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      片上系統(tǒng)芯片及其嵌入式存儲器最低工作電壓的測量的制作方法

      文檔序號:10625520閱讀:768來源:國知局
      片上系統(tǒng)芯片及其嵌入式存儲器最低工作電壓的測量的制作方法
      【專利摘要】片上系統(tǒng)芯片及其嵌入式存儲器最低工作電壓的測量方法及裝置,所述片上系統(tǒng)包括:CPU、嵌入式存儲器和外圍電路,電壓調節(jié)器輸入基準電壓,向嵌入式存儲器輸出測試電壓,電壓調節(jié)器能夠連接測試機臺;嵌入式存儲器連接數(shù)據(jù)比較器;參考數(shù)據(jù)產生器連接數(shù)據(jù)比較器;數(shù)據(jù)比較器能夠連接所述測試機臺;狀態(tài)機連接嵌入式存儲器、數(shù)據(jù)比較器和加法器/減法器,狀態(tài)機能夠連接所述測試機臺;加法器/減法器連接電壓調節(jié)器。本發(fā)明在測量片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓的過程中,采用片上系統(tǒng)芯片內置的電壓調節(jié)器來向嵌入式存儲器提供測試電壓,從而大大減少了每次調節(jié)測試電壓之后等待電壓穩(wěn)定所花費的時間,顯著提高了測試效率。
      【專利說明】
      片上系統(tǒng)芯片及其嵌入式存儲器最低工作電壓的測量
      技術領域
      [0001]本發(fā)明涉及集成電路技術領域,特別是涉及一種片上系統(tǒng)芯片及其嵌入式存儲器最低工作電壓的測量方法及裝置。
      【背景技術】
      [0002]片上系統(tǒng)(System on Chip,System on a Chip,SoC)又稱系統(tǒng)級芯片,指的是在單個芯片上集成一個完整的系統(tǒng),對部分或全部必要的電子電路進行包分組的技術。一個完整的片上系統(tǒng)通常包括CPU (Central Processing Unit,中央處理單元)、嵌入式存儲器以及外圍電路等。
      [0003]存儲器的最低工作電壓是各類產品研發(fā)過程中一個重要的參數(shù),對于片上系統(tǒng),現(xiàn)有技術中通常通過以下方式來測量嵌入式存儲器(即片上系統(tǒng)自帶的處理器)的最低工作電壓。
      [0004]如圖1所示,測試機臺直接與嵌入式存儲器交互,在某個測試電壓下對嵌入式存儲器進行寫操作和讀操作,測試機臺將從嵌入式存儲器讀出的數(shù)據(jù)與參考數(shù)據(jù)進行比較,從而判斷嵌入式存儲器在該測試電壓下能否正常工作(如果讀出的數(shù)據(jù)與參考數(shù)據(jù)一致,則認定嵌入式存儲器在該測試電壓能夠正常工作;反之,如果讀出的數(shù)據(jù)與參考數(shù)據(jù)不一致,則認定嵌入式存儲器在該測試電壓不能正常工作)ο測試機臺調節(jié)提供給嵌入式存儲器的測試電壓,逐漸逼近使得嵌入式存儲器能夠正常工作與不能正常工作的電壓臨界值,即為該嵌入式存儲器的最低工作電壓。
      [0005]上述現(xiàn)有技術的方案中,在每次測試機臺調節(jié)提供給嵌入式存儲器的測試電壓后,需要先等待電壓穩(wěn)定(通常需要幾秒的時間),然后才能在該測試電壓下對嵌入式存儲器進行寫操作和讀操作。
      [0006]由于存儲器最低工作電壓的測量過程中需要經過幾百、幾千次甚至是更多次的測試電壓調節(jié),因此,整個測量過程中需要花費大量的時間(視測量預期精度的不同,通常需要幾十分鐘或幾小時)用于等待電壓穩(wěn)定,從而導致測量效率過低。
      [0007]此外,該方法需要將測試機臺直接連接嵌入式存儲器,數(shù)據(jù)通道中的管數(shù)不少于嵌入式存儲器內部的扇入扇出與最大地址數(shù),因而會大大增加片上系統(tǒng)芯片的封裝成本。

      【發(fā)明內容】

      [0008]本發(fā)明解決的技術問題是:在測量片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓的過程中,如何減小因測試電壓調節(jié)后等待電壓穩(wěn)定的時間對測試效率帶來的不利影響。
      [0009]為了解決上述技術問題,本發(fā)明實施例提供一種片上系統(tǒng)芯片,包括:CPU、嵌入式存儲器和外圍電路,其特征在于,電壓調節(jié)器輸入基準電壓,向嵌入式存儲器輸出測試電壓,電壓調節(jié)器能夠連接測試機臺;嵌入式存儲器連接數(shù)據(jù)比較器;參考數(shù)據(jù)產生器連接數(shù)據(jù)比較器;數(shù)據(jù)比較器能夠連接所述測試機臺;狀態(tài)機連接嵌入式存儲器、數(shù)據(jù)比較器和加法器/減法器,狀態(tài)機能夠連接所述測試機臺;加法器/減法器連接電壓調節(jié)器;
      [0010]其中,所述電壓調節(jié)器是所述片上系統(tǒng)芯片內置的,所述測試機臺是外接的測試機臺。
      [0011]可選的,所述數(shù)據(jù)比較器、參考數(shù)據(jù)產生器、狀態(tài)機和加法器/減法器是所述片上系統(tǒng)芯片內置的。
      [0012]為了解決上述技術問題,本發(fā)明實施例還提供一種片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓的測量方法,包括:
      [0013]通過電壓調節(jié)器向嵌入式存儲器提供第一電壓,以所述第一電壓作為測試電壓,所述電壓調節(jié)器輸出的測試電壓的電位是可以調節(jié)的;
      [0014]在電壓調節(jié)器提供的所述第一電壓下對所述嵌入式存儲器進行寫操作;
      [0015]在電壓調節(jié)器提供的所述第一電壓下對所述嵌入式存儲器進行讀操作,所述讀操作與所述寫操作針對嵌入式存儲器中相同的存儲單元;
      [0016]通過數(shù)據(jù)比較器將所述讀操作讀出的數(shù)據(jù)與所述參考數(shù)據(jù)進行比較,判斷所述讀操作讀出的數(shù)據(jù)與所述參考數(shù)據(jù)是否相符;
      [0017]若是,則將電壓調節(jié)器輸出的電壓調節(jié)為第二電壓,所述第二電壓小于第一電壓;若否,則將電壓調節(jié)器輸出的電壓調節(jié)為第二電壓,所述第二電壓大于第一電壓;
      [0018]循環(huán)執(zhí)行上述步驟,直至獲得所述嵌入式存儲器的最低工作電壓;
      [0019]其中,所述電壓調節(jié)器是所述片上系統(tǒng)芯片內置的,所述片上系統(tǒng)芯片能夠連接外接的測試機臺。
