專利名稱：：單片陶瓷電子部件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及電子部件及其制造方法。具體而言，本發(fā)明涉及具有含陶瓷層和內(nèi)電極層的陶瓷元件的單片陶瓷電子部件(monolithicceramicelectroniccomponent)及其制造方法。具有鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)的介電陶瓷材料，如鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鈣等，因其高介電常數(shù)而廣泛用于電容器中。電子部件小型化的趨勢要求具有大靜電電容的小型電容器。介電陶瓷材料用作介電層的常規(guī)單片陶瓷電容器在約1300℃的高溫下燒結(jié)，因此必須使用鈀之類的貴金屬作為內(nèi)電極材料。使用這種昂貴的金屬必然增加電容器的材料成本。為解決上述問題，在單片陶瓷電容器的內(nèi)電極中使用賤金屬取得進(jìn)展，已開發(fā)了各種耐還原性且可在中性和還原性氣氛中燒結(jié)的介電材料以防止燒結(jié)期間電極氧化。在這種情況下，要求單片陶瓷電容器進(jìn)一步減小尺寸和增大容量，為此已開發(fā)了各種技術(shù)用于獲得更高的介電陶瓷材料介電常數(shù)、更薄的介電陶瓷層和更薄的內(nèi)電極層。當(dāng)內(nèi)電極間陶瓷層厚度減小至3μm或更小時，介電陶瓷層和內(nèi)電極層間界面的不平整增大，或介電陶瓷缺陷和孔隙增加，從而降低使用壽命。為了改進(jìn)形成陶瓷層的生陶瓷片的平滑性并提高生陶瓷片的密度，提出了減小粉末狀陶瓷材料粒子體積的提案(公開號為10-223469的日本專利申請)。粒子體積減小時，粉末陶瓷易結(jié)塊，使分散性變差，因此僅通過減小粒徑不足以改進(jìn)生陶瓷片的表面平滑性和密度。而且，在相同組成的情況下，粉末陶瓷的介電常數(shù)隨粒徑減小而減小，從而粒徑減小不適用于高容量的單片陶瓷電容器。內(nèi)電極中使用的金屬粒子的粒徑減小時，該金屬粒子初始繞結(jié)溫度降低，易發(fā)生層間剝離。從而難于把這種金屬粒子用作單片電容器的電極材料。當(dāng)為改善生陶瓷片的表面平滑性而增加陶瓷中有機粘合劑含量時，該生陶瓷片中粉末陶瓷的體積百分比減小且燒結(jié)期間陶瓷元件(薄片)體積收縮率增大。當(dāng)陶瓷元件體積收縮率大時，生陶瓷片上的電極膏的面積也隨其面收縮率的降低而減小。內(nèi)電極中例如鎳等電極材料的體積是常數(shù)，因而與使多層變薄的發(fā)展趨勢相反，內(nèi)電極層的厚度不可避免地增大。在含大量有機粘合劑且具有大面積收縮率的生陶瓷片中，考慮到生陶瓷片的面收縮率，其所使用的電極膏的厚度可減小。但減小厚度會在電極膏中形成氣孔并因電極膏平整性降低而增大電極表面的粗糙度。這些缺陷降低了燒結(jié)后的電極覆蓋范圍(電極有效面積)，從而使產(chǎn)品電特性惡性。上述問題也發(fā)生在單片陶瓷電容器以外的其它各種單元陶瓷電子部件中。本發(fā)明的目的在于提供一種單片陶瓷電子部件及其制造方法，其中，因內(nèi)電極和陶瓷層間的界面光滑而延長使用壽命并在多薄層結(jié)構(gòu)中減少諸如層間剝離和電極彎曲等結(jié)構(gòu)缺陷。