高可靠低讀電壓一次性編程存儲(chǔ)器的制造方法
【專利摘要】高可靠低讀電壓一次性編程存儲(chǔ)器，涉及集成電路技術(shù)，本發(fā)明包括第一MOS管、第二MOS管、反熔絲元件；第一MOS管的柵端接第二連接線WS，其第一連接端通過反熔絲元件連接第一連接線WP，第二連接端接第三連接線BL；第二MOS管的第一連接端接第四連接線BR，第二連接端接第三連接線BL；還包括一個(gè)限壓器件，其具有一個(gè)控制端和兩個(gè)連接端，其控制端連接一條控制信號(hào)線WB，其一個(gè)連接端連接反熔絲器件和第一MOS管的連接點(diǎn)，另一個(gè)連接端連接第二MOS管的柵端。本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)的高壓沖擊所引起的關(guān)鍵路徑的器件損壞、退化而難題，避免了可能導(dǎo)致的漏電隱患(高壓對(duì)第二MOS管柵端的沖擊)，提高了器件的可靠性。
【專利說明】
高可靠低讀電壓一次性編程存儲(chǔ)器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)，特別是不揮發(fā)存儲(chǔ)(NVM)器件和存儲(chǔ)單元電路，可應(yīng)用 于高頻和超高頻RFID (Radio Frequency Identification，射頻識(shí)別）的高可靠、低讀取電 壓、低功耗的一次性可編程(One Time Programmab 1 e，簡(jiǎn)稱0ΤΡ)存儲(chǔ)器單元和存儲(chǔ)器陣列。
【背景技術(shù)】
[0002] 中國(guó)專利201080067067.7公開了一種低電壓低功耗存儲(chǔ)器，其存儲(chǔ)單元和存儲(chǔ)單 元構(gòu)成的存儲(chǔ)器陣列如圖1、2所示。
[0003] 圖2所示現(xiàn)有技術(shù)構(gòu)成的存儲(chǔ)器陣列中，對(duì)單元A編程和讀取的電壓表如表一：
[0004]
[0005] 表一
[0006] SW:Selected Word line,所選字線，行選擇；
[0007] SB:Selected Bit line,所選位線，列選擇；
[0008] UW:Unselected Word line,未被選擇的字線；
[0009] UB:Unselected Bit line,未被選擇的位線。
[0010] 設(shè)第m行、t列的單元B已經(jīng)編程，接著編程第m行、第s列的單元A。當(dāng)單元B已經(jīng)編 程，在編程單元A時(shí)，由于WPm處于高壓Vpp，結(jié)點(diǎn)gmt有一個(gè)較高的電壓(約Vpp-Vt，其中Vt是 單元B中，導(dǎo)通狀態(tài)的反融絲器件兩端電壓差）。此高壓對(duì)M0S管匪t會(huì)產(chǎn)生一定的破壞，有可 能導(dǎo)致漏電。如果NMt被破壞，則靈敏放大器讀出數(shù)據(jù)會(huì)受到影響。
[0011]以上的分析，說明現(xiàn)有技術(shù)的明顯不足：
[0012] 如果單元B是已編程單元，反熔絲器件成導(dǎo)通狀態(tài)。在編程單元A時(shí)，單元B的第二 M0S管的各點(diǎn)工作狀態(tài)為，柵端接近5.5V電壓(例如5.2V)，源端和漏端為2.5V電壓，如此就 有接近3V的差值作用在第二M0S管的柵氧上，這對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)工作電壓為1.8V或者更低的M0S管 來說，器件的損壞和退化速度將大大提高。特別是第二M0S管是電壓放大的關(guān)鍵器件。因此， 需要有一種方式來限制第二M0S管柵端電壓。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0013] 本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，提供一種解決現(xiàn)有技術(shù)的高壓沖擊問題的存儲(chǔ) 器。
[0014] 本發(fā)明解決所述技術(shù)問題采用的技術(shù)方案是，高可靠低讀電壓一次性編程存儲(chǔ) 器，包括第一M0S管（1)、第二M0S管(2)、反熔絲元件(4);
[0015] 第一 M0S管的柵端接第二連接線WS，其第一連接端通過反熔絲元件連接第一連接 線WP，第二連接端接第三連接線BL;
[0016] 第二M0S管的第一連接端接第四連接線BR，第二連接端接第三連接線BL;
[0017] 還包括一個(gè)限壓器件(3 )，其具有一個(gè)控制端和兩個(gè)連接端，其控制端連接一條控 制信號(hào)線WB，其一個(gè)連接端連接反熔絲器件和第一M0S管的連接點(diǎn)，另一個(gè)連接端連接第二 M0S管的柵端。
[0018] 所述限壓器件為第三M0S管(3)。
[0019] 第一 M0S管的第一連接端為漏端，第二連接端為源端；
[0020] 第二M0S管的第一連接端為漏端，第二連接端為源端；
[0021 ]第三M0S管的第一連接端為漏端，第二連接端為源端。
[0022 ] 所述第一 M0S管、第二M0S管、第三M0S管皆為NM0S管，或者皆為PM0S管。
[0023] 所述第一 M0S管、第二M0S管、第三M0S管皆為對(duì)稱型M0S管。
[0024] 本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)的高壓沖擊所引起的關(guān)鍵路徑的器件損壞、退化而難題， 避免了可能導(dǎo)致的漏電隱患(高壓對(duì)第二M0S管柵端的沖擊），提高了器件的可靠性。
