專利名稱：具有優(yōu)異的抗后曝光延遲效應(yīng)的光致抗蝕劑組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光致抗蝕劑組合物和使用該光致抗蝕劑組合物形成光致抗蝕圖案的方法。更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及一種具有優(yōu)異的抗后曝光延遲效應(yīng)的光致抗蝕劑組合物及一種使用該光致抗蝕劑組合物形成光致抗蝕圖案的方法。
最近，為了在用于制備半導(dǎo)體裝置的微影像形成過(guò)程中達(dá)到高敏感性，對(duì)化學(xué)放大型DUV光致抗蝕劑進(jìn)行了研究。該光致抗蝕劑是通過(guò)將一種光酸產(chǎn)生劑和一種具有酸不穩(wěn)定基的基質(zhì)樹(shù)脂聚合物進(jìn)行混合而制得。
根據(jù)該光致抗蝕劑的反應(yīng)機(jī)制，光酸產(chǎn)生劑當(dāng)其被光源照射時(shí)產(chǎn)生酸，并且該樹(shù)脂的主鏈或支鏈與被分解或交聯(lián)所產(chǎn)生的酸反應(yīng)。樹(shù)脂的極性變化導(dǎo)致在顯影溶液中曝光部分和未曝露部分之間的溶解度差異，以形成一預(yù)定的圖案。
在平版印刷方法中，分辨率因光源的波長(zhǎng)而定-波長(zhǎng)越短，可形成越微小的圖案。
一般，光致抗蝕劑(在此處有時(shí)縮寫為“PR”)必須符合各種要求例如優(yōu)良的抗蝕刻性，抗熱性和粘附性，并且在更優(yōu)選的情況下，其應(yīng)可在2.38重量％的氫氧化四甲銨(TMAH)水溶液中顯影。然而，合成符合全部要求的聚合物是非常困難的。例如，可容易地合成一種具有聚丙烯酸酯主鏈的聚合物，但該聚合物具有差的抗蝕刻性，并且顯影困難。為了確?？刮g刻性，已經(jīng)考慮將一種脂環(huán)族單元加到PR聚合物主鏈。然而，在這種情況下，在制造半導(dǎo)體的方法中會(huì)發(fā)生其它實(shí)際操作的問(wèn)題就是，通過(guò)光致抗蝕劑曝光所產(chǎn)生的酸可與周圍環(huán)境的胺化合物反應(yīng)，因而在曝光和后曝光烘烤(“后曝光延遲效應(yīng)”)的這段時(shí)間內(nèi)，所產(chǎn)生的酸減少。因此，圖案可能會(huì)變形，或所形成的圖案可能具有T-形(例如，圖案的“T-上部”)。因?yàn)楫?dāng)周圍環(huán)境的胺濃度超過(guò)30ppb時(shí)，這些現(xiàn)象變得更嚴(yán)重，所以需要將制造環(huán)境的胺濃度減到最少。
現(xiàn)有技術(shù)有已描述了一些用以克服這些現(xiàn)象的方法。例如，(1)將胺加至PR組合物中，(2)將“新鮮”光酸產(chǎn)生劑加到PR組合物中(參見(jiàn)Frank Houlihan等，光敏聚合物科學(xué)和技術(shù)期刊，11卷，3期，1998，419-430)，和(3)改良PR樹(shù)脂本身(參見(jiàn)J.Byers等人，光敏聚合物科學(xué)和技術(shù)期刊。11卷，3期，1998，465-474)。然而，這些方法需要額外的過(guò)程以控制周圍環(huán)境的胺濃度，因?yàn)樵摲椒ㄖ挥挟?dāng)周圍環(huán)境的胺濃度小于5ppb時(shí)有效，因此造成高制造成本。
本發(fā)明的目的是提供一種在高濃度胺存在下可給出良好光致抗蝕劑圖案的光致抗蝕劑組合物。


圖1到圖13顯示從本發(fā)明具體實(shí)施例獲得的光致抗蝕劑圖案。
圖14為顯示在實(shí)施例11中所獲得的數(shù)據(jù)的曲線圖。
本發(fā)明提供一種光致抗蝕劑組合物，該組合物包括(i)一種光致抗蝕劑聚合物，和(ii)一種賦予組合物剪切稀化特性的非牛頓有機(jī)溶劑。
