存儲(chǔ)裝置、存儲(chǔ)器系統(tǒng)及它們的操作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種用于操作NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的方法，溫度感測(cè)裝置檢測(cè)NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度降低至第一閾溫度水平以下，并且時(shí)鐘控制單元響應(yīng)于檢測(cè)到溫度降低至第一閾溫度水平以下調(diào)整存儲(chǔ)器存取操作的操作條件。
【專利說(shuō)明】存儲(chǔ)裝置、存儲(chǔ)器系統(tǒng)及它們的操作方法
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求于2015年2月17日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)N0.10-2015-0023899的優(yōu)先權(quán)，該申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容以引用方式并入本文中。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本文描述的本發(fā)明構(gòu)思的一個(gè)或多個(gè)示例實(shí)施例涉及例如存儲(chǔ)裝置、存儲(chǔ)器控制器、存儲(chǔ)器系統(tǒng)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置和/或它們的操作方法。
【背景技術(shù)】
[0004]現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置包括諸如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)、靜態(tài)RAM(SRAM)等的易失性存儲(chǔ)器裝置，和諸如電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、鐵電RAM(FRAM)、相變RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、閃速存儲(chǔ)器等的非易失性存儲(chǔ)器裝置。易失性存儲(chǔ)器裝置在斷電時(shí)丟失存儲(chǔ)在其中的數(shù)據(jù)，而非易失性存儲(chǔ)器裝置即使在斷電時(shí)也保持存儲(chǔ)在其中的數(shù)據(jù)。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)的閃速存儲(chǔ)器裝置具有相對(duì)較快的編程速度、相對(duì)較低的功耗、相對(duì)較高的存儲(chǔ)容量等。因此，閃速存儲(chǔ)器裝置相對(duì)廣泛地用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明構(gòu)思的一個(gè)或多個(gè)示例實(shí)施例提供了存儲(chǔ)裝置、存儲(chǔ)器控制器、存儲(chǔ)器系統(tǒng)和/或它們的操作方法，其能夠抑制由于環(huán)境條件的變化導(dǎo)致的操作錯(cuò)誤和/或性能的改變。
[0007]至少一個(gè)示例實(shí)施例提供了一種用于操作NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的方法，所述方法包括步驟:檢測(cè)NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度降低至第一閾溫度水平以下；以及響應(yīng)于檢測(cè)到NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度降低至第一閾溫度水平以下，調(diào)整存儲(chǔ)器存取操作的操作條件。
[0008]至少一個(gè)其它示例實(shí)施例提供了一種NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)，該NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)包括:溫度傳感器，其構(gòu)造為檢測(cè)NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度降低至第一閾溫度水平以下；以及控制電路，其構(gòu)造為響應(yīng)于檢測(cè)到溫度降低至第一閾溫度水平以下，調(diào)整存儲(chǔ)器存取操作的操作條件。
[0009]根據(jù)至少一些示例實(shí)施例，所述操作條件可為以下之一:(i)存儲(chǔ)器存取操作的數(shù)據(jù)I/0速度，(ii)存儲(chǔ)器存取操作的讀電壓電平，以及(iii)NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。
[0010]根據(jù)至少一些示例實(shí)施例，所述操作條件可為存儲(chǔ)器存取操作的數(shù)據(jù)I/O速度;并且所述調(diào)整的步驟可包括:響應(yīng)于檢測(cè)到NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度降低至第一閾溫度水平以下，將存儲(chǔ)器存取操作的數(shù)據(jù)I/O速度從第一數(shù)據(jù)I/O速度減小至第二數(shù)據(jù)I/O速度。
[0011]所述方法還可包括步驟:檢測(cè)NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度進(jìn)一步降低至第二閾溫度水平以下，第二閾溫度水平低于第一閾溫度水平；以及響應(yīng)于檢測(cè)到NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度進(jìn)一步降低至第二閾溫度水平以下，將存儲(chǔ)器存取操作的數(shù)據(jù)I/O速度從第二數(shù)據(jù)I/O速度減小至第三I/O速度。
[0012]所述方法還可包括步驟:檢測(cè)NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度升高至第一閾溫度水平以上；以及響應(yīng)于檢測(cè)到NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度升高至第一閾溫度水平以上，將存儲(chǔ)器存取操作的數(shù)據(jù)I/O速度從第二數(shù)據(jù)I/O速度增大至第一數(shù)據(jù)I/O速度。
[0013]根據(jù)至少一些示例實(shí)施例，所述操作條件可為存儲(chǔ)器存取操作的讀電壓電平;并且所述調(diào)整的步驟可包括:響應(yīng)于檢測(cè)到NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度降低至第一閾溫度水平以下，將存儲(chǔ)器存取操作的讀電壓電平從第一讀電壓電平增大至第二讀電壓電平。
[0014]所述方法還可包括步驟:檢測(cè)NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度進(jìn)一步降低至第二閾溫度水平以下，第二閾溫度水平低于第一閾溫度水平；以及響應(yīng)于檢測(cè)到NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度進(jìn)一步降低至第二閾溫度水平以下，將存儲(chǔ)器存取操作的讀電壓電平從第二讀電壓電平增大至第三讀電壓電平。
[0015]所述方法還可包括步驟:檢測(cè)NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度升高至第一閾溫度水平以上；以及響應(yīng)于檢測(cè)到NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度升高至第一閾溫度水平以上，將存儲(chǔ)器存取操作的讀電壓電平從第二讀電壓電平減小至第一讀電壓電平。
[0016]所述調(diào)整的步驟可根據(jù)谷搜索操作調(diào)整存儲(chǔ)器存取操作的讀電壓電平。
[0017]根據(jù)至少一些示例實(shí)施例，所述操作條件可為NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度；并且所述調(diào)整的步驟可包括:響應(yīng)于檢測(cè)到NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度降低至第一閾溫度水平以下，將NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度從第一驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度增大至第二驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。
[0018]所述方法還可包括步驟:檢測(cè)NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度進(jìn)一步降低至第二閾溫度水平以下，第二閾溫度水平低于第一閾溫度水平；以及響應(yīng)于檢測(cè)到NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度進(jìn)一步降低至第二閾溫度水平以下，將NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度從第二驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度增大至第三驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。
[0019]所述方法還可包括步驟:檢測(cè)NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度升高至第一閾溫度水平以上；以及響應(yīng)于檢測(cè)到NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度升高至第一閾溫度水平以上，將NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度從第二驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度減小至第一驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。
[0020]根據(jù)至少一些示例實(shí)施例，NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)可為包括三維VNAND存儲(chǔ)器陣列的三維存儲(chǔ)器系統(tǒng)。三維VNAND存儲(chǔ)器陣列可以單片方式形成于在硅襯底上方一個(gè)或多個(gè)具有有源區(qū)域的存儲(chǔ)器單元的物理層級(jí)中。
[0021]三維VNAND存儲(chǔ)器陣列可包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元，所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元中的每一個(gè)包括電荷俘獲層?？稍谌SVNAND存儲(chǔ)器陣列的各層級(jí)之間共享三維VNAND存儲(chǔ)器陣列中的字線和位線中的至少之一。
[0022]根據(jù)至少一些示例實(shí)施例，存儲(chǔ)器存取操作可為讀操作和寫操作之一。
[0023]至少一個(gè)其它示例實(shí)施例提供了一種用于操作存儲(chǔ)器系統(tǒng)的方法，所述方法包括步驟:基于與存儲(chǔ)器系統(tǒng)關(guān)聯(lián)的溫度信息調(diào)整存儲(chǔ)器存取操作的數(shù)據(jù)I/O速度。如果溫度信息指示存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度低于第一閾溫度水平，則所述調(diào)整的步驟將存儲(chǔ)器存取操作的數(shù)據(jù)I/O速度調(diào)整至第一數(shù)據(jù)I/O速度;如果溫度信息指示存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度在第一閾溫度水平與第二閾溫度水平之間，則所述調(diào)整的步驟將存儲(chǔ)器存取操作的數(shù)據(jù)I/O速度調(diào)整至第二數(shù)據(jù)I/O速度;并且如果溫度信息指示存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度高于第二閾溫度水平，則所述調(diào)整的步驟將存儲(chǔ)器存取操作的數(shù)據(jù)I/O速度調(diào)整至第三數(shù)據(jù)I/O速度。
[0024]至少一個(gè)其它示例實(shí)施例提供了一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)，該存儲(chǔ)器系統(tǒng)包括:控制電路，其構(gòu)造為基于與存儲(chǔ)器系統(tǒng)關(guān)聯(lián)的溫度信息調(diào)整存儲(chǔ)器存取操作的數(shù)據(jù)I/O速度?？刂齐娐窐?gòu)造為:如果溫度信息指示存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度低于第一閾溫度水平，則將存儲(chǔ)器存取操作的數(shù)據(jù)I/O速度調(diào)整至第一數(shù)據(jù)I/O速度;如果溫度信息指示存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度在第一閾溫度水平與第二閾溫度水平之間，則將存儲(chǔ)器存取操作的數(shù)據(jù)I/O速度調(diào)整至第二數(shù)據(jù)I/O速度；以及如果溫度信息指示存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度高于第二閾溫度水平，則將存儲(chǔ)器存取操作的數(shù)據(jù)I/o速度調(diào)整至第三數(shù)據(jù)I/O速度。
[0025]第一數(shù)據(jù)I/O速度和第三數(shù)據(jù)I/O速度可小于第二數(shù)據(jù)I/O速度。
[0026]存儲(chǔ)器存取操作可為讀操作和寫操作之一。
[0027]根據(jù)至少一些示例實(shí)施例，所述調(diào)整的步驟可包括:調(diào)整存儲(chǔ)器存取操作的時(shí)鐘的頻率，以改變存儲(chǔ)器存取操作的數(shù)據(jù)I/O速度。
[0028]存儲(chǔ)器存取操作可為讀操作;并且所述方法還可包括步驟:基于調(diào)整后的數(shù)據(jù)I/O速度確定讀操作的讀電壓。
[0029]所述確定的步驟可利用谷搜索操作確定讀操作的讀電壓。
[0030]至少一個(gè)其它示例實(shí)施例提供了一種用于操作NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的方法，所述方法包括步驟:檢測(cè)NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度降低至第一閾溫度水平以下；以及響應(yīng)于檢測(cè)到NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度降低至第一閾溫度水平以下，減小存儲(chǔ)器存取操作的時(shí)鐘頻率和數(shù)據(jù)I/O速度中的至少一個(gè)。
[0031]至少一個(gè)其它示例實(shí)施例提供了一種NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)，該NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)包括:溫度傳感器，其構(gòu)造為檢測(cè)NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度降低至第一閾溫度水平以下；以及時(shí)鐘控制電路，其構(gòu)造為響應(yīng)于檢測(cè)到NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度降低至第一閾溫度水平以下，減小存儲(chǔ)器存取操作的時(shí)鐘頻率和數(shù)據(jù)I/O速度中的至少一個(gè)。
[0032]根據(jù)至少一些示例實(shí)施例，所述方法還可包括步驟:在執(zhí)行存儲(chǔ)器存取操作時(shí)，檢測(cè)錯(cuò)誤;并且其中，響應(yīng)于檢測(cè)到錯(cuò)誤，所述減小的步驟減小存儲(chǔ)器存取操作的時(shí)鐘頻率和數(shù)據(jù)I /0速度中的至少一個(gè)。
[0033]所述方法還可包括步驟:在執(zhí)行存儲(chǔ)器存取操作的第一迭代時(shí)，檢測(cè)第一錯(cuò)誤;響應(yīng)于檢測(cè)到第一錯(cuò)誤，調(diào)整存儲(chǔ)器存取操作的第二迭代的操作條件，所述操作條件為以下之一:(i)存儲(chǔ)器存取操作的讀電壓電平，以及(ii)NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度；以及根據(jù)調(diào)整后的操作條件以及存儲(chǔ)器存取操作的時(shí)鐘頻率和數(shù)據(jù)I/O速度中的至少減小的一個(gè)執(zhí)行存儲(chǔ)器存取操作的第二迭代。
[0034]所述方法還可包括步驟:在執(zhí)行存儲(chǔ)器存取操作的第一迭代時(shí)，檢測(cè)第一錯(cuò)誤;響應(yīng)于檢測(cè)到第一錯(cuò)誤，調(diào)整存儲(chǔ)器存取操作的第二迭代的操作條件，所述操作條件為以下之一:(i)存儲(chǔ)器存取操作的讀電壓電平，以及(ii)NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度;根據(jù)調(diào)整后的操作條件執(zhí)行存儲(chǔ)器存取操作的第二迭代；在執(zhí)行存儲(chǔ)器存取操作的第二迭代時(shí)，檢測(cè)第二錯(cuò)誤;并且其中響應(yīng)于檢測(cè)到第二錯(cuò)誤，所述減小的步驟減小存儲(chǔ)器存取操作的時(shí)鐘頻率和數(shù)據(jù)I/O速度中的至少一個(gè)。
[0035]所述減小的步驟可將存儲(chǔ)器存取操作的時(shí)鐘頻率和數(shù)據(jù)I/O速度中的至少一個(gè)從第一水平減小至第二水平;并且所述方法還可包括步驟:檢測(cè)NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度降低至第二閾溫度水平以下，所述第二閾溫度水平低于第一閾溫度水平；以及響應(yīng)于檢測(cè)到NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度降低至第二閾溫度水平以下，將存儲(chǔ)器存取操作的時(shí)鐘頻率和數(shù)據(jù)I/O速度中的至少一個(gè)從第二水平減小至第三水平。
[0036]所述減小的步驟可將存儲(chǔ)器存取操作的時(shí)鐘頻率和數(shù)據(jù)I/O速度中的至少一個(gè)從第一水平減小至第二水平;并且所述方法還可包括步驟:檢測(cè)NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度升高至第一閾溫度水平以上；以及響應(yīng)于檢測(cè)到NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度升高至第一閾溫度水平以上，將存儲(chǔ)器存取操作的時(shí)鐘頻率和數(shù)據(jù)I/O速度中的至少一個(gè)從第二水平增大至第一水平。
[0037]存儲(chǔ)器存取操作可為讀操作；并且所述方法還可包括步驟:基于調(diào)整后的存儲(chǔ)器存取操作的時(shí)鐘頻率和數(shù)據(jù)I /0速度中的至少一個(gè)，確定讀操作的讀電壓。
[0038]所述確定的步驟可利用谷搜索操作確定讀操作的讀電壓。
