專利名稱：記錄介質(zhì)和存儲(chǔ)設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種其中適當(dāng)安排用來更替缺陷扇區(qū)的備用區(qū)域的記錄介質(zhì)，并且涉及一種存儲(chǔ)設(shè)備。更具體地說，本發(fā)明涉及一種其中記錄表面被劃分成多個(gè)區(qū)、且每個(gè)區(qū)提供一個(gè)更替區(qū)域的記錄介質(zhì)，并且涉及一種存儲(chǔ)設(shè)備。
至今，作為用來光學(xué)記錄和復(fù)制信息的可重寫記錄介質(zhì)，已知一種磁光記錄介質(zhì)和一種相變記錄介質(zhì)。在磁光記錄介質(zhì)中，把磁性材料用于記錄膜，把通過光的加熱和通過磁場(chǎng)的磁化變化用于記錄，及把磁光效應(yīng)用于復(fù)制。在相變記錄介質(zhì)中，把根據(jù)通過由光加熱造成的功率差的溫度度數(shù)用于記錄，并且把根據(jù)記錄膜晶態(tài)的反射變化用于復(fù)制。在這樣的光學(xué)記錄介質(zhì)中，當(dāng)由于介質(zhì)上缺陷等使記錄區(qū)域變得不可用時(shí)，提供一個(gè)更替的備用區(qū)域。當(dāng)記錄區(qū)域被劃分成多個(gè)組時(shí)，用于更替的備用區(qū)域被提供在每組的末端。例如，盡管根據(jù)ISO/IEC 10090的90mm(毫米)和128MB(兆字節(jié))的磁光盒式盤使用CAV系統(tǒng)，但記錄區(qū)域在格式化時(shí)能劃分成1至1024的任意整數(shù)個(gè)組。用于更替的備用區(qū)域被提供在每組的末端處，并且每組備用扇區(qū)的數(shù)量相同。能安排在介質(zhì)上的備用區(qū)域的容量受與上部設(shè)備的接口的限制。在SCSI接口的情況下，例如，能安排在介質(zhì)中的備用扇區(qū)的數(shù)量限制為2248個(gè)扇區(qū)(約4.6MB)。因此，能安排在每組中的最大備用扇區(qū)數(shù)量由下式得到(每組扇區(qū)數(shù)量)＝(2248扇區(qū))/(組數(shù))因?yàn)楦鶕?jù)ISO/IEC 13963的90mm和230MB的磁光盒式盤使用ZCAV系統(tǒng)，所以把記錄區(qū)域劃分成10個(gè)區(qū)。通過把每個(gè)區(qū)用作一個(gè)組，所有區(qū)能用作一組或10組。當(dāng)諸區(qū)用作10組時(shí)，為每個(gè)區(qū)提供備用區(qū)域，并且每個(gè)區(qū)備用扇區(qū)的數(shù)量等于例如204，并且相同。另外，根據(jù)ISO/IEC 15041的90mm和640MB的磁光盒式盤也使用ZCAV系統(tǒng)。因此，在512字節(jié)/扇區(qū)的情況下，有18個(gè)區(qū)。在2048字節(jié)/扇區(qū)的情況下，有11個(gè)區(qū)。為每個(gè)區(qū)提供用于更替的備用區(qū)域。同樣在這種情況下，每個(gè)區(qū)的備用扇區(qū)數(shù)量相同。例如，在18個(gè)區(qū)的情況下等于124個(gè)扇區(qū)，而在11個(gè)區(qū)的情況下等于204個(gè)扇區(qū)。
在上述的光學(xué)記錄介質(zhì)中，當(dāng)記錄區(qū)域劃分成區(qū)時(shí)，用于分配給每個(gè)區(qū)的更替的備用區(qū)域，具有通過把能分配給介質(zhì)的最大數(shù)量備用扇區(qū)內(nèi)的備用扇區(qū)預(yù)定總數(shù)、除以與每個(gè)區(qū)的記錄容量無關(guān)的區(qū)數(shù)得到的數(shù)量的扇區(qū)。相反，因?yàn)橛山橘|(zhì)上的缺陷等造成的更替可能性在任何位置處都是均勻的，所以隨著位置接近區(qū)中扇區(qū)數(shù)量較大的外周緣側(cè)，在一個(gè)區(qū)中要更替的扇區(qū)數(shù)量變大。因此，如果備用區(qū)域已經(jīng)完全用于相同區(qū)中的更替，則另一個(gè)區(qū)中的備用區(qū)域用作更替目的地。然而，當(dāng)訪問一個(gè)已經(jīng)更替到另一個(gè)區(qū)的備用區(qū)域的缺陷扇區(qū)時(shí)，更替過程需要向/從其他區(qū)往復(fù)運(yùn)動(dòng)，并且查找所需的時(shí)間變得長(zhǎng)出這樣一個(gè)量。有訪問性能降低的問題。
在光學(xué)記錄介質(zhì)的容量相對(duì)小到128MB或230MB的情況下，即使把預(yù)定數(shù)量的備用扇區(qū)分配給每個(gè)區(qū)，最內(nèi)區(qū)和最外區(qū)的容量差也不太大。即使在容量大的外側(cè)上的區(qū)中，完全使用自備用區(qū)域的情形也不會(huì)出現(xiàn)。然而，當(dāng)光學(xué)記錄介質(zhì)的容量增大到例如640MB時(shí)，如果排列相同數(shù)量的備用扇區(qū)，則在容量大的外側(cè)上的區(qū)中完全使用自備用區(qū)域的可能性升高。當(dāng)光學(xué)記錄介質(zhì)的容量進(jìn)一步增大到，例如，是640MB的介質(zhì)容量的兩倍的1.3GB時(shí)，在容量大的外側(cè)上的區(qū)中完全使用自備用區(qū)域的可能性進(jìn)一步升高。存在這樣的問題，由于在其他區(qū)中把備用區(qū)域用作更替目的地而使訪問性能降低。
根據(jù)本發(fā)明，這里提供了這樣一種記錄介質(zhì)，其中當(dāng)每個(gè)區(qū)提供交替使用的備用區(qū)域時(shí)，相同區(qū)中的備用區(qū)域被用作更替目的地，而不使用另一個(gè)區(qū)中的備用區(qū)域，由此能夠保持訪問性能。
根據(jù)本發(fā)明，這里提供了一種其中把數(shù)據(jù)記錄在記錄表面上的記錄介質(zhì)。該記錄介質(zhì)具有多個(gè)通過在徑向把記錄表面劃分成多個(gè)區(qū)域得到的區(qū)、和多個(gè)提供給每個(gè)區(qū)且用于缺陷扇區(qū)的更替的備用區(qū)域，其中在每個(gè)區(qū)中由備用區(qū)域占用的備用邏輯磁道的數(shù)量或備用邏輯扇區(qū)的數(shù)量，根據(jù)從用于記錄表面上數(shù)據(jù)區(qū)域的總?cè)萘康膫溆脜^(qū)域的總?cè)萘俊⒑兔總€(gè)區(qū)的數(shù)據(jù)區(qū)域容量得到的備用比值K確定。因此，每個(gè)區(qū)中的備用區(qū)域具有與數(shù)據(jù)區(qū)域相應(yīng)的適當(dāng)?shù)娜萘?，從而即使在?shù)據(jù)容量大的外側(cè)上，也能解決由于介質(zhì)上的缺陷等使備用區(qū)域完全由更替使用、且更替另一個(gè)區(qū)中的備用區(qū)域的不便，并且即使當(dāng)數(shù)據(jù)容量增大時(shí)，也能執(zhí)行有效利用有限備用區(qū)域的更替過程。在每個(gè)區(qū)中由備用區(qū)域占用的備用邏輯磁道的數(shù)量或備用邏輯扇區(qū)的數(shù)量，被設(shè)置為根據(jù)通過把每個(gè)區(qū)中的邏輯磁道數(shù)量或數(shù)據(jù)區(qū)域的扇區(qū)數(shù)量乘以備用比值K得到的值確定的整數(shù)值。備用比值不僅在每個(gè)扇區(qū)中設(shè)置為常數(shù)，而且能加權(quán)，從而備用比值隨著磁道位置接近外周緣而增大。這種方法是備用區(qū)域的最佳分配，其中考慮到余量隨著磁道位置接近外周緣而減小的事實(shí)。通過如上述那樣把在每個(gè)區(qū)中由備用區(qū)域占用的備用邏輯磁道的數(shù)量或備用邏輯扇區(qū)的數(shù)量設(shè)置為整數(shù)值，使在用來更替缺陷扇區(qū)的過程時(shí)的地址轉(zhuǎn)換變得容易，并且減輕在存儲(chǔ)設(shè)備側(cè)由更替過程要求的負(fù)擔(dān)，從而該過程能以高速執(zhí)行。當(dāng)在記錄表面上的用戶數(shù)據(jù)區(qū)的數(shù)量等于18，并且用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的備用邏輯磁道總數(shù)等于132時(shí)，諸區(qū)從用戶區(qū)外側(cè)指向內(nèi)側(cè)的備用邏輯磁道數(shù)量依次等于9、9、9、9、8、8、8、8、7、7、7、7、7、6、6、6、6、和5。當(dāng)在記錄表面上的用戶數(shù)據(jù)區(qū)的數(shù)量等于11，并且用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的備用邏輯磁道總數(shù)等于132時(shí)，諸區(qū)從用戶區(qū)外側(cè)指向內(nèi)側(cè)的備用邏輯磁道數(shù)量依次等于15、14、14、13、13、12、11、11、10、10、和9。記錄介質(zhì)具有一種磁感應(yīng)超限分辨(MSR)的記錄和復(fù)制結(jié)構(gòu)，其中在基片上形成至少一個(gè)用來以比激光束的束直徑小的記錄密度記錄數(shù)據(jù)的記錄層、和一個(gè)用復(fù)制磁場(chǎng)和復(fù)制激光功率的組合來復(fù)制記錄在記錄層中的數(shù)據(jù)的復(fù)制層。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，這里提供了一種包括多個(gè)通過把記錄表面以徑向間距間隔劃分成多個(gè)區(qū)域得到的區(qū)、和多個(gè)提供給每個(gè)區(qū)且用于缺陷扇區(qū)的更替的備用區(qū)域的記錄介質(zhì)，其中每個(gè)區(qū)的備用區(qū)域的間距間隔，根據(jù)由用于記錄表面上數(shù)據(jù)區(qū)域的總?cè)萘康膫溆脜^(qū)域的總?cè)萘?、和每個(gè)區(qū)的間距間隔得到的備用比值K確定。同樣在這種情況下，備用比值不僅在每個(gè)區(qū)中為常數(shù)，而且能加權(quán)，從而備用比值隨著磁道位置接近外周緣而增大。記錄介質(zhì)具有一種磁感應(yīng)超限分辨(MSR)的記錄和復(fù)制結(jié)構(gòu)，其中在基片上形成至少一個(gè)用來以比激光束的束直徑小的記錄密度記錄數(shù)據(jù)的記錄層、和一個(gè)用復(fù)制磁場(chǎng)和復(fù)制激光功率的組合來復(fù)制記錄在記錄層中的數(shù)據(jù)的復(fù)制層。
