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      信息存儲(chǔ)應(yīng)用技術(shù)
      • 數(shù)據(jù)讀取電路、數(shù)據(jù)讀取方法、芯片、顯卡及電子設(shè)備與流程
        本公開涉及但不限于電子,尤其涉及一種數(shù)據(jù)讀取電路、數(shù)據(jù)讀取方法、芯片、顯卡及電子設(shè)備。、相關(guān)技術(shù)中,芯片的數(shù)據(jù)讀取電路通常設(shè)計(jì)了較多器件,導(dǎo)致后端邏輯綜合布線擁堵的問題,還造成電路面積浪費(fèi)的現(xiàn)象。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、有鑒于此,本公開實(shí)施例至少提供一種數(shù)據(jù)讀取電路、數(shù)據(jù)讀取方法、芯片、顯卡及電子設(shè)...
      • 唱片機(jī)驅(qū)動(dòng)模組、唱片機(jī)及唱片機(jī)的控制方法與流程
        本發(fā)明涉及唱片機(jī),特別是涉及一種唱片機(jī)驅(qū)動(dòng)模組、唱片機(jī)及唱片機(jī)的控制方法。、相關(guān)技術(shù)中,唱片機(jī)在播放黑膠唱片時(shí),需要人為手動(dòng)抬升及轉(zhuǎn)動(dòng)唱臂,以使得唱臂上唱針移動(dòng)到黑膠唱片上方,而且在唱片機(jī)完成黑膠唱片的播放時(shí),也需要人為手動(dòng)抬升及轉(zhuǎn)動(dòng)唱臂,以使得唱臂上的唱針離開黑膠唱片并返回到初始位置上,...
      • 電荷泵電路及其操作方法與流程
        本發(fā)明的實(shí)施例總體涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域,更具體地,涉及電荷泵電路及其操作方法。、半導(dǎo)體集成電路(ic)行業(yè)經(jīng)歷了指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。隨著集成電路的不斷縮小,越來越多的器件被集成到單個(gè)芯片中。這種縮減過程通常通過提高生產(chǎn)效率和降低相關(guān)成本來提供好處。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、本發(fā)明的一實(shí)施例提供了一種電路,包括:第一...
      • 一種可提高磁交換偏置場(chǎng)的復(fù)合材料及其制備方法
        本發(fā)明涉及磁記錄材料領(lǐng)域,具體涉及一種可提高磁交換偏置場(chǎng)的復(fù)合材料及其制備方法。、自年meiklejohn和bean首次在co/coo納米粒子中觀察到交換偏壓(eb)效應(yīng)以來,它受到了基礎(chǔ)研究領(lǐng)域和技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域研究人員的廣泛關(guān)注。在鐵磁/反鐵磁系統(tǒng)中,交換偏壓的典型表現(xiàn)是在外加磁場(chǎng)中,當(dāng)冷...
      • 電子裝置及其存儲(chǔ)器刷新操作的控制方法與流程
        本發(fā)明涉及一種電子裝置及其存儲(chǔ)器的刷新操作的控制方法,且尤其是涉及一種可免除非必要的刷新操作的電子裝置及其存儲(chǔ)器的刷新操作的控制方法。、在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中,為了確定保存數(shù)據(jù)的正確性,存儲(chǔ)單元需要定時(shí)的執(zhí)行刷新(refresh)操作。在已知技術(shù)中,刷新操作可區(qū)分為內(nèi)部自我刷新操作(sel...
      • GNSS芯片合封FLASH異常保護(hù)方法及文件系統(tǒng)與流程
        本發(fā)明涉及gnss,尤其涉及一種gnss芯片合封flash異常保護(hù)方法及文件系統(tǒng)。、現(xiàn)有技術(shù)中,gnss芯片合封flash,將flash作為存儲(chǔ)介質(zhì),存儲(chǔ)固件及運(yùn)行過程中需要保存的參數(shù)。因?yàn)閒lash的特性,?gnss芯片內(nèi)合封的flash,在運(yùn)行過程中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)時(shí),如果外部電源突然斷開,正...
      • 執(zhí)行編程操作的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的制作方法
        本公開涉及電子裝置,并且更具體地,涉及執(zhí)行編程操作的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置。、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置可以形成為其中串被水平地布置在半導(dǎo)體基板上的二維結(jié)構(gòu)或其中串被垂直地層疊在半導(dǎo)體基板上的三維結(jié)構(gòu)。三維存儲(chǔ)器裝置是被設(shè)計(jì)為解決二維存儲(chǔ)器裝置的集成度限制的存儲(chǔ)器裝置,并且可以包括在垂直方向上層疊在半導(dǎo)體...
