存儲(chǔ)器系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述存儲(chǔ)器系統(tǒng)包括非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器控制器。所述存儲(chǔ)器控制器具有第一信號(hào)生成部分、第二信號(hào)生成部分以及第一接口部分，所述第一信號(hào)生成部分生成與用于所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的讀取操作的讀取電壓相關(guān)的第一信號(hào)，所述第二信號(hào)生成部分生成指定用于糾正所述讀取電壓的溫度的溫度系數(shù)的第二信號(hào)，并且所述第一接口部分輸出所述第一信號(hào)、所述第二信號(hào)以及讀取命令。所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器具有字線、包括連接到所述字線的存儲(chǔ)器基元的存儲(chǔ)器基元陣列以及第二接口部分，所述第二接口部分接收所述第一信號(hào)、所述第二信號(hào)以及所述讀取命令。
【專利說明】存儲(chǔ)器系統(tǒng)
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求2015年2月20日提交的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)?zhí)?2/118，831和2015年5月14日提交的美國(guó)申請(qǐng)?zhí)?4/712,017的優(yōu)先權(quán)，通過引用將其整個(gè)內(nèi)容并入到此處。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]此處描述的實(shí)施例通常地涉及存儲(chǔ)器系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0004]在多值非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的領(lǐng)域中公知的存儲(chǔ)器基元根據(jù)它們的各自閾值具有不同的各自溫度依賴性。因此，在正常讀取中，用于確定所有存儲(chǔ)器基元的各自閾值被基于適合于各自存儲(chǔ)器基元的不同溫度系數(shù)而單獨(dú)地調(diào)整。另一方面，進(jìn)行分布讀取以確定通過所有存儲(chǔ)器基元呈現(xiàn)的閾值分布狀態(tài)，即，以確定峰(mountain)與谷(valley)的形狀等，對(duì)于所有存儲(chǔ)器基元的閾值中的每一個(gè)。然而，在分布讀取中，用于確定所有存儲(chǔ)器基元的各自閾值的讀取電壓被基于單一普通(相同)溫度系數(shù)調(diào)整，不考慮在讀取電壓中的不同。因此，通過分布讀取檢測(cè)的閾值分布可能與在正常讀取中實(shí)際呈現(xiàn)的閾值分布不一致。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]實(shí)施例的目的為提供改善的存儲(chǔ)器系統(tǒng)。
[0006]實(shí)施例提供，
[0007]—種存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其包括非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和控制所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器控制器，
[0008]所述存儲(chǔ)器控制器包括:
[0009]第一信號(hào)生成部分，其被配置為生成與用于所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的讀取操作的讀取電壓相關(guān)的第一信號(hào)；
[0010]第二信號(hào)生成部分，其被配置為生成用于指定(specify)用于所述讀取電壓的溫度糾正的溫度系數(shù)的第二信號(hào)；以及
[0011]第一接口部分，其被配置為輸出所述第一信號(hào)、所述第二信號(hào)以及讀取命令；以及
[0012]所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器包括:
[0013]字線；
[0014]存儲(chǔ)器基元陣列，其包括連接到所述字線的存儲(chǔ)器基元；
[0015]第二接口部分，其被配置為接收所述第一信號(hào)、所述第二信號(hào)以及所述讀取命令；以及
[0016]控制部分，其被配置為生成基于所述第一信號(hào)確定的所述讀取電壓，以基于通過所述第二信號(hào)指定的所述溫度系數(shù)調(diào)整所述讀取電壓，從而生成調(diào)整的讀取電壓，以使用所述調(diào)整的讀取電壓確定連接到所述字線的所述存儲(chǔ)器基元中的每個(gè)的閾值電壓，并且將通過確定所述閾值電壓獲得的結(jié)果通過所述第二接口部分輸出到所述存儲(chǔ)器控制器。
[0017]此外，實(shí)施例提供，
[0018]—種控制器系統(tǒng)，其包括非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和控制所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器控制器，
[0019]所述存儲(chǔ)器控制器包括:
[0020]第一信號(hào)生成部分，其被配置為生成指定用于所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的讀取操作的讀取電壓和用于所述讀取電壓的溫度的糾正的溫度系數(shù)的第一信號(hào)；
[0021]第二信號(hào)生成部分，其被配置為生成用于給出指令以使通過所述第一信號(hào)指定的所述讀取電壓經(jīng)受基于所述溫度系數(shù)的用于溫度的糾正的第二信號(hào)；以及
[0022]第一接口部分，其被配置為輸出所述第一信號(hào)、所述第二信號(hào)以及讀取命令；以及
[0023]所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器包括:
[0024]字線；
[0025]存儲(chǔ)器基元陣列，其包括連接到所述字線的存儲(chǔ)器基元；
[0026]第二接口部分，其被配置為接收所述第一信號(hào)、所述第二信號(hào)以及所述讀取命令；以及
