìn)行曝光、顯影，形成ABS面蝕刻圖形的工序；以及用上述蝕刻圖形對上述滑塊條表面進(jìn)行干蝕刻的工序。
4．根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖形形成方法，其特征是，滑塊條表面粘貼的耐蝕膜的厚度大于形成ABS面蝕刻圖形所需的厚度。
5．一種圖形形成方法，其特征是，具有在基板上形成若干元件，接著形成覆蓋上述元件的抗蝕劑層的工序；對上述基板進(jìn)行切割，形成若干滑塊條的工序；在夾具上并列放置若干條滑塊條，使其具有元件的側(cè)面成為滑塊條之間相對的側(cè)面的工序；在并列的上述滑塊條的表面粘貼耐蝕膜的工序；對上述滑塊條表面的耐蝕膜進(jìn)行曝光、顯影，形成ABS面蝕刻圖形的工序；以及用上述蝕刻圖形對上述滑塊條表面進(jìn)行干蝕刻的工序。
6．根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖形形成方法，其特征是，上述抗蝕劑層可用耐蝕膜，也可以用液體抗蝕劑。
7．根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖形形成方法，其特征是，從上述元件引出、在形成上述元件的同一面上形成的端子電極部上不形成上述抗蝕劑層。
8．根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖形形成方法，其特征是，從上述元件引出、在形成上述元件的同一面上形成的端子電極部上不形成上述抗蝕劑層。
全文摘要
在滑塊條6之間的間隙11中,堵填耐蝕膜12,使上述滑塊條6的表面變得平坦。這樣,貼在上述滑塊條表面的耐蝕膜13的表面就容易變得平坦,且可在上述耐蝕膜13的表面形成尺寸精確的ABS面蝕刻圖形。
文檔編號G11B5/31GK1232995SQ9910542
公開日1999年10月27日 申請日期1999年4月6日 優(yōu)先權(quán)日1998年4月23日
發(fā)明者佐藤俊彥, 橫山雅春, 洲崎修 申請人:阿爾卑斯電氣株式會社