根據(jù)本發(fā)明的第1方面，一種單片陶瓷電子部件包括陶瓷元件，該元件包含多個陶瓷層和各自設(shè)置在兩相鄰陶瓷層之間的多個內(nèi)部電極層。在該單片陶瓷電子部件中，各內(nèi)部電極層與陶瓷層間界面的粗糙度等于或小于200nm，且陶瓷層中氣孔發(fā)生率按研磨后切割剖面中的面積計算是1％以下。這種粗糙度和發(fā)生率，改善了內(nèi)電極與陶瓷層間界面的光滑度并減少了薄多層結(jié)構(gòu)中層間剝離及彎曲之類的結(jié)構(gòu)缺陷，因而有助于延長使用壽命。結(jié)果，單片陶瓷電子部件可小型化并呈現(xiàn)優(yōu)越的耐久性。粗糙度Ra超過200nm時，單片陶瓷電子部件使用壽命極短。氣孔發(fā)生率超過1％時，單片陶瓷電子部件的使用壽命也極短。在本發(fā)明中，界面粗糙度是指日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(JIS)B-0601所規(guī)定的中心線平均粗糙度Ra。本發(fā)明單片陶瓷電子部件的試樣包括單片陶瓷電容器、單片陶瓷可變電阻，單片陶瓷壓電部件和單塊基片。在本發(fā)明的單片陶瓷電子部件中，設(shè)置在內(nèi)部電極層之間的各陶瓷層的厚度最好等于或小于3μm。在本發(fā)明中界面粗糙度等于或小于200nm，從而陶瓷層的厚度可減小至3μm或更小，單片陶瓷電子部件可小型化并呈現(xiàn)優(yōu)良的耐久性。而在常規(guī)的單片陶瓷電子部件中，這種薄陶瓷層的使用壽命極短。最好，各內(nèi)電極的厚度處于0．2μm至0．7μm范圍中。關(guān)于內(nèi)電極層，由于在燒結(jié)過程中該層與陶瓷層部分反應(yīng)，其覆蓋范圍(有效電極層)減小，因而厚度小于0．2μm不足以保持內(nèi)電極功能。而厚度超過0．7μm會引起層間剝離，有損單片陶瓷電子部件的功能。內(nèi)電極層的厚度處于0．2μm至0．7μm范圍時，在生產(chǎn)過程中施加的電極膏層沒有氣孔并有光滑表面。而且可減小單片陶瓷電子部件的總厚度。結(jié)果，單片陶瓷電子部件可小型化并呈現(xiàn)高性能、高可靠性和優(yōu)良的耐久性。在本發(fā)明的單片陶瓷電子部件中，內(nèi)電極層可包含賤金屬。在本發(fā)明中盡管使用賤金屬，單片陶瓷電子部件也不會因界面不均勻以及在薄多層結(jié)構(gòu)中層剝離和電極彎曲等結(jié)構(gòu)缺陷而有損使用壽命。因此，在本發(fā)明中使用賤金屬可不破壞可靠性而減少材料成本。但本發(fā)明中也可用貴金屬作為內(nèi)電極材料。根據(jù)本發(fā)明第2方面，上述單片陶瓷電子部件的制造方法包括下述步驟層疊表面粗糙度均等于或小于100nm且備有電極膏層的多塊生陶瓷片從而形成生組合件；壓緊所述生組合件；燒結(jié)所述生組合件以形成陶瓷元件。這里，生片的表面粗糙度如界面粗糙度一樣，是指日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(JIS)B-0601所規(guī)定的中心線平均粗糙度。通過使用表面粗糙度等于或小于100nm的生陶瓷片，界面粗糙度可保持200nm或更小且氣孔發(fā)生率可減小至1％或更小。在該方法中，不備有電極膏層的生陶瓷片也可與備有電極膏層的生陶瓷片層疊。