[0027]控制部分，其被配置為生成基于所述第一信號(hào)確定的所述讀取電壓，以基于通過所述第一信號(hào)指定的所述溫度系數(shù)調(diào)整所述讀取電壓，從而生成調(diào)整的讀取電壓，以使用所述調(diào)整的讀取電壓確定連接到所述字線的所述存儲(chǔ)器基元中的每個(gè)的閾值電壓，并且將通過確定所述閾值電壓獲得的結(jié)果通過所述第二接口部分輸出到所述存儲(chǔ)器控制器。
【附圖說明】
[0028]圖1為示出示例性存儲(chǔ)器系統(tǒng)的視圖；
[0029]圖2為示出示例性非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的視圖；
[0030]圖3為示出存儲(chǔ)器基元陣列的示例性方框的視圖；
[0031]圖4和圖5每個(gè)為示出存儲(chǔ)器控制器具有的示例性表格的視圖；
[0032]圖6為示出非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器具有的示例性表格的視圖；
[0033]圖7和圖8每個(gè)為示出示例性電壓控制器的視圖；
[0034]圖9為示出示例性控制信號(hào)生成部分的視圖；
[0035]圖10和圖11每個(gè)為示出改變溫度系數(shù)的實(shí)例的視圖；
[0036]圖12為示出使用2η閾值分布的峰的改變溫度系數(shù)的實(shí)例的視圖；
[0037]圖13為示出使用2η閾值分布的谷的改變溫度系數(shù)的實(shí)例的視圖；
[0038]圖14為對(duì)比示出對(duì)比例和實(shí)施例的視圖；
[0039]圖15為示出在實(shí)際閾值分布和通過分布讀取檢測(cè)的閾值分布之間的差異的視圖；
[0040]圖16為示范性示出到便攜式計(jì)算機(jī)的應(yīng)用的視圖；以及
[0041]圖17為示范性示出到數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的應(yīng)用的視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0042]1.實(shí)施例
[0043]圖1示出示例性存儲(chǔ)器系統(tǒng)。
[0044]存儲(chǔ)器系統(tǒng)具有存儲(chǔ)器控制器100和通過存儲(chǔ)器控制器100控制的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器200。
[0045]存儲(chǔ)器控制器100包括處理部分110、接口部分120、存儲(chǔ)部分130、錯(cuò)誤檢查與錯(cuò)誤糾正部分(ECC) 140以及連接這些部分的總線150。
[0046]處理部分110包括生成指定在非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器200的分布讀取時(shí)間使用的讀取電壓的第一信號(hào)的第一信號(hào)生成部分111，和生成指定用于在分布讀取的時(shí)間使用的讀取電壓的溫度糾正的溫度系數(shù)(施加到讀取電壓的溫度系數(shù))的第二信號(hào)的第二信號(hào)生成部分112。
[0047]接口部分120在分布讀取的時(shí)間輸出分布讀取命令CMD、第一信號(hào)以及第二信號(hào)到非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器200。
[0048]例如，錯(cuò)誤檢查與錯(cuò)誤糾正部分140檢查和糾正從非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器200讀取的讀取數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤。
[0049]存儲(chǔ)部分130具有表格131。表格131包括讀取電壓、對(duì)應(yīng)于讀取電壓的數(shù)字值(DAC值)以及用于選擇用于糾正各自讀取電壓的溫度的溫度系數(shù)的信息。第一信號(hào)生成部分111和第二信號(hào)生成部分112參考在存儲(chǔ)部分130中的表格131各自生成第一和第二信號(hào)。
[0050]圖2示出示例性非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。
[0051]例如，非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器200為NAND閃存。
[0052]非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器200包括輸入/輸出(I/O)控制器201、命令/信號(hào)緩沖器202、地址緩沖器203、電壓控制器204、電壓生成器205、驅(qū)動(dòng)器206、感測(cè)放大器207、譯碼器208、存儲(chǔ)器基元陣列209、頁(page)緩沖器210以及溫度傳感器211。
[0053]基于輸入信號(hào)IN，I/O控制器201向命令/信號(hào)緩沖器202提供全部從存儲(chǔ)器控制器100已經(jīng)接收的命令CMD、第一信號(hào)SI以及第二信號(hào)S2，并且向地址緩沖器203提供地址。而且，I/O控制器201在寫入的時(shí)間發(fā)送數(shù)據(jù)到頁緩沖器210并且在讀取的時(shí)間接收來自頁緩沖器210的數(shù)據(jù)。
[0054]命令/信號(hào)緩沖器202譯碼命令CMD，并且輸出指令到電壓控制器204以便執(zhí)行通過命令表示的各種操作(例如，讀取、寫入、擦除等)。而且，命令/信號(hào)緩沖器202譯碼第一信號(hào)SI和第二信號(hào)S2，并且輸出這些到電壓控制器204。地址緩沖器203譯碼地址并且輸出地址到驅(qū)動(dòng)器206。
[0055]電壓控制器204根據(jù)來自命令緩沖器202的命令控制訪問存儲(chǔ)器基元陣列209的操作。
[0056]電壓生成器205基于來自電壓控制器204的控制信號(hào)CGRVDAC生成電壓CGRV用于實(shí)現(xiàn)讀取操作。驅(qū)動(dòng)器206基于來自地址緩沖器203的地址和來自電壓控制器204的指令控制感測(cè)放大器207、譯碼器208以及存儲(chǔ)器基元陣列209的操作。
