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      在多芯片封裝中使用溫度偏差來(lái)控制操作的方法和器件的制作方法

      文檔序號(hào):10688597閱讀:618來(lái)源:國(guó)知局
      在多芯片封裝中使用溫度偏差來(lái)控制操作的方法和器件的制作方法
      【專(zhuān)利摘要】提供了一種多芯片封裝,包括具有溫度傳感器的第一裸片和第二裸片。第一裸片基于由溫度傳感器產(chǎn)生的n比特的溫度信息來(lái)產(chǎn)生m(m<n)比特的溫度偏差信息。第一裸片提供m比特的溫度偏差信息,而不是n比特的溫度信息給第二裸片。第二裸片的內(nèi)部操作使用由第一裸片輸出的溫度偏差信息來(lái)控制。
      【專(zhuān)利說(shuō)明】在多芯片封裝中使用溫度偏差來(lái)控制操作的方法和器件
      [0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
      [0002]本申請(qǐng)要求于2015年4月8日提交到韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)N0.10-2015-0049952的利益,其公開(kāi)的內(nèi)容在此通過(guò)引用以其整體并入本文。
      技術(shù)領(lǐng)域
      [0003]本發(fā)明的概念涉及半導(dǎo)體器件。更具體地,本發(fā)明的概念涉及諸如,DRAM的、具有依賴(lài)于溫度的操作特征的半導(dǎo)體器件,并且涉及包括第一裸片和第二裸片的多芯片半導(dǎo)體器件封裝,用于根據(jù)環(huán)境的溫度來(lái)控制第一裸片的操作。
      【背景技術(shù)】
      [0004]在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)中,通過(guò)在單元電容器中存儲(chǔ)電荷,數(shù)據(jù)被寫(xiě)入,即,執(zhí)行寫(xiě)操作。然而,由于單元電容器的漏電流,在沒(méi)有任何讀或?qū)懖僮鞅粓?zhí)行的情況下,存儲(chǔ)在DRAM的電容器中的電荷隨著時(shí)間的經(jīng)過(guò)耗散。DRAM的漏電流具有溫度依賴(lài)性,其中,當(dāng)DRAM處于相對(duì)低的溫度時(shí),DRAM的漏電流的量相對(duì)小,并且當(dāng)DRAM處于高溫時(shí),其相反地相對(duì)大。在由于漏電流而導(dǎo)致單元電容器的電荷消耗之前,DRAM執(zhí)行刷新操作以感測(cè)和重新寫(xiě)入數(shù)據(jù)。因此,可以控ffjijDRAM的刷新操作,使得當(dāng)DRAM處于低溫時(shí),其刷新周期相對(duì)較長(zhǎng),并且DRAM處于高溫下時(shí),其相對(duì)較短。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0005]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一個(gè)方面,提供了一種多芯片封裝,包括:第一裸片,其具有感測(cè)在第一溫度傳感器所處的區(qū)域處的溫度,并且將所感測(cè)的溫度輸出作為η比特的第一溫度信息的第一溫度傳感器,以及至少一個(gè)第二裸片,其與第一裸片一起封裝,并且在其中第一裸片被配置為基于第一溫度信息來(lái)產(chǎn)生m比特的第一溫度偏差信息,并且其中,m小于η,并且η是大于或者等于2的自然數(shù),并且每個(gè)第二裸片被操作地連接到第一裸片,以接收由第一裸片產(chǎn)生的第一溫度偏差信息,并且其被配置為執(zhí)行內(nèi)部操作,并且基于第一溫度偏差信息來(lái)控制內(nèi)部操作。
      [0006]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個(gè)方面,提供了一種存儲(chǔ)器器件,包括:第一裸片,其包括被配置為感測(cè)溫度狀態(tài)的第一溫度傳感器,將所感測(cè)的溫度狀態(tài)輸出作為η比特的第一溫度信息,以及基于η比特的第一溫度信息來(lái)提供m比特的溫度特征信息,111比特小于η比特;以及至少一個(gè)第二裸片,其包括第一存儲(chǔ)器單元陣列,不包括在對(duì)應(yīng)于第一溫度傳感器的位置處的溫度傳感器,接收第一裸片的溫度特征信息,并且基于溫度特征信息來(lái)控制第二裸片的內(nèi)部操作。
      [0007]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個(gè)方面,提供了一種存儲(chǔ)器器件,包括:第一裸片,其具有襯底、跨過(guò)襯底排列,并且在其所在處感測(cè)襯底的區(qū)域的溫度并且分別輸出所感測(cè)的溫度的信息的第一溫度傳感器、以及計(jì)算器,其操作地連接到溫度傳感器以接收由溫度傳感器所輸出的信息并且被配置為基于由溫度傳感器所輸出的信息來(lái)產(chǎn)生第一溫度信息;以及第二裸片,其與第一裸片封裝,并且具有操作地連接到第一裸片的計(jì)算器的操作控制器,以及執(zhí)行依賴(lài)于溫度的內(nèi)部操作的電路,該電路被操作地連接到操作控制器,并且其中,操作控制器被配置為基于第一裸片所產(chǎn)生的第一溫度信息來(lái)控制第二裸片的內(nèi)部操作的至少一個(gè)參數(shù)。
      [0008]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個(gè)方面,提供了一種存儲(chǔ)器器件,包括:第一裸片,其具有襯底、跨過(guò)襯底排列,并且在其所在處感測(cè)襯底的區(qū)域的溫度并且分別輸出所感測(cè)的溫度的信息的第一溫度傳感器、以及計(jì)算器,其操作地連接到溫度傳感器以接收由溫度傳感器所輸出的信息并且被配置為基于由溫度傳感器所輸出的信息來(lái)產(chǎn)生第一溫度信息,以及與第一裸片封裝并且與其電連接的第二裸片的堆棧,在其中,每個(gè)第二裸片具有操作控制器,以及執(zhí)行依賴(lài)于溫度的操作的電路,該電路被操作地連接到操作控制器,并且其中,操作控制器被配置為基于第一裸片所產(chǎn)生的第一溫度信息來(lái)控制由第二裸片的電路執(zhí)行的操作的至少一個(gè)參數(shù)。
      【附圖說(shuō)明】
      [0009]結(jié)合附圖,從本發(fā)明的示例的以下詳細(xì)描述中,本發(fā)明的概念將被更清楚地理解,在附圖中:
      [0010]圖1是根據(jù)本發(fā)明的概念的,包括存儲(chǔ)器器件的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的框圖;
      [0011]圖2是說(shuō)明圖1的存儲(chǔ)器器件的操作的流程圖;
      [0012]圖3是根據(jù)本發(fā)明概念的多芯片封裝的第一示例的示意形式的透視圖;
      [0013]圖4是根據(jù)本發(fā)明概念的多芯片封裝的第二示例的示意形式的透視圖;
      [0014]圖5是圖1的存儲(chǔ)器器件的第一裸片的一部分的框圖;
      [0015]圖6是圖1的存儲(chǔ)器器件的第二裸片的一部分的框圖;
      [0016]圖7是根據(jù)本發(fā)明概念的多芯片封裝的第三示例的示意形式的透視圖;
      [0017]圖8是根據(jù)本發(fā)明概念的多芯片封裝的第四示例的示意形式的透視圖;
      [0018]圖9是圖7和8的多芯片封裝的第一裸片的一部分的框圖;
      [0019]圖10是根據(jù)本發(fā)明概念的多芯片封裝的第五示例的示意形式的透視圖;
      [0020]圖11是根據(jù)本發(fā)明概念的多芯片封裝的第六示例的示意形式的透視圖;
      [0021]圖12是根據(jù)本發(fā)明概念的多芯片封裝的第七示例的示意形式的透視圖;
      [0022]圖13是根據(jù)本發(fā)明概念的多芯片封裝的第八示例的示意形式的透視圖;
      [0023]圖14是根據(jù)本發(fā)明概念的多芯片封裝的第九示例的示意形式的透視圖;
      [0024]圖15是根據(jù)本發(fā)明概念的多芯片封裝的第十示例的示意形式的透視圖;
      [0025]圖16是圖15的多芯片封裝的第一裸片的一部分的框圖;
      [0026]圖17是根據(jù)本發(fā)明概念的多芯片封裝的第十一示例的示意形式的透視圖;
      [0027]圖18是根據(jù)本發(fā)明概念的多芯片封裝的一個(gè)版本的示意形式的剖視圖;
      [0028]圖19是根據(jù)本發(fā)明概念的多芯片封裝的另一版本的示意形式的剖視圖;
      [0029]圖20是根據(jù)本發(fā)明的概念的存儲(chǔ)器器件的框圖;
      [0030]圖21是根據(jù)本發(fā)明的概念的向其應(yīng)用存儲(chǔ)器器件的移動(dòng)系統(tǒng)的框圖;以及
      [0031]圖22是根據(jù)本發(fā)明的概念的向其應(yīng)用存儲(chǔ)器器件的計(jì)算系統(tǒng)的框圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0032]在下文中,將參考所附附圖來(lái)更全面地描述本發(fā)明的概念,在附圖中示出了本發(fā)明構(gòu)思的示例。附圖中相同的參考標(biāo)號(hào)表示相同的元件,并且重疊特征的重復(fù)說(shuō)明將不給出。當(dāng)在元件列表之后跟有諸如“中的至少一個(gè)”的表述時(shí),其修飾整個(gè)列表,而不是修飾列表中的單個(gè)元件。如本文中所使用的,術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)所列的項(xiàng)目的任意組合和所有組合。但是,這些本發(fā)明的概念可以以不同的形式來(lái)例示,并且其不應(yīng)該被理解為受限于這里闡述的示例。相反,提供這些示例使得本公開(kāi)是徹底和完整的,并充分地將本發(fā)明的概念傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。但是應(yīng)當(dāng)理解的是,本發(fā)明概念的示例將覆蓋落入本發(fā)明概念的精神和范圍內(nèi)的所有的修改、等價(jià)物和替代。在所附附圖中,為了清晰,結(jié)構(gòu)的尺寸可以被夸大。
      [0033]此處使用的術(shù)語(yǔ)用于描述特定示例,并不旨在進(jìn)行限制。如本文中所使用的,除非上下文清楚地顯示,否則單數(shù)形式“一”、“一個(gè)”和“該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式。將進(jìn)一步理解,在本文中使用時(shí),術(shù)語(yǔ)“包括”和/或“包含”指定所陳述的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在,但不排除存在或添加一個(gè)或多個(gè)其它特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或其組合。
      [0034]除非另外定義,這里使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有作為本發(fā)明構(gòu)思所屬的領(lǐng)域中通常理解的相同含義。應(yīng)當(dāng)進(jìn)一步理解的是,術(shù)語(yǔ),例如在常用字典中定義的那些術(shù)語(yǔ)應(yīng)當(dāng)被解釋為具有與它們?cè)谙嚓P(guān)領(lǐng)域的上下文中的含義一致的含義,并且不應(yīng)該以理想化或過(guò)于正式的意義來(lái)解釋?zhuān)窃诖嗣鞔_聲明。
      [0035]本發(fā)明的概念將使用DRAM作為執(zhí)行具有依賴(lài)于溫度的特征的操作,并且從根據(jù)其環(huán)境的溫度而被控制中獲益的半導(dǎo)體器件的示例。
      [0036]高容量的DRAM可以實(shí)現(xiàn)為多芯片封裝,其包括多個(gè)存儲(chǔ)器裸片(或多個(gè)存儲(chǔ)器層)。存儲(chǔ)器裸片可以在封裝中堆疊。DRAM還可以包括邏輯裸片,其電連接至堆疊的存儲(chǔ)器裸片。邏輯裸片可從存儲(chǔ)器控制器接收命令、地址、時(shí)鐘信號(hào)和數(shù)據(jù),并且可以提供信號(hào)分布功能,其提供所接收的命令、地址、時(shí)鐘和數(shù)據(jù)到存儲(chǔ)器裸片。邏輯裸片緩沖所有命令、地址、時(shí)鐘信號(hào)和數(shù)據(jù)。因此,邏輯裸片可以操作為存儲(chǔ)器控制器和存儲(chǔ)器芯片之間的存儲(chǔ)器緩沖器。邏輯裸片與存儲(chǔ)器裸片可以經(jīng)由硅通孔(TSV)或引線(xiàn)鍵合(wire bond)來(lái)交換信號(hào)。