      • 一種云計(jì)算大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置的制作方法
        本技術(shù)涉及云計(jì)算大數(shù)據(jù),具體為一種云計(jì)算大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置。、云計(jì)算是分布式計(jì)算的一種,指的是通過網(wǎng)絡(luò)“云”將巨大的數(shù)據(jù)計(jì)算處理程序分解成無數(shù)個(gè)小程序,然后,通過多部服務(wù)器組成的系統(tǒng)進(jìn)行處理和分析這些小程序得到結(jié)果并返回給用戶,云計(jì)算早期,簡(jiǎn)單地說,就是簡(jiǎn)單的分布式計(jì)算,解決任務(wù)分發(fā),并進(jìn)行計(jì)...
      • 一種內(nèi)存芯片的測(cè)試裝置和測(cè)試盒的制作方法
        本申請(qǐng)涉及芯片測(cè)試,特別是涉及一種內(nèi)存芯片的測(cè)試裝置和測(cè)試盒。、內(nèi)存芯片在封裝測(cè)試的過程中,需要進(jìn)行系統(tǒng)級(jí)測(cè)試(system?level?test,stl),通過對(duì)內(nèi)存芯片執(zhí)行系統(tǒng)軟件程序,測(cè)試內(nèi)存芯片各個(gè)模塊之間的功能是否正常。、目前內(nèi)存芯片在進(jìn)行系統(tǒng)級(jí)測(cè)試時(shí),需要將其放置在測(cè)試裝置上,...
      • 單端讀取電路、存儲(chǔ)器及其讀取方法與流程
        本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,尤其涉及一種單端讀取電路、存儲(chǔ)器及其讀取方法。、單端讀取操作是常見的存儲(chǔ)器電路設(shè)計(jì),與雙端讀取電路不同,單端口讀取電路僅有一個(gè)輸入電信號(hào)。、參考圖,示出了一種存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)示意圖。、現(xiàn)有技術(shù)中,通過電流強(qiáng)度差異的對(duì)比決定數(shù)據(jù)或的讀取。當(dāng)讀取數(shù)據(jù)時(shí),存儲(chǔ)單元的下拉電流...
      • 一種基于數(shù)據(jù)采集分析服務(wù)的外存儲(chǔ)設(shè)備的制作方法
        本發(fā)明具體涉及一種基于數(shù)據(jù)采集分析服務(wù)的外存儲(chǔ)設(shè)備,屬于外存儲(chǔ)設(shè)備。、外存儲(chǔ)設(shè)備是指除計(jì)算機(jī)內(nèi)存及cpu緩存以外的存儲(chǔ)設(shè)備,這些設(shè)備在斷電后仍能保存數(shù)據(jù),外存儲(chǔ)設(shè)備不僅增強(qiáng)了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的能力,還提供了多樣化的選擇來滿足不同的技術(shù)和業(yè)務(wù)需求。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,外存儲(chǔ)設(shè)備將繼續(xù)演化,為用戶提供...
      • 一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的制作方法
        本技術(shù)涉及硬盤盒,尤其涉及一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備。、大數(shù)據(jù)時(shí)代對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲(chǔ)時(shí)均會(huì)用到硬盤,但是單塊硬盤能夠存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)有限,所以就會(huì)將多塊硬盤放置在一起共同組成數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置,而在放置硬盤時(shí)多通過硬盤盒進(jìn)行盛放。、例如申請(qǐng)?zhí)枮?的專利,公開了一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置,目前這些硬盤盒在放置硬盤時(shí)均是直接將硬...
      • 存儲(chǔ)性能預(yù)測(cè)方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)與流程
        本申請(qǐng)涉及存儲(chǔ)系統(tǒng),特別是涉及一種存儲(chǔ)性能預(yù)測(cè)方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)。、隨著大數(shù)據(jù)時(shí)代的高速發(fā)展,數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)也得到了高度關(guān)注。企業(yè)業(yè)務(wù)發(fā)展,數(shù)據(jù)量將不斷增長(zhǎng),必須確保存儲(chǔ)容量足夠,以滿足企業(yè)的需求。對(duì)于企業(yè)云盤監(jiān)控存儲(chǔ)容量能夠幫助企業(yè)及時(shí)規(guī)劃擴(kuò)容計(jì)劃,避免存儲(chǔ)空間不足的情況發(fā)生。還可以通過...
      • 一種固態(tài)硬盤芯片測(cè)試治具的制作方法
        本技術(shù)屬于測(cè)試治具,具體涉及一種固態(tài)硬盤芯片測(cè)試治具。、固態(tài)硬盤又稱固態(tài)驅(qū)動(dòng)器,是用固態(tài)電子存儲(chǔ)芯片陣列制成的硬盤,整個(gè)固態(tài)硬盤全部是由電子芯片及電路板組成,固態(tài)硬盤芯片加工生產(chǎn)時(shí)需要對(duì)其測(cè)試操作,通常通過測(cè)試治具對(duì)固態(tài)硬盤芯片測(cè)試,且現(xiàn)有的測(cè)試治具為固態(tài)硬盤芯片加工生產(chǎn)時(shí)測(cè)試檢測(cè)使用的設(shè)...
