專利名稱：電子元件,電子裝置和通信設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種適合于面朝下安裝的電子元件的結(jié)構(gòu)，其中通過安裝到由陶瓷或其它適當(dāng)?shù)牟牧现瞥傻姆庋b，或通過安裝到電路襯底或其它適當(dāng)襯底的電極圖案來連接設(shè)置在電子元件襯底上的金屬凸塊。
近年來，電子設(shè)備小型化。另外，作為使用引線的傳統(tǒng)連接方法的替代，已經(jīng)研制出面朝下安裝法來連接電子元件的電極極板和封裝的電極圖案。在面朝下安裝方法中，將電子元件的功能面安排得與封裝的連接面面對，并直接安裝到其上。
為了確保使用面朝下安裝方法的電子元件的電極極板和封裝的電極圖案的連接，常常使用焊接塊，因?yàn)橛纱巳菀走_(dá)到連接。但是發(fā)生了一些問題，其中，由于材料本身的特性，焊接塊沿電子元件的電極極板和封裝的電極圖案展開。另外，焊接塊必須通過印刷法形成，這使得難以形成小的焊接塊，或通過電鍍方法形成，這需要長的處理時(shí)間形成凸塊。
因此已經(jīng)開始研究使用諸如Au凸塊之類的金屬凸塊。焊接塊的寬度是大約500μm。另一方面，諸如Au凸塊之類的金屬凸塊可以形成為寬度為大約100μm(使用Au線)，從而金屬凸塊適合于使電子部件設(shè)備最小化。
下面將參照圖6到8解釋例如適合于使用上述金屬凸塊的面朝下安裝法的電子部件設(shè)備的聲表面波設(shè)備的一般結(jié)構(gòu)。
圖6是用于聲表面波設(shè)備的聲表面波元件的平面圖。圖7是聲表面波設(shè)備的截面圖，其中將聲表面波元件放置在封裝內(nèi)。圖8是聲表面波元件的電極極板部分與封裝的圖案電極的連接部分的放大的截面圖，其中，金屬凸塊夾在它們之間。
如圖6所示，聲表面波元件102由壓電襯底103和IDT104、反射器105、輸入電極106、輸出電極107和接地電極108構(gòu)成，它們由含有Al作為主要成份的導(dǎo)電薄膜形成在壓電襯底103上。在這些電極中，IDT104和反射器105是用于聲表面波元件012的電極元件，而輸入電極106、輸出電極107和接地電極108是要連接到電路襯底和封裝的電極極板。
如圖7所示，在聲表面波設(shè)備101中，聲表面波元件102面朝下安裝在封裝109中。分別通過Au凸塊110連接設(shè)置在封裝109上的輸出電極107和電極圖案109a，設(shè)置在封裝109上的一個(gè)接地電極108和電極圖案109b。雖然圖中未示，輸入電極106和其它接地電極108也通過Au凸塊110連接到設(shè)置在封裝109上的電極圖案。標(biāo)號109c和109d表示分別連接到電極圖案109a和109b的電極圖案。
通過汽相沉淀法或?yàn)R射法在壓電襯底103上制造薄膜厚度為大約0.1μm到0.2μm，并含有Al作為主要成份的金屬薄膜，此后通過影印石版術(shù)和蝕刻，使薄膜形成預(yù)定形狀，來形成各個(gè)設(shè)置在壓電襯底103上的電極104到108。由于使用汽相沉淀等同時(shí)形成每一個(gè)電極，如上所述，根據(jù)IDTl04的薄膜厚度決定作為電極極板的輸入電極106、輸出電極107和接地電極108的薄膜厚度。即，在IDTl04薄膜厚度為大約0.1μm到0.2μm的情況下，電極極板的厚度無法超過IDT的上述厚度。因此，當(dāng)Au凸塊直接在上述電極極板上形成大約0.1μm到0.2μm厚度時(shí)，聲表面波元件102面朝下安裝在封裝109上，其中Au凸塊在它們之間，電極極板部分的強(qiáng)度減少，從而電極極板剝落，因此無法得到足夠連接強(qiáng)度。
