專利名稱：使半導(dǎo)體晶片適于使用液態(tài)導(dǎo)電材料的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種使半導(dǎo)體晶片適于使用液態(tài)導(dǎo)電材料的方法。


圖1顯示一半導(dǎo)體晶片1的表面一部分的頂視圖，而圖2則顯示該半導(dǎo)體晶片1的一部分的剖視圖。如在圖1和圖2中所顯示的一樣，該晶片1具有至少兩個(gè)由一絕緣層12分隔的金屬層10、11，并在其表面上凹設(shè)有數(shù)個(gè)焊墊形成區(qū)13(在圖式中僅顯示一個(gè)焊墊形成區(qū))。每一焊墊形成區(qū)13是由一底壁和周壁形成，使較下的金屬層11鋪設(shè)于焊墊形成區(qū)13的底壁上，而較上的金屬層10是凸露于焊墊形成區(qū)13的周壁上。在鋪設(shè)于焊墊形成區(qū)13底壁上的金屬層11上是以鋁為材料形成一焊墊17。應(yīng)要注意的是，為了保護(hù)該晶片1免于受到靜電放電破壞，在該焊墊17四周設(shè)有接地金屬層16。當(dāng)該晶片1要與外部電路電氣連接時(shí)，是以類似傳統(tǒng)的打線方式于該焊墊上設(shè)置有固態(tài)導(dǎo)電材料14。然而，使用固態(tài)導(dǎo)電材料14的成本相當(dāng)高，在現(xiàn)今競(jìng)爭(zhēng)激烈的環(huán)境下，無疑使競(jìng)爭(zhēng)力大大降低。因此，目前有建議使用成本較低的液態(tài)導(dǎo)電材料。
如圖3所示，為使用液態(tài)導(dǎo)電材料15與外部電路電氣連接的晶片1的一部分的剖視圖。從圖中可見，較上的金屬層10與較下的金屬層11及金屬層10與接地金屬層16會(huì)經(jīng)由該液態(tài)導(dǎo)電材料15短路在一起，因而使整個(gè)晶片1的特性改變，甚至?xí)a(chǎn)生故障。
另一方面，在晶片1的表面上也可能布設(shè)有若干作為接地觸點(diǎn)的導(dǎo)電觸點(diǎn)18，這些導(dǎo)電觸點(diǎn)18也應(yīng)受到保護(hù)以避免與其他電路產(chǎn)生誤連接。
本發(fā)明的目的在于提供一種使半導(dǎo)體晶片適于使用液態(tài)導(dǎo)電材料的方法，既使半導(dǎo)體晶片適于使用液態(tài)導(dǎo)電材料，又使整個(gè)晶片的特性不發(fā)生改變。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種使半導(dǎo)體晶片適于使用液態(tài)導(dǎo)電材料的方法，該半導(dǎo)體晶片具有至少兩由一絕緣層分隔的較上和較下金屬層及在較下金屬層周圍的其他金屬層，在該半導(dǎo)體晶片的表面凹設(shè)有數(shù)個(gè)焊墊形成區(qū)，每一焊墊形成區(qū)由一底壁和周壁形成，使較下的金屬層和其他的金屬層鋪設(shè)于焊墊形成區(qū)的底壁上，而較上的金屬層凸露于焊墊形成區(qū)的周壁上，在鋪設(shè)于焊墊形成區(qū)底壁上的金屬層上是以鋁為材料形成一焊墊，其特征在于該方法包含如下步驟于該晶片的表面及焊墊形成區(qū)內(nèi)布設(shè)絕緣材料；及將位于該焊墊形成區(qū)中央的絕緣材料移去，以致于余下的絕緣材料在該金屬層之間形成隔離層，使當(dāng)液態(tài)導(dǎo)電材料灌注入該焊墊形成區(qū)時(shí)，在金屬層之間不會(huì)出現(xiàn)短路現(xiàn)象。
所述的使半導(dǎo)體晶片適于使用液態(tài)導(dǎo)電材料的方法，其特征在于移去位于該焊墊形成區(qū)中央的絕緣材料的步驟是由一探針完成。