      • 一種固態(tài)硬盤的誤碼率測(cè)試冶具的制作方法
        本技術(shù)屬于服務(wù)器,具體涉及一種固態(tài)硬盤的誤碼率測(cè)試冶具。、隨著時(shí)代的發(fā)展,產(chǎn)品對(duì)信號(hào)速率的需求越來越快,研發(fā)過程中對(duì)信號(hào)完整性的關(guān)注力度也越來越大,而誤碼測(cè)試作為pcie高速信號(hào)質(zhì)量的檢驗(yàn)手段之一,其準(zhǔn)確度對(duì)整個(gè)產(chǎn)品的生命周期都有著十分重要的意義。在高速信號(hào)測(cè)試過程中,為保證信號(hào)的傳輸質(zhì)量...
      • 一種散熱性能優(yōu)的固態(tài)硬盤的制作方法
        本技術(shù)涉及固態(tài)硬盤,具體為一種散熱性能優(yōu)的固態(tài)硬盤。、固態(tài)硬盤簡(jiǎn)稱固盤,固態(tài)硬盤用固態(tài)電子存儲(chǔ)芯片陣列而制成的硬盤,由控制單元和存儲(chǔ)單元組成。固態(tài)硬盤在接口的規(guī)范和定義、功能及使用方法上與傳統(tǒng)硬盤的完全相同,在產(chǎn)品外形和尺寸上也完全與傳統(tǒng)硬盤一致,但其各種性能相對(duì)于傳統(tǒng)硬盤大大提升。被廣泛...
      • 非易失性存儲(chǔ)器裝置及其擦除方法與流程
        本公開涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,尤其涉及一種可改善過擦除的非易失性存儲(chǔ)器裝置及其擦除方法。、在閃速存儲(chǔ)器裝置(例如nor閃速存儲(chǔ)器裝置)的擦除操作期間,當(dāng)以整個(gè)存儲(chǔ)器區(qū)塊為單位執(zhí)行擦除時(shí),其中的存儲(chǔ)單元的閾值電壓的變異可能會(huì)導(dǎo)致某些存儲(chǔ)單元無法被恰當(dāng)?shù)夭脸?,且一些存?chǔ)單元可能具有接近低電壓的閾...
      • 通過模擬憶阻器交叉開關(guān)中的量子衍生并行退火進(jìn)行的有效組合優(yōu)化
        本發(fā)明總體上涉及組合優(yōu)化的領(lǐng)域。更具體地,本發(fā)明涉及提供一種通過模擬憶阻器交叉開關(guān)中的量子衍生并行退火來以更高效率求解組合優(yōu)化問題的替代方案。、組合優(yōu)化問題(cop)在社會(huì)生活和工業(yè)中普遍存在,在包含但不限于計(jì)算機(jī)科學(xué)、工程、化學(xué)、物流和經(jīng)濟(jì)學(xué)的領(lǐng)域中具有各種應(yīng)用。、不幸地,由于隨著問題大...
      • 具有錯(cuò)誤檢測(cè)功能的一次性可編程(OTP)存儲(chǔ)器的制作方法
        本公開大體上涉及otp存儲(chǔ)器,并且更具體地,涉及具有錯(cuò)誤檢測(cè)功能的otp存儲(chǔ)器。、錯(cuò)誤檢測(cè)和校正碼(ecc)通常用于檢測(cè)并在一些情況下校正存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)中的錯(cuò)誤。例如,ecc校驗(yàn)位通常與每個(gè)數(shù)據(jù)字一起產(chǎn)生和存儲(chǔ)。這可針對(duì)存儲(chǔ)在包括otp存儲(chǔ)器在內(nèi)的任何類型的存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)進(jìn)行。然而,...
      • 存儲(chǔ)器件及其操作方法與流程
        本發(fā)明構(gòu)思涉及存儲(chǔ)器件、包括該存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)器系統(tǒng)以及該存儲(chǔ)器件的操作方法。、一般而言,隨著動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dram)制造工藝的小型化進(jìn)步,具有硬缺陷或軟缺陷的存儲(chǔ)單元(即,缺陷單元)的發(fā)生率增大。這里,硬缺陷單元表示具有永久缺陷的存儲(chǔ)單元,而軟缺陷單元表示由于輕微缺陷而暫時(shí)有缺陷的存...
      技術(shù)分類