如圖8所示，在傳統(tǒng)聲表面波元件102中，還通過汽相沉淀或?yàn)R射，在作為形成在壓電襯底103上的電極極板的接地電極108上形成由含有Al作為主要成份的金屬制成的1μm厚的上電極111，因此，確保了電極極板的厚度，以便實(shí)現(xiàn)足夠的連接強(qiáng)度。另外，雖然圖中未示，但是以類似于接地電極108的方式，在輸入電極106和輸出電極107上也形成有上電極111。由于輸入電極106、輸出電極107和接地電極108由含有Al作為主要成份的金屬構(gòu)成，故這些電極的表面可以被氧化。當(dāng)直接將由和上述鋁相同的鋁制成的上電極111設(shè)置在具有被氧化的表面的輸入電極106、輸出電極107和接地電極108上時(shí)，無法實(shí)現(xiàn)足夠的粘附強(qiáng)度。因此，例如在上電極111和輸入電極106，輸出電極107和接地電極108之間設(shè)置Ti(與Al具有極好的連接強(qiáng)度)制成的中間電極112。
但是，對于這種傳統(tǒng)的聲表面波元件，有下面的問題。即，在將聲表面波元件安排得面對設(shè)置在封裝上的電極圖案，并且它們之間有凸塊的情況下，當(dāng)施加超聲波或加熱以連接電極圖案和Au凸塊時(shí)，有壓力，大的應(yīng)力被施加到安裝到Au凸塊的聲表面波元件的一部分。即，有大的應(yīng)力施加到輸入電極、輸出電極、接地電極和形成在其上的上電極上。
當(dāng)在諸如氣密處理等安裝過程中施加了熱應(yīng)力或機(jī)械應(yīng)力時(shí)，或當(dāng)施加了另一個(gè)由環(huán)境溫度變化引起的外部的沖擊或熱應(yīng)力時(shí)，也有一個(gè)外力施加到輸入電極、輸出電極、接地電極和形成在其上的上電極上。
在傳統(tǒng)的聲表面波元件中，由于由例如Ti(與Al有極好的連接強(qiáng)度)制成的中間電極設(shè)置在上電極和輸入電極、輸出電極和接地電極之間，以便增強(qiáng)連接強(qiáng)度，應(yīng)力不集中在中間電極連接部分，而集中在壓電襯底處。結(jié)果，有一個(gè)問題，即在壓電襯底中發(fā)生碎裂。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，壓電襯底上的裂縫和破裂引起問題，例如元件破壞、連接強(qiáng)度減小，電氣不連接，從而聲表面波設(shè)備的功能惡化。
壓電襯底中的裂縫和破裂是由面朝下安裝處理、密封處理和其它相關(guān)處理中，各種施加到壓電襯底上的應(yīng)力引起的。本發(fā)明的發(fā)明人證實(shí)，即使將面朝下處理中使用的各種參數(shù)，諸如施加超聲波的功率和時(shí)間、加熱溫度、或者壓力大小，以及密封處理中所使用的參數(shù)，例如電極的加熱溫度、加熱時(shí)間長度最優(yōu)化，以便減小裂縫和破裂的發(fā)生，仍然不可能放置壓電襯底的裂縫，以及確保電極和凸塊之間足夠的連接強(qiáng)度。
為了克服上述問題，本發(fā)明的較佳實(shí)施例提供了一種電子元件，其中在電子元件與設(shè)置在封裝或電路襯底上的電極圖案面對，并且其間有Au凸塊，并且在加超聲波或加熱以便使電極圖案和Au凸塊連接時(shí)施加壓力的情況下，即使當(dāng)有大的應(yīng)力施加給電子元件安裝到Au凸塊的部分時(shí)，在元件襯底中仍然不會(huì)發(fā)生諸如裂縫和破裂之類的問題。
根據(jù)本發(fā)明的較佳實(shí)施例的電子元件包括襯底、設(shè)置在襯底上的電極，連接到電極的電極極板，設(shè)置在電極極板上，并連接到金屬凸塊的上電極，設(shè)置在電極極板和上電極之間的中間電極，中間電極最好包括由構(gòu)成電極極板或上電極的金屬以外的其它金屬制成，并且中間電極的厚度最好大于大約50nm。
中間電極可以由構(gòu)成電極極板或上電極以外的其它金屬制成的多層構(gòu)成，并且多層的總厚度最好超過大約50nm。