[0039]至少一個(gè)其它示例實(shí)施例提供了一種用于操作NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的方法，所述方法包括步驟:檢測(cè)NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度降低至第一閾溫度水平以下；以及響應(yīng)于檢測(cè)到NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度降低至第一閾溫度水平以下，根據(jù)NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的單元晶體管的溫度電阻特征調(diào)整存儲(chǔ)器存取操作的操作條件。
[0040]至少一個(gè)其它示例實(shí)施例提供了一種用于操作NAND閃速存儲(chǔ)器控制器的方法，所述方法包括步驟:檢測(cè)NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度降低至第一閾溫度水平以下；以及響應(yīng)于檢測(cè)到NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度降低至第一閾溫度水平以下，通過(guò)NAND閃速存儲(chǔ)器控制器調(diào)整存儲(chǔ)器存取操作的操作條件。
【附圖說(shuō)明】
[0041]通過(guò)以下參照附圖的描述，示例實(shí)施例將變得更加清楚，其中除非另有說(shuō)明，否則相同的附圖標(biāo)記在不同的附圖中始終指代相同的部件，并且其中:
[0042]圖1是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的框圖；
[0043]圖2和圖3是示意性地示出圖1所示的存儲(chǔ)器控制器的示例實(shí)施例的框圖；
[0044]圖4是用于描述圖1至圖3所示的時(shí)鐘控制單元的示例實(shí)施例的示例操作的流程圖；
[0045]圖5是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的基于閃速存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)裝置的框圖；
[0046]圖6是示意性地示出圖5的閃速存儲(chǔ)器具有三維結(jié)構(gòu)的示例實(shí)施例的框圖；
[0047]圖7是示意性地示出圖6所示的存儲(chǔ)塊的三維結(jié)構(gòu)的示例實(shí)施例的透視圖；
[0048]圖8是圖6所示的存儲(chǔ)塊的示例實(shí)施例的等效電路；
[0049]圖9是示出圖7和圖8所示的存儲(chǔ)器單元中的示例電阻變化的曲線圖；
[0050]圖10是示出根據(jù)數(shù)據(jù)I/O速度的變化的示例數(shù)據(jù)錯(cuò)誤緩解率和根據(jù)溫度變化的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤率的表；
[0051]圖11是示出數(shù)據(jù)I/O速度逐漸減小的示例實(shí)施例的時(shí)序圖；
[0052]圖12是示出當(dāng)數(shù)據(jù)I/O速度從AAAMbps減小至CCC Mbps時(shí)的操作電壓的示例波形的曲線圖；
[0053]圖13是示意性地示出圖5所示的時(shí)鐘控制單元2250的示例實(shí)施例的框圖；
[0054]圖14是用于描述圖5所示的時(shí)鐘控制單元2250的示例操作的流程圖；
[0055]圖15是用于描述圖14所示的第一谷搜索操作和第二谷搜索操作的示例實(shí)施例的示圖；
[0056]圖16是示意性地示出在主機(jī)中實(shí)施時(shí)鐘控制單元的示例實(shí)施例的框圖；
[0057]圖17是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一示例實(shí)施例的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的框圖；
[0058]圖18是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的又一示例實(shí)施例的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的框圖；
[0059]圖19是示出包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的固態(tài)盤(SSD)系統(tǒng)的框圖；
[0000]圖20是示意性地示出圖19所示的SSD控制器的示例實(shí)施例的框圖；
[0061]圖21是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置的框圖；
[0062]圖22是示意性地示出包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的電子裝置的框圖；
[0063]圖23是示意性地示出包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的存儲(chǔ)卡系統(tǒng)的框圖；
[0064]圖24是示意性地示出包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置的移動(dòng)裝置的框圖；
[0065]圖25是用于描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的時(shí)鐘控制單元的示例操作的數(shù)據(jù)I/O速度-溫度的曲線圖；
[0066]圖26是示出針對(duì)在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置上執(zhí)行的存儲(chǔ)器存取操作，用于控制數(shù)據(jù)I/O速度的方法的示例實(shí)施例的流程圖；
[0067]圖27是用于描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的電壓控制單元的示例操作的操作電壓-溫度的曲線圖；以及
[0068]圖28是用于描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度控制單元的示例操作的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度-溫度的曲線圖。
【具體實(shí)施方式】
[0069]將參照附圖詳細(xì)描述示例實(shí)施例。然而，本發(fā)明構(gòu)思可按照許多不同形式實(shí)現(xiàn)，并且不應(yīng)理解為僅限于示出的示例實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例作為示例是為了使得本公開將是徹底和完整的，并且將把本發(fā)明構(gòu)思完全傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。因此，未參照本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例描述已知的處理、元件和技術(shù)。除非另有說(shuō)明，否則相同的附圖標(biāo)記在附圖和書面說(shuō)明中始終指代相同的元件，因此將不重復(fù)進(jìn)行描述。在附圖中，為了清楚起見，可夸大層和區(qū)的大小和相對(duì)大小。
[0070]應(yīng)該理解，雖然本文中可使用術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”等來(lái)描述多個(gè)元件、組件、區(qū)、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)、層和/或部分不應(yīng)被這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅用于將一個(gè)元件、組件、區(qū)、層或部分與另一區(qū)、層或部分區(qū)分開。因此，下面討論的第一元件、第一組件、第一區(qū)、第一層或第一部分可被稱作第二元件、第二組件、第二區(qū)、第二層或第二部分，而不脫離本發(fā)明構(gòu)思的教導(dǎo)。
[0071]為了方便描述，本文中可使用諸如“在……下方”、“在……之下”、“下”、“下方”、“在……之上”、“上”等的空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)，以描述附圖中所示的一個(gè)元件或特征與另一個(gè)(一些)元件或特征的關(guān)系。應(yīng)該理解，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)旨在涵蓋使用或操作中的裝置的除圖中所示的取向之外的不同取向。例如，如果圖中的裝置顛倒，則被描述為“在其它元件或特征之下”或“在其它元件或特征下方”的元件將因此被取向?yàn)椤霸谄渌蛱卣髦稀?。因此，示例性術(shù)語(yǔ)“在……之下”和“下方”可涵蓋“在……之上”和“在……之下”這兩個(gè)取向。裝置可按照其它方式取向(旋轉(zhuǎn)90度或位于其它取向)，并且本文所用的空間相對(duì)描述語(yǔ)將相應(yīng)地解釋。另外，還應(yīng)該理解，當(dāng)一層被稱作位于兩層“之間”時(shí)，所述一層可為該兩層之間的唯一層，或者也可存在一個(gè)或多個(gè)中間層。
[0072]本文所用的術(shù)語(yǔ)僅是為了描述特定實(shí)施例，而不旨在限制本發(fā)明構(gòu)思。如本文所用，除非上下文清楚地指明不是這樣，否則單數(shù)形式“一”、“一個(gè)”和“該”也旨在包括復(fù)數(shù)形式。還應(yīng)該理解，術(shù)語(yǔ)“包括”和/或“包括……的)當(dāng)用于本說(shuō)明書中時(shí)，指明存在所列特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或添加一個(gè)或多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。如本文所用，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)之一或多個(gè)的任何和所有組合。另外，術(shù)語(yǔ)“示例性”旨在表示示例或說(shuō)明。
[0073]應(yīng)該理解，當(dāng)一個(gè)元件或?qū)颖环Q作“位于”另一元件或?qū)印吧稀薄ⅰ斑B接至”、“結(jié)合至”或“鄰近于”另一元件或?qū)訒r(shí)，所述一個(gè)元件或?qū)涌芍苯游挥谒隽硪辉驅(qū)由?、連接至、結(jié)合至或鄰近于所述另一元件或?qū)?，或者可存在中間元件或?qū)?。相反，?dāng)一個(gè)元件被稱作“直接位于”另一元件或?qū)印吧稀?、“直接連接至”、“直接結(jié)合至”或“緊挨著”另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在中間元件或?qū)印?br>[0074]除非另外限定，否則本文中使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有與本發(fā)明構(gòu)思所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員之一通常理解的含義相同的含義。還應(yīng)該理解，除非本文中明確這樣定義，否則諸如在通用詞典中定義的那些的術(shù)語(yǔ)應(yīng)該被解釋為具有與它們?cè)谙嚓P(guān)技術(shù)和/或本說(shuō)明書的上下文中的含義一致的含義，而不應(yīng)該理想化或過(guò)于正式的含義解釋它們。
[0075]在以下描述中，應(yīng)該理解，當(dāng)諸如層、區(qū)、襯底、板或構(gòu)件的元件被稱作“位于”另一元件上時(shí)，其可直接位于所述另一元件上，或者可存在中間元件。相反，術(shù)語(yǔ)“直接”意指不存在中間元件。
[0076]雖然與一些剖視圖的對(duì)應(yīng)的平面圖和/或透視圖可能沒(méi)有示出，但是本文示出的器件結(jié)構(gòu)的剖視圖針對(duì)沿著平面圖中將示出的兩個(gè)不同方向和/或在透視圖中將示出的三個(gè)不同方向上延伸的多個(gè)器件結(jié)構(gòu)提供了支持。所述兩個(gè)不同方向可以彼此正交或可以不彼此正交。所述三個(gè)不同方向可包括可以與所述兩個(gè)不同方向正交的第三方向。所述多個(gè)器件結(jié)構(gòu)可在相同電子裝置中集成。例如，當(dāng)在剖視圖中示出器件結(jié)構(gòu)(例如，存儲(chǔ)器單元結(jié)構(gòu)或晶體管結(jié)構(gòu))時(shí)，電子裝置可包括多個(gè)所述器件結(jié)構(gòu)(例如，存儲(chǔ)器單元結(jié)構(gòu)或晶體管結(jié)構(gòu))，如將通過(guò)電子裝置的平面圖示出的那樣。所述多個(gè)器件結(jié)構(gòu)可按照陣列和/或按照二維圖案排列。
[0077]除非特別另外說(shuō)明，或者從討論中清楚地知道，否則諸如“處理”或“計(jì)算”或“確定”或“顯示”等的術(shù)語(yǔ)是指計(jì)算機(jī)系統(tǒng)或類似電子計(jì)算裝置的行為和處理，所述計(jì)算機(jī)系統(tǒng)或類似電子計(jì)算裝置操縱表達(dá)為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的寄存器和存儲(chǔ)器中的物理量、電子量的數(shù)據(jù)并將其改變?yōu)橄嗨频乇磉_(dá)為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)存儲(chǔ)器或寄存器或其它這種信息存儲(chǔ)、傳輸或顯示裝置中的物理量的其它數(shù)據(jù)。
[0078]在以下描述中提供特定細(xì)節(jié)，以提供對(duì)示例實(shí)施例的徹底理解。然而，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員之一應(yīng)該理解，可在不用這些特定細(xì)節(jié)的情況下實(shí)施示例實(shí)施例。例如，可按照框圖示出系統(tǒng)，以避免不必要的細(xì)節(jié)使示例實(shí)施例模糊。在其它情況下，可在丟開不必要的細(xì)節(jié)的情況下示出已知的處理、結(jié)構(gòu)和技術(shù)，以避免使示例實(shí)施例模糊。
[0079]在以下描述中，可參照可實(shí)現(xiàn)為程序模塊或功能性處理的操作的行為和象征性表達(dá)(例如，以流程圖、流圖、數(shù)據(jù)流圖、結(jié)構(gòu)圖、框圖等的形式)來(lái)描述示出性的實(shí)施例，所述程序模塊或功能性處理包括執(zhí)行特定任務(wù)或?qū)崿F(xiàn)特定抽象數(shù)據(jù)類型的例程、程序、對(duì)象、組件、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)等。可在現(xiàn)有電子系統(tǒng)(例如，存儲(chǔ)器系統(tǒng)、系統(tǒng)芯片(SoC)裝置、SoC系統(tǒng)、諸如個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、智能電話、平板個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)、筆記本計(jì)算機(jī)的電子裝置，等)中利用現(xiàn)有硬件來(lái)實(shí)現(xiàn)操作。這種現(xiàn)有硬件可包括中央處理單元(CPU)、數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、專用集成電路(ASIC)、SoC、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)、計(jì)算機(jī)等中的一個(gè)或多個(gè)。
[0080]此外，時(shí)鐘控制單元、電壓控制單元、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度控制單元、它們的組件等的一個(gè)或多個(gè)示例實(shí)施例可實(shí)現(xiàn)為(或包括)硬件、固件、執(zhí)行軟件的硬件或它們的任何組合。這種硬件可包括構(gòu)造為專用機(jī)器或處理電路的CPU、SoC、DSP、ASIC、FPGA、計(jì)算機(jī)等中的一個(gè)或多個(gè)，以執(zhí)行本文描述的功能以及這些元件的任何其它已知的功能。在至少一些情況下，CPU、SoC、DSP、ASIC和FPGA可通常稱作處理電路、處理器和/或微處理器。雖然諸如時(shí)鐘控制單元、電壓控制單元、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度控制單元等的組件可稱作為“單元”，但是這些組件也可被稱作“電路”。
[0081]雖然流程圖可將操作描述為按順序的處理，但是許多操作可平行執(zhí)行、一并執(zhí)行和/或同時(shí)執(zhí)行。另外，操作的順序可重排。當(dāng)處理的操作完成時(shí)，處理可終止，但是也可具有圖中未包括的額外步驟。處理可對(duì)應(yīng)于方法、函數(shù)、工序、子例程、子程序等。當(dāng)處理對(duì)應(yīng)于函數(shù)時(shí)，其結(jié)束可對(duì)應(yīng)于該函數(shù)返回至調(diào)用函數(shù)或主函數(shù)。
[0082]如本文的公開，術(shù)語(yǔ)“存儲(chǔ)介質(zhì)”、“計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)”或“非臨時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)”可表示用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的一個(gè)或多個(gè)裝置，其包括只讀存儲(chǔ)器(R0M)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、磁性RAM、磁心存儲(chǔ)器、磁盤存儲(chǔ)介質(zhì)、光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)、閃速存儲(chǔ)器裝置和/或用于存儲(chǔ)信息的其它有形機(jī)器可讀介質(zhì)。術(shù)語(yǔ)“計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)”可包括(但不限于)便攜式或固定存儲(chǔ)裝置、光學(xué)存儲(chǔ)裝置和能夠存儲(chǔ)、包含或攜帶指令和/或數(shù)據(jù)的各種其它介質(zhì)。
[0083]此外，示例實(shí)施例的至少一些部分可通過(guò)硬件、軟件、固件、中間件、微代碼、硬件描述語(yǔ)言或它們的任何組合來(lái)實(shí)現(xiàn)。當(dāng)按照軟件、固件、中間件或微代碼實(shí)現(xiàn)時(shí)，可將用于執(zhí)行必要任務(wù)的程序代碼或代碼段存儲(chǔ)在機(jī)器或諸如計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中。當(dāng)按照軟件實(shí)現(xiàn)時(shí)，可將處理器、處理電路或處理單元編程，以執(zhí)行必要任務(wù)，從而轉(zhuǎn)變?yōu)閷Ｓ锰幚黼娐?、處理器或?jì)算機(jī)。
[0084]代碼段可表達(dá)工序、函數(shù)、子程序、程序、例程、子例程、模塊、軟件包、類，或者指令、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)或程序語(yǔ)句的任何組合。代碼段可通過(guò)傳遞和/或接收信息、數(shù)據(jù)、自變量、參數(shù)或存儲(chǔ)器內(nèi)容與另一代碼段或硬件電路結(jié)合。信息、自變量、參數(shù)、數(shù)據(jù)等可經(jīng)包括存儲(chǔ)器共享、消息傳遞、令牌傳遞、網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)鹊娜魏魏线m的方法傳遞、前進(jìn)或發(fā)送。
