專利名稱:優(yōu)化用于磁光記錄媒體的再現(xiàn)激光功率的方法和使用該方法的磁光盤單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及優(yōu)化用于磁光記錄媒體的再現(xiàn)激光功率的方法和使用該方法的磁光盤單元,尤其涉及確定使用激光束和交變磁場從磁光記錄媒體再現(xiàn)信號的最佳激光功率的方法,還涉及使用該方法的磁光盤設(shè)備。
注意到磁光記錄媒體是一種可再寫入和高可靠性的記錄媒體,具有大存儲容量,并且可將其作為計算機存儲器等投入使用。另外,最近具有6.0Gb的存儲容量的磁光記錄媒體的標(biāo)準(zhǔn)化作為AS-MO(優(yōu)化存儲磁光)標(biāo)準(zhǔn)正在進展中并且?guī)缀蹩梢酝度胧褂昧?。從這種高密度磁光記錄媒體的信號再現(xiàn)由MSR(磁感應(yīng)超析象分辨率)方法來執(zhí)行,其通過把光束指向那里而在磁光記錄媒體的再現(xiàn)層中形成檢測窗口并將記錄層的磁疇傳送到所形成的用于再現(xiàn)信號的檢測窗口。
另外,已經(jīng)發(fā)展了磁疇擴大和再現(xiàn)技術(shù),其中,在從磁光記錄媒體再現(xiàn)信號期間應(yīng)用交變磁場并且將激光束、交變磁場一起使用,以把記錄層的磁疇傳送到再現(xiàn)層并擴大再現(xiàn)的信號。已經(jīng)建議出使用這種技術(shù)來記錄和/或再現(xiàn)14Gb信號的磁光記錄媒體。
如果用于從磁光記錄媒體再現(xiàn)信號的激光功能太弱,信噪比S/N將很小,使得不可能準(zhǔn)確再現(xiàn)信號。另一方面,如果激光功率太強,S/N將較大,但記錄的信號可被誤擦除。這樣,從磁光記錄媒體再現(xiàn)信號有最佳激光功率。由于適合于再現(xiàn)普通磁光記錄媒體的信號的激光功率具有相對大的裕量,再現(xiàn)激光功率通常由熟練工人根據(jù)他們的經(jīng)驗在運輸這些產(chǎn)品時進行調(diào)整和固定。
但是,在使用MSR方法的磁光記錄媒體是磁疇擴大和再現(xiàn)方法的情況下,再現(xiàn)激光功率必須被適當(dāng)?shù)卣{(diào)整,并且不可能通過象傳統(tǒng)上那樣在產(chǎn)品運輸時調(diào)整和固定再現(xiàn)激光功率來準(zhǔn)確再現(xiàn)信號。
本發(fā)明的一個目的是提供一種優(yōu)化磁疇擴大/再現(xiàn)所需的激光功率的方法及用于該方法的磁光盤單元。
根據(jù)本發(fā)明的一方面,確定使用激光束和交變磁場從磁光記錄媒體再現(xiàn)信號所需的最佳激光功率的方法包括步驟把激光功率設(shè)置到預(yù)定級,用設(shè)定的激光功率從磁光記錄媒體再現(xiàn)已知的參考信號,比較再現(xiàn)的信號與已知的參考信號,以及如果作為比較結(jié)果發(fā)現(xiàn)再現(xiàn)的信號與已知參考信號相同,則確定設(shè)定的激光功率是最佳的激光功率。
通過上述激光功率的優(yōu)化方法,用不同的激光功率級來再現(xiàn)已知的參考信號,并且將激光功率設(shè)置成準(zhǔn)確地再現(xiàn)參考信號,從而可優(yōu)化磁擴大/再現(xiàn)所需的激光功率。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面,磁光盤單元包括光頭、磁頭和鑒別電路。光頭包括發(fā)射激光到磁光盤的激光束源。磁頭把磁場應(yīng)用于磁光盤。鑒別電路把激光束源的功率設(shè)置為預(yù)定級,控制光頭和磁頭使得應(yīng)用交變磁場并且用該設(shè)定功率從磁光盤再現(xiàn)已知參考信號,比較這樣再現(xiàn)的信號與已知的參考信號,并且如果再現(xiàn)的信號與已知參考信號相同,則確定設(shè)定的功率是最佳的功率。
通過上述磁光盤單元,設(shè)置激光功率,用設(shè)定的功率級來再現(xiàn)已知的參考信號,并且如果再現(xiàn)的信號與已知參考信號相同,則確定設(shè)定的功率是最佳的功率,從而可優(yōu)化磁疇擴大/再現(xiàn)所需的激光功率。
圖1是表示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的磁光盤設(shè)備的整體結(jié)構(gòu)的框圖;圖2A到2C表示磁疇擴大/再現(xiàn)的原理;圖3是表示圖1所示的磁光盤設(shè)備的操作的定時圖;圖4是表示安裝于圖1所示的磁光盤設(shè)備上的光盤的平面圖;圖5是表示根據(jù)AS-MO的磁光盤的軌道結(jié)構(gòu)的平面圖;圖6是表示圖1所示的外同步信號產(chǎn)生電路的操作的定時圖,檢測圖5所示的精細時鐘標(biāo)記來產(chǎn)生外部同步信號;圖7是表示一例圖1所示的鑒別電路的框圖;圖8是表示圖1所示的磁光盤設(shè)備的操作的流程圖,其中使用圖7所示的鑒別電路;圖9是表示圖7所示的鑒別電路的操作的定時圖;圖10是表示已知參考信號被預(yù)先記錄在磁光盤中的操作的流程圖,其不同于圖8所示的那個流程圖;圖11是表示另一例圖1所示的鑒別電路的框圖;圖12是表示圖1所示的磁光盤設(shè)備的操作的流程圖,其中使用圖11所示的鑒別電路;