      [0037]DRAM的溫度可以由于邏輯裸片以及存儲(chǔ)器裸片的操作而產(chǎn)生的熱而增加。DRAM可針對(duì)每一存儲(chǔ)器裸片來(lái)執(zhí)行刷新操作。為效率的問(wèn)題,即,最大化DRAM的操作速度,基于DRAM的溫度來(lái)控制刷新操作。特別地,每個(gè)存儲(chǔ)器裸片的刷新操作通常根據(jù)其他的存儲(chǔ)器裸片或邏輯裸片的溫度的信息而被控制。然而,需要相對(duì)大量的布線(xiàn),用于在裸片之間傳送該溫度信息。在多芯片封裝中可用空間的缺乏可能使得難以提供如此大量的布線(xiàn)。
      [0038]圖1示出根據(jù)本發(fā)明的概念的存儲(chǔ)器系統(tǒng)10,其可以以DRAM的形式來(lái)實(shí)現(xiàn)。如將要在后面更詳細(xì)地,根據(jù)本發(fā)明的概念,這樣的存儲(chǔ)器系統(tǒng),例如,使用最小量的溫度信息來(lái)進(jìn)行操作的DRAM可以被實(shí)現(xiàn),以使得在整個(gè)存儲(chǔ)器系統(tǒng)中,傳輸該溫度信息所需的布線(xiàn)數(shù)量也被最小化。
      [0039]現(xiàn)在參考圖1,雖然,存儲(chǔ)器系統(tǒng)10包括存儲(chǔ)器控制器20和存儲(chǔ)器器件100。存儲(chǔ)器系統(tǒng)10可分配作為命令和數(shù)據(jù)的組合的程序代碼到存儲(chǔ)器器件100,以用于通過(guò)處理器執(zhí)行應(yīng)用程序。存儲(chǔ)器控制器20可在處理器中提供,或者可以被實(shí)現(xiàn)與處理器分開(kāi),并連接到處理器的芯片。存儲(chǔ)器控制器20可支持用于訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器器件100的讀和/或?qū)懘鎯?chǔ)器事務(wù)。
      [0040]存儲(chǔ)器控制器20可以通過(guò)除了處理器之外的形成存儲(chǔ)器系統(tǒng)10的其他芯片組來(lái)執(zhí)行存儲(chǔ)器事務(wù)。例如,當(dāng)系統(tǒng)構(gòu)成計(jì)算設(shè)備時(shí),芯片組可以是一個(gè)或多個(gè)集成電路(IC)封裝或芯片,其將諸如,基本輸入/輸出系統(tǒng)(BI OS)固件、鍵盤(pán)、鼠標(biāo)、存儲(chǔ)器件、網(wǎng)絡(luò)接口、電源管理集成電路(PMIC)等的組件連接到處理器。
      [0041]存儲(chǔ)器控制器20可以經(jīng)由總線(xiàn)30而連接到存儲(chǔ)器器件100。從存儲(chǔ)器控制器20輸出的命令CMD、地址ADDR、時(shí)鐘CLK、和數(shù)據(jù)DQ可以經(jīng)由總線(xiàn)30傳輸?shù)酱鎯?chǔ)器器件100。在總線(xiàn)30中,命令總線(xiàn)和地址總線(xiàn)可以被實(shí)現(xiàn)為一條線(xiàn),以便命令CMD和地址ADDR可以是時(shí)間順序地傳輸。響應(yīng)于存儲(chǔ)器控制器20的CMD命令,在存儲(chǔ)器器件100中輸出的數(shù)據(jù)DQ可以經(jīng)由總線(xiàn)30被傳輸?shù)酱鎯?chǔ)器控制器20。
      [0042]存儲(chǔ)器器件100可以是包括第一裸片110和第二裸片120的多芯片封裝。第一裸片110可從控制器20接收命令CMD、地址ADDR、時(shí)鐘信號(hào)CLK、和數(shù)據(jù)DQ,并且可以提供接收到的命令CMD、地址ADDR、時(shí)鐘信號(hào)CLK、和數(shù)據(jù)DQ到第二裸片120。第一裸片110可操作為緩沖命令CMD、地址ADDR、時(shí)鐘信號(hào)CLK、和數(shù)據(jù)DQ,并且傳輸緩沖的命令CMD、地址ADDR、時(shí)鐘信號(hào)CLK、和數(shù)據(jù)DQ到第二裸片120的存儲(chǔ)器緩沖器。第一裸片110可因此被稱(chēng)為邏輯裸片,第二裸片120可因此被稱(chēng)為存儲(chǔ)器裸片。
      [0043]第一裸片110可包括占據(jù)裸片的相應(yīng)區(qū)域的至少兩個(gè)溫度傳感器,以用于計(jì)算溫度偏差信息D_TEMP(在下面更詳細(xì)描述)。例如,第一裸片110可以包括占據(jù)裸片的相應(yīng)區(qū)域的溫度傳感器111到115。第一溫度傳感器111可以占據(jù)第一裸片110的左上區(qū)域,第二溫度傳感器112可以占據(jù)第一裸片110的左下區(qū)域,第三溫度傳感器113可以占據(jù)第一裸片110的右上區(qū)域,第四溫度傳感器114可以占據(jù)第一裸片110的右下區(qū)域,并且第五溫度傳感器115可以占據(jù)第一裸片110的中心,如在平面圖中所示。
      [0044]溫度傳感器111到115在其相應(yīng)區(qū)域中各自感測(cè)溫度,并且可以將所感測(cè)的溫度分別作為溫度信息TEMPI到TEMP5輸出。溫度信息TEMPI到TEMP5可能包括代表檢測(cè)到的溫度狀態(tài)的η比特。
      [0045]第一裸片110可包括配置為計(jì)算由溫度傳感器111到115產(chǎn)生的溫度信息TEMPI到TEMP5之間的溫度差的溫度偏差計(jì)算器116。溫度偏差計(jì)算器116可以接收溫度傳感器111到115的溫度信息TEMPI到TEMP5,使用溫度信息TEMPI到TEMP5的多個(gè)值中的一個(gè)來(lái)計(jì)算溫度差,并將計(jì)算結(jié)果輸出作為溫度偏差信息D_TEMP。
      [0046]例如,溫度偏差計(jì)算器116被配置為從溫度信息TEMPI到TEMP5中選擇最高溫度和最低溫度,計(jì)算所選擇的最高溫度和所選擇的最低溫度之間的溫度差,并且將計(jì)算結(jié)果輸出為溫度偏差信息D_TEMP。在另一個(gè)例子中,溫度偏差計(jì)算器116被配置為從溫度信息TEMPI到TEMP5中選擇最高溫度,計(jì)算最高溫度和參考溫度之間的差,并將計(jì)算結(jié)果輸出為溫度偏差信息D_TEMP。根據(jù)又一示例中,溫度偏差計(jì)算器116被配置為從溫度信息TEMPI到TEMP5中選擇最低溫度,計(jì)算最低溫度和參考溫度之間的差,和將計(jì)算結(jié)果輸出為溫度偏差信息D_TEMP。另外,溫度偏差計(jì)算器116可以將溫度環(huán)境變量(S卩,系數(shù)或常數(shù))應(yīng)用到使用溫度信息TEMPI到TEMP5的一個(gè)或多個(gè)值而計(jì)算出的溫度差。在這種情況下,溫度偏差信息D_TEMP反映溫度環(huán)境變量。
      [0047]在其中溫度偏差計(jì)算器116使用參考溫度的上述示例中,參考溫度可被存儲(chǔ)在第一裸片100中的寄存器等中,來(lái)作為預(yù)先提供的值,或者可以由存儲(chǔ)器控制器20實(shí)時(shí)地提供。另外,參考溫度可使用由溫度傳感器111到115測(cè)量的溫度,經(jīng)由第一裸片110或第二裸片120來(lái)計(jì)算。在這種情況下,參考溫度可以是所測(cè)量的溫度的平均值。
      [0048]在任何情況下,由溫度偏差計(jì)算器116輸出的溫度偏差信息D_TEMP可以由m(m〈n)比特的信息來(lái)組成。m比特的溫度偏差信息D_TEMP可以是具有在η比特的溫度信息TEMPI至TEMP5中的最低值的那些比特。在實(shí)踐中,溫度傳感器111至115的溫度信息TEMPI到TEMP5之間的偏差可以加或減5 °C。因此,例如,當(dāng)溫度信息TEMPI到TEMP5由8比特來(lái)組成時(shí),溫度偏差信息D_TEMP可以是具有最低值的溫度信息TEMPI到TEMP5的3比特??商娲?,溫度偏差信息D_TEMP可以是其值是利用溫度信息TEMPI到TEMP5的計(jì)算結(jié)果的8比特中具有最低值的3比特。在任何情況下,溫度偏差計(jì)算器116可以輸出m比特的溫度偏差信息D_TEMP,該m比特小于溫度信息TEMPI到TEMP5的η比特,并且將輸出的溫度偏差信息D_TEMP提供給第二裸片120。
      [0049]第二裸片120可以包括任何不同類(lèi)型的存儲(chǔ)器,其經(jīng)由存儲(chǔ)器控制器20來(lái)提供向和/或從其讀取和/或?qū)懭霐?shù)據(jù)的可尋址存儲(chǔ)位置。第二裸片120可以包括,例如,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)器件、同步DRAM( SDRAM)器件、雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR) SDRAM器件或類(lèi)似物。
      [0050]在圖示的示例中,第二裸片120包括存儲(chǔ)器單元陣列121和操作控制器122。存儲(chǔ)器單元陣列121可包括排列成行和列的多個(gè)存儲(chǔ)器單元。每個(gè)存儲(chǔ)器單元可以具有一個(gè)存取晶體管和一個(gè)存儲(chǔ)電容器。存儲(chǔ)器單元可以被布置為使得每個(gè)存儲(chǔ)器單元位于字線(xiàn)和位線(xiàn)矩陣的交叉點(diǎn)。從存儲(chǔ)器控制器20提供的數(shù)據(jù)可以被寫(xiě)入存儲(chǔ)器單元陣列121的存儲(chǔ)器單
      J L ο
      [0051 ] 在一個(gè)示例中,存儲(chǔ)器單元陣列121是三維(3D)存儲(chǔ)器陣列。三維存儲(chǔ)器陣列可以包括分別處于幾個(gè)級(jí)(level)的電路,其中,每個(gè)電路被布置在襯底的有源區(qū)上或者在其中。三維存儲(chǔ)器陣列是單片的,這意味著陣列中的電路的級(jí)直接堆疊在彼此之上。在這方面,可以參考美國(guó)專(zhuān)利N0.7679133、N0.8553466、N0.8654587、和N0.8559235,以及美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)N0.2011/0233648,其公開(kāi)了可使用來(lái)提供存儲(chǔ)器單元陣列121的類(lèi)型的三維存儲(chǔ)器陣列。
      [0052]第二裸片120的操作控制器122可通過(guò)使用由所述第一裸片110提供的溫度偏差信息D_TEMP,來(lái)控制第二裸片120的功能、特征、和模式。操作控制器122可以基于溫度偏差信息D_TEMP,來(lái)控制從由第二裸片120的刷新操作、DC電平、以及AC定時(shí)所組成的組中選擇的至少一個(gè)“操作特征”。
      [0053]圖2是說(shuō)明圖1的存儲(chǔ)器器件100的操作的流程圖。
      [0054]共同參照?qǐng)D1和2,在操作S210中,存儲(chǔ)器器件100可以從第一裸片110的溫度傳感器111到115中的每個(gè)中收集η比特的溫度信息TEMPI到ΤΕΜΡ5。
      [0055]在第一裸片110中,溫度傳感器111到115的溫度信息TEMPI到ΤΕΜΡ5可以被提供到溫度偏差計(jì)算器116。在操作S220中,基于溫度信息TEMPI到TEMP5,m(m〈n)比特的溫度偏差信息D_TEMP可以經(jīng)由溫度偏差計(jì)算器116來(lái)計(jì)算。例如,如在前面已經(jīng)詳細(xì)描述地,從溫度信息TEMPI到TEMP5中的最高溫度和最低溫度之間的差可以被計(jì)算作為溫度偏差信息0_TEMP??商娲?,溫度偏差信息D_TEMP可以被計(jì)算為最高溫度和參考溫度之間的差。根據(jù)又一示例,溫度偏差信息D_TEMP可以計(jì)算為最低溫度和參考溫度之間的差。此外,此步驟可以包括將溫度環(huán)境變量(TEV)應(yīng)用到使用溫度信息TEMPI到TEMP5而計(jì)算出的溫度差。例如,溫度環(huán)境變量TEV是基于多芯片封裝的結(jié)構(gòu)特征的常數(shù)或系數(shù)。例如,溫度環(huán)境變量TEV可以包括依賴(lài)于堆疊在多芯片封裝中的裸片之間的物理距離的傳熱系數(shù)。
      [0056]第一裸片110的溫度偏差信息D_TEMP可以被提供到第二裸片120。第二裸片120可以將溫度偏差信息D_TEMP傳送給操作控制器122,并且操作控制器122可以根據(jù)溫度偏差信息D_TEMP來(lái)控制第二裸片120的功能、特征、和模式。
