一種非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀取裝置及方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀取裝置及方法。該裝置包括：讀取比較器，用于根據(jù)接收到的讀取請(qǐng)求，將存儲(chǔ)單元的單元電壓與讀取參考電壓進(jìn)行比較，并輸出讀取結(jié)果；校驗(yàn)比較器，用于將存儲(chǔ)單元的單元電壓與校驗(yàn)參考電壓進(jìn)行比較，并輸出校驗(yàn)結(jié)果；其中，所述校驗(yàn)參考電壓大于所述讀取參考電壓；偏移地址記錄單元，用于根據(jù)讀取結(jié)果和校驗(yàn)結(jié)果，在確定單元電壓低于設(shè)定門限值時(shí)，確定存儲(chǔ)單元為偏移存儲(chǔ)單元，則記錄偏移存儲(chǔ)單元的偏移單元地址；讀取糾正單元，用于如果接收到的讀取請(qǐng)求命中偏移單元地址時(shí)，確定對(duì)偏移存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果為設(shè)定值，并抑制讀取比較器的輸出。本發(fā)明可減少非易失性存儲(chǔ)器讀操作中的誤讀，提高可靠性。
【專利說(shuō)明】
一種非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀取裝置及方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀取裝置及方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子設(shè)備的不斷普及，人們對(duì)于高密度和低功耗的非易失性存儲(chǔ)器的需求與日倶增?？煽啃允窃u(píng)價(jià)存儲(chǔ)器的一個(gè)重要指標(biāo)?？煽啃允侵府a(chǎn)品在規(guī)定條件下和規(guī)定時(shí)間內(nèi)完成規(guī)定的功能。
[0003]數(shù)據(jù)保持力是評(píng)價(jià)非易失性存儲(chǔ)器可靠性的重要參數(shù)。數(shù)據(jù)保持力是指非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)經(jīng)過(guò)一段時(shí)間后沒(méi)有失真或丟失，仍可有效讀出的能力。目前，提高非易失性存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)保持力的方法是在非易失性存儲(chǔ)器進(jìn)行擦除操作過(guò)程中加入恢復(fù)操作，進(jìn)而提高數(shù)據(jù)的可靠性。
[0004]但是用戶對(duì)非易失性存儲(chǔ)器進(jìn)行一次的擦除操作和編程操作后，僅對(duì)非易失性存儲(chǔ)器進(jìn)行讀操作。對(duì)存儲(chǔ)單元而言，浮柵中存儲(chǔ)的電荷量決定了存儲(chǔ)單元的閾值電壓，而存儲(chǔ)單元的閾值電壓則決定了存儲(chǔ)單元是存儲(chǔ)數(shù)據(jù)“O”，還是存儲(chǔ)數(shù)據(jù)“I”。由于存儲(chǔ)單元內(nèi)部自身缺陷及外部影響，會(huì)造成浮柵中存儲(chǔ)的電荷流失，從而引起存儲(chǔ)單元閾值電壓的降低，隨著時(shí)間的推移，當(dāng)閾值電壓降壓到一定值后，存儲(chǔ)單元中的存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)會(huì)發(fā)生變化，當(dāng)用戶下次再對(duì)該存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀操作時(shí)，會(huì)造成誤讀，導(dǎo)致非易失性存儲(chǔ)器的可靠性降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀取裝置及方法，以減少非易失性存儲(chǔ)器讀操作過(guò)程中的誤讀，提高非易失性存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)的可靠性。
[0006]第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀取裝置，該裝置包括:
[0007]讀取比較器，所述讀取比較器的輸入端與讀取參考電壓和存儲(chǔ)單元的輸出端相連，用于根據(jù)接收到的讀取請(qǐng)求，將所述存儲(chǔ)單元的單元電壓與讀取參考電壓進(jìn)行比較，并輸出讀取結(jié)果；