      [0020]可選的,所述數(shù)據(jù)比較器、參考數(shù)據(jù)產生器、狀態(tài)機和加法器/減法器是所述片上系統(tǒng)芯片內置的。
      [0021]可選的,嵌入式存儲器響應于接收到的第一控制信號,對所述嵌入式存儲器進行寫操作,所述第一控制信號包括:片選信號、時鐘信號、寫使能信號以及存儲器尋址信號;嵌入式存儲器響應于接收到的第二控制信號,對所述嵌入式存儲器進行讀操作,所述第二控制信號包括:片選信號、時鐘信號、讀使能信號以及存儲器尋址信號。
      [0022]可選的,所述第一控制信號和所述第二控制信號由狀態(tài)機發(fā)出。
      [0023]可選的,參考數(shù)據(jù)產生器響應于狀態(tài)機發(fā)出的參考數(shù)據(jù)使能信號,產生參考數(shù)據(jù)并送至數(shù)據(jù)比較器。
      [0024]可選的,數(shù)據(jù)比較器響應于由狀態(tài)機送出的數(shù)據(jù)比較使能信號,從而進行所述比較;當從嵌入式存儲器讀出的數(shù)據(jù)與參考數(shù)據(jù)產生器輸出的預期數(shù)據(jù)一致,數(shù)據(jù)比較結果狀態(tài)信號置為“ I” ;當從嵌入式存儲器讀出的數(shù)據(jù)與參考數(shù)據(jù)產生器輸出的預期數(shù)據(jù)不一致,數(shù)據(jù)比較結果狀態(tài)信號置為“O”。
      [0025]可選的,數(shù)據(jù)比較器將數(shù)據(jù)比較結果送至所述系統(tǒng)內置的狀態(tài)機;所述內置的狀態(tài)機根據(jù)接收到的數(shù)據(jù)比較結果控制狀態(tài)機向加法器/減法器發(fā)出進位使能信號,經由加法器/減法器調節(jié)電壓調節(jié)器輸出的測試電壓的電位。
      [0026]可選的,電壓調節(jié)器輸出的測試電壓與數(shù)據(jù)比較器輸出的數(shù)據(jù)比較結果信號還送至所述測試機臺。
      [0027]為了解決上述技術問題,本發(fā)明實施例還提供一種片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓的測量裝置,包括:電壓提供單元、寫操作單元、讀操作單元、數(shù)據(jù)比較單元和電壓調節(jié)單元;其中:
      [0028]電壓提供單元,用于通過電壓調節(jié)器向嵌入式存儲器提供第一電壓,以所述第一電壓作為測試電壓,所述電壓調節(jié)器輸出的測試電壓的電位是可以調節(jié)的;
      [0029]寫操作單元,用于在所述電壓提供單元執(zhí)行操作之后,在電壓調節(jié)器提供的所述第一電壓下對所述嵌入式存儲器進行寫操作;
      [0030]讀操作單元,用于在所述寫操作單元執(zhí)行操作之后,在電壓調節(jié)器提供的所述第一電壓下對所述嵌入式存儲器進行讀操作,所述讀操作與所述寫操作針對嵌入式存儲器中相同的存儲單元;
      [0031]數(shù)據(jù)比較單元,用于在所述讀操作單元執(zhí)行操作之后,通過數(shù)據(jù)比較器將所述讀操作讀出的數(shù)據(jù)與所述參考數(shù)據(jù)進行比較,判斷所述讀操作讀出的數(shù)據(jù)與所述參考數(shù)據(jù)是否相符;
      [0032]電壓調節(jié)單元,用于在所述數(shù)據(jù)比較單元執(zhí)行操作之后,若是,則將電壓調節(jié)器輸出的電壓調節(jié)為第二電壓,所述第二電壓小于第一電壓;若否,則將電壓調節(jié)器輸出的電壓調節(jié)為第二電壓,所述第二電壓大于第一電壓;
      [0033]各單元循環(huán)執(zhí)行操作,直至獲得所述嵌入式存儲器的最低工作電壓;
      [0034]其中,所述電壓調節(jié)器是所述片上系統(tǒng)芯片內置的,所述片上系統(tǒng)芯片能夠連接外接的測試機臺。
      [0035]可選的,所述數(shù)據(jù)比較器、參考數(shù)據(jù)產生器、狀態(tài)機和加法器/減法器是所述片上系統(tǒng)芯片內置的。
      [0036]可選的,嵌入式存儲器響應于接收到的第一控制信號,對所述嵌入式存儲器進行寫操作,所述第一控制信號包括:片選信號、時鐘信號、寫使能信號以及存儲器尋址信號;嵌入式存儲器響應于接收到的第二控制信號,對所述嵌入式存儲器進行讀操作,所述第二控制信號包括:片選信號、時鐘信號、讀使能信號以及存儲器尋址信號。
      [0037]可選的,所述第一控制信號和所述第二控制信號由狀態(tài)機發(fā)出。
      [0038]可選的,參考數(shù)據(jù)產生器響應于狀態(tài)機發(fā)出的參考數(shù)據(jù)使能信號,產生參考數(shù)據(jù)并送至數(shù)據(jù)比較器。
      [0039]可選的,數(shù)據(jù)比較器響應于由狀態(tài)機送出的數(shù)據(jù)比較使能信號,從而進行所述比較;當從嵌入式存儲器讀出的數(shù)據(jù)與參考數(shù)據(jù)產生器輸出的預期數(shù)據(jù)一致,數(shù)據(jù)比較結果狀態(tài)信號置為“ I” ;當從嵌入式存儲器讀出的數(shù)據(jù)與參考數(shù)據(jù)產生器輸出的預期數(shù)據(jù)不一致,數(shù)據(jù)比較結果狀態(tài)信號置為“O”。
      [0040]可選的,數(shù)據(jù)比較器將數(shù)據(jù)比較結果送至所述系統(tǒng)內置的狀態(tài)機;所述內置的狀態(tài)機根據(jù)接收到的數(shù)據(jù)比較結果控制狀態(tài)機向加法器/減法器發(fā)出進位使能信號,經由加法器/減法器調節(jié)電壓調節(jié)器輸出的測試電壓的電位。
      [0041]可選的,電壓調節(jié)器輸出的測試電壓與數(shù)據(jù)比較器輸出的數(shù)據(jù)比較結果信號還送至所述測試機臺。
      [0042]為了解決上述技術問題,本發(fā)明實施例還提供一種片上系統(tǒng)芯片,所述片上系統(tǒng)芯片包括:CPU、嵌入式存儲器和外圍電路,還包括上述片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓的測量裝置。
      [0043]與現(xiàn)有技術相比,本發(fā)明的技術方案具有以下有益效果:
      [0044]在測量片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓的過程中,采用片上系統(tǒng)芯片內置的電壓調節(jié)器來向嵌入式存儲器提供測試電壓,從而大大減少了每次調節(jié)測試電壓之后等待電壓穩(wěn)定所花費的時間(內建的電壓調節(jié)器每次等待電壓穩(wěn)定的時間通常僅為毫秒級),顯著提高了測試效率。
      [0045]進一步地,片上系統(tǒng)芯片還內置有數(shù)據(jù)比較器、參考數(shù)據(jù)產生器、狀態(tài)機和加法器/減法器,從而外部的測試機臺只需要向狀態(tài)機指示開始測試、接收數(shù)據(jù)比較器輸出的數(shù)據(jù)比較結果、以及確定電壓調節(jié)器輸出的測試電壓的電位,其他工作則是由該片上系統(tǒng)芯片內置的相關硬件模塊來完成。
      [0046]進一步地,外部的測試機臺連接片上系統(tǒng)芯片,而非直接連接嵌入式存儲器,從而可以顯著減少交互的管腳數(shù)量,降低了片上系統(tǒng)芯片的封裝成本。
      【附圖說明】
      [0047]圖1為現(xiàn)有技術中片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓測試示意圖;
      [0048]圖2為本發(fā)明實施例中片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓測試示意圖;
      [0049]圖3為本發(fā)明實施例中片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓的測量方法流程圖。
      【具體實施方式】
      [0050]根據(jù)【背景技術】部分的分析可知,對于片上系統(tǒng)嵌入式存儲器最低工作電壓的測量,現(xiàn)有技術的方案,在每次測試機臺調節(jié)提供給嵌入式存儲器的測試電壓后,需要先等待電壓穩(wěn)定(通常需要幾秒的時間),然后才能在該測試電壓下對嵌入式存儲器進行寫操作和讀操作。由于存儲器最低工作電壓的測量過程中需要經過幾百、幾千次甚至是更多次的測試電壓調節(jié),因此,整個測量過程中需要花費大量的時間(視測量預期精度的不同,通常需要幾十分鐘或幾小時)用于等待電壓穩(wěn)定,從而導致測量效率過低。
      [0051]此外,該方法需要將測試機臺直接連接嵌入式存儲器,數(shù)據(jù)通道中的管數(shù)不少于嵌入式存儲器內部的扇入扇出與最大地址數(shù),因而會大大增加片上系統(tǒng)芯片的封裝成本。
      [0052]對于現(xiàn)有技術的上述缺陷,發(fā)明人經研究后提出了對片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器采用內建自測試的構想,并具體提供以下實施例。
      [0053]實施例一提供一種片上系統(tǒng)芯片,該片上系統(tǒng)芯片內置有電壓調節(jié)器,還可以內置有數(shù)據(jù)比較器、參考數(shù)據(jù)產生器、狀態(tài)機和加法器/減法器,從而能夠利用這些新增的硬件模塊對該片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓進行測量。
      [0054]實施例二提供一種片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓的測量方法,該測量方法采用實施例一中提供的片上系統(tǒng)芯片對該片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓進行測量。
      [0055]實施例三提供一種片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓的測量裝置,該測量裝置是與實施二的測量方法對應的軟件程序,該軟件程序采用實施例一中提供的片上系統(tǒng)芯片對該片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓進行測量。
      [0056]實施例四提供一種片上系統(tǒng)芯片,該片上系統(tǒng)芯片內置有電壓調節(jié)器,還可以內置有數(shù)據(jù)比較器、參考數(shù)據(jù)產生器、狀態(tài)機和加法器/減法器,從而可以利用這些新增的硬件模塊對該片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓進行測量,該片上系統(tǒng)芯片中安裝有實施例三中提供的軟件程序。
      [0057]為使本領域技術人員更好地理解和實現(xiàn)本發(fā)明,以下參照附圖,通過具體實施例進行詳細說明。
      [0058]實施例一
      [0059]如下所述,本發(fā)明實施例提供一種片上系統(tǒng)芯片。
      [0060]所述片上系統(tǒng)芯片包括:CPU、嵌入式存儲器和外圍電路,與現(xiàn)有技術的不同之處在于,內置有電壓調節(jié)器,還可以內置有數(shù)據(jù)比較器、參考數(shù)據(jù)產生器、狀態(tài)機和加法器/減法器。
      [0061]如圖2所示,各硬件模塊連接關系如下:電壓調節(jié)器輸入基準電壓,向嵌入式存儲器輸出測試電壓,電壓調節(jié)器能夠連接外部的測試機臺;嵌入式存儲器連接數(shù)據(jù)比較器;參考數(shù)據(jù)產生器連接數(shù)據(jù)比較器;數(shù)據(jù)比較器能夠連接所述測試機臺;狀態(tài)機連接嵌入式存儲器、數(shù)據(jù)比較器和加法器/減法器,狀態(tài)機能夠連接所述測試機臺;加法器/減法器連接電壓調節(jié)器。
      [0062]本實施例所提供的片上系統(tǒng)芯片能夠對該片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓進行內建式自動測量。
      [0063]在測量該片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓的過程中,外部的測試機臺只需要向狀態(tài)機指示開始測試、接收數(shù)據(jù)比較器輸出的數(shù)據(jù)比較結果、以及確定電壓調節(jié)器輸出的測試電壓的電位,其他工作則是由該片上系統(tǒng)芯片內置的相關硬件模塊(前述的電壓調節(jié)器、數(shù)據(jù)比較器、參考數(shù)據(jù)產生器、狀態(tài)機和加法器/減法器)來完成。
      [0064]上述新增的各硬件模塊的主要功能如下:
      [0065]電壓調節(jié)器:接收輸入的基準電壓(該基準電壓可以由測試機臺提供),向嵌入式存儲器輸出測試電壓,并將測試電壓送至測試機臺,電壓調節(jié)器輸出的測試電壓的電位是可以調節(jié)的。
      [0066]數(shù)據(jù)比較器:接收狀態(tài)機送入的數(shù)據(jù)比較使能信號,接收從嵌入式存儲器讀出的數(shù)據(jù),接收參考數(shù)據(jù)比較器送入的參考數(shù)據(jù),將從嵌入式存儲器讀出的數(shù)據(jù)與參考數(shù)據(jù)進行比較,送出數(shù)據(jù)比較結果到測試機臺與狀態(tài)機。
      [0067]參考數(shù)據(jù)產生器:接收狀態(tài)機送入的參考數(shù)據(jù)使能信號,產生參考數(shù)據(jù)并送至數(shù)據(jù)比較器。
      [0068]狀態(tài)機:接收測試機臺送入的時鐘信號、開始信號、以及數(shù)據(jù)比較結果;產生控制信號(如片選信號、時鐘信號、寫使能信號、讀使能信號等)控制存儲器的寫操作與讀操作;產生參考數(shù)據(jù)使能信號控制參考數(shù)據(jù)產生器;產生進位使能信號控制加法器/減法器。
      [0069]加法器/減法器:接收狀態(tài)機送入的進位使能信號,產生用于調節(jié)電壓調節(jié)器可選擇位,從而調節(jié)電壓調節(jié)器輸出電壓的電位。
      [0070]需要說明的是:電壓調節(jié)器、數(shù)據(jù)比較器、參考數(shù)據(jù)產生器、狀態(tài)機和加法器/減法器均為現(xiàn)有的硬件模塊,但現(xiàn)有技術中的片上系統(tǒng)芯片中通常并不包括上述硬件模塊或并未采用上述連接關系,本實施例在片上系統(tǒng)芯片中設置了電壓調節(jié)器、數(shù)據(jù)比較器、參考數(shù)據(jù)產生器、狀態(tài)機和加法器/減法器,并以上述連接關系相連接,從而該片上系統(tǒng)芯片可以利用這些硬件模塊對該片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓進行測量。
      [0071]如前所述,現(xiàn)有技術在每次測試機臺調節(jié)提供給嵌入式存儲器的測試電壓后,需要先等待電壓穩(wěn)定(通常需要幾秒的時間),然后才能在該測試電壓下對嵌入式存儲器進行寫操作和讀操作。
      [0072]而本實施例在測量片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓的過程中,采用片上系統(tǒng)芯片內置的電壓調節(jié)器來向嵌入式存儲器提供測試電壓,從而大大減少了每次調節(jié)測試電壓之后等待電壓穩(wěn)定所花費的時間(內建的電壓調節(jié)器每次等待電壓穩(wěn)定的時間通常僅為毫秒級),顯著提高了測試效率。
      [0073]進一步地,片上系統(tǒng)芯片還內置有數(shù)據(jù)比較器、參考數(shù)據(jù)產生器、狀態(tài)機和加法器/減法器,從而外接的測試機臺只需要向狀態(tài)機指示開始測試、接收數(shù)據(jù)比較器輸出的數(shù)據(jù)比較結果、以及確定電壓調節(jié)器輸出的測試電壓的電位,其他工作則是由該片上系統(tǒng)芯片內置的相關硬件模塊來完成。
      [0074]進一步地,外接的測試機臺連接片上系統(tǒng)芯片,而非直接連接嵌入式存儲器,從而可以顯著減少交互的管腳數(shù)量,降低了片上系統(tǒng)芯片的封裝成本。
      [0075]實施例二
      [0076]如下所述,本發(fā)明實施例提供一種片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓的測量方法。
      [0077]首先,本實施例中的片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓的測量方法的實現(xiàn),對于片上系統(tǒng)芯片本身有一定的要求。
      [0078]具體地,所述片上系統(tǒng)芯片包括:CPU、嵌入式存儲器和外圍電路,與現(xiàn)有技術的不同之處在于,內置有電壓調節(jié)器,還可以內置有數(shù)據(jù)比較器、參考數(shù)據(jù)產生器、狀態(tài)機和加法器/減法器。
      [0079]如圖2所示,各硬件模塊連接關系如下:電壓調節(jié)器輸入基準電壓,向嵌入式存儲器輸出測試電壓,電壓調節(jié)器連接外部的測試機臺;嵌入式存儲器連接數(shù)據(jù)比較器;參考數(shù)據(jù)產生器連接數(shù)據(jù)比較器;數(shù)據(jù)比較器連接所述測試機臺;所述測試機臺連接狀態(tài)機;狀態(tài)機連接嵌入式存儲器、數(shù)據(jù)比較器和加法器/減法器;加法器/減法器連接電壓調節(jié)器。
      [0080]參照圖3所示的片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓的測量方法流程圖,以下通過具體步驟進行詳細說明:
      [0081 ] S301,通過電壓調節(jié)器向嵌入式存儲器提供第一電壓。
      [0082]在測試過程中,電壓調節(jié)器作為嵌入式存儲器的電源,向嵌入式存儲器提供測試電壓,電壓調節(jié)器輸出的測試電壓的電位是可以調節(jié)的。
      [0083]在具體實施中,可以由外部的測試機臺通過狀態(tài)機向內置硬件測試系統(tǒng)發(fā)出測試使能信號與時鐘信號,使得系統(tǒng)內部嵌入式存儲器最低工作電壓測試動作開始。
      [0084]在具體實施中,可以由數(shù)據(jù)比較器輸出的比較結果信號通過狀態(tài)機向加法器/減法器發(fā)出進位使能信號,從而經由加法器/減法器來調節(jié)電壓調節(jié)器輸出電壓的電位。
      [0085]在具體實施中,電壓調節(jié)器輸出的測試電壓與數(shù)據(jù)比較器輸出結果信號還可以送至所述測試機臺,從而所述測試機臺可以以此確定電壓調節(jié)器輸出的測試電壓的電位。
      [0086]假定先以第一電壓作為測試電壓,測試嵌入式存儲器在第一電壓下能否正常工作。
      [0087]S302,在電壓調節(jié)器提供的所述第一電壓下對所述嵌入式存儲器進行寫操作。
      [0088]嵌入式存儲器響應于接收到的第一控制信號,對所述嵌入式存儲器進行寫操作。其中,所述第一控制信號具體可以包括:片選信號、時鐘信號、寫使能信號以及存儲器尋址信號。
      [0089]在具體實施中,所述第一控制信號可以由狀態(tài)機發(fā)出。