[0057]存儲(chǔ)器基元陣列209包括塊BKO-BKm (m為I或更大的自然數(shù))。塊BKO-BKm中的每個(gè)包括物理頁。
[0058]而且，一個(gè)物理頁包括η個(gè)邏輯頁(η為2或更大的自然數(shù))。也就是，非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器為具有2η閾值分布的多值存儲(chǔ)器。
[0059]溫度傳感器211感測(cè)非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器200的溫度，并且輸出溫度信息TC?？善谕氖?，鄰近存儲(chǔ)器基元陣列209設(shè)置溫度傳感器211以便正確地檢測(cè)存儲(chǔ)器基元陣列209的溫度。
[0060]電壓控制器204以例如寄存器保持包括在表格213中的信息的方式持有表格213。表格213包括讀取電壓、分別對(duì)應(yīng)于讀取電壓的數(shù)字值(DAC值)以及用于選擇用于糾正通過讀取電壓誘導(dǎo)的溫度的溫度系數(shù)的信息。電壓控制器204輸出控制信號(hào)CGRVDAC用于使電壓生成器205在正常讀取和驗(yàn)證讀取的時(shí)間使用包括在表格213中的信息生成期望的讀取電壓。而且，電壓控制器204輸出控制信號(hào)CGRVDAC用于使電壓生成器205基于在分布讀取的時(shí)間從存儲(chǔ)器控制器100接收的第一信號(hào)SI和第二信號(hào)S2生成期望的讀取電壓。
[0061]圖3示出存儲(chǔ)器基元陣列的一個(gè)示例性方框。
[0062]圖3示出圖2的方框BKO。
[0063]而且，偶數(shù)方框BK2、…分別地具有與方框BKO的布局相同的布局，而奇數(shù)方框BKU…分別地具有與方框BKO布局上下相反的布局。
[0064]方框BKO包括沿第一軸設(shè)置的基元單元⑶。每個(gè)基元單元⑶包括包含沿垂直于第一軸的第二軸設(shè)置的且彼此串聯(lián)連接以形成具有兩個(gè)相對(duì)端部的電流路徑的八個(gè)存儲(chǔ)器基元MC0-MC7的存儲(chǔ)器基元串、在連接到存儲(chǔ)器基元串的電流路徑的端部中的一端的源線SL側(cè)的選擇晶體管S1、以及在連接到存儲(chǔ)器基元串的電流路徑的另一端的位線BL(j-l)側(cè)的選擇晶體管S2。
[0065]任何存儲(chǔ)器基元MCk (k為0-7中的一個(gè))包括電荷存儲(chǔ)層(例如，浮動(dòng)?xùn)艠O電極)FG和控制柵極電極CG。
[0066]在該實(shí)例中，任何基元單元⑶包括八個(gè)存儲(chǔ)器基元MC0-MC7，但是存儲(chǔ)器基元的數(shù)量沒有被局限于該實(shí)例。例如，只要每個(gè)基元單元CU包括至少兩個(gè)存儲(chǔ)器基元就沒有問題。因此，有可能對(duì)于每個(gè)基元單元⑶包括，例如，三十二或五十六個(gè)存儲(chǔ)器基元。
[0067]將每個(gè)存儲(chǔ)器基元串的電流路徑的一端通過對(duì)應(yīng)的選擇晶體管SI連接到源線SL。將每個(gè)存儲(chǔ)器基元串的電流路徑的另一端通過對(duì)應(yīng)的選擇晶體管S2連接到位線BL(J-1)0
[0068]將沿第二軸設(shè)置的且構(gòu)成沿第一軸設(shè)置的存儲(chǔ)器基元串中的任一個(gè)的存儲(chǔ)器基元MC0-MC7中每一個(gè)的控制柵極電極CG，連接到對(duì)應(yīng)的字線WL0-WL7中的一個(gè)。再者，將選擇柵極線SGS共同地連接到沿第一軸設(shè)置的選擇晶體管SI的所有柵極電極。相似地，將選擇柵極線SGD共同地連接到沿第一軸設(shè)置的選擇晶體管S2的所有柵極電極。
[0069]例如，連接到字線WLi (i為0-7中的一個(gè))的j存儲(chǔ)器基元構(gòu)成一個(gè)物理頁P(yáng)P，并且包括η個(gè)邏輯頁。
[0070]此處，將解釋正常讀取操作和分布讀取操作。
[0071]在正常讀取操作中，通過施加讀取電壓到一個(gè)選擇字線(例如，字線WL0)，將存儲(chǔ)在物理頁P(yáng)P中的頁數(shù)據(jù)讀取到位線BLO-BL(j-l)作為讀取數(shù)據(jù)。通過感測(cè)放大器放大讀取數(shù)據(jù)，并且從非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器通過頁緩沖器，將讀取數(shù)據(jù)輸出到存儲(chǔ)器控制器。
[0072]在正常讀取操作中的讀取電壓為施加到選擇字線的讀取電壓，以便確定存儲(chǔ)器基元的閾值。例如，當(dāng)存儲(chǔ)器基元在其閾值分布中具有四個(gè)峰時(shí)，在通過閾值分布中的四個(gè)峰限定的三個(gè)谷中的每個(gè)處設(shè)置讀取電壓。
[0073]例如，在分布讀取操作中，依次將若干種類的讀取電壓施加到選擇字線。確定(計(jì)數(shù)(counted))通過連接到字線的存儲(chǔ)器基元中的每個(gè)所呈現(xiàn)的狀態(tài)(O或I的數(shù)字)。因此，獲取存儲(chǔ)器基元中的每個(gè)的閾值分布。換言之，通過依次施加若干種類的讀取電壓到選擇字線，來確定連接到字線的存儲(chǔ)器基元中的每個(gè)的閾值電壓，并且計(jì)數(shù)所確定的結(jié)果。因此，例如，將依次增加在分布讀取操作中的讀取電壓用于每個(gè)讀取操作。
[0074]然后，將參考圖4和圖5描述表格131。
[0075]例如，表格131保持對(duì)應(yīng)于讀取電壓CGRV的數(shù)字值(DAC值)D0、D1、*"、D127。而且，表格131保持施加到讀取電壓CGRV的溫度系數(shù)。從若干先前確定的值(零可能被包括在內(nèi))中選擇溫度系數(shù)。
[0076]在本實(shí)例中，從三個(gè)值TC0_A、TC0_B以及TC0_C中選擇溫度系數(shù)。將TC0_A施加為對(duì)與數(shù)字值(其A-等級(jí)(A-1evel)基元標(biāo)記為I)相對(duì)應(yīng)的讀取電壓CGRV的溫度系數(shù)。將TC0_B施加為對(duì)與數(shù)字值(其B-等級(jí)基元標(biāo)記為I)相對(duì)應(yīng)的讀取電壓CGRV的溫度系數(shù)。將TC0_C施加為對(duì)與數(shù)字值(其C-等級(jí)基元標(biāo)記為I)相對(duì)應(yīng)的讀取電壓CGRV的溫度系數(shù)。
