磁盤用基板和磁盤的制作方法
【專利摘要】提供一種不會(huì)在成膜后的主表面的磁性層上殘存異物的磁盤用基板。一種磁盤用基板，其具備：第1傾斜面，其形成在基板的主表面的外側(cè)；第2傾斜面，其連接所述第1傾斜面和基板的側(cè)壁面；以及棱線，其由所述第1傾斜面和所述第2傾斜面形成，所述棱線設(shè)置在比所述主表面靠基板的厚度方向內(nèi)側(cè)的位置處。
【專利說明】
磁盤用基板和磁盤
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明設(shè)及磁盤用基板和磁盤。
【背景技術(shù)】
[0002] 當(dāng)前，在個(gè)人電腦或者DVD(Dig;Ual Versatile Disc:數(shù)碼視象光碟)記錄裝置等 中，為了進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄而內(nèi)置有硬盤裝置化DD:化rd Disk Drive)。在硬盤裝置中，使用了 在基板上設(shè)置有磁性層的磁盤，利用在磁盤的面上略微懸浮的磁頭對磁性層進(jìn)行磁記錄信 息的記錄或讀取。
[0003] 為了在基板上形成磁性層，利用爪狀的夾具把持住基板的端面的3~4處部位進(jìn)行 保持，保持該狀態(tài)將基板輸送至成膜室，通過真空蒸鍛法、瓣鍛法、CV的去、I抓法等氣相生長 法在基板的主表面上形成磁性層或保護(hù)層等薄膜。
[0004] 在進(jìn)行基板的把持或輸送時(shí)，端面可能被摩擦而產(chǎn)生微小的缺口，從而產(chǎn)生灰塵 或者發(fā)生破裂，因此對基板的外周的端部實(shí)施倒角。例如，在專利文獻(xiàn)1中記載了將基板的 主表面與倒角面所成的角度設(shè)定為48° W上且80° W下的技術(shù)。
[0005] 在先技術(shù)文獻(xiàn)
[0006] 專利文獻(xiàn)
[0007] 專利文獻(xiàn)1:日本特開平11-265506號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[000引發(fā)明要解決的課題
[0009] 如果利用夾具保持對外周部實(shí)施了倒角的基板的外周端部，并進(jìn)行用于形成磁盤 的磁性膜等的成膜處理，則在基板的與夾具接觸的接觸部附近的主表面上檢測出了異物。
[0010] 因此，本發(fā)明的目的在于提供一種不會(huì)在成膜后的主表面上殘存異物的磁盤用基 板。
[0011] 用于解決問題的手段
[0012] 在磁盤用基板中，在針對在與成膜時(shí)所使用的爪狀的把持夾具(保持夾具)接觸的 接觸部的附近所檢測出的異物進(jìn)行分析后，確認(rèn)到：異物的成分是在形成磁性層等時(shí)的膜 組成的成分。由于在異物的一部分中觀察到了層疊結(jié)構(gòu)，因此，在對夾具仔細(xì)觀察后確認(rèn) 到:在與基板抵接的抵接部處，堆積在夾具的表面上的膜組成的成分的一部分發(fā)生了剝落。 運(yùn)可W認(rèn)為是:在基板與夾具接觸時(shí)，堆積在夾具上的磁性膜等剝落，剝落的磁性膜作為異 物附著(轉(zhuǎn)移附著)在基板的主表面附近。下述情況被認(rèn)為是上述現(xiàn)象的背景:近年，為了改 善生產(chǎn)效率，輸送速度存在逐漸增加的傾向，為了防止輸送時(shí)的基板落下，增強(qiáng)利用把持夾 具進(jìn)行把持的力，或者使保持夾具的末端形成為V字型。