圖13是表示已知參考信號被預(yù)先記錄在磁光盤中的操作的流程圖,其不同于圖12所示的那個流程圖;圖14A到14F表示應(yīng)用磁膜的具有平面內(nèi)方向的分量的磁場的情況下磁疇擴大/再現(xiàn)的原理;圖15表示應(yīng)用磁膜的具有平面內(nèi)方向的分量的磁場的磁頭的位置;圖16A到16C表示應(yīng)用磁膜的具有平面內(nèi)方向的分量的磁場的磁頭的結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的實施例將參考附圖在下面具體解釋。參考圖1,根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的磁光盤單元50包括光頭2、磁頭3、激光驅(qū)動電路4、磁頭驅(qū)動電路5、再現(xiàn)的信號擴大電路6、外部同步信號產(chǎn)生電路7、伺服電路8、伺服機構(gòu)9、主軸電機10、整形器11、解碼器12、編碼器13、調(diào)制電路14和鑒別電路15。
光頭2包括發(fā)射具有635nm(公差在±35,下面同樣如此)波長的激光束的光束源20,檢測從磁光盤1反射的光束。磁頭3與光頭2相對設(shè)置并且將磁場應(yīng)用于磁光盤1。激光驅(qū)動電路4驅(qū)動光頭2中的激光束源20。磁頭驅(qū)動電路5驅(qū)動磁頭3。
再現(xiàn)的信號擴大電路6擴大從光頭2提供的聚焦誤差信號、跟蹤誤差信號、精細時鐘標(biāo)記信號和磁光信號,并將聚焦誤差信號FE、跟蹤誤差信號TE提供給伺服電路8,將精細時鐘標(biāo)記信號FC提供給外部同步信號產(chǎn)生電路7,將磁光信號MO提供給整形電路11。
外部同步信號產(chǎn)生電路7響應(yīng)于精細時鐘標(biāo)記信號FC產(chǎn)生外部時鐘信號CK并將該信號提供給激光驅(qū)動電路4、磁頭驅(qū)動電路5、伺服電路8、解碼器12和鑒別電路15。這些電路4,5,8,12和15根據(jù)外部時鐘信號CK操作。
伺服電路8根據(jù)聚焦誤差信號FE、跟蹤誤差信號TE控制伺服機構(gòu)9,以預(yù)定旋轉(zhuǎn)速度與外部時鐘信號CK同步地旋轉(zhuǎn)主軸電機10。伺服機構(gòu)9根據(jù)聚焦誤差信號FE、跟蹤誤差信號TE對磁頭2中的物鏡(未示出)分別執(zhí)行跟蹤伺服控制和聚焦伺服控制。主軸電機10以預(yù)定旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)磁光盤1。
整形電路11降低磁光信號MO中的噪聲,并將模擬磁光信號AMO轉(zhuǎn)換為數(shù)字磁光信號DMO,將轉(zhuǎn)換后的信號提供給解碼器12和鑒別電路15。解碼器12解調(diào)數(shù)字磁光信號DMO并將信號作為再現(xiàn)的數(shù)據(jù)輸出。編碼器13對記錄數(shù)據(jù)編碼并將數(shù)據(jù)提供給調(diào)制電路14。調(diào)制電路14通過預(yù)定方法調(diào)制記錄信號,如果由磁場調(diào)制方法記錄信號,則將調(diào)制后的記錄信號提供給磁頭驅(qū)動電路5,而如果用光調(diào)制方法記錄信號則把調(diào)制后的記錄信號提供給激光驅(qū)動電路4。
鑒別電路15產(chǎn)生代表激光束源20的功率的功率設(shè)置信號PW并將信號提供給激光驅(qū)動電路4。激光驅(qū)動電路4響應(yīng)于功率設(shè)置信號PW設(shè)置激光束源20的功率并驅(qū)動激光束源20,使得用該設(shè)定功率從磁光盤1再現(xiàn)已知參考信號。另外,鑒別電路15把外部同步信號CK提供給磁頭驅(qū)動電路5。磁頭驅(qū)動電路5驅(qū)動磁頭3使得響應(yīng)于外部同步信號CK把交變磁場應(yīng)用于磁光盤1。另外,鑒別電路15比較再現(xiàn)的數(shù)字磁光信號DMO與已知的參考信號,如果再現(xiàn)的數(shù)字磁光信號DMO與已知信號相同,確定設(shè)定的功率是最佳功率。參考圖2A到2C,描述磁疇擴大/再現(xiàn)的原理。如圖2A所示,磁光盤1包括記錄層1a、非磁性層1b和再現(xiàn)層1c。記錄層1a根據(jù)記錄信號被磁化。再現(xiàn)層1c在一個方向上被磁化。
