存儲(chǔ)器系統(tǒng)及操作該存儲(chǔ)器系統(tǒng)的方法
【專利摘要】提供一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)及操作該存儲(chǔ)器系統(tǒng)的方法。一種操作存儲(chǔ)器系統(tǒng)的方法包括：從主機(jī)接收與作為第一編程單位的一部分的第二編程單位對(duì)應(yīng)的信息數(shù)據(jù)和對(duì)于所述信息數(shù)據(jù)的寫入請(qǐng)求；通過(guò)對(duì)接收的信息數(shù)據(jù)執(zhí)行糾錯(cuò)碼(ECC)編碼來(lái)生成碼字，使得碼字的所有奇偶校驗(yàn)比特之中的與所述信息數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的部分奇偶校驗(yàn)比特被更新；向存儲(chǔ)器裝置提供生成的碼字和關(guān)于碼字的寫入命令。
【專利說(shuō)明】
存儲(chǔ)器系統(tǒng)及操作該存儲(chǔ)器系統(tǒng)的方法
[0001 ] 本申請(qǐng)要求于2015年1月23日提交到韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的第10-2015-0011293號(hào)韓 國(guó)專利申請(qǐng)的權(quán)益，所述韓國(guó)專利申請(qǐng)的公開通過(guò)引用全部包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002] 本公開設(shè)及一種半導(dǎo)體裝置，更具體地講，設(shè)及一種能夠執(zhí)行部分編程的存儲(chǔ)器 系統(tǒng)和操作該存儲(chǔ)器系統(tǒng)的方法。
【背景技術(shù)】
[0003] 根據(jù)對(duì)具有高容量和低功耗的存儲(chǔ)器裝置的需求，正在對(duì)非易失性的并且不需要 刷新的下一代存儲(chǔ)器裝置進(jìn)行研究。下一代存儲(chǔ)器裝置需要具有動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM)的高集成度特性、閃存的非易失性特性和靜態(tài)RAM(SRAM)的高速度特性。作為滿足上 述要求的下一代存儲(chǔ)器裝置，相變RAM(PRAM)、納米浮柵存儲(chǔ)器(NFGM)、聚合物RAM(I\)RAM)、 磁RAM(MRAM)、鐵電RAM巧eRAM)和電阻式RAM(RRAM)正備受關(guān)注。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 根據(jù)本公開的一方面，提供一種操作存儲(chǔ)器系統(tǒng)的方法，所述方法包括:從主機(jī)接 收與作為第一編程單位的一部分的第二編程單位對(duì)應(yīng)的信息數(shù)據(jù)和對(duì)于所述信息數(shù)據(jù)的 寫入請(qǐng)求;通過(guò)對(duì)接收的信息數(shù)據(jù)執(zhí)行糾錯(cuò)碼化CC)編碼來(lái)生成碼字，使得碼字的所有奇偶 校驗(yàn)比特之中的與所述信息數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的部分奇偶校驗(yàn)比特被更新；向存儲(chǔ)器裝置提供生成 的碼字和關(guān)于碼字的寫入命令。
[0005] 根據(jù)本公開的另一方面，提供一種操作存儲(chǔ)器系統(tǒng)的方法，所述方法包括:從主機(jī) 接收與作為第一編程單位的一部分的第二編程單位對(duì)應(yīng)的信息數(shù)據(jù)和對(duì)于所述信息數(shù)據(jù) 的寫入請(qǐng)求；通過(guò)使用奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣對(duì)接收的信息數(shù)據(jù)執(zhí)行低密度奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證 化DPC)編碼來(lái)生成碼字；向存儲(chǔ)器裝置提供生成的碼字和關(guān)于碼字的寫入命令。奇偶校驗(yàn) 驗(yàn)證矩陣包括被劃分為至少第一數(shù)據(jù)集至第Ξ?dāng)?shù)據(jù)集的數(shù)據(jù)區(qū)域和被劃分為至少第一奇 偶校驗(yàn)集和第二奇偶校驗(yàn)集的奇偶校驗(yàn)區(qū)域。當(dāng)所述信息數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)于第一數(shù)據(jù)集時(shí)，僅與 第一奇偶校驗(yàn)集對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特被更新，當(dāng)所述信息數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)于第二數(shù)據(jù)集時(shí)，僅與 第二奇偶校驗(yàn)集對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特被更新。
[0006] 根據(jù)本公開的另一方面，提供一種操作存儲(chǔ)器系統(tǒng)的方法，所述方法包括:從主機(jī) 接收與作為第一編程單位的一部分的第二編程單位對(duì)應(yīng)的信息數(shù)據(jù)和對(duì)于所述信息數(shù)據(jù) 的寫入請(qǐng)求；通過(guò)使用奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣對(duì)接收的信息數(shù)據(jù)執(zhí)行低密度奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證 (LDPC)編碼來(lái)生成碼字，使得碼字的所有奇偶校驗(yàn)比特之中的與所述信息數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的部分 奇偶校驗(yàn)比特被更新；向存儲(chǔ)器裝置提供生成的碼字和關(guān)于碼字的寫入命令;將包括在碼 字中的所述信息數(shù)據(jù)和更新的部分奇偶校驗(yàn)比特寫入包括在存儲(chǔ)器裝置中的存儲(chǔ)器單元 陣列。
[0007] 根據(jù)本公開的另一方面，提供一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)，包括:存儲(chǔ)器裝置，包括存儲(chǔ)器單 元陣列；存儲(chǔ)器控制器，被配置為通過(guò)對(duì)與作為第一編程單位的一部分的第二編程單位對(duì) 應(yīng)的信息數(shù)據(jù)執(zhí)行糾錯(cuò)碼化CC)編碼來(lái)生成碼字，使得碼字的所有奇偶校驗(yàn)比特之中的與 所述信息數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的部分奇偶校驗(yàn)比特被更新，并向存儲(chǔ)器裝置提供生成的碼字和關(guān)于碼 字的寫入命令。
[0008] 根據(jù)本公開的另一方面，提供一種由存儲(chǔ)器控制器執(zhí)行的操作存儲(chǔ)器系統(tǒng)的方 法。所述方法包括:生成包括第一信息數(shù)據(jù)和第二信息數(shù)據(jù)W及第一奇偶校驗(yàn)數(shù)據(jù)和第二 奇偶校驗(yàn)數(shù)據(jù)的第一碼字;將第一碼字編程到非易失性存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元;從作為第二信 息數(shù)據(jù)的修改的第Ξ信息數(shù)據(jù)生成第Ξ奇偶校驗(yàn)數(shù)據(jù);在將第Ξ奇偶校驗(yàn)數(shù)據(jù)編程到非易 失性存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)第二奇偶校驗(yàn)數(shù)據(jù)的一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)單元時(shí)，將第Ξ信息數(shù)據(jù)編程到 非易失性存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)第二信息數(shù)據(jù)的一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)單元，而不將值編程到非易失性 存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)第一奇偶校驗(yàn)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)單元。
【附圖說(shuō)明】
[0009] 從W下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，將更清楚地理解本公開的示例性實(shí)施例，在附圖中：
[0010] 圖1是根據(jù)示例性實(shí)施例的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的框圖；
[0011] 圖2是示出包括在圖1的存儲(chǔ)器系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器裝置的詳細(xì)框圖；
[0012] 圖3是圖2的存儲(chǔ)器單元陣列的示例的電路圖；
[0013] 圖4A至圖4C是圖3的存儲(chǔ)器單元的示例的變型的電路圖；
[0014] 圖5是示出包括在圖1的存儲(chǔ)器系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器控制器的詳細(xì)框圖；
[0015] 圖6A和圖6B是用于解釋根據(jù)示例性實(shí)施例的部分編程操作的示圖；
[0016] 圖7示出根據(jù)示例性實(shí)施例的糾錯(cuò)碼化CC)編碼操作和ECC解碼操作；
[0017] 圖8A至圖8C是用于解釋通過(guò)使用用于部分編程操作的一般生成器矩陣來(lái)生成碼 字的操作的示圖；
[0018] 圖9示出低密度奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證(LDPC)碼的奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣的示例；
[0019] 圖10A和圖10B示出根據(jù)示例性實(shí)施例的奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣的示例；
[0020] 圖11A至圖11C是用于解釋根據(jù)示例性實(shí)施例的通過(guò)使用用于部分編程操作的奇 偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣來(lái)生成碼字的操作的示圖；
[0021] 圖12A和圖12B示出根據(jù)示例性實(shí)施例的部分編程操作被執(zhí)行的存儲(chǔ)器單元陣列 的部分區(qū)域的示例；
[0022] 圖13至圖16示出根據(jù)示例性實(shí)施例的奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣的其它示例；
[0023] 圖17是根據(jù)示例性實(shí)施例的包括在圖1的存儲(chǔ)器控制器中的ECC處理單元的另一 示例的框圖；
[0024] 圖18示出根據(jù)示例性實(shí)施例的在圖17的ECC處理單元中使用的ECC結(jié)構(gòu)的示例；
[0025] 圖19示出根據(jù)示例性實(shí)施例的使用圖18的ECC結(jié)構(gòu)的部分編程操作的示例；
[0026] 圖20是根據(jù)示例性實(shí)施例的計(jì)算系統(tǒng)的框圖；
[0027] 圖21是根據(jù)示例性實(shí)施例的操作存儲(chǔ)器系統(tǒng)的方法的流程圖；
[0028] 圖22是根據(jù)另一示例性實(shí)施例的操作存儲(chǔ)器系統(tǒng)的方法的流程圖；
[0029] 圖23是根據(jù)另一示例性實(shí)施例的操作存儲(chǔ)器系統(tǒng)的方法的流程圖；
[0030] 圖24是根據(jù)示例性實(shí)施例存儲(chǔ)器系統(tǒng)被應(yīng)用于存儲(chǔ)卡系統(tǒng)的示例的框圖；
[0031] 圖25是根據(jù)示例性實(shí)施例的包括存儲(chǔ)器系統(tǒng)的計(jì)算系統(tǒng)被應(yīng)用于存儲(chǔ)卡系統(tǒng)的 框圖；
[0032] 圖26是根據(jù)示例性實(shí)施例的存儲(chǔ)器系統(tǒng)被應(yīng)用于固態(tài)硬盤(SSD)系統(tǒng)的示例的框 圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033] 現(xiàn)在將參照附圖更充分地描述本公開，在附圖中示出了本公開的示例性實(shí)施例。 然而，本公開可許多不同的形式來(lái)實(shí)施，并且不應(yīng)被解釋為受限于運(yùn)里闡述的示例性 實(shí)施例；而是，提供運(yùn)些示例性實(shí)施例，使得本公開將是徹底的和完整的，并將本公開的構(gòu) 思充分傳達(dá)給本領(lǐng)域普通技術(shù)人員。將理解，不脫離本公開的精神和技術(shù)范圍的所有修改、 等同物或替代物包括在本公開內(nèi)。附圖中的相同標(biāo)號(hào)表示相同的元件。在附圖中，為了清晰 起見(jiàn)，可夸大層和區(qū)域的厚度。
[0034] 說(shuō)明書中使用的術(shù)語(yǔ)僅用于描述特定示例性實(shí)施例，而不意圖限制本公開。除非 在上下文中明確具有不同含義，否則使用單數(shù)形式的表述包括復(fù)數(shù)表述。在本說(shuō)明書中，將 理解，諸如"包含"、"具有"或"包括"的術(shù)語(yǔ)意圖指示存在說(shuō)明書中公開的特征、數(shù)量、步驟、 動(dòng)作、組件、部件或它們的組合，但是不意圖排除可存在或可添加一個(gè)或多個(gè)其它特征、數(shù) 量、步驟、動(dòng)作、組件、部件或它們的組合的可能性。
[0035] 將理解，盡管可使用術(shù)語(yǔ)"第一"、"第二"等來(lái)描述各種組件，但運(yùn)些組件不受運(yùn)些 術(shù)語(yǔ)的限制。運(yùn)些術(shù)語(yǔ)僅用于在各元件之間進(jìn)行區(qū)分。例如第一組件可被稱為第二組件，類 似地，第二組件可被稱為第一組件。
[0036] 除非另有定義，否則運(yùn)里使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)術(shù)語(yǔ)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有與本公 開所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的含義相同的含義。還將理解，除非在本公開中明確 定義，否則諸如在常用詞典中定義的運(yùn)些術(shù)語(yǔ)應(yīng)被解釋為具有與【背景技術(shù)】的上下文的含義 一致的含義，并將不被理解為理想化的或過(guò)于形式化的意義。如運(yùn)里使用的，術(shù)語(yǔ)"和/或" 包括相關(guān)列出項(xiàng)目的一個(gè)或更多個(gè)的任意和全部組合。當(dāng)諸如"……中的至少一個(gè)"的表達(dá) 位于一列元件之后時(shí)，所述表達(dá)修飾整列元件而不修飾所述列中的單個(gè)元件。
[0037] 圖1是根據(jù)示例性實(shí)施例的存儲(chǔ)器系統(tǒng)10的框圖。
[0038] 參照?qǐng)D1，存儲(chǔ)器系統(tǒng)10可包括存儲(chǔ)器裝置100和存儲(chǔ)器控制器200。存儲(chǔ)器裝置 100可包括存儲(chǔ)器單元陣列110和控制邏輯130。存儲(chǔ)器控制器200可包括部分編程管理單元 210和糾錯(cuò)碼化CC)處理單元230。
[0039] 響應(yīng)于來(lái)自主機(jī)的寫入/讀取請(qǐng)求，存儲(chǔ)器控制器200可控制存儲(chǔ)器裝置100使得 存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器裝置100中數(shù)據(jù)被讀取或者數(shù)據(jù)被寫入存儲(chǔ)器裝置100中。詳細(xì)地講，存儲(chǔ)器 控制器200可向存儲(chǔ)器裝置100提供地址A孤R、命令CMD和控制信號(hào)CT化，從而可控制對(duì)存儲(chǔ) 器裝置100的編程(或?qū)懭?操作、讀取操作和擦除操作。將被寫入的數(shù)據(jù)DATA和讀取數(shù)據(jù) DATA可在存儲(chǔ)器控制器200與存儲(chǔ)器裝置100之間被發(fā)送或接收。
[0040] 存儲(chǔ)器單元陣列110可包括分別設(shè)置在多條第一信號(hào)線與多條第二信號(hào)線彼此交 叉的區(qū)域中的多個(gè)存儲(chǔ)器單元(未示出）。根據(jù)示例性實(shí)施例，第一信號(hào)線可W是字線，第二 信號(hào)線可W是位線。根據(jù)另一示例性實(shí)施例，第一信號(hào)線可W是位線，第二信號(hào)線可W是字 線。W上描述的包括存儲(chǔ)器單元陣列110的存儲(chǔ)器裝置100可被稱為交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器裝置。