上述中間電極的厚度或多層的總厚度最好大約是100nm或更大。
構(gòu)成上述電極極板或上述上電極的金屬是Al，并且上述中間電極最好是從由Ni,Cr,NiCr和Ti構(gòu)成的組中選出的一種金屬。
上述金屬凸塊最好由Au或含有Au作為主要成份的金屬材料制成。
至少一層襯底電極可以設(shè)置在電極極板和元件襯底之間。
最好使用超聲波執(zhí)行上述面朝下安裝。另外，電子元件最好是聲表面波元件，并且最好通過面朝下方法將電子元件安裝在封裝內(nèi)。
通過傳統(tǒng)方法，在襯底中發(fā)生的裂縫和破裂不再發(fā)生，因?yàn)橹虚g電極的材料不同于電極極板和上電極的材料，這使安裝過程中施加到壓電襯底與電極極板、中間電極和上電極的周邊的應(yīng)力分散。不僅僅通過中間電極的材料不同于電極極板或上電極的材料，防止了壓電襯底中的裂縫。在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，當(dāng)中間電極是單層時(shí)，其厚度最好超過大約50nm，最好是達(dá)到大約100nm或更大。以便防止壓電襯底中產(chǎn)生裂縫。這是因?yàn)楫?dāng)中間電極的厚度減小，中間電極分散到電極極板或上電極中，因此，中間電極層消失，從而使電極極板、中間電極和上電極成為一個(gè)電極極板，從而應(yīng)力無法在層的周邊分散。
在包含多層的中間電極的電子元件中，當(dāng)電極極板和上電極以外的金屬層數(shù)量增加，每一個(gè)金屬層的厚度可以減小。但是，不是所有層都由于層的數(shù)量的增加而消失，從而應(yīng)力分散在層周邊。相應(yīng)地，電極極板和上電極以外的金屬層的總厚度大于對應(yīng)于大約50nm的厚度，電極極板和上電極以外的金屬層的總厚度大于大約100nm。
可以使用上述安裝方法將電子元件或聲表面波元件安裝到封裝容器內(nèi)，并且封裝容器可以由蓋子氣密，以制造出電子元件或聲表面波設(shè)備。
根據(jù)本發(fā)明的各種較佳實(shí)施例，在電子部件設(shè)備中，由于金屬凸塊和電極極板之間的粘附強(qiáng)度足夠，在元件襯底中不發(fā)生裂縫和破裂，可以防止電子元件的破壞和連接強(qiáng)度的降低。因此，對于改善電子元件和電子部件設(shè)備的產(chǎn)量，減少不合格率，改善可靠性及其其它特性是有用的。
從下面參照附圖對本發(fā)明的較佳實(shí)施例的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特點(diǎn)、特性、元素和優(yōu)點(diǎn)更加顯然。
為了說明本發(fā)明，附圖中示出幾個(gè)目前較好的形式，但是應(yīng)該知道，本發(fā)明不限于示出的這種精確的安排和手段的。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的較佳實(shí)施例的聲表面波元件的平面圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例的聲表面波設(shè)備的截面圖；圖3是通過根據(jù)本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例的聲表面波設(shè)備的封裝上的金屬凸塊結(jié)合的安裝部分的放大的截面圖4是通過根據(jù)本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例的聲表面波設(shè)備的封裝上的金屬凸塊結(jié)合的安裝部分的放大的截面圖；這是聲表面波元件的平面圖；圖5是局部示出根據(jù)本發(fā)明的第四較佳實(shí)施例的通信設(shè)備的方框圖；圖6是傳統(tǒng)聲表面波元件的平面圖；圖7是傳統(tǒng)聲表面波設(shè)備的截面圖；圖8是通過傳統(tǒng)聲表面波元件的封裝上的凸塊電極結(jié)合的安裝部分的放大的截面圖。
