專利名稱：超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種能量儲存裝置的封裝方法，特別是涉及一種超電容(Ultracapacitor)能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法。
電池是將一定形式能量不經(jīng)過中間機(jī)械轉(zhuǎn)換過程而直接轉(zhuǎn)換為電能的電源裝置。電容是儲存電荷的電子元件。一般而言，電池的儲存能量高但輸出功率低，而電容的儲存能量低但輸出功率高。因此電池被視為一種電能的「能量儲存器」，而電容則是「功率儲存器」，各自在不同的用途上為人們所運(yùn)用。
隨著3C(電腦、通訊與消費(fèi)性電子產(chǎn)品)時(shí)代的來臨，多功能、高效率、短小輕薄的電子產(chǎn)品在人們的日常生活中隨處可見，例如筆記本電腦、移動(dòng)電話、隨身聽。為滿足電子產(chǎn)品可攜帶且長時(shí)間使用的要求，充足的可攜式能源供應(yīng)即成為關(guān)鍵性問題，但傳統(tǒng)的電池及電容的組合顯然已無法滿足要求。于是一種新能量儲存裝置——超電容(Ultracapcitor)因此孕育而生。
傳統(tǒng)電容器是以絕緣材料(insulating material)或電介質(zhì)(dielectric)夾于兩導(dǎo)體之間來達(dá)到分離的效果，其電容現(xiàn)象是將導(dǎo)體表面的電荷分離而產(chǎn)生的。
超電容能量儲存裝置所采用「電化雙層」(electrochemical doublelayer，簡稱EDLC)則沒有分離的材料來建立電介質(zhì)層，其充電與能量儲存是發(fā)生在電化雙層的界面(interface)。超電容可達(dá)到遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)電容技術(shù)的能量密度(energy density)，以及超高的功率密度(powerdensity)。相較于傳統(tǒng)的電池，其可釋出百倍于電池的功率，儲存二十倍以上的電能。
目前，超電容能量儲存裝置已由實(shí)驗(yàn)階段成功進(jìn)入小量商品應(yīng)用，其產(chǎn)品應(yīng)用也由國防衛(wèi)星及軍事特殊用途，而逐漸邁向汽車、機(jī)電工業(yè)與通訊電子產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品。
請參照

圖1A和圖1B，其表示出了公知的超電容能量儲存裝置的結(jié)構(gòu)及其制法。
美國專利第5384685、5464453、5711988、5800857、5821033、5825610號，以及臺灣專利公告第283273、284921號所提出的方法，是在兩電極片11之間夾置兩密合墊(gasket)12，其間同時(shí)夾置一條塊13，而形成一堆疊結(jié)構(gòu)10。密合墊是采用高分子膠體制作成膜，再割取所需形狀而成。其中電極片11內(nèi)面的高表面積被覆層16上可形成有適當(dāng)之微突起17以幫助支撐與絕緣該兩電極片11。
然后，加熱使兩密合墊12軟熔(reflow)而使兩電極片11及兩密合墊12相粘結(jié)，并在堆疊結(jié)構(gòu)10內(nèi)部形成密封的空隙15。
待冷卻至室溫后抽出條塊13即在堆疊結(jié)構(gòu)10側(cè)面形成一填充端口14，再將電解液由該填充端口14填入該堆疊結(jié)構(gòu)10內(nèi)部的空隙15，之后將填充端口14密封即完成一蓄電單元的封裝。
然而，上述蓄電單元的封裝方法必須先以高分子膠體制作成膜并割取所需形狀而形成密合墊，才能完成蓄電單元的堆疊結(jié)構(gòu)以及填充端口，然后再填充電解液以及密封填充端口，制作過程過于繁瑣并不適合大量生產(chǎn)。因此仍有需要提出一種新的封裝方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的上述缺點(diǎn)。
有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種制作過程簡單、適合于大量生產(chǎn)的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，以降低生產(chǎn)成本。
本發(fā)明的上述目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，是直接在電極片堆疊的過程中填注電解液，省略了電極片刮邊、高分子膠體制膜、割取所需形狀等形成與密封填充端口的步驟，因而能夠有效簡化制作過程、提高生產(chǎn)效率與降低成本。
本發(fā)明的封裝方法，包含下列步驟涂布膠墻在第一電極片的上表面的周圍涂布一環(huán)狀膠墻；填注電解液填注電解液于環(huán)狀膠墻所包圍的第一電極片的上表面；堆疊電極片將第二電極片堆疊于第一電極片上；軟熔膠墻加熱軟熔環(huán)狀膠墻，用以粘結(jié)第一電極片、第二電極片以及環(huán)狀膠墻，并密封電解液于第一電極片與該第二電極片之間。
環(huán)狀膠墻是由對電極片具有良好的粘著性且具耐酸性的材料所構(gòu)成，例如一種熱可塑性(therma1 plastic)的樹脂，可被加熱軟熔后再聚合。
第二電極片的下表面，也可形成第二環(huán)狀膠墻，對應(yīng)第一電極片的上表面的第一環(huán)狀膠墻，可同時(shí)加熱軟熔第一環(huán)狀膠墻與第二環(huán)狀膠墻以密封電解液，而使蓄電單元更具密封性。
