專利名稱：動態(tài)隨機存儲器電容器的制造方法
技術領域：
本發(fā)明是關于一種半導體制程，特別是關于一種深次微米(deepsub-micron)，動態(tài)隨機存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)電容器(capacitor)的制造方法。
動態(tài)隨機存儲器是一種廣泛應用的集成電路組件，尤其在信息電子業(yè)中更居不可或缺的地位。而隨著產(chǎn)業(yè)發(fā)展，對于更高容量的動態(tài)隨機存儲器的需求也隨之增加，相關業(yè)界無不努力研發(fā)以滿足高容量密度的要求，并在組件縮小化的同時如何保持其原有性質(zhì)，此為業(yè)內(nèi)人士共同面臨的問題之一。
公知堆棧式動態(tài)隨機存儲器(stack DRAM)存儲單元數(shù)組一般至少需要包括定義主動區(qū)(active area，AA)，定義字符線(word line，WL)，定義自動對準接觸窗(self-aligned contact，SAC)，定義位線接觸窗(bitline contact，BC)，定義位線(bit line，BL)以及節(jié)點接觸窗(node contact，CN)等6道光罩始能完成。

圖1是公知堆棧式位線上電容器(capacitorover bit line，COB)動態(tài)隨機存儲器的剖面圖，是利用隔離結(jié)構(gòu)102在基底100上定義主動區(qū)104，包括字符線106、位線108以及電容器110等，其中位線108與電容器110分別以自動對準接觸窗112以及節(jié)點接觸窗114與基底100電性連接，至于字符線、位線108以及電容器110的間則有介電材料116絕緣。
上述的六道光罩中包括了一道定義主動區(qū)104的島狀光罩(islandpattern)，二道包括定義字符線106以及位線的線光罩(line/spacepattern)，與三道包括自動對準接觸窗112、位線接觸窗，以及節(jié)點接觸窗114的接觸洞光罩(contact hole pattern)。隨著動態(tài)隨機存儲器芯片尺寸設計規(guī)則(design rule)的縮小，接觸窗的尺寸也需隨之縮小，對于目前的微影制程而言，將是一項極大的挑戰(zhàn)。
此外，在不同光罩之間的重疊與對準的情況，在組件尺寸縮小的情況下也變得越發(fā)地困難，而此將會限制堆棧式形成動態(tài)隨機存儲器的制程窗口(process window)。
有鑒于此，本發(fā)明提供一種動態(tài)隨機存儲器電容器的制造方法，以改善制程窗口以及重疊范圍(overlay margin)。
本發(fā)明提供一種動態(tài)隨機存儲器電容器的制造方法，是在基底上定義主動區(qū)后，在基底上形成復數(shù)條平行排列的字符線，接著，在字符線間，預定形成位線接觸窗與節(jié)點接觸窗的位置形成第一插塞與第二插塞，而其余的字符線間則填入絕緣材料。之后，在第一插塞上形成一位線接觸窗，隨后在基底上形成復數(shù)條平行排列，且與字符線垂直相交的位線，其中位線經(jīng)由位線接觸窗與第一插塞以及基底電性連接，而位線與位線之間電性絕緣，且位線上覆蓋有一硬材料層。最后在第二插塞上形成節(jié)點接觸窗。
本發(fā)明再提供一種動態(tài)隨機存儲器電容器的制造方法，是在基底上定義主動區(qū)后，在基底上形成復數(shù)條互相平行排列的字符線，而字符線與字符線之間以一間隙隔開。接著，在間隙中填入第一絕緣層，定義第一絕緣層，形成作為位線接觸窗的第一自動對準接觸窗開口與作為節(jié)點接觸窗一第二自動對準接觸窗開口。之后，在第一與第二自動對準接觸窗開口中填入導電材料，形成第一自動對準接觸窗與第二自動對準接觸窗。接著在字符線上形成第二絕緣層，并定義第二絕緣層，形成一位線接觸窗開口。接著，在位線接觸窗開口中填入導電材料，形成一位線接觸窗，使位線接觸窗可經(jīng)由第一自動對準接觸窗與基底電性連接。隨后，在第二絕緣層上形成介電層，并定義介電層，而形成復數(shù)條與字符線垂直且互相平行排列的溝道。續(xù)在溝道中填入導電材料，形成位線，其中位線的一上表面低于介電層，且位線經(jīng)由位線接觸窗與第一自動對準接觸窗電性連接。接著，在位線上形成硬材料層，并將溝道填滿。續(xù)定義介電層與第二絕緣層，形成一節(jié)點接觸窗開口，并在節(jié)點接觸窗開口中填入導電材料，形成一節(jié)點接觸窗，其中節(jié)點接觸窗經(jīng)由第二自動對準接觸窗與基底電性連接。