[0085]基于閃速存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)裝置的性能和操作錯(cuò)誤產(chǎn)生率會(huì)根據(jù)諸如溫度、電壓、天氣、壓強(qiáng)等的環(huán)境條件而改變。例如，現(xiàn)有技術(shù)的存儲(chǔ)裝置當(dāng)在室溫(例如，約20°C)下使用時(shí)可正常地(例如，相對(duì)較好地)操作，但是當(dāng)在相對(duì)較冷的溫度(例如，小于或等于約-10°c)下使用時(shí)會(huì)不正常地操作。此外，會(huì)因?yàn)楦鞣N原因發(fā)生現(xiàn)有技術(shù)的存儲(chǔ)裝置的操作錯(cuò)誤。然而，主要原因是，作為在相對(duì)較冷的或相對(duì)較熱的溫度環(huán)境下使用的結(jié)果，存儲(chǔ)器裝置中使用的單元晶體管的溫度特征的改變。
[0086]本發(fā)明構(gòu)思的一個(gè)或多個(gè)示例實(shí)施例提供了存儲(chǔ)裝置、存儲(chǔ)器控制器、存儲(chǔ)器系統(tǒng)和/或它們的操作方法，能夠降低由于例如使用裝置的環(huán)境的條件的變化導(dǎo)致的操作錯(cuò)誤和/或性能的改變。如本文討論的那樣，在一些情況下，環(huán)境的條件可指環(huán)境條件。
[0087]圖1是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的存儲(chǔ)器系統(tǒng)1000的框圖。
[0088]參照?qǐng)D1，存儲(chǔ)器系統(tǒng)1000包括:存儲(chǔ)器裝置1100;存儲(chǔ)器控制器1200;以及主機(jī)1300ο
[0089]存儲(chǔ)器裝置1100可由存儲(chǔ)器控制器1200控制，并且可響應(yīng)于從存儲(chǔ)器控制器1200接收的命令(例如，讀命令、寫命令等)進(jìn)行操作。存儲(chǔ)器裝置1100可包括諸如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)、靜態(tài)RAM(SRAM)等的易失性存儲(chǔ)器和諸如電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、鐵電RAM(FRAM)、相變RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、閃速存儲(chǔ)器等的非易失性存儲(chǔ)器。
[0090]根據(jù)至少一些示例實(shí)施例，非易失性存儲(chǔ)器可實(shí)現(xiàn)為包括三維(3D)存儲(chǔ)器陣列。3D存儲(chǔ)器陣列可以單片方式形成在襯底(例如，諸如硅襯底或絕緣體上半導(dǎo)體襯底的半導(dǎo)體襯底)上。3D存儲(chǔ)器陣列可包括兩個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)器單元的物理層級(jí)，其具有設(shè)置在襯底和與這些存儲(chǔ)器單元的操作關(guān)聯(lián)的電路(無(wú)論這種關(guān)聯(lián)的電路在所述襯底上方還是在所述襯底內(nèi))上方的有源區(qū)域。所述陣列的各層級(jí)的層可沉積(例如，直接沉積)在所述陣列的各下一層級(jí)的層上。
[0091]在一個(gè)或多個(gè)示例實(shí)施例中，3D存儲(chǔ)器陣列可包括豎直地取向以使得至少一個(gè)存儲(chǔ)器單元位于另一存儲(chǔ)器單元上方的豎直NAND(VNAND)串。至少一個(gè)存儲(chǔ)器單元可包括電荷俘獲層。每個(gè)VNAND串還可包括位于存儲(chǔ)器單元上方的至少一個(gè)選擇晶體管。所述至少一個(gè)選擇晶體管可與存儲(chǔ)器單元具有相同結(jié)構(gòu)，并且可以單片方式與存儲(chǔ)器單元一起形成。
[0092]以引用方式全文并入本文的以下專利文獻(xiàn)描述了三維存儲(chǔ)器陣列的適當(dāng)構(gòu)造，其中三維存儲(chǔ)器陣列構(gòu)造為多個(gè)層級(jí)，在各層級(jí)之間共享字線和/或位線，所述專利文獻(xiàn)有:美國(guó)專利如.7，679，13340.8，553，466;如.8，654，587;如.8，559，235;以及美國(guó)專利申請(qǐng)公開 N0.2011/0233648。
[0093]回到圖1，存儲(chǔ)器控制器1200連接在存儲(chǔ)器裝置1100與主機(jī)1300之間。存儲(chǔ)器控制器1200可響應(yīng)于主機(jī)1300的讀請(qǐng)求從存儲(chǔ)器裝置1100讀取數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器控制器1200可將讀取的數(shù)據(jù)發(fā)送至主機(jī)1300。存儲(chǔ)器控制器1200也可從主機(jī)1300接收寫請(qǐng)求和數(shù)據(jù)，并且可響應(yīng)于寫請(qǐng)求將寫數(shù)據(jù)提供至存儲(chǔ)器裝置1100。
[0094]主機(jī)1300可根據(jù)一個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)通信協(xié)議與存儲(chǔ)器控制器1200進(jìn)行通信。例如，主機(jī)1300可通過(guò)多種接口協(xié)議中的至少一個(gè)與存儲(chǔ)器控制器1200進(jìn)行通信，所述多種接口協(xié)議諸如通用串行總線(USB)協(xié)議、嵌入式多媒體卡(eMMC)協(xié)議、通用閃存(UFS)協(xié)議、外設(shè)組件互連(PCI)協(xié)議、快速PCI (PC1-E)協(xié)議、先進(jìn)技術(shù)附件(ATA)協(xié)議、串行ATA( SATA)協(xié)議、并行ATA(PATA)協(xié)議、小計(jì)算機(jī)小接口(SCSI)協(xié)議、增強(qiáng)型小磁盤接口(ESDI)協(xié)議、集成驅(qū)動(dòng)器電子器件(IDE)協(xié)議、火線協(xié)議等。
[0095]存儲(chǔ)器裝置1100和存儲(chǔ)器控制器1200可與時(shí)鐘(也稱作時(shí)鐘信號(hào))的躍迀同步地交換數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器裝置1100與存儲(chǔ)器控制器1200之間的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移(也稱作輸入/輸出)方法可包括:單數(shù)據(jù)速率(SDR)，其中在時(shí)鐘的上升躍迀或下降躍迀中輸入和輸出數(shù)據(jù);雙數(shù)據(jù)速率(DDR)，其中在時(shí)鐘的上升躍迀和下降躍迀中輸入和輸出數(shù)據(jù);等。存儲(chǔ)器控制器1200可在讀操作中與讀時(shí)鐘的躍迀同步地從存儲(chǔ)器裝置1100中讀取數(shù)據(jù)，并且可在寫操作中與寫時(shí)鐘的躍迀同步地將數(shù)據(jù)提供至存儲(chǔ)器裝置1100。讀時(shí)鐘和寫時(shí)鐘通常可稱作操作時(shí)鐘。相似地，如本文討論的那樣，讀電壓和寫電壓可稱作操作電壓，并且讀操作和寫操作可稱作存儲(chǔ)器存取操作。
[0096]仍參照?qǐng)D1，存儲(chǔ)器控制器1200包括時(shí)鐘控制單元1250。時(shí)鐘控制單元1250可控制存儲(chǔ)器裝置1100的數(shù)據(jù)I/o速度。可通過(guò)改變一個(gè)或多個(gè)操作時(shí)鐘(諸如讀時(shí)鐘和/或?qū)憰r(shí)鐘)的頻率來(lái)調(diào)整存儲(chǔ)器裝置1100的數(shù)據(jù)I/O速度。數(shù)據(jù)I/O速度隨著時(shí)鐘頻率增大而增大，并且隨著時(shí)鐘頻率減小而減小?？砂凑崭鞣N方式實(shí)現(xiàn)時(shí)鐘控制單元1250。例如，時(shí)鐘控制單元1250可實(shí)現(xiàn)為硬件、在硬件上執(zhí)行的諸如算法的軟件、固件等，或者硬件和軟件的組合。
[0097]圖2和圖3是示意性地示出圖1所示的存儲(chǔ)器控制器1200的示例實(shí)施例的框圖。圖2示出了存儲(chǔ)器控制器1200a的示例實(shí)施例，其中時(shí)鐘控制單元1250通過(guò)硬件實(shí)現(xiàn)，而圖3示出了存儲(chǔ)器控制器1200b的示例實(shí)施例，其中時(shí)鐘控制單元1250由通過(guò)硬件執(zhí)行的軟件模塊實(shí)現(xiàn)。
[0098]參照?qǐng)D2，存儲(chǔ)器控制器1200a包括:存儲(chǔ)器接口 1210;主機(jī)接口 1220;中央處理單元(CPU) 1230;隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM) 1240;時(shí)鐘控制單元1250和只讀存儲(chǔ)器(ROM) 1260。
[0099]存儲(chǔ)器接口 1210結(jié)合至存儲(chǔ)器裝置1100。存儲(chǔ)器接口 1210可與操作時(shí)鐘的躍迀同步地從存儲(chǔ)器裝置1100中讀取數(shù)據(jù)或者將數(shù)據(jù)提供至存儲(chǔ)器裝置1100。存儲(chǔ)器接口 1210可基于存儲(chǔ)器裝置1100的類型利用各種方法發(fā)送和接收數(shù)據(jù)。例如，當(dāng)存儲(chǔ)器裝置1100是NAND閃速存儲(chǔ)器裝置時(shí)，存儲(chǔ)器接口 1210可根據(jù)NAND閃存接口方法交換數(shù)據(jù)。NAND閃速存儲(chǔ)器可分別與讀使能信號(hào)nRE或?qū)懯鼓苄盘?hào)nWE的躍迀同步地輸出或接收數(shù)據(jù)。如本文討論的那樣，NAND閃速存儲(chǔ)器可為2D或3D NAND。
[0100]仍參照?qǐng)D2，CPU1230可控制存儲(chǔ)器控制器1200a的整體操作，并且執(zhí)行算法、程序等的所有操作。當(dāng)從主機(jī)1300接收寫請(qǐng)求或讀請(qǐng)求時(shí)，CPU 1230可控制存儲(chǔ)器控制器1200a的整體操作以在存儲(chǔ)器裝置1100上執(zhí)行寫操作或讀操作。CPU 1230可根據(jù)CPU時(shí)鐘進(jìn)行操作，并且可控制RAM 1240、時(shí)鐘控制單元1250和ROM 1260。
[0101]RAM 1240可在CPU 1230的控制下進(jìn)行操作。RAM 1240可用作工作存儲(chǔ)器、緩沖存儲(chǔ)器、高速緩沖存儲(chǔ)器等。當(dāng)用作工作存儲(chǔ)器時(shí)，RAM 1240可臨時(shí)性存儲(chǔ)通過(guò)CPU 1230處理的數(shù)據(jù)。當(dāng)用作緩沖存儲(chǔ)器時(shí)，RAM 1240可緩沖從主機(jī)1300轉(zhuǎn)移至存儲(chǔ)器裝置1100或從存儲(chǔ)器裝置1100轉(zhuǎn)移至主機(jī)1300的數(shù)據(jù)。
[0102]當(dāng)用作高速緩沖存儲(chǔ)器時(shí)，RAM1240可允許相對(duì)較低速存儲(chǔ)器裝置1100以相對(duì)較高速操作。在這種情況下，可將存儲(chǔ)在RAM 1240的文件數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)儲(chǔ)至存儲(chǔ)器裝置1100的緩沖區(qū)域中。CHJ 1230可根據(jù)轉(zhuǎn)儲(chǔ)操作管理映射表。當(dāng)存儲(chǔ)器裝置1100是閃速存儲(chǔ)器時(shí)，RAM1240可用作用于驅(qū)動(dòng)閃存轉(zhuǎn)換層(FTL)的驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)器。FTL可用于管理閃速存儲(chǔ)器、映射表等的合并操作。
[0103]仍參照?qǐng)D2，如參照?qǐng)D1的描述，時(shí)鐘控制單元1250可控制存儲(chǔ)器裝置1100的數(shù)據(jù)I/O速度。時(shí)鐘控制單元1250可例如通過(guò)劃分CPU 1230的CPU時(shí)鐘來(lái)改變將被提供至存儲(chǔ)器裝置1100的讀時(shí)鐘和/或?qū)憰r(shí)鐘(操作時(shí)鐘)的頻率。時(shí)鐘控制單元1250可接收與存儲(chǔ)器系統(tǒng)1000的環(huán)境條件的變化關(guān)聯(lián)的信息，并且可基于接收到的信息改變或調(diào)整將被提供至存儲(chǔ)器裝置1100的操作時(shí)鐘的頻率。存儲(chǔ)器系統(tǒng)1000的環(huán)境條件可包括存儲(chǔ)器系統(tǒng)1000的溫度、存儲(chǔ)器系統(tǒng)1000的環(huán)境溫度、電壓、壓強(qiáng)、氣候、使用時(shí)間等。
[0104]存儲(chǔ)器系統(tǒng)1000的性能和/或操作錯(cuò)誤的出現(xiàn)可根據(jù)使用存儲(chǔ)器系統(tǒng)1000的環(huán)境的條件的改變而變化。在一個(gè)示例中，如果存儲(chǔ)器裝置1100是智能電話，則智能電話的性能和/或操作錯(cuò)誤產(chǎn)生率可根據(jù)智能電話的環(huán)境條件而變化;例如，當(dāng)用戶在熱帶地區(qū)(例如，具有相對(duì)較熱的溫度的地區(qū))使用智能電話時(shí)以及當(dāng)用戶在極地(例如，具有相對(duì)較冷的溫度的地區(qū))使用智能電話時(shí)。智能電話的性能和/或操作錯(cuò)誤的變化可因?yàn)楦鞣N原因出現(xiàn)。在一個(gè)示例中，智能電話的性能和/或操作錯(cuò)誤的變化的原因可為存儲(chǔ)器裝置1100中使用的存儲(chǔ)器單元晶體管的溫度特征。
[0105]為了減小由于存儲(chǔ)器裝置1100的環(huán)境條件的改變導(dǎo)致的性能和/或操作錯(cuò)誤的變化，時(shí)鐘控制單元1250可調(diào)整(或改變)將被提供至存儲(chǔ)器裝置1100的CPU時(shí)鐘、讀時(shí)鐘和/或?qū)憰r(shí)鐘(操作時(shí)鐘)的頻率。例如，時(shí)鐘控制單元1250可在相對(duì)較冷的溫度條件(例如，小于或等于約-10°C)下減小操作時(shí)鐘頻率。時(shí)鐘控制單元1250還可在包括室溫(例如，約200C，或者約-10 °C與約85 °C之間)的較溫暖的溫度將操作時(shí)鐘頻率設(shè)為相對(duì)較高(例如，最大)的值，并且在相對(duì)較熱的溫度(例如，大于或等于約85°C)減小操作時(shí)鐘頻率。通過(guò)按照這種方式調(diào)整操作時(shí)鐘頻率，可提高存儲(chǔ)器系統(tǒng)1000的性能和/或使其最大化，同時(shí)降低其操作錯(cuò)誤和/或使其最小化。
[0106]參照?qǐng)D3，在存儲(chǔ)器控制器1200b中，時(shí)鐘控制單元1250可通過(guò)執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)算法和/或固件的處理電路來(lái)實(shí)現(xiàn)，并且可在RAM1240上驅(qū)動(dòng)。在斷電時(shí)，時(shí)鐘控制單元1250可按照固件的形式存儲(chǔ)在諸如存儲(chǔ)器裝置1100或ROM 1260的非易失性存儲(chǔ)器上。在通電時(shí)，時(shí)鐘控制單元1250可在初始化操作中加載至RAM 1240中。
[0107]當(dāng)存儲(chǔ)器系統(tǒng)1000的環(huán)境條件改變時(shí)，時(shí)鐘控制單元1250可按照與以上參照?qǐng)D2描述的方式相同或基本相同的方式調(diào)整存儲(chǔ)器裝置1100的數(shù)據(jù)I/O速度，從而提高存儲(chǔ)器系統(tǒng)1000的性能和/或使其最大化，同時(shí)降低存儲(chǔ)器系統(tǒng)1000的操作錯(cuò)誤和/或使其最小化。稍后將更加詳細(xì)地描述用于調(diào)整存儲(chǔ)器存取操作的數(shù)據(jù)I/O速度的方法。
[0108]圖4是用于描述時(shí)鐘控制單元1250的示例實(shí)施例的示例操作的流程圖。出于示例的目的，將關(guān)于時(shí)鐘控制單元1250討論圖4所示的示例實(shí)施例。時(shí)鐘控制單元1250可通過(guò)在正常操作中將一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器存取操作的數(shù)據(jù)I/O速度設(shè)為正常(例如，最大)速度，但響應(yīng)于檢測(cè)到存儲(chǔ)器系統(tǒng)1000的操作錯(cuò)誤，降低數(shù)據(jù)I/O速度來(lái)提高性能和/或使其最大化。下面，將更詳細(xì)地描述時(shí)鐘控制單元1250的操作方法的示例實(shí)施例。
[0109]參照?qǐng)D4，在SllO，時(shí)鐘控制單元1250在正常操作中將數(shù)據(jù)I/O速度設(shè)為存儲(chǔ)器存取操作的正常速度。在一個(gè)示例中，時(shí)鐘控制單元1250可在正常操作中將數(shù)據(jù)輸入/輸出的時(shí)鐘頻率設(shè)為最大值，從而使存儲(chǔ)器裝置1100的性能最大化。對(duì)于DDR存儲(chǔ)器，正常數(shù)據(jù)I/O速度可為約400Mbps，對(duì)應(yīng)于約200MHz的時(shí)鐘頻率。
[0110]在S120，在諸如讀操作和/或?qū)懖僮鞯拇鎯?chǔ)器存取操作的第一迭代中，時(shí)鐘控制單元1250確定在輸入/輸出數(shù)據(jù)中是否出現(xiàn)錯(cuò)誤。
[0111]根據(jù)至少一個(gè)示例實(shí)施例，時(shí)鐘控制單元1250(或者存儲(chǔ)器控制器1200)通過(guò)將輸入/輸出數(shù)據(jù)的寫錯(cuò)誤校正碼(ECC)與期望的ECC進(jìn)行比較來(lái)確定在輸入/輸出數(shù)據(jù)中是否出現(xiàn)錯(cuò)誤。如果針對(duì)輸入/輸出數(shù)據(jù)的ECC與期望的ECC不同，則時(shí)鐘控制單元1250確定在存儲(chǔ)器存取操作的第一迭代過(guò)程中，在輸入/輸出數(shù)據(jù)中出現(xiàn)了錯(cuò)誤。
[0112]在S120，如果在輸入/輸出數(shù)據(jù)中未出現(xiàn)錯(cuò)誤(否)，則處理返回至SllO并且繼續(xù)正常操作。
[0113]回到S120，如果時(shí)鐘控制單元1250確定在輸入/輸出數(shù)據(jù)中出現(xiàn)錯(cuò)誤(是)，則在S1300，時(shí)鐘控制單元1250執(zhí)行用于修復(fù)錯(cuò)誤的重試操作(下文中，稱作“重試處理”)。
[0114]如下面更詳細(xì)討論的那樣，重試處理可包括多個(gè)操作。在圖4所示的示例實(shí)施例中，重試處理包括兩個(gè)操作。然而，示例實(shí)施例不應(yīng)限于該示例。
[0115]仍參照?qǐng)D4，在重試處理S1300中，在S130，時(shí)鐘控制單元1250調(diào)整存儲(chǔ)器裝置1100的一個(gè)或多個(gè)操作條件(例如，數(shù)據(jù)I/o速度、操作電壓的電平、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度等)。在調(diào)整一個(gè)或多個(gè)操作條件之后，存儲(chǔ)器裝置1100利用調(diào)整后的一個(gè)或多個(gè)操作條件執(zhí)行存儲(chǔ)器存取操作的第二迭代。雖然本文中稱作時(shí)鐘控制單元，但是該單元也可稱作為可調(diào)整操作條件(諸如除時(shí)鐘頻率和數(shù)據(jù)I/O速度以外的操作電壓和驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度)的控制單元(或電路)。關(guān)于這一點(diǎn)，時(shí)鐘控制單元還可包括稍后更加詳細(xì)地描述的電壓控制單元和/或驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度控制單元。
