專利名稱：晶圓打線成形金屬凸塊封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于封裝集成電路板的封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，特別是一種晶圓打線成形金屬凸塊封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。
近來(lái)可攜式產(chǎn)品盛行，繼從多的晶粒尺寸封裝(Chip Scale Packge；CSP)方法陸續(xù)提出將半導(dǎo)體后段技術(shù)帶入輕、薄、短、小的階段后，目前也愈來(lái)愈多集成電路(IC)封裝測(cè)試朝晶圓級(jí)封裝(Wafer Level Package；WLP)發(fā)展。所謂的晶圓級(jí)晶粒尺寸封裝系于晶圓未進(jìn)行切割前完成構(gòu)裝的步驟及制程。
傳統(tǒng)的晶圓級(jí)晶粒尺寸封裝通常先在晶圓的護(hù)層上披覆一層高分子材料保護(hù)層，接著再利用濺鍍(Sputtering)微影(Photolithography)等技術(shù)進(jìn)行凸塊下冶金層(UBM)或焊墊重新布線(I/O Redistribution)層的制作，再利用成長(zhǎng)凸塊技術(shù)在凸塊下冶金層或焊墊上作出金屬柱(metal post)，并于金屬柱頂面作凸塊下冶金層(UBM)，然后于其上植錫球(solder ball)。
另外如

圖1、圖2、圖3、圖4、圖5所示，也有晶圓級(jí)晶粒尺寸封裝系將光感型聚醯亞胺層(PI)或其它合適的高分子材料層2’涂布于晶圓1’的護(hù)層11’上，再以微影成像技術(shù)或激光穿孔等技術(shù)將該高分子材料層2’相對(duì)于金屬墊10’位置處打開(kāi)開(kāi)孔21’，接著于開(kāi)孔21’作出金屬柱3’，并植上錫球4’。此種技術(shù)的缺點(diǎn)為先將高分子材料涂布并開(kāi)孔的步驟會(huì)將高分子材料熟化反應(yīng)(cured)，在與后續(xù)制作的金屬柱3’的黏合度將大受影響，從而無(wú)法達(dá)到緊密結(jié)合的特性。
本發(fā)明的目的是提供一種可緩和應(yīng)力變化、節(jié)省材料、降低成本、提高緊密結(jié)合特性的晶圓打線成形金屬凸塊封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。
本發(fā)明制作方法包括包括如下步驟步驟一黏焊金屬導(dǎo)線將合適的金屬導(dǎo)線黏焊于金屬墊上；以黏焊金屬導(dǎo)線打線成球形成金屬柱；步驟二成形金屬凸塊將金屬柱整平成形金屬凸塊；步驟三植錫球凸塊在金屬凸塊上植上錫球凸塊。
本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)包括依序固定于晶圓金屬墊頂面的金屬凸塊及錫球凸塊；錫球凸塊底部固設(shè)有下冶金層。
其中步驟一金屬導(dǎo)線直接黏焊于晶圓表層金屬墊上。
步驟一金屬導(dǎo)線黏焊于再次布設(shè)于晶圓表面線層的金屬墊上。
黏焊金屬導(dǎo)線步驟與成形金屬凸塊步驟之間還設(shè)有包覆高分子材料層步驟，即于金屬柱及晶圓原覆設(shè)的護(hù)層上再次覆設(shè)一層未完全熟化的高分子材料層，待其均勻覆設(shè)于金屬柱及晶圓原覆設(shè)的護(hù)層表面后，再予以完全熟化。
高分子材料應(yīng)為具有熱膨脹系數(shù)低、楊氏系數(shù)低、吸水性低、可滲透性低、黏著力高、低電介質(zhì)常數(shù)、低電傳導(dǎo)性等特性的材料和epoxy compound、photo-imagable polyimide或silicone elastomers。
高分子材料包覆方法壓模、點(diǎn)膠、旋轉(zhuǎn)披覆、噴濺或印刷。
黏焊金屬導(dǎo)線步驟系以焊針往上移動(dòng)扯斷或截?cái)嘟饘賹?dǎo)線，以打線成球形成與金屬導(dǎo)線的種類、直徑以及打線參數(shù)相對(duì)應(yīng)的金屬柱。
成形金屬凸塊步驟與植錫球凸塊步驟之間還設(shè)有以電鍍或化學(xué)鍍等金屬沉積方式在金屬凸塊頂面制作下冶金層。