可在涂布膠墻步驟中以熱風(fēng)或紅外線加熱、紫外線、輻射線等方式加速環(huán)狀膠墻的聚合。
軟熔膠墻步驟的加熱來源可為超聲波、熱風(fēng)或紅外線。
也可在第一電極片的上表面設(shè)置隔離片作為蓄電單元的支撐結(jié)構(gòu)，用以避免該兩電極片因彎曲變形而互相接觸。隔離片需具備多孔、耐酸、厚度薄等特性，可為玻璃纖維片。
下面結(jié)合實(shí)施例所示附圖，對本發(fā)明的目的、構(gòu)造特征及其功能作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
圖1A為公知的一種超電容能量儲存裝置的蓄電單元封裝前的堆疊結(jié)構(gòu)立體分解圖1B為公知的一種超電容能量儲存裝置的蓄電單元的堆疊結(jié)構(gòu)，其側(cè)面形成有一填充端口；圖2A～圖2B為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例中的一種印刷夾具，其中圖2B為圖2A中a-a’位置的剖視圖；圖3A～圖3B為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例中，將一電極片置于該印刷夾具，其中圖3B為圖3A中b-b’位置的剖視圖；圖4為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例中，以網(wǎng)版印刷方式在該電極片上印刷涂布樹脂膠；圖5A～圖5D為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例中，在該電極片上形成一環(huán)狀膠墻，其中圖5B為圖5A中c-c’位置的剖視圖，圖5D為圖5C中d-d′位置的剖視圖；圖6為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例中，在一超聲波加熱夾具上的一蓄電單元堆疊結(jié)構(gòu)的立體分解圖；圖7為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例中，以一超聲波加熱裝置，對該蓄電單元堆疊結(jié)構(gòu)的環(huán)狀膠墻作區(qū)域性加熱；圖8為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例中，該環(huán)狀膠墻軟熔后所完成封裝之一該蓄電單元的剖面示意圖。
根據(jù)本發(fā)明所公開的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法之一較佳實(shí)施例說明如下。
如圖2A和圖2B所示，提供一印刷夾具20，該印刷夾具20包含頂面21、容置槽22，而容置槽22的底部則形成用以提供真空吸力的真空吸孔23。
如圖3A和圖3B所示，將第一電極片30置于印刷夾具20的容置槽22內(nèi)，第一電極片30例如為厚度僅數(shù)個(gè)mil(1 mil＝0.00254cm)的薄正方形電極片，其邊長可為數(shù)公分至數(shù)十公分，當(dāng)然其形狀與尺寸并不以此為限。
容置槽22的形狀、大小與深度是配合該第一電極片30而設(shè)計(jì)，恰可容納第一電極片30，并使第一電極片30的上表面31約略與印刷夾具頂面21等高。
當(dāng)?shù)谝浑姌O片30置入該容置槽22后，真空吸孔23即提供真空吸力將第一電極片30吸附固定于容置槽22內(nèi)，以利印刷步驟的進(jìn)行。
接著，可如圖4所示的網(wǎng)版印刷方式，利用一預(yù)先圖案化的網(wǎng)版40以及一刮刀41將樹脂膠42涂布于該電極片30上表面31，其中樹脂膠42，較佳為一種耐酸、對該電極片具良好粘著性，以及在-50℃～75℃的溫度區(qū)間性質(zhì)穩(wěn)定且密封性良好的熱可塑性(thermal plastic)樹脂材料。該樹脂膠42并可被加熱至一高溫，例如150℃，而被軟熔成液態(tài)或半固態(tài)并再聚合。
如圖5A、圖5B、圖5C以及圖5D所示，第一電極片30上表面31的周圍形成第一環(huán)狀膠墻32，其高度可為數(shù)個(gè)mil。
如圖6所示，將已形成第一環(huán)狀膠墻32的第一電極片30置于一超聲波夾具45。然后，填注電解液33于第一環(huán)狀膠墻32所包圍的第一電極片30的上表面。再將一第二電極片35堆疊于第一電極片30上，通常第二電極片35是與第一電極片30具相同的結(jié)構(gòu)與尺寸。較為理想的是，第二電極片35朝向第一電極片30的下表面形成有對應(yīng)第一環(huán)狀膠墻32的第二環(huán)狀膠墻36，第二環(huán)狀膠墻36的形成方式可與第一環(huán)狀膠墻32相同，例如以同樣的印刷方式來形成。較為理想的是，在堆疊該第二電極片35前，可先在第一電極片30的上表面31放置一隔離片34。
隔離片34是用以作為該兩電極片30、35間的支撐結(jié)構(gòu)以避免該兩電極片30、35因彎曲變形成互相接觸，隔離片34需具備耐酸、多孔以及厚度薄的特性，可為一玻璃纖維片。
如圖7所示，利用一加熱裝置46對第一環(huán)狀膠墻32與第二環(huán)狀膠墻36進(jìn)行加熱，當(dāng)?shù)谝画h(huán)狀膠墻32與第二環(huán)狀膠墻36的溫度提高至一特定溫度，即軟熔(reflow)而如圖8所示，使第一電極片30、第二電極片35以及被軟熔的環(huán)狀膠墻37彼此緊密粘結(jié)，并將電解液33密封于第一電極片30與第二電極片35之間。待環(huán)狀膠墻37冷卻固化后即完成一超電容能量儲存裝置之蓄電單元的封裝。加熱裝置46可為超聲波、熱風(fēng)或紅外線。
