專利名稱：對(duì)準(zhǔn)于垂直晶體管的掩埋表面條用的混合5f2單元布局的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及到半導(dǎo)體器件，更確切地說(shuō)是涉及到具有掩埋表面條的垂直晶體管。
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中，已知用垂直晶體管來(lái)減小晶體管器件的總尺寸從而提高這種器件的集成規(guī)模。但常規(guī)的垂直晶體管具有與條形(例如存儲(chǔ)器件與晶體管的柵／漏之間的導(dǎo)電連接)制作相關(guān)的實(shí)際問(wèn)題。
如下面的說(shuō)明，本發(fā)明借助于在垂直晶體管中制作自對(duì)準(zhǔn)的掩埋條而克服了這些問(wèn)題。
因此，本發(fā)明的目的是提供一種結(jié)構(gòu)和方法來(lái)制造集成電路芯片，它包括在水平襯底中的垂直窗口中制作存儲(chǔ)電容器，制作從垂直窗口橫向延伸的導(dǎo)電條，以及制作具有沿垂直表面延伸的溝道區(qū)的晶體管，此垂直表面位于垂直窗口外面并從垂直窗口橫向移位，此晶體管被導(dǎo)電條的擴(kuò)散電連接到存儲(chǔ)電容器。
導(dǎo)電條的制作包括清除存儲(chǔ)電容器周圍的絕緣體的上部以形成條形間隙并用導(dǎo)電材料填充條形間隙。晶體管的制作包括在存儲(chǔ)電容器上方的襯底中光刻制作柵窗口，此柵窗口具有至少一個(gè)從垂直窗口橫向移位的壁，其中，柵窗口的壁包括垂直表面。本發(fā)明還包括在柵窗口中制作第一間隔以及用第一間隔在襯底中制作條形窗口以對(duì)準(zhǔn)條形窗口，其中借助于在條形窗口中形成第二間隔而制作導(dǎo)電條。此工藝還包括清除第一間隔和部分第二間隔以形成臺(tái)階，在鄰近導(dǎo)電條的部分臺(tái)階中形成外擴(kuò)散。柵窗口比條形窗口更寬，從而形成臺(tái)階。
本發(fā)明形成鄰近于垂直表面的柵導(dǎo)體，其中柵導(dǎo)體中的電壓使溝道區(qū)導(dǎo)電，經(jīng)由導(dǎo)電條和外擴(kuò)散區(qū)而電連接晶體管和存儲(chǔ)電容器。
本發(fā)明的另一實(shí)施例包括在水平襯底的垂直窗口中制作存儲(chǔ)電容器，在存儲(chǔ)電容器上方的垂直窗口中制作臺(tái)階，制作沿臺(tái)階下部的導(dǎo)電條，此導(dǎo)電條被電連接到存儲(chǔ)電容器并從垂直窗口橫向延伸，以及制作具有沿臺(tái)階的垂直部分延伸的溝道區(qū)的晶體管，此垂直表面位于垂直窗口外面并從垂直窗口橫向移位，晶體管被導(dǎo)電條的外擴(kuò)散區(qū)電連接到存儲(chǔ)電容器。
導(dǎo)電條的制作包括清除存儲(chǔ)電容器周圍的絕緣體的上部以形成條間隙并用導(dǎo)電材料填充此條形間隙。晶體管的制作包括在存儲(chǔ)電容器上方的襯底中光刻制作柵窗口，此柵窗口具有至少一個(gè)從垂直窗口橫向移位的壁，其中，柵窗口的壁包括垂直表面。晶體管的制作還包括在柵窗口中制作第一間隔以及用第一間隔在襯底中制作條形窗口以對(duì)準(zhǔn)條形窗口，且其中借助于在條形窗口中形成第二間隔而制作導(dǎo)電條。此工藝還包括清除第一間隔和部分第二間隔以形成臺(tái)階，在鄰近第二間隔的部分臺(tái)階中形成外擴(kuò)散。