下面將參照圖1和圖2，解釋根據(jù)本發(fā)明的較佳實(shí)施例，其中將聲表面波是作為電子部件設(shè)備的一個(gè)例子。圖1是聲表面波設(shè)備使用的聲表面波元件的平面圖；圖2是其中將聲表面波元件放置在封裝內(nèi)的聲表面波設(shè)備的截面圖。
如圖1所示，聲表面波元件2最好包含較好地由鉭化鋰(lithium tantalite)或其它適當(dāng)材料制成的壓電襯底3，由壓電襯底3上的厚度為100nm到大約400nm薄膜(由Al制成)確定的兩個(gè)縱向耦合雙模聲表面波濾波器4和5的IDT和反射器，和設(shè)置在輸入電極6、輸出電極7和接地電極8上的上電極11，其間有中間電極。在這些電極中，兩個(gè)縱向耦合雙模聲表面波濾波器4和5的IDT和反射器是聲表面波元件2所用的元件電極，輸入電極6、輸出電極7和接地電極8是用于連接到電路襯底和封裝的電極極板。
如圖2所示，聲表面波設(shè)備1是這樣的，其中聲表面波元件2面朝下安裝在最好由陶瓷制成的封裝9中。厚度為大約1μm，由Al制成，并在輸出電極7上(其間有由NiCr合金薄膜制成的厚度為200nm的中間電極12)的上電極11和由Au制成，并設(shè)置在封裝9上的電極圖案9a通過它們之間的Au凸塊10連接。厚度大約1μm，并由Al制成，設(shè)置在接地電極8上(其間有厚度大約200nm的NiCr合金薄膜制成的中間電極12)的上電極11與由Au制成，并設(shè)置在封裝9上的電極圖案9b通過它們之間的Au凸塊10連接。雖然圖中未示，但是，輸入電極6和另外一個(gè)接地電極8也類似地連接到設(shè)置在封裝9上的電極圖案(通過它們之間的Au凸塊)。標(biāo)號9c和9d表示由Au制成的外部電極，而且這些電極分別連接到電極圖案。封裝9的蓋子可以由與用于包含聲表面波元件2的部分相同的陶瓷制成，或者可以是金屬板。
介質(zhì)，將解釋根據(jù)本發(fā)明的較佳實(shí)施例的聲表面波元件的制造方法。首先，使用汽相沉淀法或?yàn)R射法在壓電襯底3上形成AL薄膜，它厚度大約是100nm到大約400nm，此后，使用影印石版術(shù)和蝕刻，使薄膜形成為預(yù)定形狀，以便形成縱向耦合雙模聲表面波濾波器4和5的IDT和反射器，并形成確定了電極極板的輸入電極6、輸出電極7和接地電極8。然后通過例如汽相沉淀(使用提升法或其它適當(dāng)方法)和濺射在輸入電極6、輸出電極7和接地電極8上形成由NiCr制成，厚度為200nm的中間電極12，此后，以上述相同的方式，通過汽相沉淀、濺射或其它適當(dāng)處理，在中間電極12上形成由AL制成，厚度為大約1μm的上電極。最好使用球焊法形成上電極11。特別地，將形成在Au線端部上的球通過按壓在上電極11上，同時(shí)施加超聲波，然后將Au線從球部分切去，來形成Au凸塊10。
將通過上述處理形成的聲表面波元件的表面安排得面對形成在封裝9上的電極圖案9a和9b，并且它們之間有Au凸塊10，按壓該元件，同時(shí)施加超聲波和熱，以便使它們接觸，然后，通過蓋子將封裝9氣密，以便完成聲表面波設(shè)備1。
表1示出對中間電極12的層的厚度和壓電襯底中產(chǎn)生裂縫的發(fā)生率檢查的結(jié)果。此時(shí)，檢查的聲表面波設(shè)備的條件是，電極極板和元件電極是大約350nm的AL電極，中間電極是NiCr電極，上電極是大約1μm的AL電極，而其它的規(guī)格和如圖2所示的聲表面波設(shè)備1的一樣。當(dāng)中間電極的厚度大約是400nm和大約500nm時(shí)，檢測的次數(shù)小于150，因?yàn)樵诹芽p測試之前確定為有缺陷的項(xiàng)目不合格。
