專利名稱：磁性石榴石材料和使用該材料的光磁器件的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及本身為磁性石榴石材料的Bi(鉍)置換稀土族鐵石榴石單晶材料。此外，本發(fā)明還涉及利用使用磁性石榴石材料的光磁效應的光磁器件，特別是涉及法拉第轉(zhuǎn)子。
現(xiàn)有的光通信，由使用波長1310nm或1550nm等的單波長的光的通信系統(tǒng)構成。在現(xiàn)有的光通信系統(tǒng)中使用的本身為光被動部件的光隔離器，由于在上述單波長中使用，故本身為構成光隔離器的光磁器件的法拉第轉(zhuǎn)子，也被開發(fā)為使得在波長為1310nm或1550nm等的單波長下可以得到優(yōu)良的特性。例如，在特開平3-69847號公報中，就公開了含有Tb(鋱)的Bi置換稀土族鐵石榴石單晶。如果用該磁性石榴石材料制作法拉第轉(zhuǎn)子，則可以得到溫度特性的改善效果。為此，使用以Tb為主要構成元素的法拉第轉(zhuǎn)子的光隔離器，在光通信系統(tǒng)中就被人們廣為使用開來。
近些年來，借助于因特網(wǎng)等的普及，通信線路中的通信量飛躍性地增加起來。作為實現(xiàn)今后的大容量光通信的手段，人們提出了用一條光纖同時傳送波長不同的多個光信號的光波長多路通信系統(tǒng)(以下，叫做WDM通信系統(tǒng))的方案。在WDM通信系統(tǒng)中使用的光放大器是以鉺·涂料·纖維作為放大媒體直接放大光信號。在WDM通信系統(tǒng)的情況下，例如，在L波段(波長1570nm～1620nm)的波長范圍內(nèi)傳送波長不同的多個光信號。
于是，就要求在光隔離器或光衰減器、光復合組件等的光被動部件中，在比現(xiàn)有的波長1550nm還長的長波長范圍內(nèi)，也具有優(yōu)良的光磁特性。然而，用含Tb的Bi置換稀土類鐵石榴石單晶制作的法拉第轉(zhuǎn)子，在比1550nm還長的長波長范圍中，插入損耗變大。因此用含有Tb的法拉第轉(zhuǎn)子構成的光被動部件的插入損耗，在比1550nm還長的長波長范圍的光中變大。
即，以Tb為主要組成的法拉第轉(zhuǎn)子，要滿足于在WDM通信系統(tǒng)中利用的L波段的波長范圍中所要求的插入損耗在0.1dB以下的特性是困難的。
為此，在光通信系統(tǒng)內(nèi)為了確保恒定的光量，就產(chǎn)生了使光源的功率變得更大的需要，結果是產(chǎn)生了光通信系統(tǒng)的價格增大的問題。
此外，當光的波長變長后，由于法拉第旋轉(zhuǎn)系數(shù)(deg/μm)將降低，故要想得到用Bi置換稀土類鐵石榴石單晶材料制作的法拉第轉(zhuǎn)子所要求的法拉第旋轉(zhuǎn)角度45deg，就必須加厚法拉第轉(zhuǎn)子的膜厚。為此，就象WDM通信系統(tǒng)的L波段那樣，在比現(xiàn)有的使用波長還長的波長范圍內(nèi)使用的光隔離器的法拉第轉(zhuǎn)子，所需要的膜厚就變得比1550nm的單波長下使用的轉(zhuǎn)子還厚，因而就產(chǎn)生了在單晶膜形成時或?qū)Ψɡ谵D(zhuǎn)子進行研磨加工時因變成為經(jīng)常發(fā)生裂紋而使成品率降低的根由這樣的問題。
本發(fā)明的目的在于提供在單晶膜形成時或研磨加工時難于產(chǎn)生裂紋的磁性石榴石材料。
此外，本發(fā)明的目的還在于提供光磁器件，該器件是在波長λ(1570nm≤λ≤1620nm)的光入射進來之際法拉第旋轉(zhuǎn)角θ將成為44deg≤θ≤46deg的光磁器件，而且是在加工時難于產(chǎn)生裂紋，因而可以抑制成品率的降低的光磁器件。
上述目的，可以用特征為可以用通式BiaM13-aFe5-bM2bO12表示的磁性石榴石材料來實現(xiàn)。