根據(jù)本發(fā)明，這里提供了一種存儲(chǔ)設(shè)備，其中當(dāng)在記錄介質(zhì)中給每個(gè)區(qū)提供用于更替的備用區(qū)域時(shí)，相同區(qū)中的備用區(qū)域用作更替目的地，而不使用另一個(gè)區(qū)中的備用區(qū)域，由此使訪問性能能夠保持。
本發(fā)明的存儲(chǔ)設(shè)備包括一個(gè)記錄單元、一個(gè)復(fù)制單元、和一個(gè)缺陷處理單元。記錄單元具有多個(gè)通過在徑向把記錄表面劃分成多個(gè)區(qū)域得到的區(qū)、和多個(gè)提供給每個(gè)區(qū)且用于缺陷扇區(qū)的更替的備用區(qū)域。記錄單元把數(shù)據(jù)記錄到記錄介質(zhì)上，其中根據(jù)由用于記錄表面上數(shù)據(jù)區(qū)域的總?cè)萘康膫溆脜^(qū)域的總?cè)萘?、和每個(gè)區(qū)的數(shù)據(jù)區(qū)域的容量得到的備用比值K，確定(在每個(gè)區(qū)中由備用區(qū)域占用的備用邏輯磁道的數(shù)量)/(扇區(qū)數(shù)量)的比值。復(fù)制單元復(fù)制記錄介質(zhì)上的數(shù)據(jù)。當(dāng)檢測(cè)到記錄介質(zhì)上的缺陷扇區(qū)時(shí)，缺陷處理單元允許執(zhí)行一個(gè)更替過程，它用來把更替扇區(qū)分配給缺陷扇區(qū)所屬的區(qū)中的備用區(qū)域、且允許使用更替扇區(qū)。就是說，當(dāng)檢測(cè)到由記錄介質(zhì)的格式造成的缺陷扇區(qū)時(shí)，缺陷處理單元允許使用以后的正常扇區(qū)，并且執(zhí)行一個(gè)用來把從數(shù)據(jù)區(qū)域溢出的扇區(qū)滑移到區(qū)中備用區(qū)域中的滑移過程。當(dāng)在格式化之后檢測(cè)到缺陷扇區(qū)時(shí)，缺陷處理單元執(zhí)行一個(gè)用來把更替扇區(qū)分配給區(qū)中備用區(qū)域，并且允許使用更替扇區(qū)的更替過程。在用來通過記錄單元記錄數(shù)據(jù)的記錄介質(zhì)中，在每個(gè)區(qū)中由備用區(qū)域占用的備用邏輯磁道的數(shù)量或備用邏輯扇區(qū)的數(shù)量，根據(jù)通過把每個(gè)區(qū)中邏輯磁道的數(shù)量或數(shù)據(jù)扇區(qū)的數(shù)量乘以備用比值K得到的值確定。當(dāng)在由記錄單元向其記錄數(shù)據(jù)的記錄介質(zhì)的記錄表面上的用戶數(shù)據(jù)區(qū)的數(shù)量等于18，并且用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的備用邏輯磁道總數(shù)等于132時(shí)，諸區(qū)從用戶區(qū)外側(cè)指向內(nèi)側(cè)的備用邏輯磁道數(shù)量依次等于9、9、9、8、8、8、8、7、7、7、7、7、6、6、6、6、5、和5。當(dāng)在由記錄單元向其記錄數(shù)據(jù)的記錄介質(zhì)的記錄表面上的用戶數(shù)據(jù)區(qū)的數(shù)量等于11，并且用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的備用邏輯磁道總數(shù)等于132時(shí)，諸區(qū)從用戶區(qū)外側(cè)指向內(nèi)側(cè)的備用邏輯磁道數(shù)量依次等于15、14、14、13、13、12、11、11、10、10、和9。記錄介質(zhì)具有一種超限分辨(MSR)的記錄和復(fù)制結(jié)構(gòu)，其中在用來通過記錄單元記錄數(shù)據(jù)的記錄介質(zhì)的基片上，形成至少一個(gè)用來以比激光束的束直徑小的記錄密度記錄數(shù)據(jù)的記錄層、和一個(gè)用復(fù)制磁場(chǎng)和復(fù)制激光功率的組合來復(fù)制記錄在記錄層上的數(shù)據(jù)的復(fù)制層。另外，記錄單元或復(fù)制單元根據(jù)區(qū)CAV系統(tǒng)執(zhí)行記錄或復(fù)制控制。
根據(jù)本發(fā)明存儲(chǔ)設(shè)備的另一個(gè)實(shí)施例，一個(gè)記錄單元包括多個(gè)通過在記錄表面的徑向以間距間隔把記錄表面劃分成多個(gè)區(qū)域得到的區(qū)、和多個(gè)提供給每個(gè)區(qū)且用于缺陷扇區(qū)的更替的備用區(qū)域。數(shù)據(jù)記錄到一種記錄介質(zhì)上，其中每個(gè)區(qū)的備用區(qū)域的間距間隔，根據(jù)由用于記錄表面上數(shù)據(jù)區(qū)域的總?cè)萘康膫溆脜^(qū)域的總?cè)萘俊⒑椭T區(qū)的間距間隔得到的備用比值K確定。一個(gè)復(fù)制單元復(fù)制記錄在記錄介質(zhì)上的數(shù)據(jù)。當(dāng)檢測(cè)到記錄介質(zhì)中的缺陷扇區(qū)時(shí)，一個(gè)缺陷處理單元允許執(zhí)行一個(gè)更替過程，以便把更替扇區(qū)分配給缺陷扇區(qū)所屬的區(qū)中的備用區(qū)域，并且使用更替扇區(qū)。同樣在這種情況下，當(dāng)檢測(cè)到由記錄介質(zhì)的格式造成的缺陷扇區(qū)時(shí)，缺陷處理單元允許使用以后的正常扇區(qū)，并且執(zhí)行一個(gè)用來把最終扇區(qū)滑移到區(qū)中備用區(qū)域中的滑移過程。當(dāng)在格式化之后檢測(cè)到缺陷扇區(qū)時(shí)，進(jìn)行一個(gè)用來把更替扇區(qū)分配給區(qū)中備用區(qū)域的、和允許使用更替扇區(qū)的更替過程。一種用來通過記錄單元記錄數(shù)據(jù)的記錄介質(zhì)具有一種超限分辨(MSR)的記錄和復(fù)制結(jié)構(gòu)，其中在基片上形成至少一個(gè)用來以比激光束的束直徑小的記錄密度記錄數(shù)據(jù)的記錄層、和一個(gè)用來通過復(fù)制磁場(chǎng)和復(fù)制激光功率的組合復(fù)制記錄在記錄層上的數(shù)據(jù)的復(fù)制層。另外，存儲(chǔ)設(shè)備的記錄單元或復(fù)制單元通過區(qū)CAV系統(tǒng)執(zhí)行記錄或復(fù)制控制。
由參照附圖的如下詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的以上和其他目的、特征、及優(yōu)點(diǎn)更明白。


圖1A和1B是根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)的一個(gè)實(shí)施例的1.3GB光學(xué)盒式盤的說明圖；圖2是圖1A和1B中的光學(xué)盒式盤的裝配分解圖；圖3A和3B是圖2中光盤中RAD-MSR系統(tǒng)的復(fù)制原理的說明圖；圖4是裝在圖2中的盒中的1.3GB光盤的布局說明圖；圖5是圖4中缺陷管理區(qū)域的格式說明圖；圖6是圖4中用戶區(qū)域的區(qū)劃分和區(qū)中備用區(qū)域的說明圖；圖7是根據(jù)具有圖4中布局的1.3GB光盤限定在每個(gè)區(qū)中的數(shù)據(jù)扇區(qū)的數(shù)量、備用扇區(qū)的數(shù)量、和備用邏輯磁道的數(shù)量的盤映象數(shù)據(jù)的說明圖；圖8是根據(jù)1.3GB光盤的數(shù)據(jù)容量和備用容量的比值計(jì)算的備用扇區(qū)數(shù)量和備用邏輯磁道數(shù)量的說明圖；圖9A和9B是使用本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)的光盤驅(qū)動(dòng)器的方塊圖；圖10是用來根據(jù)圖7中的盤映象數(shù)據(jù)進(jìn)行滑移過程和缺陷扇區(qū)的更替過程的本發(fā)明光學(xué)記錄設(shè)備的功能方塊圖；圖11A至11C是在通過圖10中缺陷處理單元進(jìn)行格式化時(shí)使用初級(jí)缺陷表PDL的滑移過程、和在格式化完成之后使用二級(jí)缺陷表SDL的更替過程的說明圖；圖12是用于通過圖10中的缺陷處理單元進(jìn)行的介質(zhì)格式化過程的流程圖；圖13是用于通過圖10中的缺陷處理單元進(jìn)行的更替登記過程的流程圖；圖14A和14B是通過圖10中的缺陷處理單元進(jìn)行訪問時(shí)用于滑移過程和更替過程的流程圖；圖15是裝在圖1A和1B中盒中的640MB光盤布局的說明圖16是圖15中用戶區(qū)域的區(qū)劃分和區(qū)中備用區(qū)域的說明圖；圖17是根據(jù)具有圖15中布局的640MB光盤限定在每個(gè)區(qū)的數(shù)據(jù)扇區(qū)的數(shù)量、備用扇區(qū)的數(shù)量、和備用邏輯磁道的數(shù)量的盤映象數(shù)據(jù)的說明圖；及圖18是根據(jù)640MB光盤的數(shù)據(jù)容量和備用容量的比值計(jì)算的備用扇區(qū)數(shù)量和備用邏輯磁道數(shù)量的說明圖。
圖1A和1B是作為根據(jù)本發(fā)明的一種光學(xué)記錄介質(zhì)的一個(gè)實(shí)施例的光學(xué)盒式盤的說明圖。圖1A表示盒的前側(cè)，而圖1B表示盒的后側(cè)。在圖1A中光學(xué)盒式盤10的前側(cè)上，一個(gè)活門14可滑動(dòng)地提供在盒主體12的上部，并且一個(gè)活門滑塊16取出在活門14的左側(cè)上。在圖1B中光學(xué)盒式盤10的后側(cè)上，一個(gè)用來防止錯(cuò)誤插入的齒18形成在盒主體12的右上角部中。一個(gè)插入槽20提供在齒18下面。另外，一個(gè)夾具槽22形成在下部邊緣側(cè)上。一個(gè)寫保護(hù)24提供在夾具槽22后側(cè)上的下部中。光學(xué)盒式盤10的尺寸與例如基于ISO/IEC 15041的90mm的光學(xué)盒式盤的尺寸和形狀一致。