[0077]可以通過改變?nèi)考拇嬖诒砀?31中的A-、B-以及C-等級(jí)基元標(biāo)記中的任一個(gè)改變施加的TC0_A、TC0_B以及TC0_C中任一個(gè)的范圍。
[0078]而且，任何標(biāo)記(A-、B-以及C-等級(jí)基元中的任一個(gè)的表示)對(duì)應(yīng)于寫入狀態(tài)存儲(chǔ)器基元中任一個(gè)呈現(xiàn)的閾值分布(A-、B-以及C-等級(jí)中的任一個(gè)的表示)。應(yīng)當(dāng)指出，每個(gè)存儲(chǔ)器基元的閾值分布包括消除狀態(tài)和書入(A-、B-以及C-等級(jí))狀態(tài)。
[0079]當(dāng)使用在圖4中示出的表格時(shí)，將溫度系數(shù)10)_六施加到對(duì)應(yīng)于從(0000000)到(1000101)范圍的DAC值的那些讀取電壓。施加的溫度系數(shù)應(yīng)該被從對(duì)應(yīng)于DAC值(1000110)的讀取電壓改變到TC0_B，并且溫度系數(shù)TC0_B被施加到對(duì)應(yīng)于從(1000110)到(1100011)范圍的DAC值的那些讀取電壓。而且，施加的溫度系數(shù)應(yīng)該被從對(duì)應(yīng)于DAC值(1100100)的讀取電壓改變到TC0_C，并且溫度系數(shù)TC0_C被施加到對(duì)應(yīng)于從(1100100)到(1111111)范圍的DAC值的讀取電壓。
[0080]相似地，當(dāng)使用在圖5中示出的表格時(shí)，在對(duì)應(yīng)于DAC值(1010100)與施加的溫度系數(shù)了0)_4的讀取電壓已經(jīng)改變到對(duì)應(yīng)于DAC值(1010101)的讀取電壓之后，溫度系數(shù)將被從TC0_A改變到TC0_B。而且，在對(duì)應(yīng)于DAC值(1110010)的讀取電壓已經(jīng)被改變到對(duì)應(yīng)于DAC值(110011)的讀取電壓之后，溫度系數(shù)將被從TC0_B改變到TC0_C。
[0081]如上文已經(jīng)描述，在圖4示出的表格與在圖5中示出的表格之間的改變施加到讀取電壓的溫度系數(shù)的時(shí)間不同。將在稍后描述關(guān)于該改變時(shí)間的不同的細(xì)節(jié)。
[0082]在存儲(chǔ)器控制器中的第一信號(hào)生成部分參考數(shù)字值(DAC值)并且輸出對(duì)應(yīng)于讀取電壓CGRV的DAC值作為第一信號(hào)。在存儲(chǔ)器控制器中的第二信號(hào)生成部分參考用于選擇施加到讀取電壓的溫度系數(shù)的信息，也就是說，關(guān)于在圖4或圖5中示出的A-等級(jí)基元/B-等級(jí)基元/C-等級(jí)基元的信息，隨后輸出用于選擇TC0_A、TC0_B以及TC0_C中任一個(gè)的第二信號(hào)。
[0083]如上文已經(jīng)描述，存儲(chǔ)器控制器持有保持對(duì)應(yīng)于讀取電壓的數(shù)字值和用于選擇施加到讀取電壓的溫度系數(shù)的信息的表格131。因此，存儲(chǔ)器控制器可以在分布讀取時(shí)詳述讀取電壓和溫度系數(shù)。
[0084]然后，將參考圖6描述表格213。
[0085]例如，表格213保持讀取電壓CGRV(V55、V59、V85、V89、V115、V119)作為數(shù)字值D55、D59、D85、D89、D115 以及 D119。
[0086]當(dāng)進(jìn)行內(nèi)部操作正常讀取AR時(shí)，V55被使用，該內(nèi)部操作正常讀取AR從2n閾值分布識(shí)別處于A-等級(jí)的所有存儲(chǔ)器基元。當(dāng)進(jìn)行內(nèi)部操作驗(yàn)證讀取AV時(shí)，V59被使用，參考2n_值分布，該內(nèi)部操作驗(yàn)證讀取AV驗(yàn)證在編程操作已經(jīng)完成之后是否寫入已經(jīng)被成功進(jìn)行到所有處于A等級(jí)或更高等級(jí)的存儲(chǔ)基元。
[0087]相似地，當(dāng)進(jìn)行內(nèi)部操作正常讀取BR時(shí)，V85被使用，該內(nèi)部操作正常讀取BR從2n_值分布識(shí)別所有處于B-等級(jí)的存儲(chǔ)器基元。當(dāng)進(jìn)行內(nèi)部操作驗(yàn)證讀取BV時(shí)，V89被使用，參考2n_值分布，該內(nèi)部操作驗(yàn)證讀取BV驗(yàn)證在編程操作已經(jīng)完成之后是否寫入已經(jīng)被成功進(jìn)行到所有處于B-等級(jí)或更高等級(jí)寄存器基元。
[0088]而且，當(dāng)進(jìn)行內(nèi)部操作正常讀取CR時(shí)，Vl 15被使用，該內(nèi)部操作正常讀取CR從2n閾值分布識(shí)別所有處于C-等級(jí)的存儲(chǔ)器基元。當(dāng)進(jìn)行內(nèi)部操作驗(yàn)證讀取CV時(shí)，V119被使用，參考2n_值分布，該內(nèi)部操作驗(yàn)證讀取CV驗(yàn)證在編程操作已經(jīng)完成之后是否寫入已經(jīng)被成功進(jìn)行到所有處于C-等級(jí)或更高等級(jí)的寄存器基元。
[0089]表格213進(jìn)一步保持施加到讀取電壓CGRV的溫度系數(shù)。從先前確定的值(零可能被包括在內(nèi))中選擇溫度系數(shù)。
[0090]在此實(shí)例中，從三個(gè)值TC0_A、TC0_B以及TC0_C中選擇溫度系數(shù)。當(dāng)進(jìn)行正常讀取AR及驗(yàn)證讀取AV時(shí)，施加TC0_A。當(dāng)進(jìn)行正常讀取BR驗(yàn)證讀取BV時(shí)，施加TC0_B ;而當(dāng)進(jìn)行正常讀取CR且驗(yàn)證讀取CV時(shí)，施加TC0_C。
[0091]此外，如上文所提及，在表格213中表示的信息并不需要以表格的形式而持有，并且可能被以在寄存器中設(shè)置的形式而持有。
[0092]圖7示出在圖2的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中的電壓控制器204的實(shí)例。
[0093]電壓控制器204包括選擇信號(hào)生成部分204a和控制信號(hào)生成部分204b。