其中，M1是從Y、La、Eu、Gd、Ho、Yb、Lu、Pb中選出來的至少一種元素，M2是從Ga、Al、Ti、Ge、Si、Pt中選出來的至少一種元素，a滿足1.0≤a≤1.5,b滿足0≤b≤0.5。
上述本發(fā)明涉及的是磁性石榴石材料，其特征是上述材料，是用液相外延生長法形成的。
此外，上述目的，可以通過光磁器件實現(xiàn)，該光磁器件是在規(guī)定波長λ(但，1570nm≤λ≤1620nm)的光入射進來之際法拉第旋轉(zhuǎn)角θ將成為44deg≤θ≤46deg的光磁器件，該光磁器件的特征是用上述本發(fā)明的磁性石榴石材料形成的。
上述本發(fā)明涉及的是光磁器件，其特征是上述波長λ的光入射進來之際的插入損耗在0.1dB以下。
本申請的發(fā)明人等根據(jù)下述條件對石榴石組成進行了探討。
(1)在比1550nm還長的長波長的L波段(1570～1620nm)的波段范圍內(nèi)一般說滿足法拉第轉(zhuǎn)子所要求的插入損耗0.1dB；而且(2)可以得到在外延膜的生長中或?qū)Ψɡ谵D(zhuǎn)子進行加工時的裂紋少的單晶。
結果發(fā)現(xiàn)作為稀土類元素使用Y、La、Eu、Gd、Ho、Yb、Lu，并使Bi量處于1.0～1.5的范圍內(nèi)，則具有大的效果。
Tb對于法拉第轉(zhuǎn)子的溫度系數(shù)(deg/℃)的改善具有大的效果，此外，若在波長1550nm附近，對于波長系數(shù)(deg/nm)的改善也有效果，是一種對于改善光隔離器的各種特性有用的元素。為此一直被作為法拉第轉(zhuǎn)子的主要元素利用。但是，對于Tb來說在比1550nm長的長波長的1800nm附近有光的吸收峰，因此，把Tb用做主要元素的法拉第轉(zhuǎn)子，隨著波長從1550nm附近變成為長波長，將引起歸因于光吸收而產(chǎn)生的插入損耗的增加，在1570nm以上的長波長的光的情況下，變得不能滿足法拉第轉(zhuǎn)子所要求的插入損耗在0.1dB以下的特性。
于是，對在這些光的波長范圍內(nèi)吸收小，且即便是作為主要元素使用，法拉第轉(zhuǎn)子的插入損耗也可以變成為0.1dB以下的組成進行了探討。結果是得知Y、La、Eu、Gd、Ho、Yb、Lu的元素，在1550nm附近的波長范圍內(nèi)光吸收小，且若使用這些元素，則在1570～1620nm的波長范圍內(nèi)插入損耗將變成為0.1dB以下。這些元素，若與Tb比較，由于在L波段的光吸收顯著地小，故被認為可以使插入損耗變成為0.1dB以下。
此外，即便是添加進Ga、Al、Ti、Ge、Si等的元素，在L波段范圍(1570～1620nm)內(nèi)也可以得到插入損耗在0.1dB以下的特性。這些置換成Fe，雖然會使法拉第旋轉(zhuǎn)系數(shù)(deg/μm)降低，但對于減小轉(zhuǎn)子的飽和磁場是有效的，借助于此，外部磁鐵可以變小，可以使光隔離器變成為小型。但是，當與Fe之間的置換量增大時，法拉第旋轉(zhuǎn)角45deg所必須的膜厚就會因法拉第旋轉(zhuǎn)系數(shù)(deg/μm)的減小而變厚，變成為產(chǎn)生裂紋的原因，所以這些元素的置換量作成為0.5以下是適當?shù)摹?br> 在Bi置換稀土類鐵磁性石榴石單晶材料中，隨著光的波長變長，法拉第旋轉(zhuǎn)系數(shù)(deg/μm)減小，在L波段范圍(1570～1620nm)的光中使用的法拉第轉(zhuǎn)子，比在波長1550nm的光中使用的法拉第轉(zhuǎn)子用來得到法拉第旋轉(zhuǎn)角45deg的膜厚就要增大。在用液相外延(LPE)法生長Bi置換稀土類鐵磁性石榴石單晶的情況下，對于基板來說一般要使用以Gd和Ga為基本組成的單晶晶片。