[0008]校驗(yàn)比較器，所述校驗(yàn)比較器的輸入端與校驗(yàn)參考電壓和存儲(chǔ)單元的輸出端相連，用于將所述存儲(chǔ)單元的單元電壓與校驗(yàn)參考電壓進(jìn)行比較，并輸出校驗(yàn)結(jié)果;其中，所述校驗(yàn)參考電壓大于所述讀取參考電壓；
[0009]偏移地址記錄單元，與所述讀取比較器和所述校驗(yàn)比較器相連，用于根據(jù)讀取結(jié)果和校驗(yàn)結(jié)果，在確定單元電壓低于設(shè)定門限值時(shí)，確定所述存儲(chǔ)單元為偏移存儲(chǔ)單元，則記錄所述偏移存儲(chǔ)單元的偏移單元地址；
[0010]讀取糾正單元，與所述偏移地址記錄單元相連，用于如果接收到的讀取請(qǐng)求命中所述偏移單元地址時(shí)，確定對(duì)所述偏移存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果為設(shè)定值，并抑制所述讀取比較器的輸出。
[0011]在上述方案中，可選的是，如果所述單元電壓小于校驗(yàn)參考電壓，且大于讀取參考電壓，則確定所述存儲(chǔ)單元為偏移存儲(chǔ)單元；
[0012]如果所述單元電壓小于校驗(yàn)參考電壓和讀取參考電壓，則確定所述存儲(chǔ)單元為擦除存儲(chǔ)單元；
[0013]如果所述單元電壓大于校驗(yàn)參考電壓和讀取參考電壓，則確定所述存儲(chǔ)單元為編程存儲(chǔ)單元。
[0014]在上述方案中，可選的是，所述設(shè)定值為“O”。
[0015]在上述方案中，可選的是，讀取比較器的輸入端分別與存儲(chǔ)單元的漏極和讀取參考存儲(chǔ)單元的漏極相連，校驗(yàn)比較器的輸入端分別與存儲(chǔ)單元的漏極和校驗(yàn)參考存儲(chǔ)單元的漏極相連，
[0016]其中，存儲(chǔ)單元的漏極與第一電阻相連，第一電阻的另一端與電源相連，存儲(chǔ)單元的源極接地；
[0017]讀取參考單元的漏極與第二電阻相連，第二電阻的另一端與電源相連，讀取參考單元的源極接地；
[0018]校驗(yàn)參考單元的漏極與第三電阻相連，第三電阻的另一端與電源相連，校驗(yàn)參考單元的源極接地。
[0019]第二方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀取方法，采用本發(fā)明第一方面提供的非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀取裝置來(lái)執(zhí)行，該方法包括:
[0020]根據(jù)接收到的讀取請(qǐng)求，讀取存儲(chǔ)單元的單元電壓；
[0021]通過(guò)讀取比較器將所述單元電壓與讀取參考電壓進(jìn)行比較，以輸出讀取結(jié)果；
[0022]通過(guò)校驗(yàn)比較器將所述單元電壓與校驗(yàn)參考電壓進(jìn)行比較，以輸出校驗(yàn)結(jié)果；
[0023]如果根據(jù)讀取結(jié)果和校驗(yàn)結(jié)果，在確定單元電壓低于設(shè)定門限值時(shí)，確定存儲(chǔ)單元為偏移存儲(chǔ)單元，則通過(guò)偏移地址記錄單元記錄所述偏移存儲(chǔ)單元的偏移單元地址；
[0024]如果接收到的讀取請(qǐng)求命中所述偏移單元地址時(shí)，通過(guò)讀取糾正單元確定對(duì)所述偏移存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果為設(shè)定值。
[0025]在上述方案中，可選的是，如果所述單元電壓小于校驗(yàn)參考電壓，且大于讀取參考電壓，則確定所述存儲(chǔ)單元為偏移存儲(chǔ)單元；
[0026]如果所述單元電壓小于校驗(yàn)參考電壓和讀取參考電壓，則確定所述存儲(chǔ)單元為擦除存儲(chǔ)單元；
[0027]如果所述單元電壓小于校驗(yàn)參考電壓和讀取參考電壓，則確定所述存儲(chǔ)單元為編程存儲(chǔ)單元。
[0028]在上述方案中，可選的是，所述設(shè)定值為“O”。
[0029]在上述方案中，可選的是，接收到的讀取請(qǐng)求具體為:存儲(chǔ)單元的柵極、讀取參考存儲(chǔ)單元的柵極及校驗(yàn)存儲(chǔ)單元的柵極施加讀電壓。
[0030]在上述方案中，可選的是，讀電壓大小為5V-7V;