[0094]選擇信號(hào)生成部分204a基于命令CMD、第二信號(hào)S2以及從非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器(存儲(chǔ)器控制器)輸入的U/L信號(hào)生成選擇信號(hào)Sel_A、Sel_B以及Sel_C，并且將它們輸出到控制信號(hào)生成部分204b。控制信號(hào)生成部分204b基于選擇信號(hào)Sel_A、Sel_B、Sel_C以及第一信號(hào)SI生成控制信號(hào)CGRVDAC。將控制信號(hào)CGRVDAC輸入到圖2的電壓生成器205中。
[0095]當(dāng)存儲(chǔ)器基元存儲(chǔ)2位數(shù)據(jù)時(shí)，U/L信號(hào)為表示上頁數(shù)據(jù)或下頁數(shù)據(jù)是否應(yīng)該被讀取的信息。例如，通過圖2的地址緩沖器203根據(jù)通過存儲(chǔ)器控制器指定的頁地址生成
U/L信號(hào)。
[0096]例如，選擇信號(hào)生成部分204a輸出選擇信號(hào)，該選擇信號(hào)選擇BR作為讀取電壓和TC0_B作為溫度系數(shù)，以便當(dāng)表示下頁數(shù)據(jù)應(yīng)該被讀取的U/L信號(hào)(例如，零)的接收時(shí)，進(jìn)行B-等級(jí)讀取。而且，選擇信號(hào)生成部分204a輸出選擇信號(hào)，在已經(jīng)選擇AR作為讀取電壓和TC0_A作為溫度系數(shù)之后，該選擇信號(hào)選擇CR作為讀取電壓和TC0_C作為溫度系數(shù)，以便在當(dāng)表示上頁數(shù)據(jù)應(yīng)該被讀取的U/L信號(hào)(例如，I)的接收時(shí)，在已經(jīng)進(jìn)行A-等級(jí)讀取之后進(jìn)行C-等級(jí)讀取號(hào)。
[0097]圖8示出在非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中的電壓控制器的另一實(shí)例。
[0098]圖8示出當(dāng)?shù)诙盘?hào)S2表示溫度系數(shù)應(yīng)該被基于第一信號(hào)SI選擇時(shí)與第一信號(hào)SI相關(guān)的信息(CGRVDAC_BASE)被反饋的情況。例如，與第一信號(hào)SI相關(guān)的信息(CGRVDAC_BASE)的反饋使得有可能基于反饋信息改進(jìn)Sel_A、Sel_B以及SeL_C。
[0099]圖9示出在圖7中示出的控制信號(hào)生成部分204b的細(xì)節(jié)。
[0100]這是有必要的，使對(duì)應(yīng)于在圖8中示出的控制信號(hào)生成部分204b的在圖9中示出的細(xì)節(jié)只是從控制信號(hào)生成部分204b而得到CGRVDAC_BASE輸出。
[0101]當(dāng)非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器接收用于進(jìn)行分布讀取的命令時(shí)，可以通過存儲(chǔ)器控制器直接設(shè)置暫存寄存器402的值。
[0102]當(dāng)進(jìn)行分布讀取時(shí)，第一選擇部分401選擇用暫存寄存器402寄存的值作為第一信號(hào)SI。
[0103]例如，當(dāng)在圖7或圖8中示出的選擇信號(hào)生成部分204a從存儲(chǔ)器控制器接收命令CMD用于進(jìn)行分布讀取(DisR)時(shí)，它輸出選擇第一信號(hào)SI的選擇信號(hào)Sel_A。因此，第一選擇部分401選擇暫存寄存器402的值作為第一信號(hào)SI。
[0104]例如，當(dāng)進(jìn)行分布讀取時(shí)，第二選擇部分403基于選擇信號(hào)Sel_B選擇TC0_A、TC0_B、TC0_C以及零中的一個(gè)作為溫度系數(shù)。例如，當(dāng)在圖7或圖8中示出的選擇信號(hào)生成部分204a從存儲(chǔ)器控制器接收命令CMD用于進(jìn)行分布讀取(DisR)時(shí)，它基于從非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的外部(的存儲(chǔ)器控制器)輸入的第二信號(hào)S2輸出選擇溫度系數(shù)的選擇信號(hào)Sel_B。也就是，當(dāng)?shù)诙盘?hào)S2表示TC0_A、TC0_B、TC0_C以及零中的一個(gè)時(shí)，它基于第二信號(hào)S2輸出選擇信號(hào)Sel_B。
[0105]邏輯部分404基于非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的溫度信息TC和通過第二選擇部分403選擇的溫度系數(shù)生成校正值TCDAC。
[0106]相加部分405通過相加校正值TCDAC到第一選擇部分401的輸出信號(hào)CGRVDAC_BASE的第一信號(hào)SI來生成控制信號(hào)DAC_INPUT。
[0107]基于控制信號(hào)DAC_INPUT，數(shù)模轉(zhuǎn)換器406生成被提供到電壓生成器的模擬信號(hào)CGRVDACο
[0108]當(dāng)在圖7或圖8中示出的選擇信號(hào)生成部分204a從存儲(chǔ)器控制器接收命令用于進(jìn)行正常讀取或驗(yàn)證讀取時(shí)，它輸出選擇信號(hào)Sel_A和選擇信號(hào)Sel_C，前者引起第一選擇部分401選擇從第三選擇部分407的輸出，并且后者引起第三選擇部分407選擇預(yù)定數(shù)字值。
[0109]而且，當(dāng)在圖7或圖8中示出的選擇信號(hào)生成部分204a從存儲(chǔ)器控制器接收命令用于進(jìn)行正常讀取或驗(yàn)證讀取時(shí)，它輸出選擇信號(hào)Sel_B用于引起第二選擇部分403選擇TC0_A、TC0_B、TC0_C 以及零中的一個(gè)。
[0110]具體而言，非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器執(zhí)行的內(nèi)部操作AR、AV、BR、BV、CR以及CV中的一個(gè)和被需要用于執(zhí)行內(nèi)部操作的數(shù)字值D55、D59、D85、D89、D115以及D119中的一個(gè)被通過來自存儲(chǔ)器控制器的命令CMD唯一地確定。因此，選擇信號(hào)生成部分204a根據(jù)內(nèi)部操作AR、AV和BR、BV、CR以及CV適合地輸出選擇信號(hào)Sel_A和Sel_C。
