與所述第一晶體管107和第二晶體管108的柵極相連，用于控制第一晶體管107和第二晶體管108的開關(guān)狀態(tài)。
[0082]具體地，通過控制單元120對第一晶體管107和第二晶體管108施加不同的電壓，使第一晶體管107打開，第二晶體管108關(guān)閉，對測試鍵中第一節(jié)點101與第二節(jié)點102之間的測試電容充電，使第一晶體管107關(guān)閉，第二晶體管108打開，使測試電容放電。
[0083]所述控制單元120可以為與本實施例測試鍵形成于同一晶圓上的集成電路，也可以為外接的驅(qū)動電路，本發(fā)明對控制單元120是集成器件還是一獨立器件不做限制。
[0084]電流計113，用于測量所述SRAM測試鍵中，經(jīng)第一節(jié)點101流入多個SRAM單元的電流。需要說明的是，在本實施例中，所述電流計113可以串聯(lián)在第一晶體管107源極和工作電壓電源103之間。
[0085]計算單元130,用于根據(jù)經(jīng)第一節(jié)點101流入多個SRAM單元的電流值除以單位時間內(nèi)充放電的次數(shù)，得到每次充放電中充入測試電容的電荷量，還用于根據(jù)第一節(jié)點101和第二節(jié)點102之間的電壓差以及每次充放電中充入測試電容的電荷量，得到測試電容的電容值。
[0086]計算單元130可以通過電流計113獲得經(jīng)第一節(jié)點流入多個SRAM單元的電流，可以通過所述控制單元120獲得單位時間內(nèi)充放電的次數(shù)，從而獲得充電過程中充入第一節(jié)點101與第二節(jié)點102之間測試電容的電荷量，進(jìn)而得到第一節(jié)點101與第二節(jié)點102之間形成的測試電容的電容值。
[0087]需要說明的是，在本實施例中，所述控制單元120用于向第一晶體管107柵極提供第一脈沖電壓，使第一晶體管107的打開和關(guān)閉呈周期性變化，所述控制單元120還用于向第二晶體管108提供為第二脈沖電壓，使第二晶體管108的打開和關(guān)閉呈周期性變化。
[0088]可以參考圖4，示出了圖2所示測試裝置中控制單元的脈沖周期的示意圖。圖線201為第一脈沖電壓的電壓曲線，圖線202為第二脈沖電壓的電壓曲線。
[0089]在本實施例中，為保證在一定時間內(nèi)，測試電容充電與放電的次數(shù)相等，使第一脈沖電壓的脈沖周期Tx與第二脈沖電壓的脈沖周期Ty相等，這樣在同樣的時間內(nèi)，第一脈沖電壓經(jīng)歷的脈沖周期Tx數(shù)量與第二脈沖電壓的經(jīng)歷的脈沖周期Ty數(shù)量相等，測試鍵中第一晶體管107的打開關(guān)閉次數(shù)與第二晶體管108的打開關(guān)閉次數(shù)相等，因此，測試電容充電與放電的次數(shù)相等。
[0090]結(jié)合參考圖2，在本實施例中，根據(jù)控制單元102輸出的脈沖電壓，第一晶體管107、第二晶體管108的打開狀態(tài)、關(guān)閉狀態(tài)也呈周期性變化。
[0091]在本實施例中，所述測試鍵中的第一晶體管107為P型晶體管，第二晶體管108為N型晶體管。所述第一脈沖電壓包括交替進(jìn)行的第一高電平時間T1和第一低電平時間T2，在第一高電平時間T1內(nèi)，所述第一脈沖電壓保持在第一高電平，第一晶體管107關(guān)閉，在第一低電平時間內(nèi)，所述第一脈沖電壓保持在第一低電平，第一晶體管107打開。所述第二脈沖電壓包括交替進(jìn)行的第二高電平時間T3和第二低電平時間T4，在第二高電平時間T3內(nèi)，所述第二脈沖電壓保持在第二高電平，第二晶體管108打開，在第二低電平時間內(nèi)，所述第二脈沖電壓保持在第二低電平，第二晶體管108關(guān)閉。
[0092]如圖4所示，在本實施例中，所述第二高電平時間T3與所述第一高電平時間T1相交疊且第二高電平時間T3小于第一高電平時間T1，第一低電平時間T2與所述第二低電平時間T4相交疊且第一低電平時間T2小于所述第二低電平時間T4。
[0093]具體地，在第二高電平時間T3與所述第一高電平時間T1相交疊的時間內(nèi)，第一晶體管107處于關(guān)閉狀態(tài)，第二晶體管108處于打開狀態(tài)，測試電容放電；在第一低電平時間T2與所述第二低電平時間T4相交疊的時間內(nèi)，第一晶體管107處于打開狀態(tài)，第二晶體管108處于關(guān)閉狀態(tài)，測試電容充電。
[0094]在第一脈沖電壓進(jìn)入第一高電平時間T1之后，第二脈沖電壓保持在第二低電平時間T4達(dá)第一延遲時間T5，在第一延遲時間T5之后第二脈沖電壓再進(jìn)入第二高電平時間T3。