例如，在用LPE法形成磁性石榴石單晶膜的情況下，可以使用已添加進Ca、Zr、Mg的釓·鎵·石榴石(以下，叫做GGG)單晶基板。然而，由于這些添加Ca、Zr、Mg的GGG基板與磁性石榴石單晶膜具有不同的組成，故基板與外延膜之間的熱膨脹系數(shù)不一樣。外延膜的熱膨脹系數(shù)比基板的熱膨脹系數(shù)大。這便成為外延膜形成時或冷卻時發(fā)生的裂紋的原因。特別是當外延膜的膜厚變厚時，發(fā)生裂紋的比率就會飛躍地增加。由于在比波長1550nm還長的長波長下使用的法拉第轉(zhuǎn)子需要更厚的膜厚，故裂紋的頻度也將增大，難于以高的成品率進行制造。
于是，就產(chǎn)生了使法拉第旋轉(zhuǎn)系數(shù)(deg/μm)增大使轉(zhuǎn)子的膜厚變薄的必要。增大法拉第旋轉(zhuǎn)系數(shù)，雖然采用增加外延膜的Bi膜組成的Bi量的辦法是可能的，但是由于當外延膜的Bi變化時，膜的熱膨脹系數(shù)也會變化，故發(fā)生裂紋的膜厚也會變化。為此，對把法拉第轉(zhuǎn)子的膜厚和研磨加工所必要的膜厚加進去的厚度的外延膜的生長、冷卻和研磨加工等各個工序中不發(fā)生裂紋的Bi置換稀土類鐵磁性石榴石單晶的組成進行了探討。
若在石榴石的組成式中所占有的Bi量在1.0以下，則要想得到為制作在L波段(1570～1620nm)內(nèi)使用的法拉第轉(zhuǎn)子所必要的膜厚，在生長中或研磨加工中會發(fā)生裂紋，使成品率降低。
此外，為了從過飽和狀態(tài)的液相向基板上邊析出固相以便進行外延生長，LPE法總是含有在外延膜以外也析出固相的可能性。在進行這樣的固相析出的情況下，就會發(fā)生這樣的問題在外延膜表面上發(fā)生缺陷或生長速度顯著的減小。
如果想要生長在石榴石的組成式中所占有的Bi量為1.5以上的外延膜，則原材料融液的過飽和狀態(tài)將變得不穩(wěn)定，除外延生長以外，在融液中還將產(chǎn)生鐵石榴石的析出。結果就變成為得不到制作法拉第轉(zhuǎn)子所必須的膜厚，進而在生長中還會發(fā)生裂紋或晶體缺陷。
根據(jù)以上的結果可知，采用使在石榴石組成式中所占有的Bi量變成為1.0～1.5的辦法，就可以減少在各個工序中的裂紋，以制作在L波段中使用的法拉第轉(zhuǎn)子。
此外，例如作為光磁器件以光隔離器為例時，則為了除去返回光，需要使法拉第轉(zhuǎn)子的旋轉(zhuǎn)角為45deg，當法拉第旋轉(zhuǎn)角偏離45deg時，光隔離特性降低。要想確保足夠的隔離就必須使法拉第旋轉(zhuǎn)角成為在44～46deg的范圍內(nèi)。因此，要想在L波段構成光隔離器，就必須在該波段內(nèi)把法拉第旋轉(zhuǎn)角作成為44～46deg。
實施例如上所述，通過使用Y、La、Eu、Gd、Ho、Yb、Lu作為稀土類元素，并使用Bi量為1.0～1.5的Bi置換稀土類鐵石榴石單晶材料制作光磁器件，就可以減少在單晶膜的生長時或研磨加工時的裂紋，同時還可以得到在1570～1620nm的波長范圍內(nèi)插入損耗在0.1dB以下的特性。
以下，作為本發(fā)明涉及的磁性石榴石材料和利用該材料的光磁器件的具體的實施例，參看表1，對實施例1到4和比較例1到3進行說明。
(實施例1)稱量3.315g的Gd2O3、8.839g的Yb2O3、43.214g的B2O3、173.74g的Fe2O3、1189.6g的PbO、826.4g的Bi2O3、5.121g的GeO2并填充到Pt坩堝內(nèi)在大約1000℃下融解進行攪拌使之均質(zhì)化之后，以120℃/H使之降溫，在815℃的過飽和狀態(tài)下得到溫度的穩(wěn)定。接著，以100rpm使2英寸φ的CaMgZr置換GGG單晶基板進行旋轉(zhuǎn)，同時進行40個小時的磁性石榴石單晶膜的液相外延生長，得到膜厚505μm的單晶膜。該磁性石榴石單晶膜是鏡面狀態(tài)，未產(chǎn)生裂紋。