柵窗口比條形窗口更寬，從而形成臺(tái)階。集成電路芯片的制造還包括制作鄰近于垂直表面的柵導(dǎo)體，其中柵導(dǎo)體中的電壓使溝道區(qū)導(dǎo)電，經(jīng)由導(dǎo)電條和外擴(kuò)散區(qū)而電連接晶體管和存儲(chǔ)電容器。
根據(jù)本發(fā)明的集成電路芯片包括位于水平襯底的垂直窗口中的存儲(chǔ)電容器，具有沿垂直表面延伸的溝道區(qū)的晶體管，此垂直表面位于垂直窗口外面并從垂直窗口橫向移位，以及從垂直窗口橫向移位的導(dǎo)電條，此導(dǎo)電條具有將晶體管電連接到存儲(chǔ)電容器的外擴(kuò)散區(qū)。
集成電路芯片還包括存儲(chǔ)電容器周圍的絕緣體和絕緣體上部中的條形間隙，導(dǎo)電條位于條形間隙中。垂直晶體管包括存儲(chǔ)電容器上方的襯底中的柵窗口，此柵窗口具有至少一個(gè)從垂直窗口橫向移位的壁，其中柵窗口的壁包括垂直表面。集成電路芯片還包括襯底中與柵窗口中的第一間隔對(duì)準(zhǔn)的條形窗口和條形窗口中的第二間隔，其中部分第二條形包含導(dǎo)電條。本發(fā)明還包括由柵窗口和條形窗口中的寬度差形成的臺(tái)階，外擴(kuò)散區(qū)位于鄰近導(dǎo)電條的部分臺(tái)階中。集成電路芯片還包括鄰近于垂直表面的柵導(dǎo)體，其中柵導(dǎo)體中的電壓使溝道區(qū)導(dǎo)電，經(jīng)由導(dǎo)電條和外擴(kuò)散區(qū)而電連接晶體管和存儲(chǔ)電容器。
從參照附圖對(duì)本發(fā)明最佳實(shí)施例的下列詳細(xì)描述，可以更好地了解上述和其它的目的、情況和優(yōu)點(diǎn)，其中

圖1是部分完成的根據(jù)本發(fā)明的垂直晶體管的示意圖；圖2是部分完成的根據(jù)本發(fā)明的垂直晶體管的示意圖；圖3是部分完成的根據(jù)本發(fā)明的垂直晶體管的示意圖；圖4是部分完成的根據(jù)本發(fā)明的垂直晶體管的示意圖；圖5是部分完成的根據(jù)本發(fā)明的垂直晶體管的示意圖；圖6是部分完成的根據(jù)本發(fā)明的垂直晶體管的示意圖；圖7是部分完成的根據(jù)本發(fā)明的垂直晶體管的示意圖；圖8是部分完成的根據(jù)本發(fā)明的垂直晶體管的示意圖；圖9是部分完成的根據(jù)本發(fā)明的垂直晶體管的示意圖；圖10是部分完成的根據(jù)本發(fā)明的垂直晶體管的示意圖；圖11是部分完成的根據(jù)本發(fā)明的垂直晶體管的示意圖；圖12是部分完成的根據(jù)本發(fā)明的垂直晶體管的示意圖；圖13是部分完成的根據(jù)本發(fā)明的垂直晶體管的示意圖；圖14是部分完成的根據(jù)本發(fā)明的垂直晶體管的示意圖；圖15是部分完成的根據(jù)本發(fā)明的垂直晶體管的示意圖；圖16是部分完成的根據(jù)本發(fā)明的垂直晶體管的示意圖；圖17是完成的根據(jù)本發(fā)明的垂直晶體管的示意圖；圖18是部分完成的根據(jù)本發(fā)明的垂直晶體管的示意圖；以及圖19是流程圖，示出了本發(fā)明的最佳方法。
現(xiàn)參照附圖，更具體地說(shuō)是參照?qǐng)D1-18，來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的第一實(shí)施例。更具體地說(shuō)，圖1示出了正面圖，而圖2示出了相同結(jié)構(gòu)的側(cè)面圖。圖1是沿圖2中B-B線的剖面圖，而圖2是沿圖1中A-A線的剖面圖。在所有附圖中，相同的元件被賦予相同的參考號(hào)。