[0031]本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)在存儲(chǔ)單元讀取數(shù)據(jù)過(guò)程中，根據(jù)讀取結(jié)果和校驗(yàn)結(jié)果，在確定單元電壓低于設(shè)定門限值時(shí)，確定并記錄偏移存儲(chǔ)單元，在下次讀取該存儲(chǔ)單元時(shí)，將該存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果確定并輸出為設(shè)定值，從而減少非易失性存儲(chǔ)器讀操作過(guò)程中的誤讀，提高非易失性存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)的可靠性。
【附圖說(shuō)明】
[0032]圖1為本發(fā)明實(shí)施例一中的一種非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀取裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖2是本發(fā)明實(shí)施例三中的一種非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀取裝置的讀取比較器和校驗(yàn)比較器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖3是本發(fā)明實(shí)施例四中的一種非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀取方法的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0035]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明?？梢岳斫獾氖牵颂幩枋龅木唧w實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的限定。另外還需要說(shuō)明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。
[0036]實(shí)施例一
[0037]圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀取裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，本實(shí)施例可適用于存儲(chǔ)器讀取數(shù)據(jù)的情況，如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀取裝置，包括讀取比較器110、校驗(yàn)比較器120、偏移地址記錄單元130和讀取糾正單元140。
[0038]其中，讀取比較器110的輸入端與讀取參考電壓和存儲(chǔ)單元的輸出端相連，用于根據(jù)接收到的讀取請(qǐng)求，將存儲(chǔ)單元的單元電壓與讀取參考電壓進(jìn)行比較，并輸出讀取結(jié)果。
[0039]在非易失性存儲(chǔ)器讀取操作過(guò)程中，若存儲(chǔ)單元為經(jīng)過(guò)擦除操作的擦除存儲(chǔ)單元，其漏極電流較大，若存儲(chǔ)單元為經(jīng)過(guò)編程操作的編程存儲(chǔ)單元，其漏極電流較小，通過(guò)將存儲(chǔ)單元的漏極電流與參考電流的比較可得到存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)單元的漏極電流與參考電流的比較可通過(guò)電路轉(zhuǎn)換為電壓的比較，從而通過(guò)電壓比較器得到存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
[0040]示例性的，讀取比較器可為反相電壓比較器，電壓比較器的同相端接入存儲(chǔ)單元的輸出端，電壓比較器的反相端接入讀取參考電壓，當(dāng)存儲(chǔ)單元的單元電壓大于讀取參考電壓時(shí)，讀取結(jié)果為“O”，說(shuō)明該存儲(chǔ)單元經(jīng)過(guò)編程操作，存儲(chǔ)數(shù)據(jù)為“O” ；當(dāng)存儲(chǔ)單元的單元電壓小于參考電壓時(shí)，讀取結(jié)果為“I”，說(shuō)明該存儲(chǔ)單元經(jīng)過(guò)擦除操作，存儲(chǔ)數(shù)據(jù)為“I”。
[0041]校驗(yàn)比較器120的輸入端與校驗(yàn)參考電壓和存儲(chǔ)單元的輸出端相連，用于將存儲(chǔ)單元的單元電壓與校驗(yàn)參考電壓進(jìn)行比較，并輸出校驗(yàn)結(jié)果;其中，校驗(yàn)參考電壓大于所述讀取參考電壓；