“剪切稀化特性”表示當(dāng)應(yīng)力作用于材料時(shí)，材料的粘度減少。非牛頓溶劑是一流動(dòng)行為偏離牛頓流體的溶劑，所以剪切速率與相關(guān)應(yīng)力不成比例。
優(yōu)選的非牛頓溶劑包含酮溶劑和酯溶劑。最優(yōu)選的酮溶劑為選自由環(huán)己酮，異丁基甲基酮，2-庚酮，3-庚酮，4-庚酮，環(huán)戊酮，2-甲基環(huán)戊酮，3-甲基環(huán)戊酮，2-甲基環(huán)己酮，3-甲基環(huán)己酮和2，4-二甲基戊酮組成的組中；和最優(yōu)選的酯溶劑為選自由乳酸乙酯和乳酸2-甲氧基乙基酯組成的組中。
可優(yōu)選使用一種主鏈上帶有脂環(huán)族單元的聚合物當(dāng)作本發(fā)明的光致抗蝕劑組合物中的光致抗蝕劑聚合物；最優(yōu)選的聚合物以下列化學(xué)式1表示<化學(xué)式1>
其中a，b，c和d分別表示每個(gè)共聚單體的聚合比。
可優(yōu)選使用硫化物或鎓類化合物作為光酸產(chǎn)生劑。適合的光酸產(chǎn)生劑可為一種或多種選自由六氟化磷酸二苯碘葎、六氟化砷酸二苯碘葎、六氟化銻酸二苯碘葎、三氟甲磺酸二苯基對(duì)甲氧基苯基酯、三氟甲磺酸二苯基對(duì)亞芐基酯、三氟甲磺酸二苯基對(duì)異丁基苯基酯、三氟甲磺酸二苯基對(duì)叔丁基苯基酯、六氟化磷酸三苯基锍、六氟化砷酸三苯基锍、六氟化銻酸三苯基锍、三氟甲磺酸三苯基锍、和三氟甲磺酸二丁基萘基锍所組成的組中的化合物。
為了使用本發(fā)明的光致抗蝕劑組合物形成光致抗蝕劑圖案，將光致抗蝕劑組合物旋轉(zhuǎn)涂覆于硅干膠片上，并“軟烘烤”。然后，使用具有ArF，KrF，E-束，EUV或X射線的曝光設(shè)備將光致抗蝕劑曝光于1至30mJ/cm2的光能量下，然后在大約90℃到170℃的溫度“后烘烤”大約1到5分鐘。然后，將干膠片在顯影溶液中，例如TMAH(氫氧化四甲銨)水溶液，顯影而獲得微圖案，優(yōu)選0.19μm或更低。
本發(fā)明人已發(fā)現(xiàn)改變欲被涂覆的光致抗蝕劑組合物中光致抗蝕劑聚合物分子的三維空間結(jié)構(gòu)可產(chǎn)生一對(duì)于后曝光延遲效應(yīng)具有優(yōu)良穩(wěn)定性的涂布的光致抗蝕劑層。
通常，當(dāng)包含脂環(huán)族單元的光致抗蝕劑樹(shù)脂被涂布至干膠片基材上以形成半導(dǎo)體裝置的光阻層時(shí)，在分子間會(huì)形成許多縫隙。這些縫隙使其容易耗盡因曝光從光致抗蝕劑層所產(chǎn)生的酸且也允許光致抗蝕劑層被胺滲透，該胺與酸反應(yīng)且因此除去所產(chǎn)生的酸。如果后曝光延遲效應(yīng)發(fā)生則不可能形成微圖案，因?yàn)樗a(chǎn)生的酸被滲透在光致抗蝕劑層內(nèi)的周圍胺中和。結(jié)果，當(dāng)光致抗蝕劑層被后-烘過(guò)時(shí)，也就是在高溫烘烤以便在顯影之前擴(kuò)散酸時(shí)，化學(xué)放大不能通過(guò)酸的蒸發(fā)進(jìn)行。
上述問(wèn)題可通過(guò)在根據(jù)本發(fā)明的涂布PR組合物中使用特殊有機(jī)溶劑減少在PR層中的聚合物分子間的縫隙而獲得解決。本發(fā)明非牛頓有機(jī)溶劑賦予光致抗蝕劑組合物剪切稀化特性。一般相信因?yàn)榧羟邢』芤旱木酆衔锓肿邮菫橛矖U狀，橢圓形或螺旋形狀，所以當(dāng)使用本發(fā)明的溶劑時(shí)，上述在聚合物分子間的縫隙被減少。這些形狀平行于剪切方向取向且因此以較緊填充結(jié)構(gòu)涂布，因此在被涂布層中分子間產(chǎn)生很少或甚至沒(méi)有縫隙且即使當(dāng)有后曝光延遲時(shí)也能提供良好的光致抗蝕劑圖案。
本發(fā)明參考下列實(shí)施例更詳細(xì)描述，但是應(yīng)注意的是本發(fā)明不以任何方式限制于這些實(shí)施例中。