圖1示出了襯底101，例如硅或其它相似的襯底。用諸如濺射、蒸發(fā)之類的常規(guī)方法，在襯底101上制作諸如襯墊氮化物層的襯墊層100。然后用諸如化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)之類的常規(guī)方法，對(duì)襯墊層100進(jìn)行整平。
用常規(guī)光刻掩蔽和腐蝕方法，在襯底101中制作用于存儲(chǔ)電容器的深溝槽102。用諸如NO(氮氧化物)之類的絕緣體對(duì)溝槽102進(jìn)行襯里，以形成節(jié)點(diǎn)介質(zhì)。用諸如硅的局部氧化(LOCOS)之類的熟知工藝，溝槽的上部被襯以諸如氧化物之類的絕緣體104。此處，薄的絕緣體104有時(shí)被稱為“頸圈氧化物”104。然后，用諸如金屬、合金或半導(dǎo)體之類的導(dǎo)電材料103填充溝槽102，最終將形成存儲(chǔ)電容器。然后用諸如濕法或干法腐蝕之類的常規(guī)方法，使導(dǎo)電層103局部凹下。
然后用仍然是氧化物之類的絕緣體107填充溝槽106的上部，以完成存儲(chǔ)電容器。此處，絕緣體107有時(shí)被稱為溝槽頂部氧化物107。然后使溝槽109凹下到襯底101中，以便彼此隔離相鄰的器件。此溝槽109常常被稱為有源區(qū)隔離溝槽。用諸如液相原硅酸四乙酯(LPTEOS)或高密度等離子體(HDP)氧化物之類的絕緣材料110填充此溝槽。然后用例如化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法整平此結(jié)構(gòu)，且淀積并整平上部襯墊層112，以覆蓋此結(jié)構(gòu)。
如圖1和2所討論的那樣，圖3和4分別示出了相同結(jié)構(gòu)的正面圖和側(cè)面圖。圖3是沿圖4中B-B線的剖面圖，而圖4是沿圖3中A-A線的剖面圖。
在圖3和4中，對(duì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行進(jìn)一步加工，包括用如上所述的常規(guī)工藝制作圖3所示的溝槽300(例如柵窗口)。圖4是投影圖，示出了溝槽300的一半。最終用導(dǎo)電材料填充此溝槽以形成集成電路器件中的字線。
以相似的方式，圖5和6示出了結(jié)構(gòu)的正面圖和側(cè)面圖。圖5是沿圖6中B-B線的剖面圖，而圖6是沿圖5中A-A線的剖面圖。用常規(guī)工藝在溝槽300中制作側(cè)壁間隔500。例如，可以在結(jié)構(gòu)上淀積氮化硅或氮氧化物層。然后可以在例如反應(yīng)離子刻蝕(RIE)工藝中腐蝕間隔層500，以便如圖5和6所示形成間隔500。反應(yīng)離子刻蝕工藝對(duì)水平表面的腐蝕比對(duì)垂直表面的腐蝕快得多，從而如圖所示留下間隔500。而且，反應(yīng)離子刻蝕一直延續(xù)到對(duì)結(jié)構(gòu)過(guò)腐蝕，從而形成達(dá)及導(dǎo)體103的條形窗口501。此腐蝕工藝?yán)缈砂寤g。