      [0057]在第二裸片120中,在操作S231中,操作控制器122可以根據(jù)溫度偏差信息D_TEMP控制刷新操作。因此,第二裸片120可以根據(jù)由溫度偏差信息D_TEMP指示的溫度差值,控制第二裸片120的刷新特征。例如,當(dāng)溫度差值大時(shí),則刷新周期可被設(shè)置得較短,而當(dāng)溫度差值小時(shí),刷新周期可被設(shè)置得較長(zhǎng)。
      [0058]在第二裸片120中,在操作S232中,操作控制器122可以根據(jù)溫度偏差信息D_TEMP控制DC電平。第二裸片120可以根據(jù)溫度偏差信息D_TEMP,來(lái)設(shè)置第二裸片120的DC參數(shù),包括操作電壓范圍、參考電壓電平、輸出驅(qū)動(dòng)器的強(qiáng)度、寫(xiě)均衡(write leveling)、以及讀均衡(read leveling)。
      [0059]在第二裸片120中,在操作S233中,操作控制器122可以根據(jù)溫度偏差信息D_TEMP來(lái)控制AC定時(shí)。第二裸片120根據(jù)溫度偏差信息D_TEMP來(lái)設(shè)置第二裸片120的AC參數(shù),包括時(shí)鐘延時(shí)、命令延時(shí)、信號(hào)傳送延時(shí)、以及定時(shí)延遲。
      [0060]現(xiàn)在將參考3-17來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明概念的多芯片封裝形式的存儲(chǔ)器器件的示例。圖3、4和7-14分別示出了存儲(chǔ)器器件100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100hdP10i,其存儲(chǔ)器裸片不包含自己的溫度傳感器。另一方面,圖15-17分別示出了存儲(chǔ)器器件I 1j、10k和1001,其存儲(chǔ)器裸片包括自己的溫度傳感器。
      [0061]現(xiàn)在參考圖3,存儲(chǔ)器器件10a可以是具有在其中第一裸片110和第二裸片120被垂直堆疊的結(jié)構(gòu)的多芯片封裝。存儲(chǔ)器器件10a的第一裸片110可以是邏輯裸片,并且第二裸片120可以是存儲(chǔ)器裸片。存儲(chǔ)器器件10a的第一裸片110可以包括溫度傳感器111和112以及溫度偏差計(jì)算器116。溫度傳感器111和112可以生成對(duì)應(yīng)于感測(cè)到的溫度狀態(tài)的溫度信息 ??ΜΡ1 和 ??ΜΡ2。
      [0062]第一裸片110已經(jīng)被示出和描述為僅具有兩個(gè)溫度傳感器111和112。然而,這僅僅是為了便于說(shuō)明。也就是說(shuō),第一裸片110可具有兩個(gè)或更多個(gè)溫度傳感器。例如,第一裸片110可如圖1所示地具有5個(gè)溫度傳感器111到115。
      [0063]溫度偏差計(jì)算器116可以接收溫度傳感器111和112的溫度信息TEMPI和TEMP2,并且將溫度信息TEMPI和TEMP2之前的溫度差輸出作為溫度偏差信息D_TEMP。溫度偏差計(jì)算器116可以根據(jù)n比特的溫度信息TEMPl和TEMP2來(lái)輸出m(m〈n)比特的溫度偏差信息D_TEMP。
      [0064]溫度偏差信息D_TEMP可以經(jīng)由包括m個(gè)硅通孔(TSV)310的信號(hào)路徑而被提供到第二裸片WO13TSV 310可以通過(guò)被連接到第一裸片110和第二裸片120的導(dǎo)電線(xiàn)312和322和導(dǎo)電焊盤(pán)314和324來(lái)提供電連接。
      [0065]第二裸片120接收第一裸片110的溫度偏差信息D_TEMP。第二裸片120的操作控制器122可以根據(jù)溫度偏差信息D_TEMP控制第二裸片120的操作。例如,操作控制器122可以根據(jù)溫度偏差信息D_TEMP控制第二裸片120的刷新操作、DC電平、和/或AC定時(shí)。
      [0066]參照?qǐng)D4,存儲(chǔ)器器件10b是具有在其中第一裸片110和第二裸片120被水平地安裝在基礎(chǔ)襯底(未示出)上的結(jié)構(gòu)的多芯片封裝。存儲(chǔ)器器件10b類(lèi)似于圖3的存儲(chǔ)器器件10a之處在于,存儲(chǔ)器器件10b的第一裸片110的溫度傳感器111和112產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于所感測(cè)的溫度狀態(tài)的溫度信息TEMPI和TEMP2,并且溫度偏差計(jì)算器116可以計(jì)算溫度信息TEMP I和TEMP2之間的溫度差,并且輸出溫度差來(lái)作為偏差信息D_TEMP。溫度偏差計(jì)算器116可以根據(jù)η比特的溫度信息TEMPI和ΤΕΜΡ2,輸出m(m〈n)比特的溫度偏差信息D_TEMP。
      [0067]溫度偏差信息D_TEMP可以通過(guò)包括m個(gè)有線(xiàn)鍵合410的信號(hào)路徑而被提供到第二裸片120。每一個(gè)有線(xiàn)鍵合410可以通過(guò)被連接到第一裸片110和第二裸片120的導(dǎo)電線(xiàn)412和422和導(dǎo)電焊盤(pán)414和424來(lái)提供電連接。
      [0068]第二裸片120接收第一裸片110的溫度偏差信息D_TEMP。第二裸片120的操作控制器122可以根據(jù)溫度偏差信息D_TEMP控制第二裸片120的操作。例如,操作控制器122可以控制根據(jù)溫度偏差信息D_TEMP,來(lái)控制第二裸片120的刷新操作、DC電平、和/或AC定時(shí)。
      [0069]圖5是圖1的存儲(chǔ)器器件100的第一裸片110的一部分IlOa的框圖。
      [0070]參照?qǐng)D5,第一裸片110可以包括多個(gè)溫度傳感器111至115和溫度偏差計(jì)算器116。溫度傳感器111到115可以感測(cè)在溫度傳感器111到115被設(shè)置的區(qū)域處的溫度,并且將感測(cè)至IJ的溫度輸出作為溫度信息TEMPI到TEMP5。溫度信息TEMPI到TEMP5可以被輸出為η比特。
      [0071]溫度偏差計(jì)算器116可以從溫度傳感器111到115接收η比特的溫度信息TEMPI到TEMP5,并且計(jì)算溫度信息TEMPI到TEMP5之間的溫差。溫度偏差計(jì)算器116可以包括:選擇單元501,其響應(yīng)于第一和第二選擇信號(hào)TH和TL,以及計(jì)算器502,其基于選擇單元501的輸出來(lái)輸出溫度偏差信息D_TEMP。
      [0072]響應(yīng)于第一選擇信號(hào)TH,選擇單元501可以從溫度信息TEMPI到TEMP5中選擇最高溫度,并且將所選擇的最高溫度輸出到計(jì)算器502。響應(yīng)于第二選擇信號(hào)TL,選擇單元501可以從溫度TEMPI到TEMP5中選擇最低溫度,并且將選擇的最低溫度輸出到計(jì)算器502。計(jì)算器502可以計(jì)算在最高溫度和最低溫度之間的差,并且因此將溫度差輸出作為m(m〈n)比特的溫度偏差信息D_TEMP。
      [0073]圖6是圖1的存儲(chǔ)器器件100的第二裸片120的一部分的框圖。
      [0074]參照?qǐng)D6,第二裸片120可包括從圖1的存儲(chǔ)器器件100的第一裸片110接收溫度偏差信息D_TEMP的操作控制器122。操作控制器122可以包括根據(jù)溫度偏差信息D_TEMP,用于控制第二裸片120的操作的刷新控制電路601、電平控制電路602、和定時(shí)控制電路603。
      [0075]刷新控制電路601可以根據(jù)由所述溫度偏差信息D_TEMP表示的溫度差值來(lái)設(shè)置第二裸片120的刷新特征。例如,由于最高溫度較大而導(dǎo)致溫度差值較大時(shí),環(huán)境可以被認(rèn)為處于高溫。在這種情況下,刷新周期可被設(shè)置為相對(duì)較短。另一方面,因?yàn)樽罡邷囟认鄬?duì)較低,即使最高溫度再次被用于計(jì)算溫度差,當(dāng)溫度差小時(shí),環(huán)境可以被認(rèn)為處于低溫。在任何情況下,當(dāng)溫度差值小時(shí),刷新周期可被設(shè)置得較長(zhǎng)。
      [0076]電平控制電路602可根據(jù)溫度偏差信息D_TEMP,設(shè)置一個(gè)或多個(gè)DC參數(shù)特征,諸如第二裸片120的操作電壓范圍、參考電壓電平、輸出驅(qū)動(dòng)器的強(qiáng)度、寫(xiě)均衡(writeleveling)、讀均衡(read leveling)中的一個(gè)或者多個(gè)。操作電壓范圍和參考電壓電平可以根據(jù)溫度偏差信息D_TEMP進(jìn)行設(shè)置。輸出驅(qū)動(dòng)器的強(qiáng)度可以被提供來(lái)作為輸出緩沖器的使能或禁止功能??梢蕴峁?xiě)均衡和讀均衡,以補(bǔ)償時(shí)鐘和數(shù)據(jù)選通之間的歪斜(skew)。
      [0077]定時(shí)控制電路603可以根據(jù)溫度偏差信息D_TEMP來(lái)設(shè)置一個(gè)或多個(gè)AC參數(shù)特征,諸如,時(shí)鐘延時(shí)、命令延時(shí)、信號(hào)傳送延時(shí)、以及定時(shí)延遲的一個(gè)或多個(gè)。根據(jù)溫度偏差信息D_TEMP,時(shí)鐘延時(shí)可以建立在發(fā)出命令后,在其間命令/地址接收器被啟用的時(shí)鐘周期。命令延時(shí)可以建立在內(nèi)部命令和有效數(shù)據(jù)的第一比特之間的時(shí)鐘周期延遲。信號(hào)傳送延時(shí)和定時(shí)延遲可以被提供作為根據(jù)溫度偏差信息D_TEMP而設(shè)定的延時(shí)和延遲時(shí)間。
      [0078]下面參見(jiàn)圖7,存儲(chǔ)器器件10c可以是具有在其中第一至第三裸片110至130被垂直堆疊的結(jié)構(gòu)的多芯片封裝。存儲(chǔ)器器件10c與圖3的存儲(chǔ)器器件10a的相似之處在于,存儲(chǔ)器器件10c的第一裸片110可以是邏輯裸片,且在第二和第三裸片120和130可以是存儲(chǔ)器裸片。
      [0079]第一裸片110可以包括溫度傳感器111和112,以及溫度偏差計(jì)算器116a。溫度傳感器111和112可以生成對(duì)應(yīng)于所感測(cè)的溫度的溫度信息TEMPI和TEMP2。溫度偏差計(jì)算器116a可以計(jì)算出由溫度傳感器111和112輸出的溫度信息TEMPI和TEMP2之間的溫度差,并應(yīng)用一個(gè)或多個(gè)溫度環(huán)境變量(TEV)到溫度差上,并輸出結(jié)果作為溫度偏差信息D_TEMP。
      [0080]溫度環(huán)境變量TEV是例如,代表多芯片封裝的結(jié)構(gòu)特征的常數(shù)或系數(shù)。因此,溫度環(huán)境變量TEV可以是把多芯片封裝中堆疊的裸片之間的物理距離考慮進(jìn)來(lái)的傳熱系數(shù)。溫度偏差計(jì)算器116a可以基于η比特的溫度信息TEMPI和TEMP2來(lái)計(jì)算并輸出k(k〈m)比特的溫度偏差信息D_TEMP ο溫度偏差信息D_TEMP可以經(jīng)由包括k個(gè)TSV 710和720的信號(hào)路徑,被提供到第二和第三裸片120和130。
      [0081]第二裸片120可包括操作控制器122,其被配置成接收第一裸片110的溫度偏差信息D_TEMP,和根據(jù)溫度偏差信息D_TEMP控制第二裸片120的操作。操作控制器122可以根據(jù)溫度偏差信息D_TEMP,改變第二裸片120的刷新操作、DC電平、和/或AC定時(shí)。
      [0082]第三裸片130可包括操作控制器132,其被配置成接收第一裸片110的溫度偏差信息D_TEMP,以及根據(jù)溫度偏差信息D_TEMP來(lái)控制第三裸片130的操作。操作控制器132可根據(jù)溫度偏差信息D_TEMP,設(shè)定第三裸片130的刷新操作、DC電平、和/或的AC定時(shí)。
      [0083]參照?qǐng)D8,存儲(chǔ)器器件10d包括第一到第四裸片110至140,其中,第二至第四裸片120到140被堆疊。存儲(chǔ)器器件10d可以是具有在其中第一裸片110和第二至第四裸片120和140的堆疊被水平地排列,S卩,被橫向布置為安裝到基礎(chǔ)襯底(未示出)上的結(jié)構(gòu)的多芯片封裝。存儲(chǔ)器器件10d的第一裸片110可以是邏輯裸片,并且第二至第四裸片120到140可以是存儲(chǔ)器裸片。在本示例中,第二裸片120是第一裸片110和第三裸片130之間的接口裸片。