一種晶圓打線成形金屬凸塊封裝結(jié)構(gòu)，它包括依序固定于晶圓金屬墊頂面的金屬凸塊及錫球凸塊，并覆設(shè)有高分子材料層；錫球凸塊底部固設(shè)有下冶金層。
下冶金層與金屬凸塊之間設(shè)有由布設(shè)的線層形成的金屬墊。
由于本發(fā)明制作方法包括包括黏焊金屬導(dǎo)線打線成球形成金屬柱、成形金屬凸塊及植錫球凸塊；結(jié)構(gòu)包括依序固定于晶圓金屬墊頂面的金屬凸塊及錫球凸塊；錫球凸塊底部固設(shè)有下治金層。即于晶圓金屬墊上直接打線成形金屬凸塊及錫球凸塊可緩和應(yīng)力變化、節(jié)省材料、降低成本、提高緊密結(jié)合特性從而達(dá)到本發(fā)明的目的。
圖1、為習(xí)知覆設(shè)護(hù)層及金屬墊晶圓結(jié)構(gòu)示意剖視圖。
圖2、為習(xí)知晶圓級(jí)晶粒尺寸封裝結(jié)構(gòu)制作方法結(jié)構(gòu)示意剖視圖(涂布高分子材料層)。
圖3、為習(xí)知晶圓級(jí)晶粒尺寸封裝結(jié)構(gòu)制作結(jié)構(gòu)示意剖視圖(于高分子材料層對(duì)應(yīng)于金屬墊處開(kāi)孔)。
圖4、為習(xí)知晶圓級(jí)晶粒尺寸封裝結(jié)構(gòu)制作結(jié)構(gòu)示意剖視圖(于開(kāi)孔處作出金屬柱)。
圖5、為習(xí)知晶圓級(jí)晶粒尺寸封裝結(jié)構(gòu)制作結(jié)構(gòu)示意剖視圖(于金屬柱頂面植上錫球)。
圖6、為本發(fā)明制作方法實(shí)施例一步驟一結(jié)構(gòu)示意剖視圖。
圖7、為本發(fā)明制作方法實(shí)施例一步驟二結(jié)構(gòu)示意剖視圖。
圖8、為本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)及制作方法實(shí)施例一步驟三結(jié)構(gòu)示意剖視圖。
圖9、為本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)及制作方法實(shí)施例一步驟三結(jié)構(gòu)示意剖視圖(設(shè)有下冶金層)。
圖10、為本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)及制作方法實(shí)施例二步驟三結(jié)構(gòu)示意剖視圖。
圖11、為本發(fā)明制作方法實(shí)施例三步驟一結(jié)構(gòu)示意剖視圖。
圖12、為本發(fā)明制作方法實(shí)施例三步驟二結(jié)構(gòu)示意剖視圖。
圖13、為本發(fā)明制作方法實(shí)施例三步驟三結(jié)構(gòu)示意剖視圖。
圖14、為本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)及制作方法實(shí)施例三步驟四結(jié)構(gòu)示意剖視圖。
圖15、為本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)及制作方法實(shí)施例三步驟四結(jié)構(gòu)示意剖視圖(設(shè)有下冶金層)。
圖16、為本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)及制作方法實(shí)施例四步驟四結(jié)構(gòu)示意剖視圖。
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)闡述。
實(shí)施例一本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)制作方法包括如下步驟步驟一黏焊金屬導(dǎo)線如圖6所示，在已覆設(shè)護(hù)層12及金屬墊11的晶圓1上，無(wú)須再次涂布保護(hù)層(Repassivation)及凸塊下冶金層的情況下，運(yùn)用習(xí)用的超音波(ultrasonic)加振的打線(Wire Bonding)設(shè)備技術(shù)，在晶圓1的金屬墊11上將合適的金屬導(dǎo)線2(如Au、Ni、Al、Cu、Sn-Pb、Sn-Ag等合適的線材)先黏焊于晶圓1的金屬墊11上；接著將黏焊金屬導(dǎo)線2的焊針往上移動(dòng)扯斷(pull off)或截?cái)嘟饘賹?dǎo)線，以打線成球(如bell bump，pull off bump，Studbump等)形成金屬柱21。其高度可藉由金屬導(dǎo)線2的種類、直徑以及打線參數(shù)控制在100μ(micro meter)(0.1mm)以內(nèi)。