用熒光X射線法分析所得到的單晶膜的組成，得知其組成為表1所示那樣的Bi1.20Gd0.78Yb0.98Pb0.04Fe4.96Ge0.02Pt0.02O12。此外，在對該磁性石榴石單晶膜進行研磨加工使得在波長1600nm的光的情況下法拉第旋轉(zhuǎn)角變成為45deg，并在兩面附加上無反射膜之后，切斷成3mm見方制作在波長1600nm的光中使用的法拉第轉(zhuǎn)子。在研磨加工和切斷工序中，在單晶膜上也不產(chǎn)生裂紋。對該法拉第轉(zhuǎn)子的法拉第旋轉(zhuǎn)系數(shù)、插入損耗和溫度特性進行評價，得到了在膜厚為400μm時法拉第旋轉(zhuǎn)系數(shù)為0.1125deg/μm，插入損耗最大為0.10dB，最小為0.06dB，溫度特性為0.066deg/℃的值。
(實施例2)
稱量6.149g的Eu2O3、8.245g的Lu2O3、43.214g的B2O3、0.614g的La2O3、156.40g的Fe2O3、1189.6g的PbO、826.4g的Bi2O3、3.530g的TiO2并填充到Pt坩堝內(nèi)在大約1000℃下融解進行攪拌使之均質(zhì)化之后，以120℃/H使之降溫，在820℃的過飽和狀態(tài)下得到溫度的穩(wěn)定。接著，以100rpm使2英寸φ的CaMgZr置換GGG單晶基板進行旋轉(zhuǎn)，同時進行48個小時的磁性石榴石單晶膜的液相外延生長，得到膜厚545μm的單晶膜。該磁性石榴石單晶膜是鏡面狀態(tài)，未產(chǎn)生裂紋。
用熒光X射線法分析所得到的單晶膜的組成，得知其組成為表1所示的那樣的Bi1.00Eu1.08Lu0.83La0.05Pb0.04Fe4.96Ti0.02Pt0.02O12。此外，在對該磁性石榴石單晶膜進行研磨加工使得在波長1620nm的光的情況下法拉第旋轉(zhuǎn)角變成為45deg，并在兩面附加上無反射膜之后，切斷成3mm見方制作在波長1570nm的光中使用的法拉第轉(zhuǎn)子。在研磨加工和切斷工序中，在單晶膜上也不產(chǎn)生裂紋。對該法拉第轉(zhuǎn)子的法拉第旋轉(zhuǎn)系數(shù)、插入損耗和溫度特性進行評價，得到了在膜厚為455μm時法拉第旋轉(zhuǎn)系數(shù)為0.0989deg/μm，插入損耗最大為0.10dB，最小為0.07dB，溫度特性為0.062deg/℃的值。
(實施例3)稱量3.560g的Ho2O3、4.241g的Y2O3、3.416g的Lu2O3、43.214g的B2O3、190.70g的Fe2O3、1189.6g的PbO、826.4g的Bi2O3、5.598g的SiO2并填充到Pt坩堝內(nèi)在大約1000℃下融解進行攪拌使之均質(zhì)化之后，以120℃/H使之降溫，在805℃的過飽和狀態(tài)下得到溫度的穩(wěn)定。接著，以100rpm使2英寸φ的CaMgZr置換GGG單晶基板進行旋轉(zhuǎn)，同時進行35個小時的磁性石榴石單晶膜的液相外延生長，得到膜厚430μm的單晶膜。該磁性石榴石單晶膜是鏡面狀態(tài)，未產(chǎn)生裂紋。
用熒光X射線法分析所得到的單晶膜的組成，得知其組成為表1所示的那樣的Bi1.40Ho0.45Y0.51Lu0.60Pb0.04Fe4.96Si0.02Pt0.02O12。此外，在對該磁性石榴石單晶膜進行研磨加工使得在波長1570nm的光的情況下法拉第旋轉(zhuǎn)角變成為45deg，并在兩面附加上無反射膜之后，切斷成3mm見方制作在波長1570nm的光中使用的法拉第轉(zhuǎn)子。在研磨加工和切斷工序中，在單晶膜上也不產(chǎn)生裂紋。對該法拉第轉(zhuǎn)子的法拉第旋轉(zhuǎn)系數(shù)、插入損耗和溫度特性進行評價，得到了在膜厚為330μm時法拉第旋轉(zhuǎn)系數(shù)為0.1364deg/μm，插入損耗最大為0.09dB，最小為0.05dB，溫度特性為0.070deg/℃的值。