[0041] 根據(jù)本示例性實(shí)施例，多個(gè)存儲(chǔ)單元可包括具有可變電阻器裝置(未示出）的電阻 式存儲(chǔ)單元。例如，當(dāng)由相變材料(例如，Ge-Sb-Te)形成的可變電阻器裝置的電阻根據(jù)溫度 而變化時(shí)，存儲(chǔ)器裝置100可W是相變RAM(PRAM)。作為另一示例，當(dāng)可變電阻器裝置由上電 極、下電極W及位于上電極和下電極之間的過(guò)渡金屬氧化物(復(fù)合金屬氧化物)形成時(shí)，存 儲(chǔ)器裝置100可W是電阻式RAM(RRAM)。作為另一示例，當(dāng)可變電阻器裝置由磁性材料的上 電極、磁性材料的下電極W及位于上電極與下電極之間的電介質(zhì)形成時(shí)，存儲(chǔ)器裝置100可 W是磁性RAM(MRAM)。因此，存儲(chǔ)器裝置100可被稱為電阻式存儲(chǔ)器裝置，存儲(chǔ)器系統(tǒng)10可被 稱為電阻式存儲(chǔ)器系統(tǒng)。
[0042] 根據(jù)示例性實(shí)施例，每個(gè)存儲(chǔ)器單元可W是存儲(chǔ)一比特?cái)?shù)據(jù)的單層單元(SLC)，并 且存儲(chǔ)器單元可根據(jù)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)而具有兩種電阻分布。根據(jù)另一示例性實(shí)施例，每個(gè)存儲(chǔ) 器單元可W是存儲(chǔ)兩比特?cái)?shù)據(jù)的多層單元(MLC)，并且存儲(chǔ)器單元可根據(jù)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)具有 四種電阻分布。根據(jù)另一示例性實(shí)施例，每個(gè)存儲(chǔ)器單元可W是存儲(chǔ)Ξ比特?cái)?shù)據(jù)的Ξ層單 元(TLC)，并且存儲(chǔ)器單元可根據(jù)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)具有八種電阻分布。然而，本公開不限于此，根 據(jù)另一示例性實(shí)施例，存儲(chǔ)器單元陣列110可包括化C和MLC或化C。
[0043] 控制邏輯130可在總體上控制存儲(chǔ)器裝置100中的操作。在本示例性實(shí)施例中，控 制邏輯130可控制施加到連接到存儲(chǔ)器裝置100的第一信號(hào)線和第二信號(hào)線的電壓的電平 或電壓被施加的時(shí)序。電壓可包括施加到被選擇的第一信號(hào)線和第二信號(hào)線的操作電壓W 及施加到未被選擇的第一信號(hào)線和第二信號(hào)線的禁止電壓。
[0044] 部分編程管理單元210可從主機(jī)HOST接收部分寫入請(qǐng)求，并可響應(yīng)于接收的部分 寫入請(qǐng)求而控制對(duì)存儲(chǔ)器裝置100的部分編程操作。在本示例性實(shí)施例中，部分編程管理單 元210可從主機(jī)冊(cè)ST接收與作為第一編程單位的一部分的第二編程單位對(duì)應(yīng)的信息數(shù)據(jù)和 針對(duì)該信息數(shù)據(jù)的部分寫入請(qǐng)求。在下文中，與作為第一編程單位的一部分的第二編程單 位對(duì)應(yīng)的信息數(shù)據(jù)被稱為部分信息數(shù)據(jù)。
[0045] 在本示例性實(shí)施例中，第二編程單位可W是比第一編程單位小的任意單元。在示 例性實(shí)施例中，第一編程單位可W是頁(yè)單位，并可與存儲(chǔ)器單元陣列110中的通常連接到相 同信號(hào)線(例如，字線）的存儲(chǔ)器單元的大小對(duì)應(yīng)。在示例性實(shí)施例中，第二編程單位可W是 字節(jié)單位。在另一示例性實(shí)施例中，第二編程單位可W是扇區(qū)單位。
[0046] ECC處理單元230可對(duì)寫入數(shù)據(jù)DATA執(zhí)行ECC編碼并對(duì)讀取數(shù)據(jù)DATA執(zhí)行ECC解碼。 更詳細(xì)地講，ECC處理單元230可在寫入操作期間對(duì)從主機(jī)HOST接收的信息數(shù)據(jù)執(zhí)行ECC編 碼，從而生成碼字并將該碼字提供給存儲(chǔ)器裝置IOOdECC處理單元230可在讀取操作期間對(duì) 從存儲(chǔ)器裝置100接收的讀取數(shù)據(jù)DATA(即，碼字)執(zhí)行ECC解碼，從而生成信息數(shù)據(jù)并將該 信息數(shù)據(jù)提供給主機(jī)冊(cè)ST。在運(yùn)點(diǎn)上，碼字的大小可對(duì)應(yīng)于第一編程單元。
[0047] NAND閃存裝置可基于頁(yè)單位執(zhí)行寫入操作和讀取操作。更詳細(xì)地講，可對(duì)包括在 NAND閃存裝置中的存儲(chǔ)器單元陣列中的通常連接到單條字線的存儲(chǔ)器單元同時(shí)執(zhí)行寫入 操作和讀取操作。因此，NAND閃存裝置可基于比頁(yè)單位小的單元，不執(zhí)行寫入操作和讀取操 作（即，部分編程操作和部分讀取操作）。
[0048] 同時(shí)，在本示例性實(shí)施例中，存儲(chǔ)器裝置100可W是電阻式存儲(chǔ)器裝置。在運(yùn)種情 況下，可基于比頁(yè)單位小的單位執(zhí)行寫入操作和讀取操作。如上所述，當(dāng)對(duì)支持部分編程操 作和部分讀取操作的電阻式存儲(chǔ)器裝置執(zhí)行在NAND閃存裝置中使用的ECC編碼時(shí)，盡管是 部分寫入操作，碼字的所有奇偶校驗(yàn)被更新。因此，當(dāng)部分寫入操作被頻繁執(zhí)行時(shí)，在存儲(chǔ) 器單元陣列110中，奇偶校驗(yàn)區(qū)域的單元磨損(wear out)的速度可比數(shù)據(jù)區(qū)域的單元磨損 的速度快得多。因此，需要對(duì)存儲(chǔ)器裝置10執(zhí)行磨損均化或降低奇偶校驗(yàn)區(qū)域的單元磨損 的速度的方法。
[0049] 根據(jù)本示例性實(shí)施例，ECC處理單元230可運(yùn)樣的方式生成碼字，即，碼字的全 部奇偶校驗(yàn)比特之中的與從主機(jī)冊(cè)ST接收的信息數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的部分奇偶校驗(yàn)比特可被更新。 因此，當(dāng)從主機(jī)冊(cè)ST接收到部分寫入請(qǐng)求時(shí)，ECC處理單元230可運(yùn)樣的方式生成碼字， 良P，僅整個(gè)碼字中的部分信息數(shù)據(jù)和與部分信息數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特可被更新。同時(shí)， 當(dāng)從主機(jī)冊(cè)ST接收到整個(gè)寫入請(qǐng)求時(shí)，ECC處理單元230可W W運(yùn)樣的方式生成碼字，即，僅 整個(gè)碼字之中的整個(gè)信息數(shù)據(jù)和與整個(gè)信息數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的全部奇偶校驗(yàn)比特可被更新。
[0050] 在本示例性實(shí)施例中，ECC處理單元230可執(zhí)行ECC編碼和ECC解碼。然而，在另一示 例性實(shí)施例中，ECC處理單元230可通過(guò)使用諸如里德所羅口（RS)碼、漢明碼、循環(huán)冗余碼 (CRC)等的算法來(lái)執(zhí)行ECC編碼和ECC解碼。
[0051] 在本示例性實(shí)施例中，ECC處理單元230可通過(guò)使用包括被劃分為多個(gè)數(shù)據(jù)集的數(shù) 據(jù)區(qū)域和被劃分為多個(gè)奇偶校驗(yàn)集的奇偶校驗(yàn)區(qū)域的奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣來(lái)生成碼字。在運(yùn) 點(diǎn)上，數(shù)據(jù)集的數(shù)量可大于奇偶校驗(yàn)集的數(shù)量。因此，當(dāng)針對(duì)與多個(gè)數(shù)據(jù)集中的一個(gè)數(shù)據(jù)集 對(duì)應(yīng)的信息數(shù)據(jù)的部分寫入請(qǐng)求被接收時(shí)，ECC處理單元230可運(yùn)樣的方式生成碼字， 良P，可通過(guò)使用奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣來(lái)更新所有奇偶校驗(yàn)比特之中的部分奇偶校驗(yàn)比特。
[0052] 在本示例性實(shí)施例中，奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣的數(shù)據(jù)區(qū)域可被劃分為化+1)個(gè)數(shù)據(jù)集， 奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣的奇偶校驗(yàn)區(qū)域可W是L個(gè)數(shù)據(jù)集，L為等于或大于2的整數(shù)。當(dāng)數(shù)據(jù)大小 為化k特，且碼字的大小為化k特時(shí)，奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣的大小為(N-K)XN。在運(yùn)點(diǎn)上，數(shù)據(jù) 區(qū)域的大小為(N-K) XK，奇偶校驗(yàn)區(qū)域的大小為(N-K) X (N-K)。
[0053] 在本示例性實(shí)施例中，（L+1)個(gè)數(shù)據(jù)集中的第一數(shù)據(jù)集可包括至少一個(gè)第一零矩 陣，L個(gè)奇偶校驗(yàn)集中的第一奇偶校驗(yàn)集可包括與至少一個(gè)第一零矩陣被布置的至少一行 對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)第二零矩陣。因此，當(dāng)針對(duì)與第一數(shù)據(jù)集對(duì)應(yīng)的信息數(shù)據(jù)的部分寫入請(qǐng)求 被接收時(shí)，ECC處理單元230可生成所有奇偶校驗(yàn)比特中的僅與第一奇偶校驗(yàn)集對(duì)應(yīng)的奇偶 校驗(yàn)比特被更新的碼字。之后將參照?qǐng)D5至圖19描述ECC處理單元230的詳細(xì)操作。
[0054] 雖然未示出，但是存儲(chǔ)器控制器200可包括隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、處理器、主機(jī)接 口和存儲(chǔ)器接口。RAM可用作處理器的工作存儲(chǔ)器，處理器可控制存儲(chǔ)器控制器200的操作。 主機(jī)接口可包括用于在主機(jī)冊(cè)ST與存儲(chǔ)器控制器200之間交換數(shù)據(jù)的協(xié)議。例如，存儲(chǔ)器控 制器200可經(jīng)由諸如通用串行總線化SB)、多媒體卡(MMC)、高速外圍組件互連(PCI-E)、高級(jí) 技術(shù)附件(ΑΤΑ)、串行ΑΤΑ、并行ΑΤΑ、小型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)接口（SCSI)、高級(jí)小裝置接口化SDI)和 集成驅(qū)動(dòng)電子裝置（IDE)的各種接口協(xié)議中的至少一種接口協(xié)議來(lái)與外部主機(jī)通信。W下 將參照?qǐng)D5詳細(xì)描述存儲(chǔ)器控制器200。
[0055] 存儲(chǔ)器控制器200和存儲(chǔ)器裝置100可集成在一個(gè)半導(dǎo)體裝置中。例如，存儲(chǔ)器控 制器200和存儲(chǔ)器裝置100可集成在半導(dǎo)體裝置中并因此可構(gòu)成存儲(chǔ)卡。例如，存儲(chǔ)器控制 器200和存儲(chǔ)器裝置100可集成在半導(dǎo)體裝置中并因此可構(gòu)成PC卡(PCMCIA卡）、緊湊型閃存 卡（CF卡）、智能媒體卡（SM/SMC)、記憶棒、多媒體卡(MMC、RS-MMC或MMCmi cro)、SD卡（SD、迷 你 SD或微型SD)或通用閃存(UFS)。作為另一示例，存儲(chǔ)器控制器200和存儲(chǔ)器裝置100可集 成在半導(dǎo)體裝置中并因此可構(gòu)成固態(tài)盤/驅(qū)動(dòng)器(SSD)。
[0056] 圖2是示出包括在圖1的存儲(chǔ)器系統(tǒng)10中的存儲(chǔ)器裝置100的詳細(xì)框圖。
[0057] 參照?qǐng)D2,存儲(chǔ)器裝置100可包括存儲(chǔ)器單元陣列110、寫入/讀取電路120、控制邏 輯130、參考信號(hào)生成單元140、電力生成單元150、行解碼器160W及列解碼器170。寫入/讀 取電路120可包括感測(cè)放大器121和寫入驅(qū)動(dòng)器122。在下文中，將詳細(xì)描述包括在存儲(chǔ)器裝 置100中的元件。
[00曰引包括在存儲(chǔ)器單元陣列110中的存儲(chǔ)器單元可連接到多條第一信號(hào)線和多條第二 信號(hào)線。根據(jù)示例性實(shí)施例，第一信號(hào)線可W是字線WL，第二信號(hào)線可W是位線化。由于經(jīng) 由字線WL和位線化來(lái)提供各種電壓信號(hào)或電流信號(hào)，因此可向被選擇的存儲(chǔ)器單元寫入數(shù) 據(jù)或者可從被選擇的存儲(chǔ)器單元讀取數(shù)據(jù)，并且可防止向未被選擇的存儲(chǔ)器單元寫入數(shù)據(jù) 或者防止從未被選擇的存儲(chǔ)器單元讀取數(shù)據(jù)。
[0059] 同時(shí)，可通過(guò)伴隨命令CMD接收用于指示將被存取的存儲(chǔ)器單元的地址A孤R。地址 A孤R可包括用于選擇存儲(chǔ)器單元陣列110的字線WL的行地址X_AroR和用于選擇存儲(chǔ)器單元 陣列110的位線化的列地址Y_A孤R。被提供給存儲(chǔ)器裝置100的地址ADDR可與對(duì)應(yīng)于來(lái)自主 機(jī)的邏輯地址(LA)而在存儲(chǔ)器系統(tǒng)10中轉(zhuǎn)換的物理地址(PA)對(duì)應(yīng)。行解碼器160可響應(yīng)于 行地址X_ADDR而執(zhí)行字線選擇操作，列解碼器170可響應(yīng)于列地址￥_4003而執(zhí)行位線選擇 操作。
[0060] 寫入/讀取電路120可連接到存儲(chǔ)器單元陣列100的第一信號(hào)線和/或第二信號(hào)線， W向存儲(chǔ)器單元寫入數(shù)據(jù)或從存儲(chǔ)器單元讀取數(shù)據(jù)(寫入/讀取電路120連接到圖2中的位 線化）。根據(jù)示例性實(shí)施例，電力生成單元150可生成在寫入操作中使用的寫入電壓Vwrite 和在讀取操作中使用的讀取電壓化ead。寫入電壓Vwrite可包括設(shè)置電壓和重置電壓作為 與寫入操作相關(guān)的各種電壓。寫入電壓Vwrite和讀取電壓化ead可經(jīng)由列解碼器170被提供 給位線化或經(jīng)由行解碼器160被提供給字線WL。
[0061] 同時(shí)，參考信號(hào)生成單元140可生成參考電壓化ef和參考電流Iref作為與數(shù)據(jù)讀 取操作相關(guān)的各種參考信號(hào)。例如，感測(cè)放大器121可連接到位線化的節(jié)點(diǎn)（例如，感測(cè)節(jié) 點(diǎn)）W感測(cè)數(shù)據(jù)?？赏ㄟ^(guò)將感測(cè)節(jié)點(diǎn)的電壓與參考電壓Vref進(jìn)行比較的操作來(lái)確定數(shù)據(jù)值。 可選擇地，當(dāng)使用電流感測(cè)方法時(shí)，參考信號(hào)生成單元140可生成參考電流Iref并將參考電 流Iref提供給存儲(chǔ)器單元陣列110?？赏ㄟ^(guò)將由參考電流Iref引起的感測(cè)節(jié)點(diǎn)的電壓與參 考電壓化ef進(jìn)行比較的操作來(lái)確定數(shù)據(jù)值。
[0062] 寫入/讀取電路120可將通過(guò)/失敗信號(hào)P/F作為確定讀取數(shù)據(jù)的結(jié)果而提供給控 制邏輯130。控制邏輯130可基于通過(guò)/失敗信號(hào)P/F來(lái)控制存儲(chǔ)器單元陣列110的寫入操作 和讀取操作。
[0063] 控制邏輯130可響應(yīng)于從存儲(chǔ)器控制器200接收到的命令CMD、地址ADDR和控制信 號(hào)CT化，輸出向存儲(chǔ)器單元陣列110寫入數(shù)據(jù)或從存儲(chǔ)器單元陣列110讀取數(shù)據(jù)的各種控制 信號(hào)CTRL_RW。因此，控制邏輯130可總體上控制在存儲(chǔ)器裝置100中執(zhí)行的各種操作。
[0064] 參照?qǐng)D1和圖2,存儲(chǔ)器控制器200可提供寫入命令并寫入數(shù)據(jù)W對(duì)存儲(chǔ)器裝置100 執(zhí)行部分寫入操作。在本示例性實(shí)施例中，寫入數(shù)據(jù)可W是僅部分信息數(shù)據(jù)和與部分信息 數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特被更新的碼字?？刂七壿?30可響應(yīng)于接收的寫入命令，控制寫 入/讀取電路120對(duì)存儲(chǔ)器單元陣列110執(zhí)行預(yù)讀取操作。之后，控制邏輯130可將預(yù)讀取數(shù) 據(jù)與寫入數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，w僅對(duì)預(yù)讀取數(shù)據(jù)與寫入數(shù)據(jù)彼此不同的單元執(zhí)行寫入操作。