以上所述的僅為本發(fā)明其中的較佳實(shí)施例而已，并非用來限定本發(fā)明的實(shí)施范圍，熟悉該項(xiàng)技術(shù)的人員在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，當(dāng)可做適當(dāng)?shù)男薷幕驖欙?，例如，該環(huán)狀膠墻的材料可為其它適合的材料，而形成該環(huán)狀膠墻的方式也不限定為網(wǎng)印的方式，例如，也可以點(diǎn)膠機(jī)來涂布形成。另外，用以使該環(huán)狀膠墻軟熔的加熱方式除了以超聲波局部加熱方式外，也可以其它的加熱方式來加熱該環(huán)狀膠墻；因此凡按照本發(fā)明權(quán)利要求所作的同等變化與修飾，均為本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍所涵蓋。
權(quán)利要求
1.一種超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于至少包含下列步驟涂布膠墻提供一第一電極片，并在該第一電極片的上表面的周圍涂布一環(huán)狀膠墻；填注電解液填注電解液于該環(huán)狀膠墻所包圍的該第一電極片的上表面上；堆疊電極片提供一第二電極片，堆疊于該第一電極片上；以及軟熔膠墻加熱軟熔該環(huán)狀膠墻，用以粘結(jié)該第一電極片、該第二電極片以及該環(huán)狀膠墻，并密封電解液于該第一電極片與該第二電極片之間。
2.如權(quán)利要求1所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于涂布膠墻步驟是以熱可塑性樹脂材料組成該環(huán)狀膠墻。
3.如權(quán)利要求1所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于涂布膠墻步驟是以印刷方法形成該環(huán)狀膠墻于該第一電極片的上表面。
4.如權(quán)利要求3所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于涂布膠墻步驟的印刷方法包含將該第一電極片固定于一印刷夾具；以及在該第一電極片的上表面施以網(wǎng)板印刷。
5.如權(quán)利要求4所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于該印刷夾具具有一大小與深度近似該第一電極片的容置槽用以容置該第一電極片。
6.如權(quán)利要求5所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于該容置槽的底部具有一真空吸孔，用以吸附固定該第一電極片。
7.如權(quán)利要求1所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于涂布膠墻步驟是以點(diǎn)膠機(jī)形成該環(huán)狀膠墻。
8.如權(quán)利要求1所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于涂布膠墻步驟是以浸涂方法形成該環(huán)狀膠墻。
9.如權(quán)利要求1所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于涂布膠墻步驟是以噴涂方法形成該環(huán)狀膠墻。
10.如權(quán)利要求1所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于涂布膠墻步驟還包含加速該環(huán)狀膠墻的聚合。
11.如權(quán)利要求10所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于涂布膠墻步驟是以加熱方式加速該環(huán)狀膠墻的聚合。
12.如權(quán)利要求11所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于涂布膠墻步驟是以熱風(fēng)進(jìn)行加熱。
13.如權(quán)利要求11所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于涂布膠墻步驟是以紅外線進(jìn)行加熱。
14.如權(quán)利要求10所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于涂布膠墻步驟是以紫外線加速該環(huán)狀膠墻的聚合。
15.如權(quán)利要求10所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于涂布膠墻步驟是以輻射線加速該環(huán)狀膠墻的聚合。
16.如權(quán)利要求1所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于填注電解液步驟還包括放置一隔離片于該第一電極片的上表面。
17.如權(quán)利要求16所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于該隔離片為多孔且耐酸的隔離片。