步驟二成形金屬凸塊如圖7所示，將直接形成在晶圓1表層的金屬墊11上金屬柱21整平至適當(dāng)高度成形金屬凸塊3(Metal boneing Bump)，以利后續(xù)步驟。
步驟三植錫球凸塊在金屬凸塊3上以植球或錫膏印刷等技術(shù)植上錫球凸塊4(Solder bump)，便制作成如圖8所示的本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)。由于金屬凸塊3為以金(Au)、鎳(Ni)、鋁(Al)、銅(Cu)、錫鉛合金(Sn-Pb)、錫銀合金(Sn-Ag)等各種適當(dāng)?shù)牟牧系慕饘賹?dǎo)線2制作成形。因此，若金屬凸塊3與錫球凸塊4之間產(chǎn)生不良介金屬化合物時(shí)，可如圖9所示，先以金屬沉積的方式如電鍍(Electroplating)或化學(xué)鍍(Electroless plating)等，在金屬凸塊3頂面制作下冶金層5(UBM)之后，再予以植錫球凸塊4。便制作成如圖9所示的本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)。
實(shí)施例二如圖10所示，本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)制作方法主要系先在已覆設(shè)護(hù)層及金屬墊的晶圓上再次布設(shè)線層，并形成金屬墊，然后以與實(shí)施例一相同黏焊金屬導(dǎo)線、成形金屬凸塊及植錫球凸塊的步驟進(jìn)行步驟一黏焊金屬導(dǎo)線在已覆設(shè)護(hù)層12及金屬墊11的晶圓1上再次布設(shè)線層7的金屬墊71上，運(yùn)用習(xí)用的超音波(ultrasonic)加振的打線(Wire Bonding)設(shè)備技術(shù)將合適的金屬導(dǎo)線(如Au、Ni、Al、Cu、Sn-Pb、Sn-Ag等合適的線材)先黏焊于晶圓再次布設(shè)線層7的金屬墊71上；接著將黏焊金屬導(dǎo)線的焊針往上移動(dòng)扯斷(pull off)或截?cái)嘟饘賹?dǎo)線，以打線成球(如bell bump，pull off bump，Studbump等)形成金屬柱。其高度可藉由金屬導(dǎo)線的種類、直徑以及打線參數(shù)控制在100μ(micro meter)(0.1mm)以內(nèi)。
步驟二成形金屬凸塊將形成在再次布設(shè)線層7的金屬墊71上金屬柱整平至適當(dāng)高度成形金屬凸塊3(Metal boneing Bump)，以利后續(xù)步驟。
步驟三植錫球凸塊在金屬凸塊3上以植球或錫膏印刷等技術(shù)植上錫球凸塊4(Solder bump)，便制作成如圖10所示的本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)。由于金屬凸塊為以金(Au)、鎳(Ni)、鋁(Al)、銅(Cu)、錫鉛合金(Sn-Pb)、錫銀合金(Sn-Ag)等各種適當(dāng)?shù)牟牧系慕饘賹?dǎo)線制作成形。因此，若金屬凸塊3與錫球凸塊4之間產(chǎn)生不良介金屬化合物時(shí)，可先以金屬沉積的方式如電鍍(Electroplating)或化學(xué)鍍(Electroless plating)等，在金屬凸塊頂面制作下冶金層(UBM)之后，再予以植錫球凸塊。