根據(jù)本發(fā)明第3方面，上述單片陶瓷電子部件的制造方法包括下述步驟層疊各備有表面粗糙度等于或小于100nm的電極膏層的多塊生陶瓷片以形成生組合件；壓緊所述生組合件；燒結(jié)所述生組合件以形成陶瓷元件。這里，如同界面粗糙度那樣，電極膏層的表面粗糙度是指日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(JIS)B-0601規(guī)定的中心線平均粗糙度Ra。通過使用表面粗糙度等于或小于100nm的電極膏層，界面粗糙度可保持在200nm或更小且氣孔發(fā)生率可減小至1％或更小。在本發(fā)明方法中，最好生陶瓷片和電極膏層中至少一個的表面施加壓緊光滑處理。通過對陶瓷生片和電極膏層中至少一個表面施加壓緊光滑處理，內(nèi)電極層和陶瓷層間的界面的粗糙度Ra可減小至200nm或更小且缺陷(氣孔)發(fā)生率可減小至1％或更小。在本發(fā)明中，可進(jìn)行壓緊平滑處理如下。生陶瓷片施加壓緊平滑處理，然后其上涂敷電極膏層?；蛘?，電極膏層涂敷在施加壓緊平滑處理的生陶瓷片上，然后層疊體也施加壓緊平滑處理?；蛘?，電極膏層涂敷在不施加壓緊平滑處理的生陶瓷片上，然后，層疊體施加壓緊平滑處理。該壓緊平滑處理可由水壓壓緊法、平板壓緊法或壓延法進(jìn)行。該壓緊平滑處理有助于陶瓷粉粒在生陶瓷片中均勻散布并在燒結(jié)過程中減少氣孔發(fā)生率。在本發(fā)明的方法中，由下式表示的面收縮率最好為25％至35％(A0-A1)／A0×100(％)式中A0表示從生組合件縱向(頂)所觀察的面積，A1表示燒結(jié)后組合件面積。即，在本方法中面收縮率限制在25％至35％的范圍中，其原因如下。(1)面收縮率超過35％時，陶瓷層和內(nèi)電極層的厚度由于面收率而增加。當(dāng)因面收縮率造成的厚度增加而使涂敷的內(nèi)電極層厚度減小時，在內(nèi)電極層中形成氣孔，引起燒結(jié)后靜電電容降低。(2)在含相同直徑的粉粒的漿料中，由六方最密充填的粉粒容積比(72％)計算的陶瓷面收縮率是18％，由立方充填時容積比(52％)計算的面收率是30％。如果具有足夠小直徑的金屬氧化物粒子可充分分散，則因改進(jìn)了粒子的容積比，陶瓷的面收縮率可減小至25％或更小。但在這種情況下，漿料中有機粘合劑的量必須減少。結(jié)果，陶瓷生片的表面粗糙度不希望地增加。因而，本發(fā)明中面收縮率最好為25％至35％。圖1是根據(jù)本發(fā)明第1實施例的單片陶瓷電容器的剖面圖。參照附圖，對示于圖1的單片陶瓷電容器1詳細(xì)敘述本發(fā)明的較佳實施例。該單片陶瓷電容器1是薄片型，包括長方體組合件(陶瓷元件)3、設(shè)置在該長方體組合件3的第1端4上的第1外電極6和設(shè)置在長方體組合件3第2端5上的第2外電極7。長方體組合件3包含介電陶瓷層2、第1內(nèi)電極8和第2內(nèi)電極9。該第1內(nèi)電極8和第2電極9交替設(shè)置在介電陶瓷層2中。第1外電層6連接第1內(nèi)電極8，而第2外電極7連接第2內(nèi)電極9。在外電極6和7上分別形成鍍層10和11。下面敘述該單片陶瓷電容器的制造方法。(1)預(yù)定量的鈦酸鋇之類的粉末陶瓷材料與改良劑濕式混合后使其干燥，從而制備粉末混合物。通常使用粉末狀氧化物或碳化物作為改良劑。(2)有機粘合劑和溶劑添加至粉末混合物以制備陶瓷漿。展延該陶瓷漿形成用于陶瓷層2的生陶瓷片。