專利名稱：加工半導體晶片用的壓力噴射機及方法
背景技術：
本發(fā)明總體涉及一種加工半導體晶片用的壓力噴射機及方法，尤其涉及一種改進半導體晶片平坦性，同時提供具有拋光的正面和損傷的背面的半導體晶片的壓力噴射機及方法，以便接下來的晶片加工中引入外在吸氣。
半導體晶片通常由單晶晶塊如硅晶塊制成，經(jīng)過修整和研磨使它具有一個或多個平面以便在后來的工序中作成取向合適的晶片。然后把晶塊切成單片晶片，它們各自經(jīng)許多晶片成形或加工工序以便降低晶片厚度，除去切片操作引發(fā)的損傷并形成高反射的表面。
在常規(guī)的晶片成形工序中，先通過諸如邊緣研磨操作把每一片晶片的周邊整圓，以降低下一工序中晶片受損的風險。接著，要把相當?shù)囊徊糠植牧蠌拿科恼?、反面除去以消除切片操作帶來的表面損傷，并使相反的正、反兩面平坦且平行。材料的去除是使晶片的正、反面通過常規(guī)的研磨操作(用含有磨蝕顆粒的研磨漿料)，或常規(guī)的磨削操作(用其中嵌有磨蝕顆粒的盤)，甚至研磨、磨削操作兩者的組合來完成的。然后，把每一片晶片用化學腐蝕劑腐蝕以進一步減少晶片的厚度，除去研磨和/或磨削操作產(chǎn)生的機械損傷。
最后，把每一片晶片的正面用拋光墊和用一種含有磨蝕顆粒的拋光漿料和一種化學腐蝕劑拋光，從每一片晶片的正面除去少量材料。這種拋光操作可除去腐蝕操作帶來的損傷，在每一片晶片上形成高反射且無損傷的正面。
在確定半導體晶片的加工質量中，晶片的平坦性對用戶來說是一個關鍵的參數(shù)，因為晶片均勻性對下一步的使用和從晶片切割的半導體芯片的質量有著直接的影響；平坦度可用多種測量方法確定。例如，“錐度”是測量晶片未拋光的反面和選擇的焦點平面之間平行度的不足的，“SITR”或Site Total Indicated Reading(位置總體指示數(shù))是指對于晶片一個選擇的部分(例如1平方厘米)而言位于選擇的焦點平面上的最高點和焦點平面下的最低點之差，它常常是一個正數(shù)?！癝FPD”或SiteFocal Plane Deviation(位置焦點平面偏差)是指作為晶片的選擇部分(例如1平方厘米)其所選定焦點平面上面的最高點或下面的最低點，可以是負數(shù)或正數(shù)?！癟TV”或Total Thickness Variation(總體厚度變化)在整體平坦度偏差的測量中是頻繁使用的，它是晶片的最大厚度與最小厚度之差。TTV在晶片中也是晶片拋光質量的一個重要標志。
在晶片平坦性問題上，上述常規(guī)的半導體晶片加工方法存在許多缺點。例如，在酸基腐蝕劑中腐蝕通常會使研磨或磨削操作產(chǎn)生的平坦性變壞。此外，單面拋光操作其平坦性能是不一致的，它首先取決于正被拋光的晶片的形狀。單面拋光操作是一個單面平面化的工藝，其平坦化能力是有限的。
為了克服這種限制并滿足對更均勻的晶片的需求，一種雙面拋光操作已成為晶片生產(chǎn)所備選的拋光工藝。在雙面拋光操作中，晶片的正、反兩面是同時受到拋光的，因而材料的去除是一致地在晶片的兩個面上發(fā)生的。通常，雙面拋光所用的設備含有在拋光漿料對晶片作業(yè)時其旋轉方向相反的兩片逆向旋轉著的墊板(晶片每側各一個)。雖然，雙面拋光操作通常會使正面和幾乎不留損傷的反面得到同等的拋光，但發(fā)現(xiàn)無法使用戶滿意，因為在晶片的背面缺少外在吸氣部位(extrinsicgettering site)。用戶反而情愿晶片有一個拋光過的正面以及一個表面下?lián)p傷的反面，以便在接下來的加工操作中去引入外在吸氣。