圖2是圖1A和1B中光學(xué)盒式盤10的裝配分解圖。首先，盒主體由一個(gè)上外殼26和一個(gè)下外殼28構(gòu)成?；铋T14經(jīng)活門滑塊16裝配在上外殼26和下外殼28的右側(cè)上?；铋T14在裝配狀態(tài)下由一根活門彈簧32壓到閉合位置。一個(gè)活門導(dǎo)向件30在裝配活門14的狀態(tài)下用螺釘固定。一個(gè)寫保護(hù)筒24-1可滑動(dòng)地裝配在下外殼28的角部中，由此構(gòu)成圖1B中的寫保護(hù)24。一個(gè)光盤36裝配在上外殼26與下外殼28之間。光盤36具有基于ISO/IEC 15041的根據(jù)90mm的光學(xué)盒式盤的尺寸和形狀。光盤36的記錄系統(tǒng)是雙掩碼RAD-MSR磁光記錄，并且就介質(zhì)容量而論，無格式容量等于約1.7GB(1687.9MB)，而格式容量等于約1.3GB(1283.1MB)。在使用雙掩碼RAD-MSR磁光記錄的光盤36中，膜結(jié)構(gòu)由一個(gè)復(fù)制層、一個(gè)中間層、和一個(gè)記錄層構(gòu)成，并且當(dāng)記錄數(shù)據(jù)時(shí)，數(shù)據(jù)能以比激光束的束直徑小的記錄密度記錄到記錄層中。當(dāng)復(fù)制光盤36時(shí)，通過復(fù)制磁場(chǎng)和復(fù)制激光功率的組合控制復(fù)制圖象，并且能復(fù)制已經(jīng)記錄在記錄層中的、且其中記錄密度小于激光束的直徑的數(shù)據(jù)。
圖3A和3B表示雙掩碼RAD-MSR磁光記錄的復(fù)制操作原理。圖3A是記錄磁道的平面圖和剖視圖。一層記錄膜由一個(gè)復(fù)制層200、一個(gè)中間層202、和一個(gè)記錄層204構(gòu)成。磁化信息已經(jīng)以比讀出束的聚束光點(diǎn)208的直徑小的記錄密度記錄在記錄層204中。在復(fù)制時(shí)，通過使用一個(gè)初始化磁鐵206，進(jìn)行用來把復(fù)制層200的磁化方向與預(yù)定方向?qū)?zhǔn)的初始化，在復(fù)制層200中在記錄時(shí)保持與記錄層204中的相同的磁化信息。在完成初始化之后，把復(fù)制激光功率施加到復(fù)制層200上，由此讀出。因?yàn)樵趶?fù)制層、中間層、和記錄層中的切換連接力隨著由讀出束的聚束光點(diǎn)208加熱的介質(zhì)溫度分布而變化，所以其中保持初始化磁化信息的一個(gè)掩碼210、和通過加熱不影響初始化磁化信息的且已經(jīng)向其傳送記錄層204的磁化信息的一個(gè)開口212形成在復(fù)制層200中。記錄層204傳送到復(fù)制層200的磁化信息通過磁光效應(yīng)(克爾效應(yīng)或法拉第效應(yīng))轉(zhuǎn)換成光學(xué)信號(hào)，從而復(fù)制數(shù)據(jù)。在這個(gè)實(shí)例中，如圖3B中所示，對(duì)于當(dāng)前正在讀出的記錄層204的一個(gè)凹坑214，要在以后讀出的記錄層204的一個(gè)凹坑216，不會(huì)通過復(fù)制層200的初始化磁化信息由掩碼210傳送。即使記錄凹坑214和216小于聚束光點(diǎn)208，也不會(huì)出現(xiàn)交擾，并且能復(fù)制比束直徑小的記錄凹坑。
圖4是裝在圖2中盒式盤10內(nèi)的1.3GB光盤36的盤布局說明圖。盤布局由光盤36的邏輯磁道號(hào)表示，一個(gè)邏輯磁道由17個(gè)扇區(qū)構(gòu)成，及一個(gè)扇區(qū)由2048個(gè)字節(jié)構(gòu)成。光盤36基于區(qū)CAV，并且盤布局從外側(cè)開始由一個(gè)引入?yún)^(qū)38、一個(gè)缺陷管理區(qū)域40、一個(gè)用戶區(qū)48、一個(gè)缺陷管理區(qū)域42、一個(gè)包括試驗(yàn)磁道的緩沖區(qū)54、一個(gè)緩沖區(qū)55、一個(gè)內(nèi)控制區(qū)56、及一個(gè)緩沖區(qū)58構(gòu)成。在它們中間，一個(gè)范圍在從外側(cè)的缺陷管理區(qū)域40到內(nèi)側(cè)的緩沖區(qū)54的區(qū)域與一個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)有關(guān)，并且其他區(qū)域?qū)?yīng)于一個(gè)系統(tǒng)區(qū)。一個(gè)第一缺陷管理區(qū)域(DMA1)44和一個(gè)第二缺陷管理區(qū)域(DMA2)46提供在用戶區(qū)48外側(cè)的缺陷管理區(qū)域40中。從另一方面來說，一個(gè)第三缺陷管理區(qū)域(DMA3)50和一個(gè)第四缺陷管理區(qū)域(DMA4)52提供在內(nèi)側(cè)的缺陷管理區(qū)域42中。如圖5中的格式所示，已經(jīng)確定了第一缺陷管理區(qū)域44、第二缺陷管理區(qū)域46、第三缺陷管理區(qū)域50、和第四缺陷管理區(qū)域52的每一個(gè)的開始位置和結(jié)束位置。相同的內(nèi)容記錄在第一至第四缺陷管理區(qū)域44至52的每一個(gè)中。再參照?qǐng)D4，如抽出并表示在右側(cè)那樣，第一缺陷管理區(qū)域44由一個(gè)盤定義結(jié)構(gòu)(DDS)62、一個(gè)初級(jí)缺陷表(PDL)64、及一個(gè)二級(jí)缺陷表(SDL)66組成。剩余的第二缺陷管理區(qū)域46、第三缺陷管理區(qū)域50、和第四缺陷管理區(qū)域52的每一個(gè)也具有類似于第一缺陷管理區(qū)域44的內(nèi)容。初級(jí)缺陷表64和二級(jí)缺陷表66的開始地址按照預(yù)定DDS格式存儲(chǔ)在盤定義結(jié)構(gòu)62中。還存儲(chǔ)了下文將清楚描述的、關(guān)于在用戶區(qū)48的每個(gè)區(qū)中的數(shù)據(jù)區(qū)域和備用區(qū)域的盤映象數(shù)據(jù)(DMD)。
用戶區(qū)48是一個(gè)能通過來自上部設(shè)備的SCSI接口等訪問的可重寫區(qū)。如抽出和表示在圖6中的那樣，用戶區(qū)48被劃分成18個(gè)區(qū)，同時(shí)從外側(cè)開始分配諸如區(qū)0、1、2、3、…、17之類的區(qū)號(hào)。如相對(duì)于區(qū)0抽出和表示在右側(cè)的那樣，每個(gè)區(qū)由一個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)域68和一個(gè)備用區(qū)域70構(gòu)成。為了通過區(qū)CAV得到恒定的線性密度，按如下所列把時(shí)鐘頻率分配給區(qū)0至17。
區(qū)066.27MHz區(qū)164.66MHz區(qū)263.04MHz區(qū)361.42MHz區(qū)459.81MHz區(qū)558.19MHz區(qū)656.27MHz區(qū)754.96MHz區(qū)853.34MHz區(qū)951.72MHz區(qū)1050.11MHz
區(qū)1148.49MHz區(qū)1246.88MHz區(qū)1345.26MHz區(qū)1443.64MHz區(qū)1542.03MHz區(qū)1640.41MHz區(qū)1738.79MHz按如下所列把時(shí)鐘頻率分配給除圖4中用戶區(qū)以外的區(qū)。
引入66.27MHz緩沖38.79MHz控制19.40MHz緩沖37.18MHz引出37.18MHz在SCSI接口的情況下，能分配給用戶區(qū)48的備用扇區(qū)的總數(shù)等于2248個(gè)扇區(qū)。因此，在本發(fā)明中，為了設(shè)置在邏輯磁道單元基礎(chǔ)上的備用區(qū)域，把用戶區(qū)48的整個(gè)備用區(qū)域的大小設(shè)置為其數(shù)量是17個(gè)扇區(qū)的倍數(shù)的2244個(gè)扇區(qū)(132個(gè)邏輯磁道)，因?yàn)橐粋€(gè)邏輯磁道由17個(gè)扇區(qū)組成。
圖7表示存儲(chǔ)到圖4中盤定義結(jié)構(gòu)62中的盤映象數(shù)據(jù)72，并且表示在區(qū)號(hào)0至17的18個(gè)扇區(qū)中的數(shù)據(jù)扇區(qū)數(shù)量、備用扇區(qū)數(shù)量、和備用邏輯磁道數(shù)量。在實(shí)際的盤映象數(shù)據(jù)72中，由于通過把備用扇區(qū)的數(shù)量除以每條磁道的扇區(qū)數(shù)量17，能得到備用邏輯磁道的數(shù)量，所以沒有必要提供備用邏輯磁道的數(shù)量。如將從盤映象數(shù)據(jù)72清楚理解的那樣，數(shù)據(jù)扇區(qū)的數(shù)量在對(duì)應(yīng)于最外側(cè)的區(qū)號(hào)0處最大，并且數(shù)據(jù)扇區(qū)的數(shù)量隨著區(qū)位置接近內(nèi)側(cè)而減小，并且在最內(nèi)側(cè)的區(qū)號(hào)17處最小。就用戶區(qū)中的區(qū)劃分而論，從圖2中光盤36中最內(nèi)用戶區(qū)域的半徑24.61mm至最外用戶區(qū)域的半徑41.00mm的范圍，以0.96mm的間距間隔在徑向被劃分。即使區(qū)劃分的間距間隔為常數(shù)，也由于實(shí)際磁道的扇區(qū)數(shù)量隨著位置接近外側(cè)而增大，所以導(dǎo)出如圖7中所示的使每個(gè)區(qū)的數(shù)據(jù)扇區(qū)數(shù)量從內(nèi)側(cè)向外側(cè)增大的關(guān)系。對(duì)于上述每個(gè)區(qū)的數(shù)據(jù)扇區(qū)數(shù)量，以這樣一種方式分配作為備用扇區(qū)總數(shù)的2244個(gè)扇區(qū)，以致于備用扇區(qū)在內(nèi)側(cè)的區(qū)號(hào)17處最少，而在外側(cè)的區(qū)號(hào)0處最多。當(dāng)把每個(gè)區(qū)的備用扇區(qū)數(shù)量考慮成備用邏輯磁道的數(shù)量時(shí)，以這樣一種方式類似地分配備用邏輯磁道的數(shù)量，以致于它在最內(nèi)側(cè)的區(qū)號(hào)17處最少，而在最外側(cè)的區(qū)號(hào)0處最多。