[0116]關(guān)于圖4中的S130更詳細(xì)地說(shuō)明是，如果操作條件是數(shù)據(jù)I/O速度，則時(shí)鐘控制單元1250可將數(shù)據(jù)輸入/輸出操作的第二迭代的數(shù)據(jù)I/O速度調(diào)整和/或設(shè)置為第一數(shù)據(jù)I/O速度。在一個(gè)示例中，第一數(shù)據(jù)I/o速度可為正常速度以提高存儲(chǔ)器系統(tǒng)1000的性能和/或使其最大化。在另一示例中，時(shí)鐘控制單元1250可將數(shù)據(jù)I/O速度從正常速度減小至小于正常速度的第一減小數(shù)據(jù)I/O速度，以提高數(shù)據(jù)可靠性。在又一示例中，時(shí)鐘控制單元1250可將數(shù)據(jù)I/O速度(和/或時(shí)鐘頻率)增大至最大值以更快速地執(zhí)行第二迭代。在這種情況下，時(shí)鐘控制單元1250可增大存儲(chǔ)器存取操作的操作電壓和/或驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，以提高在更高速度下的數(shù)據(jù)可靠性。
[0117]在另一示例中，時(shí)鐘控制單元1250可將存儲(chǔ)器存取操作的第二迭代的操作電壓(例如，讀電壓和/或?qū)戨妷?電平增大至大于在存儲(chǔ)器存取操作的第一迭代中使用的操作電壓電平的第一增大操作電壓電平。
[0118]在另一示例中，時(shí)鐘控制單元1250可將存儲(chǔ)器存取操作的第二迭代的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度增大至大于在存儲(chǔ)器存取操作的第一迭代中使用的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的第一增大驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。
[0119]回到圖4，時(shí)鐘控制單元1250隨后可利用調(diào)整后的一個(gè)或多個(gè)操作條件執(zhí)行存儲(chǔ)器存取操作的第二迭代，并且在S140中確定在存儲(chǔ)器存取操作的第二迭代中是否出現(xiàn)錯(cuò)誤。時(shí)鐘控制單元1250可按照與以上參照S120討論的方式相同或基本相同的方式確定在存儲(chǔ)器存取操作的第二迭代S140中是否出現(xiàn)錯(cuò)誤。
[0120]如果未出現(xiàn)錯(cuò)誤(否)，則時(shí)鐘控制單元1250可將調(diào)整后的一個(gè)或多個(gè)調(diào)整的操作條件存儲(chǔ)在RAM 1240中，并且返回至S110，其中將存儲(chǔ)的一個(gè)或多個(gè)操作條件用作存儲(chǔ)器裝置1100運(yùn)行的正常操作的操作條件。
[0121]回到S140，如果在存儲(chǔ)器存取操作的第二迭代中出現(xiàn)錯(cuò)誤，則時(shí)鐘控制單元1250進(jìn)一步調(diào)整存儲(chǔ)器存取操作的第三迭代的一個(gè)或多個(gè)操作條件。
[0122]在一個(gè)示例中，時(shí)鐘控制單元1250可將存儲(chǔ)器存取操作的數(shù)據(jù)I/O速度減小至小于第一減小數(shù)據(jù)I/O速度的第二減小數(shù)據(jù)I/O速度，以提高數(shù)據(jù)可靠性。在另一示例中，時(shí)鐘控制單元1250可將存儲(chǔ)器存取操作的數(shù)據(jù)I/O速度從正常速度減小至第一減小數(shù)據(jù)I/O速度以提高數(shù)據(jù)可靠性。在又一示例中，時(shí)鐘控制單元1250可將數(shù)據(jù)I/O速度(和時(shí)鐘頻率)增大至例如最大值，以更快速地執(zhí)行存儲(chǔ)器存取操作的第三迭代。在該示例中，還可調(diào)整其它操作條件，以提高在更高的速度下的數(shù)據(jù)可靠性。
[0123]在另一示例中，時(shí)鐘控制單元1250可將存儲(chǔ)器存取操作的第三迭代的操作電壓電平進(jìn)一步增大至大于在存儲(chǔ)器存取操作的第二迭代中使用的第一增大操作電壓電平的第二增大操作電壓電平。
[0124]在另一示例中，時(shí)鐘控制單元1250可將存儲(chǔ)器存取操作的第三迭代的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度進(jìn)一步增大至大于在存儲(chǔ)器存取操作的第二迭代中使用的第一增大驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的第二增大驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。
[0125]在步驟S160中，時(shí)鐘控制單元1250利用進(jìn)一步調(diào)整后的一個(gè)或多個(gè)操作條件執(zhí)行存儲(chǔ)器存取操作的第三迭代(第二重試操作)。
[0126]如果在存儲(chǔ)器存取操作的第三迭代中出現(xiàn)錯(cuò)誤，則存儲(chǔ)器系統(tǒng)1000可輸出錯(cuò)誤。然而，如果未出現(xiàn)錯(cuò)誤，則時(shí)鐘控制單元1250可將調(diào)整后的一個(gè)或多個(gè)操作條件(例如，操作電壓電平、數(shù)據(jù)I/O速度、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度等)存儲(chǔ)在RAM 1240中，并且利用存儲(chǔ)的一個(gè)或多個(gè)操作條件作為存儲(chǔ)器裝置1100運(yùn)行的正常操作的操作條件。
[0127]為了降低存儲(chǔ)器系統(tǒng)1000的操作錯(cuò)誤和/或使其最小化以及/或者提高數(shù)據(jù)可靠性，可利用適用于提高數(shù)據(jù)可靠性和減少錯(cuò)誤的一個(gè)或多個(gè)操作條件(例如，第二減小數(shù)據(jù)I/O速度、第二增大操作電壓電平、第二增大驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度等)來(lái)執(zhí)行存儲(chǔ)器存取操作的第三迭代。如本文討論的那樣，時(shí)鐘控制單元1250可通過(guò)管理存儲(chǔ)器裝置1100的存儲(chǔ)器存取操作(例如，數(shù)據(jù)輸入/輸出操作)的操作條件修復(fù)錯(cuò)誤的輸入/輸出數(shù)據(jù)。
[0128]根據(jù)至少一些示例實(shí)施例，時(shí)鐘控制單元1250可調(diào)整存儲(chǔ)器存取操作的操作條件，以有利于錯(cuò)誤恢復(fù)。在完成錯(cuò)誤恢復(fù)之后，時(shí)鐘控制單元1250可將存儲(chǔ)器存取操作的操作條件調(diào)整回正常(例如，初始和/或最大)。在一個(gè)示例中，時(shí)鐘控制單元1250可降低存儲(chǔ)器存取操作的數(shù)據(jù)I/O速度以有利于錯(cuò)誤恢復(fù)。在該示例中，在完成錯(cuò)誤恢復(fù)之后，時(shí)鐘控制單元1250可將存儲(chǔ)器存取操作的數(shù)據(jù)I/O速度增大返回至正常速度。
[0129]在另一示例中，時(shí)鐘控制單元1250可在給定的(或者說(shuō)是，期望或預(yù)定的)時(shí)間段中調(diào)整存儲(chǔ)器存取操作的操作條件，以有利于錯(cuò)誤恢復(fù)。在錯(cuò)誤恢復(fù)之后，或者所述時(shí)間段截止，時(shí)鐘控制單元1250可將存儲(chǔ)器存取操作的操作條件調(diào)整回正常。例如，時(shí)鐘控制單元1250可在給定的(或者說(shuō)是，期望或預(yù)定的)時(shí)間段中降低存儲(chǔ)器存取操作的數(shù)據(jù)I/O速度，以有利于錯(cuò)誤恢復(fù)。在錯(cuò)誤恢復(fù)之后，或者所述時(shí)間段截止，時(shí)鐘控制單元1250可將數(shù)據(jù)I/O速度增大返回至正常速度。
[0130]如上所述，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的至少一個(gè)示例實(shí)施例的存儲(chǔ)器系統(tǒng)1000可包括在存儲(chǔ)器控制器1200中實(shí)現(xiàn)的時(shí)鐘控制單元1250。如以上討論的那樣，時(shí)鐘控制單元1250可調(diào)整存儲(chǔ)器存取操作和/或存儲(chǔ)器存取操作的迭代的數(shù)據(jù)I/O速度(以及操作電壓和/或驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度)。
[0131]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一個(gè)或多個(gè)示例實(shí)施例，通過(guò)在具有相對(duì)較冷的溫度(例如，小于或等于約-10°C)的環(huán)境和具有相對(duì)較熱的溫度(例如，大于或等于約85°C )的環(huán)境中降低時(shí)鐘頻率，以及在諸如室溫(例如，約20 °C或約-10°C與約85°C之間)的較溫暖的溫度將時(shí)鐘頻率設(shè)為相對(duì)較高的水平，可提高存儲(chǔ)器系統(tǒng)1000的性能和/或使其最大化，同時(shí)降低其操作錯(cuò)誤和/或使其最小化。
[0132]根據(jù)至少一些示例實(shí)施例，圖1所示的存儲(chǔ)器裝置1100可為閃速存儲(chǔ)器。由于閃速存儲(chǔ)器能夠在相對(duì)較短的時(shí)間段中存儲(chǔ)相對(duì)大量的數(shù)據(jù)，因此將閃速存儲(chǔ)器廣泛用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置?；陂W速存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)裝置可用作諸如SD卡、微SD卡、USB存儲(chǔ)裝置等的可移除存儲(chǔ)介質(zhì)，或者用作諸如eMMC等的嵌入式存儲(chǔ)介質(zhì)。具體地說(shuō)，例如，基于閃速存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)裝置可廣泛用于諸如智能電話、平板PC等的移動(dòng)裝置。當(dāng)將該類型的存儲(chǔ)裝置應(yīng)用于移動(dòng)裝置時(shí)，存儲(chǔ)裝置的操作可根據(jù)用戶的位置受到諸如溫度、壓強(qiáng)等的周圍環(huán)境的影響。通過(guò)利用示例實(shí)施例，可提高和/或優(yōu)化存儲(chǔ)器系統(tǒng)的性能，同時(shí)降低操作錯(cuò)誤和/或使其最小化。
[0133]根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例實(shí)施例，閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)可包括溫度傳感器和控制電路(或單元)。溫度傳感器可檢測(cè)諸如NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度降低至第一閾溫度水平以下，并且控制電路可響應(yīng)于檢測(cè)到溫度降低至第一閾溫度水平以下來(lái)調(diào)整存儲(chǔ)器存取操作的操作條件。
[0134]操作條件可包括以下中的一個(gè)或多個(gè):(i)存儲(chǔ)器存取操作的數(shù)據(jù)I/O速度，(ii)存儲(chǔ)器存取操作的讀電壓電平，以及(iii)閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。
[0135]在一個(gè)示例中，控制電路可為時(shí)鐘控制單元，并且操作條件可為存儲(chǔ)器存取操作的數(shù)據(jù)I/O速度。在該示例中，時(shí)鐘控制單元可響應(yīng)于檢測(cè)到閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度降低至第一閾溫度水平以下將存儲(chǔ)器存取操作的數(shù)據(jù)I/O速度從第一數(shù)據(jù)I/O速度(例如，最大速度)減小至第二數(shù)據(jù)I/O速度。
[0136]如果溫度傳感器檢測(cè)到閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度進(jìn)一步降低至第二閾溫度水平以下，則時(shí)鐘控制單元可響應(yīng)于檢測(cè)到閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度進(jìn)一步降低至第二閾溫度水平以下將數(shù)據(jù)I/O速度從第二數(shù)據(jù)I/O速度進(jìn)一步減小至第三數(shù)據(jù)I/O速度。
[0137]如果溫度傳感器檢測(cè)到閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度升高回至第一閾溫度水平以上，則時(shí)鐘控制單元可響應(yīng)于檢測(cè)到閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度升高至第一閾溫度水平以上將數(shù)據(jù)I/O速度從第二數(shù)據(jù)I/O速度增大返回至第一數(shù)據(jù)I/O速度。
[0138]如果操作條件是存儲(chǔ)器存取操作的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度或讀電壓電平，則控制電路可響應(yīng)于檢測(cè)到閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度降低至第一閾溫度水平以下將驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度或讀電壓電平從第一水平增大至第二水平。在這種情況下，控制電路可為(或包括)時(shí)鐘控制單元、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度控制單元和/或電壓控制單元。
[0139]控制電路可響應(yīng)于通過(guò)溫度傳感器檢測(cè)到閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度進(jìn)一步降低至第二閾溫度水平以下將驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度或讀電壓電平從第二水平進(jìn)一步增大至第三水平。
[0140]如果溫度傳感器檢測(cè)到閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度升回第一閾溫度水平以上，則控制電路可響應(yīng)于檢測(cè)到閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度升高至第一閾溫度水平以上將驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度或讀電壓電平從第二水平減小返回至第一水平。
[0141]雖然分別進(jìn)行討論，但是控制電路可響應(yīng)于檢測(cè)到的溫度改變來(lái)調(diào)整操作條件中的一個(gè)或多個(gè)。
[0142]根據(jù)至少一些示例實(shí)施例，控制電路可基于與存儲(chǔ)器系統(tǒng)關(guān)聯(lián)的溫度信息調(diào)整存儲(chǔ)器存取操作的數(shù)據(jù)I/O速度。例如，如果溫度信息指示存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度低于第一閾溫度水平，則控制電路可將數(shù)據(jù)I/o速度調(diào)整為第一數(shù)據(jù)I/O速度;如果溫度信息指示存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度在第一閾溫度水平與第二閾溫度水平之間，則控制電路可將數(shù)據(jù)I/o速度調(diào)整為第二數(shù)據(jù)I/o速度;如果溫度信息指示存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度大于第二閾溫度水平，則控制電路可將數(shù)據(jù)I/o速度調(diào)整為第三數(shù)據(jù)I/O速度。第一數(shù)據(jù)I/O速度和第三數(shù)據(jù)I/O速度可小于第二數(shù)據(jù)I/o速度。
[0143]根據(jù)至少一些示例實(shí)施例，一種NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)包括溫度傳感器和時(shí)鐘控制電路。溫度傳感器可檢測(cè)NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度降低至第一閾溫度水平以下，并且響應(yīng)于檢測(cè)到溫度降低至第一閾溫度水平以下，時(shí)鐘控制電路可減小存儲(chǔ)器存取操作的時(shí)鐘頻率和數(shù)據(jù)I/O速度中的至少一個(gè)。
[0144]圖5是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的基于閃速存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)裝置2000的框圖。
[0145]參照?qǐng)D5，存儲(chǔ)裝置2000包括閃速存儲(chǔ)器2100和存儲(chǔ)器控制器2200。
[0146]閃速存儲(chǔ)器2100可根據(jù)存儲(chǔ)器控制器2200的控制執(zhí)行以下存儲(chǔ)器存取操作:擦除操作、寫操作、讀操作等。閃速存儲(chǔ)器2100可以存儲(chǔ)塊為單位執(zhí)行擦除操作，并且可以頁(yè)為單位執(zhí)行寫操作和/或讀操作。閃速存儲(chǔ)器2100可根據(jù)單元陣列的結(jié)構(gòu)具有2D結(jié)構(gòu)或3D結(jié)構(gòu)。具有2D結(jié)構(gòu)的平面式閃速存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器單元可沿著與襯底平行或基本平行的方向形成。具有3D結(jié)構(gòu)的豎直NAND(VNAND)式閃速存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器單元可沿著與襯底垂直或基本垂直的方向形成。
[0147]在至少一個(gè)示例實(shí)施例中，閃速存儲(chǔ)器2100可實(shí)現(xiàn)為包括3D存儲(chǔ)器陣列。3D存儲(chǔ)器陣列可以單片方式形成在襯底(例如，諸如硅襯底或絕緣體上半導(dǎo)體襯底的半導(dǎo)體襯底)上。3D存儲(chǔ)器陣列可包括兩個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)器單元的物理層級(jí)，所述存儲(chǔ)器單元具有設(shè)置在襯底和與這些存儲(chǔ)器單元的操作關(guān)聯(lián)的電路(無(wú)論這種關(guān)聯(lián)的電路在所述襯底上方還是以內(nèi))上方的有源區(qū)域。所述陣列的各級(jí)的層可沉積(例如，直接沉積)在所述陣列的各下一級(jí)的層上。
[0148]在一個(gè)或多個(gè)示例實(shí)施例中，3D存儲(chǔ)器陣列可包括豎直地取向以使得至少一個(gè)存儲(chǔ)器單元位于另一存儲(chǔ)器單元上方的VNAND串。至少一個(gè)存儲(chǔ)器單元可包括電荷俘獲層。各個(gè)VNAND串還可包括位于存儲(chǔ)器單元上方的至少一個(gè)選擇晶體管。所述至少一個(gè)選擇晶體管可具有與存儲(chǔ)器單元的結(jié)構(gòu)相同或基本相同的結(jié)構(gòu)，并且可以單片方式與存儲(chǔ)器單元一起形成。
[0149]回到圖5，閃速存儲(chǔ)器2100可在每個(gè)存儲(chǔ)器單元中存儲(chǔ)單比特?cái)?shù)據(jù)或多比特?cái)?shù)據(jù)(例如，兩個(gè)或更多個(gè)數(shù)據(jù)比特)。每存儲(chǔ)器單元存儲(chǔ)單比特?cái)?shù)據(jù)的SLC閃速存儲(chǔ)器可根據(jù)閾電壓分布具有一個(gè)擦除狀態(tài)和一個(gè)編程狀態(tài)。每存儲(chǔ)器單元存儲(chǔ)多比特?cái)?shù)據(jù)的MLC閃速存儲(chǔ)器可根據(jù)閾電壓分布具有一個(gè)擦除狀態(tài)和多個(gè)編程狀態(tài)。
[0150]存儲(chǔ)器控制器2200可響應(yīng)于來(lái)自外部裝置(例如，主機(jī))的請(qǐng)求控制閃速存儲(chǔ)器2100的存儲(chǔ)器存取操作(例如，讀操作、寫操作等)。