然后利用選擇性腐蝕工藝來(lái)局部地清除絕緣體110和頸圈氧化物104。例如，這一腐蝕可以包含氯基腐蝕。但如本公開的技術(shù)領(lǐng)域的一般熟練人員所知那樣，可以改變這一腐蝕以適應(yīng)不同類型的絕緣體材料110和104。此腐蝕一直延續(xù)到頸圈氧化物104和絕緣體110被清除到圖6所示的虛線600。如圖8所示，這一選擇性腐蝕還在較大的溝槽501中形成較小的溝槽802。更為重要的是，這一腐蝕工藝清除頸圈氧化物104的上部800，并使頸圈氧化物104的下部801得以保留。此處，頸圈氧化物中的上部窗口800有時(shí)被稱為“條形間隙”800。
圖7和8分別仍然是正面圖和側(cè)面圖。圖7是沿圖8中B-B線的剖面圖，而圖8是沿圖7中A-A線的剖面圖。然后在條形窗口501中淀積導(dǎo)體700，致使導(dǎo)體700與導(dǎo)體103接觸并填充條形間隙800和形成隔離窗口701。用于工藝這一階段的導(dǎo)體700，可以是但不一定必須是與深溝槽導(dǎo)體103所用相同的導(dǎo)體(例如多晶硅)。
圖9和10分別仍然是正面圖和側(cè)面圖。圖9是沿圖10中B-B線的剖面圖，而圖10是沿圖9中A-A線的剖面圖。對(duì)導(dǎo)體700進(jìn)行各向同性腐蝕，以便如圖10所示，從除了條形800之外的所有表面將其清除。借助于留下具有導(dǎo)電材料的區(qū)域800而形成掩埋條800。因此，導(dǎo)體700的各向同性腐蝕被控制(例如借助于時(shí)間、流速等)，使僅僅清除導(dǎo)體700的少量厚度，而在條形間隙700中留下比較深的導(dǎo)體800。
圖11和12分別仍然是正面圖和側(cè)面圖。圖11是沿圖12中B-B線的剖面圖，而圖12是沿圖11中A-A線的剖面圖。注入雜質(zhì)(諸如砷、磷等)，以便對(duì)鄰近于條形800的區(qū)域中的多晶硅101進(jìn)行摻雜，從而形成節(jié)點(diǎn)結(jié)區(qū)1100。能夠用例如掩蔽離子注入或條形間隙800中的導(dǎo)體700進(jìn)行注入的雜質(zhì)，可以包括結(jié)構(gòu)被加熱(例如到900℃)時(shí)擴(kuò)散進(jìn)入襯底的雜質(zhì)。如圖12所示，圖11所示的擴(kuò)散區(qū)1100被連接鄰近紙面下方或上方的條形800。
用諸如熱磷酸之類的選擇濕法或干法腐蝕和HF濕法腐蝕，來(lái)清除襯墊112。然后在所有暴露的硅101表面上生長(zhǎng)犧牲層1101(例如氧化物)。
如前面所述，圖13和14分別是正面圖和側(cè)面圖。圖13是沿圖14中B-B線的剖面圖，而圖14是沿圖13中A-A線的剖面圖。對(duì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行各向同性腐蝕(例如濕法HF或HCl腐蝕)，以便清除足夠的氧化物1101，從而使由不同的柵窗口300和條形窗口501的寬度形成在襯底101中的臺(tái)階1300暴露出來(lái)。臺(tái)階1300將成為垂直晶體管的P型阱區(qū)，并將形成柵導(dǎo)體的基底。用本技術(shù)領(lǐng)域一般熟練人員熟知的方法，對(duì)腐蝕進(jìn)行定時(shí)以限制氧化層1101的清除，以便在隔離窗口701的下部區(qū)域1301中留下氧化物1101。此工藝還留下絕緣體1301作為條形800上的絕緣帽。
圖15和16也分別是正面圖和側(cè)面圖。圖15是沿圖16中B-B線的剖面圖，而圖16是沿圖15中A-A線的剖面圖。圖15和16示出了用例如常規(guī)氧化物生長(zhǎng)方法制作的柵絕緣體(例如氧化物)層1500的制作。然后用諸如化學(xué)汽相淀積(CVD)、濺射、蒸發(fā)之類的常規(guī)淀積方法，淀積諸如金屬、合金或多晶硅之類的導(dǎo)電層1501(例如柵導(dǎo)體層)。