圖7中盤映象數(shù)據(jù)72中每個(gè)區(qū)的備用扇區(qū)數(shù)量和備用邏輯磁道數(shù)量的分配根據(jù)圖8進(jìn)行。在圖8中，在區(qū)號(hào)0至17處的數(shù)據(jù)扇區(qū)的數(shù)量按圖中所示確定。用于它們的備用扇區(qū)總數(shù)根據(jù)備用比值K計(jì)算，備用比值K定義為分配給介質(zhì)的總計(jì)2244個(gè)備用扇區(qū)的容量在介質(zhì)用戶區(qū)數(shù)據(jù)的總?cè)萘?.3GB中的占用率?，F(xiàn)在，假定介質(zhì)用戶區(qū)的數(shù)據(jù)總?cè)萘坑肈1表示，而分配給介質(zhì)的備用總?cè)萘勘粯?biāo)記為D2，則D1＝1.2831GB并且D2＝2244扇區(qū)×2048字節(jié)＝4.595712MB。因此，按如下計(jì)算備用比值K。
K＝D2/D1＝4.595712/1283.1＝約0.0036因此，通過把每個(gè)區(qū)的數(shù)據(jù)扇區(qū)數(shù)量乘以圖8中的備用比值K＝0.0036，能計(jì)算每個(gè)區(qū)的備用扇區(qū)數(shù)量，如圖中所示。通過把上述計(jì)算的備用扇區(qū)數(shù)量除以17個(gè)扇區(qū)以便轉(zhuǎn)換成備用邏輯磁道的數(shù)量，得到圖中所示的備用邏輯磁道的數(shù)量值。對(duì)于圖8中備用邏輯磁道的數(shù)量，在本發(fā)明中，由于備用區(qū)域在用作17個(gè)扇區(qū)的邏輯磁道的單元基礎(chǔ)上，通過舍入圖8中備用邏輯磁道數(shù)量十進(jìn)制小數(shù)點(diǎn)以下的小數(shù)進(jìn)行分布，故能定義圖7中邏輯磁道的數(shù)量。顯然將會(huì)理解，圖7中備用邏輯磁道的總數(shù)等于對(duì)應(yīng)于備用扇區(qū)總數(shù)2244的備用邏輯磁道總數(shù)132。如果能計(jì)算備用邏輯磁道的數(shù)量，則通過把備用邏輯磁道的數(shù)量的每一個(gè)乘以每個(gè)邏輯磁道的扇區(qū)數(shù)量17，能決定在圖7中區(qū)號(hào)0至17的每個(gè)處的備用扇區(qū)數(shù)量。根據(jù)上述的本發(fā)明的每個(gè)區(qū)的備用扇區(qū)數(shù)量和備用邏輯磁道數(shù)量的分配對(duì)應(yīng)于如此分配備用區(qū)域，以致于對(duì)于每個(gè)區(qū)中備用區(qū)域的數(shù)據(jù)區(qū)域的備用比值K，就所有區(qū)而論，幾乎等于K＝0.0036，如將由圖8清楚理解的那樣。在這種情況下，這樣一種分配理想地變成每個(gè)區(qū)的備用區(qū)域的分配，象圖8中的備用扇區(qū)數(shù)量那樣。然而，如圖4中所示，由于已經(jīng)由邏輯磁道數(shù)量進(jìn)行了盤布局，并且如果在邏輯磁道單元基礎(chǔ)上管理備用區(qū)域，就能容易地進(jìn)行諸如地址轉(zhuǎn)換等之類的過程。因此，通過把圖8中備用扇區(qū)的數(shù)量設(shè)置為圖7中所示邏輯磁道的扇區(qū)數(shù)量的倍數(shù)，可在邏輯磁道單元的基礎(chǔ)上分配備用扇區(qū)。
在本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)中，在每個(gè)區(qū)中備用區(qū)域的分配幾乎與用戶區(qū)中的數(shù)據(jù)總?cè)萘颗c分配備用區(qū)域的總?cè)萘恐g的備用比值K相同。因此，當(dāng)然能防止這樣一種不便由于大容量外側(cè)區(qū)中的缺陷而完全使用自備用區(qū)域，和在如常規(guī)設(shè)備中那樣把相同數(shù)量的備用扇區(qū)安排到每個(gè)區(qū)的情況下，自備用區(qū)域由其他區(qū)的備用區(qū)域更替。通過把區(qū)中的備用區(qū)域用作更替目的地，當(dāng)然能防止在缺陷過程中訪問性能的降低。另一個(gè)實(shí)施例是使每個(gè)區(qū)分配備用區(qū)域，以便得到備用總?cè)萘繉?duì)圖7所示介質(zhì)的數(shù)據(jù)總?cè)萘康膫溆帽戎礙，其中由于區(qū)的劃分在光盤介質(zhì)的徑向以0.96mm的相同間距間隔進(jìn)行，所以通過把離開內(nèi)側(cè)的區(qū)邊界的預(yù)定間距間隔，例如在徑向，設(shè)置成每個(gè)區(qū)的間距間隔，也能分配備用區(qū)域。例如，現(xiàn)在假定把每個(gè)區(qū)的徑向間距間隔設(shè)置為0.96mm，通過把這個(gè)間距間隔乘以在圖7中計(jì)算的總數(shù)據(jù)容量中占用的備用總?cè)萘康膫溆帽戎礙＝0.0036，可把0.0035mm分配為備用間距間隔。因而，有可能實(shí)現(xiàn)每個(gè)區(qū)的備用扇區(qū)數(shù)量和備用邏輯磁道數(shù)量的分配，這種分配與圖7中的相同，其中備用區(qū)域在內(nèi)側(cè)減小，并且備用區(qū)域隨著位置接近外側(cè)而增大。
圖9A和9B是用作本發(fā)明一種光學(xué)存儲(chǔ)設(shè)備的光盤驅(qū)動(dòng)器的電路方塊圖。本發(fā)明的光盤驅(qū)動(dòng)器由一個(gè)控制單元110和一個(gè)外殼111構(gòu)成?？刂茊卧?10帶有一個(gè)MPU 112，控制整個(gè)光盤驅(qū)動(dòng)器；一個(gè)接口117，向/從一個(gè)上部設(shè)備傳送和接收命令和數(shù)據(jù)；一個(gè)光盤控制器(ODC)114，進(jìn)行從/向光盤介質(zhì)讀和寫數(shù)據(jù)所必需的過程；一個(gè)DSP 116；及一個(gè)緩沖存儲(chǔ)器118。一個(gè)格式化器114-1和一個(gè)ECC處理單元114-2提供在光盤控制器114中。在寫訪問時(shí)，格式化器114-1劃分在介質(zhì)的扇區(qū)單元基礎(chǔ)上的NRZ寫數(shù)據(jù)，并且形成一種記錄格式。ECC處理單元114-2在扇區(qū)寫數(shù)據(jù)單元基礎(chǔ)上形成ECC碼，并且添加和進(jìn)一步形成CRC碼，且如有必要就添加。而且，在ECC編碼完成之后的扇區(qū)數(shù)據(jù)被轉(zhuǎn)換成，例如，1-7RLL碼。在讀訪問時(shí)，由1-7RLL碼逆向轉(zhuǎn)換解調(diào)的扇區(qū)讀數(shù)據(jù)，并且由ECC處理單元114-2進(jìn)行CRC校驗(yàn)。此后，進(jìn)行誤差檢測(cè)和校正。另外，扇區(qū)單元的NRZ數(shù)據(jù)由格式化器114-1連接，以便得到NRZ讀數(shù)據(jù)流。這個(gè)NRZ讀數(shù)據(jù)流傳送到上部設(shè)備。一個(gè)寫LSI 120提供給光盤控制器114。一個(gè)寫調(diào)制電路121和一個(gè)激光二極管控制電路122提供給寫LSI 120。激光二極管控制電路122的控制輸出供給到提供在外殼111側(cè)上的光學(xué)單元中的一個(gè)激光二極管單元130。激光二極管單元130整體地帶有一個(gè)激光二極管130-1和一個(gè)用來監(jiān)視的檢測(cè)器130-2。寫調(diào)制電路121把寫數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成PPM記錄或PWM記錄的數(shù)據(jù)格式。就其中通過使用激光二極管單元130進(jìn)行記錄和復(fù)制的光盤而論，即，就可重寫MO盒式介質(zhì)而論，在實(shí)施例中，使用圖3A和3B中RDA的系統(tǒng)具有復(fù)制層、中間層、和記錄層的磁光記錄介質(zhì)(RAD介質(zhì))。本發(fā)明還能處理FAD系統(tǒng)的具有復(fù)制層、切換層、和記錄層的磁光記錄介質(zhì)(FAD介質(zhì))。介質(zhì)的記錄格式是區(qū)CAV。另外，就介質(zhì)的記錄系統(tǒng)而論，使用凹坑位置記錄(PPM記錄)或脈沖寬度記錄(PWM記錄)，在凹坑位置記錄中，對(duì)應(yīng)于介質(zhì)上標(biāo)記的存在或不存在來記錄數(shù)據(jù)，而在脈沖寬度記錄中，使標(biāo)記的邊緣，即前沿和后沿，對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)。當(dāng)MO盒式介質(zhì)裝入光盤驅(qū)動(dòng)器中時(shí)，首先讀出介質(zhì)的ID部分，MPU 112由凹坑間隔識(shí)別介質(zhì)的種類，然后把種類結(jié)果通知給寫LSI 120。來自光盤控制器114的扇區(qū)寫數(shù)據(jù)由寫調(diào)制電路121轉(zhuǎn)換成PWM記錄數(shù)據(jù)。由寫調(diào)制電路121轉(zhuǎn)換的PWM記錄數(shù)據(jù)傳送到激光二極管控制電路122，并且由激光二極管130-1的光發(fā)射驅(qū)動(dòng)寫到介質(zhì)上。一個(gè)讀LSI 124作為用于光盤控制器114的讀系統(tǒng)提供。一個(gè)讀解調(diào)電路125和一個(gè)頻率合成器126裝在讀LSI124中。通過提供給外殼111的ID/MO的一個(gè)檢測(cè)器132使從激光二極管130-1的光束返回的光敏信號(hào)，作為ID信號(hào)和MO信號(hào)經(jīng)一個(gè)磁頭放大器134輸入到讀LSI 124。