      [0090]S303,在電壓調節(jié)器提供的所述第一電壓下對所述嵌入式存儲器進行讀操作。
      [0091]所述讀操作與所述寫操作針對嵌入式存儲器中相同的存儲單元。
      [0092]嵌入式存儲器響應于接收到的第二控制信號,對所述嵌入式存儲器進行讀操作。其中,所述第二控制信號具體可以包括:片選信號、時鐘信號、讀使能信號以及存儲器尋址信號。
      [0093]在具體實施中,所述第二控制信號可以由狀態(tài)機發(fā)出。
      [0094]S304,通過數(shù)據(jù)比較器將所述讀操作讀出的數(shù)據(jù)與所述參考數(shù)據(jù)進行比較,判斷所述讀操作讀出的數(shù)據(jù)與所述參考數(shù)據(jù)是否相符。
      [0095]一方面,從嵌入式存儲器讀出的數(shù)據(jù)輸出給數(shù)據(jù)比較器,另一方面,由參考信號產生器產生參考數(shù)據(jù),并將參考數(shù)據(jù)送至數(shù)據(jù)比較器。
      [0096]在具體實施中,參考數(shù)據(jù)產生器可以響應于狀態(tài)機發(fā)出的參考數(shù)據(jù)使能信號,產生參考數(shù)據(jù)并送至數(shù)據(jù)比較器。
      [0097]數(shù)據(jù)比較器將所述讀操作讀出的數(shù)據(jù)與所述參考數(shù)據(jù)進行比較,判斷兩者是否相符,從而決定后續(xù)應當在更低的電壓下進行測試、還是在更高的電壓下進行測試、還是此前的測試已經足以確定所述嵌入式存儲器的最低工作電壓。
      [0098]在具體實施中,數(shù)據(jù)比較器可以響應于由狀態(tài)機送出的數(shù)據(jù)比較使能信號,從而進行所述比較;當從嵌入式存儲器讀出的數(shù)據(jù)與參考數(shù)據(jù)產生器輸出的預期數(shù)據(jù)一致,數(shù)據(jù)比較結果狀態(tài)信號置為“ I ” ;當從嵌入式存儲器讀出的數(shù)據(jù)與參考數(shù)據(jù)產生器輸出的預期數(shù)據(jù)不一致,數(shù)據(jù)比較結果狀態(tài)信號置為“O”。
      [0099]S305,若是,則將電壓調節(jié)器輸出的電壓調節(jié)為第二電壓,所述第二電壓小于第一電壓。
      [0100]S306,若否,則將電壓調節(jié)器輸出的電壓調節(jié)為第二電壓,所述第二電壓大于第一電壓。
      [0101]若所述讀操作讀出的數(shù)據(jù)與所述參考數(shù)據(jù)相符,則說明嵌入式存儲器在第一電壓下能夠正常工作,該嵌入式存儲器的最低工作電壓小于第一電壓,因此,后續(xù)在更低的電壓下進行測試。
      [0102]反之,若所述讀操作讀出的數(shù)據(jù)與所述參考數(shù)據(jù)不相符,則說明嵌入式存儲器在第一電壓下不能正常工作,該嵌入式存儲器的最低工作電壓大于第一電壓,因此,后續(xù)在更高的電壓下進行測試。
      [0103]在具體實施中,數(shù)據(jù)比較器可以先將數(shù)據(jù)比較結果送至所述內置的狀態(tài)機,再由所述內置的狀態(tài)機根據(jù)接收到的數(shù)據(jù)比較結果控制加法器/減法器。
      [0104]所述內置的狀態(tài)機根據(jù)接收到的數(shù)據(jù)比較結果向加法器/減法器發(fā)出進位使能信號,從而經由加法器/減法器調節(jié)電壓調節(jié)器輸出的測試電壓的電位。
      [0105]所述測試機臺根據(jù)接收到的數(shù)據(jù)比較結果控制狀態(tài)機向加法器/減法器發(fā)出進位使能信號,從而經由加法器/減法器調節(jié)電壓調節(jié)器輸出的測試電壓的電位。
      [0106]循環(huán)執(zhí)行上述步驟,直至獲得使得所述嵌入式存儲器能夠正常工作與不能正常工作的電壓臨界值,該電壓臨界值即為所述嵌入式存儲器的最低工作電壓。
      [0107]在測量嵌入式存儲器最低工作電壓的過程中,通常需要經過幾百、幾千次甚至是更多次的上述循環(huán),具體可以通過一些現(xiàn)有的數(shù)學算法來逼近最低工作電壓的實際值,視測量預期精度的不同,所需的循環(huán)次數(shù)也會有所不同。
      [0108]如前所述,現(xiàn)有技術在每次測試機臺調節(jié)提供給嵌入式存儲器的測試電壓后,需要先等待電壓穩(wěn)定(通常需要幾秒的時間),然后才能在該測試電壓下對嵌入式存儲器進行寫操作和讀操作。
      [0109]而本實施例在測量片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓的過程中,采用片上系統(tǒng)芯片內置的電壓調節(jié)器來向嵌入式存儲器提供測試電壓,從而大大減少了每次調節(jié)測試電壓之后等待電壓穩(wěn)定所花費的時間(內建的電壓調節(jié)器每次等待電壓穩(wěn)定的時間通常僅為毫秒級),顯著提高了測試效率。
      [0110]進一步地,片上系統(tǒng)芯片還內置有數(shù)據(jù)比較器、參考數(shù)據(jù)產生器、狀態(tài)機和加法器/減法器,從而外接的測試機臺只需要向狀態(tài)機指示開始測試、接收數(shù)據(jù)比較器輸出的數(shù)據(jù)比較結果、以及確定電壓調節(jié)器輸出的測試電壓的電位,其他工作則是由該片上系統(tǒng)芯片內置的相關硬件模塊來完成。
      [0111]進一步地,外接的測試機臺連接片上系統(tǒng)芯片,而非直接連接嵌入式存儲器,從而可以顯著減少交互的管腳數(shù)量,降低了片上系統(tǒng)芯片的封裝成本。
      [0112]在具體實施中,測試者通過觀測測試機臺數(shù)據(jù)比較結果信號的狀態(tài)跳變以及跳變時對應的電壓調節(jié)器輸出的測試電壓數(shù)值來判定嵌入式存儲器的最低工作電壓。
      [0113]在具體實施中,測試者通過觀測測試機臺數(shù)據(jù)比較結果信號的狀態(tài)跳變有以下第一種可能情形:如果在電壓調節(jié)器輸出第一電壓時,數(shù)據(jù)比較器輸出的數(shù)據(jù)比較結果信號為“ I ”,表示嵌入式存儲其在電壓調節(jié)器輸出第一電壓時讀寫操作正常,當內置狀態(tài)機控制加法器/減法器逐步降低電壓調節(jié)器輸出電壓后,數(shù)據(jù)比較器輸出的數(shù)據(jù)比較結果信號會由“ I”變“0”,此時從外部測試機臺讀出的電壓調節(jié)器的輸出電壓即為該嵌入式存儲器的最低工作電壓。