      [0084]存儲(chǔ)器器件10d與圖7的存儲(chǔ)器器件10c的相似之處在于存儲(chǔ)器器件10d的第一裸片110,溫度傳感器111和112可以生成對(duì)應(yīng)于所感測(cè)溫度的溫度信息TEMPI和TEMP2,并且溫度偏差計(jì)算器116a可以計(jì)算出溫度傳感器111和112的溫度信息TEMPI和TEMP2之間的溫度差,并且輸出溫度偏差信息D_TEMP。在溫度偏差信息D_TEMP的計(jì)算中,溫度偏差計(jì)算器116a可以把一個(gè)或多個(gè)溫度環(huán)境變量TEV考慮進(jìn)來(lái)。溫度偏差計(jì)算器116a可以基于η比特的溫度信息TEMPI和ΤΕΜΡ2來(lái)計(jì)算并輸出k(k〈m)比特的溫度偏差信息D_TEMP。溫度偏差信息D_TEMP可以沿著包含k個(gè)有線(xiàn)鍵合810的信號(hào)路徑被提供到第二裸片120。
      [0085]第二裸片120可以包括操作控制器122,其被配置成接收第一裸片110的溫度偏差信息D_TEMP,并根據(jù)溫度偏差信息D_TEMP設(shè)置第二裸片120的刷新操作、0(:電平、和/或4(:定時(shí)。第二裸片120可經(jīng)由包括TSV 820和830的信號(hào)路徑來(lái)提供第一裸片110的接收的溫度偏差信息D_TEMP到第三和第四裸片130和140。
      [0086]在一個(gè)示例中,第二裸片120的功能只作為接口,第二裸片120可以?xún)H僅執(zhí)行提供信號(hào)到第三裸片130的功能,而不是需要被控制的一些內(nèi)部功能。
      [0087]第三裸片130可以包括操作控制器132,其被配置成接收第一裸片110的溫度偏差信息D_TEMP,并根據(jù)溫度偏差信息D_TEMP設(shè)置第三裸片130的刷新操作、0(:電平、和/或4(:定時(shí)。第四裸片140可以包括操作控制器142,其被配置成接收第一裸片110的溫度偏差信息0_TEMP,并根據(jù)溫度偏差信息D_TEMP設(shè)置第四裸片140的刷新操作、DC電平、和/或AC定時(shí)。
      [0088]圖9是圖7和8的存儲(chǔ)器器件10c和10d的第一裸片110的一部分I1b的框圖。
      [0089]參照?qǐng)D9,第一裸片110可包括多個(gè)溫度傳感器111到115以及溫度偏差計(jì)算器116a。溫度傳感器111到115可以感測(cè)在該溫度傳感器111到115所處的區(qū)域的溫度,并輸出感測(cè)到的溫度來(lái)作為溫度信息TEMPI到TEMP5。溫度信息TEMPI到TEMP5可以作為η比特的信息而輸出。
      [0090]溫度偏差計(jì)算器116a可以從溫度傳感器111到115接收η比特的溫度信息TEMPI到TEMP5,使用溫度信息TEMPI到TEMP5計(jì)算溫度差,將溫度環(huán)境變量TEV考慮進(jìn)計(jì)算的溫度差中,并輸出其結(jié)果作為溫度偏差信息D_TEMP。溫度環(huán)境變量TEV是對(duì)應(yīng)于堆疊在多芯片封裝中的裸片之間的物理距離的傳熱系數(shù),并且一般值小于I。溫度環(huán)境變量TEV的值隨著堆疊裸片之間的距離變大而減小。在一個(gè)示例中,傳熱系數(shù)的平均值被用作溫度環(huán)境變量TEV。
      [0091]溫度偏差計(jì)算器116a可以包括選擇單元901以及第一和第二計(jì)算器902和903。選擇單元901可響應(yīng)于第一和第二選擇信號(hào)TH和TL,通過(guò)第一計(jì)算器902而從溫度信息TEMPI到TEMP5中輸出選定的溫度信息。響應(yīng)于第一選擇信號(hào)TH,選擇單元901可以通過(guò)第一計(jì)算器902,從η比特的溫度信息TEMPI到TEMP5之中選擇最高溫度,并且輸出最高溫度,并響應(yīng)于第二選擇信號(hào)TL,選擇單元901可以通過(guò)第一計(jì)算器902從溫度信息TEMPI到TEMP5之間選擇最低溫度,并且輸出最低溫度。
      [0092]第一計(jì)算器902可以經(jīng)由第二計(jì)算器903,基于選擇單元901的輸出計(jì)算溫度差,并且輸出所計(jì)算的溫度差。第一計(jì)算器902可以從溫度信息TEMPI到TEMP5中計(jì)算在最高溫度和最低溫度之間的差,并且輸出m(m〈n)比特的溫度差。
      [0093]第二計(jì)算器903可以將溫度環(huán)境變量TEV考慮到通過(guò)第一計(jì)算器902輸出的溫度偏差信息D_TEMP中。第二計(jì)算器903可以執(zhí)行將m比特的溫度差乘以溫度環(huán)境變量TEV的計(jì)算,以輸出k(k〈m)比特的溫度偏差信息D_TEMP。溫度偏差信息D_TEMP可以由k比特來(lái)形成,k比特少于溫度信息TEMPI到TEMP5的η比特。
      [0094]現(xiàn)在參考圖10,在多芯片封裝的本示例中,存儲(chǔ)器器件10e具有垂直層疊的第一至第三裸片110到130,與圖7的存儲(chǔ)器器件I OOc類(lèi)似。
      [0095]第一裸片110可以包括溫度傳感器111和112,以及溫度偏差計(jì)算器116a。溫度傳感器111和112可生成溫度信息TEMPI和TEMP2。溫度偏差計(jì)算器116a可以通過(guò)將溫度環(huán)境變量TE V考慮到由溫度傳感器111和112產(chǎn)生的溫度信息TEMPI和TEMP2之間的溫度差中,輸出溫度偏差信息D_TEMP。溫度偏差計(jì)算器116a可以基于η比特的溫度信息TEMPI和TEMP2來(lái)輸出k(k〈m)比特的溫度偏差信息D_TEMP。溫度偏差信息D_TEMP可經(jīng)由k個(gè)TSV710和720而被提供給第二和第三裸片120和130。
      [0096]第二裸片120可以包括溫度補(bǔ)償計(jì)算器1002,其被配置成接收來(lái)自第一裸片110的溫度偏差信息D_TEMP,和操作控制器122,其被配置成根據(jù)溫度補(bǔ)償計(jì)算器1002的輸出來(lái)控制第二裸片120的操作。溫度補(bǔ)償計(jì)算器1002可以輸出通過(guò)將第二裸片120的第一溫度補(bǔ)償系數(shù)TCl考慮到由第一裸片110產(chǎn)生的溫度偏差信息D_TEMP中而產(chǎn)生的溫度補(bǔ)償信息C_TEMPI。第一溫度補(bǔ)償系數(shù)TCl可包括基于第一裸片110和第二裸片120之間的物理距離的傳熱系數(shù),或由于封裝的裸片的結(jié)構(gòu)特征而導(dǎo)致的第一裸片110和第二裸片120之間的固定的溫度差。
      [0097]溫度補(bǔ)償計(jì)算器1002可以輸出溫度補(bǔ)償信息C_TEMP1,其代表比第一裸片110的溫度低預(yù)定量的溫度。例如,溫度補(bǔ)償信息C_TEMP1可以代表比第一裸片110的溫度低4°C的溫度。操作控制器122可根據(jù)溫度補(bǔ)償信息C_TEMP1,來(lái)設(shè)定第二裸片120的刷新操作、DC電平、和/或AC定時(shí)。
      [0098]第三裸片130可以包括溫度補(bǔ)償計(jì)算器1003,其被配置成接收第一裸片110的溫度偏差信息D_TEMP,以及操作控制器132,其被配置為根據(jù)溫度補(bǔ)償計(jì)算器1003的輸出來(lái)控制第三裸片130的操作。溫度補(bǔ)償計(jì)算器1003可以輸出將第三裸片130的第二溫度補(bǔ)償系數(shù)TC2考慮到由第一裸片110產(chǎn)生的溫度偏差信息D_TEMP中的溫度補(bǔ)償信息C_TEMP2。第二溫度補(bǔ)償系數(shù)TC2可包括基于第一裸片110和第三裸片130之間的物理距離的傳熱系數(shù),或由于封裝的裸片的結(jié)構(gòu)特征而導(dǎo)致的第一裸片110和第三裸片30之間的固定的溫度差。
      [0099]溫度補(bǔ)償計(jì)算器1003可以輸出溫度補(bǔ)償信息C_TEMP2,其代表比第一裸片110的溫度低預(yù)定量的溫度。例如,溫度補(bǔ)償計(jì)算器1003可以輸出溫度補(bǔ)償信息C_TEMP2,其代表比第一裸片110的溫度低6°C的溫度。操作控制器132可根據(jù)溫度補(bǔ)償信息C_TEMP2,來(lái)設(shè)定第三裸片130的刷新操作、DC電平、和/或AC定時(shí)。
      [0100]下面參考圖11,根據(jù)本發(fā)明概念的多芯片封裝的存儲(chǔ)器器件10f包括第一到第四裸片110到140,其中,第二到第四裸片120到140被堆疊。存儲(chǔ)器器件10f可以具有在其中第一裸片110,以及堆疊的第二到第四裸片120到140被水平安裝在基礎(chǔ)襯底(未示出)上的結(jié)構(gòu)。
      [0101]存儲(chǔ)器器件10f與圖10的存儲(chǔ)器器件10e的類(lèi)似之處在于,存儲(chǔ)器器件10f的第一裸片110可輸出在溫度傳感器111和112的溫度信息TEMPI和TEMP2之間的溫度差中反映溫度環(huán)境變量TEV的溫度偏差信息D_TEMP。溫度偏差計(jì)算器116a可以基于η比特的溫度信息TEMPI和ΤΕΜΡ2輸出k(k〈m)比特的溫度偏差信息D_TEMP。第一裸片110的溫度偏差信息0_TEMP可以通過(guò)k個(gè)有線(xiàn)鍵合810的信號(hào)路徑而被提供到第二到第四裸片120到140。
      [0102]第二裸片120可以包括溫度補(bǔ)償計(jì)算器1002,其被配置成輸出在第一裸片110的溫度偏差信息D_TEMP中反映第二裸片120的第一溫度補(bǔ)償系數(shù)TCl的第一溫度補(bǔ)償信息C_TEMPI,和操作控制器122,其被配置成根據(jù)第一溫度補(bǔ)償信息C_TEMP1,來(lái)設(shè)定第二裸片120的刷新操作、DC電平、和/或AC定時(shí)。
      [0103]第三裸片130可以包括溫度補(bǔ)償計(jì)算器1003,其被配置成輸出在第一裸片110的溫度偏差信息D_TEMP中反映第三裸片130的第二溫度補(bǔ)償系數(shù)TC2的第二溫度補(bǔ)償信息C_TEMP2,和操作控制器132,其被配置成根據(jù)第二溫度補(bǔ)償信息C_TEMP2,來(lái)設(shè)定第三裸片130的刷新操作、DC電平、和/或AC定時(shí)。
      [0104]第四裸片140可以包括溫度補(bǔ)償計(jì)算器1004,其被配置成輸出在第一裸片110的溫度偏差信息D_TEMP中反映第四裸片140的第三溫度補(bǔ)償系數(shù)TC3的第三溫度補(bǔ)償信息C_TEMP3,和操作控制器142,其被配置成根據(jù)第三溫度補(bǔ)償信息C_TEMP3,來(lái)設(shè)定第四裸片140的刷新操作、DC電平、和/或AC定時(shí)。
      [0105]下面參考圖12,根據(jù)本發(fā)明概念的多芯片封裝的存儲(chǔ)器器件10g可以具有在其中第一至第三裸片110到130被垂直堆疊的結(jié)構(gòu),與圖10的示例相似。
      [0106]第一裸片110、溫度傳感器111和112可生成η比特的溫度信息TEMPI和TEMP2,并且溫度偏差計(jì)算器116可以輸出溫度傳感器111和112的溫度信息TEMPI和TEMP2之間的差,來(lái)作為m(m〈n)比特的溫度偏移信息D_TEMP。溫度偏差信息D_TEMP可以通過(guò)m個(gè)TSV 1210而被提供到第二裸片120。
      [0107]第二裸片120可以包括第一溫度補(bǔ)償計(jì)算器1202,其被配置成基于第一裸片110的溫度偏差信息D_TEMP來(lái)生成第一溫度補(bǔ)償信息C_TEMP1,以及操作控制器122,其被配置成根據(jù)第一溫度補(bǔ)償信息C_TEMP1來(lái)控制第二裸片120的操作。第一溫度補(bǔ)償計(jì)算器1202可以通過(guò)將第二裸片120的第一溫度補(bǔ)償系數(shù)TCl考慮到由第一裸片110輸出的溫度偏差信息D_TEMP來(lái)計(jì)算第一溫度補(bǔ)償信息C_TEMP1。第一溫度補(bǔ)償系數(shù)TCl可包括基于第一裸片110和第二裸片120之間的物理距離的傳熱系數(shù),或由于封裝的裸片的結(jié)構(gòu)特征而導(dǎo)致的第一裸片110和第二裸片120之間的固定的溫度差。
      [0108]第一溫度補(bǔ)償計(jì)算器1202可以輸出第一溫度補(bǔ)償信息C_TEMP1,其代表比第一裸片110的溫度低預(yù)定量的溫度。例如,第一溫度補(bǔ)償計(jì)算器1202可以輸出第一溫度補(bǔ)償信息C_TEMP1,其代表比第一裸片110的溫度低4°C的溫度。操作控制器122可以根據(jù)第一溫度補(bǔ)償信息C_TEMP1來(lái)改變第二裸片120的刷新操作、DC電平、和/或AC定時(shí)。第一溫度補(bǔ)償計(jì)算器1202的第一溫度補(bǔ)償信息C_TEMP1可以經(jīng)由k(k〈m)個(gè)TSV 1220的信號(hào)路徑而被提供給第三裸片130。