在下列實(shí)施例中，所獲得的圖案彼此比較，與使用僅改變光致抗蝕劑組合物的溶劑比較。周圍的胺濃度在下列所有實(shí)施例中保持在30ppb。對(duì)比例1使用牛頓溶劑將(i)上述化學(xué)式1的樹(shù)脂，只包括脂環(huán)族單元(1克)，及(ii)用作光酸產(chǎn)生劑的三氟甲磺酸三苯锍(0.012克)溶解在(iii)丙二醇甲基醚乙酸酯(7克)，牛頓溶劑中，以獲得PR組合物。
在室溫(23℃)將該組合物旋轉(zhuǎn)涂布于以六甲基二硅氮烷預(yù)處理的硅片上，并于150℃烘烤90秒。在烘烤之后，使用ArF激光曝光器曝光90個(gè)經(jīng)涂覆的硅片，對(duì)每個(gè)相繼的經(jīng)涂覆的硅片曝光量增加1mJ/cm2，從10mJ/cm2到100mJ/cm2。然后將這些硅片于140℃烘烤90秒而沒(méi)有后曝光延遲。
當(dāng)烘烤完成時(shí)，將這些硅片在2.38重量％的氫氧化四甲銨(TMAH)水溶液中顯影，但是沒(méi)有獲得圖案，如圖1所示，因?yàn)橛善毓馑a(chǎn)生的酸被存在于曝光器周圍的胺除去。對(duì)比例2使用牛頓溶劑將(i)上述化學(xué)式1的樹(shù)脂(1克)，及(ii)用作光酸產(chǎn)生劑的三氟甲磺酸三苯锍(0.012克)溶解在(iii)3-乙氧基丙酸乙酯(6克)，牛頓溶劑中，以獲得PR組合物。
在室溫(23℃)將此組合物旋轉(zhuǎn)涂布于以六甲基二硅氮烷預(yù)處理的硅片上并于150℃烘烤90秒。在烘烤之后，使用ArF激光曝光器曝光91個(gè)經(jīng)涂覆的硅片，對(duì)每個(gè)相繼的經(jīng)涂覆的硅片曝光量增加1mJ/cm2，從10mJ/cm2到100mJ/cm2。然后將這些硅片于140℃烘烤90秒而沒(méi)有后曝光延遲。
當(dāng)烘烤完成時(shí)，將這些硅片在2.38重量％的TMAH水溶液中顯影，但是沒(méi)有獲得圖案，如圖2所示。實(shí)施例1使用非牛頓溶劑將(i)上述化學(xué)式1的樹(shù)脂(1克)，及(ii)用作光酸產(chǎn)生劑的三氟甲磺酸三苯锍(0.012克)溶解在(iii)乳酸乙酯(6克)，非牛頓溶劑中，以獲得PR組合物。
在室溫(23℃)將此組合物旋轉(zhuǎn)涂布于以六甲基二硅氮烷預(yù)處理的硅片上并于150℃烘烤90秒。在烘烤之后，使用ArF激光曝光器曝光91個(gè)經(jīng)涂覆的硅片，對(duì)每個(gè)相繼的經(jīng)涂覆的硅片曝光量增加1mJ/cm2，從10mJ/cm2到100mJ/cm2。在30分鐘后曝光延遲之后，將這些硅片于140℃再烘烤90秒。
當(dāng)烘烤完成時(shí)，將這些硅片在2.38重量％的TMAH水溶液中顯影，而獲得一0.14μmL/S圖案，如圖3所示。實(shí)施例2使用非牛頓溶劑將(i)上述化學(xué)式1的樹(shù)脂(1克)，及(ii)用作光酸產(chǎn)生劑的三氟甲磺酸三苯锍(0.012克)溶解在(iii)環(huán)己酮(6克)，非牛頓溶劑中，以獲得PR組合物。
在室溫(23℃)將此組合物旋轉(zhuǎn)涂布于以六甲基二硅氮烷預(yù)處理的硅片上并于150℃烘烤90秒。在烘烤之后，使用ArF激光曝光器曝光91個(gè)經(jīng)涂覆的硅片，對(duì)每個(gè)相繼的經(jīng)涂覆的硅片曝光量增加1mJ/cm2，從10mJ/cm2到100mJ/cm2。在30分鐘后曝光延遲之后，將這些硅片于140℃再烘烤90秒。