實(shí)施例三本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)制作方法包括如下步驟步驟一黏焊金屬導(dǎo)線如圖11所示，在已覆設(shè)護(hù)層12及金屬墊11的晶圓1上，無(wú)須再次涂布保護(hù)層(Repassivation)及凸塊下冶金層的情況下，運(yùn)用習(xí)用的超音波(ultrasonic)加振的打線(Wire Bonding)設(shè)備技術(shù)，在晶圓1的金屬墊11上將合適的金屬導(dǎo)線6(如Au、Ni、Al、Cu、Sn-Pb、Sn-Ag等合適的線材)先黏焊于晶圓1的金屬墊11上；接著將黏焊金屬導(dǎo)線6的焊針往上移動(dòng)扯斷(pull off)或截?cái)嘟饘賹?dǎo)線6，以打線成球(如bell bump，pull off bump，Studbump等)形成金屬柱61。其高度可藉由金屬導(dǎo)線的種類、直徑以及打線參數(shù)控制在250μ(micro meter)(0.25mm)以內(nèi)。
步驟二包覆高分子材料層如圖12所示，于金屬柱61及晶圓1原覆設(shè)的護(hù)層12上再次覆設(shè)一層未完全熟化的高分子材料層8，待其均勻覆設(shè)于金屬柱61及晶圓1原覆設(shè)的護(hù)層12表面后，再予以完全熟化。
該高分子材料應(yīng)具有如下特性的材料1)熱膨脹系數(shù)(Temperature coeflicient of expansion；TCE)要低，盡可能與金屬柱的植相匹配，以減少其與金屬墊的介面上所產(chǎn)生的應(yīng)力。
2)楊氏系數(shù)(Young’s modulus；Y)值低，以降低傳送到金屬柱上的應(yīng)力。
3)吸水性(Water absorption)低，以確保其材料穩(wěn)定性。
4)可滲透性(Moisture permeability)低，以保護(hù)晶圓。
5)黏著力(Adhesion)高，以增加附著度。
6)電氣特性(Electrical properties)，如低電介質(zhì)常數(shù)(dielectricconstant)、低電傳導(dǎo)性等特性。具有上述特性的材料為epoxy compound、photo-imagable polyimide及silicone elastomers等高分子材料。
高分子材料層8包覆原護(hù)層12及金屬柱61的方法亦應(yīng)依所用的高分子材料不同而有所不同，如可采用壓模(Molding)、點(diǎn)膠(dispensing)、旋轉(zhuǎn)披覆(spin coating)、噴濺(spray)、印刷(screen printing or vacuum printing)等方式。
步驟三成形金屬凸塊如圖13所示，將覆設(shè)的高分子材料層8及金屬柱61頂面以研磨(grinding)或化學(xué)機(jī)械研磨(Chemical-Mechanical Polishing；CMP)磨平至適當(dāng)高度，使金屬柱61頂面露出成形金屬凸塊62(Metal boneing Bump)，以利后續(xù)步驟。
步驟四植錫球凸塊在金屬凸塊62上以植球或錫膏印刷等技術(shù)植上錫球凸塊4(Solderbump)，便制作成如圖14所示的本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)。由于金屬凸塊4為以金(Au)、鎳(Ni)、鋁(Al)、銅(Cu)、錫鉛合金(Sn-Pb)、錫銀合金(Sn-Ag)等各種適當(dāng)?shù)牟牧辖饘賹?dǎo)線6制作成形。因此，若成形金屬凸塊62與錫球凸塊4之間產(chǎn)生不良介金屬化合物時(shí)，可如圖15所示，先以金屬沉積的方式如電鍍(Electroplating)或化學(xué)鍍(Electroless plating)等，在金屬凸塊頂面制作下冶金層5(UBM)之后，再予以植錫球凸塊4。便制作成如圖15所示的本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)。
實(shí)施例四如圖16所示，本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)制作方法主要系先在已覆設(shè)護(hù)層12及金屬墊11的晶圓1上再次布設(shè)線層7，并形成金屬墊71，然后以與實(shí)施例三相同黏焊金屬導(dǎo)線、包覆高分子材料層8、成形金屬凸塊62及植錫球凸塊4的步驟進(jìn)行步驟一黏焊金屬導(dǎo)線在已覆設(shè)護(hù)層12及金屬墊11的晶圓1上再次布設(shè)線層7的金屬墊71上，運(yùn)用習(xí)用的超音波(ultrasonic)加振的打線(Wire Bonding)設(shè)備技術(shù)，在線層7的金屬墊71上將合適的金屬導(dǎo)線(如Au、Ni、Al、Cu、Sn-Pb、Sn-Ag等合適的線材)先黏焊于線層的金屬墊71上；接著將黏焊金屬導(dǎo)線的焊針往上移動(dòng)扯斷(pull off)或截?cái)嘟饘賹?dǎo)線，以打線成球(如bell bump，pull offbump，Stud bump等)形成金屬柱。其高度可藉由金屬導(dǎo)線的種類、直徑以及打線參數(shù)控制在250μ(micro meter)(0.25mm)以內(nèi)。