生陶瓷片的厚度設(shè)置成燒結(jié)后為3μm或3μm以下。通過水壓壓緊法、平板壓緊法或壓延法，壓緊生陶瓷片以減小其表面粗糙度。該壓緊平滑處理使生陶瓷片表面光滑并使其密度均勻從而減少燒結(jié)期間形成空隙。(3)然后，通過絲網(wǎng)印刷等方法在生陶瓷片上形成內(nèi)電極8或9的電極膏薄膜(導(dǎo)電膏薄膜)。電極膏薄膜的厚度設(shè)置成使燒結(jié)后內(nèi)電極厚度為0．2至0．7μm。電極膏由金屬粉末、粘合劑和溶劑的混合物組成。金屬粉末最好平均直徑為10至200nm。這種細(xì)金屬粉末可由例如高壓均化器均勻分散。作為一個例子，電極膏可包含鎳粉、乙基纖維素類粘合劑和萜品醇之類的溶劑。用絲網(wǎng)印刷法在生陶瓷片上形成電極膏從而形成電極膏層。與生陶瓷片一樣，可進(jìn)行壓緊平滑處理以減小電極膏層的表面粗糙度Ra并使密度均勻。(4)具有上述電極膏層的多塊生陶瓷片與其它生陶瓷片層疊并壓緊，如果需要，該層疊體可切割成預(yù)定大小。由此制備了生組合件3，其中內(nèi)電極8和9分別暴露在端4和5。(5)在還原氣氛中燒結(jié)生組合件3。(6)向燒結(jié)后的組合件(陶瓷元件)3的第1和第2端4和5分別涂敷導(dǎo)電膏然后焙燒，形成第1和第2外電極6和7，該外電極6和7分別電連接至第1和第2內(nèi)電極8和9的暴露端。不限定外電極6和7的材料，可與內(nèi)電極8和9的材料相同或不同。(7)如果需要，可用由Ni、Cu或Ni-Cu合金構(gòu)成的鍍層10和11分別覆蓋外電極6和7。而且，為改進(jìn)焊接性能，可用由釬料或錫構(gòu)成的第2鍍層12和13覆蓋鍍層10和11。(1)用水壓法制備鈦酸鋇(BaTiO3)粉末作為陶瓷原料粉末，該粉末在800℃、875℃或950℃下煅燒，分別形成平均直徑為98nm、153nm或210nm的鈦酸鋇粉粒。(2)向鈦酸鋇粉粒添加鏑(Dy)、鎂(Mg)、錳(Mn)和硅(Si)的粉末狀氧化物，制備陶瓷組合物。(3)按表1所示比例，向各陶瓷組合物添加聚乙烯醇縮丁醛(PVB)粘合劑，鄰苯二甲酸二辛酯(DOP)增塑劑和乙醇與甲苯混合物的溶劑?；旌衔餄袷椒稚⒑螅蒙澳肽シㄊ?jié){料充分分散。表1<tablesid="table1"num="001"><table>陶瓷面收縮率(％)陶瓷粉粒(重量百分比)PVB+DOP總量(重量百分比)溶劑(乙醇+甲苯)(重量百分比)201006．9(=4．9+2．0)200251009．1(=7．1+2．0)2003010011．5(=9．5+2．0)2003510014．5(=12．0+2．5)2004010017．7(=12．2+2．5)200</table></tables>陶瓷漿料可用粘碾磨法(Visco-mill)或高壓均化器分散法代替球碾磨法來分散。(4)用刮漿刀展開陶瓷漿從而形成生陶瓷片。如表1所示，改變PVB和DOP的總量可改變陶瓷元件3的面收縮率。當(dāng)鈦酸鋇粉粒直徑為210nm、153nm或98nm時，生陶瓷片的表面粗糙度Ra分別為228nm、162nm和120nm。(5)用平板壓制機在500kg／cm2壓力下壓緊生陶瓷片。在壓緊光滑處理后，生陶瓷片的表面粗糙度Ra從228nm、162nm、120nm分別降至143nm、97nm和48nm。