一個(gè)AGC電路、一個(gè)濾波器、一個(gè)扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)電路等的電路功能提供給讀LSI 124的讀解調(diào)電路125。讀時(shí)鐘和讀數(shù)據(jù)由輸入的ID信號(hào)和MO信號(hào)形成，并且把PWM記錄數(shù)據(jù)解調(diào)成原始NRZ數(shù)據(jù)。由于區(qū)CAV用作主軸電動(dòng)機(jī)的140的控制系統(tǒng)，所以由MPU 112進(jìn)行用來允許裝入讀LSI 124中的頻率合成器126產(chǎn)生區(qū)對(duì)應(yīng)時(shí)鐘頻率的頻率劃分比值的設(shè)置控制。頻率合成器126是一個(gè)具有可編程分頻器的PLL電路，并且產(chǎn)生具有特有頻率的基準(zhǔn)時(shí)鐘作為讀時(shí)鐘，該特有頻率已經(jīng)按照介質(zhì)的區(qū)位置預(yù)先確定。由讀LSI 124解調(diào)的讀數(shù)據(jù)供給到光盤控制器114，并且進(jìn)行1-7 RLL碼的逆轉(zhuǎn)換。此后，通過ECC處理單元114-2的編碼功能使讀數(shù)據(jù)經(jīng)受CRC校驗(yàn)和ECC過程，從而NRZ扇區(qū)數(shù)據(jù)由格式化器114-1重新構(gòu)造，并且連接到NRZ讀數(shù)據(jù)流上。此后，生成的數(shù)據(jù)由上部接口117經(jīng)緩沖存儲(chǔ)器118傳送到上部設(shè)備。提供在外殼111側(cè)的一個(gè)溫度傳感器136的檢測(cè)信號(hào)經(jīng)DSP 116輸入到MPU112。MPU 112根據(jù)由溫度傳感器136檢測(cè)的設(shè)備中的環(huán)境溫度，把激光二極管控制電路122中用來讀、寫、和擦除的每個(gè)光發(fā)射功率控制到最佳值。MPU 112通過一個(gè)驅(qū)動(dòng)器138經(jīng)DSP 116控制提供在外殼111上的主軸電動(dòng)機(jī)140。由于MO筒的記錄格式是區(qū)CAV，所以主軸電動(dòng)機(jī)140以恒定的速度旋轉(zhuǎn)，例如3600rpm(轉(zhuǎn)每分)。MPU112通過一個(gè)驅(qū)動(dòng)器142經(jīng)DSP 116控制提供在外殼111上的一個(gè)磁場(chǎng)施加單元144。磁場(chǎng)施加單元144布置在裝在設(shè)備中的MO筒的光束照射側(cè)的相對(duì)側(cè)上，并且在記錄、擦除、和復(fù)制時(shí)把一個(gè)外部磁場(chǎng)供給到介質(zhì)上。盡管一個(gè)電磁鐵通常用作一個(gè)磁場(chǎng)施加單元144，但也能使用另一個(gè)永久磁鐵、或進(jìn)一步電磁鐵和永久磁鐵的組合。在復(fù)制時(shí)由磁場(chǎng)施加單元144產(chǎn)生的外部磁場(chǎng)相對(duì)于RAD介質(zhì)是一個(gè)初始化磁場(chǎng)Hi，而相對(duì)于FAD介質(zhì)是一個(gè)復(fù)制磁場(chǎng)Hr。另外，在復(fù)制時(shí)由磁場(chǎng)施加單元144產(chǎn)生的外部磁場(chǎng)總是由一個(gè)校準(zhǔn)處理單元，校對(duì)到一個(gè)復(fù)制磁場(chǎng)和一個(gè)復(fù)制激光功率的一組最佳值，該校準(zhǔn)處理單元作為MPU 112的處理功能實(shí)現(xiàn)。DSP 116具有把來自激光二極管130-1的光束定位到介質(zhì)上的伺服功能，并且執(zhí)行用來查找到目標(biāo)磁道的光束的查找控制，以便進(jìn)入上磁道(on-track)狀態(tài)。響應(yīng)由MPU112產(chǎn)生的上部命令能同時(shí)與寫訪問或讀訪問并行地執(zhí)行查找控制。為了實(shí)現(xiàn)DSP 116的伺服功能，一個(gè)用于FES的接收來自介質(zhì)的光束返回光的檢測(cè)器145提供給外殼111側(cè)的光學(xué)單元。一個(gè)FES檢測(cè)電路(聚焦誤差信號(hào)檢測(cè)電路)146由用于FES的檢測(cè)器145的光敏輸出形成一個(gè)聚焦誤差信號(hào)E1，并且輸入到DSP 116。一個(gè)用于TES的接收來自介質(zhì)的光束返回光的檢測(cè)器147提供給外殼111側(cè)的光學(xué)單元。一個(gè)TES檢測(cè)電路(跟蹤誤差信號(hào)檢測(cè)電路)148由用于TES的檢測(cè)器147的光敏輸出形成一個(gè)跟蹤誤差信號(hào)E2，并且輸入到DSP116。跟蹤誤差信號(hào)E2輸入到一個(gè)TZC檢測(cè)電路(磁道零交叉點(diǎn)檢測(cè)電路)150。形成一個(gè)磁道零交叉脈沖E3，并且輸入到DSP 116。一個(gè)檢測(cè)用來把激光束照射到介質(zhì)上的物鏡的透鏡位置的透鏡位置傳感器154提供在外殼111側(cè)，并且把一個(gè)透鏡位置檢測(cè)信號(hào)(LPOS)E4供給到DSP 116。另外，為了控制介質(zhì)上光束點(diǎn)的位置，DSP 116經(jīng)驅(qū)動(dòng)器158、162、和166控制一個(gè)聚焦致動(dòng)器160、一個(gè)透鏡致動(dòng)器164、和一個(gè)VCM 168。
圖10是本發(fā)明的光學(xué)存儲(chǔ)設(shè)備根據(jù)圖6中的盤映象數(shù)據(jù)來執(zhí)行一個(gè)滑移過程和缺陷扇區(qū)的更替過程的功能方塊圖。一個(gè)光盤驅(qū)動(dòng)器90經(jīng)例如SCSI接口連接到一個(gè)上部設(shè)備(主機(jī))88上。在光盤驅(qū)動(dòng)器90中，通過由圖9A和9B中MPU 112產(chǎn)生的程序控制實(shí)現(xiàn)一個(gè)命令處理單元92、一個(gè)缺陷處理單元94、和一個(gè)介質(zhì)處理單元96的功能。命令處理單元92通過SCSI接口從上部設(shè)備88接收命令，并且在格式化封閉在光學(xué)盒式盤10中的光盤36之后，執(zhí)行讀或?qū)懖僮?。?dāng)命令處理單元92接收到格式化命令，并且在光盤36的格式化執(zhí)行期間檢測(cè)到缺陷扇區(qū)時(shí)，缺陷處理單元94把缺陷位置地址寄存到在一個(gè)RAM 98中產(chǎn)生的缺陷管理區(qū)域44中的初級(jí)缺陷表64中。缺陷位置地址由邏輯磁道地址和扇區(qū)地址定義。當(dāng)缺陷扇區(qū)的一個(gè)地址如上述那樣寄存到初級(jí)缺陷表64中時(shí)，進(jìn)行一個(gè)用來把缺陷扇區(qū)的下一個(gè)正常扇區(qū)用作更替扇區(qū)的滑移過程。因此，排列圖6中所示的數(shù)據(jù)區(qū)域68，從而僅有對(duì)應(yīng)于缺陷扇區(qū)的量的最后部分進(jìn)入備用區(qū)域70。當(dāng)在磁盤36的格式化完成之后由命令處理單元92接收到寫命令，并且通過寫命令的指定扇區(qū)的訪問檢測(cè)到缺陷扇區(qū)時(shí)，把缺陷扇區(qū)的位置地址寄存到二級(jí)缺陷表66中。還寄存用作缺陷扇區(qū)的更替目的地的備用區(qū)域70中的更替扇區(qū)的位置地址。另外，當(dāng)命令處理單元92接收到寫命令或讀命令時(shí)，缺陷處理單元94通過接收命令的地址首先參照初級(jí)缺陷表64。當(dāng)通過參照初級(jí)缺陷表64識(shí)別到扇區(qū)是缺陷扇區(qū)時(shí)，執(zhí)行用來從/向缺陷扇區(qū)后的第一正常扇區(qū)讀或?qū)懙幕七^程。如果通過讀命令或?qū)懨畹牡刂穮⒄粘跫?jí)缺陷表64，確定該扇區(qū)不是缺陷扇區(qū)，則參照二級(jí)缺陷表66。當(dāng)參照二級(jí)級(jí)缺陷表66檢測(cè)到缺陷扇區(qū)時(shí)，得到與缺陷扇區(qū)的位置地址一起存儲(chǔ)為一組的更替扇區(qū)的位置地址，并且進(jìn)行用于備用區(qū)域中更替扇區(qū)的讀訪問或?qū)懺L問。
圖11A至11C是由圖10中缺陷處理單元94執(zhí)行的缺陷過程的解釋圖。圖11A表示某一區(qū)的數(shù)據(jù)區(qū)域68和備用區(qū)域70。圖11B表示初級(jí)缺陷表64。另外，圖11C表示二級(jí)缺陷表66。首先，假定當(dāng)由格式過程進(jìn)行圖11A中具有地址A0的首部扇區(qū)100的扇區(qū)的格式化時(shí)，不能格式化并且識(shí)別這個(gè)扇區(qū)是缺陷扇區(qū)。通過與格式化有關(guān)的缺陷扇區(qū)100的檢測(cè)，缺陷處理單元94把缺陷扇區(qū)100的缺陷地址A0寄存到圖11B的初級(jí)缺陷表64中。圖11A中數(shù)據(jù)區(qū)域68中的最后扇區(qū)104，響應(yīng)到初級(jí)缺陷表64的缺陷地址A0的寄存，只按缺陷扇區(qū)100的量滑入備用區(qū)域70。當(dāng)例如相對(duì)于數(shù)據(jù)區(qū)域68結(jié)束扇區(qū)格式化時(shí)，如圖11B中所示，存儲(chǔ)缺陷地址A0、A10、…、和Ai?，F(xiàn)在假定，例如，在格式化完成后按照讀/寫命令接著訪問數(shù)據(jù)區(qū)域68中的首部扇區(qū)100，初級(jí)缺陷表64這時(shí)用訪問地址A0訪問。當(dāng)參照初級(jí)缺陷表64時(shí)，將會(huì)理解，訪問地址A0已經(jīng)作為缺陷地址A0寄存，并且訪問扇區(qū)100是缺陷扇區(qū)。因此，在這種情況下，該扇區(qū)滑移到下一個(gè)地址A1后的正常扇區(qū)，并且對(duì)這個(gè)滑移扇區(qū)102進(jìn)行訪問。通過辨別滑移扇區(qū)102的地址A1是否已經(jīng)在初級(jí)缺陷表64中缺陷地址A0之后被寄存，能知道缺陷扇區(qū)100后的滑移扇區(qū)102是否正常。在這種情況下，缺陷地址A10已經(jīng)在缺陷地址A0之后寄存，并且將會(huì)理解地址A1至A9的扇區(qū)是正常的?，F(xiàn)在假定，例如，當(dāng)在格式化完成之后按寫命令訪問數(shù)據(jù)區(qū)域68中的扇區(qū)地址A50時(shí)，發(fā)現(xiàn)扇區(qū)地址A50指示缺陷扇區(qū)。當(dāng)如上述那樣檢測(cè)到扇區(qū)地址A50指示缺陷扇區(qū)時(shí)，把缺陷地址A10寄存到圖11C中所示的二級(jí)缺陷表66中的最后空白扇區(qū)中。另外，其中把備用區(qū)域70中的第一空白扇區(qū)設(shè)置到更替扇區(qū)的更替地址An是與缺陷地址A50結(jié)合，并且寄存的。就是說，寄存缺陷源和更替目的地的位置地址。就格式化后寄存到二級(jí)缺陷表66中的缺陷扇區(qū)而論，在由讀/寫命令訪問地址A50時(shí)，在訪問初級(jí)缺陷表64之后參照二級(jí)缺陷表66識(shí)別缺陷地址A50，并且對(duì)能同時(shí)得到的更替地址A0，即對(duì)備用區(qū)域70中的更替扇區(qū)，進(jìn)行訪問。