表1中間電極的厚度(nm)裂縫發(fā)生數(shù)量/測試數(shù)量 裂縫發(fā)生率10 7/2003.5％50 6/2003.0％1000/2000.0％1500/1500.0％2000/2000.0％2500/1500.0％3000/1500.0％4000/1490.0％
500 0/1480.0％如表1所示，隨著中間電極層厚度的增加，有缺陷項(xiàng)比例有減小趨勢。即，關(guān)于壓電襯底的應(yīng)力可以通過增加層的厚度來減小。由于有缺陷項(xiàng)比例最好小于大約3％，故中間電極的層厚度最好超過大約50nm如表1所示。
如表1中清楚可見的，當(dāng)中間電極的層厚度是大約100nm或更大時(shí)，可以防止壓電襯底中產(chǎn)生的裂縫。雖然表1中清楚可見，隨著中間電極的層厚度的增加，有缺陷項(xiàng)比例減小，但是由于隨著層厚度的增加，需要更高成本和時(shí)間，最好考慮中間電極的層厚度是大約200nm。
下面將參照圖3解釋根據(jù)本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例。圖3是通過根據(jù)本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例的聲表面波設(shè)備的封裝上的金屬凸塊的安裝部分的放大的截面圖。這里，和根據(jù)本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例中相同的元件(圖1和圖2所示)由和第一較佳實(shí)施例中的相同的標(biāo)號表示，并省略了詳細(xì)解釋。
當(dāng)將本較佳實(shí)施例與第一較佳實(shí)施例比較時(shí)，有不同的地方，即根據(jù)第一較佳實(shí)施例的中間電極是厚度大約200nm，由NiCr制成的單層電極，而根據(jù)本較佳實(shí)施例的中間電極是多層電極，它包含有多層。
如圖3所示，在設(shè)置在壓電襯底3上的接地電極8和上電極11之間的中間電極具有三層結(jié)構(gòu)。即，中間電極按照從壓電襯底3側(cè)開始的順序，最好包含大約50nm厚的NiCr層12a，大約1μm厚的Al層12b，以及大約50nm厚的Ti層12c。雖然圖中未示，但是，其它的接地電極、輸入電極和輸出電極具有類似于如圖4所示的結(jié)構(gòu)。
在本較佳實(shí)施例中，中間電極12的厚度最好是大約1100μm。作為在由和作為電極極板的接地電極8和上電極11相同的金屬制成的中間電極12中，層的厚度的增加的結(jié)果，即使當(dāng)整個(gè)中間電極12的厚度為大約100nm或更大，仍然無法防止在壓電襯底3中發(fā)生裂縫。因此，NiCr層12a和Ti層12c的總的厚度最好超過大約50nm，在本較佳實(shí)施例中最好超過大約100nm。
通過上述結(jié)構(gòu)，可靠地實(shí)現(xiàn)了在層的周邊的應(yīng)力的分散，從而可以防止壓電襯底中裂縫和破裂的發(fā)生。
下面，2參照圖4解釋根據(jù)本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例。圖4是通過根據(jù)本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例的聲表面波設(shè)備的防止上的金屬凸塊結(jié)合的安裝部分的放大的截面圖。這里，和如圖1和2所示的根據(jù)本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例和如圖3所示的根據(jù)本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例中的相同額元件由第一和第二較佳實(shí)施例中相同的標(biāo)號表示，并省略了它們的詳細(xì)解釋。