(6)接著用汽相還原法(對200nm)、氫電弧法(對85nm)和液相還原法(對45nm)制備平均直徑為200nm、85nm和45nm的球狀鎳粉粒。把42(重量)％的鎳粉粒、通過把6(重量)％乙基纖維素粘合劑溶入94(重量)％萜品醇所得到的44(重量)％有機媒液、14(重量)％萜品醇，用球碾磨或砂碾磨充分混合，形成鎳電極膏。與陶瓷漿料同樣，該膏也可用粘碾磨或高壓均化器分散。通過絲網(wǎng)印刷法，用具有不同厚度的絲網(wǎng)圖案在生陶瓷片上涂敷鎳電極膏，在生陶瓷片上形成厚度為0．15μm至0．50μm的電極膏層。用X射線厚度計確定每個生陶瓷片的厚度。當(dāng)鎳粉粒直徑分別為200nm、85nm和45nm時，電極膏層的表面粗糙度Ra各為187nm、132nm和112nm。(8)用平板壓制機在500kg／cm2的壓力下壓緊有電極膏的各生陶瓷片。在壓緊光滑處理后，生陶瓷片的表面粗糙度Ra分別從187nm、132nm和112nm降至110nm、76nm和50nm。(9)層疊并壓緊多塊生陶瓷片使電極膏薄膜交替地暴露于兩端，分割該層疊體以形成預(yù)定大小的生組合件(生片)。(10)在氮氣氛中生組合件加熱至300℃以去除粘合劑，再在最高溫度1200℃、氧分壓為10-9至10-12MPa的氫-氮-水還原氣氛中燒結(jié)2小時。(11)含B2O3-Li2O-SiO2-BaO的熔融玻璃的銀膏涂敷至燒結(jié)組合件的兩端，在氮氣氛中以600℃焙燒，形成與內(nèi)電極電連接的外電極。這樣制得的單片陶瓷電容器寬度為5．0mm、長度為5．7mm、厚度為2．4mm，介入內(nèi)部電極間的各陶瓷層厚度為5μm、3μm或1μm。單元片陶瓷電容器包含5個有效介電陶瓷層，每個內(nèi)部電極層的有效面積(相對面積)是16．3×10-6m2。試樣評價各單片陶瓷電容器的組合結(jié)構(gòu)、電特性和可靠性評價如下。通過對單片陶瓷電容器試樣切片剖面的掃描電子顯微照相所作的圖形分析，確定內(nèi)電極和陶瓷層界面的粗糙度Ra。也通過顯微照相的圖形分析確定陶瓷層中缺陷(孔隙)的發(fā)生率。用原子力顯微鏡測量20μm正方形面積確定生陶瓷片和電極膏層的表面粗糙度Ra。用掃描電子顯微鏡分析單片陶瓷電容器切片試樣研磨后的剖面圖形，確定內(nèi)電極和陶瓷層的厚度。還用掃描電子顯微鏡觀察研磨剖面中有無離層(層間剝離)。用自動橋式計按日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(JIS)5102測量靜電電容量和介電損耗(tgδ)，從測得的靜電電容量計算比介電常數(shù)(εr)。作為高溫負(fù)荷試驗，施加10V直流電壓，在150℃溫度下測量絕緣電阻隨時間變化。在高溫負(fù)荷試驗中，當(dāng)絕緣電阻變?yōu)?05歐姆或更小時認(rèn)為該試樣失效并由此確定50個試樣平均使用壽命。結(jié)果示于表2和表3，其中星號(*)表示該試樣在本發(fā)明范圍外。表3本發(fā)明范圍外的試樣1中，內(nèi)電極層和陶瓷層間的界面粗糙度Ra超過200nm且氣孔發(fā)生率(面積百分率)超過1％，平均使用壽命(可靠性)極短。陶瓷生片和電極膏層的表面粗糙度分別是228nm和187nm。在本發(fā)明范圍外的試樣2至4中，每個生陶瓷片和電極膏層施加平滑處理。其表面粗糙度Ra減小且氣孔發(fā)生率也降低。但平均使用壽命仍短。