圖12是用于圖10中光盤驅(qū)動(dòng)器90中的介質(zhì)格式化過程的流程圖。在介質(zhì)格式化過程中，在步驟S1，從數(shù)據(jù)區(qū)域68的首部開始扇區(qū)格式化。當(dāng)在步驟S2檢測(cè)到缺陷扇區(qū)時(shí)，轉(zhuǎn)到步驟S3后，并且把缺陷位置地址寄存到初級(jí)缺陷表64中。重復(fù)在步驟S1至S3的過程，直到在步驟S4結(jié)束所有區(qū)的格式化。在圖11A中顯然在數(shù)據(jù)區(qū)域68后執(zhí)行備用區(qū)域70的扇區(qū)格式化。就備用區(qū)域70的缺陷扇區(qū)而論，盡管把缺陷位置地址寄存到初級(jí)缺陷表64中，但不進(jìn)行備用區(qū)域最后扇區(qū)的滑移。
圖13是由圖10中缺陷處理單元94進(jìn)行更替寄存過程的流程圖。在更替寄存過程中，當(dāng)在結(jié)束圖12中的介質(zhì)格式化過程之后，在步驟S1由于來自上部設(shè)備的寫命令的執(zhí)行而檢測(cè)到缺陷區(qū)域時(shí)，在步驟S2，訪問圖11C中的二級(jí)缺陷表66，由最后寄存的更替地址檢索備用區(qū)域70中的首部空白扇區(qū)，并且通過把首部空白扇區(qū)用作更替扇區(qū)而寫數(shù)據(jù)。在步驟S3，把數(shù)據(jù)區(qū)域68中的缺陷地址、和其中已經(jīng)進(jìn)行更替過程的備用區(qū)域70中的更替地址寄存到二級(jí)缺陷表66中。
圖14A和14B是在到圖11B中的初級(jí)缺陷表64或圖11C中的二級(jí)缺陷表66的寄存完成之后、用于包括對(duì)于缺陷扇區(qū)的讀訪問或?qū)懺L問的訪問過程的流程圖。首先在步驟S1，根據(jù)圖7中表示的盤映象數(shù)據(jù)72，計(jì)算表示每個(gè)區(qū)的首部位置的一個(gè)首部磁道地址/扇區(qū)地址，并且保存到RAM中的表上。其后在步驟S2，設(shè)備等待按照來自上部設(shè)備的讀命令或?qū)懨钶斎脒壿媺K地址。當(dāng)輸入邏輯塊時(shí)，轉(zhuǎn)到步驟S3，并且首先辨別它是否屬于區(qū)號(hào)n＝0的區(qū)。準(zhǔn)確地說，由于已經(jīng)預(yù)定了對(duì)應(yīng)于每個(gè)區(qū)的邏輯塊地址，所以通過把區(qū)首部邏輯塊地址與輸入邏輯塊地址比較，能識(shí)別輸入邏輯塊地址是否屬于區(qū)n。當(dāng)它不屬于區(qū)n＝0時(shí)，在步驟S4區(qū)號(hào)n增加“1”。進(jìn)行檢驗(yàn)看邏輯塊地址是否屬于下一個(gè)區(qū)號(hào)n2。以類似于以上的方式，重復(fù)步驟S3和S4中的過程，直到識(shí)別到邏輯塊地址所屬的區(qū)號(hào)n。當(dāng)識(shí)別到輸入邏輯塊地址所屬的區(qū)號(hào)n時(shí)，在步驟S4計(jì)算識(shí)別區(qū)n的扇區(qū)地址。區(qū)n的扇區(qū)地址由下式計(jì)算(邏輯扇區(qū)地址)＝(邏輯塊地址)-(區(qū)首部邏輯地址)其后，處理例行程序前進(jìn)到步驟S6，并且根據(jù)在步驟S5中得到的區(qū)n的扇區(qū)地址由下式計(jì)算區(qū)n中的邏輯磁道地址/扇區(qū)地址。
(磁道地址/扇區(qū)地址)＝(區(qū)開始磁道地址/扇區(qū)地址)+(邏輯扇區(qū)地址)當(dāng)區(qū)n的邏輯磁道地址/扇區(qū)地址能按上述那樣計(jì)算時(shí)，在步驟S7，按照計(jì)算的邏輯磁道地址/扇區(qū)地址訪問初級(jí)缺陷表64。在步驟S8進(jìn)行檢驗(yàn)看它是否是缺陷地址。當(dāng)通過參照初級(jí)缺陷表64確定對(duì)應(yīng)于輸入邏輯塊地址的邏輯磁道地址/扇區(qū)地址是缺陷地址時(shí)，在步驟S9檢索在初級(jí)缺陷表64上從區(qū)開始磁道地址/扇區(qū)地址至輸入的邏輯磁道地址/扇區(qū)地址范圍的寄存扇區(qū)數(shù)量。這個(gè)過程等效于一個(gè)用來得到扇區(qū)數(shù)量的過程，諸扇區(qū)對(duì)于對(duì)應(yīng)于輸入的邏輯磁道地址/扇區(qū)地址的缺陷地址的滑移是必要的。
其后，在步驟S10，由如下表達(dá)式計(jì)算滑移目的地的邏輯磁道地址/扇區(qū)地址。
(磁道地址/扇區(qū)地址)＝(邏輯磁道地址/扇區(qū)地址)+(PDL扇區(qū)的數(shù)量)在步驟S11，進(jìn)行檢驗(yàn)看在步驟S9得到的初級(jí)缺陷表64上的PDL扇區(qū)的數(shù)量是否與相同的以前邏輯磁道地址/扇區(qū)地址的檢索數(shù)量相同。如果是，則由于滑移目的地的磁道地址/扇區(qū)地址是正確的，所以處理例行程序前進(jìn)到步驟S12和以后步驟中的過程。如果他們不相同，則由于在步驟S9中在初級(jí)缺陷表64上的檢索中有錯(cuò)誤，所以再重復(fù)從步驟S9開始的步驟。當(dāng)處理例行程序從步驟S11前進(jìn)到步驟S12時(shí)，由在步驟S6中計(jì)算的邏輯磁道地址/扇區(qū)地址隨后檢索二級(jí)缺陷表66。如果在二級(jí)缺陷表66中存在輸入的邏輯磁道地址/扇區(qū)地址，則在步驟S13識(shí)別該扇區(qū)是缺陷扇區(qū)。在步驟S14，由二級(jí)缺陷表66得到更替目的地的邏輯磁道地址/扇區(qū)地址。其后，在步驟S15，為決定的輸入磁道地址/扇區(qū)地址執(zhí)行讀或?qū)懖僮?。在尚未寄存在初?jí)缺陷表64和二級(jí)缺陷表66的每一個(gè)中的正常扇區(qū)的情況下，執(zhí)行讀或?qū)懖僮鞯拇诺赖刂?扇區(qū)地址變成在步驟S6中計(jì)算的磁道地址/扇區(qū)地址。當(dāng)參照初級(jí)缺陷表64識(shí)別到缺陷扇區(qū)時(shí)，使用在步驟S10中計(jì)算的滑移目的地的磁道地址/扇區(qū)地址。另外，當(dāng)通過二級(jí)缺陷表66的檢索識(shí)別到缺陷扇區(qū)時(shí)，使用在步驟S14中得到的更替目的地的磁道地址/扇區(qū)地址。當(dāng)在步驟S15執(zhí)行用于磁道地址/扇區(qū)地址的讀或?qū)懖僮鲿r(shí)，在步驟S16辨別結(jié)束指令的存在或不存在。如果沒有結(jié)束指令，則處理例行程序再返回到步驟S2，并且設(shè)備等待由來自上部設(shè)備的下一個(gè)讀命令或?qū)懨钶斎氲倪壿媺K地址。當(dāng)在步驟S16中有與電源注銷和介質(zhì)排出有關(guān)的結(jié)束命令時(shí)，結(jié)束一系列過程。當(dāng)接收到結(jié)束指令時(shí)，把在圖10中RAM 98中產(chǎn)生的初級(jí)缺陷表64和二級(jí)缺陷表66寫回和保存在光盤36中。此后，切斷電源或排出光學(xué)盒式盤10。沒有必要寫回包括在盤定義結(jié)構(gòu)62中的盤映象數(shù)據(jù)72，因?yàn)樵趦?nèi)容上沒有變化。
圖15是在用于640 MB光學(xué)盒式盤的盤布局用作根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)的目標(biāo)的情況下的解釋圖。在640 MB的光學(xué)盒式盤中，從內(nèi)側(cè)開始布置一個(gè)控制區(qū)260、一個(gè)緩沖區(qū)262、一個(gè)緩沖磁道264、一個(gè)缺陷管理區(qū)域266、一個(gè)用戶區(qū)272、一個(gè)缺陷管理區(qū)域274、一個(gè)緩沖磁道280、和一個(gè)外試驗(yàn)區(qū)282。內(nèi)側(cè)的缺陷管理區(qū)域266由一個(gè)第一缺陷管理區(qū)域(DMA1)268和一個(gè)第二缺陷管理區(qū)域(DMA2)270構(gòu)成。外側(cè)的缺陷管理區(qū)域274由一個(gè)第三缺陷管理區(qū)域(DMA3)276和一個(gè)第四缺陷管理區(qū)域(DMA2)278構(gòu)成。第一缺陷管理區(qū)域268、第二缺陷管理區(qū)域270、第三缺陷管理區(qū)域276、和第四缺陷管理區(qū)域278具有相同的內(nèi)容。例如，如相對(duì)于第一缺陷管理區(qū)域268抽出和表示在右側(cè)的那樣，區(qū)域268由一個(gè)盤定義結(jié)構(gòu)224、一個(gè)初級(jí)缺陷表226、和一個(gè)二級(jí)缺陷表228構(gòu)成。用戶區(qū)272是能用上部設(shè)備通過SCSI接口訪問的可重寫區(qū)域，并且從內(nèi)側(cè)向外側(cè)劃分成11個(gè)區(qū)，如圖16中所示。區(qū)號(hào)0至10分配給11個(gè)區(qū)。如相對(duì)于區(qū)號(hào)0在右側(cè)所示的那樣，每個(gè)區(qū)由一個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)域230和一個(gè)備用區(qū)域232構(gòu)成。在640 MB的光盤中，從內(nèi)側(cè)向外側(cè)分配區(qū)號(hào)0至10，并且該順序與在圖6中從1.3GB光盤的外側(cè)向內(nèi)側(cè)分配區(qū)號(hào)01至17的情況下的順序相反。就是說，盡管在圖6中的1.3GB光盤的盤布局中的邏輯磁道數(shù)量向內(nèi)側(cè)增大，同時(shí)把外側(cè)設(shè)置為減少側(cè)，但圖16中的640MB光盤具有相反的盤布局，其中邏輯磁道數(shù)量向外側(cè)增大，同時(shí)把內(nèi)側(cè)設(shè)置為減少側(cè)。