[0013] 另外，還觀察到如下運(yùn)樣的缺陷：該缺陷具有W與夾具的接觸部為起點(diǎn)在磁盤的 主表面上呈放射狀飛散運(yùn)樣的痕跡。詳細(xì)進(jìn)行分析，發(fā)現(xiàn)混合有用于磁盤的磁性膜或中間 層等的金屬成分。關(guān)于其原因，判明了原因在于：由于在通過等離子CVD法或離子束淀積 (IBD)法形成類金剛石化LC)的保護(hù)膜時(shí)施加于基板的偏壓，導(dǎo)致在保持夾具與磁盤的接觸 點(diǎn)處發(fā)生了電弧放電。當(dāng)前，為了關(guān)于保護(hù)膜實(shí)現(xiàn)薄膜化，上述的成膜方法成為主流，但是， 為了獲得更致密的膜，發(fā)現(xiàn)偏壓有增加的傾向。
[0014] 運(yùn)樣，對于W往的基板，在倒角部處與保持夾具接觸時(shí)，有時(shí)會(huì)發(fā)生各種故障。
[0015] 在磁盤的生產(chǎn)中，在1個(gè)成膜裝置中使用多個(gè)保持夾具依次保持送入的多個(gè)基板 并將它們輸送至成膜室進(jìn)行成膜。此時(shí)，存在運(yùn)樣的情況:嚴(yán)格來說，保持夾具的形狀并非 全都相同，而是存在細(xì)微的差異。另外，由于保持夾具被重復(fù)使用，因此表面的狀態(tài)根據(jù)距 離成膜開始的時(shí)間而變化。例如，如果膜組成的成分在夾具的表面上堆積的堆積量隨著時(shí) 間的經(jīng)過而增加，則在夾具與基板接觸時(shí)，所堆積的膜組成的成分容易作為異物而剝落。由 于運(yùn)些復(fù)雜的原因，每個(gè)基板與保持夾具的接觸點(diǎn)的位置或者所剝落的異物會(huì)產(chǎn)生偏差。 本
【發(fā)明人】發(fā)現(xiàn):在接觸點(diǎn)處于基板的主表面附近的情況下，上述問題變得顯著，并且發(fā)現(xiàn)： 通過對端部的形狀進(jìn)行研究，能夠消除接觸點(diǎn)的位置的隨機(jī)擺動(dòng)，從而緩解上述問題。
[0016] 為了解決上述課題，本發(fā)明的第一形態(tài)是磁盤用基板，其特征在于，所述磁盤用基 板具備:第1傾斜面，其與基板的主表面的外側(cè)輪廓線相連接;第2傾斜面，其連接所述第1傾 斜面和基板的側(cè)壁面；W及棱線，其由所述第1傾斜面和所述第2傾斜面形成，所述棱線設(shè)置 在比所述主表面靠基板的厚度方向內(nèi)側(cè)的位置處。
[0017] 優(yōu)選的是，在設(shè)所述主表面與所述第1傾斜面所成的純角為Θ1時(shí)，130° 170。。
[0018] 優(yōu)選的是，在設(shè)所述第1傾斜面與所述第2傾斜面所成的純角為Θ3時(shí)，110° 170。。
[0019] 優(yōu)選的是，在設(shè)所述第2傾斜面與基板的側(cè)壁面所成的純角為Θ4時(shí)，130°^ Θ3^ 170。。
[0020] 優(yōu)選的是，從所述主表面的外側(cè)輪廓線至所述棱線為止的徑向距離在lOymW上。
[0021] 優(yōu)選的是，所述棱線相對于所述主表面在基板的厚度方向上的距離為10皿W上。
[0022] 本發(fā)明的另一形態(tài)是磁盤用基板，其特征在于，所述磁盤用基板具有：主表面；側(cè) 壁面，其與所述主表面垂直；W及倒角面，其在與所述主表面和側(cè)壁面垂直的截面中具有連 接所述主表面和所述側(cè)壁面的2個(gè)直線部分，所述2個(gè)直線部分的邊界部在所述基板的表面 上形成向外側(cè)凸出的形狀。
[0023] 本發(fā)明的另一形態(tài)是磁盤，其特征在于，在上述的任意一種磁盤用基板的主表面 的上方至少設(shè)置有磁性層。
[0024] 發(fā)明的效果