[0042]示例性的，校驗(yàn)比較器可為反相電壓比較器，電壓比較器的同相端接入存儲(chǔ)單元的輸出端，電壓比較器的反相端接入校驗(yàn)參考電壓，當(dāng)存儲(chǔ)單元的單元電壓大于校驗(yàn)參考電壓時(shí)，校驗(yàn)結(jié)果為“O” ；當(dāng)存儲(chǔ)單元的單元電壓小于校驗(yàn)參考電壓時(shí)，校驗(yàn)結(jié)果為“I”。
[0043]偏移地址記錄單元130，與讀取比較器和校驗(yàn)比較器相連，用于根據(jù)讀取結(jié)果和校驗(yàn)結(jié)果，在確定單元電壓低于設(shè)定門限值時(shí)，確定存儲(chǔ)單元為偏移存儲(chǔ)單元，則記錄偏移存儲(chǔ)單元的偏移單元地址；
[0044]示例性的，記錄偏移單元地址可為將偏移單元的地址寫入當(dāng)前讀取存儲(chǔ)器的任一指定長(zhǎng)度的空閑存儲(chǔ)單元中或?qū)懭肴我恢付ǖ拇鎯?chǔ)器中。
[0045]讀取糾正單元140，與偏移地址記錄單元相連，用于如果接收到的讀取請(qǐng)求命中偏移單元地址時(shí)，確定對(duì)偏移存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果為設(shè)定值，并抑制讀取比較器的輸出。
[0046]示例性的，將存儲(chǔ)器中記錄的偏移存儲(chǔ)單元的地址加載至任一寄存器中，如果當(dāng)前讀取的存儲(chǔ)單元地址與寄存器中加載的地址相同，則認(rèn)為讀取請(qǐng)求命中偏移單元地址，則將該存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果確定并輸出為設(shè)定值。
[0047]示例性的，存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果確定并輸出為設(shè)定值可為，如果設(shè)定值為“I”，可將讀取結(jié)果的輸出端與“I”進(jìn)行或運(yùn)算，如果設(shè)定值為“O”，可將讀取結(jié)果的輸出端與“O”進(jìn)行與運(yùn)算。
[0048]本實(shí)施例的技術(shù)方案，通過(guò)根據(jù)讀取比較器的讀取結(jié)果與校驗(yàn)比較器的校驗(yàn)結(jié)果，在確定單元電壓低于設(shè)定門限值時(shí)，確定并記錄偏移存儲(chǔ)單元，使得下次讀取該存儲(chǔ)單元時(shí)，將其讀取結(jié)果確定并輸出為設(shè)定值，從而減少非易失性存儲(chǔ)器讀操作過(guò)程中的誤讀，提高非易失性存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)的可靠性。
[0049]實(shí)施例二
[0050]實(shí)施例二為對(duì)本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀取裝置的進(jìn)一步說(shuō)明。在實(shí)施例一所述的裝置中，偏移地址記錄單元具體用于:如果所述單元電壓小于校驗(yàn)參考電壓，且大于讀取參考電壓，則確定所述存儲(chǔ)單元為偏移存儲(chǔ)單元；
[0051]如果所述單元電壓小于校驗(yàn)參考電壓和讀取參考電壓，則確定所述存儲(chǔ)單元為擦除存儲(chǔ)單元；
[0052]如果所述單元電壓大于校驗(yàn)參考電壓和讀取參考電壓，則確定所述存儲(chǔ)單元為編程存儲(chǔ)單元。
[0053]設(shè)定值為“O”。
[0054]非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元由于內(nèi)部自身缺陷及外部影響，會(huì)造成浮柵中存儲(chǔ)的電荷流失，從而引起存儲(chǔ)單元閾值電壓的降低。對(duì)于經(jīng)過(guò)編程操作的編程存儲(chǔ)單元而言，閾值電壓降低到一定值后，編程存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)將由“O”變?yōu)椤癐”。在閾值電壓降低的過(guò)程中，存儲(chǔ)單元的漏極電流增大，其單元輸出端電壓也會(huì)有相應(yīng)的變化，優(yōu)選的單元電壓相應(yīng)增大。通過(guò)將校驗(yàn)參考電壓設(shè)置大于讀取參考電壓，若存儲(chǔ)單元單元電壓的變化使得校驗(yàn)結(jié)果發(fā)生改變，而未使讀取結(jié)果發(fā)生改變，則確定該存儲(chǔ)單元為偏移存儲(chǔ)單元。