      [0114]在具體實施中,測試者通過觀測測試機臺數(shù)據(jù)比較結果信號的狀態(tài)跳變有以下第二種可能情形:如果在電壓調節(jié)器輸出第一電壓時,數(shù)據(jù)比較器輸出的數(shù)據(jù)比較結果信號為“0”,表示嵌入式存儲其在電壓調節(jié)器輸出第一電壓時讀寫操作錯誤,當內置狀態(tài)機控制加法器/減法器逐步增加電壓調節(jié)器輸出電壓后,數(shù)據(jù)比較器輸出的數(shù)據(jù)比較結果信號會由“O”變“ 1”,此時從外部測試機臺讀出的電壓調節(jié)器的輸出電壓即為該嵌入式存儲器的最低工作電壓。
      [0115]實施例三
      [0116]如下所述,本發(fā)明實施例提供一種片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓的測量裝置。
      [0117]所述片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓的測量裝置包括:電壓提供單元、寫操作單元、讀操作單元、數(shù)據(jù)比較單元和電壓調節(jié)單元;其中各單元的主要功能如下:
      [0118]電壓提供單元,用于通過電壓調節(jié)器向嵌入式存儲器提供第一電壓,以所述第一電壓作為測試電壓,所述電壓調節(jié)器輸出的測試電壓的電位是可以調節(jié)的;
      [0119]寫操作單元,用于在所述電壓提供單元執(zhí)行操作之后,在電壓調節(jié)器提供的所述第一電壓下對所述嵌入式存儲器進行寫操作;
      [0120]讀操作單元,用于在所述寫操作單元執(zhí)行操作之后,在電壓調節(jié)器提供的所述第一電壓下對所述嵌入式存儲器進行讀操作,所述讀操作與所述寫操作針對嵌入式存儲器中相同的存儲單元;
      [0121]數(shù)據(jù)比較單元,用于在所述讀操作單元執(zhí)行操作之后,通過數(shù)據(jù)比較器將所述讀操作讀出的數(shù)據(jù)與所述參考數(shù)據(jù)進行比較,判斷所述讀操作讀出的數(shù)據(jù)與所述參考數(shù)據(jù)是否相符;
      [0122]電壓調節(jié)單元,用于在所述數(shù)據(jù)比較單元執(zhí)行操作之后,若是,則將電壓調節(jié)器輸出的電壓調節(jié)為第二電壓,所述第二電壓小于第一電壓;若否,則將電壓調節(jié)器輸出的電壓調節(jié)為第二電壓,所述第二電壓大于第一電壓;
      [0123]各單元循環(huán)執(zhí)行操作,直至獲得所述嵌入式存儲器的最低工作電壓;
      [0124]其中,所述電壓調節(jié)器是所述片上系統(tǒng)芯片內置的,所述片上系統(tǒng)芯片能夠連接外接的測試機臺。
      [0125]通過以上對技術方案的描述可以看出:本實施例中,在測量片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓的過程中,采用片上系統(tǒng)芯片內置的電壓調節(jié)器來向嵌入式存儲器提供測試電壓,從而大大減少了每次調節(jié)測試電壓之后等待電壓穩(wěn)定所花費的時間(內建的電壓調節(jié)器每次等待電壓穩(wěn)定的時間通常僅為毫秒級),顯著提高了測試效率。
      [0126]在具體實施中,所述數(shù)據(jù)比較器、參考數(shù)據(jù)產生器、狀態(tài)機和加法器/減法器可以是所述片上系統(tǒng)芯片內置的。
      [0127]通過以上對技術方案的描述可以看出:本實施例中,片上系統(tǒng)芯片還內置有數(shù)據(jù)比較器、參考數(shù)據(jù)產生器、狀態(tài)機和加法器/減法器,從而外接的測試機臺只需要向狀態(tài)機指示開始測試、接收數(shù)據(jù)比較器輸出的數(shù)據(jù)比較結果、以及確定電壓調節(jié)器輸出的測試電壓的電位,其他工作則是由該片上系統(tǒng)芯片內置的相關硬件模塊來完成。
      [0128]進一步地,外接的測試機臺連接片上系統(tǒng)芯片,而非直接連接嵌入式存儲器,從而可以顯著減少交互的管腳數(shù)量,降低了片上系統(tǒng)芯片的封裝成本。
      [0129]在具體實施中,嵌入式存儲器可以響應于接收到的第一控制信號,對所述嵌入式存儲器進行寫操作,所述第一控制信號包括:片選信號、時鐘信號、寫使能信號以及存儲器尋址信號;嵌入式存儲器可以響應于接收到的第二控制信號,對所述嵌入式存儲器進行讀操作,所述第二控制信號包括:片選信號、時鐘信號、讀使能信號以及存儲器尋址信號。
      [0130]在具體實施中,所述第一控制信號和所述第二控制信號可以由狀態(tài)機發(fā)出。
      [0131]在具體實施中,參考數(shù)據(jù)產生器可以響應于狀態(tài)機發(fā)出的參考數(shù)據(jù)使能信號,產生參考數(shù)據(jù)并送至數(shù)據(jù)比較器。
      [0132]在具體實施中,數(shù)據(jù)比較器可以響應于由狀態(tài)機送出的數(shù)據(jù)比較使能信號,從而進行所述比較;當從嵌入式存儲器讀出的數(shù)據(jù)與參考數(shù)據(jù)產生器輸出的預期數(shù)據(jù)一致,數(shù)據(jù)比較結果狀態(tài)信號置為“ I ” ;當從嵌入式存儲器讀出的數(shù)據(jù)與參考數(shù)據(jù)產生器輸出的預期數(shù)據(jù)不一致,數(shù)據(jù)比較結果狀態(tài)信號置為“O”。
      [0133]在具體實施中,數(shù)據(jù)比較器可以將數(shù)據(jù)比較結果送至所述內置狀態(tài)機,所述內置狀態(tài)機可以根據(jù)接收到的數(shù)據(jù)比較結果向加法器/減法器發(fā)出進位使能信號,經由加法器/減法器調節(jié)電壓調節(jié)器輸出的測試電壓的電位。
      [0134]在具體實施中,電壓調節(jié)器輸出的測試電壓與數(shù)據(jù)比較器輸出的比較結果信號還可以送至所述測試機臺。
      [0135]在具體實施中,測試者通過觀測測試機臺數(shù)據(jù)比較結果信號的狀態(tài)跳變以及跳變時對應的電壓調節(jié)器輸出的測試電壓數(shù)值來判定嵌入式存儲器的最低工作電壓。
      [0136]在具體實施中,測試者通過觀測測試機臺數(shù)據(jù)比較結果信號的狀態(tài)跳變有以下第一種可能情形:如果在電壓調節(jié)器輸出第一電壓時,數(shù)據(jù)比較器輸出的數(shù)據(jù)比較結果信號為“ I ”,表示嵌入式存儲其在電壓調節(jié)器輸出第一電壓時讀寫操作正常,當內置狀態(tài)機控制加法器/減法器逐步降低電壓調節(jié)器輸出電壓后,數(shù)據(jù)比較器輸出的數(shù)據(jù)比較結果信號會由“ I”變“0”,此時從外部測試機臺讀出的電壓調節(jié)器的輸出電壓即為該嵌入式存儲器的最低工作電壓。