然后，可以用諸如化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)之類的常規(guī)整平方法，對(duì)導(dǎo)電層1501進(jìn)行整平。接著，在導(dǎo)電層1501上可以制作另一個(gè)導(dǎo)電層(例如硅化鎢)1502(例如以降低導(dǎo)電層1501的電阻)。最后，用諸如氮化硅1503的絕緣體覆蓋此結(jié)構(gòu)。
如圖17所示，用常規(guī)光刻掩蔽和腐蝕方法制作柵導(dǎo)體窗口1701。在柵導(dǎo)體窗口1701中注入如上所述的雜質(zhì)，以形成第二擴(kuò)散區(qū)1703。用與上述制作側(cè)壁間隔相同或相似的工藝，沿柵導(dǎo)體窗口1701的柵側(cè)壁制作側(cè)壁間隔1700。淀積柵導(dǎo)體，然后在結(jié)構(gòu)上淀積諸如氧化物或其它相似絕緣體的絕緣體，并如本技術(shù)所知那樣制作接觸孔和位線。
圖18是結(jié)構(gòu)的俯視圖，示出了深存儲(chǔ)溝槽103、條形800和垂直晶體管的壁1300、以及圖17中沿其切出透視圖的A-A線的相對(duì)位置。如圖18所示，導(dǎo)電條800從垂直存儲(chǔ)電容器103橫向延伸。而且，溝道區(qū)1300沿位于垂直存儲(chǔ)電容器103外面且從其橫向移位的垂直表面延伸。
在工作過(guò)程中，一個(gè)柵導(dǎo)體疊層中的電壓引起臺(tái)階1300旁邊的襯底101中的P阱變成導(dǎo)電，在二個(gè)擴(kuò)散區(qū)1100和1703(例如源和漏)之間形成連接。此過(guò)程在接觸位線與存儲(chǔ)器件103之間形成沿條形1300經(jīng)由垂直晶體管通過(guò)條形800的電連接。
圖19是本發(fā)明實(shí)施例的流程圖。更具體地說(shuō)，在步驟1900中制作存儲(chǔ)溝槽102。在步驟1901中，用節(jié)點(diǎn)介質(zhì)和絕緣體104對(duì)存儲(chǔ)溝槽102進(jìn)行襯里，并如步驟1902所示，用導(dǎo)體103填充存儲(chǔ)溝槽102。在步驟1903中，光刻制作柵窗口300。在步驟1904中，制作第一間隔500，并如步驟1905所示制作條形窗口501。在步驟1906中，清除部分絕緣體104以形成條形間隙800。在步驟1907中制作第二間隔700，并在步驟1908中制作隔離窗口701。在步驟1909中，用絕緣材料1101填充隔離窗口701。在步驟1910中，清除第一間隔500和部分第二間隔700以形成臺(tái)階1300。在步驟1911中制作第一擴(kuò)散區(qū)1100，并如步驟1912所示制作柵絕緣層1500。如步驟1913所示制作柵導(dǎo)體1501。在步驟1914中制作第二擴(kuò)散區(qū)1703。在步驟1915中制作第二擴(kuò)散區(qū)1703上的接觸。