即在存儲(chǔ)單元讀取操作過(guò)程中，對(duì)于沒(méi)有嚴(yán)重偏移的編程存儲(chǔ)單元，其漏極電流較小，單元電壓大于校驗(yàn)參考電壓和讀取參考電壓，讀取結(jié)果和校驗(yàn)結(jié)果為“O” ；對(duì)于發(fā)生嚴(yán)重偏移的編程存儲(chǔ)單元，當(dāng)閾值電壓降低到一定值時(shí)，由于校驗(yàn)參考電壓設(shè)置大于讀取參考電壓，則可使存儲(chǔ)單元的單元電壓小于校驗(yàn)參考電壓，且大于讀取參考電壓，這時(shí)校驗(yàn)結(jié)果為“I”，讀取結(jié)果為“O”，說(shuō)明該存儲(chǔ)單元為偏移存儲(chǔ)單元;對(duì)于擦除存儲(chǔ)單元，其漏極電流較大，單元電壓小于校驗(yàn)參考電壓和讀取參考電壓，讀取結(jié)果和校驗(yàn)結(jié)果為“I”。通過(guò)設(shè)定值為“O”，可使得發(fā)生嚴(yán)重偏移的編程存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果強(qiáng)制輸出為“O”，避免由于閾值電壓降低，導(dǎo)致編程存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)由“O”變?yōu)椤癐”，從而導(dǎo)致誤讀的情況。
[0055]本實(shí)施例的技術(shù)方案，通過(guò)將校驗(yàn)參考電壓設(shè)置為大于讀取參考電壓，偏移地址記錄單元，可檢測(cè)出偏移存儲(chǔ)單元、擦除存儲(chǔ)單元及編程存儲(chǔ)單元，并可在存儲(chǔ)單元的閾值電壓值未達(dá)到使得存儲(chǔ)數(shù)據(jù)變化之前，有效記錄閾值電壓發(fā)生嚴(yán)重偏移的存儲(chǔ)單元，在下次讀取該單元時(shí)，通過(guò)將讀取結(jié)果設(shè)定值設(shè)為“O”，可防止由于浮柵漏電，電子丟失，導(dǎo)致存儲(chǔ)單元閾值電壓降低，從而使得編程存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)由“O”變?yōu)椤癐”，導(dǎo)致誤讀的情況，從而提高非易失性存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)的可靠性。
[0056]實(shí)施例三
[0057]圖2為本發(fā)明實(shí)施例三提供的一種非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀取裝置的讀取比較器和校驗(yàn)比較器的結(jié)構(gòu)示意圖。實(shí)施例三為對(duì)本發(fā)明上述實(shí)施例提供的一種非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀取裝置中讀取比較器和校驗(yàn)比較器進(jìn)一步說(shuō)明。讀取比較器的輸入端分別與存儲(chǔ)單元的漏極和讀取參考存儲(chǔ)單元的漏極相連，校驗(yàn)比較器的輸入端分別與存儲(chǔ)單元的漏極和校驗(yàn)參考存儲(chǔ)單元的漏極相連，
[0058]其中，存儲(chǔ)單元的漏極與第一電阻相連，第一電阻的另一端與電源相連，存儲(chǔ)單元的源極接地；
[0059]讀取參考單元的漏極與第二電阻相連，第二電阻的另一端與電源相連，讀取參考單元的源極接地；
[0060]校驗(yàn)參考單元的漏極與第三電阻相連，第三電阻的另一端與電源相連，校驗(yàn)參考單元的源極接地。
[0061]優(yōu)選的，如圖2所示，讀取比較器為電壓比較器SA，電壓比較器SA的同相端與存儲(chǔ)單元Ca的漏極相連，存儲(chǔ)單元Ca的漏極與第一電阻Ra的一端相連，存儲(chǔ)單元Ca的源極接地，第一電阻Ra的另一端與電源Vcc相連，電壓比較器SA的反相端與讀取參考存儲(chǔ)單元Cr的漏極相連，讀取參考存儲(chǔ)單元Cr的漏極與第二電阻Rr的一端相連，讀取參考存儲(chǔ)單元Cr的源極接地，第二電阻Rr的另一端與電源Vcc相連，其中Ra=Rr。讀取比較器SA通過(guò)將存儲(chǔ)單元Ca的漏極電壓Va與讀取參考存儲(chǔ)單元Cr的漏極電壓Vrrf比較得到讀取結(jié)果。由于Va=Vcc-RaIa, Vre3f=Vcc-RRlref 且Ra = Rr，則當(dāng) IA> Iref 時(shí)，VA<Vref，SA輸出讀取結(jié)果 “I” ；當(dāng) Ia〈 Iref 時(shí)，VA>Vref，SA輸出讀取結(jié)果“O”。