為通過磁疇擴大方法從磁光盤1再現(xiàn)信號,從磁光盤1的再現(xiàn)層1c側(cè)發(fā)射激光束LB,從記錄層1a側(cè)應(yīng)用交變磁場Hex,如圖2B所示。
結(jié)果,如圖2C所示,通過激光束LB把記錄層1a的磁疇22的溫度升高到預(yù)定溫度,當(dāng)通過交替變化磁場Hex應(yīng)用具有與磁疇22相同的磁化方向的磁場時,經(jīng)非磁性層1b通過靜磁耦合把磁疇22傳送到再現(xiàn)層1c并且在那里擴大。這樣,在與磁頭22相同的方向上磁化的擴大的磁疇23出現(xiàn)在再現(xiàn)層1c中。由于磁疇23的磁化而旋轉(zhuǎn)發(fā)射到再現(xiàn)層1c的激光束LB,并且將其反射進去,檢測反射的光束來再現(xiàn)作為磁疇22記錄的信號。
在結(jié)束激光束LB對磁疇23的檢測后,應(yīng)用具有與磁疇23相反方向的磁化的磁場,從而把磁光盤1恢復(fù)到圖2A所示的初始狀態(tài),并且以類似于上述的方式再現(xiàn)后面的磁疇。
在上述的磁疇擴大再現(xiàn)中,激光束LB的功率極其重要。通常,為確保通過靜磁耦合的傳送,近似設(shè)置激光功率來升高到記錄層1a的磁疇22的泄漏磁場可達到傳送需要的強度的溫度。相反,本發(fā)明的申請人在日本專利申請No.10-11341中提出把激光功率維持到一定程度使得激光功率發(fā)射不產(chǎn)生傳送而僅在應(yīng)用磁場時發(fā)生傳送。但是,如果激光功率太低,記錄層1a的磁疇22不能準(zhǔn)確地被傳送到再現(xiàn)層1c并且不能在那里被擴大。因此,激光功率必須被近似設(shè)置以執(zhí)行準(zhǔn)確的磁疇擴大/再現(xiàn)。圖1所示的磁光盤單元50的再現(xiàn)激光功率的優(yōu)化操作將參考圖3來說明。
當(dāng)磁光盤1安裝到磁光盤單元50上并且開始用傳統(tǒng)方法向磁光盤1記錄信號時,鑒別電路15提供從已知參考信號RF(這里使用“01100010”)數(shù)字化得到的參考信號DRF給磁頭驅(qū)動電路5。磁頭驅(qū)動電路5從外部同步信號發(fā)生電路7接收參考信號DRF,與外部同步信號CK同步化并響應(yīng)于接收到的參考信號DRF驅(qū)動磁頭3。磁頭3響應(yīng)于參考信號DRF把磁場應(yīng)用于磁光盤1,從而把參考信號RF記錄在磁光盤1中。此時,激光驅(qū)動電路4驅(qū)動激光源20,使得預(yù)定強度的激光束從光頭2發(fā)出到磁光盤1。
在記錄參考信號RF后,磁光盤單元50把激光功率設(shè)置在不同級,并且用設(shè)定的激光功率級的每一個從磁光盤1再現(xiàn)記錄的已知參考信號RF。為了這一目的,鑒別電路15把來自外部同步信號發(fā)生電路7的外部同步信號CK提供給磁頭驅(qū)動電路5,還把功率設(shè)置信號PW提供給激光驅(qū)動電路4。磁頭驅(qū)動電路5驅(qū)動磁頭3使得響應(yīng)于外部時鐘信號CK把交變磁場AM應(yīng)用于磁光盤1。交變磁場AM的峰值強度為±23700A/m。激光驅(qū)動電路4響應(yīng)于功率設(shè)置信號PW設(shè)置激光束源20的功率,并驅(qū)動激光束源20使得用該設(shè)定功率從磁光盤1再現(xiàn)信號。這里,功率設(shè)置信號PW的電平在3級中轉(zhuǎn)換。從而,分別從光頭2向磁光盤1發(fā)射預(yù)定周期的帶有不同功率級的三種類型的激光束。
更具體說,響應(yīng)于功率設(shè)置信號PW1把激光束源20的功率設(shè)置到低級,如1.9mW。當(dāng)以該級功率從光頭2發(fā)射激光束到磁光盤1時,將檢測到磁光信號AMO1。隨后,響應(yīng)于功率設(shè)置信號PW2把激光束20的功率設(shè)置到中間級,例如2.0mW。當(dāng)以該級功率從光頭2發(fā)射激光束到磁光盤1時,將檢測到磁光信號AMO2。接著,響應(yīng)于功率設(shè)置信號PW3把激光束20的功率設(shè)置到高級,例如2.1mW。當(dāng)以該級功率從光頭2發(fā)射激光束到磁光盤1時,將檢測到磁光信號AMO3。
這些模擬磁光信號AMO1到AMO3通過整形單元11被轉(zhuǎn)換為數(shù)字磁光信號DMO1到DMO3。磁光信號DMO1代表“01000010”,磁光信號DMO2代表“01100010”,磁光信號DMO3代表“01101010”。鑒別電路15比較磁光信號DMO與參考信號DRF。再現(xiàn)的信號“01000010”和“01101010”不同于參考信號“01100010”,而再現(xiàn)的信號“01100010”與參考信號“01100010”相同。當(dāng)激光束功率為1.9mW時,再現(xiàn)信號“01000010”,其中參考信號“01100010”的第三位的“1”被誤檢測為“0”。當(dāng)激光束功率為2.1mW時,再現(xiàn)信號“01101010”,其中參考信號“01100010”的第五位的“0”被誤檢測為“1”。當(dāng)激光束功率為2.0mW時,再現(xiàn)信號“01100010”,它與參考信號“01100010”相同。因此,如果激光束功率太弱,則應(yīng)檢測為“1”的信號被誤檢測為“0”,而如果激光束功率太強,則應(yīng)檢測為“0”的信號被誤檢測為“1”。