在常規(guī)工藝中，晶片的表面必須經(jīng)過單面拋光操作，而晶片的反面在快速熱退火(RTA)以使施主熱湮滅以前，如果需要的話，以及在單面拋光以前則必須經(jīng)過一個損傷操作。RTA傾向于減少原先在反面引入的損傷量，并且在單面拋光操作中也會引入翹曲。
發(fā)明概述在本發(fā)明的幾個目的中可以注意到，提出了一種可用于改善晶片平坦性的半導體晶片加工方法；提出了這樣一種使已處理的晶片各有一個已拋光且通常無損傷的正面，以及一個已充分受到損傷以便在接下來的晶片加工中引入外在吸氣的反面的方法；以及提出了一種簡單易行的方法。
在本發(fā)明進一步的目的中可以注意到，提到了一種壓力噴射機，它在晶片的反面被壓力噴射而充分受損，以便在接下來的晶片加工中引入晶片的外在吸氣，而同時可保護晶片的正面。
一般，按本發(fā)明所述的方法在加工從單晶晶塊切得的晶片時包括對晶片的正、反面實施研磨操作，降低晶片厚度，除去切割晶片時帶來的損傷。然后對該晶片作腐蝕操作，即把晶片浸入化學腐蝕劑，進一步降低晶片厚度并進一步除去研磨操作后遺留的損傷。接著，該晶片再經(jīng)過一個雙面拋光操作，即同時并均勻地從晶片的正、反面除去些材料以把研磨和腐蝕操作帶來的損傷去掉，從而改善晶片的平坦性，留下拋光過的正面和反面。最后，再對晶片的反面實施反面損傷性操作，即正面得到充分保護以避免受損傷或變粗糙的情況下，在晶片的反面引入損傷。
本發(fā)明有一個用在壓力噴射機上的裝置，它通常包含一個晶片夾具，它各有一個上端和下端以便于坐落在壓力噴射機的支撐面上，而刻壓力噴射機除了有一個用于在機內(nèi)支撐晶片的晶片支撐面外，還有一個噴嘴，通過它磨蝕漿料可從嘴中噴出射向晶片，至少在晶片的一個表面上引入損傷。該晶片夾具做得可以在其內(nèi)安放一晶片，通常沿水平方向于壓力噴射機支撐面上方一定間距地把晶片支撐起來，晶片的一面朝上并且暴露在從噴嘴中射出的磨蝕漿料之下，而晶片的另一面朝下且被晶片夾具支住，不與壓力噴射機的支撐面進行損傷性接合。
本發(fā)明的其他目的和特性將會部分地表明并在下文中部分地指出。


圖1是用于具體表示本發(fā)明第一個實施例半導體晶片制造方法的流程圖；圖2是用于具體表示本發(fā)明第二個實施例半導體晶片制造方法的流程圖；
圖3是本發(fā)明的一個裝置用在壓力噴射機內(nèi)支撐機內(nèi)的晶片的一個示意圖。
圖1說明一種按照本發(fā)明所述加工半導體晶片的方法。半導體晶片是用諸如常規(guī)的內(nèi)徑鋸或常規(guī)的線絲鋸從一塊單晶晶塊上切下來的，它有一個預定的原始厚度。切下來的晶片一般呈盤狀，有一個圓的周邊和相對著的正、反兩面。每片晶片的原始厚度大體上要比預期最后或最終厚度大些，以便于下一加工操作中在不冒損傷或斷裂晶片的風險下，允許把晶片材料從正、反兩面除去。切割后，必須對晶片進行超聲清洗，除去因切割操作而附著在晶片上的顆粒狀材料。晶片的周邊然后用常規(guī)的邊緣磨床(未示出)成型(如弄圓)，減少下一步加工中晶片受損傷的風險。