在本發(fā)明范圍外的試樣5中，生陶瓷片和電極膏層的表面粗糙度Ra分別是162nm和132nm。界面的粗糙度Ra超過200nm，氣孔發(fā)生率超過1％，平均使用壽命短。在本發(fā)明范圍外的試樣6和7中，生陶瓷片或電極膏層兩者之一施加平滑處理。在試樣6中，僅生陶瓷片施加光滑處理，雖然氣孔發(fā)生率小于1％，但因內(nèi)電極層和陶瓷層間界面的粗糙度Ra，平均使用壽命短。在試樣7中，使電極膏層施加光滑處理，氣孔發(fā)生率和界面粗糙度均在本發(fā)明范圍外，平均使用壽命短。在符合本發(fā)明的試樣8中，生陶瓷片和電極膏層均施加光滑處理，其表面粗糙度Ra小于100nm。內(nèi)電極層和陶瓷層間的界面粗糙度Ra小于200nm，氣孔發(fā)生率小于1％，因而電容器的平均壽命延長。在試樣9中，生陶瓷片和電極層均未施加平滑處理，但界面粗糙度Ra小于200nm，氣孔發(fā)生率小于1％。這樣，平均使用壽命延長。在試樣10中，僅生陶瓷片施加光滑處理，界面粗糙度Ra小于200nm，氣孔發(fā)生率小于1％。平均使用壽命延長。在試樣11中，僅電極膏層施加光滑處理，界面粗糙度小于200nm，氣孔發(fā)生率小于1％。平均使用壽命延長。在試樣12中，生陶瓷片和電極膏層均施加光滑處理，其表面粗糙度Ra小于100nm，而且內(nèi)電極層與陶瓷層間的界面粗糙度Ra小于100nm，氣孔發(fā)生率小于0．5％。電容器的平均使用壽命進(jìn)一步延長。于是，當(dāng)內(nèi)電極層與陶瓷層間界面的粗糙度Ra等于或小于200nm且氣孔發(fā)生率等于或小于1％時，可獲得高可靠的單片陶瓷電容器。在生陶瓷片的表面粗糙度Ra等于或小于100nm且由印刷在生陶瓷片上形成的電極膏層的表面粗糙度Ra等于或小于100nm時，內(nèi)電極層和陶瓷層間界面的粗糙度Ra在200nm以下。生陶瓷片和電極膏層的壓緊平滑處理對使界面、生陶瓷片表面、電極膏層表面平滑和減少陶瓷層氣孔發(fā)生率是有效的?，F(xiàn)在說明在試樣12的基礎(chǔ)上，除表面和界面粗糙度外還改變陶瓷面收縮率的情況。在試樣13至22中，陶瓷面收縮率是20％、25％、30％或40％。在所有試樣中，內(nèi)電極層和陶瓷層間界面的粗糙度Ra均小于200nm，平均使用壽命延長。如試樣21和22那樣，面收縮率是40％時，內(nèi)電極層的厚度和陶瓷層的厚度趨于增加。而且，因為體積收縮率大，容易產(chǎn)生層間剝離。在面收縮率為20％時片中粘合劑量低，因而雖然內(nèi)電極層厚度和陶瓷層厚度保持在不大的層次上，但生陶瓷片的表面粗糙度Ra及內(nèi)電極層與陶瓷層間界面的粗糙度Ra增大。結(jié)果，單片陶瓷電容器的可靠性趨于降低。低的粘合劑含量因片間粘合惡化而易于層間剝離。這些結(jié)果提示陶瓷的面收縮率最好位于25％至35％范圍中。在試樣23至31中，陶瓷層的厚度變化至5μm、3μm或1μm。單片陶瓷電容器的可靠性高度取決于陶瓷層(介電陶瓷層)的厚度和每單位厚度粒料數(shù)。通常，介電陶瓷層厚度和粒料數(shù)增大時，可靠性增加。但是，由于單片陶瓷電容器的片尺寸限制，介電陶瓷層的厚度大對較多層的疊置(高電容量)不利。在試樣23至25中，陶瓷層厚度是5μm，在試樣26至28中是3μm，在試樣29至31中為1μm。在陶瓷層厚度為5μm或3μm的情況下，內(nèi)電極與陶瓷層間界面粗糙度Ra小于200nm，且氣孔發(fā)生率小于1％時，平均使用壽命延長。