這樣鑒別電路15控制光頭2和磁頭3使得將已知參考信號“01100010”記錄在磁光盤1中,把激光束源20的功率設(shè)置到預(yù)定級,應(yīng)用交變磁場AM并且控制控制光頭2和磁頭3使得用該設(shè)置功率從磁光盤1再現(xiàn)信號,這樣比較再現(xiàn)的信號與已知參考信號RF,如果再現(xiàn)的信號與已知參考信號RF相同,則確定設(shè)置的功率為最佳功率。在上面的例子中,由于當(dāng)把激光束源20的功率設(shè)置到2.0mW時從磁光盤1再現(xiàn)的信號與參考信號RF相同,把作為2.0mW的激光束源20的功率確定為適合于磁疇擴大/再現(xiàn)。
再參考圖1,模擬磁光信號AMO1-AMO3經(jīng)再現(xiàn)的信號擴大電路6被提供給整形單元11。在整形單元11中,模擬磁光信號AMO1-AMO3被轉(zhuǎn)換為數(shù)字磁光信號DMO1到DMO3并被提供給鑒別電路15。鑒別電路15確定提供的數(shù)字磁光信號DMO1到DMO3的每一個是否與已知參考信號DRF相同,并且檢測到與已知參考信號DRF相同的磁光信號DMO2。當(dāng)檢測到磁光信號DMO2時,鑒別電路15控制激光驅(qū)動電路4使得激光束源20的功率被設(shè)置到檢測到磁光信號DMO2的2.0mW。激光驅(qū)動電路4響應(yīng)于功率設(shè)置信號PW2驅(qū)動激光束源20,從而以適合于磁疇擴大/再現(xiàn)的功率從光頭2發(fā)射激光束到磁光盤1。結(jié)果,執(zhí)行精確的磁疇擴大/再現(xiàn)。
參考圖4,磁光盤1具有螺旋軌道101。磁光盤1在周向部分具有TOC(內(nèi)容表)區(qū)域102并且在中心部分具有與TOC區(qū)域相連的數(shù)據(jù)區(qū)域103。通過把已知參考信號記錄在形成于數(shù)據(jù)區(qū)域103的開始的校準(zhǔn)區(qū)域1031中來優(yōu)化激光功率。這使得從數(shù)據(jù)區(qū)域103再現(xiàn)參考信號之前通過從校準(zhǔn)區(qū)域1031再現(xiàn)參考信號來優(yōu)化激光功率。另外,通過在數(shù)據(jù)區(qū)域103中形成多個校準(zhǔn)區(qū)域1031到1033并在各個校準(zhǔn)區(qū)域中記錄參考信號來優(yōu)化激光功率。這使得即使在徑向上磁膜性能不均勻的情況下也可恒定地優(yōu)化激光功率。
在AS-MO的情況下,從如圖5所示的槽104和脊105來形成軌道。以每一預(yù)定的距離在槽104中形成脊?fàn)畈贿B續(xù)區(qū)域106并且以每一預(yù)定的距離在脊105中形成槽狀不連續(xù)區(qū)域107。不連續(xù)區(qū)域106和107形成精細時鐘標(biāo)記。擺動108根據(jù)槽104的地址形成于連續(xù)槽104的一個壁上,而擺動109根據(jù)相鄰脊的地址形成于另一壁上。因此,在形成擺動108,109的區(qū)域的前面的區(qū)域110或后面的區(qū)域111中都可優(yōu)化激光功率。參考圖6,以每一預(yù)定距離在包括槽104和脊106的軌道上形成精細時鐘標(biāo)記106和107。光頭2向槽104和脊105發(fā)射激光束來檢測從那里反射的激光束,并且通過再現(xiàn)的信號擴大電路6產(chǎn)生檢測到的反射信號DR。再現(xiàn)的信號擴大電路6還比較檢測到的反射信號DR的電平與電平L1,L2以產(chǎn)生精細時鐘標(biāo)記信號FC。外部同步信號發(fā)生電路7產(chǎn)生外部同步信號CK,用以響應(yīng)于精細時鐘標(biāo)記信號FC同步地操作解碼器12、鑒別電路15、激光驅(qū)動電路4和磁頭驅(qū)動電路5。這里,在兩個相鄰的精細時鐘標(biāo)記信號FC之間出現(xiàn)預(yù)定數(shù)目的外部同步信號CK。