[0025] 本發(fā)明的基板在由第1傾斜面和第2傾斜面運(yùn)2個(gè)階段的倒角面形成的棱線處與夾 具抵接。即使在棱線與夾具的抵接部產(chǎn)生剝落物，由于在棱線與主表面之間存在第1傾斜 面，因此，如果剝落物的飛瓣距離沒有超過從棱線至主表面的外側(cè)輪廓線為止的距離，則剝 落物不會(huì)到達(dá)主表面，能夠防止剝落物相對于主表面的附著。另一方面，即使在剝落物的飛 瓣距離超過了從棱線至主表面的外側(cè)輪廓線為止的距離，由于棱線設(shè)置在比主表面靠基板 的厚度方向內(nèi)側(cè)的位置，且第1傾斜面相對于主表面傾斜，因此，在剝落物的預(yù)想的路徑上 或移動(dòng)方向上不存在主表面，從而能夠防止剝落物相對于主表面的附著。
【附圖說明】
[0026] 圖1是本實(shí)施方式的磁盤用基板的側(cè)視圖。
[0027] 圖2是圖1中的II部的放大圖。
[0028] 圖3是磁盤用基板的與夾具抵接的抵接部的放大圖。
[0029] 圖4是比較例2的磁盤用基板的與圖2相同的放大圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030] W下，對本發(fā)明的實(shí)施方式的磁盤用基板詳細(xì)地進(jìn)行說明。
[0031] 磁盤用基板是圓板形狀，并且是將與外周同屯、的圓形的中屯、孔挖掉而成的環(huán)狀。 在磁盤用基板的兩面的圓環(huán)狀區(qū)域中形成有磁性層(記錄區(qū)域），由此形成磁盤。作為磁盤 用基板，可W使用金屬基板(侶合金基板、鍛有MP系合金而成的侶合金基板）或者玻璃基 板。特別是，優(yōu)選使用玻璃基板，其中，玻璃基板具有比金屬基板等難W發(fā)生塑性變形的性 質(zhì)。在W后的說明中，針對使用玻璃作為磁盤用基板的情況進(jìn)行說明，但磁盤用基板也可W 是金屬基板。
[0032] 圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式的基板的側(cè)視圖，圖2是圖1中的II部的放大圖。
[0033] 在本實(shí)施方式的基板1中，在端面的與主表面相連接的部分處設(shè)置有2個(gè)階段的倒 角面。即，基板1具有主表面10和端面20,端面20具有側(cè)面21、第1傾斜面22 W及第2傾斜面 23。如圖2所示，在與主表面10和側(cè)壁面21垂直的截面中，倒角面具有將主表面10和側(cè)壁面 21連接起來的2個(gè)直線部分(第1傾斜面22和第2傾斜面23)。
[0034] 如圖2所示，第1傾斜面22與主表面10的徑向外側(cè)的輪廓線C(外側(cè)輪廓線）連接。 即，輪廓線C是主表面10與第1傾斜面22的邊界線(邊界部）。第1傾斜面22在與主表面10和側(cè) 壁面21垂直的截面中具有成為直線的部分。
[0035] 第2傾斜面23連接第1傾斜面22和側(cè)壁面21。第2傾斜面23在與主表面10和側(cè)壁面 21垂直的截面中具有成為直線的部分。
[0036] 通過第1傾斜面22和第2傾斜面23,棱線E形成為環(huán)狀。棱線E是連接第1傾斜面22和 第2傾斜面23的連接部，并且是第1傾斜面22和第2傾斜面23的邊界部。棱線E設(shè)置在比主表 面10靠基板1的厚度方向內(nèi)側(cè)的位置處。棱線E在基板1的表面上形成朝向外側(cè)凸出的形狀。