當(dāng)將本較佳實(shí)施例和第二較佳實(shí)施例比較時(shí)，要點(diǎn)在于，將傳襯底電極13設(shè)置在確定電極極板的接地電極8和壓電襯底3之間，并且不設(shè)置第二較佳實(shí)施例中的中間電極12中的Al層12b。
如圖4所示，設(shè)置在壓電襯底3上的接地電極3與上電極11之間的中間電極12具有兩層結(jié)構(gòu)。即，按照從壓電襯底3側(cè)開始的順序，中間電極最好包含大約50nm厚的NiCr層12a和大約50nm厚的Ti層12c。通過上述結(jié)構(gòu)，使側(cè)根年周邊的應(yīng)力分散是可能的，從而可防止在壓電襯底中發(fā)生裂縫和破裂。
如圖4所示，將厚度為大約10nm，由Ti制成的襯底電極13設(shè)置在壓電襯底3和確定電極極板的接地電極之間，通過這種振動(dòng)電極13，大大改進(jìn)了確定電極極板的壓電襯底3和接地電極8的粘附強(qiáng)度，并且大大改進(jìn)了聲表面波元件的點(diǎn)特性。雖然圖中未示，其它接地電極，輸入電極和輸出電極具有類似于如圖4所示的結(jié)構(gòu)。
在上述第一到第三較佳實(shí)施例中，將利用由鉭化鋰制成的壓電襯底作為元件襯底進(jìn)行解釋。但是，也可以使用設(shè)置有鈮酸鋰或氧化鋅薄膜的絕緣襯底，和諸如石英和蘭賽特(langasite)之類的壓電襯底和其它適當(dāng)襯底，并顯示類似效果。
在本發(fā)明的第一到第三較佳實(shí)施例中，最好與Al電極確定電源電極和電極極板和上電極。但是，通過合成金屬材料可以顯示類似的效果，諸如由Al和添加的5％的Au制成的合金。還可以使用其它適當(dāng)材料。
另外，在上述第一到第三較佳實(shí)施例中，解釋了作為例子的電子部件設(shè)備，其中電子元件面朝下安裝在封裝內(nèi)。但是，本發(fā)明可以應(yīng)用于這樣的情況，其中將電子元件直接面朝下安裝在電路襯底上或其它適當(dāng)襯底上。
在上述第一到第三較佳實(shí)施例中，解釋了作為例子的NiCr和Ti制成的中間電極。但是，任何除了構(gòu)成電極極板或上電極的金屬以外的金屬都可以使用，并且在電極極板和上電極含有Al的情況下，考慮到粘附，最好是使用Ni,Cr,Ti和NiCr。
在第一到第三較佳實(shí)施例中，解釋了使用球焊形成的Au凸塊作為例子。但是，可以使用例如通過電鍍的凸塊形成法。凸塊本身可以是諸如AL凸塊之類的金屬凸塊。但是，考慮到制造的容易，最好是使用球焊形成的AU凸塊。
在上述第三較佳實(shí)施例中，解釋了由Ti制成的襯底電極作為例子。但是，可以將Cu,Cr或其它適當(dāng)用作襯底電極，并且其厚度不限于大約10nm，只要能夠改進(jìn)壓電襯底和電極極板的粘附強(qiáng)度就可以。
在上述第一到第三較佳實(shí)施例中，為面朝下安裝最好同時(shí)施加超聲波和熱。但是，也可以使用僅僅應(yīng)用熱或僅僅應(yīng)用超聲波的方法。特別地，在使用施加超聲波的方法的情況下，由于可能產(chǎn)生應(yīng)力，故本發(fā)明的各種較佳實(shí)施例的構(gòu)成適合于使用應(yīng)用至少超聲波的方法，面朝下安裝。
本發(fā)明的較佳實(shí)施例可以順利地應(yīng)用于通信設(shè)備。如圖5所示，根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)較佳實(shí)施例的通信設(shè)備最好包含天線30、連接到天線30的雙工器31、都連接到雙工器30的發(fā)送電路和接收電路。發(fā)送電路包括內(nèi)部分級濾波器34，對由振蕩器33產(chǎn)生，并由分頻器32分頻的信號進(jìn)行濾波，功率放大器，用于放大發(fā)送信號，以及隔離器36，以防止接收信號發(fā)送到發(fā)送電路。接收電路包括低噪放大器37，6用于放大從天線30接收的接收信號，以及內(nèi)部分級濾波器38，以對接收信號進(jìn)行濾波。通過使接收信號和本地信號混頻，從混頻器39輸出IF信號。