      [0137]在具體實施中,測試者通過觀測測試機臺數(shù)據(jù)比較結果信號的狀態(tài)跳變有以下第二種可能情形:如果在電壓調節(jié)器輸出第一電壓時,數(shù)據(jù)比較器輸出的數(shù)據(jù)比較結果信號為“0”,表示嵌入式存儲其在電壓調節(jié)器輸出第一電壓時讀寫操作錯誤,當內置狀態(tài)機控制加法器/減法器逐步增加電壓調節(jié)器輸出電壓后,數(shù)據(jù)比較器輸出的數(shù)據(jù)比較結果信號會由“O”變“ 1”,此時從外部測試機臺讀出的電壓調節(jié)器的輸出電壓即為該嵌入式存儲器的最低工作電壓。
      [0138]實施例四
      [0139]如下所述,本發(fā)明實施例提供一種片上系統(tǒng)芯片。
      [0140]所述片上系統(tǒng)芯片包括:CPU、嵌入式存儲器和外圍電路。
      [0141]與現(xiàn)有技術的不同之處在于,該片上系統(tǒng)芯片還包括:電壓調節(jié)器、數(shù)據(jù)比較器、參考數(shù)據(jù)產生器、狀態(tài)機和加法器/減法器,還包括如本發(fā)明實施例中所提供的片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓的測量裝置。因而該片上系統(tǒng)芯片在測量片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓的過程中,采用片上系統(tǒng)芯片內置的電壓調節(jié)器來向嵌入式存儲器提供測試電壓,從而大大減少了每次調節(jié)測試電壓之后等待電壓穩(wěn)定所花費的時間(內建的電壓調節(jié)器每次等待電壓穩(wěn)定的時間通常僅為毫秒級),顯著提高了測試效率。
      [0142]本領域普通技術人員可以理解上述實施例的各種方法中的全部或部分步驟是可以通過程序來指令相關的硬件來完成,該程序可以存儲于一計算機可讀存儲介質中,存儲介質可以包括:R0M、RAM、磁盤或光盤等。
      [0143]雖然本發(fā)明披露如上,但本發(fā)明并非限定于此。任何本領域技術人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內,均可作各種更動與修改,因此本發(fā)明的保護范圍應當以權利要求所限定的范圍為準。
      【主權項】
      1.一種片上系統(tǒng)芯片,包括:CPU、嵌入式存儲器和外圍電路,其特征在于,電壓調節(jié)器輸入基準電壓,向嵌入式存儲器輸出測試電壓,電壓調節(jié)器能夠連接測試機臺;嵌入式存儲器連接數(shù)據(jù)比較器;參考數(shù)據(jù)產生器連接數(shù)據(jù)比較器;數(shù)據(jù)比較器能夠連接所述測試機臺;狀態(tài)機連接嵌入式存儲器、數(shù)據(jù)比較器和加法器/減法器,狀態(tài)機能夠連接所述測試機臺;加法器/減法器連接電壓調節(jié)器; 其中,所述電壓調節(jié)器是所述片上系統(tǒng)芯片內置的,所述測試機臺是外部的測試機臺。2.如權利要求1所述的片上系統(tǒng)芯片,其特征在于,所述數(shù)據(jù)比較器、參考數(shù)據(jù)產生器、狀態(tài)機和加法器/減法器是所述片上系統(tǒng)芯片內置的。3.—種片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓的測量方法,其特征在于,包括: 通過電壓調節(jié)器向嵌入式存儲器提供第一電壓,以所述第一電壓作為測試電壓,所述電壓調節(jié)器輸出的測試電壓的電位是可以調節(jié)的; 在電壓調節(jié)器提供的所述第一電壓下對所述嵌入式存儲器進行寫操作; 在電壓調節(jié)器提供的所述第一電壓下對所述嵌入式存儲器進行讀操作,所述讀操作與所述寫操作針對嵌入式存儲器中相同的存儲單元; 通過數(shù)據(jù)比較器將所述讀操作讀出的數(shù)據(jù)與所述參考數(shù)據(jù)進行比較,判斷所述讀操作讀出的數(shù)據(jù)與所述參考數(shù)據(jù)是否相符; 若是,則將電壓調節(jié)器輸出的電壓調節(jié)為第二電壓,所述第二電壓小于第一電壓;若否,則將電壓調節(jié)器輸出的電壓調節(jié)為第二電壓,所述第二電壓大于第一電壓; 循環(huán)執(zhí)行上述步驟,直至獲得所述嵌入式存儲器的最低工作電壓; 其中,所述電壓調節(jié)器是所述片上系統(tǒng)芯片內置的,所述片上系統(tǒng)芯片能夠連接外部的測試機臺。4.如權利要求3所述的片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓的測量方法,其特征在于,所述數(shù)據(jù)比較器、參考數(shù)據(jù)產生器、狀態(tài)機和加法器/減法器是所述片上系統(tǒng)芯片內置的。5.如權利要求3所述的片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓的測量方法,其特征在于,嵌入式存儲器響應于接收到的第一控制信號,對所述嵌入式存儲器進行寫操作,所述第一控制信號包括:片選信號、時鐘信號、寫使能信號以及存儲器尋址信號;嵌入式存儲器響應于接收到的第二控制信號,對所述嵌入式存儲器進行讀操作,所述第二控制信號包括:片選信號、時鐘信號、讀使能信號以及存儲器尋址信號。6.如權利要求5所述的片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓的測量方法,其特征在于,所述第一控制信號和所述第二控制信號由狀態(tài)機發(fā)出。7.如權利要求3所述的片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓的測量方法,其特征在于,參考數(shù)據(jù)產生器響應于狀態(tài)機發(fā)出的參考數(shù)據(jù)使能信號,產生參考數(shù)據(jù)并送至數(shù)據(jù)比較器。8.如權利要求3所述的片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓的測量方法,其特征在于,數(shù)據(jù)比較器響應于由狀態(tài)機送出的數(shù)據(jù)比較使能信號,從而進行所述比較;當從嵌入式存儲器讀出的數(shù)據(jù)與參考數(shù)據(jù)產生器輸出的預期數(shù)據(jù)一致,數(shù)據(jù)比較結果狀態(tài)信號置為“ I”;當從嵌入式存儲器讀出的數(shù)據(jù)與參考數(shù)據(jù)產生器輸出的預期數(shù)據(jù)不一致,數(shù)據(jù)比較結果狀態(tài)信號置為“O”。