[0037] 在形成磁性層時(shí)，基板1在端面20處被夾具30(參照圖3)保持。圖3是示出在形成磁 性層時(shí)的基板1與夾具30的抵接部的放大圖。如圖3所示，基板1在棱線E處與夾具30抵接。在 基板1的與夾具30抵接的抵接部處，附著在夾具30上的異物剝落，即使產(chǎn)生剝落物，由于在 棱線E與主表面10之間存在第1傾斜面22,因此，如果剝落物的的飛瓣距離沒有超過從棱線E 至主表面10的外側(cè)輪廓線C為止的距離，則剝落物不會(huì)到達(dá)主表面10。因此，能夠防止剝落 物相對于主表面10的附著。另一方面，即使在剝落物的飛瓣距離超過了從棱線E至主表面10 的外側(cè)輪廓線C為止的距離，由于棱線E設(shè)置在比主表面10靠基板1的厚度方向內(nèi)側(cè)的位置， 且第1傾斜面22相對于主表面10傾斜，因此，在剝落物的軌跡上不存在主表面10,從而能夠 防止剝落物相對于主表面10的附著。
[003引并且，如圖4所示，如果主表面10與側(cè)壁面21之間的倒角部為圓形，則由于基板與 夾具的相對位置的偏差而使得基板與夾具的接觸點(diǎn)可能處于倒角部的任意位置，因此，倒 角部與把持夾具接觸的接觸點(diǎn)有時(shí)處于主表面10的附近。在倒角部與夾具的接觸點(diǎn)處于主 表面10的附近的情況下，存在如下?lián)鷳n:在待制造的磁盤用基板上，W該接觸點(diǎn)為起點(diǎn)在主 表面上附著異物，或者形成缺陷。
[0039] 與此相對，在本實(shí)施方式中，即使在基板1與夾具30的相對位置中存在偏差，基板1 與夾具30的接觸點(diǎn)始終在棱線E的位置處。因此，能夠使基板1與夾具30的接觸點(diǎn)充分地遠(yuǎn) 離主表面10,從而能夠抑制異物相對于主表面10的附著和缺陷的形成。
[0040] 在設(shè)主表面10與第1傾斜面22所成的純角為Θ1時(shí)，優(yōu)選是130° ^01^170°。
[0041] 如果Θ1<110°，則難W使基板1在棱線E處被夾具30保持。如果基板1不是在棱線E 處被保持而是在第1傾斜面22處或者在主表面10的外側(cè)輪廓線C處被保持，則在與夾具30抵 接的抵接部處，在附著于夾具30的異物剝落而產(chǎn)生剝落物的情況下，剝落物可能會(huì)到達(dá)主 表面10。
[0042] 另一方面，如果Θ1>170°，則無法使剝落物的從基板1和夾具30相抵接的棱線Ε開 始的軌跡充分地遠(yuǎn)離主表面10,剝落物可能附著于主表面10。
[0043] 在此，第1傾斜面22沿著圓形的主表面10的外側(cè)輪廓線C設(shè)置，并且形成為圓錐臺(tái) 的側(cè)面的形狀，其中，所述圓錐臺(tái)W主表面10為上底，W含有棱線Ε的平面為下底，且該圓錐 臺(tái)的中屯、軸與基板10的中屯、軸一致。純角Θ1是該圓錐臺(tái)的側(cè)面的母線與主表面10所成的純 角。即，純角Θ1是在基板1的徑向的截面(包含基板1的中屯、軸的平面）中的由第1傾斜面22與 主表面10所成的角。
[0044] 在設(shè)主表面10與第2傾斜面23所成的純角為Θ2時(shí)，目2<目1。如果Θ2含目1，則無法形 成棱線Ε。
[0045] 在此，第2傾斜面23形成為如下運(yùn)樣的圓錐臺(tái)的側(cè)面的形狀:該圓錐臺(tái)W含有棱線 Ε的平面為上底，W含有由第2傾斜面23與側(cè)壁面21所構(gòu)成的棱線F的平面為下底，且該圓錐 臺(tái)的中屯、軸與基板10的中屯、軸一致，純角92是該圓錐臺(tái)的側(cè)面的母線與主表面10所成的純 角。即，純角Θ2是在基板1的徑向的截面(包含中屯、軸的平面）中的由第2傾斜面23與主表面 10所成的角。
[0046] 在設(shè)第1傾斜面22和第2傾斜面23所成的純角為目3時(shí)，優(yōu)選是110° ^目3^170°。如 果Θ3<110°，則在棱線Ε處利用夾具30保持基板1時(shí)，可能在基板1上產(chǎn)生缺口。另一方面，如 果Θ3>170°，則可能難W在棱線Ε處利用夾具30保持基板1。