在陶瓷層厚度為1μm的情況下，界面粗糙度Ra小于100nm，尤其是100nm時，平均使用壽命延長且可靠性高。在試樣23至31中，試樣23、26和29在本發(fā)明范圍外，其中界面粗糙度Ra超過200nm，平均使用壽命短。因而，在陶瓷層厚度等于或小于3μm時，內(nèi)電極層與陶瓷層間界面的粗糙度Ra是特別有效的參數(shù)。在試樣中，單片陶瓷電容器包括由鈦酸鋇構(gòu)成的介電陶瓷層和由鎳構(gòu)成的內(nèi)電極層。介電陶瓷層可由鈦酸鍶和鈦酸鈣等其它鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)的材料構(gòu)成。內(nèi)電極層可由Pd、Ag、Ag-Pd和Cu等其它材料構(gòu)成。本發(fā)明也可用于各種單片陶瓷電子部件，如單片陶瓷可變電阻，單片陶瓷壓電部件和單塊基片及上述單片陶瓷電容器。權(quán)利要求1．一種單片陶瓷電子部件，它包括含多個陶瓷層和多個各自設(shè)置在兩相鄰陶瓷層間的內(nèi)電極層的陶瓷元件；其特征在于，各內(nèi)電極層和陶瓷層間界面的粗糙度等于或小于200nm，所述陶瓷層中氣孔發(fā)生率按研磨后切割剖面中的面積計算是等于或小于1％。2．如權(quán)利要求1所述的單片陶瓷電子部件，其特征在于，設(shè)置在所述內(nèi)電極層間的各陶瓷層的厚度等于或小于3μm。3．如權(quán)利要求1所述的單片陶瓷電子部件，其特征在于，每個所述內(nèi)電極層的厚度處于0．2至0．7μm范圍中。4．如權(quán)利要求1至3中任一所述的單片陶瓷電子部件，其特征在于，所述內(nèi)電極層包含賤金屬。5．一種權(quán)利要求1至4中任一所述的單片陶瓷電子部件的制造方法，其特征在于，它包括下述步驟層疊表面粗糙度均等于或小于100nm且備有電極膏層的多塊生陶瓷片從而形成生組合件；壓緊所述生組合件；燒結(jié)所述生組合件以形成陶瓷元件。6．一種權(quán)利要求1至4中任一所述的單片陶瓷電子部件的制造方法，其特征在于，它包括下述步驟層疊各備有表面粗糙度等于或小于100nm的電極膏層的多塊生陶瓷片以形成生組合件；壓緊所述生組合件；燒結(jié)所述生組合件以形成陶瓷元件。7．如權(quán)利要求5或6所述的單片陶瓷電子部件的制造方法，其特征在于，各陶瓷生片和電極膏層中的至少一個的表面施加壓緊平滑處理。8．如權(quán)利要求5至7中任一所述的單片陶瓷電子部件的制造方法，其特征在于，由下式表示的所述面收縮率為25％至35％(A0-A1)／A0×100(％)式中，A0表示從生組合件縱向所觀察的面積，A1表示燒結(jié)后組合件的面積。全文摘要一種單片陶瓷電子部件具有含多個陶瓷層和多個內(nèi)電極層的陶瓷元件。每個內(nèi)電極層設(shè)置在兩相鄰陶瓷層之間。各內(nèi)電極層和陶瓷層間界面的粗糙度等于或小于200nm,且陶瓷層中氣孔發(fā)生率按研磨后切割剖面中的面積計算是1%以下。該單片陶瓷電子部件可是單片陶瓷電容器、單片陶瓷可變電阻、單片陶瓷壓電部件或單塊基片。文檔編號H01C7/00GK1294395SQ0013301公開日2001年5月9日申請日期2000年10月27日優(yōu)先權(quán)日1999年10月28日發(fā)明者山名毅,宮崎孝晴申請人:株式會社村田制作所