[0062]校驗(yàn)比較器為電壓比較器SAl，電壓比較器SAl的同相端與存儲(chǔ)單元Ca的漏極相連，電壓比較器SAl的反相端與校驗(yàn)參考存儲(chǔ)單元Cr1的漏極相連，校驗(yàn)參考存儲(chǔ)單元(^的漏極與第三電阻Rr1的一端相連，校驗(yàn)參考存儲(chǔ)單元Cr1的源極接地，第三電阻Rr1的另一端與電源Vcc相連，其中Rr1 = Ra。校驗(yàn)比較器通過(guò)將存儲(chǔ)單元Ca的漏極電壓Va與校驗(yàn)參考存儲(chǔ)單元0^的漏極電壓丫作打比較得到校驗(yàn)結(jié)果。由于Va=Vcc-RaIa, VrefI = Vcc-RRiIrefi且Rri = Ra,則當(dāng)lA>Irrfi時(shí)，VA〈Vrrfi，SAl輸出校驗(yàn)結(jié)果“I” ；當(dāng)IA〈Irrfi時(shí)，VA>Vrrfi，SAl輸出校驗(yàn)結(jié)果“O”。
[0063]由于存儲(chǔ)單元內(nèi)部自身缺陷及外部影響，會(huì)造成浮柵中存儲(chǔ)的電荷流失，從而引起存儲(chǔ)單元閾值電壓的降低。在存儲(chǔ)單元的讀取中，若閾值電壓降低，則會(huì)引起存儲(chǔ)單元漏極電流Ia增大，即存儲(chǔ)單元漏極電壓Va降低，因此，存儲(chǔ)單元漏極電壓Va的變化可以反映存儲(chǔ)單元閾值電壓的變化趨勢(shì)。若存儲(chǔ)單元為經(jīng)過(guò)編程操作的編程存儲(chǔ)單元，且閾值電壓未發(fā)生嚴(yán)重偏移，則存儲(chǔ)單元呈現(xiàn)高閾值電壓，即Va較大，使得VA>Vrrf，VA>Vrrfl，即SA輸出讀取結(jié)果“0”，SA1輸出校驗(yàn)結(jié)果“O”；若閾值電壓降低，Va也會(huì)降低，由于Vrrfl>Vrrf，當(dāng)Va降低到一定值時(shí)，可使VA>Vref，VA〈Vrefl，即SA輸出讀取結(jié)果“O”，SAl輸出校驗(yàn)結(jié)果“I”，可確定此時(shí)存儲(chǔ)單元的閾值電壓發(fā)生嚴(yán)重偏移，若閾值電壓繼續(xù)降低，則將導(dǎo)致VKVre3f，即讀取結(jié)果為“I”，這時(shí)讀取結(jié)果為錯(cuò)誤的，通過(guò)將該存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果確定并輸出為“O”，則可避免誤讀現(xiàn)象。若存儲(chǔ)單元為經(jīng)過(guò)擦除操作的擦除存儲(chǔ)單元，則存儲(chǔ)單元呈現(xiàn)低閾值電壓，即Va較小’使得乂八^^…^^^^六輸出讀取結(jié)果“廣，SAl輸出校驗(yàn)結(jié)果“I”。
[0064]示例性的，第一電阻、第二電阻和第三電阻的阻值可以不相等。可通過(guò)控制讀取參考存儲(chǔ)單元與校驗(yàn)參考存儲(chǔ)單元中浮柵存儲(chǔ)的電荷來(lái)控制讀取參考存儲(chǔ)單元和校驗(yàn)參考存儲(chǔ)單元的閾值電壓，進(jìn)而確定讀取參考電壓與校驗(yàn)參考電壓。
[0065]本實(shí)施例的技術(shù)方案，通過(guò)將讀取比較器的輸入端分別與存儲(chǔ)單元的漏極和讀取參考存儲(chǔ)單元的漏極相連，校驗(yàn)比較器的輸入端分別與存儲(chǔ)單元的漏極和校驗(yàn)參考存儲(chǔ)單元的漏極相連，得到讀取結(jié)果和校驗(yàn)結(jié)果，并根據(jù)讀取結(jié)果和校驗(yàn)結(jié)果確定并記錄偏移存儲(chǔ)單元，使得下次讀取該存儲(chǔ)單元時(shí)，將其讀取結(jié)果確定并輸出為設(shè)定值，從而減少非易失性存儲(chǔ)請(qǐng)讀操作過(guò)程中的誤讀，提高非易失性存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)的可靠性。
[0066]實(shí)施例四
[0067]圖3為本發(fā)明實(shí)施例四提供的一種非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀取方法的流程示意圖，基于上述實(shí)施例中任一的非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀取裝置來(lái)執(zhí)行。
[0068]步驟310、根據(jù)接收到的讀取請(qǐng)求，讀取存儲(chǔ)單元的單元電壓；
[0069]優(yōu)選的，接收到的讀取請(qǐng)求具體為:存儲(chǔ)單元的柵極、讀取參考存儲(chǔ)單元的柵極及校驗(yàn)存儲(chǔ)單元的柵極施加讀電壓。