[0047] 在此，Θ3是形成第1傾斜面22的圓錐臺(tái)的側(cè)面的母線和形成第2傾斜面23的圓錐臺(tái) 的側(cè)面的母線所成的純角。即，純角Θ3是在基板1的徑向的截面(包含基板1的中屯、軸的平 面）中的由第1傾斜面22和第2傾斜面23所成的角。此時(shí)，目3+目1-目2 = 180°。
[004引在設(shè)第2傾斜面23與側(cè)壁面21所成的純角為Θ4時(shí)，優(yōu)選是130° ^03^170°。如果Θ4 <110°，則可能難W在棱線Ε處利用夾具30保持基板1。另一方面，如果Θ4>170°，則在棱線Ε 處利用夾具30保持基板1時(shí)，可能在基板1上產(chǎn)生缺口。
[0049]在此，Θ4是形成第2傾斜面23的圓錐臺(tái)的側(cè)面的母線與側(cè)壁面21所成的純角。即， 純角Θ4是在基板1的徑向的截面(包含基板1的中屯、軸的平面）中的由第2傾斜面23與側(cè)壁面 21所成的角。此時(shí)，目1+目3+目4 = 450°。
[0化0] 從主表面10的外側(cè)輪廓線C至棱線Ε為止的基板1的徑向距離W(參照圖2)優(yōu)選在10 μL?Κ上。如果W小于ΙΟμπι，則防止剝落物相對于主表面10的附著的效果可能變小。
[0051] 另外，棱線E相對于主表面10在基板1的厚度方向上的距離H(參照圖2)優(yōu)選在10皿 W上。如果Η小于ΙΟμπι，則防止剝落物相對于主表面10的附著的效果可能變小。
[0052] 接下來，對本發(fā)明的實(shí)施方式的磁盤用基板的制造方法詳細(xì)地進(jìn)行說明。
[0053] (磁盤用玻璃基板的制造方法）
[0054] 接下來，作為磁盤用基板的例子，對磁盤用玻璃基板的制造方法進(jìn)行說明。首先， 通過壓力成型制作磁盤用玻璃巧板(壓力成型處理），其中，該磁盤用玻璃巧板是具有一對 主表面的板狀的磁盤用玻璃基板的巧料。在此，磁盤用玻璃巧板后僅稱為玻璃巧板)是 通過壓力成型制作的圓形狀的玻璃板，是挖出中屯、孔之前的形態(tài)。
[0055] 接下來，在制作出的玻璃巧板的中屯、部分形成圓孔從而形成環(huán)形狀(圓環(huán)狀)的玻 璃基板（圓孔形成處理）。接下來，對形成有圓孔的玻璃基板進(jìn)行形狀加工(形狀加工處理）。 在該形狀加工中，通過進(jìn)行2個(gè)階段的倒角加工，形成上述的第1傾斜面22和第2傾斜面23由 此，生成玻璃基板。
[0化6](形狀加工處理）
[0057] 在本實(shí)施方式的形狀加工處理中，對圓孔形成處理后的玻璃基板的端部進(jìn)行2個(gè) 階段的倒角加工。由此，在玻璃基板的端面上形成與主表面10垂直的側(cè)壁面21、和連接主表 面10與側(cè)壁面21的2個(gè)階段的倒角面(第1傾斜面22和第2傾斜面23)。
[0058] 例如，在第1階段的倒角加工中形成第2傾斜面23,然后在第2階段的倒角加工中改 變角度而形成第1傾斜面22,由此形成主表面10的外側(cè)輪廓線C和棱線Ε。
[0059] 另外，也可W在第1階段的倒角加工中形成第1傾斜面22,然后在第2階段的倒角加 工中改變角度而形成第2傾斜面23。
[0060] (形狀加工處理后的處理）
[0061] 接下來，針對進(jìn)行形狀加工后的玻璃基板進(jìn)行端面研磨(端面研磨處理）。并對進(jìn) 行了端面研磨后的玻璃基板進(jìn)行基于固定磨粒的磨削（磨削處理）。接下來，對玻璃基板的 主表面進(jìn)行第1研磨(第1研磨處理）。接下來，對玻璃基板進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化(化學(xué)強(qiáng)化處理）。接 下來，對進(jìn)行了化學(xué)強(qiáng)化后的玻璃基板進(jìn)行第2研磨(第2研磨處理）。經(jīng)過W上的處理，得到 磁盤用玻璃基板。