[0151]如圖5所示，存儲(chǔ)器控制器2200包括:閃存接口 2210;主機(jī)接口 2220;中央處理單元(CPU)2230；RAM 2240;時(shí)鐘控制單元2250;和ROM 2260。
[0152]時(shí)鐘控制單元2250可按照與以上參照時(shí)鐘控制單元1250討論的方式相同或基本相同的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)(例如，通過(guò)硬件、在RAM 2240上被驅(qū)動(dòng)并且通過(guò)硬件執(zhí)行的軟件和/或硬件和軟件的組合)。如果在RAM 2240上被驅(qū)動(dòng)的軟件中實(shí)現(xiàn)，則時(shí)鐘控制單元2250可在斷電時(shí)被存儲(chǔ)在閃速存儲(chǔ)器2100，并且在通電時(shí)在初始化操作中被裝載至RAM 2240中。
[0153]如圖5所示，閃速存儲(chǔ)器2100包括溫度感測(cè)裝置(“TEMP”)2141。溫度感測(cè)裝置2141還可被稱作溫度傳感器。
[0154]溫度感測(cè)裝置2141可感測(cè)(或檢測(cè))閃速存儲(chǔ)器2100的溫度，并且將指示檢測(cè)到的溫度的溫度信息輸出至存儲(chǔ)器控制器2200。在一個(gè)示例中，如果溫度感測(cè)裝置2141檢測(cè)到閃速存儲(chǔ)器的溫度升高至閾值以上，并且閃速存儲(chǔ)器2100開始異常操作(例如，由于溫度變化出現(xiàn)錯(cuò)誤)，則時(shí)鐘控制單元2250可根據(jù)CPU 2230的控制調(diào)整(例如，減小)閃速存儲(chǔ)器2100的數(shù)據(jù)I/O速度。根據(jù)至少一個(gè)示例實(shí)施例，時(shí)鐘控制單元2250可基于來(lái)自閃速存儲(chǔ)器2100的溫度信息改變數(shù)據(jù)I /0速度。
[0155]根據(jù)至少一些示例實(shí)施例，例如，溫度感測(cè)裝置2141可為數(shù)字溫度計(jì)或任何其它合適的溫度計(jì)或溫度感測(cè)裝置。溫度感測(cè)裝置2141可定期感測(cè)(檢測(cè))閃速存儲(chǔ)器2100的溫度值，并且將定期感測(cè)的溫度存儲(chǔ)在例如閃速存儲(chǔ)器2100中。根據(jù)至少一些其它示例實(shí)施例，溫度感測(cè)裝置2141可響應(yīng)于例如讀請(qǐng)求根據(jù)需要感測(cè)閃速存儲(chǔ)器2100的溫度。
[0156]在至少一個(gè)示例實(shí)施例中，時(shí)鐘控制單元2250可隨著閃速存儲(chǔ)器2100的溫度變化按照逐步方式調(diào)整閃速存儲(chǔ)器2100的數(shù)據(jù)I/O速度。
[0157]圖25是用于示出圖5所示的存儲(chǔ)裝置2000的示例操作的數(shù)據(jù)I/O速度-溫度的曲線圖。圖26是示出用于控制在存儲(chǔ)裝置2000執(zhí)行的存儲(chǔ)器存取操作的數(shù)據(jù)I/O速度的方法的示例實(shí)施例的流程圖。雖然圖26中未示出，但是隨著存儲(chǔ)裝置2000的溫度降低，可反復(fù)執(zhí)行所述方法。
[0158]圖25所示的曲線圖示出了其中隨著閃速存儲(chǔ)器2100的溫度降低，時(shí)鐘控制單元2250使閃速存儲(chǔ)器2100上的存儲(chǔ)器存取操作的數(shù)據(jù)I/O速度按照逐步方式減小的示例。圖25所示的曲線圖還示出了，在至少一些情況下，隨著閃速存儲(chǔ)器2100的溫度升高，時(shí)鐘控制單元2250使閃速存儲(chǔ)器2100的數(shù)據(jù)I/O速度按照逐步方式增大。
[0159]參照?qǐng)D25和圖26，在S2602，溫度感測(cè)裝置2141檢測(cè)到存儲(chǔ)裝置2000的溫度降低至閾溫度值(例如，TC1、TC2、TC3)以下。響應(yīng)于檢測(cè)到溫度的降低，溫度感測(cè)裝置2141將溫度信息輸出至?xí)r鐘控制單元2250。溫度信息指示存儲(chǔ)裝置2000的溫度已降低至閾溫度值以下。
[0160]響應(yīng)于接收溫度信息，在S2603，時(shí)鐘控制單元2250在當(dāng)前存儲(chǔ)器存取操作中確定是否出現(xiàn)錯(cuò)誤。時(shí)鐘控制單元2250可在當(dāng)前存儲(chǔ)器存取操作中按照與以上參照?qǐng)D4中的S120討論的方式相同或基本相同的方式確定是否出現(xiàn)錯(cuò)誤。
[0161]如果未出現(xiàn)錯(cuò)誤，則時(shí)鐘控制單元2250不調(diào)整存儲(chǔ)器存取操作的后續(xù)迭代的數(shù)據(jù)I/O速度，并且在S2604，存儲(chǔ)裝置2000繼續(xù)以當(dāng)前數(shù)據(jù)I/O速度執(zhí)行存儲(chǔ)器存取操作的迭代。
[0162]回到S2603，如果在存儲(chǔ)器存取操作中出現(xiàn)錯(cuò)誤，則在S2606，時(shí)鐘控制單元2250將存儲(chǔ)器存取操作的后續(xù)迭代的數(shù)據(jù)I/O速度減小。存儲(chǔ)裝置2000隨后利用減小的數(shù)據(jù)I/O速度執(zhí)行存儲(chǔ)器存取操作的進(jìn)一步迭代。
[0163]關(guān)于圖25更詳細(xì)地說(shuō)，如果閃速存儲(chǔ)器2100的溫度在第一下閾溫度Tq與第一上閾溫度Tm之間(例如，約-10°C與約85°C之間)，則時(shí)鐘控制單元2250將閃速存儲(chǔ)器2100的數(shù)據(jù)I/O速度保持在約400Mbps的第一(例如，正常)數(shù)據(jù)I/O速度。
[0164]如果溫度感測(cè)裝置2141檢測(cè)到閃速存儲(chǔ)器2100的溫度降低至第一下閾溫度TciW下，則溫度感測(cè)裝置2141將指示該溫度改變的溫度信息輸出至?xí)r鐘控制單元2250。響應(yīng)于接收到的溫度信息，如果在存儲(chǔ)器存取操作中出現(xiàn)錯(cuò)誤，則時(shí)鐘控制單元2250可針對(duì)存儲(chǔ)器存取操作的后續(xù)迭代將數(shù)據(jù)I/O速度從第一數(shù)據(jù)I/O速度減小至約333Mbps的第一減小數(shù)據(jù)I/O速度。
[0165]如上所述，隨著溫度感測(cè)裝置檢測(cè)到溫度的進(jìn)一步降低，可反復(fù)地執(zhí)行圖26所示的方法。
[0166]例如，隨著溫度感測(cè)裝置2141檢測(cè)到溫度的進(jìn)一步降低(例如，第二下閾溫度TC2、第三下閾溫度Tc3等以下)，時(shí)鐘控制單元2250可按照逐步方式繼續(xù)減小數(shù)據(jù)I/O速度。
[0167]隨著閃速存儲(chǔ)器2100的溫度升高至第三下閾溫度Tc3以上、升高至第二下閾溫度Tc2以上，并且隨后升高至第一下閾溫度Tci以上，時(shí)鐘控制單元2250可使數(shù)據(jù)I/O速度按照逐步方式增大返回至約400Mbps的第一數(shù)據(jù)I/O速度。
[0168]仍參照?qǐng)D25，如果溫度升高至所述上閾溫度TH1、TH2和Th3以上，則時(shí)鐘控制單元2250可按照與上面討論的方式相同或基本相同的方式減小數(shù)據(jù)I/O速度。
[0169]根據(jù)至少一些示例實(shí)施例，存儲(chǔ)器控制器2200可包括溫度感測(cè)裝置。在這種情況下，時(shí)鐘控制單元2250可基于在存儲(chǔ)器控制器2200測(cè)量的溫度信息調(diào)整(或者說(shuō)是，調(diào)制)數(shù)據(jù)I/O速度。
[0170]閃速存儲(chǔ)器2100可采用具有相對(duì)較高的集成度和/或容量的3D結(jié)構(gòu)的VNAND的形式。而且，閃速存儲(chǔ)器2100可應(yīng)用于按照相對(duì)高速的操作的雙數(shù)據(jù)速率(DDR)方式發(fā)送數(shù)據(jù)的產(chǎn)品。由于諸如溫度、壓強(qiáng)等的周圍環(huán)境的變化導(dǎo)致的存儲(chǔ)裝置2000的操作錯(cuò)誤可隨著更高的集成度、更高的容量和/或更高速的操作而逐漸增加。
[0171]圖6是示意性地示出其中圖5的閃速存儲(chǔ)器具有3D結(jié)構(gòu)的示例實(shí)施例的框圖。
[0172]參照?qǐng)D6，閃速存儲(chǔ)器2100包括:單元陣列2110;數(shù)據(jù)輸入/輸出電路2120;地址解碼器2130 ；和控制邏輯2140。
[0173]單元陣列2110包括多個(gè)存儲(chǔ)塊BLKl至BLKz，其中的每一個(gè)形成為具有3D結(jié)構(gòu)(或豎直結(jié)構(gòu))。在具有2D(或水平)結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)塊中，存儲(chǔ)器單元可沿著與襯底平行或基本平行的方向形成。在具有三維結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)塊中，存儲(chǔ)器單元可沿著與襯底垂直或基本垂直的方向形成。各個(gè)存儲(chǔ)塊可為閃速存儲(chǔ)器2100的擦除單元。
[0174]數(shù)據(jù)輸入/輸出電路2120可通過(guò)多條位線與單元陣列2110連接。數(shù)據(jù)輸入/輸出電路2120可從外部裝置接收數(shù)據(jù)，或者可將從單元陣列2110讀取的數(shù)據(jù)輸出至外部裝置。地址解碼器2130通過(guò)多條字線和選擇線GSL和SSL與單元陣列2110連接。地址解碼器2130可響應(yīng)于地址ADDR選擇字線。
[0175]控制邏輯2140可控制閃速存儲(chǔ)器2100的編程、擦除、讀取等。例如，在編程過(guò)程中，控制邏輯2140可控制地址解碼器2130，以將編程電壓供應(yīng)至選擇的字線，并且可控制數(shù)據(jù)輸入/輸出電路2120，以編程數(shù)據(jù)。
[0176]在該示例實(shí)施例中，控制邏輯2140包括溫度感測(cè)裝置(“TEMP”)2141。溫度感測(cè)裝置2141可測(cè)量周圍溫度(例如，閃速存儲(chǔ)器2100的溫度和/或與閃速存儲(chǔ)器2100關(guān)聯(lián)的環(huán)境溫度)，并且將指示感測(cè)到的溫度的信息輸出至存儲(chǔ)器控制器2200。在一個(gè)示例中，如以上參照?qǐng)D25和圖26討論的，溫度感測(cè)裝置2141可檢測(cè)溫度降低至下閾值以下和/或上閾值以上，并且可將指示檢測(cè)的溫度信息輸出至存儲(chǔ)器控制器2200。
[0177]圖7是示意性地示出圖6所示的存儲(chǔ)塊BLKl的3D結(jié)構(gòu)的示例實(shí)施例的透視圖。
[0178]參照?qǐng)D7，存儲(chǔ)塊BLKl可沿著垂直于襯底SUB的方向形成。η+摻雜區(qū)可形成在襯底SUB中。柵電極層和絕緣層可依次沉積在襯底SUB上。電荷存儲(chǔ)層可形成在柵電極層與絕緣層之間。
[0179]在柵電極層和絕緣層沿著豎直方向被圖案化的情況下可形成V形柱。柱可通過(guò)柵電極層和絕緣層與襯底SUB連接。柱的外部O可由溝道半導(dǎo)體形成，并且其內(nèi)部I可由諸如二氧化硅的絕緣材料形成。
[0180]存儲(chǔ)塊BLKl的柵電極層可與地選擇線GSL、多條字線WLl至WL8和串選擇線SSL連接。存儲(chǔ)塊BLKl的柱可與多條位線BLl至BL3連接。在圖7中，例示了這樣的示例實(shí)施例:一個(gè)存儲(chǔ)塊BLKl具有兩條選擇線SSL和GSL、八條字線WLl至WL8以及三條位線BLl至BL3。然而，本發(fā)明構(gòu)思不應(yīng)限于該示例。例如，上述線的數(shù)量可增加或減少。而且，存儲(chǔ)塊BLKl可包括在兩條選擇線SSL和GSL與字線WL之間的一條或多條偽字線(未示出)。
[0181]圖8是圖6所示的存儲(chǔ)塊的等效電路。
[0182]參照?qǐng)D8，嫩_串略11至—33連接在位線此1至此3與公共源極線031^之間。每個(gè)NAND串(例如，NS 11)包括串選擇晶體管SST、多個(gè)存儲(chǔ)器單元MCl至MC8和地選擇晶體管GST。
[0183]串選擇晶體管SST與串選擇線SSLl至SSL3連接。存儲(chǔ)器單元MCl至MC8分別連接至字線WLl至WL8。地選擇晶體管GST連接至地選擇線GSL。串選擇晶體管SST連接至位線，并且地選擇晶體管GST連接至公共源極線CSL。
[0184]具有相同或基本相同的高度的各條字線(例如，WLl)共同連接，并且串選擇線SSLl至SSL3彼此分離。在(構(gòu)成一頁(yè)的)編程存儲(chǔ)器單元與第一字線WLl連接并且包括在NAND串NSll、NS12和NS13中時(shí)，可選擇第一字線WLl和第一串選擇線SSLl。
[0185]圖9是示出圖7和圖8所示的存儲(chǔ)器單元中的示例電阻變化的曲線圖。在圖9中，橫坐標(biāo)表示溫度變化，而縱坐標(biāo)表示存儲(chǔ)器單元的電阻變化。
[0186]參照?qǐng)D9，存儲(chǔ)器單元的電阻與溫度成反比地增大。例如，當(dāng)溫度為約-10°C時(shí)，電阻值可為“R1”，當(dāng)溫度為約-20°C時(shí)，電阻值為約“R2”，并且當(dāng)溫度為約-30°C時(shí)，電阻值為約“R3”。在該示例中，R3>R2>R1。
[0187]存儲(chǔ)器單元可具有電阻隨著溫度降低而增大的特征。當(dāng)存儲(chǔ)器單元的電阻在相對(duì)較低(冷)的溫度下增大時(shí)，會(huì)出現(xiàn)數(shù)據(jù)錯(cuò)誤。具體地說(shuō)，例如，當(dāng)圖5所示的存儲(chǔ)裝置2000是高速DDR存儲(chǔ)器時(shí)，在相對(duì)較低(冷)的溫度下數(shù)據(jù)錯(cuò)誤現(xiàn)象會(huì)增加。
[0188]圖10是示意性地示出根據(jù)數(shù)據(jù)I/O速度的變化的示例數(shù)據(jù)錯(cuò)誤緩解率和根據(jù)溫度變化的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤率的表。圖10示出了測(cè)試在約_25°C的相對(duì)較低(冷)的溫度下出現(xiàn)數(shù)據(jù)錯(cuò)誤的多個(gè)存儲(chǔ)裝置的結(jié)果。
[0189]參照?qǐng)D10，當(dāng)存儲(chǔ)裝置的電源電壓VDD為約1.7V并且其溫度是室溫(例如，約20°C)時(shí)，當(dāng)數(shù)據(jù)I/O速度為AAA Mbps,BBB Mbps或CCC Mbps時(shí)不會(huì)出現(xiàn)數(shù)據(jù)錯(cuò)誤。如本文討論的那樣，AAA可為約400Mbps，BBB可為約333Mbps，并且CCC可為約266Mbps，從而AAA>BBB>CCC。這些測(cè)試結(jié)果示出了存儲(chǔ)裝置在室溫下正常操作。
[0190]仍參照?qǐng)D10，當(dāng)存儲(chǔ)裝置的溫度降低至約-25°C以下時(shí)，數(shù)據(jù)錯(cuò)誤產(chǎn)生率會(huì)根據(jù)數(shù)據(jù)I/O速度而變化。例如，在-25°c，當(dāng)數(shù)據(jù)I/O速度為約AAA Mbps時(shí)，數(shù)據(jù)錯(cuò)誤產(chǎn)生率為100% (例如，所有存儲(chǔ)裝置出現(xiàn)操作錯(cuò)誤)。當(dāng)數(shù)據(jù)I/O速度減小至BBB Mbps時(shí)，數(shù)據(jù)錯(cuò)誤產(chǎn)生率降低至約64%。在這種情況下，如果數(shù)據(jù)I/O速度從AAA Mbps減小至BBB Mbps，則操作錯(cuò)誤降低約36%。
[0191]當(dāng)數(shù)據(jù)I/O速度減小至CCCMbps時(shí)，數(shù)據(jù)錯(cuò)誤產(chǎn)生率進(jìn)一步降低至約36%。因此，當(dāng)數(shù)據(jù)I/o速度從AAA Mbps減小至CCC Mbps時(shí)，數(shù)據(jù)錯(cuò)誤產(chǎn)生率可降低約64%。如從圖10中可理解的那樣，在相對(duì)較低(冷)的溫度，通過(guò)降低在相對(duì)較低的溫度執(zhí)行的存儲(chǔ)器存取操作的數(shù)據(jù)I/O速度，可降低數(shù)據(jù)錯(cuò)誤頻率。
[0192]圖11是示意性地示出數(shù)據(jù)I/O速度按照逐步方式以增量方式逐漸減小的示例實(shí)施例的時(shí)序圖。圖5所示的時(shí)鐘控制單元2250可根據(jù)例如通過(guò)溫度感測(cè)裝置感測(cè)到的存儲(chǔ)裝置2000的周圍環(huán)境的變化逐步地調(diào)整時(shí)鐘信號(hào)DQx的時(shí)鐘頻率或數(shù)據(jù)I/O速度。
[0193]時(shí)鐘控制單元2250可通過(guò)將數(shù)據(jù)I/O速度在(例如，設(shè)為默認(rèn)的)正常操作中設(shè)為正常速度(例如，AAA Mbps)來(lái)使得閃速存儲(chǔ)器2100的操作性能最大化。當(dāng)閃速存儲(chǔ)器2100在最大數(shù)據(jù)I/O速度(例如，AAA Mbps)操作時(shí)，因?yàn)樵谳^短的時(shí)間量中讀和寫了更多的數(shù)據(jù)，所以閃速存儲(chǔ)器2100的操作性能可提高。
[0194]當(dāng)在相對(duì)較低(冷)的溫度(例如，小于或等于約-10°C)使用存儲(chǔ)裝置2000時(shí)，時(shí)鐘控制單元2250可將數(shù)據(jù)I/O速度減小至第一較低的數(shù)據(jù)I/O速度(例如，BBB Mbps)，從而抑制閃速存儲(chǔ)器2100的操作性能的降低和/或使其最小化，同時(shí)也減少數(shù)據(jù)錯(cuò)誤。時(shí)鐘控制單元2250可基于來(lái)自閃速存儲(chǔ)器2100的溫度信息來(lái)調(diào)整數(shù)據(jù)I/O速度。
[0195]當(dāng)在更低(更冷)的溫度(例如，小于或等于約_20°C)下使用存儲(chǔ)裝置2000時(shí)，時(shí)鐘控制單元2250可將數(shù)據(jù)I/O速度進(jìn)一步減小至第二較低的數(shù)據(jù)I/O速度(例如，CCC Mbps)。在一個(gè)示例中，第二較低的數(shù)據(jù)速度可為存儲(chǔ)裝置2000的存儲(chǔ)器存取操作的最小值。雖然這會(huì)降低存儲(chǔ)裝置2000的性能，但是該調(diào)整可抑制(例如，防止)存儲(chǔ)裝置2000不操作或異常操作的可能性。
[0196]圖12是示意性地示出當(dāng)數(shù)據(jù)I/O速度從AAA Mbps減小至CCC Mbps時(shí)的操作電壓的波形的曲線圖。在該示例中，假設(shè)存儲(chǔ)器控制器2200和閃速存儲(chǔ)器2100的操作電壓為約1.8Vo
[0197]參照?qǐng)D12，在相對(duì)較低的溫度，如果時(shí)鐘控制單元2250將閃速存儲(chǔ)器2100的數(shù)據(jù)I/O速度設(shè)為AAA Mbps，則電阻的增大和相對(duì)高速操作的組合可防止操作電壓完成最大擺動(dòng)。結(jié)果，當(dāng)存儲(chǔ)裝置2000在相對(duì)較冷的溫度下執(zhí)行相對(duì)高速的存儲(chǔ)器存取操作時(shí)會(huì)出現(xiàn)數(shù)據(jù)錯(cuò)誤。
[0198]如果時(shí)鐘控制單元2250在相對(duì)較冷的溫度下將數(shù)據(jù)I/O速度減小至約CCC Mbps，則操作電壓可完全擺動(dòng)至最高約1.8V。在這種情況下，因?yàn)椴僮麟妷和耆珨[動(dòng)而不管存儲(chǔ)器單元的電阻在相對(duì)較冷的溫度下增大，所以可降低數(shù)據(jù)錯(cuò)誤產(chǎn)生率。
[0199]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一個(gè)或多個(gè)示例實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置可在正常操作(例如，溫度在第一下閾溫度Tc1與第一上閾溫度Th1之間)中將數(shù)據(jù)I/O速度設(shè)為正常速度或最大速度，以提高閃速存儲(chǔ)器的性能。在存儲(chǔ)器單元晶體管的電阻變化的相對(duì)較冷的溫度(例如，當(dāng)存儲(chǔ)裝置的溫度降低至第一下閾溫度以下)，存儲(chǔ)裝置可減小數(shù)據(jù)I/O速度，以在這些溫度下降低數(shù)據(jù)錯(cuò)誤產(chǎn)生率。