本發(fā)明還提供了一種使半導(dǎo)體晶片適于使用液態(tài)導(dǎo)電材料的方法，該半導(dǎo)體晶片具有至少兩由一絕緣層分隔的較上和較下金屬層及在較下金屬層周圍的其他金屬層，在該半導(dǎo)體晶片的表面凹設(shè)有數(shù)個(gè)焊墊形成區(qū)，每一焊墊形成區(qū)是由一底壁和周壁形成，使較下的金屬層和其他的金屬層鋪設(shè)于焊墊形成區(qū)的底壁上，而較上的金屬層凸露于焊墊形成區(qū)的周壁上，在鋪設(shè)于焊墊形成區(qū)底壁上的金屬層上是以鋁為材料形成一焊墊，其特征在于該方法包含如下步驟提供一鋼板，該鋼板對(duì)應(yīng)于該晶片的每一焊墊形成區(qū)形成有一絕緣體形成孔；于該鋼板的各絕緣體形成孔內(nèi)形成一絕緣體；及將該絕緣體移印至晶片的對(duì)應(yīng)的焊墊形成區(qū)，以致于該絕緣體在該金屬層之間形成隔離層，使當(dāng)液態(tài)導(dǎo)電材料灌注入該焊墊形成區(qū)時(shí)，在金屬層之間不會(huì)出現(xiàn)短路現(xiàn)象。
所述的使半導(dǎo)體晶片適于使用液態(tài)導(dǎo)電材料的方法，其特征在于將該絕緣體移印至晶片的對(duì)應(yīng)的焊墊形成區(qū)的步驟是由移印刷頭完成。
本發(fā)明也提供了一種使半導(dǎo)體晶片適于使用液態(tài)導(dǎo)電材料的方法，該半導(dǎo)體晶片具有至少兩由一絕緣層分隔的較上和較下金屬層及在較下金屬層周圍的其他金屬層，在該半導(dǎo)體晶片的表面凹設(shè)有數(shù)個(gè)焊墊形成區(qū)，每一焊墊形成區(qū)是由一底壁和周壁形成，使較下的金屬層和其他的金屬層鋪設(shè)于焊墊形成區(qū)的底壁上，而較上的金屬層凸露于焊墊形成區(qū)的周壁上，在鋪設(shè)于焊墊形成區(qū)的底壁上的金屬層上是以鋁為材料形成一焊墊，其特征在于該方法包含如下的步驟于晶片的表面和焊墊形成區(qū)布設(shè)有感光材料；將一遮罩置于該晶片之上，該遮罩對(duì)應(yīng)于晶片的焊墊形成區(qū)形成有數(shù)個(gè)貫孔，該遮罩的各個(gè)貫孔對(duì)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的焊墊形成區(qū)的中央；及經(jīng)過曝光過程，將位于焊墊形成區(qū)中央的感光材料移去，以致于余下的感光材料在該金屬層之間形成隔離層，使當(dāng)液態(tài)導(dǎo)電材料灌注入該焊墊形成區(qū)時(shí)，在金屬層之間不會(huì)出現(xiàn)短路現(xiàn)象。
所述的使半導(dǎo)體晶片適于使用液態(tài)導(dǎo)電材料的方法，其特征在于該遮罩為底片。
本發(fā)明再提供了一種適于使用液態(tài)導(dǎo)電材料的半導(dǎo)體晶片，該半導(dǎo)體晶元具有至少兩由一絕緣層分隔的較上和較下金屬層及在較下金屬層周圍的其他金屬層，在該半導(dǎo)體晶片的表面凹設(shè)有數(shù)個(gè)焊墊形成區(qū)，每一焊墊形成區(qū)是由一底壁和周壁構(gòu)成，較下的金屬層和其他的金屬層鋪設(shè)于焊墊形成區(qū)的底壁上，而較上的金屬層凸露于焊墊形成區(qū)的周壁上，在鋪設(shè)于焊墊形成區(qū)的底壁上的金屬層上設(shè)有材料為鋁的一焊墊；其特征在于一絕緣材料，該絕緣材料布設(shè)于該晶片的表面并且沿著各焊墊形成區(qū)的周壁延伸至對(duì)應(yīng)的焊墊形成區(qū)的底壁，在該金屬層之間的該絕緣材料成為當(dāng)液態(tài)導(dǎo)電材料灌注入該焊墊形成區(qū)時(shí)在金屬層之間不會(huì)出現(xiàn)短路現(xiàn)象的隔離層。