【附圖說明】
[0025] 圖1是現(xiàn)有技術(shù)的存儲(chǔ)器單元結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026] 圖2是現(xiàn)有技術(shù)的存儲(chǔ)器陣列示意圖。
[0027] 圖3是本發(fā)明的實(shí)施例1的存儲(chǔ)器單元結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028] 圖4是本發(fā)明的實(shí)施例1的存儲(chǔ)器陣列示意圖
[0029] 圖5是本發(fā)明的實(shí)施例2的存儲(chǔ)器陣列示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030] 實(shí)施例1:參見圖3。
[0031]高可靠低讀電壓一次性編程存儲(chǔ)器，包括第一 M0S管1、第二M0S管2、反熔絲元件4; [0032]第一 M0S管1的柵端接第二連接線WS，其第一連接端通過反熔絲元件4連接第一連 接線WP，第二連接端接第三連接線BL;
[0033]第二M0S管2的第一連接端接第四連接線BR，第二連接端接第三連接線BL;
[0034] 還包括一個(gè)限壓器件，其具有一個(gè)控制端和兩個(gè)連接端，其控制端連接一條控制 信號(hào)線，其一個(gè)連接端連接反熔絲器件4和第一M0S管1的連接點(diǎn)，另一個(gè)連接端連接第二 M0S管2的柵端。
[0035] 所述限壓器件為第三M0S管3。
[0036] 第一 M0S管1的第一連接端為漏端，第二連接端為源端；
[0037] 第二M0S管2的第一連接端為漏端，第二連接端為源端；
[0038] 第三M0S管3的第一連接端為漏端，第二連接端為源端。
[0039] 所述第一 M0S管1、第二M0S管2、第三M0S管3皆為NM0S管，或者皆為PM0S管。
[0040]本實(shí)施方式采用對(duì)稱型的M0S管，源極和漏極可以互換，本文中的連接端是指源極 或者漏極，控制端為柵極。
[0041] 本發(fā)明的第三M0S管處于常開狀態(tài)，在編程時(shí)需要在柵端提供一個(gè)合適的電壓就 能限制第二M0S管柵端電壓，
[0042] 圖4所示的存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)，由圖3所示本發(fā)明實(shí)施例1的存儲(chǔ)器單元構(gòu)成。
[0043] 圖4中，單元A編程和讀取的電壓表，如表二所列：
[0044]
[0045] 表二
[0046] 如表二，當(dāng)單元B是已編程的單元，在編程單元A時(shí)，單元B中的第三M0S管用來保護(hù) 單元B的第二M0S管。進(jìn)一步的解釋是:如果單元B是已編程單元，反熔絲器件成導(dǎo)通狀態(tài)，在 編程單元A時(shí)，單元B中第二M0S管的各點(diǎn)工作狀態(tài)為，柵端2V電壓，源端和漏端為2.5V電壓， 相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)(如【背景技術(shù)】部分所例舉的5.2V)，大大降低了第二M0S管柵氧上的電壓應(yīng) 力，使其在編程時(shí)不受高壓影響。
[0047] 實(shí)施例2:參見圖5。
[0048]本實(shí)施例與實(shí)施例1的區(qū)別在于，本實(shí)施例系以PM0S管實(shí)現(xiàn)。具體的存儲(chǔ)器陣列結(jié) 構(gòu)如圖5，當(dāng)其中單元A編程和讀取時(shí)，電壓表如表三。

【主權(quán)項(xiàng)】
1. 高可靠低讀電壓一次性編程存儲(chǔ)器，包括第一MOS管（1)、第二MOS管（2)、反熔絲元件 (4)； 第一 M0S管（1)的柵端接第二連接線(WS)，其第一連接端通過反熔絲元件(4)連接第一 連接線(WP)，第二連接端接第三連接線(BL); 第二M0S管(2)的第一連接端接第四連接線(BR)，第二連接端接第三連接線(BL); 其特征在于，還包括一個(gè)限壓器件，其具有一個(gè)控制端和兩個(gè)連接端，其控制端連接一 條控制信號(hào)線，其一個(gè)連接端連接反熔絲器件(4)和第一 M0S管（1)的連接點(diǎn)，另一個(gè)連接端 連接第二M0S管(2)的柵端。2. 如權(quán)利要求1所述的高可靠低讀電壓一次性編程存儲(chǔ)器，其特征在于，所述限壓器件 為第三M0S管(3)。3. 如權(quán)利要求2所述的高可靠低讀電壓一次性編程存儲(chǔ)器，其特征在于， 第一 M0S管（1)的第一連接端為漏端，第二連接端為源端； 第二M0S管(2)的第一連接端為漏端，第二連接端為源端； 第三M0S管(3)的第一連接端為漏端，第二連接端為源端。4. 如權(quán)利要求2所述的高可靠低讀電壓一次性編程存儲(chǔ)器，其特征在于，所述第一 M0S 管（1)、第二M0S管(2)、第三M0S管(3)皆為NM0S管，或者皆為PM0S管。5. 如權(quán)利要求2所述的高可靠低讀電壓一次性編程存儲(chǔ)器，其特征在于，所述第一 M0S 管（1)、第二M0S管(2)、第三M0S管(3)皆為對(duì)稱型M0S管。
【文檔編號(hào)】G11C17/16GK106024064SQ201610316964
【公開日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年5月13日
【發(fā)明人】廖旭陽(yáng), 毛軍華, 彭澤忠
【申請(qǐng)人】四川凱路威電子有限公司