外部同步信號CK由于精細時鐘標(biāo)記106和107而產(chǎn)生,從而外部同步信號CK即使在一個或多個軌道丟失了再現(xiàn)信號的情況下都可穩(wěn)定地產(chǎn)生。參考圖7,鑒別電路15包括存儲已知參考信號RF的存儲器151、比較來自整形單元11的數(shù)字磁光信號DMO與從存儲器151讀出的數(shù)字參考信號DRF的異或OR電路152、響應(yīng)于外部同步信號CK鎖存來自異或OR電路的輸出信號EX的D(延遲)觸發(fā)電路153、響應(yīng)于來自D觸發(fā)電路153的輸出信號DE設(shè)置的RS觸發(fā)器154、把數(shù)字功率設(shè)置信號轉(zhuǎn)換為模擬功率設(shè)置信號PW的D/A轉(zhuǎn)換器155、把參考信號DRF或外部同步信號CK選擇性地提供給磁頭驅(qū)動電路5的開關(guān)電路156以及數(shù)字信號處理器(DSP)157。DSP157產(chǎn)生復(fù)位信號RST,以響應(yīng)于外部同步信號CK復(fù)位RS觸發(fā)器154,并產(chǎn)生要提供給D/A轉(zhuǎn)換器155的數(shù)字功率設(shè)置信號,控制開關(guān)電路156。接著,參考圖8和9說明使用圖7所示的鑒別電路的磁光盤單元的操作。
當(dāng)操作在步驟S1開始時,在步驟S2把參考信號DRF從鑒別電路15提供給磁頭驅(qū)動電路5。具體說,DSP157控制開關(guān)電路156,從而從存儲器151讀出要被提供給磁頭驅(qū)動電路5的參考信號DRF。隨后,在步驟S3中,光頭2和磁頭3在磁光盤1的預(yù)定校準(zhǔn)區(qū)域1031到1033記錄已知參考信號DRF。
在記錄參考信號后,在步驟S4把交變磁場AM從磁頭3應(yīng)用于磁光盤1。接著,在步驟S5從鑒別電路15把功率設(shè)置信號PW提供給激光驅(qū)動電路4。激光驅(qū)動電路4響應(yīng)于功率設(shè)置信號PW把激光束源20的功率設(shè)置為預(yù)定級。
隨后在步驟S6中,從光頭2以設(shè)定的功率發(fā)射激光到磁光盤1。當(dāng)發(fā)射激光束時,在步驟S7中,通過磁頭擴大方法從校準(zhǔn)區(qū)域1031到1033再現(xiàn)記錄的參考信號RF。更具體說,對于每個激光功率作為參考信號RF再現(xiàn)模擬磁光信號AMO1到AMO3并且還通過整形單元11將其轉(zhuǎn)換為數(shù)字磁光信號DMO1到DMO3。
在步驟S8中,這種磁光信號DMO被輸入到鑒別電路15并通過異或OR電路152與從存儲器151讀出的已知參考信號DRF比較。如果磁光信號DMO與參考信號DRF相同,則輸出信號EX處于L電平(邏輯低),而如果這些信號彼此不同,則信號處于H電平(邏輯高)。輸出信號EX通過D觸發(fā)器153與外部時鐘信號CK同步,從而得到與輸出信號EX同步的輸出信號DE。響應(yīng)于輸出信號DE設(shè)置RS觸發(fā)器154,從而把H電平的輸出信號Q提供給DSP157。在一連串(這里為8位)的參考信號的比較結(jié)束后,DSP157把復(fù)位信號RST提供給RS觸發(fā)器154。RS觸發(fā)器154響應(yīng)于復(fù)位信號RST被復(fù)位。這樣,通過再現(xiàn)記錄的參考信號得到的一連串磁光信號經(jīng)異或OR電路152與一連串的參考信號作比較,如果甚至在1位中出現(xiàn)不一致,則設(shè)置RS觸發(fā)器154并將其維持原樣。另一方面,如果信號中的所有的位都匹配,將不設(shè)置RS觸發(fā)器154。
當(dāng)RS觸發(fā)器154的輸出信號Q處于H電平時,DSP157升高功率設(shè)置信號PW的電平并重復(fù)上面的步驟S5到S8,而當(dāng)輸出信號Q為處于L電平時,DSP157移動到后面步驟S9。
在步驟S9中,當(dāng)甚至將該系列磁光信號與該系列的參考信號作比較的情況下RS觸發(fā)器154的輸出信號Q都維持在L電平時,確定設(shè)置功率為最佳功率。這里,用第二次設(shè)置的激光功率再現(xiàn)的磁光信號DMO2與已知參考信號DRF相同,從而對應(yīng)于功率設(shè)置信號PW2的功率被確定為最佳功率。
當(dāng)確定了最佳激光功率時,在步驟S10中把激光功率設(shè)置到確定的功率。隨后在步驟S11中,用設(shè)定的激光功率以磁疇擴大方法再現(xiàn)信號。在步驟S12中結(jié)束操作。
圖8是表示不在磁光盤1中預(yù)先記錄參考信號時,并且如果參考信號被預(yù)先記錄在磁光盤1中則通過磁疇擴大方法根據(jù)圖10所示的流程圖再現(xiàn)信號的情況下的操作流程圖。在圖10中,省略圖8所示的步驟S2和S3。其它步驟與圖8相同,從而其說明從略。圖7所示的鑒別電路一個一個地辨別異或OR 152的比較結(jié)果,而圖11所示的鑒別電路一次辨別異或OR152的三個比較結(jié)果。這樣,鑒別電路15包括3個RS觸發(fā)電路1541到1543以及開關(guān)電路158,替代一個RS觸發(fā)電路154。DSP157控制開關(guān)電路158并將D觸發(fā)器153的輸出信號DE提供給RS觸發(fā)器1541,同時把功率設(shè)置信號PW1提供給激光驅(qū)動電路4來再現(xiàn)磁光信號AMO1到DMO1。