當(dāng)烘烤完成時(shí)，將這些硅片在2.38重量％的TMAH水溶液中顯影，而獲得一0.13μmL/S圖案，如圖4所示。實(shí)施例3使用非牛頓溶劑重復(fù)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例2的步驟，但是使用乙酸2-甲氧基乙基酯(6克)代替環(huán)己酮(6克)當(dāng)作非牛頓溶劑，獲得一如圖6所示的0.13μmL/S圖案。實(shí)施例4使用非牛頓溶劑重復(fù)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例2的步驟，但是使用2-庚酮(6克)代替環(huán)己酮(6克)當(dāng)作非牛頓溶劑，獲得一如圖6所示的0.16μmL/S圖案。實(shí)施例5使用非牛頓溶劑重復(fù)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例2的步驟，但是使用3-庚酮(6克)代替環(huán)己酮(6克)當(dāng)作非牛頓溶劑，獲得一如圖7所示的0.15μmL/S圖案。實(shí)施例6使用非牛頓溶劑重復(fù)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例2的步驟，但是使用4-庚酮(6克)代替環(huán)己酮(6克)當(dāng)作非牛頓溶劑，獲得一如圖8所示的0.19μmL/S圖案。實(shí)施例7使用非牛頓溶劑重復(fù)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例2的步驟，但是使用異丁基甲基酮(8克)代替環(huán)己酮(6克)當(dāng)作非牛頓溶劑，獲得一如圖9所示的0.13μmL/S圖案。實(shí)施例8使用非牛頓溶劑重復(fù)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例2的步驟，但是使用環(huán)己酮(3克)和異丁基甲基酮(3克)的混合物代替環(huán)己酮(6克)當(dāng)作非牛頓溶劑，獲得一如圖10所示的0.15μmL/S圖案。實(shí)施例9使用非牛頓溶劑重復(fù)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例2的步驟，但是使用環(huán)己酮(3克)和2-庚酮(3克)的混合物代替環(huán)己酮(6克)當(dāng)作非牛頓溶劑，獲得一如圖11所示的0.13μmL/S圖案。實(shí)施例10使用非牛頓溶劑重復(fù)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例2的步驟，但是使用環(huán)己酮(3克)和乙酸2-甲氧基乙基酯(3克)的混合物代替環(huán)己酮(6克)當(dāng)作非牛頓溶劑，獲得一如圖12所示的0.14μmL/S圖案。對(duì)比例3使用牛頓溶劑和脫硫的光酸產(chǎn)生劑將(i)化學(xué)式1(1克)的樹(shù)脂，(ii)當(dāng)作光酸產(chǎn)生劑的三氟甲磺酸三苯锍(0.01克)和(iii)下列化學(xué)式2的脫硫的光酸產(chǎn)生劑(0.01克)溶解在(iv)丙二醇甲基醚乙酸酯(7克)，牛頓溶劑，在大氣壓中具有大于30ppb的胺，獲得PR組合物。
<化學(xué)式2>
在室溫(23℃)將此組合物旋轉(zhuǎn)涂布于以六甲基二硅氮烷預(yù)處理的硅片上并于150℃烘烤90秒。在烘烤之后，使用ArF激光曝光器曝光91個(gè)經(jīng)涂覆的硅片，對(duì)每相繼的經(jīng)涂覆的硅片曝光量增加1mJ/cm2，從10mJ/cm2到100mJ/cm2。然后將這些硅片于140℃再烘烤90秒而沒(méi)有后曝光延遲。
當(dāng)烘烤完成時(shí)，將這些硅片在2.38重量％的TMAH水溶液中顯影，但是沒(méi)有獲得圖案，如圖13所示。
如上述對(duì)比例1，2和3所證明，當(dāng)使用牛頓溶劑時(shí)，即使沒(méi)有后曝光延遲也不能獲得圖案。特別地，在對(duì)比例3中，雖然使用脫硫的光酸產(chǎn)生劑，但在高濃度胺存在下仍不能獲得圖案。