如上所述，本發(fā)明以自對(duì)準(zhǔn)方式制作了垂直晶體管的條形800，這避免了與常規(guī)光刻技術(shù)(例如，僅僅柵窗口300用光刻方法制作，臺(tái)階1300和條形間隙800用自對(duì)準(zhǔn)間隔技術(shù)制作)相關(guān)的問(wèn)題。借助于減少光刻加工量，本發(fā)明避免了包括尺寸減小問(wèn)題、對(duì)準(zhǔn)不準(zhǔn)確等等通常與光刻工藝有關(guān)的問(wèn)題。而且，利用本發(fā)明，借助于以這種自對(duì)準(zhǔn)方式制作臺(tái)階1300，擴(kuò)散區(qū)1100、1703與垂直晶體管部分1300之間的間隔非常精確。這使器件能夠制作成更小(使器件更便宜而速度更快)，并減少了缺陷的數(shù)目，這使得產(chǎn)品比常規(guī)結(jié)構(gòu)總體上優(yōu)越得多。
雖然根據(jù)最佳實(shí)施例已經(jīng)描述了本發(fā)明，但本技術(shù)領(lǐng)域的熟練人員可以理解，本發(fā)明可以在所附權(quán)利要求的構(gòu)思與范圍內(nèi)作出修正而加以實(shí)施。
權(quán)利要求
1．一種制造集成電路芯片的方法，它包含在水平襯底的垂直窗口中制作存儲(chǔ)電容器；制作從所述垂直窗口橫向延伸的導(dǎo)電條；以及制作具有沿垂直表面延伸的溝道區(qū)的晶體管，所述垂直表面位于所述垂直窗口外面并從所述垂直窗口橫向移位，所述晶體管被所述導(dǎo)電條的外擴(kuò)散電連接到所述存儲(chǔ)電容器。
2．權(quán)利要求1的方法，其中所述導(dǎo)電條的所述制作包括清除所述存儲(chǔ)電容器周圍的絕緣體的上部，以形成條形間隙；以及用導(dǎo)電材料填充所述條形間隙。
3．權(quán)利要求1的方法，其中所述晶體管的所述制作包含，在所述存儲(chǔ)電容器上方的所述襯底中光刻制作柵窗口，所述柵窗口具有至少一個(gè)從所述垂直窗口橫向移位的壁，其中，所述柵窗口的所述壁包含所述垂直表面。
4．權(quán)利要求3的方法還包含在所述柵窗口中制作第一間隔；以及用所述第一間隔在所述襯底中制作條形窗口，以對(duì)準(zhǔn)所述條形窗口，其中借助于在所述條形窗口中形成第二間隔而制作所述導(dǎo)電條。
5．權(quán)利要求4的方法還包含，清除所述第一間隔和部分所述第二間隔以形成臺(tái)階，在鄰近所述導(dǎo)電條的部分所述臺(tái)階中形成所述外擴(kuò)散。
6．權(quán)利要求5的方法，其中所述柵窗口比所述條形窗口更寬，從而形成所述臺(tái)階。
7．權(quán)利要求1的方法還包含，形成鄰近于所述垂直表面的柵導(dǎo)體，其中所述柵導(dǎo)體中的電壓使所述溝道區(qū)導(dǎo)電，經(jīng)由所述導(dǎo)電條和所述外擴(kuò)散而電連接所述晶體管和所述存儲(chǔ)電容器。
8．一種制造集成電路芯片的方法，它包含在水平襯底的垂直窗口中制作存儲(chǔ)電容器；在所述存儲(chǔ)電容器上方的所述垂直窗口中制作臺(tái)階；制作沿所述臺(tái)階下部的導(dǎo)電條，所述導(dǎo)電條被電連接到所述存儲(chǔ)電容器，并從所述垂直窗口橫向延伸，以及制作具有沿所述臺(tái)階的垂直部分延伸的溝道區(qū)的晶體管，所述垂直表面位于所述垂直窗口外面并從所述垂直窗口橫向移位，所述晶體管被所述導(dǎo)電條的外擴(kuò)散區(qū)電連接到所述存儲(chǔ)電容器。
9．權(quán)利要求8的方法，其中所述導(dǎo)電條的所述制作包括清除所述存儲(chǔ)電容器周圍的絕緣體的上部以形成條形間隙；以及用導(dǎo)電材料填充所述條形間隙。
10．權(quán)利要求8的方法，其中所述晶體管的所述制作包含，在所述存儲(chǔ)電容器上方的所述襯底中光刻制作柵窗口，所述柵窗口具有至少一個(gè)從所述垂直窗口橫向移位的壁，其中，所述柵窗口的所述壁包含所述垂直表面。