      [0109]第三裸片130可以包括第二溫度補(bǔ)償計(jì)算器1203,其被配置成基于第二裸片120的第一溫度補(bǔ)償信息C_TEMP1來(lái)生成第二溫度補(bǔ)償信息C_TEMP2,以及操作控制器132,其被配置成根據(jù)第二溫度補(bǔ)償信息C_TEMP2來(lái)控制第三裸片130的操作。第二溫度補(bǔ)償計(jì)算器1203可以通過(guò)將第三裸片130的第二溫度補(bǔ)償系數(shù)TC2考慮到由第二裸片120輸出的第一溫度補(bǔ)償信息C_TEMP1來(lái)計(jì)算第二溫度補(bǔ)償信息C_TEMP2。第二溫度補(bǔ)償系數(shù)TC2可包括基于第二裸片120和第三裸片130之間的物理距離的傳熱系數(shù),或由于封裝的裸片的結(jié)構(gòu)特征而導(dǎo)致的第二裸片120和第三裸片130之間的固定溫度差。
      [0110]第二溫度補(bǔ)償計(jì)算器1203可以輸出第二溫度補(bǔ)償信息C_TEMP2,其代表比第二裸片120的溫度低預(yù)定量的溫度。例如,第二溫度補(bǔ)償計(jì)算器1203可以輸出第二溫度補(bǔ)償信息C_TEMP2,其代表比第二裸片120的溫度低2°C的溫度。操作控制器132可以根據(jù)第二溫度補(bǔ)償信息C_TEMP2來(lái)改變第三裸片130的刷新操作、DC電平、和/或AC定時(shí)。
      [0111]下面參考圖13,根據(jù)本發(fā)明概念的多芯片封裝的存儲(chǔ)器器件10h包括第一到第四裸片110到140,其中,第二到第四裸片120到140被堆疊。存儲(chǔ)器器件10h可以具有在其中第一裸片110,以及堆疊的第二到第四裸片120到140被水平地安裝的結(jié)構(gòu)。
      [0112]類(lèi)似于圖12的存儲(chǔ)器器件100g,存儲(chǔ)器器件10h的第一裸片110可輸出溫度傳感器111和112的溫度信息TEMPI和TEMP2之間的溫度差來(lái)作為溫度偏差信息D_TEMP。溫度偏差計(jì)算器116可以根據(jù)η比特的溫度信息TEMPI和TEMP2來(lái)輸出m(m〈n)比特的溫度偏差信息D_TEMP。溫度偏差信息D_TEMP可以通過(guò)m個(gè)有線(xiàn)鍵合1310的信號(hào)路徑而被提供到第二裸片120。
      [0113]第二裸片120可以包括第一溫度補(bǔ)償計(jì)算器1202,其基于第一裸片110的溫度偏差信息D_TEMP來(lái)生成第一溫度補(bǔ)償信息C_TEMP1,以及操作控制器122,其根據(jù)第一溫度補(bǔ)償信息C_TEMP1來(lái)控制第二裸片120的操作。第一溫度補(bǔ)償計(jì)算器1202可以輸出k(k〈m)比特的第一溫度補(bǔ)償信息C_TEMP1,其代表比第一裸片110的溫度低預(yù)定量的溫度。第一溫度補(bǔ)償信息C_TEMP1將第二裸片120的第一溫度補(bǔ)償系數(shù)TCl考慮到m比特的溫度偏差信息D_TEMP中。操作控制器122可以根據(jù)第一溫度補(bǔ)償信息C_TEMP1,來(lái)設(shè)定第二裸片120的刷新操作、DC電平、和/或AC定時(shí)。第一溫度補(bǔ)償計(jì)算器1202的第一溫度補(bǔ)償信息C_TEMP1可以經(jīng)由k(k<m)個(gè)TSV 1320的信號(hào)路徑而被提供到第三裸片130。
      [0114]第三裸片130可以包括第二溫度補(bǔ)償計(jì)算器1203,其基于第二裸片120的第一溫度補(bǔ)償信息C_TEMP1來(lái)生成第二溫度補(bǔ)償信息C_TEMP2,以及操作控制器132,其根據(jù)第二溫度補(bǔ)償信息C_TEMP2來(lái)控制第三裸片130的操作。第二溫度補(bǔ)償計(jì)算器1203可以輸出i(i〈k)比特的第二溫度補(bǔ)償信息C_TEMP2,其代表比第二裸片120的溫度低預(yù)定量的溫度。第二溫度補(bǔ)償信息C_TEMP2通過(guò)將第三裸片130的第二溫度補(bǔ)償系數(shù)TC2考慮到k比特的第一溫度補(bǔ)償信息C_TEMP1中來(lái)計(jì)算。操作控制器132可以根據(jù)第二溫度補(bǔ)償信息C_TEMP2,來(lái)設(shè)定第三裸片130的刷新操作、DC電平、和/或AC定時(shí)。第二溫度補(bǔ)償計(jì)算器1203的第二溫度補(bǔ)償信息C_TEMP2可以經(jīng)由i個(gè)TSVl 330的信號(hào)路徑而被提供到第四裸片140。
      [0115]第四裸片140可以包括第三溫度補(bǔ)償計(jì)算器1204,其通過(guò)在第三裸片130的第二溫度補(bǔ)償信息C_TEMP2中反映第四裸片140的第三溫度補(bǔ)償系數(shù)TC3來(lái)生成第三溫度補(bǔ)償信息C_TEMP3,以及操作控制器142,其根據(jù)第三溫度補(bǔ)償信息C_TEMP3來(lái)控制第四裸片140的操作。第三溫度補(bǔ)償計(jì)算器1204可以通過(guò)在i比特的第二溫度補(bǔ)償信息C_TEMP2中反映第四裸片140的第三溫度補(bǔ)償系數(shù)TC3,來(lái)輸出第三溫度補(bǔ)償信息C_TEMP3,其代表比第三裸片130的溫度低預(yù)定程度的溫度。操作控制器132可以根據(jù)第三溫度補(bǔ)償信息C_TEMP3,來(lái)設(shè)定第四裸片140的刷新操作、DC電平、和/或AC定時(shí)。
      [0116]下面參見(jiàn)圖14,根據(jù)本發(fā)明的概念的多芯片封裝的存儲(chǔ)器器件10i可以具有在其中第一裸片110和第二裸片120被垂直地堆疊的結(jié)構(gòu)。
      [0117]除了存儲(chǔ)器器件10i的第一裸片110還包括存儲(chǔ)器單元陣列1401之外,存儲(chǔ)器器件10i與圖3的存儲(chǔ)器器件圖1OOa相似。存儲(chǔ)器器件10i的第一裸片110可以執(zhí)行邏輯功能,以及存儲(chǔ)器功能,而第二 (存儲(chǔ)器)裸片120在本示例中僅僅執(zhí)行存儲(chǔ)器功能。
      [0118]在第一裸片110中,溫度傳感器111和112可感測(cè)與存儲(chǔ)器單元陣列1401的操作相關(guān)的溫度狀態(tài),并且可以產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于所感測(cè)的溫度狀態(tài)的溫度信息TEMPI和TEMP2。溫度偏差計(jì)算器116可以輸出溫度傳感器111和112的溫度信息TEMPI和TEMP2之間的溫度差來(lái)作為溫度偏差信息D_TEMP。溫度偏差計(jì)算器116可以根據(jù)η比特的溫度信息TEMPI和TEMP2來(lái)輸出m(m〈n)比特的溫度偏差信息D_TEMP。溫度偏差信息D_TEMP可以通過(guò)mfTSV 310而被提供到第二裸片120。
      [0119]另外,在此示例中,溫度偏差計(jì)算器116可以通過(guò)將環(huán)境溫度變量TEV考慮到溫度傳感器111和112的η比特的溫度信息TEMPI和TEMP之間的溫度差中來(lái)計(jì)算k(k〈m)比特的溫度偏差信息D_TEMP。溫度偏差信息D_TEMP可以通過(guò)k個(gè)TSV而被提供到第二裸片120。
      [0120]第二裸片120可包括操作控制器122,其被配置成接收第一裸片110的溫度偏差信息D_TEMP,并且根據(jù)溫度偏差信息D_TEMP來(lái)控制第二裸片120的操作。操作控制器122可以根據(jù)溫度偏差信息D_TEMP來(lái)改變第二裸片120的刷新操作、DC電平、和/或AC定時(shí)。
      [0121]下面參考圖15,根據(jù)本發(fā)明的概念的多芯片封裝的存儲(chǔ)器器件IlOj可以具有在其中第一裸片110和第二裸片120被垂直地堆疊的結(jié)構(gòu)。
      [0122]除了存儲(chǔ)器器件IlOj的第二裸片120還包括至少一個(gè)溫度傳感器1501之外,存儲(chǔ)器器件IlOj與圖3的存儲(chǔ)器器件10a相似。
      [0123]在第一裸片110中,溫度傳感器111和112可感測(cè)溫度狀態(tài),并且可以產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于所感測(cè)的溫度狀態(tài)的溫度信息TEMPI和TEMP2。溫度偏差計(jì)算器116b可以輸出溫度傳感器111和112的溫度信息TEMP1和TEMP2之間的溫度差來(lái)作為第一溫度偏差信息D_TEMP_0THER。溫度偏差計(jì)算器116b可以根據(jù)η比特的溫度信息TEMPI和TEMP2來(lái)輸出m(m〈n)比特的第一溫度偏差信息D_TEMP_0THER。第一溫度偏差信息D_TEMP_0THER可以通過(guò)m個(gè)TSV 310而被提供到第二裸片120。
      [0124]第二裸片120的溫度傳感器1501可以占據(jù)第二裸片120的特定區(qū)域。例如,第二裸片120的溫度傳感器1501可以被布置為靠近第一裸片110的第一溫度傳感器111被布置的區(qū)域。因此,第一裸片110的第一溫度傳感器111和第二裸片120的溫度傳感器1501可被布置為感測(cè)存儲(chǔ)器器件IlOj的相同區(qū)域的溫度。與第二裸片120的溫度傳感器1501處于相同區(qū)域的第一裸片110的第一溫度傳感器111可以用作參考溫度傳感器。
      [0125]第二裸片120可包括溫度傳感器1501、存儲(chǔ)器單元陣列121、和操作控制器122。溫度傳感器1501可以感測(cè)第二裸片120的溫度狀態(tài)和產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于所感測(cè)的溫度狀態(tài)的溫度信息TEMP_0WN。感測(cè)的溫度狀態(tài)可以與存儲(chǔ)器單元陣列121的操作相關(guān),S卩,由溫度傳感器1501感測(cè)的溫度可能會(huì)影響存儲(chǔ)器單元陣列121的操作。
      [0126]在第二裸片120的操作控制器122可以接收溫度傳感器1501溫度信息TEMP_0WN和第一裸片110的溫度偏差信息D_TEMP,并且可以根據(jù)溫度信息TEMP_0WN和溫度偏差信息0_TEMP來(lái)控制第二裸片120的操作。操作控制器122可以通過(guò)在溫度信息TEMP_0WN中反映溫度偏差信息D_TEMP來(lái)設(shè)置第二裸片120的刷新操作、DC電平、和/或AC定時(shí)。
      [0127]雖然已經(jīng)將存儲(chǔ)器器件IlOj示出和描述為具有一個(gè)第二裸片120,其具有感測(cè)裸片的溫度狀態(tài)的溫度傳感器,但是存儲(chǔ)器器件IlOj可以具有堆疊在第一裸片110上的多個(gè)第二裸片120。
      [0128]圖16是圖15的存儲(chǔ)器器件IlOj的另一示例的第一裸片110的一部分IlOc的框圖。
      [0129]參考圖16,第一裸片110可以包括多個(gè)溫度傳感器111到115,以及溫度偏差計(jì)算器116b。溫度傳感器111到115可感測(cè)由溫度傳感器111到115所占據(jù)的區(qū)域的溫度狀態(tài),并且將感測(cè)到的溫度狀態(tài)生成作為溫度信息TEMPI到TEMP5。溫度信息TEMPI到TEMP5可以輸出作為η比特的所感測(cè)的溫度狀態(tài)。
      [0130]溫度偏差計(jì)算器116b可以從溫度傳感器111到115接收η比特的溫度信息TEMPI到TEMP5,并且可以計(jì)算在溫度信息TEMPI到TEMP5和參考溫度TEMPI之間的溫度差。溫度偏差計(jì)算器116b可以包括選擇單元1601,其響應(yīng)于第一和第二選擇信號(hào)TH和TL,以及計(jì)算器1602,其基于選擇單元1601的輸出和參考溫度傳感器111的溫度信息TEMPI來(lái)輸出第一溫度偏差信息D_TEMP_0THER。參考溫度傳感器111和第二裸片(圖15的120)的溫度傳感器1501可以被設(shè)置成感測(cè)與存儲(chǔ)器器件IlOj基本上在相同區(qū)域的溫度。
      [0131]選擇單元1601可以響應(yīng)于第一選擇信號(hào)TH,從溫度信息TEMPI到TEMP5選擇最高溫度,并且經(jīng)計(jì)算器502輸出最高溫度,并且可以響應(yīng)于第二選擇信號(hào)TL從溫度信息TEMPI到TEMP5中選擇最低溫度,并且通過(guò)計(jì)算器1602輸出最低溫度。計(jì)算器1602可以計(jì)算最高溫度和參考溫度TEMPI之間的差并且輸出溫度差作為m(m〈n)比特的第一溫度偏差信息D_TEMP_OTHER。計(jì)算器1602可以計(jì)算最低溫度和參考溫度TEMPI之間的差并且輸出溫度差作為m(m〈η)比特的第一溫度偏差信息D_TEMP_0THER。第一溫度偏差信息D_TEMP_0THER可以使用由η比特的溫度信息TEMPI到ΤΕΜΡ5所表示的溫度中的最低溫度來(lái)計(jì)算。