圖17表示圖15中的盤定義結(jié)構(gòu)224中布置的640MB光盤的盤映象數(shù)據(jù)234。在盤映象數(shù)據(jù)234中，相對(duì)于區(qū)號(hào)0至10的11個(gè)扇區(qū)排列表示在圖中的數(shù)據(jù)扇區(qū)的數(shù)量，數(shù)據(jù)扇區(qū)的數(shù)量在最內(nèi)側(cè)的區(qū)號(hào)0處變成最小，而在外側(cè)的區(qū)號(hào)10處變成最大。相對(duì)于區(qū)號(hào)0至10的每一個(gè)，為備用區(qū)域分配的備用扇區(qū)數(shù)量和備用邏輯磁道數(shù)量分別以這樣一種方式分配，從而它們?cè)跀?shù)據(jù)扇區(qū)數(shù)量最小的最內(nèi)側(cè)的區(qū)號(hào)0處變成最小，而它們?cè)跀?shù)據(jù)扇區(qū)數(shù)量最大的外側(cè)的區(qū)號(hào)10處變成最大。在圖17中的盤映象數(shù)據(jù)234中備用扇區(qū)數(shù)量和邏輯磁道數(shù)量根據(jù)圖18分配。通過使用備用扇區(qū)總數(shù)D2＝2244扇區(qū)×2048字節(jié)＝4.596MB對(duì)640MB介質(zhì)數(shù)據(jù)的總?cè)萘緿1＝641.55MB的備用比值K，計(jì)算圖18中用于分配給區(qū)號(hào)0至10的數(shù)據(jù)扇區(qū)數(shù)量的備用扇區(qū)數(shù)量K＝D2/D1＝4.596MB/641.55MB＝約0.0072就是說，通過把區(qū)號(hào)0至10的每一個(gè)的數(shù)據(jù)扇區(qū)數(shù)量乘以備用比值K＝0.0072，能得到圖中表示的備用扇區(qū)數(shù)量。通過把小數(shù)舍入到最近整數(shù)的方法把備用扇區(qū)的計(jì)算數(shù)量舍入到整數(shù)。通過把備用扇區(qū)數(shù)量除以一個(gè)邏輯磁道的扇區(qū)數(shù)量17，如圖中所示那樣計(jì)算邏輯磁道數(shù)量。通過把小數(shù)舍入到小數(shù)第一位得到邏輯磁道的數(shù)量。
就圖18中計(jì)算的每個(gè)區(qū)的備用扇區(qū)數(shù)量和邏輯磁道數(shù)量而論，用于每個(gè)區(qū)的數(shù)據(jù)扇區(qū)數(shù)量的比值等于K＝0.0072，并且?guī)缀跸嗤?。在本發(fā)明中，由于在邏輯磁道單元基礎(chǔ)上管理備用區(qū)域，所以通過把圖18中邏輯磁道數(shù)量十進(jìn)制小數(shù)點(diǎn)以下的小數(shù)舍入到最近的整數(shù)，確定圖17中備用邏輯磁道的數(shù)量。通過把按上述確定的備用邏輯磁道數(shù)量乘以每個(gè)邏輯磁道的扇區(qū)數(shù)量17，能確定圖17中每個(gè)區(qū)的備用扇區(qū)數(shù)量。顯然應(yīng)該理解，圖18中分配的各區(qū)的備用扇區(qū)總數(shù)等于以前已經(jīng)分配給640MB光盤的備用扇區(qū)數(shù)量(2244)。這點(diǎn)相對(duì)于備用邏輯磁道的數(shù)量也相同，即，它等于通過把備用扇區(qū)的總數(shù)2244除以每個(gè)邏輯磁道的扇區(qū)數(shù)量17得到的132個(gè)邏輯磁道。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，用于缺陷扇區(qū)的更替的備用區(qū)域分配給通過把記錄表面在徑向劃分得到的每個(gè)區(qū)，并且備用區(qū)域的總?cè)萘恳赃@樣一種方式分布，以致于在每個(gè)區(qū)的數(shù)據(jù)區(qū)域容量中占用的備用區(qū)域容量的比值，幾乎與備用區(qū)域的總?cè)萘繉?duì)介質(zhì)數(shù)據(jù)區(qū)域的總?cè)萘康膫溆帽戎礙相同。因而，每個(gè)區(qū)的備用區(qū)域的容量等于對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)區(qū)域的適當(dāng)容量。即使在大數(shù)據(jù)容量的外側(cè)，也能解決這樣的不便備用區(qū)域由于介質(zhì)上的缺陷等完全由更替耗盡，并且用另一個(gè)區(qū)的備用區(qū)域來代替這種耗盡的備用區(qū)域。
因此，即使數(shù)據(jù)容量增大，也能實(shí)現(xiàn)有效使用每種有限介質(zhì)的備用區(qū)域總?cè)萘康娜毕萆葏^(qū)更替過程，并且能防止由缺陷扇區(qū)的更替過程造成的訪問性能降低。
盡管根據(jù)作為例子的1.3GB光盤和640MB光盤已經(jīng)描述了以上實(shí)施例，但本發(fā)明不限于他們，而是也能用于具有任何其他盤容量的光盤。
盡管根據(jù)把雙掩模RDA-MSR的磁光記錄用作1.3GB光盤的一個(gè)例子的情況，已經(jīng)描述了以上實(shí)施例，但本發(fā)明也能用于另一種記錄系統(tǒng)的光盤，如FAD-MSR磁光記錄或相轉(zhuǎn)換記錄系統(tǒng)。
盡管假定其中由SCSI接口限制最大值的備用扇區(qū)的分配作為前提，已經(jīng)描述了以上實(shí)施例，但必要時(shí)也能適當(dāng)?shù)卮_定每個(gè)光盤能分配的備用扇區(qū)的總數(shù)。
另外，在以上實(shí)施例中，盡管對(duì)于每個(gè)區(qū)把備用比值K設(shè)置為常數(shù)，但也能加權(quán)，以便隨著位置接近外邊緣區(qū)而增大備用比值。例如，最內(nèi)邊緣區(qū)的權(quán)重設(shè)置為0.9，最外邊緣區(qū)的權(quán)重設(shè)置為1.1，及權(quán)重線性分配給最內(nèi)與最外區(qū)之間的每個(gè)區(qū)。通過把權(quán)重乘以備用系數(shù)K校正備用比值和通過使用每個(gè)區(qū)不同的校正備用系數(shù)K，使備用區(qū)域隨著位置接近外邊緣區(qū)而增大。通過考慮MSR介質(zhì)具有余量隨著位置接近外邊緣而減小的特征，并且能完成備用區(qū)域的最佳分配，來進(jìn)行這個(gè)過程。
另外，盡管根據(jù)在把光盤記錄表面在徑向劃分成多個(gè)區(qū)、和把用于缺陷扇區(qū)更替的備用區(qū)域分配給每個(gè)區(qū)的情況下的例子，已經(jīng)描述了以上實(shí)施例，但本發(fā)明不限于這種分區(qū)，而是也能類似地用于把作為目標(biāo)的多個(gè)區(qū)劃分成一組或多組、及每個(gè)組設(shè)置備用區(qū)域的情況。
此外，本發(fā)明不限于表示在以上實(shí)施例中的數(shù)值，并且在本發(fā)明的目的和優(yōu)點(diǎn)的范圍內(nèi)，本發(fā)明的多種變更和改進(jìn)也是可能的。
權(quán)利要求
1.一種在其中把數(shù)據(jù)記錄在記錄表面上的記錄介質(zhì)，包括多個(gè)區(qū)，通過在徑向把記錄表面劃分成多個(gè)部分得到；和多個(gè)備用區(qū)域，為所述各區(qū)而提供，并且用于缺陷扇區(qū)的更替，其中在每個(gè)區(qū)中由備用區(qū)域占用的備用邏輯磁道的數(shù)量或備用邏輯扇區(qū)的數(shù)量，根據(jù)從備用區(qū)域的總?cè)萘肯鄬?duì)于所述記錄表面上數(shù)據(jù)區(qū)域的總?cè)萘康玫降膫溆帽戎礙、和每個(gè)區(qū)的數(shù)據(jù)區(qū)域容量來確定。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的介質(zhì)，其中在所述區(qū)的每個(gè)中由備用區(qū)域占用的備用邏輯磁道的數(shù)量或備用邏輯扇區(qū)的數(shù)量，等于根據(jù)通過把每個(gè)區(qū)中的邏輯磁道數(shù)量或數(shù)據(jù)區(qū)域的扇區(qū)數(shù)量乘以所述備用比值K得到的值而確定的整數(shù)值。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的介質(zhì)，其中加權(quán)所述備用比值K，以便在外側(cè)變大。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的介質(zhì)，其中當(dāng)在所述記錄表面上的用戶數(shù)據(jù)區(qū)的數(shù)量等于18，并且在所述用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的備用邏輯磁道總數(shù)等于132時(shí)，在從所述用戶區(qū)外側(cè)指向內(nèi)側(cè)的諸區(qū)中備用邏輯磁道數(shù)量依次等于9、9、9、8、8、8、8、7、7、7、7、7、6、6、6、6、5和5。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的介質(zhì)，其中當(dāng)在所述記錄表面上的用戶數(shù)據(jù)區(qū)的數(shù)量等于11，并且在所述用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的備用邏輯磁道總數(shù)等于132時(shí)，從所述用戶區(qū)外側(cè)指向內(nèi)側(cè)的諸區(qū)的備用邏輯磁道數(shù)量依次等于15、14、14、13、13、12、11、11、10、10、和9。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的介質(zhì)，其中提供一種磁感應(yīng)超限分辨(MSR)的記錄和復(fù)制結(jié)構(gòu)，其中在基片上形成至少一個(gè)用來以比激光束的束直徑小的記錄密度記錄數(shù)據(jù)的記錄層、和一個(gè)用復(fù)制磁場(chǎng)和復(fù)制激光功率的組合來復(fù)制記錄在所述記錄層中的數(shù)據(jù)的復(fù)制層。