DSP157還把D觸發(fā)器153的輸出信號DE提供給RS觸發(fā)器1542,同時把功率設(shè)置信號PW2提供給激光驅(qū)動電路4來再現(xiàn)磁光信號AMO2到DMO2。DSP157還把D觸發(fā)器153的輸出信號DE提供給RS觸發(fā)器1543,同時把功率設(shè)置信號PW3提供給激光驅(qū)動電路4來再現(xiàn)磁光信號AMO3到DMO3。在結(jié)束三種類型的磁光信號DMO1到DMO3的比較后,DSP157確定RS觸發(fā)電路1541到1543的各個輸出信號Q1到Q3是處于H電平還是L電平。之后,DSP 157提供復(fù)位信號RST1到RST3以分別復(fù)位RS觸發(fā)電路1541到1543。接著,說明使用圖11所示的鑒別電路的磁光盤單元的操作。在圖12所示的流程圖中,步驟S66替代圖8所示的步驟S6來提供。其它步驟與圖8所示相同,從而其說明從略。
這里,總共重復(fù)3次步驟S5到S8,其中在步驟S66中用3個不同的功率級來發(fā)射激光束。更具體說,在第一回合中,在步驟S5鑒別電路15把功率設(shè)置信號PW1提供給激光驅(qū)動電路4。激光驅(qū)動電路4響應(yīng)于功率設(shè)置信號PW1設(shè)置激光束源20的功率。接著,在步驟S66中用該設(shè)置功率從光頭2發(fā)射激光束。這使得信號在步驟S7中通過磁疇擴大方法從磁光盤1的校準(zhǔn)區(qū)域1031到1033再現(xiàn)。在第二回合中,在步驟S5鑒別電路15把功率設(shè)置信號PW2提供給激光驅(qū)動電路4。在步驟S66中用該設(shè)置功率從光頭2發(fā)射激光束,從而在步驟S7中再現(xiàn)信號。最后在第三回合中,在步驟S5鑒別電路15把功率設(shè)置信號PW3提供給激光驅(qū)動電路4。在步驟S66中用該設(shè)置功率從光頭2發(fā)射激光束,從而在步驟S7中再現(xiàn)信號。
在這樣得到分別帶有三種不同類型的激光功率級的磁光信號DMO1到DMO3后,在步驟S8中磁光信號DMO1到DMO3的每一個與參考信號DRF相比,在步驟S9確定最佳激光功率。
在上述激光功率的優(yōu)化方法(1)中,比較結(jié)果被存儲到RS觸發(fā)電路154中以一個一個地辨別最佳激光功率,而這里描述的激光功率的優(yōu)化方法(2)中,比較結(jié)果被存儲到3個RS觸發(fā)電路1541到1543中以一次辨別最佳激光功率。
圖12的流程圖表明沒有參考信號被預(yù)先記錄在磁光盤1中的操作,而圖13的流程圖表示把參考信號預(yù)先記錄在磁光盤1中的操作。在圖13中,不提供圖12所示的步驟S2和S3。其它步驟與圖12所示相同,其說明從略。
對于參考信號。下表中所示的是優(yōu)選的。[表1] 表參考信號模式 n8~10盡管在上述實施例中,磁場Hex垂直應(yīng)用于磁光盤1,但優(yōu)選地磁場包括磁光盤1的平面內(nèi)方向分量。
如圖14A所示,在通過靜磁耦合把磁疇22從記錄層1a經(jīng)非磁性層1b傳送到再現(xiàn)層1c中并由外部磁場擴大來再現(xiàn)信號的磁疇擴大/再現(xiàn)中,記錄層1a中的磁疇22在垂直方向上的磁場分布如圖14B所示。磁疇22的平面內(nèi)方向上的磁場分布在磁疇22兩端產(chǎn)生磁場,這兩個磁場具有彼此相反方向,如圖14C所示。如果在這種狀態(tài)下外部應(yīng)用記錄層1a的對角方向的磁場,即具有平行于記錄層1a的分量的磁場,磁疇的平面內(nèi)方向上的磁場分布高出一個對應(yīng)于和應(yīng)用的磁場的記錄層1a平行的分量的量。之后,在磁疇22的兩端產(chǎn)生平面內(nèi)方向上磁場的強度之差,并且通過靜磁耦合從具有更高強度磁場的那端產(chǎn)生向再現(xiàn)層1c的傳送,如圖14E所示,這在再現(xiàn)層1c中產(chǎn)生子磁疇24。接著,在平面內(nèi)方向擴大子磁疇24,最終通過靜磁耦合把記錄層1a的磁疇22傳送到再現(xiàn)層1c并在那里擴大,如圖14F所示。當(dāng)從記錄層1a向再現(xiàn)層1c傳送磁疇22時,有一個具有平行于記錄層1a的分量的應(yīng)用磁場,外部磁場Hex1作用在再現(xiàn)層1c的磁化25上,外部磁疇Hex2作用在其磁化26上。由于外部磁場Hex1大于外部磁疇Hex2,與磁化26相比,磁化25在平面內(nèi)方向上受到更大的作用力,并且趨向于在記錄層1a的磁疇22的磁化的方向上反向。因此,具有平行于記錄層1a的分量的磁場的應(yīng)用會通過靜磁耦合促進從記錄層1a向再現(xiàn)層1c傳送。