      [0132]下面參考圖17,根據(jù)本發(fā)明的概念的多芯片封裝的存儲(chǔ)器器件10k可以具有在其中第一裸片110和第二裸片120被垂直地堆疊的結(jié)構(gòu)。
      [0133]除了存儲(chǔ)器器件10k的第二裸片120包括多個(gè)第二溫度傳感器以及第二溫度偏差計(jì)算器1706之外,存儲(chǔ)器器件10k與圖15的存儲(chǔ)器器件IlOj是類(lèi)似的。將描述在其中第二裸片110包括兩個(gè)溫度傳感器1701和1702的示例,但是第二裸片110可包括多于兩個(gè)的溫度傳感器。
      [0134]第二溫度傳感器1701和1702可感測(cè)第二裸片120的溫度,并生成對(duì)應(yīng)于所述第二裸片的溫度狀態(tài)的溫度信息TEMP_0WN1和TEMP_0WN2。
      [0135]第二溫度偏差計(jì)算器1706可以接收第二溫度傳感器1701和1702的溫度信息TEMP_OWNl和TEMP_0WN2,并可計(jì)算和輸出第二溫度偏差信息D_TEMP_0WN。第二溫度偏差信息D_TEMP_0WN可以是由溫度信息TEMP_0WN1和TEMP_0WN2表示的溫度之間的差。第二溫度偏差計(jì)算器1706的第二溫度偏差信息D_TEMP_0WN被傳送到操作控制器122。
      [0136]操作控制器122可以接收第一裸片110的第一溫度偏差信息D_TEMP_0THER和第二裸片120的第二溫度偏差信息D_TEMP_0WN,并且可以根據(jù)第一和第二溫度偏差信息D_TEMP_0THEI^PD_TEMP_0WN來(lái)控制第二裸片120的操作。操作控制器122可以根據(jù)第一和第二溫度偏差信息D_TEMP_0THER和D_TEMP_0WN來(lái)設(shè)置第二裸片120的刷新操作、DC電平、和/或AC定時(shí)。
      [0137]同樣,雖然已經(jīng)將存儲(chǔ)器器件10k的本示例示出和描述為包含一個(gè)第二裸片120的多芯片封裝,其感測(cè)溫度狀態(tài)并基于所感測(cè)的溫度狀態(tài)來(lái)計(jì)算溫度偏差,但是存儲(chǔ)器器件IlOj可包括多個(gè)第二裸片120。
      [0138]圖18示出根據(jù)本發(fā)明概念以多芯片封裝的形式的存儲(chǔ)器器件的另一個(gè)例子。
      [0139]參考圖18,存儲(chǔ)器器件1001具有多個(gè)豎直堆疊的裸片1810到1850。
      [0140]存儲(chǔ)器器件1001的裸片中的一個(gè),S卩,在本示例中的裸片1830不具有溫度傳感器,并且每個(gè)其他的裸片1810、820、1840、和1850具有至少一個(gè)溫度傳感器。
      [0141]第一裸片1810的溫度傳感器1811、1812、以及1813可以輸出η比特的溫度信息,其代表第一裸片1810的溫度狀態(tài)。第二裸片1820的溫度傳感器1821可以輸出η比特的溫度信息,其代表第二裸片1820的溫度狀態(tài)。第四裸片1840的溫度傳感器1841可以輸出η比特的溫度信息,其代表第四裸片1840的溫度狀態(tài)。第五裸片1850的溫度傳感器1851可以輸出η比特的溫度信息,其代表第五裸片1850的溫度狀態(tài)。
      [0142]第一、第二、第四、和第五裸片1810、1820、1840、和1850的每個(gè)可以根據(jù)η比特的溫度信息來(lái)輸出m比特的溫度特征信息,其中,m比特小于η比特。溫度特征信息可以表示相應(yīng)裸片的溫度,或由裸片的溫度傳感器感測(cè)的溫度之間的差。
      [0143]存儲(chǔ)器器件1001的第一裸片1810可以是邏輯裸片,并且第二至第五裸片1820到1850可以是存儲(chǔ)器裸片。第一裸片1810的溫度特征信息可以經(jīng)由TSV而提供到第二到第五裸片1820到1850。
      [0144]不包括任何溫度傳感器的第三裸片1830可以通過(guò)TSV接收從第二和第四裸片1820和1840的溫度傳感器1821和1841,S卩,從與第三裸片1830鄰近的裸片的溫度傳感器輸出的溫度特征信息。第三裸片1830可以被配置為,即,具有操作控制器,其被配置成基于從第一、第二、和第四裸片1810、1820、和1840接收的溫度特征信息來(lái)控制第三裸片1830的內(nèi)部操作。第三裸片1830可以根據(jù)m(m〈n)比特的溫度特征信息,而不是其他裸片1810、1820、和1840的η比特的溫度信息,來(lái)設(shè)置第三裸片1830的刷新操作、DC電平、和/或AC定時(shí)。
      [0145]圖19示出根據(jù)本發(fā)明概念的以多芯片封裝的形式的存儲(chǔ)器器件的又一個(gè)示例。
      [0146]參考圖19,存儲(chǔ)器器件10m可以具有在其中裸片1910到1950被垂直堆疊的結(jié)構(gòu)。多個(gè)裸片1910到1950可以執(zhí)行存儲(chǔ)器功能。多個(gè)裸片1910到1950中的一個(gè)可以執(zhí)行邏輯功能,即,可以用作除了存儲(chǔ)器裸片之外的邏輯裸片。
      [0147]參考圖19,存儲(chǔ)器器件10m的多個(gè)裸片1910到1950分別包括溫度傳感器,以用于感測(cè)不同區(qū)域的溫度狀態(tài)。第一裸片1910可以基于由第一裸片1910的溫度傳感器1911所感測(cè)的η比特的溫度信息,經(jīng)由TSV,向第二到第四裸片1920到1940提供m比特的溫度特征信息,其中,m比特小于η比特。第一裸片1910可以經(jīng)由TSV,從第二到第四裸片1920到1940接收m比特的溫度特征信息。第一裸片1910可以根據(jù)由相鄰裸片提供的m比特的溫度特征信息和第一裸片1910的η比特的溫度信息來(lái)設(shè)置第一裸片1910的刷新操作、DC電平、和/或AC定時(shí)。
      [0148]同樣地,第二到第五裸片1920到1950的每個(gè)可以根據(jù)由相鄰裸片提供的m比特的溫度特征信息和其自己的溫度傳感器產(chǎn)生的η比特的溫度信息來(lái)設(shè)置每個(gè)相應(yīng)裸片的刷新操作、DC電平、和/或AC定時(shí)。
      [0149]圖20示出根據(jù)本發(fā)明的概念的,通過(guò)使用溫度偏差來(lái)控制操作的存儲(chǔ)器器件
      2000 ο
      [0150]參考圖20,存儲(chǔ)器器件2000被描述為在多芯片封裝中的存儲(chǔ)器裸片。多芯片封裝可以包括安裝為鄰近于存儲(chǔ)器裸片的邏輯裸片。邏輯裸片可包括多個(gè)溫度傳感器,以及m(m〈η)比特的溫度偏差信息D_TEMP可基于溫度傳感器的η比特的溫度信息而生成。溫度偏差信息D_TEMP可以經(jīng)由TSV和/或包括有線(xiàn)鍵合的信號(hào)配線(xiàn)而提供到存儲(chǔ)器器件2000。
      [0151]存儲(chǔ)器器件2000可以包括控制邏輯2010、刷新地址產(chǎn)生器2015、地址緩沖器2020、堆(bank)控制邏輯2030、行地址多路復(fù)用器2040、列地址鎖存器2050、行解碼器、存儲(chǔ)器單元陣列、感應(yīng)放大器、輸入/輸出門(mén)控(gating)電路2090、和數(shù)據(jù)輸入/輸出緩沖器2095。
      [0152]存儲(chǔ)器單元區(qū)域可包括第一到第四堆陣列2080a、2080b、2080c和2080d。第一到第四堆陣列2080a、2080b、2080c、和2080d的每個(gè)可以包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元行(或頁(yè))和分別連接到存儲(chǔ)器單元行的感應(yīng)放大器2085a、2085b、2085c、和2085d。
      [0153]行解碼器可以包括分別連接到第一到第四堆陣列2080a、2080b、2080c、和2080d的第一到第四堆行解碼器2060a、2060b、2060c、以及2060d。列解碼器可以包括分別連接到第一到第四堆陣列2080a、2080b、2080c、和2080d的第一到第四對(duì)列解碼器2070a、2070b、2070c、和2070d。
      [0154]第一至第四堆陣列2080a、2080b、2080c、和2080d、第一到第四堆行解碼器2060a、2060b、2060c、以及2060d、和第一到第四對(duì)列解碼器2070a、2070b、2070c、和2070d可分別形成第一至第四存儲(chǔ)器堆。圖20示出包括四個(gè)存儲(chǔ)器堆的存儲(chǔ)器器件2000。然而,存儲(chǔ)器器件2000可包括任意數(shù)量的存儲(chǔ)器堆。
      [0155]此外,根據(jù)本發(fā)明的概念,存儲(chǔ)器器件2000可以是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)器件,諸如雙數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DDR SDRAM)、低功耗雙數(shù)據(jù)率(LTODR)SDRAM、圖形雙數(shù)據(jù)率(GDDR)SDRAM、和rambus動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RDRAM)、或電阻存儲(chǔ)器器件,如相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PRAM)、磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)、和電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)0
      [0156]控制邏輯2010可以控制存儲(chǔ)器器件2000的操作。例如,控制邏輯2010可以生成用于存儲(chǔ)器器件2000的控制信號(hào)來(lái)執(zhí)行寫(xiě)入或讀取操作??刂七壿?010可以包括用于解碼從存儲(chǔ)器控制器接收的命令CMD的命令解碼器2011、用于設(shè)置存儲(chǔ)器器件2000的操作模式的模式寄存器2013、以及用于根據(jù)包括溫度傳感器的相鄰裸片的溫度偏差信息D_TEMP來(lái)控制存儲(chǔ)器器件2000的刷新操作、DC電平、和/或AC定時(shí)的操作控制器2014。
      [0157]命令解碼器2011可以通過(guò)解碼寫(xiě)使能信號(hào)/WE、行地址選通信號(hào)/RAS、列地址選通信號(hào)/CAS、片選信號(hào)/CS等,來(lái)生成對(duì)應(yīng)于命令CMD的控制信號(hào)。命令CMD可包括激活命令、讀命令、與命令、預(yù)充電命令等。
      [0158]模式寄存器2013也可以提供存儲(chǔ)器器件2000的多個(gè)操作選項(xiàng),并且可以編程存儲(chǔ)器器件2000的各種功能、特征、和模式。
      [0159]控制邏輯2010還可以接收差分時(shí)鐘CLK_t/CLK_c^P時(shí)鐘使能信號(hào)CKE,用于通過(guò)同步方法來(lái)驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)器器件2000。存儲(chǔ)器器件2000的數(shù)據(jù)可以通過(guò)雙數(shù)據(jù)速率來(lái)進(jìn)行操作。時(shí)鐘使能信號(hào)CKE可以在時(shí)鐘CLK_t的上升沿處被捕獲。
      [0160]控制邏輯2010可以控制刷新地址產(chǎn)生器2015,以響應(yīng)于刷新命令來(lái)執(zhí)行自動(dòng)刷新操作,或者可以控制刷新地址產(chǎn)生器2015以響應(yīng)于自刷新命令來(lái)執(zhí)行自刷新操作。
      [0161]刷新地址產(chǎn)生器2015可以生成對(duì)應(yīng)于在其中刷新操作將被執(zhí)行的存儲(chǔ)器單元行的刷新地址REF_ADDR。刷新地址發(fā)生器2015可以通過(guò)由非易失性存儲(chǔ)器器件的標(biāo)準(zhǔn)中定義的刷新周期來(lái)產(chǎn)生刷新地址REF_ADDR。
      [0162]當(dāng)存儲(chǔ)器器件2000是上述的電阻性存儲(chǔ)器時(shí),刷新地址產(chǎn)生2015可以是沒(méi)有必要的。