采用了上述方法后，本發(fā)明所提供的一種使半導(dǎo)體晶片適于使用液態(tài)導(dǎo)電材料的方法，由于于該晶片的表面和各焊墊形成區(qū)布設(shè)有絕緣材料；及將位于該焊墊形成區(qū)中央的絕緣材料移去，使余下的絕緣材料在該等金屬層之間形成一隔離層，另本發(fā)明中也提供了其它的方法在金屬層之間形成一隔離層，使當(dāng)液態(tài)導(dǎo)電材料灌注入該焊墊形成區(qū)時(shí)，在金屬層之間不會(huì)出現(xiàn)短路現(xiàn)象，如此，使整個(gè)晶片既適于使用液態(tài)導(dǎo)電材料，節(jié)省成本，又使晶片的特性不發(fā)生改變，不會(huì)發(fā)生故障。
下面，結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步詳細(xì)的描述。
圖1為使用固態(tài)導(dǎo)電材料的習(xí)知半導(dǎo)體晶片的表面一部分的頂視圖。
圖2為圖1中沿2-2線的剖視示意圖。
圖3為使用液態(tài)導(dǎo)電材料的習(xí)知半導(dǎo)體晶片的剖視示意圖。
圖4至圖6為本發(fā)明使半導(dǎo)體晶片適于使用液態(tài)導(dǎo)電材料的方法的第一較佳實(shí)施例的各流程的剖視示意圖。
圖7到圖10為本發(fā)明第二較佳實(shí)施例各流程的示意圖。
圖11至圖13為本發(fā)明第三較佳實(shí)施例各流程的示意圖。
在本發(fā)明被詳細(xì)描述之前，應(yīng)要注意的是，在整個(gè)說明當(dāng)中，相同的元件是由相同的標(biāo)號(hào)標(biāo)示。
如圖4所示，顯示了具有與在圖1和圖2中所顯示的晶片相同結(jié)構(gòu)的一半導(dǎo)體晶片1的一部分。該晶片1在其表面上凹設(shè)有數(shù)個(gè)焊墊形成區(qū)I3(在圖3中僅顯示一個(gè)焊墊形成區(qū))。每一焊墊形成區(qū)13是由一底壁和周壁形成，以致于較下的金屬層11是鋪設(shè)于焊墊形成區(qū)13的底壁上，而較上的金屬層10是凸露于焊墊形成區(qū)13的周壁上。在鋪設(shè)于焊墊形成區(qū)13底壁上的金屬層11上是以鋁為材料形成一焊墊。
然后，于該晶片1的表面和焊墊形成區(qū)13內(nèi)是布設(shè)有絕緣材料2。接著，參閱圖5所示，是以一如探針般的工具3將位于該焊墊形成區(qū)13中央的絕緣材料2移去(如圖6中所顯示的一般)。使余下的絕緣材料2在該等金屬層10，11，16之間形成隔離層。如此，當(dāng)液態(tài)導(dǎo)電材料，如摻雜有金、銀、銅、鐵或鋁等的金屬膠，(圖中未示)灌注入該焊墊形成區(qū)13時(shí)，在金屬層10，11之間及在金屬層11與接地金屬層(見圖1)之間則不會(huì)出現(xiàn)短路現(xiàn)象。
另一方面，布設(shè)于該晶片1表面上的導(dǎo)電觸點(diǎn)18受絕緣材料2保護(hù)。
如圖7至圖10所示，為本發(fā)明使半導(dǎo)體晶片適于使用液態(tài)導(dǎo)電材料與外部電路電氣連接的方法的第二較佳實(shí)施例。如在圖7、8中所顯示的一般，首先提供一鋼板4。該鋼板4對(duì)應(yīng)于該晶片的每一焊墊形成區(qū)形成有一成環(huán)狀的絕緣體形成孔40。接著，如在圖9中所顯示的一般，于各絕緣體形成孔40內(nèi)形成一絕緣體41。
最后，利用移印刷頭5把該等絕緣體41移印至晶片1對(duì)應(yīng)的焊墊形成區(qū)13，使該絕緣體41在該等金屬層10，11，16之間形成隔離層，如在圖10中所顯示的一般。當(dāng)液態(tài)導(dǎo)電材料(圖中未示)灌注入該焊墊形成區(qū)13時(shí)，在金屬層10，11之間及在金屬層11與接地金屬層(見圖1)之間是不會(huì)出現(xiàn)短路現(xiàn)象的。