接著，晶片在常規(guī)的研磨機上用一種含有磨抖顆粒的研磨漿料從晶片的正、反兩面除去些材料。研磨操作實際上是用于減少晶片厚度，以便消除晶片切割操作帶來的損傷，使正、反面兩面平坦且平行。如圖1所示，可以用一個常規(guī)的磨削操作代替或結合研磨操作，在該研磨操作中，用一個內(nèi)嵌磨料顆粒的研磨盤來對正、反面進行磨削。然后，該晶片被完全浸沒在諸如常規(guī)的含有45％(重量比)KOH或NaOH的腐蝕性蝕刻溶液的化學腐蝕劑受到腐蝕，從晶片的正、反兩面除去額外的材料，從而減少在前面加工操作中產(chǎn)生的損傷。本領域技術人員將知道，晶片在酸基腐蝕劑中經(jīng)受一次浸蝕操作傾向于破壞在磨削或研磨操作中達到的晶片平坦性。
在浸沒腐蝕后，晶片要放在常規(guī)的雙面拋光機(未示出)中同時對該晶片的正、反兩面拋光，消除前加工操作中產(chǎn)生的損傷。這種常規(guī)機器之一是Peter Wolters制造的以Double-Side Polisher AC2000(雙面拋光機AC2000)的型號命名的。該機器包含一個旋轉的下臺板，它有一個由拋光墊限定的拋光面，以及一個坐落在拋光墊上，相對下臺板和拋光墊可旋轉的載體。這些晶片被支撐在載體上，每一晶片的正面接合于拋光墊。一塊第二拋光墊與晶片正面面向相反地裝在一上臺板上。該上臺板與一電機的驅動軸相連，該驅動軸使上臺板和拋光墊相對于晶片載體和下臺板轉動。該驅動軸能沿著縱軸上下移動，它用來把第二拋光墊一直移到與晶片反面相互拋光接合，因而該晶片被夾在兩塊拋光墊之間。
當雙面拋光操作時，一種常規(guī)的內(nèi)含磨料顆粒的拋光漿料和一種化學腐蝕劑被加在這些拋光墊和晶片之間。一種優(yōu)選的拋光漿料是特拉華州Wilmington的DuPont制造的，具商品名稱Syton HT50。這些拋光墊使?jié){料對晶片兩面產(chǎn)生作用，同時而均勻一致地從晶片的正、反面兩面除去些材料，以消除研磨和腐蝕操作產(chǎn)生的許多損傷，顯著地改善晶片的平坦性，產(chǎn)生出正、反面都拋光的晶片。
由于損傷已從反面以及正面被予以消除，在晶片反面存在少量的吸氣部位，這種少量是不希望有的。為此晶片反面必須做一次反面損傷操作，該操作是在晶片反面而不是正面進行，受損傷后為后續(xù)處理操作提供晶片外在吸氣的吸氣部位。在圖1所示的第一實施例中，晶片正面用保護層屏蔽并把晶片放到壓力噴射機中，在其中晶片反面經(jīng)受一次常規(guī)的壓力噴射操作以在晶片反面引入損傷。一種優(yōu)選的晶片正面掩蔽方法是用一條保護帶覆蓋在正面上。一種該保護帶是Minnesota的Minneapolis的Minnesota Mining and Manufacturing公司生產(chǎn)的，型號命名為3M495。例如，該帶厚度最好在0.1-1mm范圍內(nèi)。保護帶粘在晶片正面，在反面損傷操作后可以接著取走。