盡管記錄層1a與外部磁場的應(yīng)用方向形成的角度的最佳值是不確定的,但如果應(yīng)用具有平行于記錄層1a的分量的磁場,將促進傳送。應(yīng)注意傳送到再現(xiàn)層1c的子磁疇24由于垂直于記錄層1a的磁場而被擴大。
如上所述,如果應(yīng)用具有平行于磁光盤1的分量的磁場,將促進傳送,因此優(yōu)選地在圖8,10,12和13所示的步驟S4中還將應(yīng)用具有平行于磁光盤1的分量的交變磁場。
因此,通過應(yīng)用具有磁光盤1的平面內(nèi)分量的外部磁場執(zhí)行的磁疇擴大/再現(xiàn)確保磁疇22從記錄層1a向再現(xiàn)層1c的傳送,結(jié)果,與應(yīng)用僅具有垂直于磁光盤1的分量的外部磁場的情況相比,再現(xiàn)信號的出錯率被降低到0.01到0.1。另外,僅具有垂直分量的外部磁場要求±23700AT/m,而具有水平分量的外部磁場僅要求±15800AT/m。
為通過應(yīng)用具有磁膜平面內(nèi)分量的磁場再現(xiàn)信號,要求調(diào)整磁頭位置,使得激光束發(fā)射位置和磁場的應(yīng)用位置彼此對應(yīng),調(diào)整方法參考圖15來說明。
參考圖15,脊113和槽114形成于磁光盤1的基片112上,諸如記錄層和再現(xiàn)層的磁膜115形成于脊113和槽114上。為應(yīng)用具有磁膜115的平面內(nèi)分量的外部磁場Hex,磁頭3不應(yīng)被放置在垂直于向那里發(fā)射激光束LB的磁膜115的向上方向上,但應(yīng)在磁膜115上方對角放置。
當(dāng)磁頭3被放置在圖15所示的激光束LB的發(fā)射位置上方時,磁頭3可垂直于磁光盤1定位,如圖16A所示,并且利用從頭的尖部部分對角發(fā)射的磁場?;蛘?,磁頭3的尖部部分指向激光束LB的發(fā)射位置的方向,如圖16B所示,并且利用尖頭直接發(fā)射的磁場Hex。
帶有稍呈E狀部分的其中線圈34繞在芯部33上的磁頭35也可應(yīng)用具有平行于磁膜115的分量的外部磁場Hex。
應(yīng)理解這里公開的實施例在各方面僅是圖示性的,并不進行限制。應(yīng)注意本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求表示而不是由上述說明表示,包括了權(quán)利要求的任何等價修改并落在權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種優(yōu)化使用激光束(LB)和交變磁場(Hex)從磁光記錄媒體(1)再現(xiàn)信號的激光功率的方法,包括步驟把所述激光功率設(shè)置到預(yù)定級(S5,S55),用所述設(shè)定的激光功率從所述磁光記錄媒體(1)再現(xiàn)已知的參考信號(RF)(S7,S77),比較所述再現(xiàn)的信號與所述已知的參考信號(RF)(S8),以及當(dāng)作為所述比較步驟的結(jié)果發(fā)現(xiàn)所述再現(xiàn)的信號與所述已知參考信號(RF)相同時,則確定所述設(shè)定的激光功率是最佳的激光功率(S9)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,還包括步驟以每次不同的所述預(yù)定級來多次重復(fù)設(shè)置、再現(xiàn)和比較的步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,還包括步驟在再現(xiàn)所述已知參考信號(RF)之前把所述已知參考信號(RF)記錄到所述磁光記錄媒體(1)的預(yù)定校準(zhǔn)區(qū)域(1031到1033)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中所述已知參考信號(RF)被預(yù)先記錄在所述磁光記錄媒體上。
5.一種磁光盤設(shè)備(50)包括光頭(2),包括發(fā)射激光束(LB)到磁光盤(1)的激光束源(20);磁頭(3,35),把磁場(Hex)應(yīng)用于所述磁光盤(1);以及鑒別電路(15),把所述激光束源(20)的功率設(shè)置為預(yù)定級,控制所述光頭(2)和所述磁頭(3,35)使得應(yīng)用交變磁場(Hex)并且用該設(shè)定功率從所述磁光盤(1)再現(xiàn)已知參考信號(RF),比較再現(xiàn)的信號與所述已知的參考信號(RF),并且當(dāng)所述再現(xiàn)的信號與所述已知參考信號(RF)相同時,則確定所述設(shè)定的功率是最佳的功率。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的磁光盤設(shè)備,其中所述鑒別電路(15)控制所述光頭(2)和所述磁頭(3,35)使得在再現(xiàn)所述已知參考信號(RF)之前將所述已知參考信號(RF)記錄到所述磁光盤(1)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的磁光盤設(shè)備,其中所述光頭(2)和所述磁頭(3,35)記錄所述已知參考信號(RF)到所述磁光盤(1)的預(yù)定校準(zhǔn)區(qū)域(1031到1033)。