[0070]優(yōu)選的，讀電壓的大小為5V-7V。
[0071]步驟320、通過(guò)讀取比較器將單元電壓與讀取參考電壓進(jìn)行比較，以輸出讀取結(jié)果;
[0072]步驟330、通過(guò)校驗(yàn)比較器將單元電壓與校驗(yàn)參考電壓進(jìn)行比較，以輸出校驗(yàn)結(jié)果;
[0073]這里需要說(shuō)明的是步驟320和步驟330的執(zhí)行順序不作限定，可以順序執(zhí)行，也可以先執(zhí)行步驟330，再執(zhí)行步驟320，也可并行執(zhí)行。
[0074]步驟340、如果根據(jù)讀取結(jié)果和校驗(yàn)結(jié)果，在確定單元電壓低于設(shè)定門限值時(shí)，確定存儲(chǔ)單元為偏移存儲(chǔ)單元，則通過(guò)偏移地址記錄單元記錄偏移存儲(chǔ)單元的偏移單元地址；
[0075]優(yōu)選的，如果所述單元電壓小于校驗(yàn)參考電壓，且大于讀取參考電壓，則確定所述存儲(chǔ)單元為偏移存儲(chǔ)單元；
[0076]如果所述單元電壓小于校驗(yàn)參考電壓和讀取參考電壓，則確定所述存儲(chǔ)單元為擦除存儲(chǔ)單元；
[0077]如果所述單元電壓小于校驗(yàn)參考電壓和讀取參考電壓，則確定所述存儲(chǔ)單元為編程存儲(chǔ)單元。
[0078]步驟350、如果接收到的讀取請(qǐng)求命中偏移單元地址時(shí)，通過(guò)讀取糾正單元確定對(duì)偏移存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果為設(shè)定值。
[0079]優(yōu)選的，設(shè)定值為“O”。
[0080]本實(shí)施例的技術(shù)方案，通過(guò)根據(jù)讀取比較器的讀取結(jié)果與校驗(yàn)比較器的校驗(yàn)結(jié)果，在確定單元電壓低于設(shè)定門限值時(shí)，確定并記錄偏移存儲(chǔ)單元，使得下次讀取該存儲(chǔ)單元時(shí)，將其讀取結(jié)果確定并輸出為設(shè)定值，從而減少非易失性存儲(chǔ)請(qǐng)讀操作過(guò)程中的誤讀，提高非易失性存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)的可靠性。
[0081]上述方法可由本發(fā)明實(shí)施例一至三所提供的裝置執(zhí)行，具備上述裝置相應(yīng)的功能和有益效果。未在本實(shí)施例中詳盡描述的技術(shù)細(xì)節(jié)，可參見(jiàn)本發(fā)明實(shí)施例一至三所提供的目.0
[0082]注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實(shí)施例，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會(huì)脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，雖然通過(guò)以上實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說(shuō)明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實(shí)施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀取裝置，其特征在于，包括: 讀取比較器，所述讀取比較器的輸入端與讀取參考電壓和存儲(chǔ)單元的輸出端相連，用于根據(jù)接收到的讀取請(qǐng)求，將所述存儲(chǔ)單元的單元電壓與讀取參考電壓進(jìn)行比較，并輸出讀取結(jié)果； 校驗(yàn)比較器，所述校驗(yàn)比較器的輸入端與校驗(yàn)參考電壓和存儲(chǔ)單元的輸出端相連，用于將所述存儲(chǔ)單元的單元電壓與校驗(yàn)參考電壓進(jìn)行比較，并輸出校驗(yàn)結(jié)果;其中，所述校驗(yàn)參考電壓大于所述讀取參考電壓； 偏移地址記錄單元，與所述讀取比較器和所述校驗(yàn)比較器相連，用于根據(jù)讀取結(jié)果和校驗(yàn)結(jié)果，在確定單元電壓低于設(shè)定門限值時(shí)，確定所述存儲(chǔ)單元為偏移存儲(chǔ)單元，則記錄所述偏移存儲(chǔ)單元的偏移單元地址； 讀取糾正單元，與所述偏移地址記錄單元相連，用于如果接收到的讀取請(qǐng)求命中所述偏移單元地址時(shí)，確定對(duì)所述偏移存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果為設(shè)定值，并抑制所述讀取比較器的輸出。