9.如權利要求3所述的片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓的測量方法,其特征在于,數(shù)據(jù)比較器將數(shù)據(jù)比較結果送至所述系統(tǒng)內置的狀態(tài)機;所述內置的狀態(tài)機根據(jù)接收到的數(shù)據(jù)比較結果控制狀態(tài)機向加法器/減法器發(fā)出進位使能信號,經由加法器/減法器調節(jié)電壓調節(jié)器輸出的測試電壓的電位。10.如權利要求3所述的片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓的測量方法,其特征在于,電壓調節(jié)器輸出的測試電壓與數(shù)據(jù)比較器輸出的數(shù)據(jù)比較結果信號還送至所述測試機臺。11.一種片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓的測量裝置,其特征在于,包括:電壓提供單元、寫操作單元、讀操作單元、數(shù)據(jù)比較單元和電壓調節(jié)單元;其中: 電壓提供單元,用于通過電壓調節(jié)器向嵌入式存儲器提供第一電壓,以所述第一電壓作為測試電壓,所述電壓調節(jié)器輸出的測試電壓的電位是可以調節(jié)的; 寫操作單元,用于在所述電壓提供單元執(zhí)行操作之后,在電壓調節(jié)器提供的所述第一電壓下對所述嵌入式存儲器進行寫操作; 讀操作單元,用于在所述寫操作單元執(zhí)行操作之后,在電壓調節(jié)器提供的所述第一電壓下對所述嵌入式存儲器進行讀操作,所述讀操作與所述寫操作針對嵌入式存儲器中相同的存儲單元; 數(shù)據(jù)比較單元,用于在所述讀操作單元執(zhí)行操作之后,通過數(shù)據(jù)比較器將所述讀操作讀出的數(shù)據(jù)與所述參考數(shù)據(jù)進行比較,判斷所述讀操作讀出的數(shù)據(jù)與所述參考數(shù)據(jù)是否相符; 電壓調節(jié)單元,用于在所述數(shù)據(jù)比較單元執(zhí)行操作之后,若是,則將電壓調節(jié)器輸出的電壓調節(jié)為第二電壓,所述第二電壓小于第一電壓;若否,則將電壓調節(jié)器輸出的電壓調節(jié)為第二電壓,所述第二電壓大于第一電壓; 各單元循環(huán)執(zhí)行操作,直至獲得所述嵌入式存儲器的最低工作電壓; 其中,所述電壓調節(jié)器是所述片上系統(tǒng)芯片內置的,所述片上系統(tǒng)芯片能夠連接外部的測試機臺。12.如權利要求11所述的片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓的測量裝置,其特征在于,所述數(shù)據(jù)比較器、參考數(shù)據(jù)產生器、狀態(tài)機和加法器/減法器是所述片上系統(tǒng)芯片內置的。13.如權利要求11所述的片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓的測量裝置,其特征在于,嵌入式存儲器響應于接收到的第一控制信號,對所述嵌入式存儲器進行寫操作,所述第一控制信號包括:片選信號、時鐘信號、寫使能信號以及存儲器尋址信號;嵌入式存儲器響應于接收到的第二控制信號,對所述嵌入式存儲器進行讀操作,所述第二控制信號包括:片選信號、時鐘信號、讀使能信號以及存儲器尋址信號。14.如權利要求13所述的片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓的測量裝置,其特征在于,所述第一控制信號和所述第二控制信號由狀態(tài)機發(fā)出。15.如權利要求11所述的片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓的測量裝置,其特征在于,參考數(shù)據(jù)產生器響應于狀態(tài)機發(fā)出的參考數(shù)據(jù)使能信號,產生參考數(shù)據(jù)并送至數(shù)據(jù)比較器。16.如權利要求11所述的片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓的測量裝置,其特征在于,數(shù)據(jù)比較器響應于由狀態(tài)機送出的數(shù)據(jù)比較使能信號,從而進行所述比較;當從嵌入式存儲器讀出的數(shù)據(jù)與參考數(shù)據(jù)產生器輸出的預期數(shù)據(jù)一致,數(shù)據(jù)比較結果狀態(tài)信號置為“ I ”;當從嵌入式存儲器讀出的數(shù)據(jù)與參考數(shù)據(jù)產生器輸出的預期數(shù)據(jù)不一致,數(shù)據(jù)比較結果狀態(tài)信號置為“O”。17.如權利要求11所述的片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓的測量裝置,其特征在于,數(shù)據(jù)比較器將數(shù)據(jù)比較結果送至所述系統(tǒng)內置的狀態(tài)機;所述內置的狀態(tài)機根據(jù)接收到的數(shù)據(jù)比較結果控制狀態(tài)機向加法器/減法器發(fā)出進位使能信號,經由加法器/減法器調節(jié)電壓調節(jié)器輸出的測試電壓的電位。18.如權利要求11所述的片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓的測量裝置,其特征在于,電壓調節(jié)器輸出的測試電壓與數(shù)據(jù)比較器輸出的數(shù)據(jù)比較結果信號還送至所述測試機臺。19.一種片上系統(tǒng)芯片,所述片上系統(tǒng)芯片包括:CPU、嵌入式存儲器和外圍電路,其特征在于,還包括電壓調節(jié)器、數(shù)據(jù)比較器、參考數(shù)據(jù)產生器、狀態(tài)機和加法器/減法器,還包括如權利要求11至18中任一項所述的片上系統(tǒng)芯片的嵌入式存儲器最低工作電壓的測量 目.ο
      【文檔編號】G11C29/56GK105989900SQ201510098340
      【公開日】2016年10月5日
      【申請日】2015年3月5日
      【發(fā)明人】彭增發(fā), 鄭堅斌
      【申請人】展訊通信(上海)有限公司
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