8.根據(jù)權(quán)利要求5的磁光盤設(shè)備,其中所述已知參考信號(RF)被預(yù)先記錄在所述磁光盤(1)上。
9.根據(jù)權(quán)利要求5的磁光盤設(shè)備,其中所述鑒別電路(15)產(chǎn)生代表所述預(yù)定級的功率設(shè)置信號(PW),所述磁光盤設(shè)備(50)還包括激光驅(qū)動電路(4),用于驅(qū)動所述激光束源(20)來響應(yīng)于所述功率設(shè)置信號(PW)設(shè)置所述激光束源(20)的功率并且以設(shè)定的功率再現(xiàn)所述已知參考信號(RF),和磁頭驅(qū)動電路(5),驅(qū)動所述磁頭(3,35)使得應(yīng)用所述交變磁場(Hex)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的磁光盤設(shè)備,其中所述激光驅(qū)動電路(4)和所述磁頭驅(qū)動電路(5)驅(qū)動所述光頭(2)和所述磁頭(3,35)使得記錄所述已知參考信號(RF)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的磁光盤設(shè)備,其中所述鑒別電路(15)包括用于存儲所述已知參考信號(DRF)的存儲器(151),用于比較所述再現(xiàn)的信號與所述已知參考信號(DRF)的比較器(152)和控制電路(157),從所述存儲器(151)讀出所述已知參考信號(DRF)以把該信號提供給所述磁頭驅(qū)動電路(5),用以記錄所述已知參考信號(DRF),把所述功率設(shè)置信號(PW)提供給所述激光驅(qū)動電路(4)以再現(xiàn)所述已知參考信號(DRF),從所述存儲器(151)讀出所述已知參考信號(DRF)以把該信號提供給所述比較器(152),及響應(yīng)于所述比較器(152)的輸出信號(EX)確定所述功率設(shè)置信號(PW)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的磁光盤設(shè)備,其中所述鑒別電路(15)還包括響應(yīng)于所述比較器(152)的輸出信號(EX)設(shè)置的觸發(fā)電路(154);并且所述控制電路(157)響應(yīng)于所述觸發(fā)電路(154)的輸出信號(Q)確定所述功率設(shè)置信號(PW)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的磁光盤設(shè)備,其中所述鑒別電路(15)還包括響應(yīng)于所述比較器(152)的輸出信號(EX)設(shè)置的多個觸發(fā)電路(1541到1543);并且所述控制電路(157)把所述比較器(152)的輸出信號(EX)提供給所述觸發(fā)電路(1541到1543)之一并且響應(yīng)于所述觸發(fā)電路(1541到1543)的輸出信號(Q1到Q3)確定所述功率設(shè)置信號(PW)。
14.根據(jù)權(quán)利要求5的磁光盤設(shè)備,其中所述磁光盤(1)包括以預(yù)定間隔在軌道上形成的精細時鐘標(biāo)記(106,107),所述光頭(2)檢測所述精細時鐘標(biāo)記(106,107)來產(chǎn)生精細時鐘標(biāo)記信號(FC),所述磁光盤設(shè)備還包括外部同步信號發(fā)生電路(7),產(chǎn)生外部同步信號(CK),用以響應(yīng)于所述精細時鐘標(biāo)記信號(FC)同步操作所述鑒別電路(15)、所述激光驅(qū)動電路(4)和所述磁頭驅(qū)動電路(5)。
全文摘要
一種磁光盤設(shè)備(50)包括鑒別電路(15),用于控制光頭(2)和磁頭(3)來在磁光盤(1)上記錄已知參考信號(RF),把功率設(shè)置信號(PW)提供給激光驅(qū)動電路(4)以把激光束源(20)的功率設(shè)置到預(yù)定級,控制光頭(2)和磁頭(3)來用設(shè)定的功率從磁光盤(1)再現(xiàn)已知參考信號(RF),比較再現(xiàn)的信號與已知參考信號(RF),如果再現(xiàn)的信號與已知參考信號(RF)相同,則確定設(shè)定的功率為最佳功率。結(jié)果,可優(yōu)化磁疇擴大/再現(xiàn)要求的激光功率。
文檔編號G11B7/125GK1332883SQ99815300
公開日2002年1月23日 申請日期1999年11月12日 優(yōu)先權(quán)日1998年11月13日
發(fā)明者高木直之, 三谷健一郎 申請人:三洋電機株式會社