另一方面，布設(shè)于該晶片1表面上的導(dǎo)電觸點(diǎn)18是受絕緣材料2保護(hù)。
圖11至圖13是顯示本發(fā)明使半導(dǎo)體晶片適于使用液態(tài)導(dǎo)電材料的第三較佳實(shí)施例的流程示意圖。如在圖11中所顯示的一般，于晶片1的表面及焊墊形成區(qū)13內(nèi)布設(shè)有感光材料6。接著，參閱圖12所示，如習(xí)知的底片般的一遮罩7是置于該晶片1之上。該遮罩7對(duì)應(yīng)于晶片1的焊墊形成區(qū)13形成有數(shù)個(gè)貫孔70。該遮罩7的各個(gè)貫孔70是對(duì)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的焊墊形成區(qū)13的中央。接著，經(jīng)過傳統(tǒng)的曝光過程，位于焊墊形成區(qū)13中央的感光材料6被移走，使余下的感光材料6在該等金屬層10，11，16之間形成隔離層。如此，當(dāng)液態(tài)導(dǎo)電材料(圖中未示)灌注入該焊墊形成區(qū)13時(shí)，在金屬層10，11之間及在金屬層11與接地金屬層(見圖1)之間則不會(huì)出現(xiàn)短路現(xiàn)象。
另一方面，布設(shè)于該晶片1表面上的導(dǎo)電觸點(diǎn)18是受感光材料6所保護(hù)。
應(yīng)要注意的是，在本實(shí)施例中，該遮罩7可以是屬于“正片”的底片，當(dāng)然，該遮罩7也可以是屬于“負(fù)片”的底片。
權(quán)利要求
1.一種使半導(dǎo)體晶片適于使用液態(tài)導(dǎo)電材料的方法，該半導(dǎo)體晶片具有至少兩由一絕緣層分隔的較上和較下金屬層及在較下金屬層周圍的其他金屬層，在該半導(dǎo)體晶片的表面凹設(shè)有數(shù)個(gè)焊墊形成區(qū)，每一焊墊形成區(qū)由一底壁和周壁形成，使較下的金屬層和其他的金屬層鋪設(shè)于焊墊形成區(qū)的底壁上，而較上的金屬層凸露于焊墊形成區(qū)的周壁上，在鋪設(shè)于焊墊形成區(qū)底壁上的金屬層上是以鋁為材料形成一焊墊，其特征在于該方法包含如下步驟于該晶片的表面及焊墊形成區(qū)內(nèi)布設(shè)絕緣材料；及將位于該焊墊形成區(qū)中央的絕緣材料移去，以致于余下的絕緣材料在該金屬層之間形成隔離層，使當(dāng)液態(tài)導(dǎo)電材料灌注入該焊墊形成區(qū)時(shí)，在金屬層之間不會(huì)出現(xiàn)短路現(xiàn)象。
2.如權(quán)利要求1所述的使半導(dǎo)體晶片適于使用液態(tài)導(dǎo)電材料的方法，其特征在于移去位于該焊墊形成區(qū)中央的絕緣材料的步驟是由一探針完成。
3.一種使半導(dǎo)體晶片適于使用液態(tài)導(dǎo)電材料的方法，該半導(dǎo)體晶片具有至少兩由一絕緣層分隔的較上和較下金屬層及在較下金屬層周圍的其他金屬層，在該半導(dǎo)體晶片的表面凹設(shè)有數(shù)個(gè)焊墊形成區(qū)，每一焊墊形成區(qū)是由一底壁和周壁形成，使較下的金屬層和其他的金屬層鋪設(shè)于焊墊形成區(qū)的底壁上，而較上的金屬層凸露于焊墊形成區(qū)的周壁上，在鋪設(shè)于焊墊形成區(qū)底壁上的金屬層上是以鋁為材料形成一焊墊，其特征在于該方法包含如下步驟提供一鋼板，該鋼板對(duì)應(yīng)于該晶片的每一焊墊形成區(qū)形成有一絕緣體形成孔；于該鋼板的各絕緣體形成孔內(nèi)形成一絕緣體；及將該絕緣體移印至晶片的對(duì)應(yīng)的焊墊形成區(qū)，以致于該絕緣體在該金屬層之間形成隔離層，使當(dāng)液態(tài)導(dǎo)電材料灌注入該焊墊形成區(qū)時(shí)，在金屬層之間不會(huì)出現(xiàn)短路現(xiàn)象。