雖然已經(jīng)揭示了本發(fā)明的較佳實(shí)施例，在下面的權(quán)利要求范圍內(nèi)可以有各種模式實(shí)施這里所揭示的原理。因此應(yīng)該知道本發(fā)明的范圍只由所附權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求
1．一種適合于面朝下安裝的電子元件，其特征在于包含襯底；設(shè)置在所述襯底上的元件電極；連接到所述元件電極的電極極板；金屬凸塊；設(shè)置在所述電極極板上，并連接到所述金屬凸塊的上電極；和位于所述電極極板和所述上電極之間的中間電極；其中所述中間電極包括由構(gòu)成所述電極極板或所述上電極的金屬以外的金屬制成的單層，并且所述中間電極的厚度是大約50nm。
2．如權(quán)利要求1所述的電子元件，其特征在于所述中間電極的厚度等于或大于大約100nm。
3．如權(quán)利要求1所述的電子元件，其特征在于構(gòu)成所述電極極板和所述上電極中的至少一個(gè)的金屬是Al，所述中間電極是由從由Ni,Cr,NiCr和Ti構(gòu)成的組中選出的金屬制成的。
4．如權(quán)利要求1所述的電子元件，其特征在于所述金屬凸塊是由Au和含有Au作為主要成份的金屬材料中的一種制成的。
5．如權(quán)利要求1所述的電子元件，其特征在于所述元件電極包含多個(gè)層，并且將所述元件電極的所述多層中的至少一個(gè)設(shè)置在所述電極極板和所述襯底之間。
6．如權(quán)利要求1所述的電子元件，其特征在于所述電子元件是聲表面波元件。
7．如權(quán)利要求1所述的電子部件設(shè)備，其特征在于還包含封裝，其中，將電子元件以面朝下方式安裝在封裝內(nèi)。
8．一種通信裝置，其特征在于包含如權(quán)利要求1所述的電子元件。
9．一種適合于面朝下安裝的電子元件，其特征在于包含襯底；設(shè)置在所述襯底上的元件電極；連接到所述元件電極的電極極板；金屬凸塊；設(shè)置在所述電極極板上，并連接到所述金屬凸塊的上電極；和位于所述電極極板和所述上電極之間的中間電極；其中，所述中間電極包含由構(gòu)成所述電極極板或所述上電極以外的金屬制成的多層，并且所述多層的總厚度大于大約50nm。
10．如權(quán)利要求9所述的電子元件，其特征在于所述中間電極的厚度等于或大于大約100nm。
11．如權(quán)利要求9所述的電子元件，其特征在于構(gòu)成所述電極極板和所述上電極中的至少一個(gè)的金屬是Al，所述中間電極是由從由Ni,Cr,NiCr和Ti構(gòu)成的組中選出的金屬制成的。
12．如權(quán)利要求9所述的電子元件，其特征在于所述金屬凸塊是由Au和包含Au作為主要成份的金屬材料中的一種制成的。
13．如權(quán)利要求9所述的電子元件，其特征在于所述元件電極包含多層，并且所述元件電極的多層中至少一層設(shè)置在所述電極極板和所述襯底之間。
14．如權(quán)利要求9所述的電子元件，其特征在于所述電子元件是聲表面波元件。
15．如權(quán)利要求9所述的電子部件設(shè)備，其特征在于還包含封裝，其中將電子元件面朝下地安裝在所述封裝內(nèi)。
16．一種通信裝置，其特征在于包含如權(quán)利要求9所述的電子元件。
17．一種適合于面朝下安裝的電子元件，其特征在于包含襯底；設(shè)置在所述襯底上的元件電極；連接到所述元件電極的電極極板；設(shè)置在所述電極極板上，并連接到所述金屬凸塊的上電極；和設(shè)置在所述電極極板和所述上電極之間的中間電極；其中，所述中間電極包括多層，并且除了由與構(gòu)成所述電極極板和所述上電極中的一個(gè)的金屬相同的金屬制成的層以外，所述多層的總厚度大于大約50nm。