[0111]而且，預(yù)先構(gòu)建非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，以便溫度系數(shù)，即TC0_A、TC0_B、TC0_C以及零中的一個(gè)將根據(jù)內(nèi)部操作AR、AV和BR、BV、CR以及CV被唯一地確定。因此，選擇信號(hào)生成部分204a根據(jù)內(nèi)部操作AR、AV和BR、BV、CR以及CV適合地輸出選擇信號(hào)Sel_B。
[0112]例如，當(dāng)進(jìn)行內(nèi)部操作AR或內(nèi)部操作AV時(shí)，將溫度系數(shù)設(shè)置為TC0_A。當(dāng)進(jìn)行內(nèi)部操作BR或內(nèi)部操作BV時(shí)，將溫度系數(shù)設(shè)置為TC0_B。當(dāng)進(jìn)行內(nèi)部操作CR或內(nèi)部操作CV時(shí)，將溫度系數(shù)設(shè)置為TC0_C。
[0113]圖10和圖11分別地示出存儲(chǔ)器控制器向非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器輸出表示讀取電壓的第一信號(hào)S1、分布讀取(DisR)命令以及指定溫度系數(shù)的第二信號(hào)S2的實(shí)例。而且，存儲(chǔ)器控制器向非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器輸出表示輸入用于讀取對(duì)象的地址的命令X1、對(duì)象的地址ADDRESS以及用于讀取對(duì)象的命令Xe。
[0114]第一信號(hào)SI和第二信號(hào)S2為在圖10中的不同循環(huán)的輸入，然而將它們?cè)趫D11中為相同循環(huán)的輸入。
[0115]在此實(shí)例中，當(dāng)?shù)诙盘?hào)S2選擇溫度系數(shù)TC0_A時(shí)，將溫度系數(shù)TC0_A施加到用于通過地址ADDRESS指定的存儲(chǔ)器基元的讀取操作的讀取電壓。而且，當(dāng)?shù)诙盘?hào)S2選擇溫度系數(shù)TC0_B時(shí)，將溫度系數(shù)TC0_B施加到用于通過地址ADDRESS指定的存儲(chǔ)器基元的讀取操作的讀取電壓。當(dāng)?shù)诙盘?hào)S2選擇溫度系數(shù)TC0_C時(shí)，將溫度系數(shù)TC0_C施加到用于通過地址ADDRESS指定的存儲(chǔ)器基元的讀取操作的讀取電壓。
[0116]而且，如果第二信號(hào)S2表示溫度系數(shù)應(yīng)該被基于第一信號(hào)SI而選擇也沒關(guān)系。例如，考慮到這種情況，其中第二信號(hào)S2表示溫度系數(shù)應(yīng)該被基于與在圖8中示出的第一信號(hào)SI相關(guān)的信息(CGRVDAC_BASE)而選擇。
[0117]在這種情況下，當(dāng)與在圖8中示出的第一信號(hào)SI相關(guān)的信息(CGRVDAC_BASE)為7位數(shù)據(jù)時(shí)，有可能基于前(top) 2位而選擇溫度系數(shù)。也就是，當(dāng)前2位被表示為00時(shí)，選擇TC0_A作為溫度系數(shù)。當(dāng)前2位被表示為01時(shí)，選擇TC0_B作為溫度系數(shù)。當(dāng)前2位被表示為10時(shí)，選擇TC0_C作為溫度系數(shù)。當(dāng)前2位被表示為11時(shí)，選擇零作為溫度系數(shù)。
[0118]2.用于改變溫度系數(shù)的時(shí)間
[0119]有可能如上文提及的使用表格131改變用于改變溫度系數(shù)的時(shí)間。
[0120]當(dāng)憑借分布讀取來確認(rèn)谷1、谷2以及谷3被定位在2n閾值分布中的位置時(shí)，可期望的，在2n閾值分布中的任何兩個(gè)鄰近谷之間的每個(gè)間隔處改變溫度系數(shù)，例如，如在圖12中所示，在2n_值分布中的峰1、峰2以及峰3中的每個(gè)處。因此，可期望的使用在圖4中不出的表格。
[0121]而且，當(dāng)憑借分布讀取確認(rèn)峰1、峰2以及峰3被定位在2n閾值分布中的位置時(shí)(當(dāng)確認(rèn)2n_值分布的寬度或范圍程度時(shí))，可期望的，在2 n_值分布中的任何兩個(gè)鄰近峰之間的每個(gè)間隔處改變溫度系數(shù)，例如，如在圖13中所示，在2n_值分布中的谷1、谷2以及谷3中的每個(gè)處。因此，可期望的使用在圖5中示出的表格。
[0122]這是因?yàn)槊看螠囟认禂?shù)改變時(shí)不連續(xù)點(diǎn)發(fā)生在閾值分布中。不期望的是，2n閾值分布的位置應(yīng)該被確認(rèn)具有不連續(xù)點(diǎn)。因此，在完全遠(yuǎn)離應(yīng)該被確認(rèn)的2n_值分布的位置的點(diǎn)上改變溫度系數(shù)。
[0123]3.在分布讀取與錯(cuò)誤糾正之間的關(guān)系
[0124]在上文實(shí)施例中的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器根據(jù)來自存儲(chǔ)器控制器的命令進(jìn)行分布讀取。
[0125]分布讀取為用于確認(rèn)在具有2n_值分布(η為2或更大的自然數(shù))的多值存儲(chǔ)器中的2η_值分布(峰或谷的形狀等)的情形的操作。例如，當(dāng)由于長(zhǎng)時(shí)期數(shù)據(jù)持有或干擾而讀取錯(cuò)誤數(shù)據(jù)時(shí)和當(dāng)通過在圖1中示出的錯(cuò)誤檢查與糾正部分(ECC) 140執(zhí)行錯(cuò)誤檢查與糾正失敗時(shí)，將進(jìn)行分布讀取。
[0126]然后，基于分布讀取的結(jié)果，檢查2n_值分布用于峰或谷的形狀。在用于正常讀取的讀取電壓被調(diào)整以定位在最優(yōu)位置(例如，在2n閾值分布中的谷處)之后，從而允許在圖1中示出的錯(cuò)誤檢查與糾正部分140進(jìn)行進(jìn)一步的錯(cuò)誤檢查與糾正。
[0127]因此，為了允許在圖1中示出的錯(cuò)誤檢查與糾正部分140連續(xù)地糾正錯(cuò)誤，必須正確地進(jìn)行分布讀取。
[0128]圖14示出當(dāng)執(zhí)行分布讀取時(shí)僅將一個(gè)溫度系數(shù)施加到所有讀取電壓以便確認(rèn)2n閾值分布的(對(duì)比例的)情況和當(dāng)執(zhí)行分布讀取時(shí)將不同的溫度系數(shù)分開施加到讀取電壓以便確認(rèn)2n閾值分布的(本實(shí)施例的)情況。