      [0163]地址緩沖器2020可以從存儲(chǔ)器控制器接收地址ADDR,其包括堆地址BANK_ADDR、行地址R0W_ADDR、以及列地址⑶L_ADDR。此外,地址緩沖器2020可以提供所接收的堆地址BANK_ADDR到堆控制邏輯2030,提供所接收的行地址R0W_ADDR到行地址多路復(fù)用器2040,并且提供所接收的列地址C0L_ADDR到列地址鎖存器2050。
      [0164]行控制邏輯2030可以響應(yīng)于堆地址BANK_ADDR來(lái)生成堆控制信號(hào)。響應(yīng)于堆控制信號(hào),從第一到第四堆行解碼器2060a、2060b、2060c、以及2060d中,對(duì)應(yīng)于堆地址BANK_ADDR的堆行解碼器可以被激活,并且從第一到第四堆列解碼器2070a、2070b、2070c、以及2070d中,對(duì)應(yīng)于堆地址BANK_ADDR的堆列解碼器可以被激活。
      [0165]堆控制邏輯2030可以響應(yīng)于用于確定堆組的堆地址BANK_ADDR來(lái)產(chǎn)生堆組控制信號(hào)。響應(yīng)于堆組控制信號(hào),從第一到第四堆行解碼器2060a、2060b、2060c、以及2060d中,對(duì)應(yīng)于堆地址BANK_ADDR的堆組的行解碼器可以被激活,并且從第一到第四堆列解碼器2070a、2070b、2070c、以及2070d中,對(duì)應(yīng)于堆地址BANK_ADDR的堆組的列解碼器可以被激活。
      [0166]行地址多路復(fù)用器2040可以接收來(lái)自地址緩沖器2020的行地址R0W_ADDR,并且接收來(lái)自刷新地址產(chǎn)生器2015的刷新行地址REF_ADDR。行地址多路復(fù)用器2040可有選擇地輸出行地址R0W_ADDR和刷新行地址REF_ADDR。由行地址多路復(fù)用器2040輸出的行地址可被施加到第一到第四堆行解碼器2060a、2060b、2060c、以及2060d的每個(gè)。
      [0167]從第一到第四堆行解碼器2060a、2060b、2060c、以及2060d中,由堆控制邏輯2030激活的堆行解碼器可以解碼由行地址多路復(fù)用器2040輸出的行地址R0W_ADDR,并激活對(duì)應(yīng)于該行地址的字線(xiàn)。例如,激活的堆行解碼器可以將字線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電壓施加到對(duì)應(yīng)于行地址的字線(xiàn)。
      [0168]列地址鎖存器2050可以接收來(lái)自地址緩沖器2020的列地址C0L_ADDR,并暫時(shí)存儲(chǔ)所接收到的列地址C0L_ADDR。列地址鎖存器205可以逐漸增加在突發(fā)模式中接收的列地址C0L_ADDR。列地址鎖存器2050可以將臨時(shí)存儲(chǔ)的或逐漸增加的列地址C0L_ADDR應(yīng)用到第一到第四堆列解碼器2070a、2070b、2070c、以及2070d中的每個(gè)。
      [0169]從第一到第四堆列解碼器2070a、2070b、2070c、以及2070d中,由堆控制邏輯2030激活的堆列解碼器可以經(jīng)由輸入/輸出門(mén)控電路2090來(lái)激活對(duì)應(yīng)于行地址BANK_ADDR和列地址C0L_ADDR的感應(yīng)放大器。
      [0170]輸入/輸出門(mén)控電路2090可包括輸入數(shù)據(jù)屏蔽邏輯、讀數(shù)據(jù)鎖存器,其用于存儲(chǔ)從第一至第四堆陣列2080a、2080b、2080c、和2080d輸出的數(shù)據(jù),和寫(xiě)驅(qū)動(dòng)器,用于將數(shù)據(jù)寫(xiě)入到第一至第四堆陣列2080a、2080b、2080c、和2080d中,以及用于門(mén)控輸入/輸出數(shù)據(jù)的電路。
      [0171]要被寫(xiě)入到第一至第四堆陣列2080a、2080b、2080c、和2080d中的一個(gè)的存儲(chǔ)器單元陣列中的寫(xiě)數(shù)據(jù)可以從存儲(chǔ)器控制器通過(guò)存儲(chǔ)器緩沖器而被提供到數(shù)據(jù)輸入/輸出緩沖器2095。提供到數(shù)據(jù)輸入/輸出緩沖器2095中的數(shù)據(jù)可以經(jīng)由寫(xiě)驅(qū)動(dòng)器而被寫(xiě)入到一個(gè)堆陣列中。
      [0172]圖21示出了根據(jù)本發(fā)明的概念的,具有通過(guò)使用溫度偏差來(lái)控制操作的存儲(chǔ)器器件的移動(dòng)系統(tǒng)2100。
      [0173]參考圖21,移動(dòng)系統(tǒng)2100可以包括經(jīng)由總線(xiàn)2102而相互連接的應(yīng)用處理器2110、連接單元2120、第一存儲(chǔ)器器件2130、第二存儲(chǔ)器器件2140、用戶(hù)接口 2150、以及電源2160。第一存儲(chǔ)器器件2130可以被設(shè)置為易失性存儲(chǔ)器器件,并且第二存儲(chǔ)器器件2140可以被設(shè)置為非易失性存儲(chǔ)器器件。根據(jù)本發(fā)明的概念,移動(dòng)系統(tǒng)2100可以是任何移動(dòng)系統(tǒng),諸如移動(dòng)電話(huà)、智能電話(huà)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、便攜式多媒體播放器(PMP)、數(shù)字相機(jī)、音樂(lè)播放器、便攜式游戲機(jī)和導(dǎo)航系統(tǒng)。
      [0174]處理器2110可以執(zhí)行用于提供因特網(wǎng)瀏覽器、游戲、視頻等的應(yīng)用。根據(jù)本發(fā)明的概念,應(yīng)用處理器2110可以包括單核處理器或多核處理器。例如,應(yīng)用處理器2110可包括雙核處理器、四核處理器、和六核處理器。此外,根據(jù)本發(fā)明的概念,應(yīng)用處理器2110可進(jìn)一步包括位于應(yīng)用處理器2110之內(nèi)或之外的高速緩沖存儲(chǔ)器。
      [0175]連接單元2120可以執(zhí)行與外部設(shè)備的無(wú)線(xiàn)通信或有線(xiàn)通信。例如,連接單元2120可以執(zhí)行以太網(wǎng)通信、近場(chǎng)通信(NFC)、射頻識(shí)別(RFID)通信、移動(dòng)通信、存儲(chǔ)卡通信、通用串行總線(xiàn)(USB)通信等。例如,連接單元2120可以包括基帶芯片組,并且可以支持如下通信,例如,全球移動(dòng)通信系統(tǒng)(GSM)、通用分組無(wú)線(xiàn)業(yè)務(wù)(GPRS)、寬帶碼分多址(W⑶MA)、和高速分組接入(HSPA)。
      [0176]作為易失性存儲(chǔ)器器件的第一存儲(chǔ)器器件2130可以存儲(chǔ)由應(yīng)用處理器2110處理的數(shù)據(jù)來(lái)作為寫(xiě)入數(shù)據(jù),或者可以操作作為工作存儲(chǔ)器。第一存儲(chǔ)器器件2130可以被實(shí)現(xiàn)為多芯片封裝,其包括包含溫度傳感器的邏輯裸片2131以及不包括溫度傳感器的存儲(chǔ)器裸片2132。邏輯裸片2131提供通過(guò)收集和計(jì)算溫度傳感器的η比特的溫度信息而獲得的m(m〈η)比特的溫度偏差信息D_TEMP到存儲(chǔ)器裸片2132。第二裸片2132可以通過(guò)使用溫度偏差信息D_TEMP來(lái)控制內(nèi)部操作(刷新操作、DC電平、和/或AC定時(shí))。
      [0177]作為非易失性存儲(chǔ)器器件的第二存儲(chǔ)器器件2140可以存儲(chǔ)用于引導(dǎo)移動(dòng)系統(tǒng)2100的引導(dǎo)映像。例如,非易失性存儲(chǔ)器器件2140可以被實(shí)現(xiàn)為電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、快閃存儲(chǔ)器、相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PRAM)、電阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)、納米浮柵存儲(chǔ)器(NFGM)、聚合物隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PoRAM)、磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)、鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)、或者其它類(lèi)似的存儲(chǔ)器。
      [0178]用戶(hù)接口2150可以包括一個(gè)或多個(gè)輸入設(shè)備,諸如鍵盤(pán)和觸摸屏,和/或一個(gè)或多個(gè)輸出設(shè)備,諸如揚(yáng)聲器和顯示設(shè)備。電源2160的操作電壓可被提供。此外,根據(jù)本發(fā)明的概念,移動(dòng)系統(tǒng)2100可進(jìn)一步包括相機(jī)圖像處理器(CIP),并且還可以包括儲(chǔ)存器件,諸如存儲(chǔ)卡、固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)、硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(HDD)、和⑶-ROM。
      [0179]圖22示出了根據(jù)本發(fā)明概念的,具有通過(guò)使用溫度偏差來(lái)控制操作的存儲(chǔ)器器件的計(jì)算系統(tǒng)2200。
      [0180]參考圖22,計(jì)算系統(tǒng)2200包括:處理器2210、輸入/輸出集線(xiàn)器2220、輸入/輸出控制器集線(xiàn)器2230、存儲(chǔ)器器件2240、以及圖形卡2250。根據(jù)本發(fā)明的概念,計(jì)算系統(tǒng)2200可以是任何計(jì)算系統(tǒng),諸如個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)、服務(wù)器計(jì)算機(jī)、工作站、膝上型電腦、移動(dòng)電話(huà)、智能電話(huà)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、便攜式多媒體播放器(PMP)、數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字電視、機(jī)頂盒、音樂(lè)播放器、便攜式游戲機(jī)、和導(dǎo)航系統(tǒng)。
      [0181]處理器2210可以執(zhí)行各種計(jì)算功能,諸如,特定計(jì)算或任務(wù)。例如,處理器2210可以是微處理器或中央處理單元(CPU)。根據(jù)本發(fā)明的概念,處理器2210可以包括單核處理器或多核處理器。例如,處理器2210可以包括雙核處理器、四核處理器、和六核處理器。另外,根據(jù)本發(fā)明的概念,雖然圖22示出了計(jì)算系統(tǒng)2200包括一個(gè)處理器2210,但是計(jì)算系統(tǒng)2200可以包括多個(gè)處理器。此外,根據(jù)本發(fā)明的概念,處理器2210可以進(jìn)一步包括位于處理器2210的內(nèi)部或外部的高速緩沖存儲(chǔ)器。
      [0182]處理器2210可包括存儲(chǔ)器控制器2211,其控制存儲(chǔ)器器件2240的操作。被包括在處理器2210中的存儲(chǔ)器控制器2211可以被稱(chēng)為集成存儲(chǔ)器控制器(IMC)。根據(jù)本發(fā)明的概念,存儲(chǔ)器控制器2211可以位于輸入/輸出集線(xiàn)器2220中。包括存儲(chǔ)器控制器2211的輸入/輸出集線(xiàn)器2220可以被稱(chēng)為存儲(chǔ)器控制器集線(xiàn)器(MCH)。
      [0183]存儲(chǔ)器器件2240可以被實(shí)現(xiàn)為多芯片封裝,包括包含溫度傳感器的邏輯裸片2241和不包含溫度傳感器的存儲(chǔ)器裸片2242。邏輯裸片2241提供通過(guò)收集和計(jì)算溫度傳感器的η比特的溫度信息而獲得的m(m〈n)比特的溫度偏差信息D_TEMP給存儲(chǔ)器裸片2242。第二裸片2242可以通過(guò)使用溫度偏差信息D_TEMP來(lái)控制內(nèi)部操作(更新操作、DC電平、和/或AC定時(shí))。