[0200]圖13是示意性地示出圖5所示的時(shí)鐘控制單元的示例實(shí)施例的框圖。
[0201 ] 參照?qǐng)D13，時(shí)鐘控制單元2250包括時(shí)鐘管理器2251和重試管理器2252。如上所述，時(shí)鐘管理器2251和重試管理器2252可實(shí)現(xiàn)為硬件、通過(guò)硬件執(zhí)行的軟件或者硬件和軟件的組合。
[0202]在一個(gè)示例中，時(shí)鐘管理器2251可從溫度感測(cè)裝置接收諸如檢測(cè)到的溫度的外部信息INF0，并且可基于接收到的信息INFO調(diào)整時(shí)鐘CLK(也作操作時(shí)鐘)的頻率。通過(guò)調(diào)整時(shí)鐘CLK的頻率，時(shí)鐘管理器2251可改變存儲(chǔ)器存取操作或其迭代的數(shù)據(jù)I/O速度。時(shí)鐘管理器2251將調(diào)整后的時(shí)鐘CLK輸出至重試管理器2252。
[0203]重試管理器2252可利用通過(guò)時(shí)鐘管理器2251管理的數(shù)據(jù)I/O速度在閃速存儲(chǔ)器2100上執(zhí)行(或使得對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)裝置執(zhí)行)重試處理。如以上參照例如圖4描述的那樣，重試處理可分為兩個(gè)重試操作。
[0204]在第一重試操作中，可改變一個(gè)或多個(gè)操作條件(例如，電壓電平等)，隨后可利用第一數(shù)據(jù)I/O速度(例如，正常速度)重試閃速存儲(chǔ)器2100上的存儲(chǔ)器存取操作。在第二重試操作中，數(shù)據(jù)I/O速度可減小，并且可利用改變后的操作條件和第二數(shù)據(jù)I/O速度(例如，減小的速度)再次重試存儲(chǔ)器存取操作。
[0205]圖13所示的時(shí)鐘控制單元2250的示例實(shí)施例也可執(zhí)行圖4和圖26所示的方法。因?yàn)橐呀?jīng)描述了圖4和圖26所示的方法，所以這里不提供重復(fù)討論。
[0206]仍參照?qǐng)D13所示的示例實(shí)施例，根據(jù)至少一個(gè)示例實(shí)施例，如果在相對(duì)較低(冷)的溫度(例如，小于或等于約-10°C)下的讀操作中出現(xiàn)操作錯(cuò)誤，則時(shí)鐘管理器2251可仍保持正常速度(例如，AAA Mbps)作為讀速度。在這種情況下，重試管理器2252可基于通過(guò)時(shí)鐘管理器2251保持的正常速度通過(guò)谷搜索操作調(diào)整讀電壓電平。重試管理器2252隨后可利用調(diào)整后的讀電壓電平在閃速存儲(chǔ)器2100上重試讀操作。在這種情況下，重試管理器2252可使用正常速度(例如，AAA Mbps) ο
[0207]在另一示例中，時(shí)鐘管理器2251可將讀速度減小至第一較低的讀速度(例如，BBBMbps)，并且重試管理器2252可基于第一較低的讀速度通過(guò)谷搜索操作調(diào)整讀電壓電平。重試管理器2252隨后可利用調(diào)整后的讀電壓電平和第一較低的讀速度在閃速存儲(chǔ)器2100上重試讀操作。
[0208]如果在第一重試操作中出現(xiàn)操作錯(cuò)誤，則時(shí)鐘管理器2251可將讀速度進(jìn)一步減小至第二較低的讀速度(例如，CCC Mbps)。在一個(gè)示例中，時(shí)鐘管理器2251可基于來(lái)自閃速存儲(chǔ)器2100的溫度信息減小讀速度?？赏ㄟ^(guò)諸如本文討論的溫度感測(cè)裝置2141的溫度感測(cè)裝置提供溫度信息。重試管理器2252隨后可基于第二較低的讀速度(例如，CCC Mbps)執(zhí)行第二谷搜索操作，以調(diào)整第二重試操作的讀電壓電平。重試管理器2252隨后可利用調(diào)整后的讀電壓電平和第二較低的讀速度重試讀操作。
[0209]圖14是用于描述圖5所示的時(shí)鐘控制單元的示例實(shí)施例的另一示例操作的流程圖。根據(jù)至少該示例實(shí)施例，時(shí)鐘控制單元2250可將數(shù)據(jù)I/O速度在(例如，默認(rèn)的)正常操作中設(shè)為正常速度(例如，最大速度，諸如AAA Mbps)。如果當(dāng)閃速存儲(chǔ)器2100在相對(duì)較低(冷)的溫度下操作時(shí)出現(xiàn)錯(cuò)誤或其它問(wèn)題，則時(shí)鐘控制單元2250可將數(shù)據(jù)I/O速度減小至第一較低的速度(例如，BBB Mbps或CCC Mbps)。在一個(gè)示例中，可基于通過(guò)溫度感測(cè)裝置檢測(cè)到的溫度確定第一較低的速度。
[0210]參照?qǐng)D14更詳細(xì)地說(shuō)，在S210，時(shí)鐘控制單元2250可正常操作并且執(zhí)行正常操作。在正常操作中，可以正常速度(例如，AAA Mbps)執(zhí)行數(shù)據(jù)輸入/輸出操作(例如，讀操作)ο例如，時(shí)鐘控制單元2250可利用表(例如，預(yù)定表(PDT))執(zhí)行正常操作。PDT是存儲(chǔ)預(yù)測(cè)的谷搜索值的表。根據(jù)至少該示例實(shí)施例，時(shí)鐘控制單元2250可管理閃速存儲(chǔ)器2100的存儲(chǔ)器存取操作(也稱作數(shù)據(jù)輸入/輸出操作)，以根據(jù)在TOT中限定的一個(gè)或多個(gè)操作條件以正常速度執(zhí)行輸入/輸出操作。
[0211]在S220，時(shí)鐘控制單元2250確定在正常操作中是否出現(xiàn)閃速存儲(chǔ)器2100的操作錯(cuò)誤和/或輸入/輸出數(shù)據(jù)是否包括錯(cuò)誤。時(shí)鐘控制單元2250可按照與以上參照?qǐng)D4中的S120討論的方式相同或基本相同的方式確定在正常操作中是否出現(xiàn)操作錯(cuò)誤和/或輸入/輸出數(shù)據(jù)是否包括錯(cuò)誤。
[0212]如果閃速存儲(chǔ)器2100未出現(xiàn)操作錯(cuò)誤并且輸入/輸出數(shù)據(jù)不包括錯(cuò)誤(否)，則返回至S210，時(shí)鐘控制單元2250保持正常速度，并且閃速存儲(chǔ)器2100繼續(xù)正常操作。
[0213]如果時(shí)鐘控制單元2250確定出現(xiàn)操作錯(cuò)誤和/或輸入/輸出數(shù)據(jù)包括錯(cuò)誤(是)，則時(shí)鐘控制單元2250可響應(yīng)于確定的操作錯(cuò)誤和/或包括在輸入/輸出數(shù)據(jù)中的錯(cuò)誤來(lái)執(zhí)行谷搜索操作。
[0214]例如，如果輸入/輸出數(shù)據(jù)包括錯(cuò)誤，則在S230，時(shí)鐘控制單元2250執(zhí)行第一谷搜索操作。重試管理器2252(圖13)可通過(guò)第一谷搜索操作調(diào)整操作電壓電平(例如，讀電壓電平)。重試管理器2252隨后可利用調(diào)整后的操作電壓電平在閃速存儲(chǔ)器2100上重試存儲(chǔ)器存取操作(例如，讀操作)。在這種情況下，重試管理器2252可利用第一數(shù)據(jù)I/O速度在閃速存儲(chǔ)器2100上重試存儲(chǔ)器存取操作。在該示例中，第一數(shù)據(jù)I/O速度可為正常速度(例如，AAA Mbps)。在另一示例中，時(shí)鐘控制單元2250可將數(shù)據(jù)I/O速度減小至第一較低的速度(例如，BBB Mbps)，并且重試管理器2252可基于第一較低的速度調(diào)整操作電壓電平。重試管理器2252隨后可利用第一較低的速度和調(diào)整后的操作電壓電平在閃速存儲(chǔ)器2100上重試存儲(chǔ)器存取操作。
[0215]仍參照?qǐng)D14，在S240，時(shí)鐘控制單元2250可確定在第一重試操作中是否出現(xiàn)操作錯(cuò)誤和/或輸入/輸出數(shù)據(jù)是否包括錯(cuò)誤。時(shí)鐘控制單元2250可按照與以上參照S220討論的方式相同或基本相同的方式確定在第一重試操作中是否出現(xiàn)操作錯(cuò)誤和/或輸入/輸出數(shù)據(jù)是否包括錯(cuò)誤。
[0216]如果未出現(xiàn)操作錯(cuò)誤并且輸入/輸出數(shù)據(jù)不包括錯(cuò)誤(否)，則時(shí)鐘控制單元2250可保持第一數(shù)據(jù)I/o速度(例如，正常速度或第一較低的速度)。處理隨后返回至S210，并且閃速存儲(chǔ)器2100利用在S230計(jì)算的第一速度和操作電壓電平繼續(xù)正常操作。
[0217]回到S240，如果出現(xiàn)操作錯(cuò)誤和/或輸入/輸出數(shù)據(jù)包括錯(cuò)誤(是)，則在S250，時(shí)鐘控制單元2250相對(duì)于在正常操作和/或第一重試操作中使用的第一數(shù)據(jù)I/O速度減小數(shù)據(jù)I/O速度。根據(jù)至少一些示例實(shí)施例，時(shí)鐘管理器2251可基于來(lái)自閃速存儲(chǔ)器2100的溫度信息減小操作速度。在一個(gè)示例中，時(shí)鐘管理器2251可基于溫度減小操作速度，如本文參照?qǐng)D25和圖26討論的那樣。
[0218]在S260，時(shí)鐘控制單元2250基于減小的數(shù)據(jù)I/O速度執(zhí)行第二谷搜索操作。在一個(gè)示例中，重試管理器2252可基于減小的數(shù)據(jù)I/O速度(例如，CCC Mbps)通過(guò)執(zhí)行第二谷搜索操作來(lái)調(diào)整操作電壓電平(例如，讀電壓電平)。
[0219]重試管理器2252隨后可利用減小的數(shù)據(jù)I/O速度和調(diào)整后的操作電壓電平在閃速存儲(chǔ)器2100上執(zhí)行第二重試操作。這樣，可在閃速存儲(chǔ)器2100上執(zhí)行存儲(chǔ)器存取操作的另一迭代。
[0220]如果在第二重試操作中出現(xiàn)錯(cuò)誤，則重試管理器2252可輸出錯(cuò)誤。然而，如果不出現(xiàn)錯(cuò)誤，則為了繼續(xù)進(jìn)行正常操作，可利用減小的數(shù)據(jù)I/O速度和調(diào)整后的操作電壓電平。
[0221]如上所述，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的至少一個(gè)示例實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置2000包括位于存儲(chǔ)器控制器2200的時(shí)鐘控制單元2250，其中時(shí)鐘控制單元2250構(gòu)造為調(diào)整存儲(chǔ)裝置2000的數(shù)據(jù)I/O速度。根據(jù)至少一些示例實(shí)施例，時(shí)鐘控制單元2250可響應(yīng)于例如至少部分地由于環(huán)境條件(例如，周圍環(huán)境條件，諸如存儲(chǔ)裝置的溫度、壓強(qiáng)等)的變化導(dǎo)致在存儲(chǔ)裝置2000出現(xiàn)操作錯(cuò)誤來(lái)調(diào)整數(shù)據(jù)I/O速度，以修復(fù)和/或校正輸入/輸出數(shù)據(jù)中的錯(cuò)誤。
[0222]圖15是用于描述以上參照?qǐng)D14討論的第一谷搜索操作和第二谷搜索操作的示例實(shí)施例的圖。出于示例的目的，將參照時(shí)鐘控制單元2250和閃速存儲(chǔ)器2100描述圖15所示的圖。
[0223]參照?qǐng)D15，閃速存儲(chǔ)器2100可在每個(gè)存儲(chǔ)器單元中存儲(chǔ)一個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)比特。在一個(gè)示例中，存儲(chǔ)器單元可存儲(chǔ)2比特?cái)?shù)據(jù)。在這種情況下，每個(gè)存儲(chǔ)器單元可具有對(duì)應(yīng)于擦除狀態(tài)E和三個(gè)編程狀態(tài)Pl至P3之一的閾電壓分布。
[0224]如上所述，存儲(chǔ)器單元的電阻值可在相對(duì)較低(冷)的溫度和/或相對(duì)高速(例如，AAA Mbps)下增大。結(jié)果，鄰近的閾電壓分布會(huì)重疊，如圖15所示。在這種情況下，時(shí)鐘控制單元2250可通過(guò)第一谷搜索操作搜索第一谷搜索值V1、V2和V3。如以上討論的那樣，時(shí)鐘控制單元2250可利用識(shí)別的谷搜索值執(zhí)行第一重試操作。
[0225]在減小數(shù)據(jù)I/O速度之后，時(shí)鐘控制單元2250可執(zhí)行第二谷搜索操作。例如，如果數(shù)據(jù)I/O速度減小至CCC Mbps，則可獲得改進(jìn)的閾電壓分布。
[0226]在該示例中，如圖15所示，時(shí)鐘控制單元2250可通過(guò)第二谷搜索操作搜索第二谷搜索值VI’、V2 ’和V3 ’。時(shí)鐘控制單元2250可存儲(chǔ)通過(guò)第二重試操作識(shí)別的第二谷搜索值VI’、V2’和V3’，并且針對(duì)閃速存儲(chǔ)器2100的下一操作使用識(shí)別的值。在一個(gè)示例中，可將第二谷搜索值Vl ’、￥2’和￥3’存儲(chǔ)在1^1 2240(參照?qǐng)D5)。
[0227]如以上參照?qǐng)D14討論的那樣，時(shí)鐘控制單元2250隨后可利用減小的數(shù)據(jù)I/O速度和識(shí)別的第二谷搜索值執(zhí)行第二重試操作。
[0228]當(dāng)在第二重試操作之后在閃速存儲(chǔ)器2100上執(zhí)行進(jìn)一步的存儲(chǔ)器存取操作(例如，讀操作)時(shí)，存儲(chǔ)裝置2000可使用存儲(chǔ)的第二谷搜索值Vl ’、V2 ’和V3 ’。也就是說(shuō)，時(shí)鐘控制單元2250可在閃速存儲(chǔ)器2100上以正常速度(例如，AAA Mbps)但是利用第二谷搜索值VI’、V2’和V3’執(zhí)行存儲(chǔ)器存取操作。
[0229]根據(jù)至少一個(gè)示例實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置2000可包括存儲(chǔ)器控制器2200中的時(shí)鐘控制單元2250，并且存儲(chǔ)器控制器2200可通過(guò)時(shí)鐘控制單元2250調(diào)整數(shù)據(jù)I/O速度。根據(jù)至少該示例實(shí)施例，閃速存儲(chǔ)器2100的數(shù)據(jù)輸入/輸出的時(shí)鐘的頻率可在相對(duì)較低(冷)的溫度(例如，小于或等于約-10 °C )下降低，時(shí)鐘頻率可在較溫暖的溫度(例如，約20 °C或約-10 °C與約85°C之間)下設(shè)為相對(duì)較高的值，并且時(shí)鐘的頻率可在相對(duì)較熱的溫度(例如，大于或等于約85°C)下降低。因此，可提高存儲(chǔ)裝置2000的性能和/或使其最大化，同時(shí)降低操作錯(cuò)誤和/或使其最小化。
[0230]根據(jù)至少一些其它示例實(shí)施例，時(shí)鐘控制單元2250可實(shí)現(xiàn)在閃速存儲(chǔ)器2100或主機(jī)(未示出)中而不在存儲(chǔ)器控制器2200中。例如，時(shí)鐘控制單元2250可位于嵌入在智能電話或平板PC中的存儲(chǔ)裝置以外，并且可實(shí)現(xiàn)為適應(yīng)性地應(yīng)對(duì)諸如溫度的周圍環(huán)境條件的變化。
[0231 ]圖16是示意性地示出時(shí)鐘控制單元被包括在主機(jī)中的示例實(shí)施例的框圖。
[0232]參照?qǐng)D16，存儲(chǔ)器系統(tǒng)2500包括存儲(chǔ)裝置2600和主機(jī)2700。存儲(chǔ)裝置2600包括閃速存儲(chǔ)器2610和存儲(chǔ)器控制器2620。主機(jī)2600包括時(shí)鐘控制單元2710。
[0233]在圖16所示的示例實(shí)施例中，主機(jī)2700可經(jīng)時(shí)鐘控制單元2710調(diào)整存儲(chǔ)器控制器26 20的數(shù)據(jù)I /0速度(例如，(PU時(shí)鐘)或者閃速存儲(chǔ)器2610的數(shù)據(jù)I /0速度。時(shí)鐘控制單元2710可從存儲(chǔ)器控制器2620和/或從主機(jī)2700中接收環(huán)境條件信息(例如，溫度信息、壓強(qiáng)信息等)，并且可基于接收到的信息調(diào)整數(shù)據(jù)I/O速度。
[0234]根據(jù)至少一些示例實(shí)施例，可在相對(duì)較低(冷)的溫度下降低CPU時(shí)鐘的頻率和/或從閃速存儲(chǔ)器2610輸入數(shù)據(jù)/將數(shù)據(jù)輸出至閃速存儲(chǔ)器2610的時(shí)鐘的頻率，時(shí)鐘頻率可在較溫暖的溫度下設(shè)置得相對(duì)較高，并且所述時(shí)鐘的頻率可在相對(duì)較熱的溫度下降低。因此，可提高存儲(chǔ)器系統(tǒng)2500的性能和/或使其最大化，同時(shí)降低操作錯(cuò)誤和/或使其最小化。
[0235]圖17是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的又一示例實(shí)施例的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的框圖。
[0236]參照?qǐng)D17，存儲(chǔ)器系統(tǒng)3000包括存儲(chǔ)裝置3100和主機(jī)3200。存儲(chǔ)裝置3100包括閃速存儲(chǔ)器3110和存儲(chǔ)器控制器3120。在該示例中，存儲(chǔ)器控制器3120包括電壓控制單元3121ο
[0237]如上所述，在包括諸如閃速存儲(chǔ)器3110的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的存儲(chǔ)裝置3000中，可由于環(huán)境條件(例如，溫度、壓強(qiáng)、氣候等)的變化導(dǎo)致存儲(chǔ)器特征的退化和錯(cuò)誤的產(chǎn)生。在這種情況下，可控制操作電壓(例如，讀電壓和/或?qū)戨妷?以減少錯(cuò)誤比特和/或提高數(shù)據(jù)可靠性。
[0238]更詳細(xì)地說(shuō)，電壓控制單元3121可接收環(huán)境條件信息(例如，溫度信息、壓強(qiáng)信息等)，并且基于接收到的信息調(diào)整要提供至閃速存儲(chǔ)器3110的操作電壓。
[0239]電壓控制單元3121可從主機(jī)3200接收外部功率PWR，并利用例如電壓調(diào)制器將接收到的外部功率調(diào)制(或調(diào)整)為要提供至閃速存儲(chǔ)器3110的操作電壓。如果環(huán)境條件信息是溫度信息，則可通過(guò)閃速存儲(chǔ)器3110或存儲(chǔ)器控制器3100中的溫度感測(cè)裝置(例如，溫度感測(cè)裝置2141)將溫度信息提供至電壓控制單元3121。
[0240]根據(jù)至少一個(gè)示例實(shí)施例，如果在存儲(chǔ)器存取操作(例如，讀操作或?qū)懖僮?中在閃速存儲(chǔ)器3110出現(xiàn)操作錯(cuò)誤，則電壓控制單元3121可將操作電壓增大至第一增大操作電壓，并且可利用第一增大操作電壓執(zhí)行第一重試操作。在執(zhí)行第一重試操作時(shí)，可執(zhí)行存儲(chǔ)器存取操作的第二迭代。
[0241]如果在第一重試操作中出現(xiàn)錯(cuò)誤，則電壓控制單元3121可將存儲(chǔ)器存取操作的操作電壓進(jìn)一步增大至第二增大操作電壓。隨后可利用高于第一增大操作電壓的第二增大操作電壓在閃速存儲(chǔ)器3110上執(zhí)行第二重試操作。在執(zhí)行第二重試操作時(shí)，可執(zhí)行存儲(chǔ)器存取操作的第三迭代。
[0242]根據(jù)至少一些示例實(shí)施例，電壓控制單元3121可基于通過(guò)溫度感測(cè)裝置感測(cè)到的溫度的變化增大閃速存儲(chǔ)器3110的操作電壓。
[0243]圖27是操作電壓-溫度的曲線圖。圖27所示的曲線圖示出了隨著閃速存儲(chǔ)器3100的溫度降低至一個(gè)或多個(gè)下閾溫度值以下電壓控制單元3121按照逐步方式增大閃速存儲(chǔ)器3100上的存儲(chǔ)器存取操作的操作電壓的示例。圖27所示的曲線圖還示出了隨著閃速存儲(chǔ)器2100的溫度升高至一個(gè)或多個(gè)上閾溫度值以上電壓控制單元3121按照逐步方式增大閃速存儲(chǔ)器3100的操作電壓的示例。