[0065] 在寫入數(shù)據(jù)，即，碼字中，僅部分信息數(shù)據(jù)和與部分信息數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特 被更新，因此預(yù)讀取數(shù)據(jù)與寫入數(shù)據(jù)可針對(duì)更新的比特而彼此不同。同時(shí)，在寫入數(shù)據(jù)，即， 碼字中，剩余的部分信息數(shù)據(jù)和與剩余的奇偶校驗(yàn)比特沒(méi)有被更新，因此針對(duì)沒(méi)有被更新 的比特預(yù)讀取數(shù)據(jù)與寫入數(shù)據(jù)可相同。因此，根據(jù)本示例性實(shí)施例，可僅對(duì)與部分信息數(shù)據(jù) 和與部分信息數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特對(duì)應(yīng)的單元執(zhí)行寫入操作，因此雖然頻繁地執(zhí)行部 分寫入操作，但是可降低奇偶校驗(yàn)區(qū)域的單元的磨損速度。
[0066] 圖3是圖2的存儲(chǔ)器單元陣列110的電路圖的示例。存儲(chǔ)器單元陣列110可包括多個(gè) 單元塊。圖3可示出單個(gè)單元塊BLK。
[0067] 參照?qǐng)D3,存儲(chǔ)器單元陣列110可包括多條字線WL0至WLn、多條位線化0至BLm和多 個(gè)存儲(chǔ)器單元MC。在運(yùn)點(diǎn)上，可根據(jù)示例性實(shí)施例W各種方式改變字線WL、位線化和存儲(chǔ)器 單元MC的數(shù)量。連接到相同字線的存儲(chǔ)器單元可被定義為頁(yè)單元。
[0068] 根據(jù)本示例性實(shí)施例，多個(gè)存儲(chǔ)器單元MC中的每個(gè)可包括可變電阻器R和選擇裝 置D。在運(yùn)點(diǎn)上，可變電阻器R可被稱為可變電阻器裝置或可變電阻材料，選擇裝置D可被稱 為開關(guān)裝置。
[0069] 在示例性實(shí)施例中，可變電阻器R可連接在多條位線化0至BLm中的一條位線與選 擇裝置D之間，選擇裝置D可連接在可變電阻器R與多條字線WL0至WLn中的一條字線之間。然 而，本公開的示例性實(shí)施例不限于此，選擇裝置D可連接在多條位線BL0至BLm中的一條位線 與可變電阻器R之間，可變電阻器R可連接在選擇裝置D與多條字線WL0至WLn中的一條字線 之間。
[0070] 可變電阻器R可通過(guò)被施加的電脈沖而被改變?yōu)槎鄠€(gè)電阻狀態(tài)之一。在示例性實(shí) 施例中，可變電阻器R可包括結(jié)晶態(tài)(C巧Sta 1 State)根據(jù)電流量而改變的相變材料。相變 材料可使用各種類型的材料，諸如兩種原子的混合物GaSb、InSb、InSe、Sb2Te3和GeTe、Ξ種 原子的混合物 6656了6、6曰56了6、11156了6、511562了64和1115666及四種原子的4旨11156了6、（66511) SbTe、Ge訊（SeTe)、TesiGei日訊2S2等。
[0071] 運(yùn)種相變材料可具有電阻相對(duì)高的非晶態(tài)和電阻相對(duì)低的結(jié)晶態(tài)。相變材料的相 位可根據(jù)基于電流量生成的焦耳熱而改變。運(yùn)種相變可用于寫入數(shù)據(jù)。
[0072] 同時(shí)，在另一示例性實(shí)施例中，可變電阻器R可不包括非相變材料，而包括巧鐵礦 化合物、過(guò)渡金屬氧化物、磁材料、鐵磁材料或反鐵磁。
[0073] 選擇裝置D可連接在多條字線WL0至WLn中的任何一條字線與可變電阻器R之間，并 可根據(jù)施加到連接的字線和位線的電壓而控制向可變電阻器R的電流供應(yīng)。在示例性實(shí)施 例中，選擇裝置D可W是具有可連接到可變電阻器R的陽(yáng)極和可連接到字線WL0至WLn種的一 條字線的陰極的PN結(jié)二極管或PIN結(jié)二極管。在運(yùn)點(diǎn)上，如果陽(yáng)極與陰極之間的電壓差大于 闊值電壓，貝化N結(jié)二極管或PIN結(jié)二極管可導(dǎo)通W向可變電阻器R供應(yīng)電流。
[0074] 圖4A至圖4C是圖3的存儲(chǔ)器單元MC的變型的電路圖。
[0075] 參照?qǐng)D4A，存儲(chǔ)器單元MCa可包括可連接在位線化與字線WL之間的可變電阻器Ra。 存儲(chǔ)器單元MCa可通過(guò)施加到位線化和字線WL的電壓而存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
[0076] 參照?qǐng)D4B，存儲(chǔ)器單元MCb可包括可變電阻器肺和雙向二極管化?？勺冸娮杵鞣慰?包括用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的電阻材料。雙向二極管化可連接到可變電阻器Rb和位線化?？勺冸娮?器Rb可連接到字線WL和雙向二極管化。雙向二極管化和可變電阻器Rb的位置可改變。可阻 止漏電流通過(guò)雙向二極管化流入未被選擇的電阻器單元。
[0077] 參照?qǐng)D4C，存儲(chǔ)器單元MCc可包括可變電阻器Rc和晶體管TR。晶體管TR可W是選擇 裝置（即，開關(guān)裝置），W根據(jù)字線WL的電壓向可變電阻器Rc供應(yīng)電流或阻止電流流入可變 電阻器Rc中。在圖4C中，除了字線WL之外，還可設(shè)置源極線化W調(diào)整可變電阻器Rc的兩端的 電壓電平。晶體管TR可連接在可變電阻器Rc與位線化之間?？勺冸娮杵鱎c可連接在源極線 化與晶體管TR之間。晶體管TR和可變電阻器Rc的位置可相互改變。存儲(chǔ)器單元MCc可根據(jù)被 字線WL驅(qū)動(dòng)的晶體管TR是導(dǎo)通還是截至而被選擇或不被選擇。
[0078] 圖5是示出包括在圖1的存儲(chǔ)器系統(tǒng)10中的存儲(chǔ)器控制器200的詳細(xì)框圖。
[00巧]參照?qǐng)D5,存儲(chǔ)器控制器200可包括部分編程管理單元210、處理器220、ECC處理單 元230、RAM 240、主機(jī)接口 250和存儲(chǔ)器接口 260 dECC處理單元230可包括ECC編碼器231和 ECC解碼器232。
[0080] 處理器220可包括中央處理器或微處理器，并可控制存儲(chǔ)器控制器200的總體操 作。更詳細(xì)地講，處理器220可被配置為驅(qū)動(dòng)用于控制存儲(chǔ)器控制器200的固件?？赏ㄟ^(guò)將固 件載入RAM 240中來(lái)驅(qū)動(dòng)固件。RAM 240可用作處理器220的工作存儲(chǔ)器、高速緩沖存儲(chǔ)器或 緩沖存儲(chǔ)器。
[0081] 主機(jī)接口 250與主機(jī)進(jìn)行接口連接W從主機(jī)接收對(duì)于存儲(chǔ)操作的請(qǐng)求。例如，主機(jī) 接口 250從主機(jī)接收諸如數(shù)據(jù)讀取操作和數(shù)據(jù)寫入操作的各種請(qǐng)求，并響應(yīng)于接收的各種 請(qǐng)求而生成用于對(duì)存儲(chǔ)器裝置200的存儲(chǔ)操作的各種內(nèi)部信號(hào)。例如，存儲(chǔ)器控制器200可 被配置為通過(guò)各種接口協(xié)議（諸如，高級(jí)技術(shù)附件(ΑΤΑ )、串行ΑΤΑ(SATA )、外部SATA (e- SATA)、小型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)接口（SCSI)、串行附接SCSI (SAS)外圍組件互連（PCI)、PCI高速 (PCI-E)、IE邸1394、通用串行總線化SB)、安全數(shù)字(SD)卡、多媒體卡(MMC)、嵌入式多媒體 卡(eMMC )、緊湊式閃速(C巧卡接口等）中的至少一種接口協(xié)議與主機(jī)通信。
[0082] 存儲(chǔ)器接口 260可提供存儲(chǔ)器控制器200與存儲(chǔ)器裝置100之間的接口。例如，可通 過(guò)存儲(chǔ)器接口 260將寫入數(shù)據(jù)發(fā)送到存儲(chǔ)器裝置100或從存儲(chǔ)器裝置100接收讀取數(shù)據(jù)。存 儲(chǔ)接口 260可將命令和地址提供給存儲(chǔ)器裝置100,從存儲(chǔ)器裝置100接收各種信息，并將各 種信息提供給存儲(chǔ)器控制器200的內(nèi)部組件。
[0083] 部分編程管理單元210可響應(yīng)于從主機(jī)接收的部分寫入請(qǐng)求而控制對(duì)存儲(chǔ)器裝置 100的部分編程操作。雖然在本示例性實(shí)施例中部分編程管理單元210被示出為單獨(dú)的功能 塊，但是部分編程管理單元210可被存儲(chǔ)在RAM 240中并由處理器220驅(qū)動(dòng)。
[0084] 圖6A和圖6B是用于解釋根據(jù)示例性實(shí)施例的部分編程操作的示圖。在下文中，下 面將參照?qǐng)D5、圖6A和圖6B詳細(xì)描述存儲(chǔ)器控制器200的操作。
[0085] 參照?qǐng)D6A，在示例性實(shí)施例中，與第一編程單位對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)m的長(zhǎng)度可W是化k特， 主機(jī)可提供對(duì)部分信息數(shù)據(jù)(例如，第一信息數(shù)據(jù)Ml)的部分寫入請(qǐng)求，其中，所述部分信息 數(shù)據(jù)與對(duì)應(yīng)于作為第一編程單位的一部分的第二編程單位的K/e比特對(duì)應(yīng)。因此，存儲(chǔ)器控 制器200可僅從主機(jī)接收第一信息數(shù)據(jù)Ml，并可不接收剩余信息數(shù)據(jù)，即，第二信息數(shù)據(jù)M2 和第Ξ信息數(shù)據(jù)M3。
[0086] 在本示例性實(shí)施例中，部分編程管理單元210可從主機(jī)接收第一信息數(shù)據(jù)Ml，并可 控制執(zhí)行對(duì)第一信息數(shù)據(jù)Ml的部分寫入操作。在示例性實(shí)施例中，當(dāng)?shù)诙畔?shù)據(jù)M2和第 Ξ信息數(shù)據(jù)M3被存儲(chǔ)在RAM 240中時(shí)，部分編程管理單元210可從RAM 240加載第二信息數(shù) 據(jù)M2和第Ξ信息數(shù)據(jù)M3并將其提供到ECC編碼器231。在另一示例性實(shí)施例中，當(dāng)?shù)诙畔?數(shù)據(jù)M2和第Ξ信息數(shù)據(jù)M3沒(méi)有被存儲(chǔ)在RAM 240中時(shí)，部分編程管理單元210可從存儲(chǔ)器裝 置讀取第二信息數(shù)據(jù)M2和第Ξ信息數(shù)據(jù)M3,并將第二信息數(shù)據(jù)M2和第Ξ信息數(shù)據(jù)M3提供給 ECC編碼器231。
[0087] ECC編碼器231可通過(guò)使用奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣對(duì)從主機(jī)接收的信息數(shù)據(jù)進(jìn)行低密 度奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證(LDPC)編碼，來(lái)生成碼字。在本示例性實(shí)施例中，ECC編碼器231可通過(guò)執(zhí)行 系統(tǒng)ECC(systematic ECC)編碼來(lái)生成包括第一信息數(shù)據(jù)至第Ξ信息數(shù)據(jù)Ml、M2和M3及奇 偶校驗(yàn)比特的碼字。然而，本公開不限于此。在另一示例性實(shí)施例中，ECC編碼器231可生成 包括關(guān)于第一信息數(shù)據(jù)至第Ξ信息數(shù)據(jù)M1、M2和M3的編碼比特和奇偶校驗(yàn)比特的碼字。
[008引例如，當(dāng)從主機(jī)接收到對(duì)于第一信息數(shù)據(jù)Ml的寫入請(qǐng)求時(shí)，ECC編碼器231可 運(yùn)樣的方式生成碼字，即，包括在碼字中的所有奇偶校驗(yàn)比特之中的與第一信息數(shù)據(jù)Ml對(duì) 應(yīng)的部分奇偶校驗(yàn)比特可被更新。因此，ECC編碼器231可運(yùn)種方式生成碼字，即，與第 二信息數(shù)據(jù)M2和第Ξ信息數(shù)據(jù)M3對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特可不被更新。因此，存儲(chǔ)器裝置可僅 對(duì)與第一信息數(shù)據(jù)Ml和與第一信息數(shù)據(jù)Ml對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特對(duì)應(yīng)的單元執(zhí)行寫入操作， 并可不對(duì)與第二信息數(shù)據(jù)M2和第Ξ信息數(shù)據(jù)M3W及與第二信息數(shù)據(jù)M2和第Ξ信息數(shù)據(jù)M3 對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特對(duì)應(yīng)的單元執(zhí)行寫入操作。
[0089] 參照?qǐng)D6B，存儲(chǔ)器單元陳列110可包括可包含多個(gè)頁(yè)P(yáng)AGE的存儲(chǔ)塊BLK。在示例性 實(shí)施例中，每個(gè)頁(yè)P(yáng)AGE可被劃分為η個(gè)扇區(qū)SEC1至SE化。
[0090] 根據(jù)示例性實(shí)施例，與第一信息數(shù)據(jù)Ml和與第一信息數(shù)據(jù)Ml對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特 對(duì)應(yīng)的單元可對(duì)應(yīng)于第一扇區(qū)SEC1，與第二信息數(shù)據(jù)M2和第Ξ信息數(shù)據(jù)M3W及與第二信息 數(shù)據(jù)M2和第Ξ信息數(shù)據(jù)M3對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特對(duì)應(yīng)的單元可對(duì)應(yīng)于第二扇區(qū)SEC2至第η扇 區(qū)SECn。在運(yùn)種情況下，在一個(gè)頁(yè)P(yáng)AGE中，可對(duì)第一扇區(qū)SEC1執(zhí)行寫入操作或重寫操作，并 可不對(duì)第二扇區(qū)SEC2至第η扇區(qū)SE化執(zhí)行寫入操作或重寫操作。因此，當(dāng)對(duì)電阻式存儲(chǔ)器裝 置執(zhí)行了部分編程操作時(shí)，可降低包括在存儲(chǔ)器單元的奇偶校驗(yàn)區(qū)域中的單元的磨損速 度。
[0091] 同時(shí)，ECC解碼器232可通過(guò)使用奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣的LDPC解碼，來(lái)檢測(cè)和糾正來(lái) 自從存儲(chǔ)器裝置接收的讀取數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤比特。作為示例，ECC解碼器232可通過(guò)將在對(duì)數(shù)據(jù) 進(jìn)行編程時(shí)生成和存儲(chǔ)的奇偶校驗(yàn)比特與在讀取數(shù)據(jù)時(shí)生成的奇偶校驗(yàn)比特進(jìn)行比較，來(lái) 檢測(cè)錯(cuò)誤比特，并通過(guò)對(duì)檢測(cè)的錯(cuò)誤比特執(zhí)行預(yù)定邏輯運(yùn)算(例如，異或(X0R))來(lái)糾正錯(cuò)誤 比特。
[0092] 圖7示出根據(jù)示例性實(shí)施例的ECC編碼操作和ECC解碼操作。
[0093] 參照?qǐng)D7,如果從主機(jī)接收到數(shù)據(jù)和寫入請(qǐng)求，則由ECC編碼器231對(duì)接收的數(shù)據(jù)進(jìn) 行編碼。在本示例性實(shí)施例中，ECC編碼器231可使用奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣來(lái)對(duì)輸入數(shù)據(jù)執(zhí)行 LDPC編碼并生成碼字。碼字可作為寫入數(shù)據(jù)WD而被編程到存儲(chǔ)器裝置100中。在運(yùn)點(diǎn)上，寫 入數(shù)據(jù)WD可包括用于解碼的奇偶校驗(yàn)比特。
[0094] 同時(shí)，如果從主機(jī)接收到讀取請(qǐng)求，則存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器裝置100中的數(shù)據(jù)作為讀取數(shù) 據(jù)RD而被讀取。在運(yùn)點(diǎn)上，讀取數(shù)據(jù)RD可包括因各種原因發(fā)生的錯(cuò)誤E。例如，錯(cuò)誤E可因在 寫入數(shù)據(jù)WD被編程時(shí)的故障或在寫入數(shù)據(jù)WD被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器裝置100時(shí)的數(shù)據(jù)損失而發(fā) 生?？蛇x擇地，錯(cuò)誤E可因在讀取讀取數(shù)據(jù)RD的操作期間的故障而發(fā)生。