18.如權(quán)利要求16所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于該隔離片為一玻璃纖維片。
19.如權(quán)利要求1所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于軟熔膠墻步驟是以一熱源加熱該環(huán)狀膠墻。
20.如權(quán)利要求19所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于軟熔膠墻步驟是以超聲波加熱該環(huán)狀膠墻。
21.如權(quán)利要求19所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于軟熔膠墻步驟是以熱風(fēng)加熱該環(huán)狀膠墻。
22.如權(quán)利要求19所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于軟熔膠墻步驟是以紅外線加熱該環(huán)狀膠墻。
23.一種超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于至少包含下列步驟涂布膠墻提供一第一電極片，并在該第一電極片的上表面的周圍涂布一第一環(huán)狀膠墻，提供一第二電極片，并在該第二電極片的上表面的周圍涂布一第二環(huán)狀膠墻，該第一環(huán)狀膠墻與該第二環(huán)狀膠墻相對應(yīng)；填注電解液填注電解液于該環(huán)狀膠墻所包圍的該第一電極片的上表面上；堆疊電極片將該第二電極片堆疊于該第一電極片上；以及軟熔膠墻加熱軟熔該第一環(huán)狀膠墻與該第二環(huán)狀膠墻，以粘結(jié)該第一電極片、該第二電極片、該第一環(huán)狀膠墻以及該第二環(huán)狀膠墻，并密封電解液于該第一電極片與該第二電極片之間。
24.如權(quán)利要求23所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于涂布膠墻步驟是以熱可塑性樹脂材料組成該第一環(huán)狀膠墻。
25.如權(quán)利要求23所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于涂布膠墻步驟是以印刷方法形成該第一環(huán)狀膠墻。
26.如權(quán)利要求25所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于涂布膠墻步驟的印刷方法包含將該第一電極片固定于一印刷夾具；以及在該第一電極片的上表面施以網(wǎng)板印刷。
27.如權(quán)利要求26所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于該印刷夾具具有一大小與深度近似該第一電極片的容置槽用以容置該第一電極片。
28.如權(quán)利要求27所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于該容置槽的底部具有一真空吸孔，用以吸附固定該第一電極片。
29.如權(quán)利要求23所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于涂布膠墻步驟是以點(diǎn)膠機(jī)形成該第一環(huán)狀膠墻。
30.如權(quán)利要求23所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于涂布膠墻步驟是以浸涂方法形成該第一環(huán)狀膠墻。
31.如權(quán)利要求23所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于涂布膠墻步驟是以噴涂方法形成該第一環(huán)狀膠墻。
32.如權(quán)利要求23所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于涂布膠墻步驟還包含加速該第一環(huán)狀膠墻的聚合。
33.如權(quán)利要求32所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于涂布膠墻步驟是以加熱方式加速該第一環(huán)狀膠墻的聚合。
34.如權(quán)利要求33所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于涂布膠墻步驟是以熱風(fēng)進(jìn)行加熱。
35.如權(quán)利要求33所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于涂布膠墻步驟是以紅外線進(jìn)行加熱。
36.如權(quán)利要求32所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于涂布膠墻步驟是以紫外線加速該第一環(huán)狀膠墻的聚合。
37.如權(quán)利要求32所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于涂布膠墻步驟是以輻射線加速該第一環(huán)狀膠墻的聚合。
38.如權(quán)利要求23所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于涂布膠墻步驟是以熱可塑性樹脂材料組成該第二環(huán)狀膠墻。