4.如權(quán)利要求3所述的使半導(dǎo)體晶片適于使用液態(tài)導(dǎo)電材料的方法，其特征在于將該絕緣體移印至晶片的對(duì)應(yīng)的焊墊形成區(qū)的步驟是由移印刷頭完成。
5.一種使半導(dǎo)體晶片適于使用液態(tài)導(dǎo)電材料的方法，該半導(dǎo)體晶片具有至少兩由一絕緣層分隔的較上和較下金屬層及在較下金屬層周圍的其他金屬層，在該半導(dǎo)體晶片的表面凹設(shè)有數(shù)個(gè)焊墊形成區(qū)，每一焊墊形成區(qū)是由一底壁和周壁形成，使較下的金屬層和其他的金屬層鋪設(shè)于焊墊形成區(qū)的底壁上，而較上的金屬層凸露于焊墊形成區(qū)的周壁上，在鋪設(shè)于焊墊形成區(qū)的底壁上的金屬層上是以鋁為材料形成一焊墊，其特征在于該方法包含如下的步驟于晶片的表面和焊墊形成區(qū)布設(shè)有感光材料；將一遮罩置于該晶片之上，該遮罩對(duì)應(yīng)于晶片的焊墊形成區(qū)形成有數(shù)個(gè)貫孔，該遮罩的各個(gè)貫孔對(duì)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的焊墊形成區(qū)的中央；及經(jīng)過曝光過程，將位于焊墊形成區(qū)中央的感光材料移去，以致于余下的感光材料在該金屬層之間形成隔離層，使當(dāng)液態(tài)導(dǎo)電材料灌注入該焊墊形成區(qū)時(shí)，在金屬層之間不會(huì)出現(xiàn)短路現(xiàn)象。
6.如權(quán)利要求5所述的使半導(dǎo)體晶片適于使用液態(tài)導(dǎo)電材料的方法，其特征在于該遮罩為底片。
7.一種適于使用液態(tài)導(dǎo)電材料的半導(dǎo)體晶片，該半導(dǎo)體晶元具有至少兩由一絕緣層分隔的較上和較下金屬層及在較下金屬層周圍的其他金屬層，在該半導(dǎo)體晶片的表面凹設(shè)有數(shù)個(gè)焊墊形成區(qū)，每一焊墊形成區(qū)是由一底壁和周壁構(gòu)成，較下的金屬層和其他的金屬層鋪設(shè)于焊墊形成區(qū)的底壁上，而較上的金屬層凸露于焊墊形成區(qū)的周壁上，在鋪設(shè)于焊墊形成區(qū)的底壁上的金屬層上設(shè)有材料為鋁的一焊墊；其特征在于一絕緣材料，該絕緣材料布設(shè)于該晶片的表面并且沿著各焊墊形成區(qū)的周壁延伸至對(duì)應(yīng)的焊墊形成區(qū)的底壁，在該金屬層之間的該絕緣材料成為當(dāng)液態(tài)導(dǎo)電材料灌注入該焊墊形成區(qū)時(shí)在金屬層之間不會(huì)出現(xiàn)短路現(xiàn)象的隔離層。
全文摘要
一種使半導(dǎo)體晶片適于使用液態(tài)導(dǎo)電材料的方法,該半導(dǎo)體晶片具有至少兩由一絕緣層分隔的較上和較下金屬層及在較下金屬層周圍的其他金屬層,在該半導(dǎo)體晶片的表面凹設(shè)有數(shù)個(gè)焊墊形成區(qū),每一焊墊形成區(qū)由一底壁和周壁形成,于該晶片的表面及焊墊形成區(qū)內(nèi)布設(shè)絕緣材料,并將位于該焊墊形成區(qū)中央的絕緣材料移去,以致于余下的絕緣材料在該金屬層之間形成隔離層,使當(dāng)液態(tài)導(dǎo)電材料灌注入該焊墊形成區(qū)時(shí)在金屬層之間不會(huì)出現(xiàn)短路現(xiàn)象。
文檔編號(hào)H01L21/70GK1328341SQ0010807
公開日2001年12月26日 申請(qǐng)日期2000年6月8日 優(yōu)先權(quán)日2000年6月8日
發(fā)明者沈明東 申請(qǐng)人:群翼科技股份有限公司