另一方面，當(dāng)使用本發(fā)明的非牛頓溶劑時(shí)，甚至在后曝光延遲之后也能獲得好的圖案。不受理論約束，一般相信當(dāng)PR聚合物與非牛頓溶劑混合時(shí)，PR聚合物分子的結(jié)構(gòu)在剪切下改變成硬桿狀，橢圓形或螺旋形狀，因此允許這些聚合物分子當(dāng)涂布時(shí)緊密地填充在一起且減少在涂布中聚合物分子間的縫隙?？p隙的減少顯著地降低胺滲透至PR層內(nèi)。
本發(fā)明實(shí)施例1-10說(shuō)明如果在光刻工藝過(guò)程中周圍的胺濃度高時(shí)在PR組合物中使用本發(fā)明的非牛頓溶劑更為有效。
其他酮溶劑例如2-甲基環(huán)戊酮，3-甲基環(huán)戊酮，2-甲基環(huán)己酮，3-甲基環(huán)己酮和2，4-二甲基戊酮也可被用以取代在本發(fā)明實(shí)施例1-10中所使用的溶劑，提供一種對(duì)根據(jù)本發(fā)明的后曝光延遲效應(yīng)具穩(wěn)定性的PR組合物。
在下列實(shí)施例11中，測(cè)量使用不同溶劑的PR聚合物溶液的粘度以更詳細(xì)地檢查為什么將PR聚合物溶解在本發(fā)明特定的溶劑中提供一種形成一對(duì)后曝光延遲效應(yīng)穩(wěn)定的PR層的PR組合物的原因。實(shí)施例11在不同剪切速率下測(cè)量包括化學(xué)式1的樹(shù)脂(10克)溶解在四個(gè)40克溶劑中的溶液的粘度；該溶劑分別為(1)2-庚酮，(2)異丁基甲基酮，(3)乙酸2-甲氧基乙基酯和(4)丙二醇甲基醚乙酸酯。樹(shù)脂分子在溶劑中的形狀可通過(guò)比較剪切粘度與剪切速率估計(jì)(如圖14所示)，因?yàn)槌尸F(xiàn)剪切稀化特性的這些溶液為已知具有硬桿狀，橢圓形或螺旋形狀。
圖14所顯示的結(jié)果說(shuō)明對(duì)于后曝光延遲效應(yīng)不穩(wěn)定的丙二醇甲基醚乙酸酯溶液具有牛頓流體的特性，即溶液的粘度對(duì)剪切速率的改變不反應(yīng)。
另一方面，對(duì)后曝光延遲效應(yīng)穩(wěn)定的2-庚酮，異丁基甲基酮，和乙酸2-甲氧基乙基酯具有非牛頓流體的剪切稀化特性，他們的粘度隨剪切速率改變而改變。
這些結(jié)果間接地確立了本發(fā)明的PR組合物的PR聚合物分子的形狀是硬桿狀，橢圓形或螺旋形，并且與對(duì)于后曝光延遲效應(yīng)穩(wěn)定的良好光刻圖案有關(guān)。通過(guò)選擇PR組合物的非牛頓溶劑，PR聚合物采用剪切條件下的形狀，當(dāng)涂布成為PR涂層時(shí)減少了PR聚合物分子間的縫隙，因此抑制胺穿透進(jìn)入涂布的PR層內(nèi)。
再者，因?yàn)閮H通過(guò)選擇特殊溶劑而非使用額外的程序獲得了優(yōu)良的PR圖案，所以本發(fā)明減少了光刻工藝的成本。
權(quán)利要求
1.一種光致抗蝕劑組合物，其包括(i)光致抗蝕劑聚合物和(ii)賦予組合物剪切稀化特性的有機(jī)溶劑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的光致抗蝕劑組合物，該組合物進(jìn)一步包括(iii)光酸產(chǎn)生劑以形成化學(xué)放大型的光致抗蝕劑組合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的光致抗蝕劑組合物，其中有機(jī)溶劑是非牛頓溶劑。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的光致抗蝕劑組合物，其中非牛頓溶劑是酮溶劑或酯溶劑。