[0062] 運(yùn)樣，由于在形狀加工后進(jìn)行各種處理，因此，所得到的磁盤用基板中的棱線Ε可 W在截面形狀中帶有例如曲率半徑為50ymW下的圓弧。如果曲率半徑大于50μπι，則存在如 下情況:把持夾具把持磁盤用基板的把持位置大幅偏移。棱線Ε的曲率半徑更優(yōu)選在20皿W 下。即使棱線Ε帶有運(yùn)種程度的圓弧，也能夠充分地獲得防止剝落物相對于主表面10的附著 的效果。另外，棱線Ε的曲率半徑優(yōu)選在UimW上，更優(yōu)選在扣mW上。如果小于Ιμπι，則在進(jìn)行 把持時(shí)可能會(huì)產(chǎn)生缺口。
[0063] 如W上所說明，根據(jù)本實(shí)施方式的基板1，由于在棱線Ε處與夾具30抵接，因此，即 使在基板1與夾具30抵接的抵接部產(chǎn)生剝落物，由于在棱線Ε與主表面10之間存在第1傾斜 面22,因此，如果剝落物的飛瓣距離沒有超過從棱線Ε至主表面10的外側(cè)輪廓線C為止的距 離，則剝落物不會(huì)到達(dá)主表面10,能夠防止剝落物相對于主表面10的附著。另一方面，即使 在剝落物的飛瓣距離超過了從棱線Ε至主表面10的外側(cè)輪廓線C為止的距離，由于棱線Ε設(shè) 置在比主表面10靠基板1的厚度方向內(nèi)側(cè)的位置，且第1傾斜面22相對于主表面10傾斜，因 此，在剝落物的軌跡上不存在主表面10,從而能夠防止剝落物相對于主表面10的附著。
[0064] 并且，本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式和實(shí)施例，可W在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍 內(nèi)進(jìn)行各種改良和變更。
[0065] W下，對本發(fā)明的實(shí)驗(yàn)例進(jìn)行說明。
[0066] 讀施例）
[0067] 在實(shí)施例1~3中，對基板進(jìn)行2個(gè)階段的倒角加工，制造出了基板。在實(shí)施例1~3 中，如表1所示那樣改變01、02、03、04制造基板。利用圖3所示那樣的夾具保持所得到的基 板，并使用具備多個(gè)真空腔室的成膜裝置依次形成基底層、磁性層、保護(hù)層。并且，基底層和 磁性層通過瓣鍛法形成，并且，一邊對基板施加偏壓一邊通過等離子CVD法形成化C的保護(hù) 層。分別制造了10000張的磁盤。
[006引〔比較例）
[0069] 在比較例1中，通過1個(gè)階段的倒角加工，僅形成了相對于主表面的倒角角度為Θ2 且相對于側(cè)壁面的角度為Θ4的傾斜面。
[0070] 在比較例2中，如圖4所示，使用如下運(yùn)樣的成型磨具對基板實(shí)施了倒角加工:述成 型磨具形成為使倒角部在截面形狀中成為曲率半徑R是150WI1的圓形。
[0071] 〔異物和缺陷的測量）
[0072] 使用激光式的表面缺陷檢查裝置，對形成了基底層、磁性層、保護(hù)層后的基板的主 表面進(jìn)行檢查，通過目視或者使用SEM仔細(xì)地調(diào)查在磁盤的主表面上檢測出的異物或缺陷， 計(jì)測出觀察到了因堆積在保持夾具上的膜剝落而產(chǎn)生的異物(特定的異物）、或者因電弧放 電所引起的放射狀缺陷(特定的缺陷）的基板的張數(shù)。