[00M] ECC解碼器232可使用奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣來(lái)對(duì)讀取數(shù)據(jù)RD執(zhí)行LDPC解碼W去除錯(cuò) 誤E。在運(yùn)點(diǎn)上，奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣可與ECC編碼器231所使用的奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣相同。由 ECC解碼器232執(zhí)行的解碼的結(jié)果可作為解碼數(shù)據(jù)化化'而被輸出。
[0096] 圖8A至圖8C是用于解釋通過(guò)使用用于部分編程操作的一般生成器矩陣G生成碼字 的操作的示圖。
[0097] 參照?qǐng)D8A至8C，當(dāng)數(shù)據(jù)m的大小為化k特，且碼字C的大小為化k特時(shí)，生成器矩陣G 的大小被確定為KXN。生成器矩陣G可被劃分為具有大小為KXK的單位矩陣和具有大小為K X(N-K)的奇偶校驗(yàn)矩陣，因此碼字C可具有數(shù)據(jù)m被保持為原樣的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)（systematic structure)。如果化k特的數(shù)據(jù)行向量被表示為2,化k特的碼字行向量被表示為則數(shù)據(jù)行 向量與碼字行向量自之間的關(guān)系被表示為W下的等式1。
[009引[等式1]
[0099] c=mG
[0100] ^:^示例性實(shí)施例中，數(shù)據(jù)m可對(duì)應(yīng)于第一編程單位，主機(jī)可請(qǐng)求針對(duì)與作為第一 編程單位的一部分的第二編程單位對(duì)應(yīng)的部分信息數(shù)據(jù)(例如，第一信息數(shù)據(jù)Ml、第二信息 數(shù)據(jù)M2或第Ξ信息數(shù)據(jù)M3)的部分寫入操作。
[0101] 圖8A示出在從主機(jī)接收到對(duì)于第一信息數(shù)據(jù)Ml的部分寫入請(qǐng)求時(shí)的碼字生成操 作。例如，第一信息數(shù)據(jù)Ml可W是K/3比特。在通過(guò)數(shù)據(jù)m和生成器矩陣G的算術(shù)運(yùn)算而生成 的碼字C中，與第一信息數(shù)據(jù)Ml對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)比特C1和奇偶校驗(yàn)比特C4和巧兩者可被更新，與 第二信息數(shù)據(jù)M2和第Ξ信息數(shù)據(jù)M3對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)比特C2和C3可不被更新。
[0102] 圖8B示出在從主機(jī)接收到對(duì)于第二信息數(shù)據(jù)M2的部分寫入請(qǐng)求時(shí)的碼字生成操 作。例如，第二信息數(shù)據(jù)M2可W是K/3比特。在通過(guò)數(shù)據(jù)m和生成器矩陣G的算術(shù)運(yùn)算而生成 的碼字C中，與第二信息數(shù)據(jù)M2對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)比特C2和奇偶校驗(yàn)比特C4和巧兩者可被更新，與 第一信息數(shù)據(jù)Ml和第Ξ信息數(shù)據(jù)M3對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)比特C1和C3可不被更新。
[0103] 圖8C示出在從主機(jī)接收到對(duì)第Ξ信息數(shù)據(jù)M3的部分寫入請(qǐng)求時(shí)的碼字生成操作。 例如，第Ξ信息數(shù)據(jù)M3可W是K/3比特。在通過(guò)數(shù)據(jù)m和生成器矩陣G的算術(shù)運(yùn)算而生成的碼 字C中，與第Ξ信息數(shù)據(jù)M3對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)比特C3和奇偶校驗(yàn)比特C4和巧兩者可被更新，與第一 信息數(shù)據(jù)Ml和第二信息數(shù)據(jù)M2對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)比特C1和C2可不被更新。
[0104] 如上所述，當(dāng)一般生成器矩陣G被用于生成碼字C時(shí)，盡管對(duì)存儲(chǔ)器裝置進(jìn)行部分 編程操作，但是所有奇偶校驗(yàn)比特總是被更新。因此，對(duì)包括在奇偶校驗(yàn)區(qū)域中的單元的寫 入操作的數(shù)量比對(duì)包括在存儲(chǔ)器單元陣列中的數(shù)據(jù)區(qū)域中的單元的寫入操作的數(shù)量大得 多。因此，包括在奇偶校驗(yàn)區(qū)域中的單元的磨損速度增加。
[0105] 圖9示出LDPC碼的奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣Η的示例。
[0106] 參照?qǐng)D9,奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣Η可按行和列被布置，并可被劃分為數(shù)據(jù)區(qū)域DR和奇 偶校驗(yàn)區(qū)域PR。當(dāng)數(shù)據(jù)m的大小為化k特，且碼字C的大小為化k特時(shí)，奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣Η可 具有(Ν-Κ)ΧΝ的大小并可具有0或1作為元素。在圖9的示例中，奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣Η的大小 為3X7。如果化k特的碼字行向量被表示為谷，則奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣Η與碼字行向量谷之間的 關(guān)系被表示為下面的等式2。
[0107] [等式 2]
[01 ο 引 Η谷=0
[0109] 0為具有(Ν-Κ)作為長(zhǎng)度，僅0作為元素的零向量。
[0110] 同時(shí)，奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣Η與一般生成器矩陣G之間的關(guān)系被表示為下面的等式3。 [01川[等式3]
[0112] 6護(hù)=0
[0113] 護(hù)為奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣Η的轉(zhuǎn)置矩陣，自為僅具有0作為元素的零向量?？赏ㄟ^(guò)使用 W上等式3從奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣的十算一般生成器矩陣G。
[0114] 當(dāng)一般生成器矩陣G包括如W上圖8Α至圖8C所示的單位矩陣時(shí)，奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩 陣Η與一般生成器矩陣G之間的關(guān)系被表示為下面的等式4。
[011引[等式4]
[0116]
[0117] Ik為與數(shù)據(jù)m的大小k對(duì)應(yīng)的單位矩陣，Ρ為奇偶校驗(yàn)矩陣。
[0118] 圖10A示出根據(jù)示例性實(shí)施例的奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣哺勺示例。
[0119] 參照?qǐng)D10A，當(dāng)數(shù)據(jù)m的大小為化k特，且碼字C的大小為化k特時(shí)，奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩 陣Η的大小為(N-K) XN，數(shù)據(jù)區(qū)域DR的大小為(N-K) X化），奇偶校驗(yàn)區(qū)域PR的大小為(N-K) X (Ν-Κ)。奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣Η可包括數(shù)據(jù)區(qū)域DR和奇偶校驗(yàn)區(qū)域PR。數(shù)據(jù)區(qū)域DR可被劃分 為A個(gè)數(shù)據(jù)集。奇偶校驗(yàn)區(qū)域PR可被劃分為Β個(gè)奇偶校驗(yàn)集。A和Β為等于或大于2的整數(shù)。A大 于B。
[0120] 在本示例性實(shí)施例中，A可對(duì)應(yīng)于B+1，B個(gè)數(shù)據(jù)集可分別對(duì)應(yīng)于B個(gè)奇偶校驗(yàn)集。更 詳細(xì)地，當(dāng)接收到對(duì)于與B個(gè)數(shù)據(jù)集中的一個(gè)數(shù)據(jù)集對(duì)應(yīng)的信息數(shù)據(jù)的部分寫入請(qǐng)求時(shí)，可 僅更新與B個(gè)奇偶校驗(yàn)集中的一個(gè)奇偶校驗(yàn)集對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特。在運(yùn)點(diǎn)上，當(dāng)接收到對(duì) 于與剩余的一個(gè)數(shù)據(jù)集對(duì)應(yīng)的信息數(shù)據(jù)的部分寫入請(qǐng)求時(shí)，可更新所有奇偶校驗(yàn)比特。
[0121] 然而，本公開不限于此?？筛鶕?jù)實(shí)施例按各種方式選擇A和B。更詳細(xì)地，A可被確定 為與第二編程單位或其乘積對(duì)應(yīng)。B可被選擇為等于或大于2的任意整數(shù)。在下文中，將在下 面詳細(xì)描述A為3且B為2的實(shí)施例。
[0122] 在本示例性實(shí)施例中，奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣Η可被劃分為5個(gè)集。更詳細(xì)地講，數(shù)據(jù)區(qū) 域DR可被劃分為第一數(shù)據(jù)集至第Ξ?dāng)?shù)據(jù)集DSUDS2和DS3,奇偶校驗(yàn)區(qū)域PR可被劃分為第一 奇偶校驗(yàn)集PS1和第二奇偶校驗(yàn)集PS2。第一數(shù)據(jù)集DS1的列大小為di。第二數(shù)據(jù)集DS2的列 大小為d2。第Ξ?dāng)?shù)據(jù)集DS3的列大小為d3。山、d2和d3之和可對(duì)應(yīng)于K(即，di+d2+d3 = K)。同時(shí)， 第一奇偶校驗(yàn)集PS1的列大小為P1。第二奇偶校驗(yàn)集PS2的列大小為ρ2<φ?和P2之和可對(duì)應(yīng)于 (Ν-Κ)(即，ρι+Ρ2 = Ν-Κ)。
[0123] 在本示例性實(shí)施例中，包括在第一數(shù)據(jù)集DS1中所包含的di列中的元素可不受限 審IJ。因此，可通過(guò)使用生成用于普通LDPC編碼的奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣的方法來(lái)生成包括在第 一數(shù)據(jù)集DS1中的元素。
[0124] 同時(shí)，在本示例性實(shí)施例中，在包括在第二數(shù)據(jù)集DS2中的cb列中，包括在下面的P2 行中的元素總是為0;在包括在第Ξ?dāng)?shù)據(jù)集DS3中的d3列中，包括在上面的P1行中的元素總是 為0。同樣，在包括在第一奇偶校驗(yàn)集PS1中的P1列中，包括在下面的P2行中的元素總是為0， 在包括在第二奇偶校驗(yàn)集PS2中的P2列中，包括在上面的P1行中的元素總是為0。
[0125]如上所述，根據(jù)本示例性實(shí)施例，奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣Η可被劃分為多個(gè)子塊或子矩 陣出至曲W及多個(gè)零塊或零矩陣0。在運(yùn)點(diǎn)上，子矩陣出至曲可包括除了 0之外的元素，而零 矩陣無(wú)條件地僅包括0元素。因此，子矩陣化至也可被稱為非零矩陣。
[01%]在本示例性實(shí)施例中，第一數(shù)據(jù)集DS1可包括第一子矩陣出，第二數(shù)據(jù)集DS2可包 括第二子矩陣出和零矩陣0，第Ξ?dāng)?shù)據(jù)集DS3可包括零矩陣0和第Ξ子矩陣出。第一奇偶校驗(yàn) 集PS1可包括第四子矩陣出和零矩陣0，第，二奇偶校驗(yàn)集PS2可包括零矩陣0和第五子矩陣 也。
[0127] 在本示例性實(shí)施例中，由于包括在第一奇偶校驗(yàn)集PS1的下面的Ρ2行的元素總是 為0,因此當(dāng)存在對(duì)于與第Ξ?dāng)?shù)據(jù)集DS3對(duì)應(yīng)的部分信息數(shù)據(jù)的部分寫入請(qǐng)求時(shí)，與第一奇 偶校驗(yàn)集PS1對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特不被更新。同樣，由于包括在第二奇偶校驗(yàn)集PS2的上面 的Ρ1行的元素總是為0，因此當(dāng)存在對(duì)于與第二數(shù)據(jù)集DS2對(duì)應(yīng)的部分信息數(shù)據(jù)的部分寫入 請(qǐng)求時(shí)，與第二奇偶校驗(yàn)集PS2對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特不被更新。
[0128] 然而，本公開不限于此。在另一示例性實(shí)施例中，第二數(shù)據(jù)集DS2和第Ξ?dāng)?shù)據(jù)集DS3 可包括兩個(gè)或更多個(gè)子矩陣或者兩個(gè)或更多個(gè)零矩陣。同樣，第一奇偶校驗(yàn)集PS1和第二奇 偶校驗(yàn)集PS2可包括兩個(gè)或更多個(gè)子矩陣或者兩個(gè)或更多個(gè)零矩陣。在運(yùn)種情況下，沿行方 向包括在第二數(shù)據(jù)集DS2中的兩個(gè)或更多個(gè)子矩陣或者兩個(gè)或更多個(gè)零矩陣的位置可與沿 行方向包括在第一奇偶校驗(yàn)集PS1中的兩個(gè)或更多個(gè)子矩陣或者兩個(gè)或更多個(gè)零矩陣的位 置對(duì)應(yīng)。同樣，沿行方向包括在第Ξ?dāng)?shù)據(jù)集DS3中的兩個(gè)或更多個(gè)子矩陣或者兩個(gè)或更多個(gè) 零矩陣的位置可與沿行方向包括在第二奇偶校驗(yàn)集PS2中的兩個(gè)或更多個(gè)子矩陣或者兩個(gè) 或更多個(gè)零矩陣的位置對(duì)應(yīng)。
[0129] 圖10Β示出根據(jù)示例性實(shí)施例的奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣Η'的另一示例。
[0130] 參照?qǐng)D10Β，當(dāng)數(shù)據(jù)m的大小為化k特，且碼字C的大小為化k特時(shí)，奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩 陣H'的大小為(N-K) XN，數(shù)據(jù)區(qū)域DR的大小為(N-K) X化），奇偶校驗(yàn)區(qū)域PR的大小為(N-K) X (N-K)。奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣H'可包括數(shù)據(jù)區(qū)域DR和奇偶校驗(yàn)區(qū)域PR。數(shù)據(jù)區(qū)域DR可被劃分 為A個(gè)數(shù)據(jù)集。奇偶校驗(yàn)區(qū)域PR可被劃分為B個(gè)奇偶校驗(yàn)集。A和B為等于或大于2的整數(shù)。A大 于B。
[0131] 在本示例性實(shí)施例中，A可對(duì)應(yīng)于2B+1，2B個(gè)數(shù)據(jù)集可分別對(duì)應(yīng)于B個(gè)奇偶校驗(yàn)集。 更詳細(xì)地講，當(dāng)接收到對(duì)于與2B個(gè)數(shù)據(jù)集中的一個(gè)數(shù)據(jù)集對(duì)應(yīng)的信息數(shù)據(jù)的部分寫入請(qǐng)求 時(shí)，可僅更新與B個(gè)奇偶校驗(yàn)集中的一個(gè)奇偶校驗(yàn)集對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特。在運(yùn)點(diǎn)上，當(dāng)接 收到對(duì)于與剩余的一個(gè)數(shù)據(jù)集對(duì)應(yīng)的信息數(shù)據(jù)的部分寫入請(qǐng)求時(shí)，可更新所有奇偶校驗(yàn)比 特。
[0132] 然而，本公開不限于此?？筛鶕?jù)實(shí)施例按各種方式選擇A和B。更詳細(xì)地，A可被確定 為與第二編程單位或其倍數(shù)對(duì)應(yīng)。B可被選擇為等于或大于2的任意整數(shù)。在下文中，將在下 面詳細(xì)描述A為5且B為2的實(shí)施例。