(實施例4)稱量5.178g的Ho2O3、5.300g的Y2O3、43.214g的B2O3、177.35g的Fe2O3、9.401g的Ga2O3、3.409g的Al2O3、1189.6g的PbO、826.4g的Bi2O3、5.850g的GeO2并填充到Pt坩堝內(nèi)在大約1000℃下融解進行攪拌使之均質(zhì)化之后，以120℃/H使之降溫，在801℃的過飽和狀態(tài)下得到溫度的穩(wěn)定。接著，以100rpm使2英寸φ的CaMgZr置換GGG單晶基板進行旋轉(zhuǎn)，同時進行40個小時的磁性石榴石單晶膜的液相外延生長，得到膜厚465μm的單晶膜。該磁性石榴石單晶膜是鏡面狀態(tài)，未產(chǎn)生裂紋。
用熒光X射線法分析所得到的單晶膜的組成，得知其組成為表1所示的那樣的Bi1.50Ho0.75Y0.71Pb0.04Fe4.46Ga0.30Al0.20Ge0.02Pt0.02O12。此外，在對該磁性石榴石單晶膜進行研磨加工使得在波長1570nm的光的情況下法拉第旋轉(zhuǎn)角變成為45deg，并在兩面附加上無反射膜之后，切斷成3mm見方制作在波長1570nm的光中使用的法拉第轉(zhuǎn)子。在研磨加工和切斷工序中，在單晶膜上也不產(chǎn)生裂紋。對該法拉第轉(zhuǎn)子的法拉第旋轉(zhuǎn)系數(shù)、插入損耗和溫度特性進行評價，得到了在膜厚為360μm時法拉第旋轉(zhuǎn)系數(shù)為0.1268deg/μm，插入損耗最大為0.10dB，最小為0.08dB，溫度特性為0.082deg/℃的值。
(比較例1)稱量4.446g的Tb2O3、7.645g的Yb2O3、43.214g的B2O3、173.74g的Fe2O3、1189.6g的PbO、826.4g的Bi2O3、3.912g的TiO2并填充到Pt坩堝內(nèi)在大約1000℃下融解進行攪拌使之均質(zhì)化之后，以120℃/H使之降溫，在823℃的過飽和狀態(tài)下得到溫度的穩(wěn)定。接著，以100rpm使2英寸φ的CaMgZr置換GGG單晶基板進行旋轉(zhuǎn)，同時進行43個小時的磁性石榴石單晶膜的液相外延生長，得到膜厚520μm的單晶膜。該磁性石榴石單晶膜是鏡面狀態(tài)，未產(chǎn)生裂紋。
用熒光X射線法分析所得到的單晶膜的組成，得知其組成為表1所示的那樣的Bi1.20Tb1.03Yb0.73Pb0.04Fe4.96Ti0.02Pt0.02O12。此外，在對該磁性石榴石單晶膜進行研磨加工使得在波長1620nm的光的情況下法拉第旋轉(zhuǎn)角變成為45deg，并在兩面附加上無反射膜之后，切斷成3mm見方制作波長1620nm用的法拉第轉(zhuǎn)子。在研磨加工和切斷工序中，在單晶膜上也不產(chǎn)生裂紋。對該法拉第轉(zhuǎn)子的法拉第旋轉(zhuǎn)系數(shù)、插入損耗和溫度特性進行評價，得到了在膜厚為415μm時法拉第旋轉(zhuǎn)系數(shù)為0.1082deg/μm，插入損耗最大為0.29dB，最小為0.25dB，溫度特性為0.055deg/℃的值。
(比較例2)稱量5.330g的Eu2O3、8.072g的Lu2O3、43.214g的B2O3、146.18g的Fe2O3、1189.6g的PbO、826.4g的Bi2O3、4.294g的TiO2并填充到Pt坩堝內(nèi)在大約1000℃下融解進行攪拌使之均質(zhì)化之后，以120℃/H使之降溫，在835℃的過飽和狀態(tài)下得到溫度的穩(wěn)定。接著，以100rpm使2英寸φ的CaMgZr置換GGG單晶基板進行旋轉(zhuǎn)，同時進行48個小時的磁性石榴石單晶膜的液相外延生長，得到膜厚590μm的單晶膜。但是，在該磁性石榴石單晶膜的表面的外周上，發(fā)生了多個同心圓狀的裂紋。