可以預料，除了貼帶外，在壓力噴射操作時，常規(guī)的遮掩技術也可為晶片正面提供一層保護層而不超出本發(fā)明范圍。例如，光致抗蝕膜也可用在正面上。諸如一種AZ Electronic有限公司制造的光致抗蝕膜，型號命令為AZ1512。薄膜的厚度最好在0.1-0.5mm范圍內(nèi)。另一方面，正面也可涂覆玻璃膜。表面可用玻璃材料涂覆使玻璃在表面上固化。玻璃在反面損傷操作后接著被溶解。一種玻璃材料由密歇根的Midland的Dow Chemical制造，商標名為Cyclotene。玻璃薄膜的厚度最好約在0.1-1mm范圍內(nèi)。
壓力噴射操作是把每一晶片放在常規(guī)的壓力噴射機(未示出)中來完成的。一種優(yōu)選的壓力噴射機是日本Ikuro的Mitsubishi MaterialsCorp生產(chǎn)的型號命名為CO4。晶片放在噴射機的一條移動著的傳動帶(未示，但與圖3中示意地示出的傳動帶相似)上，晶片已受保護的正面向下臥在傳動帶上，反面則向上暴露著。晶片移動著通過一個小室，其中從噴嘴中(未示，與圖3示意地示出的噴嘴相似)以設定的壓力向晶片反面灑出一種由水和磨料顆粒混合物組成的漿料。顆粒以足夠的力量對著晶片反面作用以在反面引入損傷。在噴射壓力把晶片往下壓向傳動帶時，蓋在正面的保護層保護著正面不與壓力噴射機傳動帶損傷接合。噴射漿料中的磨料顆粒優(yōu)選使用礬土或二氧化硅顆粒，兩者皆可從日本的Fujimi Co.獲得。例如，顆粒的大小在約1～10微米范圍內(nèi)。漿料內(nèi)顆粒的濃度接近按重量0.5％～20％。磨蝕漿料被增壓到約1-20psi噴向晶片反面，其持續(xù)時間約20～200秒。
在反面損傷操作后，保護層從晶片正面去掉。例如，若保護層是保護帶則可簡單地把它從晶片上剝離。若保護層是光致抗蝕膜，施加化學溶劑從膜上把它溶去。一種優(yōu)選的溶劑是AZ Electronic Corp制造的，商標名為AZ S-L6 Stripper。玻璃晶片同樣可通過把化學溶劑加到膜上的方法來溶解掉。一種優(yōu)選的溶解玻璃膜的溶劑是由Ohio的Columbus的Ashland Chemical Inc生產(chǎn)的，商標名為HF。然后晶片要進行清潔，最后對晶片正面要進行一次常規(guī)的精拋光操作，這是把晶片放在單面拋光機中，晶片正面用常規(guī)的內(nèi)含磨蝕顆粒的拋光漿料拋光，從而制得一片正面無損傷、高反射的晶片。
繼續(xù)參閱圖1，代替在雙面拋光操作后對晶片正面使用保護層，在壓力噴射時，晶片在傳送帶(更一般地，壓力噴射機的一個“支撐表面”)上以間隔關系放置也可使晶片正面得到保護。這可以避免使正面受到通常是在噴灑時將晶片猛烈地向下壓到傳送帶的壓力引起的損傷。圖3示意地說明了在壓力噴射操作時，位于壓力噴射機傳送帶23上方用于支持晶片W的一種優(yōu)選的晶片夾具21.壓力噴射機的一些具體部件，諸如在滾軸25上的傳送帶23，和噴嘴27，使之為了描述本發(fā)明起見而作了示意性說明，其中內(nèi)含磨料顆粒和去離子水的磨料漿料就是從噴嘴27中噴射出來的。壓力噴射機的制造和操作是常規(guī)的，是本領域技術人員公知的，在此不作進一步描述，但晶片夾具21除外必須予以必要描述。