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于:所述偏移地址記錄單元具體用于: 如果所述單元電壓小于校驗(yàn)參考電壓，且大于讀取參考電壓，則確定所述存儲(chǔ)單元為偏移存儲(chǔ)單元； 如果所述單元電壓小于校驗(yàn)參考電壓和讀取參考電壓，則確定所述存儲(chǔ)單元為擦除存儲(chǔ)單元； 如果所述單元電壓大于校驗(yàn)參考電壓和讀取參考電壓，則確定所述存儲(chǔ)單元為編程存儲(chǔ)單元。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于:所述設(shè)定值為“O”。4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的裝置，其特征在于，所述讀取比較器的輸入端分別與存儲(chǔ)單元的漏極和讀取參考存儲(chǔ)單元的漏極相連，所述校驗(yàn)比較器的輸入端分別與存儲(chǔ)單元的漏極和校驗(yàn)參考存儲(chǔ)單元的漏極相連， 其中，存儲(chǔ)單元的漏極與第一電阻相連，第一電阻的另一端與電源相連，存儲(chǔ)單元的源極接地； 讀取參考單元的漏極與第二電阻相連，第二電阻的另一端與電源相連，讀取參考單元的源極接地； 校驗(yàn)參考單元的漏極與第三電阻相連，第三電阻的另一端與電源相連，校驗(yàn)參考單元的源極接地。5.—種非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀取方法，采用權(quán)利要求1-4任一所述的非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀取裝置來(lái)執(zhí)行，其特征在于，所述方法包括: 根據(jù)接收到的讀取請(qǐng)求，讀取存儲(chǔ)單元的單元電壓； 通過(guò)讀取比較器將所述單元電壓與讀取參考電壓進(jìn)行比較，以輸出讀取結(jié)果； 通過(guò)校驗(yàn)比較器將所述單元電壓與校驗(yàn)參考電壓進(jìn)行比較，以輸出校驗(yàn)結(jié)果； 如果根據(jù)讀取結(jié)果和校驗(yàn)結(jié)果，在確定單元電壓低于設(shè)定門限值時(shí)，確定存儲(chǔ)單元為偏移存儲(chǔ)單元，則通過(guò)偏移地址記錄單元記錄所述偏移存儲(chǔ)單元的偏移單元地址； 如果接收到的讀取請(qǐng)求命中所述偏移單元地址時(shí)，通過(guò)讀取糾正單元確定對(duì)所述偏移存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果為設(shè)定值。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，根據(jù)讀取結(jié)果和校驗(yàn)結(jié)果，在確定單元電壓低于設(shè)定門限值時(shí)，確定存儲(chǔ)單元為偏移存儲(chǔ)單元包括: 如果所述單元電壓小于校驗(yàn)參考電壓，且大于讀取參考電壓，則確定所述存儲(chǔ)單元為偏移存儲(chǔ)單元； 如果所述單元電壓小于校驗(yàn)參考電壓和讀取參考電壓，則確定所述存儲(chǔ)單元為擦除存儲(chǔ)單元； 如果所述單元電壓小于校驗(yàn)參考電壓和讀取參考電壓，則確定所述存儲(chǔ)單元為編程存儲(chǔ)單元。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于:所述設(shè)定值為“O”。8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述接收到的讀取請(qǐng)求具體為:存儲(chǔ)單元的柵極、讀取參考存儲(chǔ)單元的柵極及校驗(yàn)存儲(chǔ)單元的柵極施加讀電壓。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述讀電壓大小為5V-7V。
【文檔編號(hào)】G11C16/26GK106024062SQ201610574374
【公開(kāi)日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年7月19日
【發(fā)明人】薛子恒, 劉奎偉, 潘榮華
【申請(qǐng)人】北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司