[0133] 在本示例性實(shí)施例中，奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣H'可被劃分為7個(gè)集。更詳細(xì)地講，數(shù)據(jù) 區(qū)域DR可被劃分為第一數(shù)據(jù)集DS1至第五數(shù)據(jù)集DS5,奇偶校驗(yàn)區(qū)域可被劃分為第一奇偶 校驗(yàn)集PS1和第二奇偶校驗(yàn)集PS2。第一數(shù)據(jù)集DS1的列大小為di。第二數(shù)據(jù)集DS2的列大小 為cb。第Ξ?dāng)?shù)據(jù)集DS3的列大小為d3。第四數(shù)據(jù)集DS4的列大小為cU。第五數(shù)據(jù)集DS5的列大小 為d日。山、d2、d3、cU和d日之和可對(duì)應(yīng)于K(即，di+d2+d3+d4+d日=Κ)。同時(shí)，第一奇偶校驗(yàn)集PS1的 列大小為pi。第二奇偶校驗(yàn)集PS2的列大小為Ρ2<Φ1和P2之和可對(duì)應(yīng)于（N-K)(即，P1+P2 = N- Κ)〇
[0134]在本示例性實(shí)施例中，包括在第一數(shù)據(jù)集DSl中所包含的di列中的元素可不受限 審IJ。因此，可通過(guò)使用生成用于普通LDPC編碼的奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣H'的方法來(lái)生成包括在 第一數(shù)據(jù)集DS1中的元素。
[01對(duì)同時(shí)，在本示例性實(shí)施例中，在包括在第二數(shù)據(jù)集DS2中的cb列中，包括在下面的P2 行中的元素總是為0;在包括在第Ξ?dāng)?shù)據(jù)集DS3中的d3列中，包括在下面的P2行中的元素總是 為0;在包括在第四數(shù)據(jù)集DS4中的cU列中，包括在上面的P1行中的元素總是為0;在包括在第 五數(shù)據(jù)集DS5中的ds列中，包括在上面的P1行中的元素總是為0。同樣，在包括在第一奇偶校 驗(yàn)集PS1中的P1列中，包括在下面的P2行中的元素總是為0;在包括在第二奇偶校驗(yàn)集PS2中 的P2列中，包括在上面的P1行中的元素總是為0。
[0136] 如上所述，根據(jù)本示例性實(shí)施例，奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣H'可被劃分為多個(gè)子塊或子 矩陣出至出W及多個(gè)零塊或零矩陣0。在運(yùn)點(diǎn)上，出至出可包括除了 0之外的元素，而零矩陣 僅包括0元素。因此，子矩陣化至出可被稱為非零矩陣。
[0137] 在本示例性實(shí)施例中，第一數(shù)據(jù)集DS1可包括第一子矩陣出，第二數(shù)據(jù)集DS2可包 括第二子矩陣出和零矩陣0,第Ξ?dāng)?shù)據(jù)集DS3可包括第Ξ子矩陣出和零矩陣0,第四數(shù)據(jù)集DS4 可包括零矩陣0和第四子矩陣出，第五數(shù)據(jù)集DS5可包括零矩陣0和第五子矩陣曲。第一奇偶 校驗(yàn)集PS1可包括第六子矩陣化和零矩陣0,第二奇偶校驗(yàn)集PS2可包括零矩陣0和第屯子矩 陣出。
[0138] 在本示例性實(shí)施例中，由于包括在第一奇偶校驗(yàn)集PS1的下面的P2行的元素總是 為0,因此當(dāng)存在對(duì)于與第四數(shù)據(jù)集DS4或第五數(shù)據(jù)集DS5對(duì)應(yīng)的部分信息數(shù)據(jù)的部分寫入 請(qǐng)求時(shí)，與第一奇偶校驗(yàn)集PS1對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特不被更新。同樣，由于包括在第二奇偶 校驗(yàn)集PS2的上面的P1行的元素總是為0,因此當(dāng)存在對(duì)于與第二數(shù)據(jù)集DS2或第Ξ?dāng)?shù)據(jù)集 DS3對(duì)應(yīng)的部分信息數(shù)據(jù)的部分寫入請(qǐng)求時(shí)，與第二奇偶校驗(yàn)集PS2對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特不 被更新。
[0139] 然而，本公開不限于此。在另一示例性實(shí)施例中，可各種方式改變沿列方向的 第一數(shù)據(jù)集DS1至第五數(shù)據(jù)集DS5的位置。例如，沿列方向的第Ξ?dāng)?shù)據(jù)集DS3和第四數(shù)據(jù)集 DS4的位置可被改變。對(duì)于另一示例，沿列方向的第Ξ?dāng)?shù)據(jù)集DS3和第五數(shù)據(jù)集DS5的位置可 被改變。
[0140] 然而，本公開不限于此。在另一示例性實(shí)施例中，第二數(shù)據(jù)集DS2至第五數(shù)據(jù)集DS5 可包括兩個(gè)或更多個(gè)子矩陣或者兩個(gè)或更多個(gè)零矩陣。同樣，第一奇偶校驗(yàn)集PS1和第二奇 偶校驗(yàn)集PS2可包括兩個(gè)或更多個(gè)子矩陣或者兩個(gè)或更多個(gè)零矩陣。在運(yùn)種情況下，沿行方 向包括在第二數(shù)據(jù)集DS2或第Ξ?dāng)?shù)據(jù)集DS3中的兩個(gè)或更多個(gè)子矩陣或者兩個(gè)或更多個(gè)零 矩陣的位置可與沿行方向包括在第一奇偶校驗(yàn)集PS1中的兩個(gè)或更多個(gè)子矩陣或者兩個(gè)或 更多個(gè)零矩陣的位置對(duì)應(yīng)。同樣，沿行方向包括在第四數(shù)據(jù)集DS4或第五數(shù)據(jù)集DS5中的兩 個(gè)或更多個(gè)子矩陣或者兩個(gè)或更多個(gè)零矩陣的位置可與沿行方向包括在第二奇偶校驗(yàn)集 PS2中的兩個(gè)或更多個(gè)子矩陣或者兩個(gè)或更多個(gè)零矩陣的位置對(duì)應(yīng)。
[0141] 圖11A至圖11C是用于解釋根據(jù)示例性實(shí)施例的通過(guò)使用用于部分編程操作的奇 偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣Η生成碼字的操作的示圖。
[0142] 參照?qǐng)DllA至圖lie,當(dāng)數(shù)據(jù)m的大小為化k特，且碼字c的大小為化k特時(shí)，奇偶校驗(yàn) 驗(yàn)證矩陣Η的大小被確定為(N-K) XN。在本示例性實(shí)施例中，數(shù)據(jù)m可被劃分為與第一編程 單位對(duì)應(yīng)的至少Ξ條部分信息數(shù)據(jù)（即，第一信息數(shù)據(jù)至第Ξ信息數(shù)據(jù)M1、M2和M3)。換言 之，第一信息數(shù)據(jù)至第Ξ信息數(shù)據(jù)M1、M2和M3是與第二編程單位或其倍數(shù)對(duì)應(yīng)的部分信息 數(shù)據(jù)。例如，第一信息數(shù)據(jù)Ml的大小可W是di比特。第二信息數(shù)據(jù)M2的大小可W是cb比特。第 Ξ信息數(shù)據(jù)M3的大小可W是d3比特。
[0143] 圖11A示出在從主機(jī)接收到對(duì)于第一信息數(shù)據(jù)Ml的部分寫入請(qǐng)求時(shí)的碼字生成操 作。在運(yùn)點(diǎn)上，可由圖5的ECC編碼器231執(zhí)行碼字生成操作。奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣Η中的與第一 信息數(shù)據(jù)Ml對(duì)應(yīng)的區(qū)域是包括第一子矩陣化的第一數(shù)據(jù)集DS1。
[0144] 由于第一子矩陣出可包括除了 0之外的元素，因此當(dāng)奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣Η被用于生 成碼字C時(shí)，與第一奇偶校驗(yàn)集PS1和第二奇偶校驗(yàn)集PS2對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特C4和巧可被 更新。因此，在通過(guò)奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣Η生成的碼字C中，與第一信息數(shù)據(jù)Ml對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)比特 C1W及奇偶校驗(yàn)比特C4和巧可被更新，與第二信息數(shù)據(jù)M2和第Ξ信息數(shù)據(jù)M3對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)比 特C2和C3可不被更新。
[0145] 在實(shí)施例中，可通過(guò)數(shù)據(jù)m和奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣Η的算術(shù)運(yùn)算來(lái)生成碼字C。在另一 實(shí)施例中，可從奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣Η獲得一般生成器矩陣G，可通過(guò)數(shù)據(jù)m和一般生成器矩陣 G的算術(shù)運(yùn)算來(lái)生成碼字C。更詳細(xì)地講，可通過(guò)使用如W上等式3或等式4所示的一般生成 器矩陣G和奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣Η之間的關(guān)系從奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣Η獲得一般生成器矩陣G。當(dāng) 奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣Η的大小為(Ν-Κ)ΧΝ時(shí)，由于一般生成器矩陣G的大小為ΚΧΝ，因此可通 過(guò)數(shù)據(jù)m和一般生成器矩陣G的算術(shù)運(yùn)算來(lái)生成具有大小為1ΧΝ的碼字C。
[0146] 圖11B示出在從主機(jī)接收到對(duì)于第二信息數(shù)據(jù)M2的部分寫入請(qǐng)求時(shí)的碼字生成操 作。在運(yùn)點(diǎn)上，可由圖5的ECC編碼器231執(zhí)行碼字生成操作。奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣Η中的與第二 信息數(shù)據(jù)M2對(duì)應(yīng)的區(qū)域是包括第二子矩陣出和零矩陣0的第二數(shù)據(jù)集DS2。
[0147] 由于第二子矩陣此可包括除了 0之外的元素，因此當(dāng)奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣Η被用于生 成碼字C時(shí)，僅與第一奇偶校驗(yàn)集PS1對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特C4可被更新。因此，在通過(guò)奇偶校 驗(yàn)驗(yàn)證矩陣Η生成的碼字C中，與第二信息數(shù)據(jù)M2對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)比特C2W及與第一奇偶校驗(yàn)集 PS1對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特C4可被更新，與第一信息數(shù)據(jù)Ml和第Ξ信息數(shù)據(jù)M3對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)比 特C1和C3W及與第二奇偶校驗(yàn)集PS2對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特巧可不被更新。
[0148] 圖lie示出在從主機(jī)接收到對(duì)于第Ξ信息數(shù)據(jù)M3的部分寫入請(qǐng)求時(shí)的碼字生成操 作。在運(yùn)點(diǎn)上，可由圖5的ECC編碼器231執(zhí)行碼字生成操作。奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣Η中的與第Ξ 信息數(shù)據(jù)M3對(duì)應(yīng)的區(qū)域是包括零矩陣0和第Ξ子矩陣出的第Ξ?dāng)?shù)據(jù)集DS3。
[0149] 由于第Ξ子矩陣曲可包括除了 0之外的元素，因此當(dāng)奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣Η被用于生 成碼字C時(shí)，僅與第二奇偶校驗(yàn)集PS2對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特巧可被更新。因此，在通過(guò)奇偶校 驗(yàn)驗(yàn)證矩陣Η生成的碼字C中，與第Ξ信息數(shù)據(jù)M3對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)比特C3W及與第二奇偶校驗(yàn)集 PS2對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特巧可被更新，與第一信息數(shù)據(jù)Ml和第二信息數(shù)據(jù)M2對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)比 特C1和C2W及與第一奇偶校驗(yàn)集PS1對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特C4可不被更新。
[0150] 如上所述，根據(jù)本示例性實(shí)施例，第二數(shù)據(jù)集DS2和第一奇偶校驗(yàn)集PS1可包括與 相同行對(duì)應(yīng)的零矩陣0,第Ξ?dāng)?shù)據(jù)集DS3和第二奇偶校驗(yàn)集PS2可包括與奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣Η 中的相同行對(duì)應(yīng)的零矩陣0。因此，相比于通過(guò)使用參照?qǐng)D8Α至圖8C描述的一般生成器矩陣 G來(lái)生成奇偶校驗(yàn)比特的情況，可減小碼字的所有奇偶校驗(yàn)比特之中的更新的奇偶校驗(yàn)比 特。因此，當(dāng)對(duì)存儲(chǔ)器裝置執(zhí)行部分寫入操作時(shí)，可減少在存儲(chǔ)器單元陣列的奇偶校驗(yàn)區(qū)域 中執(zhí)行寫入操作的單元的數(shù)量，從而降低奇偶校驗(yàn)區(qū)域的單元的磨損速度。
[0151] 圖12A和圖12B示出根據(jù)示例性實(shí)施例的部分編程操作被執(zhí)行的存儲(chǔ)器單元陣列 的部分區(qū)域的示例。
[0152] 參照?qǐng)D12A，當(dāng)如圖11A的實(shí)施例對(duì)第一信息數(shù)據(jù)Ml執(zhí)行部分寫入操作時(shí)，可對(duì)包 括在單個(gè)頁(yè)P(yáng)AGE的數(shù)據(jù)區(qū)域DATA的部分區(qū)域(例如，第一扇區(qū)SEC1)和奇偶校驗(yàn)區(qū)域PARITY 的全部區(qū)域中的單元執(zhí)行寫入操作。
[0153] 參照?qǐng)D12B，當(dāng)如圖11B的實(shí)施例對(duì)第二信息數(shù)據(jù)M2執(zhí)行部分寫入操作或如圖11C 的實(shí)施例對(duì)第Ξ信息數(shù)據(jù)M3執(zhí)行部分寫入操作時(shí)，可對(duì)包括在單個(gè)頁(yè)P(yáng)AGE的數(shù)據(jù)區(qū)域DATA 的部分區(qū)域(例如，第二扇區(qū)SEC2)和奇偶校驗(yàn)區(qū)域PARITY的部分區(qū)域中的單元執(zhí)行寫入操 作。
[0154] 如上所述，根據(jù)本實(shí)施例，在通過(guò)使用奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣Η執(zhí)行LDPC編碼來(lái)生成碼 字時(shí)，ECC編碼器231可在部分編程操作中按如下方法生成碼字，即，所有奇偶校驗(yàn)比特之中 的與部分信息數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的部分奇偶校驗(yàn)比特可被更新。因此，可僅對(duì)存儲(chǔ)器單元陣列的奇 偶校驗(yàn)區(qū)域RARITY中的與更新的奇偶校驗(yàn)比特對(duì)應(yīng)的單元執(zhí)行寫入或重寫操作。因此，當(dāng) 與參照?qǐng)D8A至圖8C描述的通過(guò)使用一般生成器矩陣G生成碼字的情況比較時(shí)，可減少對(duì)包 括在存儲(chǔ)器單元陣列的奇偶校驗(yàn)區(qū)域PARITY中的單元的寫入或重寫操作，從而降低奇偶校 驗(yàn)區(qū)域PARITY的單元的磨損速度。
[0155] 圖13至圖16示出根據(jù)示例性實(shí)施例的奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣化的其它示例。
[0156] 參照?qǐng)D13,奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣化可包括數(shù)據(jù)區(qū)域DR和奇偶校驗(yàn)區(qū)域PR。數(shù)據(jù)區(qū)域 DR可被劃分為第一數(shù)據(jù)集至第Ξ?dāng)?shù)據(jù)集DSUDS2和DS3。奇偶校驗(yàn)區(qū)域PR可被劃分為第一奇 偶校驗(yàn)集PS1和第二奇偶校驗(yàn)集PS2。在本示例性實(shí)施例中，第一數(shù)據(jù)集DS1的列大小為di。 第二數(shù)據(jù)集DS2的列大小為cb。第Ξ?dāng)?shù)據(jù)集DS3的列大小為d3ndi、d2和d3之和可對(duì)應(yīng)于K(即， dl+d2+d3 = K)。同時(shí)，第一奇偶校驗(yàn)集PS1的列大小為P1。第二奇偶校驗(yàn)集PS2的列大小為P2。 P謝P2之和可對(duì)應(yīng)于(N-K)(即，pi+p2 = N-K)。