11．權(quán)利要求10的方法，還包含在所述柵窗口中制作第一間隔；以及用所述第一間隔在所述襯底中制作條形窗口，以對(duì)準(zhǔn)所述條形窗口，其中借助于在所述條形窗口中形成第二間隔而制作所述導(dǎo)電條。
12．權(quán)利要求11的方法還包含，清除所述第一間隔和部分所述第二間隔以形成所述臺(tái)階，在鄰近所述第二間隔的部分所述臺(tái)階中形成所述外擴(kuò)散。
13．權(quán)利要求12的方法，其中所述柵窗口比所述條形窗口更寬，從而形成所述臺(tái)階。
14．權(quán)利要求8的方法還包含，制作鄰近于所述垂直表面的柵導(dǎo)體，其中所述柵導(dǎo)體中的電壓使所述溝道區(qū)導(dǎo)電，經(jīng)由所述導(dǎo)電條和所述外擴(kuò)散區(qū)而電連接所述晶體管和所述存儲(chǔ)電容器。
15．一種集成電路芯片，它包含位于水平襯底的垂直窗口中的存儲(chǔ)電容器；具有沿垂直表面延伸的溝道區(qū)的晶體管，所述垂直表面位于所述垂直窗口外面并從所述垂直窗口橫向移位；以及從所述垂直窗口橫向延伸的導(dǎo)電條，所述導(dǎo)電條具有將所述晶體管電連接到所述存儲(chǔ)電容器的外擴(kuò)散區(qū)。
16．權(quán)利要求15的集成電路芯片，它包含所述存儲(chǔ)電容器周圍的絕緣體；以及所述絕緣體上部中的條形間隙，所述導(dǎo)電條位于所述條形間隙中。
17．權(quán)利要求15的集成電路芯片，其中所述垂直晶體管包含所述存儲(chǔ)電容器上方的所述襯底中的柵窗口，所述柵窗口具有至少一個(gè)從所述垂直窗口橫向移位的壁，其中所述柵窗口的所述壁包含所述垂直表面。
18．權(quán)利要求17的集成電路芯片，還包含所述襯底中與所述柵窗口中的第一間隔對(duì)準(zhǔn)的條形窗口；以及所述條形窗口中的第二間隔，其中部分所述第二間隔包含所述導(dǎo)電條。
19．權(quán)利要求18的集成電路芯片，還包含由所述柵窗口與所述條形窗口中的寬度差形成的臺(tái)階，所述外擴(kuò)散區(qū)位于鄰近所述導(dǎo)電條的部分所述臺(tái)階中。
20．權(quán)利要求15的集成電路芯片，還包含鄰近于所述垂直表面的柵導(dǎo)體，其中所述柵導(dǎo)體中的電壓使所述溝道區(qū)導(dǎo)電，經(jīng)由所述導(dǎo)電條和所述外擴(kuò)散區(qū)而電連接所述晶體管和所述存儲(chǔ)電容器。
全文摘要
一種用于集成電路芯片的方法和結(jié)構(gòu),它包括:在水平襯底的垂直窗口中制作存儲(chǔ)電容器,制作從垂直窗口橫向延伸的導(dǎo)電條,以及制作具有沿垂直表面延伸的溝道區(qū)的晶體管,此垂直表面位于垂直窗口外面并從垂直窗口橫向移位,此晶體管被導(dǎo)電條的外擴(kuò)散電連接到存儲(chǔ)電容器。
文檔編號(hào)H01L29/78GK1281253SQ00118610
公開日2001年1月24日 申請(qǐng)日期2000年6月16日 優(yōu)先權(quán)日1999年6月23日
發(fā)明者俄爾萊克·格露恩寧, 卡爾·J.·拉登斯 申請(qǐng)人:國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司, 英芬能技術(shù)北美公司