7.一種在其中把數(shù)據(jù)記錄到一個(gè)記錄表面上的記錄介質(zhì)，包括多個(gè)區(qū)，通過把所述記錄表面以徑向間距間隔劃分成多個(gè)區(qū)域得到；和多個(gè)備用區(qū)域，為所述各區(qū)而提供，并且用于缺陷扇區(qū)的更替，其中每個(gè)區(qū)的備用區(qū)域的間距間隔，根據(jù)由備用區(qū)域的總?cè)萘肯鄬?duì)于所述記錄表面上數(shù)據(jù)區(qū)域的總?cè)萘康玫降膫溆帽戎礙、和每個(gè)區(qū)的間距間隔來確定。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的介質(zhì)，其中加權(quán)所述備用比值K，以便在外側(cè)變大。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的介質(zhì)，其中提供一種磁感應(yīng)超限分辨(MSR)的記錄和復(fù)制結(jié)構(gòu)，其中在基片上形成至少一個(gè)用來以比激光束的束直徑小的記錄密度記錄數(shù)據(jù)的記錄層、和一個(gè)用復(fù)制磁場(chǎng)和復(fù)制激光功率的組合來復(fù)制記錄在所述記錄層中的數(shù)據(jù)的復(fù)制層。
10.一種存儲(chǔ)設(shè)備，包括一個(gè)記錄單元，具有多個(gè)通過在徑向把記錄表面劃分成多個(gè)區(qū)域得到的區(qū)、和多個(gè)提供給所述各區(qū)且用于缺陷扇區(qū)的更替的備用區(qū)域，并且把數(shù)據(jù)記錄到記錄介質(zhì)上，其中根據(jù)由備用區(qū)域的總?cè)萘肯鄬?duì)于所述記錄表面上數(shù)據(jù)區(qū)域的總?cè)萘康玫降膫溆帽戎礙、和每個(gè)區(qū)的數(shù)據(jù)區(qū)域的容量，來確定(在每個(gè)區(qū)中由備用區(qū)域占用的備用邏輯磁道的數(shù)量)/(扇區(qū)數(shù)量)的比值；一個(gè)復(fù)制單元，用來復(fù)制所述記錄介質(zhì)上的數(shù)據(jù)；及一個(gè)缺陷處理單元，用于當(dāng)檢測(cè)到所述記錄介質(zhì)中的缺陷扇區(qū)時(shí)，允許執(zhí)行一個(gè)用來把更替扇區(qū)分配給所述缺陷扇區(qū)所屬的區(qū)中的備用區(qū)域、且使用所述更替扇區(qū)的更替過程。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中當(dāng)檢測(cè)到由所述記錄介質(zhì)的格式造成的缺陷扇區(qū)時(shí)，所述缺陷處理單元允許使用以后的正常扇區(qū)，并且執(zhí)行一個(gè)用來把從數(shù)據(jù)區(qū)域溢出的扇區(qū)滑移到區(qū)中備用區(qū)域中的滑移過程，并且當(dāng)在所述格式化之后檢測(cè)到缺陷扇區(qū)時(shí)，所述缺陷處理單元執(zhí)行一個(gè)用來把更替扇區(qū)分配給區(qū)中備用區(qū)域，和允許使用更替扇區(qū)的更替過程。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中在所述記錄介質(zhì)中每個(gè)區(qū)中由備用區(qū)域占用的備用邏輯磁道的數(shù)量或備用邏輯扇區(qū)的數(shù)量，是根據(jù)通過把每個(gè)區(qū)中邏輯磁道的數(shù)量或數(shù)據(jù)區(qū)域的扇區(qū)數(shù)量乘以所述備用比值K得到的值而確定的整數(shù)值。
13.根據(jù)權(quán)利要求10至12中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中當(dāng)在所述記錄表面上的用戶數(shù)據(jù)區(qū)的數(shù)量等于18，并且在所述用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的備用邏輯磁道總數(shù)等于132時(shí)，從所述用戶區(qū)外側(cè)指向內(nèi)側(cè)的諸區(qū)的備用邏輯磁道數(shù)量依次等于9、9、9、8、8、8、8、7、7、7、7、7、6、6、6、6、5、和5。
14.根據(jù)權(quán)利要求10至12中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中當(dāng)在所述記錄表面上的用戶數(shù)據(jù)區(qū)的數(shù)量等于11，并且在所述用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的備用邏輯磁道總數(shù)等于132時(shí)，從所述用戶區(qū)外側(cè)指向內(nèi)側(cè)的諸區(qū)的備用邏輯磁道數(shù)量依次等于15、14、14、13、13、12、11、11、10、10、和9。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中提供有一種磁感應(yīng)超限分辨(MSR)的記錄和復(fù)制結(jié)構(gòu)，其中在所述記錄介質(zhì)的基片上，形成至少一個(gè)用來以比激光束的束直徑小的記錄密度記錄數(shù)據(jù)的記錄層、和一個(gè)用復(fù)制磁場(chǎng)和復(fù)制激光功率的組合來復(fù)制記錄在所述記錄層中的數(shù)據(jù)的復(fù)制層。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中所述記錄單元或復(fù)制單元根據(jù)區(qū)CAV系統(tǒng)執(zhí)行記錄或復(fù)制控制。
17.一種存儲(chǔ)設(shè)備，包括一個(gè)記錄單元，具有多個(gè)通過在徑向以間距間隔把記錄表面劃分成多個(gè)區(qū)域得到的區(qū)、和多個(gè)提供給所述各區(qū)且用于缺陷扇區(qū)的更替的備用區(qū)域，并且把數(shù)據(jù)記錄到一種記錄介質(zhì)上，在介質(zhì)中每個(gè)區(qū)的備用區(qū)域的間距間隔，根據(jù)由備用區(qū)域的總?cè)萘肯鄬?duì)于所述記錄表面上數(shù)據(jù)區(qū)域的總?cè)萘康玫降膫溆帽戎礙、和諸區(qū)的間距間隔來確定；一個(gè)復(fù)制單元，用來復(fù)制在所述記錄介質(zhì)上的數(shù)據(jù)；及一個(gè)缺陷處理單元，用于當(dāng)檢測(cè)到記錄介質(zhì)中的缺陷扇區(qū)時(shí)，允許執(zhí)行一個(gè)更替過程，從而把更替扇區(qū)分配給缺陷扇區(qū)所屬的區(qū)中的備用區(qū)域，并且使用更替扇區(qū)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的設(shè)備，其中當(dāng)檢測(cè)到由所述記錄介質(zhì)的格式造成的缺陷扇區(qū)時(shí)，所述缺陷處理單元允許使用以后的正常扇區(qū)，并且執(zhí)行一個(gè)用來把最終扇區(qū)滑移到區(qū)中的備用區(qū)域中的滑移過程，并且當(dāng)在所述格式化之后檢測(cè)到缺陷扇區(qū)時(shí)，所述缺陷處理單元允許執(zhí)行一個(gè)用來把更替扇區(qū)分配給區(qū)中備用區(qū)域、和使用更替扇區(qū)的更替過程。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的設(shè)備，其中提供一種磁感應(yīng)超限分辨(MSR)的記錄和復(fù)制結(jié)構(gòu)，其中在所述記錄介質(zhì)的基片上，形成至少一個(gè)用來以比激光束的束直徑小的記錄密度記錄數(shù)據(jù)的記錄層、和一個(gè)用復(fù)制磁場(chǎng)和復(fù)制激光功率的組合來復(fù)制記錄在所述記錄層上的數(shù)據(jù)的復(fù)制層。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的設(shè)備，其中所述記錄單元或復(fù)制單元通過區(qū)CAV系統(tǒng)執(zhí)行記錄或復(fù)制控制。
全文摘要
在一種可重寫光學(xué)記錄介質(zhì)中,一個(gè)記錄表面通過把徑向間距間隔設(shè)置為常數(shù)而劃分成多個(gè)區(qū),并且在每個(gè)區(qū)中分配一個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)域和一個(gè)用于缺陷扇區(qū)的備用區(qū)域。就每個(gè)區(qū)中的備用區(qū)域的容量而論,分配備用區(qū)域的預(yù)定總?cè)萘?從而備用區(qū)域的容量D2相對(duì)于數(shù)據(jù)區(qū)域的容量D1的備用比值K=D2/D1變得幾乎在諸區(qū)中相同。
文檔編號(hào)G11B20/10GK1242574SQ9910630
公開日2000年1月26日 申請(qǐng)日期1999年4月29日 優(yōu)先權(quán)日1998年7月21日
發(fā)明者沼田健彥, 守部峰生, 竹內(nèi)厚, 千葉照夫 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社, 索尼株式會(huì)社