[0157] 在本示例性實(shí)施例中，包括在第Ξ?dāng)?shù)據(jù)集DS3所包含的d3列中的元素可不受限制。 因此，可通過(guò)使用生成用于普通LDPC編碼的奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣的方法生成包括在第Ξ?dāng)?shù)據(jù) 集DS3中的元素。
[0158] 同時(shí)，在本示例性實(shí)施例中，在包括在第一數(shù)據(jù)集0別中的di列中，包括在下面的P2 行中的元素總是為0;在包括在第二數(shù)據(jù)集DS2中的cb列中，包括在上面的P1行中的元素總是 為0。同樣，在包括在第一奇偶校驗(yàn)集PS1中的P1列中，包括在下面的P2行中的元素總是為0; 在包括在第二奇偶校驗(yàn)集PS2中的P2列中，包括在上面的P1行中的元素總是為0。
[0159] 如上所述，根據(jù)本示例性實(shí)施例，奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣化可被劃分為多個(gè)子矩陣出 至也W及多個(gè)零矩陣0。在運(yùn)點(diǎn)上，子矩陣化至曲可包括除了 0之外的元素，而零矩陣0無(wú)條件 地僅包括0元素。
[0160] 在本示例性實(shí)施例中，第一數(shù)據(jù)集DS1可包括第一子矩陣出和零矩陣0,第二數(shù)據(jù) 集DS2可包括零矩陣0和第二子矩陣此，第Ξ?dāng)?shù)據(jù)集DS3可包括第Ξ子矩陣出。第一奇偶校驗(yàn) 集口別可包括第四子矩陣此和零矩陣0,第二奇偶校驗(yàn)集PS2可包括零矩陣0和第五子矩陣也。
[0161] 在本示例性實(shí)施例中，由于包括在第一奇偶校驗(yàn)集PSl的下面的P2行的元素總是 為0,因此當(dāng)存在對(duì)于與第二數(shù)據(jù)集DS2對(duì)應(yīng)的部分信息數(shù)據(jù)的部分寫入請(qǐng)求時(shí)，與第一奇 偶校驗(yàn)集PS1對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特不被更新。同樣，由于包括在第二奇偶校驗(yàn)集PS2的上面 的P1行中的元素總是為0,因此當(dāng)存在對(duì)于與第一數(shù)據(jù)集DS1對(duì)應(yīng)的部分信息數(shù)據(jù)的部分寫 入請(qǐng)求時(shí)，與第二奇偶校驗(yàn)集PS2對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特不被更新。
[0162] 參照?qǐng)D14,奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣化可包括數(shù)據(jù)區(qū)域DR和奇偶校驗(yàn)區(qū)域PR。數(shù)據(jù)區(qū)域 DR可被劃分為第一數(shù)據(jù)集至第Ξ?dāng)?shù)據(jù)集DSUDS2和DS3。奇偶校驗(yàn)區(qū)域PR可被劃分為第一奇 偶校驗(yàn)集PS1和第二奇偶校驗(yàn)集PS2。在本示例性實(shí)施例中，第一數(shù)據(jù)集DS1的列大小為di。 第二數(shù)據(jù)集DS2的列大小為cb。第Ξ?dāng)?shù)據(jù)集DS3的列大小為d3ndi、d2和d3之和可對(duì)應(yīng)于K(即， dl+d2+d3 = K)。同時(shí)，第一奇偶校驗(yàn)集PS1的列大小為P1。第二奇偶校驗(yàn)集PS2的列大小為P2。 P謝P2之和可對(duì)應(yīng)于(N-K)(即，pi+p2 = N-K)。
[0163] 在本示例性實(shí)施例中，包括在第二數(shù)據(jù)集DS2所包含的cb列中的元素可不受限制。 因此，可通過(guò)使用生成用于普通LDPC編碼的奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣的方法生成包括在第二數(shù)據(jù) 集DS2中的元素。
[0164] 同時(shí)，在本示例性實(shí)施例中，在包括在第一數(shù)據(jù)集DS1中的di列中，包括在下面的P2 行中的元素總是為0;在包括在第Ξ?dāng)?shù)據(jù)集DS3中的d3列中，包括在上面的P1行中的元素總是 為0。同樣，在包括在第一奇偶校驗(yàn)集PS1中的P1列中，包括在下面的P2行中的元素總是為0; 在包括在第二奇偶校驗(yàn)集PS2中的P2列中，包括在上面的P1行中的元素總是為0。
[0165] 如上所述，根據(jù)本示例性實(shí)施例，奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣化可被劃分為多個(gè)子矩陣出 至也W及多個(gè)零矩陣0。在運(yùn)點(diǎn)上，子矩陣化至曲可包括除了 0之外的元素，而零矩陣0無(wú)條件 地僅包括0元素。
[0166] 在本示例性實(shí)施例中，第一數(shù)據(jù)集DS1可包括第一子矩陣出和零矩陣0,第二數(shù)據(jù) 集DS2可包括第二子矩陣出，第Ξ?dāng)?shù)據(jù)集DS3可包括零矩陣0和第Ξ子矩陣出。第一奇偶校驗(yàn) 集口別可包括第四子矩陣此和零矩陣0,第二奇偶校驗(yàn)集PS2可包括零矩陣0和第五子矩陣也。
[0167] 在本示例性實(shí)施例中，由于包括在第一奇偶校驗(yàn)集PS1的下面的P2行的元素總是 為0,因此當(dāng)存在對(duì)于與第Ξ?dāng)?shù)據(jù)集DS3對(duì)應(yīng)的部分信息數(shù)據(jù)的部分寫入請(qǐng)求時(shí)，與第一奇 偶校驗(yàn)集PS1對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特不被更新。同樣，由于包括在第二奇偶校驗(yàn)集PS2的上面 的P1行中的元素總是為0,因此當(dāng)存在對(duì)于與第一數(shù)據(jù)集DS1對(duì)應(yīng)的部分信息數(shù)據(jù)的部分寫 入請(qǐng)求時(shí)，與第二奇偶校驗(yàn)集PS2對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特不被更新。
[0168] 參照?qǐng)D15,奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣化可包括數(shù)據(jù)區(qū)域DR和奇偶校驗(yàn)區(qū)域PR。數(shù)據(jù)區(qū)域 DR可被劃分為第一數(shù)據(jù)集至第Ξ?dāng)?shù)據(jù)集DSUDS2和DS3。奇偶校驗(yàn)區(qū)域PR可被劃分為第一奇 偶校驗(yàn)集PS1和第二奇偶校驗(yàn)集PS2。在本示例性實(shí)施例中，第一數(shù)據(jù)集DS1的列大小為di。 第二數(shù)據(jù)集DS2的列大小為cb。第Ξ?dāng)?shù)據(jù)集DS3的列大小為d3ndi、d2和d3之和可對(duì)應(yīng)于K(即， dl+d2+d3 = K)。同時(shí)，第一奇偶校驗(yàn)集PS1的列大小為P1。第二奇偶校驗(yàn)集PS2的列大小為P2。 P謝P2之和可對(duì)應(yīng)于(N-K)(即，pi+p2 = N-K)。
[0169] 在本示例性實(shí)施例中，包括在第一數(shù)據(jù)集DS1所包含的山列中的元素可不受限制。 因此，可通過(guò)使用生成用于普通LDPC編碼的奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣的方法生成包括在第一數(shù)據(jù) 集DS1中的元素。
[0170] 同時(shí)，在本示例性實(shí)施例中，在包括在第二數(shù)據(jù)集DS2中的cb列中，包括在上面的P1 行中的元素總是為0;在包括在第Ξ?dāng)?shù)據(jù)集DS3中的d3列中，包括在下面的P2行中的元素總是 為0。同樣，在包括在第一奇偶校驗(yàn)集PS1中的P1列中，包括在上面的P1行中的元素總是為0; 在包括在第二奇偶校驗(yàn)集PS2中的P2列中，包括在下面的P2行中的元素總是為0。
[0171] 如上所述，根據(jù)本示例性實(shí)施例，奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣化可被劃分為多個(gè)子矩陣出 至也W及多個(gè)零矩陣0。在運(yùn)點(diǎn)上，子矩陣化至曲可包括除了 0之外的元素，而零矩陣0無(wú)條件 地僅包括0元素。
[0172] 在本示例性實(shí)施例中，第一數(shù)據(jù)集DS1可包括第一子矩陣出，第二數(shù)據(jù)集DS2可包 括零矩陣0和第二子矩陣此，第Ξ?dāng)?shù)據(jù)集DS3可包括第Ξ子矩陣曲和零矩陣0。第一奇偶校驗(yàn) 集口別可包括零矩陣0和第四子矩陣此，第二奇偶校驗(yàn)集PS2可包括第五子矩陣也和零矩陣0。
[0173] 在本示例性實(shí)施例中，由于包括在第一奇偶校驗(yàn)集PS1的上面的P1行的元素總是 為0,因此當(dāng)存在對(duì)于與第Ξ?dāng)?shù)據(jù)集DS3對(duì)應(yīng)的部分信息數(shù)據(jù)的部分寫入請(qǐng)求時(shí)，與第一奇 偶校驗(yàn)集PS1對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特不被更新。同樣，由于包括在第二奇偶校驗(yàn)集PS2的下面 的P2行中的元素總是為0,因此當(dāng)存在對(duì)與第二數(shù)據(jù)集DS2對(duì)應(yīng)的部分信息數(shù)據(jù)的部分寫入 請(qǐng)求時(shí)，與第二奇偶校驗(yàn)集PS2對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特不被更新。
[0174] 雖然未示出，但是可如圖13和圖14中所示改變奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣化中的不包括零 矩陣0且不受限制的數(shù)據(jù)集的位置。
[0175] 參照?qǐng)D16,奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣Hd可包括數(shù)據(jù)區(qū)域DR和奇偶校驗(yàn)區(qū)域PR。數(shù)據(jù)區(qū)域 DR可被劃分為第一數(shù)據(jù)集DS1至第1+L數(shù)據(jù)集DS_1+L。奇偶校驗(yàn)區(qū)域可被劃分為第一奇偶 校驗(yàn)集PS1至第L奇偶校驗(yàn)集PS_L。在本示例性實(shí)施例中，第一數(shù)據(jù)集DS1的列大小為di。第 二數(shù)據(jù)集DS2的列大小為cb。第Ξ?dāng)?shù)據(jù)集DS3的列大小為d3。第1化數(shù)據(jù)集DS_1+L列大小為 山吐。山至dl+L之和可對(duì)應(yīng)于K(即，dl+'''+dl+L = K)。同時(shí)，第一奇偶校驗(yàn)集PS1的列大小為P1。 第二奇偶校驗(yàn)集PS2的列大小為P2。第L奇偶校驗(yàn)集PS_L的列大小為pLePi至PL之和可對(duì)應(yīng)于 (N-K)(即，P1+...+化= N-K)。
[0176] 在本示例性實(shí)施例中，包括在第一數(shù)據(jù)集DS1所包含的山列中的元素可不受限制。 因此，可通過(guò)使用生成用于普通LDPC編碼的奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣的方法生成包括在第一數(shù)據(jù) 集DS1中的元素。在運(yùn)點(diǎn)上，可各種方式改變?cè)貨](méi)有限制的第一數(shù)據(jù)集DS1的位置。
[0177] 同時(shí)，在本示例性實(shí)施例中，在包括在第二數(shù)據(jù)集DS2中的cb列中，包括在除了從 第一行至第P1行的P1個(gè)行之外的行中的元素總是為0;在包括在第Ξ?dāng)?shù)據(jù)集DS3中的d3列中， 包括在除了從第P1+1行至第P1+P2行的P2個(gè)行之外的行中的元素總是為0;在包括在第1+L數(shù) 據(jù)集DS_1+L中的di+L列中，包括在除了從第
行的化個(gè)行之外的行中的元 素總是為0。
[0178] 同樣，在包括在第一奇偶校驗(yàn)集PS1中的P1列中，包括在除了從第一行至第P1行的 P1個(gè)行之外的行中的元素總是為〇，；包括在第二奇偶校驗(yàn)集PS2中的P2列中，包括在除了從 第P1+1行至第P1+P2行的P2個(gè)行之外的行中的元素總是為0;在包括在第L奇偶校驗(yàn)集?5_1^中 的PL列中，包括在除了從第
庁的PL個(gè)行之外的行中的元素總是為0。
[0179] 如上所述，根據(jù)本示例性實(shí)施例，奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣Hd可被劃分為多個(gè)子矩陣出 至化+2擬及多個(gè)零矩陣0。在運(yùn)點(diǎn)上，子矩陣化至化+2間包括除了 ο之外的元素，而零矩陣ο無(wú) 條件地僅包括0元素。
[0180] 在本示例性實(shí)施例中，第一數(shù)據(jù)集DS1可包括第一子矩陣出和零矩陣0,第二數(shù)據(jù) 集DS2可包括第二子矩陣出和零矩陣0，第Ξ?dāng)?shù)據(jù)集DS3可包括第Ξ子矩陣出和零矩陣0，第1+ L數(shù)據(jù)集DS_1+L可包括第1+L子矩陣化+L和零矩陣0。第一奇偶校驗(yàn)集PS1可包括第化L子矩陣 此+L和零矩陣0，第二奇偶校驗(yàn)集PS2可包括第第3+L子矩陣曲+L和零矩陣0，第L奇偶校驗(yàn)集 PS_1；^包括第1+化子矩陣化+化和零矩陣0。
[0181] 在本示例性實(shí)施例中，當(dāng)存在對(duì)于與第Ξ?dāng)?shù)據(jù)集DS3至第1+L數(shù)據(jù)集DS_1+L對(duì)應(yīng)的 部分信息數(shù)據(jù)的部分寫入請(qǐng)求時(shí)，與第一奇偶校驗(yàn)集PS1對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特不被更新。換 言之，僅當(dāng)存在對(duì)于與第一數(shù)據(jù)集DS1和第二數(shù)據(jù)集DS2對(duì)應(yīng)的部分信息數(shù)據(jù)的部分寫入請(qǐng) 求時(shí)，與第一奇偶校驗(yàn)集PS1對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特被更新。
[0182] 同樣，當(dāng)存在對(duì)于與第二數(shù)據(jù)集DS2和第四數(shù)據(jù)集DS4至第1+L數(shù)據(jù)集DS_1+L對(duì)應(yīng) 的部分信息數(shù)據(jù)的部分寫入請(qǐng)求時(shí)，與第二奇偶校驗(yàn)集PS2對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特不被更新。 換言之，僅當(dāng)存在對(duì)與第一數(shù)據(jù)集DS1和第Ξ?dāng)?shù)據(jù)集DS3對(duì)應(yīng)的部分信息數(shù)據(jù)的部分寫入請(qǐng) 求時(shí)，與第二奇偶校驗(yàn)集PS2對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特被更新。
[0183] 奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣化至Hd的上述變型僅為本公開的示例，本公開不限于此。在另 一示例性實(shí)施例中，每個(gè)數(shù)據(jù)集和每個(gè)奇偶校驗(yàn)集可包括兩個(gè)或更多個(gè)子矩陣或者兩個(gè)或 更多個(gè)零矩陣。在另一示例性實(shí)施例中，不包括零矩陣的單個(gè)數(shù)據(jù)集的位置可在數(shù)據(jù)區(qū)域 中被自由地改變。
[0184] 圖17是根據(jù)示例性實(shí)施例的包括在圖1的存儲(chǔ)器控制器中的ECC處理單元230'的 另一示例的框圖。
[0185] 參照?qǐng)D17，ECC處理單元230 '可包括ECC編碼器231'和ECC解碼器232 ' dECC編碼器 23 ?？砂ǖ谝?ECC編碼器23 la和第二ECC編碼器23化。ECC解碼器232 '可包括第一 ECC解碼 器232a和第二ECC解碼器23化。在本示例性實(shí)施例中，ECC處理單元230'可通過(guò)使用乘積碼 (product code)結(jié)構(gòu)的ECC來(lái)執(zhí)行ECC編碼和ECC解碼。
[0186] 在本示例性實(shí)施例中，第一ECC編碼器231a可沿行方向?qū)π畔?shù)據(jù)執(zhí)行編碼，第二 ECC編碼器23化可沿列方向?qū)π畔?shù)據(jù)執(zhí)行編碼。同時(shí)，第一ECC解碼器232a可沿行方向?qū)?信息數(shù)據(jù)執(zhí)行解碼，而第二ECC解碼器23化可沿列方向?qū)π畔?shù)據(jù)執(zhí)行解碼。在運(yùn)點(diǎn)上，信 息數(shù)據(jù)可在數(shù)據(jù)塊中被實(shí)現(xiàn)。