步驟二包覆高分子材料層于金屬柱及線層7上再次覆設(shè)一層未完全熟化的高分子材料層8，待其均勻覆設(shè)于金屬柱及線層7表面后，再予以完全熟化。
該高分子材料應(yīng)具有如下特性的材料1)熱膨脹系數(shù)(Temperature coeflicient of expansion；TCE)要低，盡可能與金屬柱的植相匹配，以減少其與金屬墊的介面上所產(chǎn)生的應(yīng)力。
2)楊氏系數(shù)(Young’s modulus；Y)值低，以降低傳送到金屬柱上的應(yīng)力。
3)吸水性(Water absorption)低，以確保其材料穩(wěn)定性。
4)可滲透性(Moisture permeability)低，以保護(hù)晶圓。
5)黏著力(Adhesion)高，以增加附著度。
6)電氣特性(Electrical properties)，如低電介質(zhì)常數(shù)(dielectricconstant)、低電傳導(dǎo)性等特性。具有上述特性的材料為epoxy compound、photo-imagable polyimide及silicone elastomers等高分子材料。
高分子材料包覆金屬柱的方法亦應(yīng)依所用的高分子材料不同而有所不同，如可采用壓模(Molding)、點(diǎn)膠(dispensing)、旋轉(zhuǎn)披覆(spin coating)、噴濺(spray)、印刷(screen printing or vacuum printing)等方式。
步驟三成形金屬凸塊將覆設(shè)的高分子材料層8及金屬柱頂面以研磨(grinding)或化學(xué)機(jī)械研磨(Chemical-Mechanical Polishing；CMP)磨平至適當(dāng)高度，使金屬柱頂面露出成形金屬凸塊62(Metal boneing Bump)，以利后續(xù)步驟。
步驟四植錫球凸塊在金屬凸塊62上以植球或錫膏印刷等技術(shù)植上錫球凸塊4(Solderbump)，便制作成如圖16所示的本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)。由于金屬凸塊62為以金(Au)、鎳(Ni)、鋁(Al)、銅(Cu)、錫鉛合金(Sn-Pb)、錫銀合金(Sn-Ag)等各種適當(dāng)?shù)牟牧辖饘賹?dǎo)線制作成形。因此，若成形金屬凸塊62與錫球凸塊4之間產(chǎn)生不良介金屬化合物時(shí)，先以金屬沉積的方式如電鍍(Electroplating)或化學(xué)鍍(Electroless plating)等，在金屬凸塊62頂面制作下冶金層(UBM)之后，再予以植錫球凸塊4。
權(quán)利要求
1.一種晶圓打線成形金屬凸塊封裝結(jié)構(gòu)制作方法，其特征在于它包括如下步驟步驟一黏焊金屬導(dǎo)線將合適的金屬導(dǎo)線黏焊于金屬墊上；以黏焊金屬導(dǎo)線打線成球形成金屬柱；步驟二成形金屬凸塊將金屬柱整平成形金屬凸塊；步驟三植錫球凸塊在金屬凸塊上植上錫球凸塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓打線成形金屬凸塊封裝結(jié)構(gòu)制作方法，其特征在于所述的步驟一金屬導(dǎo)線直接黏焊于晶圓表層金屬墊上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓打線成形金屬凸塊封裝結(jié)構(gòu)制作方法，其特征在于所述的步驟一金屬導(dǎo)線黏焊于再次布設(shè)于晶圓表面線層的金屬墊上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓打線成形金屬凸塊封裝結(jié)構(gòu)制作方法，其特征在于所述的黏焊金屬導(dǎo)線步驟與成形金屬凸塊步驟之間還設(shè)有包覆高分子材料層步驟，即于金屬柱及晶圓原覆設(shè)的護(hù)層上再次覆設(shè)一層未完全熟化的高分子材料層，待其均勻覆設(shè)于金屬柱及晶圓原覆設(shè)的護(hù)層表面后，再予以完全熟化。