晶片夾具21通常是截頭圓錐形，它有一個高端33和一個低端35。晶片夾具21其低端35的直徑要顯著小于由晶片夾具21支撐著的晶片W的直徑。晶片夾具21其高端33的直徑要顯著大于晶片W的直徑以便把晶片容納入夾具。在晶片夾具21的側邊有一個或多個槽(未示出)從高端33向下延伸，晶片可容易地向下插入到夾具中并使?jié){料從夾具排出。晶片夾具21最好用聚氨酯或聚丙烯(PP)，聚氯乙烯(PVC)，聚偏二氟乙烯(PVDF)，聚苯硫(PPS)，共聚體聚氯乙烯(CPVC)或特氟隆或不銹鋼。但是，可以理解，晶片夾具21也可用其他材料制成仍在本發(fā)明范圍之內(nèi)。
繼續(xù)參閱圖3，在操作中，晶片夾具21放在壓力噴射機的傳送帶23上，其低端35坐落在壓力噴射機的傳送帶23上。晶片W，或者手動或者自動地，被晶片W的正面向下地經(jīng)晶片夾具21的高端33下落，一直到晶片坐落于夾具內(nèi)，使它相隔地位于傳送帶23和晶片夾具21低端35的上方。在作壓力噴射操作時，從嘴27射出的磨料漿料對著晶片W的反面沖擊以便在反面引入損傷。晶片夾具21在傳送帶23上方支撐著晶片以把晶片W的正面保護起來，從而防止高壓噴射將晶片壓向傳送帶。因此，晶片正面不會由于接觸到傳送帶而被裂斷或受另外的損傷。
圖2說明的是本發(fā)明工藝的第2個實施例，其中，反面損傷操作是通過把晶片放入一個常規(guī)的單面拋光機來實現(xiàn)的。一種優(yōu)選的壓面拋光是由R.Howard Strasbaugh，Inc.。制造的，型號為6DZ。晶片是通過在一個陶瓷塊上加一蠟層而固定在該陶瓷塊上，晶片的正面粘在塊上，因而就可保護正面免受損傷或變粗，同時晶片反面則被暴露著。該塊放在機器的轉臺上，晶片的反面則與一個拋光墊的拋光表面相接觸。有一個拋光頭裝在機器上，它可以沿著一根一直可伸到陶瓷塊的軸作縱向移動。
當轉盤旋轉時，拋光頭就向著陶瓷塊移動以把該塊推向轉臺，從而壓晶片反面使之與拋光墊的拋光表面進行拋光接合。一種含有磨蝕顆粒和去離子水的磨料漿料加到拋光墊和晶片之間。一種優(yōu)選的磨蝕漿料是由日本Fujimi公司生產(chǎn)的型號為FO1200。存在于漿料中的顆粒是礬土顆粒。但可以理解，二氧化硅顆粒、金剛石顆?；蚱渌线m的磨蝕顆粒都可以用于代替礬土顆粒、而不超越本發(fā)明的范圍。拋光墊使?jié){料對晶片反面進行加工以便在晶片反面引入損傷。為了引入預期的損傷，含在漿料中的顆粒必須在尺寸上顯著大于單面拋光操作所用的常規(guī)拋光漿料中含的顆粒。例如，內(nèi)含在磨蝕漿料中的顆粒用于引入損傷時最好在約1-10微米的范圍內(nèi)。顆粒在磨蝕拋光液中的濃度最好在重量比的約0.5～20％之間。
在圖2的實施方式中，用一個磨蝕墊去代替拋光墊就不必再使用磨料蝕漿料。一種優(yōu)選的磨蝕墊是由Minnesota Mining and ManufacturingCompany of Minneapolis，Minnesota生產(chǎn)的商品命名是3M的二氧化鈰墊。該磨蝕墊做成有隆起的脊，最好用二氧化鈰構成并與墊組成一體。在操作中，陶瓷塊受移動向下朝向轉臺，因此就壓晶片反面與磨蝕墊上隆起的脊進行研磨接合以便在晶片反面引入損傷。冷卻水加在磨蝕墊和晶片之間。單面拋光機最好在磨蝕壓力約小于2psi的條件下持續(xù)操作均20-200秒。