[0095]在第二脈沖電壓進(jìn)入第二低電平時間T4之后，第一脈沖電壓保持在第一高電平時間T1達(dá)第二延遲時間T6，在第二延遲時間T6之后第一脈沖電壓再進(jìn)入第一低電平時間T2。
[0096]第一延遲時間T5可以看作在測試電容的充電時間和放電時間之間的電荷保持時間，第二延遲時間T6可以看作在測試電容的放電時間和充電時間之間的空置時間。第一延遲時間T5的意義在于，在第一晶體管107關(guān)閉后第一延遲時間T5內(nèi)使測試電容完成充電之后，再打開第二晶體管108，使測試電容放電，避免測試電容沒有完成充電過程就進(jìn)入放電過程的情況。第二延遲時間T6的意義在于，在第二晶體管108關(guān)閉后第二延遲時間T6使測試電容中存儲的電荷清空，之后再進(jìn)行下一次充電。
[0097]但是本發(fā)明對此不做限制，在其他實施例中，在第一脈沖電壓進(jìn)入第一高電平時間T1之后，第二脈沖電壓可以立即進(jìn)入第二高電平時間T3，在第二脈沖電壓進(jìn)入第二低電平時間T4之后，第一脈沖電壓可以立即進(jìn)入第一低電平時間T2。
[0098]可選的，所述第一延遲時間T5的長度為第一高電平時間T1的十分之一，所述第二延遲時間T6的長度為第一高電平時間T1的十分之一。
[0099]需要說明的是，在本實施例中，由于將電流計113串聯(lián)在第一晶體管107源極和第二端子103之間，只有在測試電容充電的過程中，電流流過電流計113，在測試電容放電的過程中，電流不流過電流計113，因此電流計113測得的電流即單位時間內(nèi)充入測試電容的電荷量，測得的電流較為準(zhǔn)確。但是本發(fā)明對電流計113接入的位置不做限制，在其他實施例中，所述電流計113還可以串聯(lián)在第一晶體管107漏極與第一節(jié)點101之間。
[0100]本發(fā)明還提供一種測試鍵的測試方法，所述測試鍵的測試方法能夠?qū)Ρ景l(fā)明提供的測試鍵進(jìn)行測試，以獲得本發(fā)明測試鍵中測試電容的電容值。
[0101]繼續(xù)參考圖2，本發(fā)明測試鍵的測試方法大致包括:
[0102]至少進(jìn)行一次對測試電容充放電過程，在充放電過程中，測量經(jīng)第一節(jié)點流入SRAM單元陣列100的電流。
[0103]其中，每次對測試電容充放電過程包括:
[0104]打開第一晶體管107，關(guān)閉第二晶體管108，使第一節(jié)點101和第二節(jié)點102之間形成的測試電容充電。
[0105]打開第二晶體管107，關(guān)閉第一晶體管108，使所述測試電容放電。
[0106]具體地，第一晶體管107源極與工作電壓電源Vdd電連接，當(dāng)?shù)谝痪w管107打開，第二晶體管108關(guān)閉時，電流經(jīng)第一晶體管107、第一節(jié)點101流入SRAM單元陣列100，測試電容完成充電。
[0107]當(dāng)?shù)诙w管108打開，第一晶體管107關(guān)閉時，第一節(jié)點101與第二節(jié)點102電連接，電流經(jīng)第一節(jié)點101、第二晶體管108、第二節(jié)點102流入公共電壓電源Vss，測試電容完成放電。
[0108]在充放電過程中，測量經(jīng)第一節(jié)點101流入SRAM單元陣列100的電流。
[0109]在充放電過程之后，將經(jīng)第一節(jié)點101流入SRAM單元陣列100的電流值除以單位時間內(nèi)充放電的次數(shù)，得到每次充放電中充入測試電容的電荷量，根據(jù)第一節(jié)點101和第二節(jié)點102之間的電壓差以及每次充放電中充入測試電容的電荷量，得到測試電容的電容值。
[0110]實際應(yīng)用中，在單位時間內(nèi)，至少對測試電容進(jìn)行一次充放電過程，如果在單位時間內(nèi)只進(jìn)行一次充電過程，則經(jīng)第一節(jié)點101流入SRAM單元陣列100的電流I即行一次充電充入測試電容的電荷量Q，通過電容公式C = Q/U(U為第一節(jié)點101和第二節(jié)點102之間的電壓差)，能夠得到測試電容的電容值。還可以在單位時間內(nèi)對測試電容進(jìn)行M(M>1)次充放電過程，則以每次充電充入測試電容的電荷量Q = I/M，再通過電容公式C = Q/U能夠得到測試電容的電容值。
[0111]通過本發(fā)明測試鍵的測試方法，以測試電流的方法獲得測試電容的電容值，省去了現(xiàn)有技術(shù)中使用電橋電容測試儀并進(jìn)行校準(zhǔn)的繁瑣步驟，提高了測試速度。
[0112]在本實施例中，采用本發(fā)明提供的測試裝置進(jìn)行本發(fā)明測試方法。具體地，請繼續(xù)參考圖2。
[0113]在本實施例中，采用所述測試裝置中的電...