[0187] 圖18示出根據(jù)示例性實(shí)施例的在圖17的ECC處理單元230'中使用的ECC結(jié)構(gòu)的示 例。
[0188] 參照?qǐng)D18,第一 ECC編碼器231a可生成對(duì)于第一數(shù)據(jù)塊化tal、第二數(shù)據(jù)塊化化巧口 第Ξ?dāng)?shù)據(jù)塊Data3的第一奇偶校驗(yàn)化rityl。第一 ECC編碼器231a可生成對(duì)于第四數(shù)據(jù)塊 化ta4、第五數(shù)據(jù)塊化化5和第六數(shù)據(jù)塊化ta6的第二奇偶校驗(yàn)化r i ty 2。第一 ECC編碼器23 la 可生成第屯數(shù)據(jù)塊化化7、第八數(shù)據(jù)塊化化8和第九數(shù)據(jù)塊化化9的第Ξ奇偶校驗(yàn)化rity3。
[0189] 同時(shí)，第二ECC編碼器23化可生成對(duì)于第一數(shù)據(jù)塊化tal、第四數(shù)據(jù)塊化ta4和第屯 數(shù)據(jù)塊化ta7的第四奇偶校驗(yàn)化rity4。第二ECC編碼器23化可生成對(duì)于第二數(shù)據(jù)塊化ta2、 第五數(shù)據(jù)塊化化5和第八數(shù)據(jù)塊化ta8的第五奇偶校驗(yàn)化rity5。第二ECC編碼器23化可生成 第Ξ?dāng)?shù)據(jù)塊化ta3、第六數(shù)據(jù)塊化化6和第九數(shù)據(jù)塊化ta9的第六奇偶校驗(yàn)化rity6。在運(yùn)點(diǎn) 上，第一數(shù)據(jù)塊化tal至第九數(shù)據(jù)塊化ta9中的每個(gè)數(shù)據(jù)塊可W是部分編程的最小單元或者 倍數(shù)。
[0190] 圖19示出根據(jù)示例性實(shí)施例的使用圖18的ECC結(jié)構(gòu)的部分編程操作的示例。
[0191] 參照?qǐng)D19,在本示例性實(shí)施例中，當(dāng)從主機(jī)接收到對(duì)于第四數(shù)據(jù)塊化化4的部分寫 入請(qǐng)求時(shí)，第一ECC編碼器231a可更新第二奇偶校驗(yàn)化rity2,并且可不更新第一奇偶校驗(yàn) Par i ty巧日第Ξ奇偶校驗(yàn)化r i ty3。第二ECC編碼器23化可更新第四奇偶校驗(yàn)化r i ty4并且可 不更新第五奇偶校驗(yàn)化r it巧和第六奇偶校驗(yàn)化ri ty6。如上所述，根據(jù)本示例性實(shí)施例，碼 字的所有奇偶校驗(yàn)比特可不被更新，而僅與對(duì)應(yīng)于部分信息數(shù)據(jù)的部分?jǐn)?shù)據(jù)塊對(duì)應(yīng)的奇偶 校驗(yàn)比特可被更新。因此，可減少對(duì)包括在存儲(chǔ)器單元陣列的奇偶校驗(yàn)區(qū)域中的單元的寫 入操作或重寫操作的數(shù)量，因此針對(duì)包括在奇偶校驗(yàn)區(qū)域中的單元，可降低所述單元的磨 損速度。
[0192] 圖20是根據(jù)示例性實(shí)施例的計(jì)算系統(tǒng)20的框圖。
[0193] 參照?qǐng)D20,計(jì)算系統(tǒng)20可包括存儲(chǔ)器系統(tǒng)300和主機(jī)400。存儲(chǔ)器系統(tǒng)300可包括部 分編程管理單元310、ECC處理單元320和存儲(chǔ)器單元陣列330。存儲(chǔ)器系統(tǒng)300可與圖1 的存儲(chǔ)器系統(tǒng)10基本相似的方式被實(shí)現(xiàn)。因此，W上參照?qǐng)D1至圖19提供的描述可被應(yīng)用于 本示例性實(shí)施例，因此省略冗余描述。
[0194] 主機(jī)400可包括應(yīng)用410和與軟件層對(duì)應(yīng)的文件系統(tǒng)420。更詳細(xì)地講，應(yīng)用410可 生成對(duì)于存儲(chǔ)器系統(tǒng)300的寫入請(qǐng)求或讀取請(qǐng)求，文件系統(tǒng)420可接收寫入請(qǐng)求或讀取請(qǐng) 求，并可生成將被提供給存儲(chǔ)器系統(tǒng)300的命令或地址。
[01M]在本示例性實(shí)施例中，主機(jī)400可向存儲(chǔ)器系統(tǒng)300提供與作為第一編程單位的一 部分的第二編程單位對(duì)應(yīng)的信息數(shù)據(jù)DATA、對(duì)于信息數(shù)據(jù)DATA的寫入請(qǐng)求REQ和與寫入請(qǐng) 求REQ對(duì)應(yīng)的地址ADDR。主機(jī)400可向存儲(chǔ)器系統(tǒng)300提供對(duì)于與作為第一編程單位的一部 分的第二編程單位對(duì)應(yīng)的信息數(shù)據(jù)DATA的讀取請(qǐng)求REQ和與讀取請(qǐng)求REQ對(duì)應(yīng)的地址A孤R， 并可接收從存儲(chǔ)器系統(tǒng)300讀取的數(shù)據(jù)DATA。
[0196] 圖21是根據(jù)示例性實(shí)施例的操作存儲(chǔ)器系統(tǒng)的方法的流程圖。
[0197] 參照?qǐng)D21，根據(jù)本示例性實(shí)施例的操作存儲(chǔ)器系統(tǒng)的方法是對(duì)存儲(chǔ)器裝置執(zhí)行部 分編程操作的方法，因此W上參照?qǐng)D1至圖20提供的描述被應(yīng)用于根據(jù)本示例性實(shí)施例的 操作存儲(chǔ)器裝置的方法。在下文中，將參照?qǐng)D1至圖21詳細(xì)描述根據(jù)本示例性實(shí)施例的操作 存儲(chǔ)器裝置的方法。
[0198] 在操作S100中，接收與部分編程單位對(duì)應(yīng)的信息數(shù)據(jù)和寫入請(qǐng)求。在運(yùn)點(diǎn)上，部分 編程單位可W是作為第一編程單位的一部分的第二編程單位。在示例性實(shí)施例中，第一編 程單位可W是頁(yè)單位，第二編程單位可W是字節(jié)單位。例如，存儲(chǔ)器控制器200可從主機(jī)接 收與作為第一編程單位的一部分的第二編程單位對(duì)應(yīng)的部分信息數(shù)據(jù)和對(duì)于部分信息數(shù) 據(jù)的寫入請(qǐng)求。
[0199] 在操作S120中，通過(guò)對(duì)信息數(shù)據(jù)執(zhí)行ECC編碼來(lái)生成碼字。在本示例性實(shí)施例中， 可生成碼字，使得第一編程單位的所有奇偶校驗(yàn)比特之中的與信息數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的部分奇偶校 驗(yàn)比特可被更新。因此，如果從主機(jī)接收到對(duì)于與作為第一編程單位的一部分的第二編程 單位對(duì)應(yīng)的部分信息數(shù)據(jù)的寫入請(qǐng)求，貝化CC處理單元230可生成碼字，使得僅第一編程單 位的所有奇偶校驗(yàn)比特之中的與部分信息數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的部分奇偶校驗(yàn)比特可被更新。同時(shí)， 如果從主機(jī)接收到對(duì)于與第一編程單位對(duì)應(yīng)的整個(gè)信息數(shù)據(jù)的寫入請(qǐng)求，貝化cc處理單元 230可生成碼字，使得第一編程單位的所有奇偶校驗(yàn)比特可被更新。
[0200] 在操作S140中，將生成的碼字和寫入命令提供給存儲(chǔ)器裝置。在本示例性實(shí)施例 中，包括在碼字中的部分信息數(shù)據(jù)和僅與部分信息數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特可被更新，剩 余的信息數(shù)據(jù)和剩余的奇偶校驗(yàn)比特可不被更新。因此，包括在碼字中的數(shù)據(jù)比特可被寫 入或重新寫入包括在存儲(chǔ)器裝置中的存儲(chǔ)器單元陣列。在運(yùn)點(diǎn)上，可僅對(duì)與碼字的更新的 部分信息數(shù)據(jù)和更新的奇偶校驗(yàn)比特對(duì)應(yīng)的單元執(zhí)行寫入操作或重寫操作，可不對(duì)與在碼 字中沒(méi)有被更新的部分信息數(shù)據(jù)和奇偶校驗(yàn)比特對(duì)應(yīng)的單元執(zhí)行寫入操作或重寫操作。
[0201] 在本示例性實(shí)施例中，可對(duì)電阻式存儲(chǔ)器裝置執(zhí)行部分編程操作。當(dāng)部分編程操 作被執(zhí)行時(shí)，碼字可被生成，使得僅部分信息數(shù)據(jù)和與部分信息數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特 可被更新。因此，可僅對(duì)與在包括在存儲(chǔ)器單元陣列中的單個(gè)頁(yè)中被更新的比特對(duì)應(yīng)的單 元執(zhí)行寫入操作或重寫操作。因此，當(dāng)部分編程操作被執(zhí)行時(shí)，可降低包括在存儲(chǔ)器單元陣 列的奇偶校驗(yàn)區(qū)域中的單元的磨損速度。
[0202] 圖22是根據(jù)另一示例性實(shí)施例的操作存儲(chǔ)器系統(tǒng)的方法的流程圖。
[0203] 參照?qǐng)D22,根據(jù)本示例性實(shí)施例的操作存儲(chǔ)器系統(tǒng)的方法是對(duì)存儲(chǔ)器裝置執(zhí)行部 分編程操作的方法，因此W上參照?qǐng)D1至圖20提供的描述被應(yīng)用于根據(jù)本示例性實(shí)施例的 操作存儲(chǔ)器裝置的方法。在下文中，將參照?qǐng)D1至圖20和圖22詳細(xì)描述根據(jù)本示例性實(shí)施例 的操作存儲(chǔ)器裝置的方法。
[0204] 在操作S200中，接收與部分編程單位對(duì)應(yīng)的信息數(shù)據(jù)和寫入請(qǐng)求。在運(yùn)點(diǎn)上，部分 編程單位可W是作為第一編程單位的一部分的第二編程單位。在示例性實(shí)施例中，第一編 程單位可W是頁(yè)單位，第二編程單位可W是字節(jié)單位。例如，存儲(chǔ)器控制器200可從主機(jī)接 收與作為第一編程單位的一部分的第二編程單位對(duì)應(yīng)的部分信息數(shù)據(jù)和對(duì)于該部分信息 數(shù)據(jù)的寫入請(qǐng)求。
[0205] 在操作S220中，通過(guò)對(duì)信息數(shù)據(jù)執(zhí)行LDPC編碼來(lái)生成碼字。在本示例性實(shí)施例中， 可生成碼字，使得第一編程單位的所有奇偶校驗(yàn)比特之中的與信息數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的部分奇偶校 驗(yàn)比特可被更新。因此，如果從主機(jī)接收到對(duì)于與作為第一編程單位的一部分的第二編程 單位對(duì)應(yīng)的部分信息數(shù)據(jù)的寫入請(qǐng)求，貝化CC處理單元230可生成碼字，使得第一編程單位 的所有奇偶校驗(yàn)比特之中的僅與部分信息數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的部分奇偶校驗(yàn)比特可被更新。同時(shí)， 如果從主機(jī)接收到對(duì)于與第一編程單位對(duì)應(yīng)的整個(gè)信息數(shù)據(jù)的寫入請(qǐng)求，貝化CC處理單元 230可生成碼字，使得第一編程單位的所有奇偶校驗(yàn)比特可被更新。
[0206] 在本示例性實(shí)施例中，ECC處理單元230可通過(guò)使用LDPC碼來(lái)執(zhí)行ECC編碼。更詳細(xì) 地，ECC處理單元230可通過(guò)使用奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣從信息數(shù)據(jù)生成奇偶校驗(yàn)，隨后可生成 包括信息數(shù)據(jù)和生成的奇偶校驗(yàn)的碼字。
[0207] 在操作S240中，將生成的碼字和寫入命令提供給存儲(chǔ)器裝置。在本示例性實(shí)施例 中，包括在碼字中的部分信息數(shù)據(jù)和僅與部分信息數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特可被更新，剩 余的信息數(shù)據(jù)和剩余的奇偶校驗(yàn)比特可不被更新。
[0208] 在操作S260中，將信息數(shù)據(jù)和更新的部分奇偶校驗(yàn)比特寫入存儲(chǔ)器單元陣列。在 運(yùn)點(diǎn)上，可僅對(duì)與碼字的更新的部分信息數(shù)據(jù)和更新的奇偶校驗(yàn)比特對(duì)應(yīng)的單元執(zhí)行寫入 操作或重寫操作，可不對(duì)與在碼字中沒(méi)有被更新的部分信息數(shù)據(jù)和奇偶校驗(yàn)比特對(duì)應(yīng)的單 元執(zhí)行寫入操作或重寫操作。
[0209] 根據(jù)本示例性實(shí)施例，可對(duì)電阻式存儲(chǔ)器裝置執(zhí)行部分編程操作。當(dāng)部分編程操 作被執(zhí)行時(shí)，碼字可被生成，使得僅部分信息數(shù)據(jù)和與部分信息數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特 可被更新。因此，可僅對(duì)與在包括在存儲(chǔ)器單元陣列中的單個(gè)頁(yè)中被更新的比特對(duì)應(yīng)的單 元執(zhí)行寫入操作或重寫操作。因此，當(dāng)部分編程操作被執(zhí)行時(shí)，可降低包括在存儲(chǔ)器單元陣 列的奇偶校驗(yàn)區(qū)域中的單元的磨損速度。
[0210] 圖23是根據(jù)另一示例性實(shí)施例的操作存儲(chǔ)器系統(tǒng)的方法的流程圖。
[0211] 參照?qǐng)D23,根據(jù)本示例性實(shí)施例的操作存儲(chǔ)器系統(tǒng)的方法是對(duì)存儲(chǔ)器裝置執(zhí)行部 分編程操作的方法，因此W上參照?qǐng)D1至圖20提供的描述被應(yīng)用于根據(jù)本示例性實(shí)施例的 操作存儲(chǔ)器裝置的方法。在下文中，將參照?qǐng)D1至圖20和圖23詳細(xì)描述根據(jù)本示例性實(shí)施例 的操作存儲(chǔ)器裝置的方法。
[0212] 在操作S300中，接收與部分編程單位對(duì)應(yīng)的讀取請(qǐng)求。在運(yùn)點(diǎn)上，部分編程單位可 W是作為第一編程單位的一部分的第二編程單位。在示例性實(shí)施例中，第一編程單位可W 是頁(yè)單位，第二編程單位可W是字節(jié)單位。例如，存儲(chǔ)器控制器200可從主機(jī)接收對(duì)于與作 為第一編程單位的一部分的第二編程單位對(duì)應(yīng)的部分信息數(shù)據(jù)的讀取請(qǐng)求。
[0213] 在操作S320中，將讀取命令提供給存儲(chǔ)器裝置。例如，存儲(chǔ)器控制器200可向存儲(chǔ) 器裝置100提供與讀取請(qǐng)求對(duì)應(yīng)的讀取命令CMD和與讀取命令CMD對(duì)應(yīng)的地址ADDR。
[0214] 在操作S340中，從存儲(chǔ)器裝置接收讀取數(shù)據(jù)。例如，存儲(chǔ)器控制器200可從存儲(chǔ)器 裝置100接收存儲(chǔ)在與地址ADDR對(duì)應(yīng)的單元中的數(shù)據(jù)。
[0215] 在操作S360中，通過(guò)使用奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣對(duì)讀取數(shù)據(jù)執(zhí)行ECC解碼來(lái)生成信息 數(shù)據(jù)。例如，ECC處理單元230可通過(guò)使用奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣對(duì)讀取數(shù)據(jù)執(zhí)行ECC解碼來(lái)生成 信息數(shù)據(jù)。在運(yùn)點(diǎn)上，在ECC解碼中使用的奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣與在ECC編碼中使用的奇偶校 驗(yàn)驗(yàn)證矩陣相同。
[0216] 在操作S380中，將生成的信息數(shù)據(jù)提供給主機(jī)。
[0217] 圖24是示出根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的存儲(chǔ)器系統(tǒng)被應(yīng)用于存儲(chǔ)卡系統(tǒng)1000 的框圖。
[021引參照?qǐng)D24,存儲(chǔ)卡系統(tǒng)1000可包括主機(jī)1100和存儲(chǔ)卡1200。主機(jī)1100可包括主機(jī) 控制器1110和主機(jī)連接器1120。存儲(chǔ)卡1200可包括卡連接器1210、卡控制器1220和存儲(chǔ)器 裝置1230。可通過(guò)使用圖1至圖23中示出的實(shí)施例來(lái)實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)卡1200。