[0244]參照?qǐng)D27更詳細(xì)地說(shuō)，如果閃速存儲(chǔ)器3100的溫度在第一下閾溫度Tq與第一上閾溫度!^之間，則電壓控制單元3121將閃速存儲(chǔ)器3100的操作電壓保持在約2.7V的第一(例如，正常)操作電壓(例如，Vo)。
[0245]如果溫度感測(cè)裝置檢測(cè)到閃速存儲(chǔ)器3100的溫度降低至第一下閾溫度Tq以下，則溫度感測(cè)裝置2141可將指示該溫度改變的溫度信息輸出至電壓控制單元3121。響應(yīng)于接收到的溫度信息，電壓控制單元3121可將操作電壓從第一操作電壓增大至約3.0V的第一增大操作電壓％。隨著溫度感測(cè)裝置2141檢測(cè)到溫度的進(jìn)一步降低(例如，降低至第二下閾溫度TC2、第三下閾溫度Tc3等以下)，在操作電壓到達(dá)最大操作電壓(例如，約3.6V)之前，電壓控制單元3121可按照逐步方式繼續(xù)增大閃速存儲(chǔ)器3100的操作電壓。操作電壓可按照約
0.1V、0.2V、0.5V的增量或者任何其它合適的電壓值增大。
[0246]如果溫度感測(cè)裝置檢測(cè)到閃速存儲(chǔ)器3100的溫度升高至第一上閾溫度Th1以上，則溫度感測(cè)裝置2141可將指示該溫度改變的溫度信息輸出至電壓控制單元3121。響應(yīng)于接收到的溫度信息，電壓控制單元3121可按照與以上參照溫度降低至下閾溫度值以下討論的方式相同或基本相同的方式增大操作電壓。
[0247]根據(jù)至少一些示例實(shí)施例，如果閃速存儲(chǔ)器3110的操作電壓設(shè)為相對(duì)較高，則可抑制閃速存儲(chǔ)器由于溫度變化(例如，升高和/或降低)導(dǎo)致的操作錯(cuò)誤。例如，如果閃速存儲(chǔ)器3110的操作電壓的范圍在2.7V與3.6V之間(包括端點(diǎn))，并且響應(yīng)于檢測(cè)到閃速存儲(chǔ)器3110的溫度降低至第一閾溫度以下使操作電壓從2.7V增大至3.0V，則即使閃速存儲(chǔ)器3100在正常(以及相對(duì)較高的)速度(例如，AAA Mbps)下操作，操作和/或數(shù)據(jù)錯(cuò)誤也可降低。
[0248]圖18是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的又一示例實(shí)施例的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的框圖。
[0249]參照?qǐng)D18，存儲(chǔ)器系統(tǒng)3500包括存儲(chǔ)裝置3600和主機(jī)3700。存儲(chǔ)裝置3600包括閃速存儲(chǔ)器3610和存儲(chǔ)器控制器3620。存儲(chǔ)器控制器3620包括電壓調(diào)制器3621，并且主機(jī)3700包括電壓控制單元3710。
[0250]如圖18所示，可根據(jù)存儲(chǔ)器系統(tǒng)3500的類型將主機(jī)3700的功率PWR提供(例如，直接提供)至閃速存儲(chǔ)器3610。在這種情況下，主機(jī)3700的電壓控制單元3710可調(diào)整閃速存儲(chǔ)器3610的操作電壓，并且將調(diào)整后的操作電壓輸出至存儲(chǔ)裝置3600。
[0251]電壓控制單元3710可從存儲(chǔ)器控制器3620或者從主機(jī)3700中接收環(huán)境條件信息(例如，溫度信息、壓強(qiáng)信息等)，并且可基于接收到的環(huán)境條件信息調(diào)整閃速存儲(chǔ)器3610的操作電壓。電壓控制單元3710可按照與以上參照?qǐng)D17所示的電壓控制單元3121討論的方式相同或基本相同的方式調(diào)整閃速存儲(chǔ)器3610的操作電壓。因此，省略詳細(xì)討論。
[0252]圖19是示出包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的固態(tài)盤系統(tǒng)的框圖。
[0253]參照?qǐng)D19，固態(tài)盤(SSD)系統(tǒng)4000包括主機(jī)4100和SSD 4200。主機(jī)4100包括:主機(jī)接口 4111;主機(jī)控制器4120 ；和DRAM 4130。
[0254]主機(jī)可在SSD 4200寫數(shù)據(jù)，或者可讀取存儲(chǔ)在SSD 4200中的數(shù)據(jù)。主機(jī)控制器4120可通過(guò)主機(jī)接口 4111將諸如命令信號(hào)、地址信號(hào)、控制信號(hào)等的信號(hào)SGL提供至SSD4200οDRAM 4130可為主機(jī)4100的主存儲(chǔ)器。
[0255]SSD 4200可通過(guò)主機(jī)接口4212與主機(jī)4100交換信號(hào)SGL，并且可通過(guò)功率連接器4221將功率供應(yīng)至SSD 4200oSSD 4200包括:多個(gè)非易失性存儲(chǔ)器4201至420η;SSD控制器4210;和輔助電源4220。這里，非易失性存儲(chǔ)器4201至420η可通過(guò)諸如PRAM、MRAM、ReRAM、FRAM等的非易失性存儲(chǔ)器以及2D和/或3D NAND閃速存儲(chǔ)器來(lái)實(shí)現(xiàn)。所述多個(gè)非易失性存儲(chǔ)器4201至420η可用作SSD 4200的存儲(chǔ)介質(zhì)。
[0256]所述多個(gè)非易失性存儲(chǔ)器4201至420η通過(guò)多個(gè)通道CHl至CHn連接至SSD控制器4210。一個(gè)通道可與一個(gè)或多個(gè)非易失性存儲(chǔ)器連接。與一個(gè)通道連接的各非易失性存儲(chǔ)器連接至相同的數(shù)據(jù)總線。
[0257]SSD控制器4210可通過(guò)主機(jī)接口 4212與主機(jī)4100交換信號(hào)SGL。這里，信號(hào)SGL可包括命令、地址、數(shù)據(jù)等。SSD控制器4210可構(gòu)造為根據(jù)來(lái)自主機(jī)4100的命令將數(shù)據(jù)寫至對(duì)應(yīng)的非易失性存儲(chǔ)器或者從對(duì)應(yīng)的非易失性存儲(chǔ)器中讀數(shù)據(jù)。將參照?qǐng)D20更詳細(xì)地描述SSD控制器4210的示例實(shí)施例。
[0258]輔助電源4220通過(guò)功率連接器4221連接至主機(jī)4100。輔助電源4220可由來(lái)自主機(jī)4100的功率PWR充電。在該示例實(shí)施例中，輔助電源4220布置在SSD 4200中。然而，在至少一些其它示例實(shí)施例中，輔助電源4220可布置在SSD 4200以外。例如，輔助電源4220可布置在主板上，以將輔助功率供應(yīng)至SSD 4200。
[0259]圖20是示意性地示出圖19所示的SSD控制器4210的示例實(shí)施例的框圖。
[0260]參照?qǐng)D20，SSD控制器4210包括:NVM接口 4211;主機(jī)接口 4212;時(shí)鐘控制單元4213 ；控制單元4214 JPSRAM 4215。
[0261]NVM接口 4211可將從主機(jī)4100的主存儲(chǔ)器轉(zhuǎn)移的數(shù)據(jù)分別分布至通道CHl至CHn。NVM接口4211還可將從非易失性存儲(chǔ)器4201至420η讀取的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移至SRAM 4215。
[0262]主機(jī)接口4212可根據(jù)主機(jī)4100的協(xié)議與SSD 4200聯(lián)接。主機(jī)接口4212可利用例如以下協(xié)議中的一個(gè)或多個(gè)與主機(jī)4100通信，所述協(xié)議即:USB(通用串行總線)、SCSI(小計(jì)算機(jī)系統(tǒng)接口)、快速PC1、ATA、PATA(并行ATA)、SATA(串行ATA)、SAS (串行連接SCSI)等。
[0263]主機(jī)接口4212可執(zhí)行使得主機(jī)4100能夠?qū)SD 4200識(shí)別為硬盤驅(qū)動(dòng)(HDD)的磁盤仿真功能。
[0264]時(shí)鐘控制單元4213可與本文討論的時(shí)鐘控制單元的其它示例實(shí)施例相同或基本相同。關(guān)于這一點(diǎn)，時(shí)鐘控制單元4213可構(gòu)造為調(diào)整用于執(zhí)行存儲(chǔ)器存取操作的時(shí)鐘的頻率和/或調(diào)整用于執(zhí)行存儲(chǔ)器存取操作的數(shù)據(jù)I/O速度(和/或其它操作條件)。根據(jù)至少一些示例實(shí)施例，可響應(yīng)于檢測(cè)諸如溫度、壓強(qiáng)等的環(huán)境條件的變化來(lái)調(diào)整非易失性存儲(chǔ)器4201至420η的數(shù)據(jù)輸入/輸出的時(shí)鐘(和/或其它操作條件)的頻率。在一個(gè)示例中，數(shù)據(jù)輸入/輸出的時(shí)鐘的頻率可在相對(duì)較低(冷)的溫度下減小，在諸如室溫的較溫暖的溫度下設(shè)為相對(duì)較高，并在相對(duì)較熱的溫度下減小。因此，可提高SSD系統(tǒng)4000的性能和/或使其最大化，同時(shí)降低操作錯(cuò)誤和/或使其最小化。
[0265]仍參照?qǐng)D20，控制單元4214可分析和處理來(lái)自主機(jī)4100的信號(hào)SGL。控制單元4214可分別通過(guò)主機(jī)接口 4212和/或NVM接口 4211控制主機(jī)4100和/或非易失性存儲(chǔ)器4201至420η?？刂茊卧?214可根據(jù)例如用于驅(qū)動(dòng)SSD 4200的固件來(lái)控制非易失性存儲(chǔ)器4201至420ηο
[0266]SRAM 4215可用于更有效地驅(qū)動(dòng)用于管理非易失性存儲(chǔ)器4201至420η的軟件。另外，SRAM 4215可存儲(chǔ)來(lái)自主機(jī)4100的主存儲(chǔ)器的元數(shù)據(jù)和/或可存儲(chǔ)高速緩存數(shù)據(jù)。在突然斷電操作中，可利用輔助電源4220將存儲(chǔ)在SRAM 4215的元數(shù)據(jù)和/或高速緩存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器4201至420η。
[0267]圖21是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一示例實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置的框圖。
[0268]參照?qǐng)D21，存儲(chǔ)裝置4500包括多個(gè)閃速存儲(chǔ)器4601至460m和存儲(chǔ)器控制器4700。
[0269]存儲(chǔ)器控制器4700可通過(guò)芯片使能信號(hào)nCE選擇閃速存儲(chǔ)器4601至460m中的至少一個(gè)。存儲(chǔ)器控制器4700可通過(guò)讀使能信號(hào)nRE從選擇的閃速存儲(chǔ)器中讀數(shù)據(jù)。例如，存儲(chǔ)器控制器4700可通過(guò)第一芯片使能信號(hào)nCEl和第一讀使能信號(hào)nREl從第一閃速存儲(chǔ)器4601中讀數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器控制器4700可通過(guò)第m芯片使能信號(hào)nCEm和第m讀使能信號(hào)nREm從第m閃速存儲(chǔ)器460m中讀數(shù)據(jù)。
[0270]存儲(chǔ)器控制器4700包括驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度控制單元4710。根據(jù)至少一些示例實(shí)施例，驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度D/S是指用于驅(qū)動(dòng)閃速存儲(chǔ)器的強(qiáng)度。關(guān)于這一點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度越高，可通過(guò)存儲(chǔ)器控制器4700驅(qū)動(dòng)的閃速存儲(chǔ)器的數(shù)量越大。
[0271]如同參照其它示例實(shí)施例討論的時(shí)鐘控制單元和電壓控制單元的情況一樣，驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度控制單元4710可從閃速存儲(chǔ)器4601至460m中的一個(gè)或多個(gè)或者存儲(chǔ)器控制器4700接收環(huán)境條件信息(例如，溫度信息、壓強(qiáng)信息等)，并且可基于接收到的環(huán)境條件信息調(diào)整存儲(chǔ)裝置4500的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。
[0272]在一個(gè)示例中，如果環(huán)境條件信息是溫度信息，則驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度控制單元4710可基于來(lái)自在閃速存儲(chǔ)器4601至460m中的一個(gè)或多個(gè)或者存儲(chǔ)器控制器4700中的溫度感測(cè)裝置的溫度信息調(diào)整存儲(chǔ)裝置4500的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。
[0273]驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度控制單元4710可通過(guò)芯片使能信號(hào)調(diào)整驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。
[0274]根據(jù)至少一些示例實(shí)施例，通過(guò)在相對(duì)較低(冷)的溫度下調(diào)整驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，即使存儲(chǔ)裝置4500繼續(xù)以正常(例如，相對(duì)較高的)速度(例如，AAA Mbps)操作，操作錯(cuò)誤和/或數(shù)據(jù)錯(cuò)誤也可降低。
[0275]圖28是驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度-溫度的曲線圖。圖28所示的曲線圖示出了隨著存儲(chǔ)裝置的溫度降低至一個(gè)或多個(gè)下閾溫度值以下，驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度控制單元4710按照逐步方式增大存儲(chǔ)裝置4500的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的示例。圖28所示的曲線圖還示出了隨著存儲(chǔ)裝置4500的溫度升高至一個(gè)或多個(gè)上閾溫度值以上，驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度控制單元4710按照逐步方式增大存儲(chǔ)裝置4500的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的示例。
[0276]參照?qǐng)D28更詳細(xì)地說(shuō)，如果存儲(chǔ)裝置4500的溫度(例如，通過(guò)溫度感測(cè)裝置檢測(cè))在第一下閾溫度Tq與第一上閾溫度Th1之間，則驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度控制單元4710將存儲(chǔ)裝置4500的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度保持在第一(例如，正常)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度Do。根據(jù)至少一些示例實(shí)施例，第一驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度D0可為約35ohms，并且通過(guò)存儲(chǔ)器控制器4700與存儲(chǔ)裝置4500之間的稱作阻抗匹配的調(diào)整程序，驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的范圍可為從約20ohms至約70ohms。存儲(chǔ)裝置4500設(shè)置初始驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度值并且隨后測(cè)量信號(hào)完整性。在重復(fù)校準(zhǔn)之后，存儲(chǔ)裝置4500設(shè)置初始驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度Do。
[0277]如果溫度感測(cè)裝置檢測(cè)到存儲(chǔ)裝置4500的溫度降低至第一下閾溫度Tq以下，則溫度感測(cè)裝置可將指示該溫度改變的溫度信息輸出至驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度控制單元4710。響應(yīng)于接收到的溫度信息，驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度控制單元4710可將驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度從第一驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度電壓Do增大至第一增大驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度0:。在驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度達(dá)到最大驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度之前，隨著溫度感測(cè)裝置檢測(cè)到溫度進(jìn)一步降低(例如，降低至第二下閾溫度Tc2、第三下閾溫度Tc3以下等)，驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度控制單元4710可繼續(xù)按照逐步方式增大(例如，達(dá)到驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度出等)存儲(chǔ)裝置4500的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。
[0278]如果溫度感測(cè)裝置檢測(cè)到閃速存儲(chǔ)器4500的溫度升高至第一上閾溫度Th1以上，則溫度感測(cè)裝置可將指示該溫度改變的溫度信息輸出至驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度控制單元4710。響應(yīng)于接收到的溫度信息，驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度控制單元4710可按照與以上參照溫度降低至下閾溫度值以下討論的方式相同或基本相同的方式增大驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。
[0279]圖22是示意性地示出包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的電子裝置的框圖。至少在該示例實(shí)施例中，電子裝置5000可為諸如筆記本計(jì)算機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、相機(jī)等的個(gè)人計(jì)算機(jī)或便攜式電子裝置。
[0280]參照?qǐng)D22，電子裝置5000包括:存儲(chǔ)器系統(tǒng)5100 ；電源裝置5200 ；輔助電源5250 ；中央處理單元(CPU)5300;DRAM 5400;和用戶接口5500。存儲(chǔ)器系統(tǒng)5100包括閃速存儲(chǔ)器5110和存儲(chǔ)器控制器5210。存儲(chǔ)器系統(tǒng)5100可嵌入在電子裝置5000中，或者可從電子裝置5000移除。