[0073] 表1中示出了結(jié)果。
[0074] [表1]
[0075]
[0076] 在實(shí)施例1~9中，與比較例1~化k較，能夠降低異物數(shù)量。
[0077] 在比較例1中，可W認(rèn)為:基板和把持夾具在主表面與倒角面的邊界處接觸，W該 接觸點(diǎn)為起點(diǎn)在主表面上附著有異物或者形成了缺陷。
[0078] 在比較例2中，具有異物或缺陷的基板的數(shù)量與實(shí)施例相比大幅增加。在如比較例 2那樣使倒角部為圓形時(shí)，基板與把持夾具的接觸點(diǎn)可能處于倒角部的任意位置，因此，由 于基板與把持夾具的相對位置的偏差，存在倒角部與把持夾具接觸的接觸點(diǎn)處于主表面10 的附近的情況。因此，可W認(rèn)為:在倒角部與把持夾具接觸的接觸點(diǎn)處于主表面10的附近的 磁盤用基板中，W該接觸點(diǎn)為起點(diǎn)在主表面上附著有異物或者形成有缺陷。
[0079] 與此相對，在實(shí)施例1~9中，可W認(rèn)為是：即使在基板與把持夾具的相對位置中存 在偏差，倒角部與把持夾具接觸的接觸點(diǎn)始終處于棱線E的位置，因此，能夠使接觸點(diǎn)與主 表面離開充分的距離，從而能夠抑制異物的附著或缺陷的形成。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種磁盤用基板，其中， 所述磁盤用基板具備： 第1傾斜面，其形成在基板的主表面的外側(cè)； 第2傾斜面，其連接所述第1傾斜面和基板的側(cè)壁面；以及 棱線，其由所述第1傾斜面和所述第2傾斜面形成， 所述棱線設(shè)置在比所述主表面靠基板的厚度方向內(nèi)側(cè)的位置處。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤用基板，其中， 在設(shè)所述主表面與所述第1傾斜面所成的鈍角為Θ1時(shí)，130° S Θ1 $ 170°。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁盤用基板，其中， 在設(shè)所述第1傾斜面與所述第2傾斜面所成的鈍角為Θ3時(shí)，110° S Θ3 $ 170°。4. 根據(jù)權(quán)利要求1~3中的任意一項(xiàng)所述的磁盤用基板，其中， 在設(shè)所述第2傾斜面與基板的側(cè)壁面所成的鈍角為Θ4時(shí)，130° S Θ3 $ 170°。5. 根據(jù)權(quán)利要求1~4中的任意一項(xiàng)所述的磁盤用基板，其中， 從所述主表面的外側(cè)輪廓線至所述棱線為止的徑向距離在ΙΟμπι以上。6. 根據(jù)權(quán)利要求1~5中的任意一項(xiàng)所述的磁盤用基板，其中， 所述棱線相對于所述主表面在基板的厚度方向上的距離為ΙΟμπι以上。7. -種磁盤用基板，其中， 所述磁盤用基板具有： 主表面； 側(cè)壁面，其與所述主表面垂直；以及 倒角面，其在與所述主表面和側(cè)壁面垂直的截面中具有連接所述主表面和所述側(cè)壁面 的2個(gè)直線部分， 所述2個(gè)直線部分的邊界部在所述基板的表面上形成向外側(cè)凸出的形狀。8. -種磁盤，其特征在于， 在權(quán)利要求1~7中的任意一項(xiàng)所述的磁盤用基板的主表面的上方至少設(shè)置有磁性層。
【文檔編號(hào)】G11B5/84GK105830156SQ201480069623
【公開日】2016年8月3日
【申請日】2014年12月26日
【發(fā)明人】矢崎生悟, 前田高志, 輿水修
【申請人】Hoya株式會(huì)社