在反面損傷操作后，晶片從陶瓷塊上脫離并經(jīng)歷常規(guī)的清潔操作把晶片弄干凈。最后，晶片正面經(jīng)歷常規(guī)的精拋光操作以制得一個具有無損傷、高反射的正面的晶片。
實例1
約有十個直徑皆約為8英寸的硅半導體晶片按照圖2中說明且已如上描述的方法加工。尤其是，在雙面拋光操作后，這些晶片經(jīng)歷一個反面損傷操作，在操作中，它們是放在上述單面拋光機中的。一種3M二氧化鈰磨蝕墊和水被用于在晶片反面引入損傷。單面拋光機在1.7psi拋光壓力下持續(xù)工作60秒。對一個晶片的反面進行氧化引起堆垛層錯(OISF)計數(shù)。OISF是用于確定接下來外在吸氣的可能效率的一個測量值。OISF計數(shù)在10,000～40,000數(shù)/厘米2范圍則一般是用戶所期望的。被分析的晶片經(jīng)反面損傷操作后其OISF值約在29700數(shù)/厘米2，在所期望范圍內(nèi)。
因此，可以看出，本發(fā)明所述幾個目的已經(jīng)達到而且獲得了其他有益的結果。
晶片在浸沒腐蝕操作后通過雙面拋光使晶片的平坦性與常規(guī)的只用一種單面拋光方法加工出的晶片的均勻性相比有了顯著的改進。使晶片反面經(jīng)受一次反面損傷操作就可充分地使反面受損以供接下來的外在吸氣使用。在反面損傷操作時，作為保持晶片正面的一種方法，可以在壓力噴射操作時用保護性涂層來涂覆正面，也可在壓力噴射操作時把晶片支撐在壓力噴射機傳動板上方，或者在單面拋光機中把晶片正面用蠟安裝在陶瓷塊上，都可使反面引入損傷而通過雙面拋光操作正面的平坦性或拋光特性少降或不降。
上述方法可以進行各種修改而不偏離本發(fā)明。上述描述和附圖所示意在說明而無限制意義。
權利要求
1.一種加工切自單晶晶塊且具有正、反面的半導體晶片的方法，所述方法依次包含下述步驟(a)使晶片的正、反面經(jīng)受一次研磨操作以降低晶片厚度，除去切割晶片時帶來的損傷；(b)使晶片經(jīng)受一次腐蝕操作，在該操作中晶片浸在一種化學腐蝕劑中以進一步降低晶片厚度，進一步除去研磨操作后留下的損傷；(c)使晶片經(jīng)受一次雙面拋光操作，在該操作中材料同時且均勻地從晶片的正、反面除去以便均勻地把研磨和腐蝕操作帶來的損傷除去，由此改善晶片的平坦性并留下拋光的正面和反面；以及(d)使晶片反面經(jīng)受一次反面損傷操作，在該操作中在晶片反面引入損傷而正面得到充分保護不受損傷或變粗。
2.根據(jù)權利要求1的方法，其中反面損傷操作包含下述步驟(a)把一個保護層加到晶片正面；(b)把晶片放在壓力噴射機中，而使晶片反面暴露；(c)操作壓力噴射機，把含有磨蝕顆粒的一種漿料噴向晶片反面，顆粒對晶片反面的作用在晶片反面引入損傷，而加在晶片正面的保護層則充分地防止由漿料引起的晶片正面的損傷或變粗。
3.根據(jù)權利要求2的方法，其中所述的保護層是保護帶、光致抗蝕膜和玻璃薄膜中的任一種。
4.根據(jù)權利要求1的方法，其中所述的反面損傷操作包含下列步驟(a)把晶片放在壓力噴射機中，使晶片的反面暴露著，而晶片則被支撐在壓力噴射機中，使其正面基本上不與壓力噴射機有任何接合；以及(b)操作壓力噴射機，把含有磨蝕顆粒的一種漿料噴向晶片反面，顆粒對晶片反面的作用在晶片反面引入損傷，而晶片正面的支撐使得正面不與壓力噴射機有任何接合，這充分地防止由漿料對正面的損傷或變粗。