[0281]如上所述，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的至少該示例實(shí)施例的電子裝置5000可利用存儲(chǔ)器系統(tǒng)5100的時(shí)鐘控制單元調(diào)整數(shù)據(jù)I/O速度。根據(jù)至少一個(gè)示例實(shí)施例，閃速存儲(chǔ)器5110的數(shù)據(jù)輸入/輸出的時(shí)鐘的頻率可在相對(duì)較低(冷)的溫度(例如，小于或等于約-1o°c)下降低，可在較溫暖的溫度(例如，約20°C或者約-10°C與約85°C之間)下設(shè)為相對(duì)較高的值(例如，最大)，并且可在相對(duì)較熱的溫度(例如，大于或等于約85°C)下降低。因此，可提高電子裝置5000的性能和/或使其最大化，同時(shí)降低其操作錯(cuò)誤和/或使其最小化。
[0282]圖23是示意性地示出包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的存儲(chǔ)卡系統(tǒng)的框圖。
[0283]參照?qǐng)D23，存儲(chǔ)卡系統(tǒng)6000包括主機(jī)6100和存儲(chǔ)卡6200。主機(jī)6100包括:主機(jī)控制器6110;主機(jī)連接單元6120 JPDRAM 6130。
[0284]主機(jī)6100可將數(shù)據(jù)寫至存儲(chǔ)卡6200和從存儲(chǔ)卡6200中讀數(shù)據(jù)。主機(jī)控制器6110可通過(guò)主機(jī)連接單元6120將命令(例如，讀命令、寫命令等)、從主機(jī)61100中的時(shí)鐘產(chǎn)生器(未示出)產(chǎn)生的時(shí)鐘信號(hào)CLK和/或數(shù)據(jù)發(fā)送至存儲(chǔ)卡6200ARAM 6130可為主機(jī)6100的主存儲(chǔ)器。
[0285]存儲(chǔ)卡6200包括:卡連接單元6210 ；卡控制器6220 ；和閃速存儲(chǔ)器6230。卡控制器6220可響應(yīng)于通過(guò)卡連接單元6210輸入的命令將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在閃速存儲(chǔ)器6230?？膳c從卡控制器6 220中的時(shí)鐘產(chǎn)生器(未示出)產(chǎn)生的時(shí)鐘信號(hào)同步地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。閃速存儲(chǔ)器6 230可存儲(chǔ)從主機(jī)6100轉(zhuǎn)移的數(shù)據(jù)。例如，在主機(jī)6100是數(shù)碼相機(jī)的情況下，閃速存儲(chǔ)器6230可存儲(chǔ)圖像數(shù)據(jù)。
[0286]主機(jī)控制器6110或卡控制器6220可包括如以上參照一個(gè)或多個(gè)示例實(shí)施例討論的時(shí)鐘控制單元。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的至少一些示例實(shí)施例的存儲(chǔ)卡系統(tǒng)6000可利用時(shí)鐘控制單元調(diào)整數(shù)據(jù)I/O速度。根據(jù)至少一些示例實(shí)施例，閃速存儲(chǔ)器6230的數(shù)據(jù)輸入/輸出的時(shí)鐘的頻率可在相對(duì)較低(冷)的溫度(例如，小于或等于約-10°C)下降低，可在較溫暖的溫度(例如，約20°C或者約-10°C與約85°C之間)下設(shè)為相對(duì)較高的值(例如，最大)，并且可在相對(duì)較熱的溫度(例如，大于或等于約85°C)下降低。因此，可提高存儲(chǔ)卡系統(tǒng)6000的性能和/或使其最大化，同時(shí)降低其操作錯(cuò)誤和/或使其最小化。
[0287]圖24是示意性地示出包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置的移動(dòng)裝置的框圖。
[0288]參照?qǐng)D24，移動(dòng)裝置7000包括主機(jī)7100和嵌入式存儲(chǔ)裝置7200。在該示例實(shí)施例中，嵌入式存儲(chǔ)裝置7200通過(guò)eMMC來(lái)實(shí)現(xiàn)。eMMC7200可為通過(guò)例如JEDEC標(biāo)準(zhǔn)化的存儲(chǔ)卡，并且可通過(guò)嵌入式或便攜式MMC來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0289]主機(jī)7100包括:應(yīng)用7110;操作系統(tǒng)(0S)7120;處理器7130;隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)7170;和 eMMC 驅(qū)動(dòng)器 7150。
[0290]如圖24所示，eMMC 7200包括閃速存儲(chǔ)器7210和eMMC控制器7220wMMC控制器7220包括中央處理單元(CPU)7221和隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ΚΑΜ)7222ΧΡυ 7221可利用RAM 7222驅(qū)動(dòng)eMMC 固件 7223。
[0291]eMMC控制器7220可包括時(shí)鐘控制單元(未示出)根據(jù)示例實(shí)施例。根據(jù)至少該示例實(shí)施例的移動(dòng)裝置7000可利用時(shí)鐘控制單元調(diào)整數(shù)據(jù)I/O速度。根據(jù)至少一些示例實(shí)施例，閃速存儲(chǔ)器7210的數(shù)據(jù)輸入/輸出的時(shí)鐘的頻率可在相對(duì)較低(冷)的溫度(例如，小于或等于約-10 °C)下降低，可在較溫暖的溫度(例如，約20 °C或者約-10 °C與約85 °C之間)下設(shè)為相對(duì)較高的值(例如，最大)，并且可在相對(duì)較熱的溫度(例如，大于或等于約85°C)下降低。因此，可提高存儲(chǔ)卡系統(tǒng)的性能和/或使其最大化，同時(shí)降低其操作錯(cuò)誤和/或使其最小化。
[0292]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一個(gè)或多個(gè)示例實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置可利用時(shí)鐘控制單元調(diào)整數(shù)據(jù)I/O速度。根據(jù)至少一些示例實(shí)施例，存儲(chǔ)裝置的數(shù)據(jù)輸入/輸出的時(shí)鐘的頻率可在相對(duì)較低(冷)的溫度下降低，并且在諸如室溫的較溫暖的溫度下升高或設(shè)為較高。因此，可提高存儲(chǔ)裝置的性能和/或使其最大化，同時(shí)降低其操作錯(cuò)誤和/或使其最小化。
[0293]雖然已經(jīng)參照一些示例實(shí)施例描述了本發(fā)明構(gòu)思，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該清楚，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍的情況下，可作出各種改變和修改。因此，應(yīng)該理解，上面討論的示例實(shí)施例不是限制性的，而是示意說(shuō)明性的。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于操作NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的方法，所述方法包括步驟: 檢測(cè)NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度降低至第一閾溫度水平以下；以及 響應(yīng)于檢測(cè)到NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度降低至第一閾溫度水平以下，調(diào)整存儲(chǔ)器存取操作的操作條件。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，操作條件是以下之一:(i)存儲(chǔ)器存取操作的數(shù)據(jù)I/O速度，(ii)存儲(chǔ)器存取操作的讀電壓電平，以及(iii)NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中 操作條件是存儲(chǔ)器存取操作的數(shù)據(jù)I/o速度;并且 所述調(diào)整的步驟包括:響應(yīng)于檢測(cè)到NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度降低至第一閾溫度水平以下，將存儲(chǔ)器存取操作的數(shù)據(jù)I/O速度從第一數(shù)據(jù)I/O速度減小至第二數(shù)據(jù)I/O速度。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，還包括步驟: 檢測(cè)NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度進(jìn)一步降低至第二閾溫度水平以下，第二閾溫度水平低于第一閾溫度水平；以及 響應(yīng)于檢測(cè)到NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度進(jìn)一步降低至第二閾溫度水平以下，將存儲(chǔ)器存取操作的數(shù)據(jù)I/O速度從第二數(shù)據(jù)I/O速度減小至第三I/O速度。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，還包括步驟: 檢測(cè)NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度升高至第一閾溫度水平以上；以及 響應(yīng)于檢測(cè)到NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度升高至第一閾溫度水平以上，將存儲(chǔ)器存取操作的數(shù)據(jù)I/O速度從第二數(shù)據(jù)I/O速度增大至第一數(shù)據(jù)I/O速度。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中 操作條件是存儲(chǔ)器存取操作的讀電壓電平;并且 所述調(diào)整的步驟包括:響應(yīng)于檢測(cè)到NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度降低至第一閾溫度水平以下，將存儲(chǔ)器存取操作的讀電壓電平從第一讀電壓電平增大至第二讀電壓電平。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括步驟: 檢測(cè)NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度進(jìn)一步降低至第二閾溫度水平以下，第二閾溫度水平低于第一閾溫度水平；以及 響應(yīng)于檢測(cè)到NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度進(jìn)一步降低至第二閾溫度水平以下，將存儲(chǔ)器存取操作的讀電壓電平從第二讀電壓電平增大至第三讀電壓電平。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括步驟: 檢測(cè)NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度升高至第一閾溫度水平以上；以及 響應(yīng)于檢測(cè)到NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度升高至第一閾溫度水平以上，將存儲(chǔ)器存取操作的讀電壓電平從第二讀電壓電平減小至第一讀電壓電平。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中， 操作條件是NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度;并且 所述調(diào)整的步驟包括:響應(yīng)于檢測(cè)到NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度降低至第一閾溫度水平以下，將NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度從第一驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度增大至第二驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，還包括步驟: 檢測(cè)NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度進(jìn)一步降低至第二閾溫度水平以下，第二閾溫度水平低于第一閾溫度水平；以及 響應(yīng)于檢測(cè)到NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度進(jìn)一步降低至第二閾溫度水平以下，將NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度從第二驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度增大至第三驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，還包括步驟: 檢測(cè)NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度升高至第一閾溫度水平以上；以及響應(yīng)于檢測(cè)到NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度升高至第一閾溫度水平以上，將NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度從第二驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度減小至第一驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。12.—種用于操作存儲(chǔ)器系統(tǒng)的方法，所述方法包括步驟: 基于與存儲(chǔ)器系統(tǒng)關(guān)聯(lián)的溫度信息來(lái)調(diào)整存儲(chǔ)器存取操作的數(shù)據(jù)I/O速度，其中如果溫度信息指示存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度低于第一閾溫度水平，則所述調(diào)整的步驟將存儲(chǔ)器存取操作的數(shù)據(jù)I/O速度調(diào)整至第一數(shù)據(jù)I/O速度， 如果溫度信息指示存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度在第一閾溫度水平與第二閾溫度水平之間，則所述調(diào)整的步驟將存儲(chǔ)器存取操作的數(shù)據(jù)I/O速度調(diào)整至第二數(shù)據(jù)I/O速度，并且 如果溫度信息指示存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度高于第二閾溫度水平，則所述調(diào)整的步驟將存儲(chǔ)器存取操作的數(shù)據(jù)I/O速度調(diào)整至第三數(shù)據(jù)I/O速度。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，第一數(shù)據(jù)I/O速度和第三數(shù)據(jù)I/O速度小于第二數(shù)據(jù)I/O速度。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中， 存儲(chǔ)器存取操作是讀操作;并且 所述方法還包括步驟:基于調(diào)整后的數(shù)據(jù)I/O速度確定讀操作的讀電壓。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述確定的步驟利用谷搜索操作來(lái)確定讀操作的讀電壓。16.—種用于操作NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的方法，所述方法包括步驟: 檢測(cè)NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度降低至第一閾溫度水平以下；以及 響應(yīng)于檢測(cè)到NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度降低至第一閾溫度水平以下，減小存儲(chǔ)器存取操作的時(shí)鐘頻率和數(shù)據(jù)I /0速度中的至少一個(gè)。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，還包括步驟: 在執(zhí)行存儲(chǔ)器存取操作的第一迭代時(shí)，檢測(cè)第一錯(cuò)誤； 響應(yīng)于檢測(cè)到第一錯(cuò)誤，調(diào)整存儲(chǔ)器存取操作的第二迭代的操作條件，所述操作條件為以下之一:(i)存儲(chǔ)器存取操作的讀電壓電平，以及(ii)NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度；以及 根據(jù)調(diào)整后的操作條件以及存儲(chǔ)器存取操作的時(shí)鐘頻率和數(shù)據(jù)I/O速度中的至少減小的一個(gè)執(zhí)行存儲(chǔ)器存取操作的第二迭代。18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，還包括步驟: 在執(zhí)行存儲(chǔ)器存取操作的第一迭代時(shí)，檢測(cè)第一錯(cuò)誤； 響應(yīng)于檢測(cè)到第一錯(cuò)誤，調(diào)整存儲(chǔ)器存取操作的第二迭代的操作條件，所述操作條件為以下之一:(i)存儲(chǔ)器存取操作的讀電壓電平，以及(ii)NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度； 根據(jù)調(diào)整后的操作條件執(zhí)行存儲(chǔ)器存取操作的第二迭代； 在執(zhí)行存儲(chǔ)器存取操作的第二迭代時(shí)，檢測(cè)第二錯(cuò)誤;并且其中 響應(yīng)于檢測(cè)到第二錯(cuò)誤，所述減小的步驟使存儲(chǔ)器存取操作的時(shí)鐘頻率和數(shù)據(jù)I/O速度中的至少一個(gè)減小。19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中 所述減小的步驟將存儲(chǔ)器存取操作的時(shí)鐘頻率和數(shù)據(jù)I/O速度中的至少一個(gè)從第一水平減小至第二水平;并且 所述方法還包括步驟: 檢測(cè)NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度降低至第二閾溫度水平以下，所述第二閾溫度水平低于第一閾溫度水平；以及 響應(yīng)于檢測(cè)到NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度降低至第二閾溫度水平以下，將存儲(chǔ)器存取操作的時(shí)鐘頻率和數(shù)據(jù)I/O速度中的至少一個(gè)從第二水平減小至第三水平。20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中 所述減小的步驟將存儲(chǔ)器存取操作的時(shí)鐘頻率和數(shù)據(jù)I/o速度中的至少一個(gè)從第一水平減小至第二水平;并且 所述方法還包括步驟: 檢測(cè)NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度升高至第一閾溫度水平以上；以及 響應(yīng)于檢測(cè)到NAND閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的溫度升高至第一閾溫度水平以上，將存儲(chǔ)器存取操作的時(shí)鐘頻率和數(shù)據(jù)I/O速度中的至少一個(gè)從第二水平增大至第一水平。
【文檔編號(hào)】G11C16/34GK105895161SQ201610087796
【公開日】2016年8月24日
【申請(qǐng)日】2016年2月16日
【發(fā)明人】鄭云在, 申韓臣
【申請(qǐng)人】三星電子株式會(huì)社