      [0184]輸入/輸出集線(xiàn)器2220可以管理諸如圖形卡2250,以及處理器2210的設(shè)備之間的數(shù)據(jù)傳輸。輸入/輸出集線(xiàn)器2220可以經(jīng)由接口的各種方法連接到處理器2210。例如,輸入/輸出集線(xiàn)器2220和處理器2210可以彼此經(jīng)由各種標(biāo)準(zhǔn)接口,諸如前端總線(xiàn)(FSB)、系統(tǒng)總線(xiàn)、超傳輸、閃電數(shù)據(jù)傳輸(LDT)、快速路徑互連(QPI)、公共系統(tǒng)接口、外圍組件互連快速(PCIe)等來(lái)連接。雖然圖22示出了包括一個(gè)輸入/輸出集線(xiàn)器2220的計(jì)算系統(tǒng)2200,但是根據(jù)本發(fā)明的概念,計(jì)算系統(tǒng)2200可以包括多個(gè)輸入/輸出集線(xiàn)器。
      [0185]輸入/輸出集線(xiàn)器2220可以提供與設(shè)備的各種接口。例如,輸入/輸出集線(xiàn)器2220可以提供加速圖形端口(AGP)接口、外圍組件互連快速(PCIe)接口、通信流架構(gòu)(CSA)接口等。
      [0186]圖形卡2250可以通過(guò)AGP或PCIe而連接到輸入/輸出集線(xiàn)器2220。圖形卡2250可以控制用于顯示圖像的顯示裝置(未示出)。圖形卡2250可以包括用于處理圖像數(shù)據(jù)的內(nèi)部處理器,和內(nèi)部半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。根據(jù)本發(fā)明的概念,輸入/輸出集線(xiàn)器2220可以包括位于其中的圖形器件,以及位于輸入/輸出集線(xiàn)器2220外部的圖形卡2250??蛇x地,輸入/輸出集線(xiàn)器2220可包括位于其中的圖形器件,而不是圖形卡2250。包括在輸入/輸出集線(xiàn)器2220中的圖形器件可以被稱(chēng)為集成圖形器。另外,包括存儲(chǔ)器控制器和圖形器件的輸入/輸出集線(xiàn)器2220可以被稱(chēng)作圖形和存儲(chǔ)器控制器集線(xiàn)器(GMCH)。
      [0187]輸入/輸出控制器集線(xiàn)器2230可以執(zhí)行用于使各種系統(tǒng)接口有效地操作的數(shù)據(jù)緩沖和接口干預(yù)。輸入/輸出控制器集線(xiàn)器2230可以經(jīng)由內(nèi)部總線(xiàn)連接到輸入/輸出集線(xiàn)器2220。例如,輸入/輸出集線(xiàn)器2220和輸入/輸出控制器集線(xiàn)器2230可以彼此經(jīng)由直接媒體接口(DMI )、集線(xiàn)器接口、企業(yè)南橋接口(ESI)、PCIe等來(lái)連接。
      [0188]輸入/輸出控制器集線(xiàn)器2230可以提供與外圍設(shè)備的各種接口。例如,輸入/輸出控制器集線(xiàn)器2230可以提供通用串行總線(xiàn)(USB)端口、串行高級(jí)技術(shù)附件(SATA)接口、通用輸入/輸出GP10、低引腳數(shù)(LPC)總線(xiàn)、串行外圍接口(SPI)、PC1、PCIe等。
      [0189]根據(jù)本發(fā)明的概念,從處理器2210、輸入/輸出集線(xiàn)器2220、以及輸入/輸出控制器集線(xiàn)器2230選擇的兩個(gè)或多個(gè)組件可以被實(shí)現(xiàn)為芯片組。
      [0190]盡管已經(jīng)參考本發(fā)明的示例來(lái)具體示出和描述了本發(fā)明的概念,但可以理解,在不脫離如在以下權(quán)利要求中所述的本發(fā)明概念的精神和范圍的情況下,可以對(duì)其在行使和細(xì)節(jié)上進(jìn)行各種變化。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種多芯片封裝,包括: 第一裸片,其具有感測(cè)在第一溫度傳感器所處的區(qū)域處的溫度,并且將所感測(cè)的溫度輸出作為η比特的第一溫度信息的第一溫度傳感器;以及 至少一個(gè)第二裸片,其與第一裸片一起封裝,并且 其中,第一裸片被配置為基于第一溫度信息來(lái)輸出m比特的第一溫度偏差信息, m小于η, η是大于或者等于2的自然數(shù),并且 所述的至少一個(gè)第二裸片的每個(gè)被操作地連接到第一裸片,以接收由第一裸片輸出的第一溫度偏差信息,并且其被配置為執(zhí)行內(nèi)部操作,并且基于第一溫度偏差信息來(lái)控制內(nèi)部操作。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多芯片封裝,其中,第一裸片和第二裸片被堆疊,并且進(jìn)一步包括硅通孔(TSV),其垂直延伸在第一裸片和第二裸片之間,并且通過(guò)其第二裸片從第一裸片通孔接收第一溫度偏差信息。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多芯片封裝,其中,第一裸片被配置為計(jì)算構(gòu)成第一溫度信息的最高溫度和最低溫度之間的差,并且輸出所述差來(lái)作為第一溫度偏差信息。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多芯片封裝,其中,第一裸片被配置為基于計(jì)算的溫度差和表示多芯片封裝的結(jié)構(gòu)特征的溫度環(huán)境變量來(lái)計(jì)算第一溫度偏差信息。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多芯片封裝,其中,第一裸片被配置為從構(gòu)成第一溫度信息的溫度中選擇最高溫度或者最低溫度,計(jì)算在所選擇的溫度和參考溫度之間的差,并且將所述差輸出作為第一溫度偏差信息。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多芯片封裝,其中,第一裸片包括存儲(chǔ)器單元陣列。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多芯片封裝,其中,第二裸片包括存儲(chǔ)器單元陣列,并且第二裸片被配置為基于第一溫度偏差信息,來(lái)控制陣列的存儲(chǔ)器單元的行的刷新操作的持續(xù)時(shí)間、第二裸片的DC電壓電平、以及第二裸片的AC定時(shí)中的至少一個(gè)。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多芯片封裝,其中,第二裸片被配置為存儲(chǔ)與封裝的第一裸片和第二裸片的結(jié)構(gòu)特征相關(guān)聯(lián)的溫度補(bǔ)償系數(shù),并且基于第一溫度補(bǔ)償信息和溫度補(bǔ)償系數(shù)來(lái)控制第二裸片的內(nèi)部操作。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多芯片封裝,其中,第二裸片包括被配置為感測(cè)第二裸片的溫度的至少一個(gè)第二溫度傳感器。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的多芯片封裝,其中,第二裸片被配置為基于第一溫度偏差信息和由第二溫度傳感器感測(cè)的溫度來(lái)控制內(nèi)部操作。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多芯片封裝,其中,第二裸片包括第二溫度傳感器,其感測(cè)第二裸片的溫度并且將所感測(cè)的溫度輸出為第二溫度信息,并且第二裸片被配置為使用第二溫度信息來(lái)計(jì)算第二溫度偏差信息。12.—種多芯片封裝,包括: 第一裸片,其具有襯底、第一溫度傳感器,所述第一溫度傳感器跨過(guò)襯底排列并且感測(cè)其所在處的襯底的區(qū)域的溫度并且分別輸出所感測(cè)的溫度的信息、以及計(jì)算器,所述計(jì)算器操作地連接到溫度傳感器以接收由溫度傳感器所輸出的信息并且被配置為基于由溫度傳感器所輸出的信息來(lái)產(chǎn)生第一溫度信息;以及 第二裸片,其與第一裸片封裝,并且具有操作地連接到第一裸片的計(jì)算器的操作控制器,以及執(zhí)行依賴(lài)于溫度的內(nèi)部操作的電路,所述電路被操作地連接到操作控制器,并且 其中,操作控制器被配置為基于第一裸片所產(chǎn)生的第一溫度信息來(lái)控制第二裸片的內(nèi)部操作的至少一個(gè)參數(shù)。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的多芯片封裝,其中,第一裸片的計(jì)算器被配置為計(jì)算構(gòu)成第一溫度信息的最高溫度和最低溫度之間的差,并且輸出所述差來(lái)作為第一溫度偏差信息。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的多芯片封裝,其中,第一裸片包括操作性地連接到溫度傳感器的選擇器,以接收通過(guò)溫度傳感器輸出的信息,所述選擇器被配置為從由溫度傳感器輸出的信息中選擇表示最高溫度或者最低溫度的信息,所述選擇器被操作地連接到計(jì)算器,以將所選擇的信息提供給計(jì)算器,并且所述計(jì)算器被配置為計(jì)算由所選擇的信息表示的溫度和參考溫度之間的差,并且將所述差輸出作為第一溫度偏差信息。15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的多芯片封裝,其中,第二裸片的電路包括存儲(chǔ)器單元陣列,并且所述至少一個(gè)參數(shù)從由陣列的存儲(chǔ)器單元的行的刷新操作的持續(xù)時(shí)間、第二裸片的DC電壓電平、和第二裸片的AC定時(shí)組成的組中選擇。16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的多芯片封裝,其中,第二裸片被配置為存儲(chǔ)與封裝的第一裸片和第二裸片的結(jié)構(gòu)特征相關(guān)聯(lián)的溫度補(bǔ)償系數(shù),第二裸片包括被配置為將溫度補(bǔ)償系數(shù)考慮到第一溫度信息中的計(jì)算器,并且第二裸片的操作控制器被操作地連接到第二裸片的計(jì)算器,以基于第一溫度信息和溫度補(bǔ)償系數(shù)來(lái)控制第二裸片的內(nèi)部操作的至少一個(gè)參數(shù)。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的多芯片封裝,其中,所述第二裸片包括被配置為感測(cè)第二裸片的溫度的至少一個(gè)溫度傳感器,并且 其中,第二裸片的操作控制器被操作地連接到第二裸片的至少一個(gè)溫度傳感器,并且被配置為基于第一溫度信息和通過(guò)第二裸片的至少一個(gè)溫度傳感器輸出的信息來(lái)控制第二裸片的內(nèi)部操作的至少一個(gè)參數(shù),其中,第二裸片被配置為基于第一溫度偏差信息和由第二溫度傳感器感測(cè)的溫度來(lái)控制內(nèi)部操作。18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的多芯片封裝,其中,第二裸片的電路包括存儲(chǔ)器單元陣列。19.一種多芯片封裝,包括: 第一裸片,其具有襯底、第一溫度傳感器,所述第一溫度傳感器跨過(guò)襯底排列,并且感測(cè)其所在處的襯底的區(qū)域的溫度并且分別輸出所感測(cè)的溫度的信息、以及計(jì)算器,所述計(jì)算器操作地連接到溫度傳感器以接收由溫度傳感器所輸出的信息并且被配置為基于由溫度傳感器輸出的信息來(lái)產(chǎn)生第一溫度信息;以及 與第一裸片封裝并且與其電連接的第二裸片的堆棧, 所述第二裸片的每個(gè)具有操作控制器,以及執(zhí)行依賴(lài)于溫度的操作的電路,所述電路被操作地連接到操作控制器,并且 其中,操作控制器被配置為基于第一裸片所產(chǎn)生的第一溫度信息來(lái)控制由第二裸片的電路執(zhí)行的操作的至少一個(gè)參數(shù)。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的多芯片封裝,其中,第二裸片的每個(gè)包括至少一個(gè)溫度傳感器,其被配置為感測(cè)第二裸片的溫度,并且第二裸片的操作控制器被操作地連接到第二裸片的至少一個(gè)溫度傳感器,使得操作控制器基于由第二裸片的至少一個(gè)溫度傳感器輸出的信息來(lái)控制第二裸片的內(nèi)部操作的參數(shù)。
      【文檔編號(hào)】G11C11/406GK106057233SQ201610217725
      【公開(kāi)日】2016年10月26日
      【申請(qǐng)日】2016年4月8日 公開(kāi)號(hào)201610217725.5, CN 106057233 A, CN 106057233A, CN 201610217725, CN-A-106057233, CN106057233 A, CN106057233A, CN201610217725, CN201610217725.5
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