39.如權(quán)利要求23所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于涂布膠墻步驟是以印刷方法形成該第二環(huán)狀膠墻。
40.如權(quán)利要求39所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于涂布膠墻步驟的印刷方法包含將該第二電極片固定于一印刷夾具；以及在該第二電極片的上表面施以網(wǎng)板印刷。
41.如權(quán)利要求40所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于該印刷夾具具有一大小與深度近似該第二電極片的容置槽用以容置該第二電極片。
42.如權(quán)利要求41所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于該容置槽的底部具有一真空吸孔，用以吸附固定該第二電極片。
43.如權(quán)利要求23所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于涂布膠墻步驟是以點(diǎn)膠機(jī)形成該第二環(huán)狀膠墻。
44.如權(quán)利要求23所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于涂布膠墻步驟是以浸涂方法形成該第二環(huán)狀膠墻。
45.如權(quán)利要求23所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于涂布膠墻步驟是以噴涂方法形成該第二環(huán)狀膠墻。
46.如權(quán)利要求23所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于涂布膠墻步驟還包含加速該第二環(huán)狀膠墻的聚合。
47.如權(quán)利要求46所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于涂布膠墻步驟是以加熱方式加速該第二環(huán)狀膠墻的聚合。
48.如權(quán)利要求47所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于涂布膠墻步驟是以熱風(fēng)進(jìn)行加熱。
49.如權(quán)利要求47所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于涂布膠墻步驟是以紅外線進(jìn)行加熱。
50.如權(quán)利要求46所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于涂布膠墻步驟是以紫外線加速該第二環(huán)狀膠墻的聚合。
51.如權(quán)利要求46所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于涂布膠墻步驟是以輻射線加速該第二環(huán)狀膠墻的聚合。
52.如權(quán)利要求23所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于填注電解液步驟還包括放置一隔離片于該第二電極片的上表面。
53.如權(quán)利要求52所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于該隔離片為多孔且耐酸的隔離片。
54.如權(quán)利要求52所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于該隔離片為一玻璃纖維片。
55.如權(quán)利要求23所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于軟熔膠墻步驟是以一熱源加熱該第一環(huán)狀膠墻與該第二環(huán)狀膠墻。
56.如權(quán)利要求55所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于軟熔膠墻步驟是以超聲波加熱該第一環(huán)狀膠墻與該第二環(huán)狀膠墻。
57.如權(quán)利要求55所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于軟熔膠墻步驟是以熱風(fēng)加熱該第一環(huán)狀膠墻與該第二環(huán)狀膠墻。
58.如權(quán)利要求55所述的超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法，其特征在于軟熔膠墻步驟是以紅外線加熱該第一環(huán)狀膠墻與該第二環(huán)狀膠墻。
全文摘要
一種超電容能量儲存裝置的蓄電單元的封裝方法,直接在電極片堆疊的過程中填注電解液,以省略部分形成密封填充端口的步驟,因而可有效簡化制作過程提高生產(chǎn)效率;首先在第一電極片的上表面的周圍涂布一環(huán)狀膠墻,然后填注電解液于環(huán)狀膠墻所包圍的第一電極片的上表面,再以第二電極片堆疊于第一電極片上方,然后加熱使環(huán)狀膠墻軟熔而粘結(jié)第一電極片、第二電極片以及環(huán)狀膠墻,并密封電解液于第一電極片與第二電極片之間。
文檔編號H01G9/00GK1368745SQ0110246
公開日2002年9月11日 申請日期2001年2月6日 優(yōu)先權(quán)日2001年2月6日
發(fā)明者楊成誡, 彭維德, 黃泳勝, 蔡坤齊, 羅森杰米斯 申請人:國際超能源高科技股份有限公司