5.根據(jù)權利要求4的方法，其中所述晶片放置于配置在壓力噴射機中的晶片夾具中，該晶片夾具可在壓力噴射機支撐面上方以相隔關系支撐晶片，所述用于支撐晶片的晶片夾具使晶片反面面向上且暴露著，晶片正面則面向下并基本上不與壓力噴射機的支撐表面接合。
6.根據(jù)權利要求1的方法，其中所述反面損傷操作包含如下步驟(a)用蠟把晶片正面固定到單面拋光機內(nèi)使用的塊體上；(b)把該塊放在單面拋光機的一個拋光墊上，使晶片反面被暴露并面向該拋光墊，以及(c)操作該單面拋光機對晶片反面進行研磨，當晶片反面引入損傷時晶片正面得到蠟層和塊的充分保護而免受損傷和變粗。
7.根據(jù)權利要求6的方法，其中所述的操作單面拋光機對晶片反面作研磨的步驟包括把一種磨蝕漿料加到拋光墊和晶片反面之間，該磨蝕漿料含有大小適合于對晶片反面引入損傷的磨蝕顆粒。
8.根據(jù)權利要求6的方法，其中所述的拋光墊是一種研磨墊，它有脊狀隆起能夠在單面拋光機作業(yè)時在晶片反面引入損傷。
9.一種用于加工具有一個正面和一個反面的晶片的壓力噴射機，該壓力噴射機包括一個用于在壓力噴射機內(nèi)支撐晶片的支撐表面；一個用于在足夠的壓力下向晶片噴射磨蝕漿料以便在晶片上引入損傷的噴嘴；以及一個晶片夾具，它有一個高端和一個適合于坐落于壓力噴射機支撐表面上的低端，該晶片夾具做得能把晶片安裝在它里面，并且在壓力噴射機支撐表面上方以相間隔的關系沿基本水平方向支撐起該晶片，使得晶片的一個表面面向上方暴露于從噴嘴中噴射出的磨蝕漿料，晶片的另一表面則面向下被晶片夾具支撐著以避免與壓力噴射機的支撐表面損傷性接合。
10.根據(jù)權利要求6所提出的一種壓力噴射機，其中該晶片夾具基本是截頭圓錐形，晶片夾具低端的直徑要明顯小于晶片的直徑，以便晶片得以在壓力噴射機支撐表面和晶片夾具低端的上方以相隔開的關系放入晶片夾具內(nèi)，晶片夾具高端的直徑明顯大于晶片的直徑以用于把晶片裝入到晶片夾具中去。
全文摘要
一種用于加工切自單晶晶塊的半導體晶片的方法,含有使晶片的正、反面經(jīng)受一次研磨操作以降低晶片的厚度并除去在晶片受切時產(chǎn)生的損傷的步驟。該晶片然后再經(jīng)腐蝕操作以進一步降低晶片的厚度和進一步除去在研磨操作后留下的損傷。該晶片接著經(jīng)受一次雙面拋光操作以均勻地從正、反面除去研磨和腐蝕操作產(chǎn)生的損傷,從而改善晶片的平坦性并留下已拋光的正、反兩面。最后,晶片的反面要經(jīng)受一次反面損傷操作以便在正面受到充分保護而避免受到損傷或變粗的情況下在晶片反面引入損傷。本發(fā)明的一種壓力噴射機包含一個晶片夾具,它把晶片支撐在壓力噴射機內(nèi)使得晶片反面暴露于噴出的磨蝕漿料,正面由夾具相隔開地支撐在該機的一個支撐表面上方以防止該支撐表面和晶片正面之間的損傷性接合。
文檔編號H01L21/304GK1345465SQ00805533
公開日2002年4月17日 申請日期2000年2月22日 優(yōu)先權日1999年3月25日
發(fā)明者云－彪·辛, 吉村一郎, 亨利·F·厄爾克, 拉爾夫·V·瓦杰爾吉桑, 斯蒂芬·W·亨西克 申請人:Memc電子材料有限公司