18．如權(quán)利要求17所述的電子元件，其特征在于所述中間電極的厚度等于或大于大約100nm。
19．如權(quán)利要求17所述的電子元件，其特征在于構(gòu)成所述電極極板和所述上電極中的至少一個(gè)的金屬是Al，而所述中間電極由從Ni,Cr,NiCr和Ti所構(gòu)成的組中選出的金屬制成。
20．如權(quán)利要求17所述的電子元件，其特征在于所述金屬凸塊是由Au和含有Au作為主要成份的金屬材料中的一種制成的。
21．如權(quán)利要求17所述的電子元件，其特征在于所述元件電極包含多層，并且所述元件電極的所述多層中的至少一層設(shè)置在所述電極極板和所述襯底之間。
22．如權(quán)利要求17所述的電子元件，其特征在于所述電子元件是聲表面波元件。
23．如權(quán)利要求17所述的電子部件設(shè)備，其特征在于還包含封裝，其中將電子元件面朝下安裝在所述封裝內(nèi)。
24．一種通信裝置，其特征在于包含如權(quán)利要求17所述的電子元件。
25．一種電子部件設(shè)備的制造方法，其特征在于包含以下步驟形成電子元件，包含襯底；在所述襯底上形成元件電極；形成連接到所述元件電極的電極極板；在所述電極極板上形成上電極將所述上電極連接到所述金屬凸塊；在所述電極極板和所述上電極之間形成中間電極；其中，所述中間電極包含由構(gòu)成所述電極極板或所述上電極的金屬以外的其它金屬制成的單層，并且所述中間電極的厚度大于大約50nm；設(shè)置外殼；和通過面朝下處理，將所述電子元件安裝到所述外殼內(nèi)。
26．如權(quán)利要求25所述的方法，其特征在于還包含步驟在將所述電子元件安裝到所述外殼內(nèi)的步驟中，施加超聲波。
27．一種電子部件設(shè)備的制造方法，包含以下步驟形成電子元件，包含襯底；在所述襯底上形成元件電極；形成連接到所述元件電極的電極極板在所述電極極板上形成上電極將所述上電極連接到所述金屬凸塊；在所述電極極板和所述上電極之間形成中間電極；其中，所述中間電極包括由構(gòu)成所述電極極板或所述上電極的金屬以外的其它電極制成的多層，而所述多層的總厚度大于大約50nm；和將所述電子元件通過面朝下安裝處理安裝到外殼內(nèi)。
28．如權(quán)利要求27所述的方法，其特征在于還包含步驟在將所述電子元件安裝到所述外殼內(nèi)的步驟中施加超聲波。
29．一種制造電子部件設(shè)備的方法，其特征在于包含步驟形成電子元件，包含襯底；在所述襯底上形成元件電極；形成連接到所述元件電極的電極極板在所述電極極板上形成上電極將所述上電極連接到所述金屬凸塊；在所述電極極板和所述上電極之間形成中間電極；其中所述中間電極包括多層，并且除了由構(gòu)成所述電極極板和所述上電極中的一個(gè)的相同的金屬構(gòu)成的層以外，所述多層的總厚度大于大約50nm；并且將所述電子元件通過面朝下處理安裝到所述外殼中。
30．如權(quán)利要求29所述的方法，其特征在于包含步驟在將所述電子元件安裝到所述外殼內(nèi)的步驟中施加超聲波。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種適合于面朝下安裝的電子元件,包括襯底、設(shè)置在襯底上的電極、連接到電極的電極極板,設(shè)置在電極極板上,并連接到金屬凸塊的上電極,位于電極極板和上電極之間的中間電極。中間電極最好包括由構(gòu)成電極極板或上電極以外的其它金屬制成的單層,并且其厚度超過大約50nm。
文檔編號H01L21/60GK1319948SQ0110887
公開日2001年10月31日 申請日期2001年2月26日 優(yōu)先權(quán)日2000年2月25日
發(fā)明者田賀重人 申請人:株式會(huì)社村田制作所