[0219] 主機(jī)1100可將數(shù)據(jù)寫入到存儲(chǔ)卡1200或者可W讀取存儲(chǔ)在存儲(chǔ)卡1200中的數(shù)據(jù)。 主機(jī)控制器1110可通過(guò)主機(jī)連接器1120向存儲(chǔ)卡1200發(fā)送命令CMD、主機(jī)1100中的時(shí)鐘發(fā) 生器(未示出）產(chǎn)生的時(shí)鐘信號(hào)CLKW及數(shù)據(jù)DATA。
[0220] 響應(yīng)于通過(guò)使用卡連接器1210接收的命令CMD，卡控制器1220可與卡控制器1220 中的時(shí)鐘發(fā)生器(未示出）產(chǎn)生的時(shí)鐘信號(hào)同步地將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器裝置1230中。存儲(chǔ)器 裝置1230可存儲(chǔ)從主機(jī)1100發(fā)送的數(shù)據(jù)。
[0221 ]存儲(chǔ)卡1200可被實(shí)現(xiàn)為緊湊型閃存卡(CFC)、微驅(qū)動(dòng)器、智能媒體卡(SMC)、多媒體 卡(MMC)、安全數(shù)字卡(SDC)、記憶棒或通用串行總線化SB)閃存驅(qū)動(dòng)器。
[0222]圖25是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的包括存儲(chǔ)器系統(tǒng)2100的計(jì)算系統(tǒng)2000的框 圖。
[0223] 參照?qǐng)D25,計(jì)算系統(tǒng)2000可包括存儲(chǔ)器系統(tǒng)2100、處理器2200、RAM2300、輸入/輸 出裝置2400和電源2500。同時(shí)，盡管圖25中未示出，但是計(jì)算系統(tǒng)2000還可包括與視頻卡、 聲卡、存儲(chǔ)卡、USB裝置或其它電子產(chǎn)品進(jìn)行通信的端口。計(jì)算系統(tǒng)2000可W是個(gè)人計(jì)算機(jī) 或便攜式電子裝置(諸如膝上型計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)或相機(jī)）。
[0224] 處理器2200可執(zhí)行具體的計(jì)算和/或任務(wù)。根據(jù)示例性實(shí)施例，處理器2200可W是 微處理器、中央處理器(CPU)等。處理器2200可經(jīng)由總線2600(諸如地址總線、控制總線或數(shù) 據(jù)總線)與RAM 2300、輸入/輸出裝置2400和存儲(chǔ)器系統(tǒng)2100進(jìn)行通信。可通過(guò)使用在圖1至 圖24中示出的示例性實(shí)施例實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器系統(tǒng)2100。
[02巧]根據(jù)示例性實(shí)施例，處理器2200還可連接到諸如外圍組件互連(PCI)總線的外延 總線。
[0。6] RAM 2300可存儲(chǔ)在操作計(jì)算系統(tǒng)2000中需要的數(shù)據(jù)。例如，RAM 2300可W是DRAM、 移動(dòng) DRAM、SRAM、PRAM、FRAM、RRAM和 / 或 MRAM。
[0227] 輸入/輸出裝置2400可包括諸如鍵盤、小型鍵盤或鼠標(biāo)的輸入單元和諸如打印機(jī) 或顯示器的輸出單元。電源2500供應(yīng)在操作計(jì)算系統(tǒng)2000中需要的操作電壓。
[0228] 圖26是示出根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的存儲(chǔ)器系統(tǒng)被應(yīng)用于固態(tài)硬盤(SSD)系 統(tǒng)3000的的框圖。
[02巧]參照?qǐng)D26，SSD系統(tǒng)3000可包括主機(jī)3100和SSD 3200dSSD 3200可經(jīng)由信號(hào)連接器 將信號(hào)S(iL發(fā)送到主機(jī)3100或從主機(jī)3100接收信號(hào)SGL，并可經(jīng)由電源連接器接收電力PWR。 SSD 3200可包括SSD控制器3210、輔助電源3220W及多個(gè)存儲(chǔ)器裝置3230、3240和3250。可 通過(guò)使用在圖1至圖25中示出的示例性實(shí)施例來(lái)實(shí)現(xiàn)SSD 3200。
[0230]盡管已經(jīng)參照本公開的示例性實(shí)施例具體示出并描述了本公開，但是將理解，在 不脫離權(quán)利要求的精神和范圍的情況下可在形式和細(xì)節(jié)上進(jìn)行各種改變。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種由存儲(chǔ)器控制器執(zhí)行的操作存儲(chǔ)器系統(tǒng)的方法，所述方法包括： 從主機(jī)接收與作為第一編程單位的一部分的第二編程單位對(duì)應(yīng)的信息數(shù)據(jù)和對(duì)于所 述信息數(shù)據(jù)的寫入請(qǐng)求； 通過(guò)對(duì)接收的信息數(shù)據(jù)執(zhí)行糾錯(cuò)碼(ECC)編碼來(lái)生成碼字，使得碼字的所有奇偶校驗(yàn) 比特之中的與所述信息數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的部分奇偶校驗(yàn)比特被更新； 向存儲(chǔ)器裝置提供生成的碼字和關(guān)于碼字的寫入命令。2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中，通過(guò)使用低密度奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證(LDPC)碼來(lái)執(zhí)行糾錯(cuò) 碼編碼。3. 如權(quán)利要求2所述的方法，其中，生成碼字的步驟包括： 通過(guò)使用包括被劃分為(L+1)個(gè)數(shù)據(jù)集的數(shù)據(jù)區(qū)域和被劃分為L(zhǎng)個(gè)奇偶校驗(yàn)集的奇偶 校驗(yàn)區(qū)域的奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣來(lái)生成碼字，其中，L為等于或大于2的整數(shù)， 其中，（L+1)個(gè)數(shù)據(jù)集中的第一數(shù)據(jù)集包括至少一個(gè)第一零矩陣，L個(gè)奇偶校驗(yàn)集中的 第一奇偶校驗(yàn)集包括與所述至少一個(gè)第一零矩陣被布置的至少一行對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)第二 零矩陣。4. 如權(quán)利要求3所述的方法，其中，其中，L為2，并且如果第一編程單位的大小為K比特， 且碼字的大小為N比特，則奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣的大小為(N-K) X N， 其中，數(shù)據(jù)區(qū)域包括具有(N-K) XcU大小的第一數(shù)據(jù)集、具有(N-K) Xd2大小的第二數(shù)據(jù) 集和具有(N-K) X d3大小的第三數(shù)據(jù)集，且cb+cb+cb = K 其中，奇偶校驗(yàn)區(qū)域包括具有(N-K) 乂？1大小的第一奇偶校驗(yàn)集和具有(N-K) Xp2大小 的第二奇偶校驗(yàn)集，且Pi+P2 = N-K。5. 如權(quán)利要求4所述的方法，其中，第一零矩陣與第一數(shù)據(jù)集的下面的?2個(gè)行對(duì)應(yīng)，第二 零矩陣與第一奇偶校驗(yàn)集的下面的p 2個(gè)行對(duì)應(yīng)， 其中，生成碼字的步驟包括：當(dāng)所述信息數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)于第一數(shù)據(jù)集時(shí)，生成碼字使得所有 奇偶校驗(yàn)比特之中的僅與第一奇偶校驗(yàn)集對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特被更新。6. 如權(quán)利要求4所述的方法，其中，第二數(shù)據(jù)集包括與上面的P1個(gè)行對(duì)應(yīng)的第三零矩陣， 第二奇偶校驗(yàn)集包括與上面的 ?1個(gè)行對(duì)應(yīng)的第四零矩陣， 其中，生成碼字的步驟包括：當(dāng)所述信息數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)于第二數(shù)據(jù)集時(shí)，生成碼字使得所有 奇偶校驗(yàn)比特之中的僅與第二奇偶校驗(yàn)集對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比特被更新。7. 如權(quán)利要求4所述的方法，其中，生成碼字的步驟包括：當(dāng)所述信息數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)于第三 數(shù)據(jù)集時(shí)，生成碼字使得所有奇偶校驗(yàn)比特被更新。8. 如權(quán)利要求3所述的方法， 其中，如果第一編程單位的大小為K比特，且碼字的大小為N比特，則奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣 的大小為(N-K)XN， 其中，數(shù)據(jù)區(qū)域包括具有(N-K) XcU大小的第一數(shù)據(jù)集至具有(N-K) XdL+^小的第(L+ 1)數(shù)據(jù)集， 其中，奇偶校驗(yàn)區(qū)域包括具有(N-K) 乂？1大小的第一奇偶校驗(yàn)集至具有(N-K) XpL大小 的第L奇偶校驗(yàn)集。9. 如權(quán)利要求8所述的方法，其中，在包括在奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣中的第Μ數(shù)據(jù)集和第Μ奇 偶校驗(yàn)集中，行之外的行對(duì)應(yīng)的元素為〇，M為等于大于1且等 于小于L的整數(shù)。10. 如權(quán)利要求9所述的方法，其中，生成碼字的步驟包括：當(dāng)所述信息數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)于第Μ 數(shù)據(jù)集時(shí)，生成碼字使得所有奇偶校驗(yàn)比特之中的僅與第Μ奇偶校驗(yàn)集對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比 特被更新。11. 如權(quán)利要求8所述的方法，其中，生成碼字的步驟包括：當(dāng)所述信息數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)于第(L +1)數(shù)據(jù)集時(shí)，生成碼字使得所有奇偶校驗(yàn)比特被更新。12. 如權(quán)利要求2所述的方法，其中，生成碼字的步驟包括:通過(guò)使用包括被劃分為(2L+ 1)個(gè)數(shù)據(jù)集的數(shù)據(jù)區(qū)域和被劃分為L(zhǎng)個(gè)奇偶校驗(yàn)集的奇偶校驗(yàn)區(qū)域的奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣來(lái) 生成碼字，其中，L為等于或大于2的整數(shù)， 其中，（2L+1)個(gè)數(shù)據(jù)集中的第一數(shù)據(jù)集和第二數(shù)據(jù)集中的每個(gè)包括至少一個(gè)第一零矩 陣，L個(gè)奇偶校驗(yàn)集中的第一奇偶校驗(yàn)集包括至少一個(gè)第二零矩陣，所述至少一個(gè)第一零矩 陣和所述至少一個(gè)第二零矩陣在行方向的位置相同。13. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中，第一編程單位為頁(yè)單位。14. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中，第一編程單位對(duì)應(yīng)于包括在存儲(chǔ)器裝置中的存儲(chǔ) 器單元陣列中的共同連接到相同信號(hào)線的存儲(chǔ)單元的大小。15. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中，相同信號(hào)線為相同字線。16. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中，第二編程單位為字節(jié)單位。17. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中，存儲(chǔ)器裝置為電阻式存儲(chǔ)器裝置。18. -種由存儲(chǔ)器控制器執(zhí)行的操作存儲(chǔ)器系統(tǒng)的方法，所述方法包括： 從主機(jī)接收與作為第一編程單位的一部分的第二編程單位對(duì)應(yīng)的信息數(shù)據(jù)和對(duì)于所 述信息數(shù)據(jù)的寫入請(qǐng)求； 通過(guò)使用奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣對(duì)接收的信息數(shù)據(jù)執(zhí)行低密度奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證(LDPC)編碼 來(lái)生成碼字； 向存儲(chǔ)器裝置提供生成的碼字和關(guān)于碼字的寫入命令， 其中，奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣包括被劃分為至少第一數(shù)據(jù)集至第三數(shù)據(jù)集的數(shù)據(jù)區(qū)域和被 劃分為至少第一奇偶校驗(yàn)集和第二奇偶校驗(yàn)集的奇偶校驗(yàn)區(qū)域， 其中，當(dāng)所述信息數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)于第一數(shù)據(jù)集時(shí)，僅與第一奇偶校驗(yàn)集對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn)比 特被更新，而當(dāng)所述信息數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)于第二數(shù)據(jù)集時(shí)，僅與第二奇偶校驗(yàn)集對(duì)應(yīng)的奇偶校驗(yàn) 比特被更新。19. 如權(quán)利要求18所述的方法， 其中，與第一數(shù)據(jù)集和第一奇偶校驗(yàn)集的下面的Ρ2個(gè)行對(duì)應(yīng)的元素為〇， 其中，與第二數(shù)據(jù)集和第二奇偶校驗(yàn)集的上面的?1個(gè)行對(duì)應(yīng)的元素為〇。20. 如權(quán)利要求18所述的方法，其中，第一編程單位為頁(yè)單位，第二編程單位為字節(jié)單 位。21. 如權(quán)利要求18所述的方法，其中，存儲(chǔ)器裝置為電阻式存儲(chǔ)器裝置。22. -種操作存儲(chǔ)器系統(tǒng)的方法，所述方法包括： 從主機(jī)接收與作為第一編程單位的一部分的第二編程單位對(duì)應(yīng)的信息數(shù)據(jù)和對(duì)于所 述信息數(shù)據(jù)的寫入請(qǐng)求； 通過(guò)使用奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證矩陣對(duì)接收的信息數(shù)據(jù)執(zhí)行低密度奇偶校驗(yàn)驗(yàn)證(LDPC)編碼 來(lái)生成碼字，使得碼字的所有奇偶校驗(yàn)比特之中的與所述信息數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的部分奇偶校驗(yàn)比 特被更新； 向存儲(chǔ)器裝置提供生成的碼字和關(guān)于碼字的寫入命令； 將包括在碼字中的所述信息數(shù)據(jù)和更新的部分奇偶校驗(yàn)比特寫入包括在存儲(chǔ)器裝置 中的存儲(chǔ)器單元陣列。23. 如權(quán)利要求22所述的方法，其中，第一編程單位為頁(yè)單位，第二編程單位為字節(jié)單 位。24. 如權(quán)利要求22所述的方法，其中，存儲(chǔ)器裝置為電阻式存儲(chǔ)器裝置。25. -種存儲(chǔ)器系統(tǒng)，包括： 存儲(chǔ)器裝置，包括存儲(chǔ)器單元陣列； 存儲(chǔ)器控制器，被配置為通過(guò)對(duì)與作為第一編程單位的一部分的第二編程單位對(duì)應(yīng)的 信息數(shù)據(jù)執(zhí)行糾錯(cuò)碼(ECC)編碼來(lái)生成碼字，使得碼字的所有奇偶校驗(yàn)比特之中的與所述 信息數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的部分奇偶校驗(yàn)比特被更新，并向存儲(chǔ)器裝置提供生成的碼字和關(guān)于碼字的 寫入命令。
【文檔編號(hào)】G06F11/10GK105825896SQ201610045380
【公開日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2016年1月22日
【發(fā)明人】申?yáng)|旻, 孔駿鎮(zhèn), 慎釩揆, 吳銀珠, 尹弼相
【申請(qǐng)人】三星電子株式會(huì)社