[0129]在對(duì)比例中，單獨(dú)地使用溫度系數(shù)TC0_A，例如，B-等級(jí)存儲(chǔ)器基元的閾值分布及C-等級(jí)存儲(chǔ)器基元的閾值分布不可以被正確地檢測(cè)。因此，如在圖15中所示，例如，在實(shí)際2n_值分布(實(shí)線)與通過分布讀取檢測(cè)的2 n_值分布(虛線)之間出現(xiàn)差異。
[0130]因此，在圖14中示出的對(duì)比例中，沒有正確地進(jìn)行分布讀取。例如，指定B-等級(jí)存儲(chǔ)器基元的讀取電壓將被設(shè)置為不正確的谷的位置BR’ -新，并且指定C-等級(jí)存儲(chǔ)器基元的讀取電壓將被設(shè)置為不正確的谷的位置CR’ -新。
[0131]在該情況下，錯(cuò)誤出現(xiàn)量增加，并且通過在圖1中示出的錯(cuò)誤檢查與糾正部分140執(zhí)行的錯(cuò)誤檢查與糾正變得不可能。
[0132]對(duì)比而言，在實(shí)施例中，施加三個(gè)溫度系數(shù)TC0_A、TC0_B以及TC0_C，通過分布讀取檢測(cè)的2n_值分布(在圖14中示出的實(shí)施例)和2 n實(shí)際閾值分布(在圖15中示出的實(shí)線)將基本上相同。
[0133]因此，在圖14的實(shí)施例中，將指定B-等級(jí)存儲(chǔ)器基元的讀取電壓設(shè)置為正確的谷的位置BR-新。同樣將指定A-等級(jí)存儲(chǔ)器基元的讀取電壓或指定C-等級(jí)存儲(chǔ)器基元的讀取電壓設(shè)置為正確的谷的位置AR-新或正確的谷的位置CR-新。
[0134]因此，在實(shí)施例中可以抑制錯(cuò)誤數(shù)據(jù)出現(xiàn)量。因此，在圖1中示出的錯(cuò)誤檢查與糾正部分140可以依舊執(zhí)行錯(cuò)誤檢查與糾正。
[0135]4.示例性應(yīng)用
[0136]現(xiàn)在，將在下文描述在上文實(shí)施例中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備和包括這樣數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。
[0137]圖16示出并入數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的示例性便攜式計(jì)算機(jī)。
[0138]便攜式計(jì)算機(jī)500包括主要部分501和顯示單元502。顯示單元502包括顯示外殼503和容納在顯示外殼503中的顯示器504。
[0139]主要部分501包括盒505、鍵盤506以及指向(pointing)設(shè)備的觸摸板507。盒505包括主電路板、光盤設(shè)備(ODD)單元、卡槽508、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備509等等。
[0140]在盒505的側(cè)面中形成卡槽508。用戶可以從盒505的外部將附加設(shè)備510插入到卡槽508中。
[0141]例如，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備509為固態(tài)硬盤(SSD)。SSD可以被用在安裝在便攜式計(jì)算機(jī)500中作為硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)的情況或被用作附加設(shè)備510的情況。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備509包括在實(shí)施例中的存儲(chǔ)器控制器和通過存儲(chǔ)器控制器控制的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。
[0142]圖17示出示例性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備。
[0143]例如，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備600為SSD，并且包括主機(jī)接口 601、存儲(chǔ)器控制器100、非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器200以及數(shù)據(jù)緩沖器602。
[0144]主機(jī)接口 601作為在主機(jī)700與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備600之間的接口。主機(jī)700具有CPU 701和系統(tǒng)存儲(chǔ)器702。
[0145]例如，非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器200為NAND閃存。數(shù)據(jù)緩沖器602為，例如，DRAM,MRAM或其它。也就是說，數(shù)據(jù)緩沖器602應(yīng)該只是比用作存儲(chǔ)存儲(chǔ)器的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器200更快的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。
[0146]存儲(chǔ)器控制器100控制非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器200用作讀取、寫入或擦除數(shù)據(jù)的目的。
[0147]在本申請(qǐng)中的存儲(chǔ)器控制器100和非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器200分別對(duì)應(yīng)于在上述實(shí)施例中的存儲(chǔ)器控制器100和非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器200。
[0148]5.結(jié)論
[0149]如上文所描述，實(shí)施例有可能使通過分布讀取獲得的閾值分布與通過正常讀取/驗(yàn)證讀取獲得的實(shí)際閾值分布相一致。