用熒光X射線法分析所得到的單晶膜的組成，得知其組成為表1所示的那樣的Bi0.90Eu1.22Lu0.84Pb0.04Fe4.96Ti0.02Pt0.02O12。此外，在對該磁性石榴石單晶膜進行研磨加工使得在波長1620nm的光的情況下法拉第旋轉(zhuǎn)角變成為45deg，并在兩面附加上無反射膜之后，切斷成3mm見方制作波長1620nm用的法拉第轉(zhuǎn)子。在研磨加工工序中，也發(fā)生裂紋，作為3mm見方的法拉第轉(zhuǎn)子所得到的數(shù)量為不發(fā)生裂紋的情況下所得到的數(shù)量的大約1/2左右。對該法拉第轉(zhuǎn)子的法拉第旋轉(zhuǎn)系數(shù)、插入損耗和溫度特性進行評價，得到了在膜厚為490μm時法拉第旋轉(zhuǎn)系數(shù)為0.0918deg/μm，插入損耗最大為0.10dB，最小為0.08dB，溫度特性為0.065deg/℃的值。
(比較例3)稱量10.915g的Ho2O3、7.664g的Lu2O3、43.214g的B2O3、184.74g的Fe2O3、8.879g的Al2O3、1189.6g的PbO、826.4g的Bi2O3、4.294g的TiO2并填充到Pt坩堝內(nèi)在大約1000℃下融解進行攪拌使之均質(zhì)化之后，以120℃/H使之降溫，在786℃的過飽和狀態(tài)下得到溫度的穩(wěn)定。接著，以100rpm使2英寸φ的CaMgZr置換GGG單晶基板進行旋轉(zhuǎn)35個小時，外延生長磁性石榴石單晶膜。但是，除外延生長以外，在融液中還發(fā)生石榴石相的析出，膜厚只能得到280μm的單晶膜。雖然在該磁性石榴石單晶膜的表面上沒有裂紋，但當由于融液中的石榴石析出的結果發(fā)現(xiàn)了多個缺陷。
用熒光X射線法分析所得到的單晶膜的組成，得知其組成為表1所示的那樣的Bi1.60Ho0.70Lu0.66Pb0.04Fe4.46Al0.50Ti0.02Pt0.02O12。由于該單晶膜膜厚不足，故未能加工成L波段(1570nm～1620nm)用的法拉第轉(zhuǎn)子。
表1Bi置換稀土族鐵石榴石單晶膜的組成和評價結果的總結發(fā)明的效果如上所述，采用本發(fā)明，可以得到減少了在單晶膜的生長時或研磨加工時的裂紋的磁性石榴石材料的同時，還可以得到在1570nm～1620nm的波長范圍內(nèi)具有插入損耗在1.0dB以下的特性的法拉第轉(zhuǎn)子。
權利要求
1．一種磁性石榴石材料，其特征是該材料是用通式BiaM13-aFe5-bM2bO12表示的材料，其中，M1是從Y、La、Eu、Gd、Ho、Yb、Lu、Pb中選出來的至少一種元素，M2是從Ga、Al、Ti、Ge、Si、Pt中選出來的至少一種元素，a滿足1.0≤a≤1.5，b滿足0≤b≤0.5。
2．權利要求1所述的磁性石榴石材料，其特征是上述材料是用液相外延生長法形成的磁性石榴石材料。
3．一種光磁器件，該光磁器件是在規(guī)定的波長λ(但，1570nm≤λ≤1620nm)的光入射進來之際法拉第旋轉(zhuǎn)角θ成為44deg≤θ≤46deg的光磁器件，其特征是該光磁器件是用權利要求1或2所述的磁性石榴石材料形成的。
4．權利要求3所述的光磁器件，其特征是上述波長λ的光入射進來之際的插入損耗在0.1dB以下。
全文摘要
本發(fā)明涉及利用使用磁性石榴石材料的光磁效應的光磁器件,提供在單晶膜生長時或研磨加工時不產(chǎn)生裂紋的磁性石榴石材料。還提供光磁器件,它是在波長λ(1570nm≤λ≤1620nm)的光入射時法拉第旋轉(zhuǎn)角θ為44deg≤θ≤46deg的光磁器件。用通式Bi
文檔編號H01F1/34GK1310349SQ0110475
公開日2001年8月29日 申請日期2001年2月22日 優(yōu)先權日2000年2月22日
發(fā)明者大井戶敦, 山澤和人 申請人:Tdk株式會社