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的光致抗蝕劑組合物，其中酮溶劑為選自由環(huán)己酮，異丁基甲基酮，2-環(huán)庚酮，3-環(huán)庚酮，4-環(huán)庚酮，環(huán)戊酮，2-甲基環(huán)戊酮，3-甲基環(huán)戊酮，2-甲基環(huán)己酮，3-甲基環(huán)己酮和2，4-二甲基戊酮所組成的組中；和酯溶劑為乳酸乙酯或乳酸2-甲氧基乙基酯。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的光致抗蝕劑組合物，其中光致抗蝕劑聚合物包括在其主鏈中的脂環(huán)族單元。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的光致抗蝕劑組合物，其中光致抗蝕劑聚合物為一種由下列化學(xué)式1表示的化合物
其中a，b，c和d分別表示每個(gè)共聚單體的聚合比。
8.一種形成光致抗蝕圖案的方法，其包括步驟(a)將根據(jù)權(quán)利要求1的光致抗蝕劑組合物涂布于硅干膠片上，(b)通過(guò)使用曝光器將干膠片曝光，和(c)顯影經(jīng)曝光的干膠片。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中光源具有250納米以下的波長(zhǎng)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中曝光步驟(b)是通過(guò)使用選自由ArF(193納米)，KrF(248納米)，E-束，X射線，離子束，EUV和DUV(深紫外光)所組成的組中的光源進(jìn)行。
11.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中顯影步驟(c)是通過(guò)使用堿性顯影溶液進(jìn)行。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中所述的堿性顯影溶液為0.01到5重量％TMAH水溶液。
13.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中在步驟(b)之前及/或之后進(jìn)一步包括烘烤步驟(等)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中烘烤步驟(等)在90-170℃進(jìn)行1-5分鐘。
15.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中在步驟(b)和烘烤步驟之間有一后曝光延遲。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中在后曝光延遲期間周圍胺的濃度超過(guò)30ppb。
17.一種通過(guò)根據(jù)權(quán)利要求8的方法制造的半導(dǎo)體元件。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具有優(yōu)異的抗后曝光延遲效應(yīng)的光致抗蝕劑組合物及一種使用該組合物形成光致抗蝕圖案的方法。更具體地說(shuō),本發(fā)明涉及一種光致抗蝕劑組合物,其包括(i)光致抗蝕劑聚合物和(ii)賦予光致抗蝕劑組合物剪切稀化特性的有機(jī)溶劑,例如非牛頓溶劑;和使用該組合物的光致抗蝕圖案的形成。
文檔編號(hào)H01L21/027GK1264060SQ00102769
公開(kāi)日2000年8月23日 申請(qǐng)日期2000年2月17日 優(yōu)先權(quán)日1999年2月19日
發(fā)明者鄭載昌, 李根守, 盧致亨, 孔根圭, 白基鎬 申請(qǐng)人:現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社