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓打線成形金屬凸塊封裝結(jié)構(gòu)制作方法，其特征在于所述的高分子材料應(yīng)為具有熱膨脹系數(shù)低、楊氏系數(shù)低、吸水性低、可滲透性低、黏著力高、低電介質(zhì)常數(shù)、低電傳導(dǎo)性等特性的材料和epoxycompound、photo-imagable polyimide或silicone elastomers。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓打線成形金屬凸塊封裝結(jié)構(gòu)制作方法，其特征在于所述的高分子材料包覆方法壓模、點(diǎn)膠、旋轉(zhuǎn)披覆、噴濺或印刷。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓打線成形金屬凸塊封裝結(jié)構(gòu)制作方法，其特征在于所述的黏焊金屬導(dǎo)線步驟系以焊針往上移動(dòng)扯斷或截?cái)嘟饘賹?dǎo)線，以打線成球形成與金屬導(dǎo)線的種類、直徑以及打線參數(shù)相對(duì)應(yīng)的金屬柱。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓打線成形金屬凸塊封裝結(jié)構(gòu)制作方法，其特征在于所述的成形金屬凸塊步驟與植錫球凸塊步驟之間還設(shè)有以電鍍或化學(xué)鍍等金屬沉積方式在金屬凸塊頂面制作下冶金層。
9.一種晶圓打線成形金屬凸塊封裝結(jié)構(gòu)，它包括依序固定于晶圓金屬墊頂面的金屬凸塊及錫球凸塊；其特征在于在所述的錫球凸塊底部固設(shè)有下冶金層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶圓打線成形金屬凸塊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于在所述的下冶金層與金屬凸塊之間設(shè)有由布設(shè)的線層形成的金屬墊。
11.一種晶圓打線成形金屬凸塊封裝結(jié)構(gòu)，它包括依序固定于晶圓金屬墊頂面的金屬凸塊及錫球凸塊，并覆設(shè)有高分子材料層；其特征在于在所述的錫球凸塊底部固設(shè)有下冶金層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶圓打線成形金屬凸塊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于在所述的下冶金層與金屬凸塊之間設(shè)有由布設(shè)的線層形成的金屬墊。
全文摘要
一種晶圓打線成形金屬凸塊封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。為提供一種可緩和應(yīng)力變化、節(jié)省材料、降低成本、提高緊密結(jié)合特性的封裝集成電路板的封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法,提出本發(fā)明,制作方法包括包括黏焊金屬導(dǎo)線打線成球形成金屬柱、成形金屬凸塊及植錫球凸塊;結(jié)構(gòu)包括依序固定于晶圓金屬墊頂面的金屬凸塊及錫球凸塊;錫球凸塊底部固設(shè)有下治金層。
文檔編號(hào)H01L21/60GK1372312SQ0110422
公開(kāi)日2002年10月2日 申請(qǐng)日期2001年2月26日 優(yōu)先權(quán)日2001年2月26日
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