[0150]當(dāng)已經(jīng)描述特定實(shí)施例時(shí)，僅通過實(shí)例的方式已經(jīng)提出這些實(shí)施例，并且不旨在限制本發(fā)明的范圍。實(shí)際上，此處描述的新穎實(shí)施例可以以各種其它形式體現(xiàn)；而且，可以做出沒有脫離本發(fā)明的精神的以此處描述的實(shí)施例的形式的各種省略、代替以及改變。所附權(quán)利要求和它們的等效物旨在覆蓋落在本發(fā)明的范圍和精神的這樣的形式或修改。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)，所述存儲(chǔ)器系統(tǒng)包括非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和控制所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器控制器， 所述存儲(chǔ)器控制器包括: 第一信號(hào)生成部分，其被配置為生成與用于所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的讀取操作的讀取電壓相關(guān)的第一信號(hào)； 第二信號(hào)生成部分，其被配置為生成用于指定用于所述讀取電壓的溫度糾正的溫度系數(shù)的第二信號(hào)；以及 第一接口部分，其被配置為輸出所述第一信號(hào)、所述第二信號(hào)以及讀取命令；以及 所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器包括: 字線； 存儲(chǔ)器基元陣列，其包括連接到所述字線的存儲(chǔ)器基元； 第二接口部分，其被配置為接收所述第一信號(hào)、所述第二信號(hào)以及所述讀取命令；以及 控制部分，其被配置為生成基于所述第一信號(hào)確定的所述讀取電壓，以基于通過所述第二信號(hào)指定的所述溫度系數(shù)調(diào)整所述讀取電壓，從而生成調(diào)整的讀取電壓，以使用所述調(diào)整讀取電壓確定連接到所述字線的所述存儲(chǔ)器基元中的每個(gè)的閾值電壓，并且將通過確定所述閾值電壓獲得的結(jié)果通過所述第二接口部分輸出到所述存儲(chǔ)器控制器。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中，所述存儲(chǔ)器控制器進(jìn)一步包括存儲(chǔ)部分，所述存儲(chǔ)部分被配置為存儲(chǔ)用于每個(gè)讀取電壓的對(duì)應(yīng)于所述讀取電壓的數(shù)字值，并且所述第一信號(hào)生成部分生成所述數(shù)字值作為所述第一信號(hào)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中，所述存儲(chǔ)部分存儲(chǔ)指定用于每個(gè)讀取電壓的溫度系數(shù)的信息，并且所述第二信號(hào)生成部分基于指定所述溫度系數(shù)的所述信息而生成所述第二信號(hào)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中，所述控制部分通過所述第二接口部分將用于每個(gè)讀取電壓的確定的結(jié)果輸出到所述存儲(chǔ)器控制器。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中，所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器為具有2n_值分布(η為2或更大的自然數(shù))的多值存儲(chǔ)器，并且所述讀取命令為用于進(jìn)行分布讀取的命令。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中，在所述分布讀取期間在對(duì)應(yīng)于所述2η_值分布(η為2或更大的自然數(shù))的峰的所述讀取電壓之前和之后，改變通過所述第二信號(hào)指定的所述溫度系數(shù)。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中，在所述分布讀取期間在對(duì)應(yīng)于所述2η_值分布(η為2或更大的自然數(shù))的谷的所述讀取電壓之前和之后，改變通過所述第二信號(hào)指定的所述溫度系數(shù)。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中，所述第二接口部分接收地址連同所述第一信號(hào)、所述第二信號(hào)以及所述讀取命令，并且所述控制部分通過所述第二接口部分將通過所述地址指定的所述字線的確定結(jié)果輸出到所述存儲(chǔ)器控制器。9.一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)，所述存儲(chǔ)器系統(tǒng)包括非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和控制所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器控制器， 所述存儲(chǔ)器控制器包括: 第一信號(hào)生成部分，其被配置為生成指定用于所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的讀取操作的讀取電壓和用于所述讀取電壓的溫度的糾正的溫度系數(shù)的第一信號(hào)； 第二信號(hào)生成部分，其被配置為生成用于給出指令以使通過所述第一信號(hào)指定的所述讀取電壓經(jīng)受基于所述溫度系數(shù)的用于溫度的糾正的第二信號(hào)；以及 第一接口部分，其被配置為輸出所述第一信號(hào)、所述第二信號(hào)以及讀取命令；以及 所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器包括: 字線； 存儲(chǔ)器基元陣列，其包括連接到所述字線的存儲(chǔ)器基元；第二接口部分，其被配置為接收所述第一信號(hào)、所述第二信號(hào)以及所述讀取命令；以及控制部分，其被配置為生成基于所述第一信號(hào)確定的所述讀取電壓，以基于通過所述第一信號(hào)指定的所述溫度系數(shù)調(diào)整所述讀取電壓，從而生成調(diào)整的讀取電壓，以使用所述調(diào)整的讀取電壓確定連接到所述字線的所述存儲(chǔ)器基元中的每個(gè)的閾值電壓，并且將通過確定所述閾值電壓獲得的結(jié)果通過所述第二接口部分輸出到所述存儲(chǔ)器控制器。
【文檔編號(hào)】G11C16/34GK105913872SQ201510608406
【公開日】2016年8月31日
【申請(qǐng)日】2015年9月22日
【發(fā)明人】白川政信, 熱海剛, 辻秀貴, 神谷智之, 山本英明, 黑澤泰彥
【申請(qǐng)人】株式會(huì)社東芝