本發(fā)明形成的自動對準接觸窗與節(jié)點接觸窗均利用自動對準制程進行，可增加制程窗口，改善重疊范圍。
為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，特舉一較佳實施例，并配合所附圖，作詳細說明如下圖面說明圖1是一種公知堆棧式位線上電容器的動態(tài)隨機存儲器的剖面圖；圖2A-2I是根據(jù)本發(fā)明較佳實施例的動態(tài)隨機存儲器電容器的布局；圖3A-3I是根據(jù)圖2A-2I3-3線切面的制造流程剖面圖4A-4I是根據(jù)圖2A-2I4-4線切面的制造流程剖面圖；圖5是定義自動對準接觸窗的光阻圖案；圖6A-6D是圖2G6-6線的部分切面的制造流程；以及圖7-9是圖2I7-7、8-8、與9-9線切面的剖面圖。
附圖標記說明100、200 基底 102、202 隔離結(jié)構(gòu)104、204 主動區(qū) 106、206 字符線108、230 位線 110 電容器112 自動對準接觸窗 114 節(jié)點接觸窗116 介電材料 208 導電層210 覆絕緣層 212 硬材料間隙壁214 間隙 216、224 絕緣層218 不連續(xù)式T型島狀光阻圖案218a 連續(xù)式自動對準接觸窗光阻圖案220a、220b第一插塞、第二插塞226 位線接觸窗開 228 位線接觸窗232 介電層 234、234a溝道236 硬材料層238 線形節(jié)點接觸窗開口光阻圖案240 節(jié)點接觸窗開 242 節(jié)點接觸窗請同時參照圖2A，圖3A與圖4A，在基底200上形成隔離結(jié)構(gòu)202，以定義形成包括場效應晶體管(field effect transistor，F(xiàn)ET)與電容器等組件的主動區(qū)(active area，AA)204，主動區(qū)204的定義是選擇在符合設計尺寸(design rule)的條件下，具有最大微影制程窗口。其中，隔離結(jié)構(gòu)202例如為淺溝道隔離(STI)，其可以任何公知技術形成。
接著，在基底200上形成互相平行排列的字符線206。字符線206的形成例如先在基底200形成柵極氧化物層(未繪出)，再于柵極氧化物層上依序形成導電層208與覆絕緣層(cap insulation layer)210，之后利用微影蝕刻制程定義覆絕緣層210、導電層206與柵極氧化物層，并在導電層208側(cè)壁形成硬材料間隙壁212，而形成如圖3A與圖4A所示的字符線206，字符線206與字符線206之間具有間隙214隔開。
其中，導電層208作為場效應晶體管中的柵極，可以是摻雜的復晶硅，或是其它導電材質(zhì)制成，而覆絕緣層210與硬材料間隙壁212則以氮化硅較佳。場效應晶體管的源/漏極區(qū)(未繪出)則形成在字符線206側(cè)邊的基底200。字符線206的微影蝕刻定義制程是利用直線且等寬的光阻圖案進行，因此可提供最大的制程窗口以符合制程與電性的需求。
請同時參照圖2B、圖3B與圖4B，在字符線206與字符線206之間的間隙214(圖3A、圖4A)填入絕緣層216。絕緣層216的形成是先在基底200上形成絕緣材料，例如以化學氣相沉積法(CVD)沉積氧化物，覆蓋字符線206并延伸至字符線206表面，之后，再以覆絕緣層210為終點，以化學機械研磨法(CMP)平坦化絕緣材料，直至暴露出覆絕緣層210的上表面為止。
請參照圖2C、圖3C與圖4C，接著，利用光阻218定義絕緣層216，而去除在預定形成自動對準接觸窗(self-aligned contact，SAC)位置上的絕緣層216，形成第一自動對準接觸窗開口220a與第二自動對準接觸窗開口220b，其中，第一自動對準接觸窗開口220a是用作以后形成位線接觸窗之用，而第二自動對準接觸窗開口220b是用作以后形成節(jié)點接觸窗之用。之后，再去除光阻218。
自動對準接觸窗開口220a、220b的形成可利用如圖2C所繪示的不連續(xù)式的T形島狀光阻圖案(T-shape island PR pattern)218為光罩，覆蓋部分的字符線206與絕緣層216，在作為覆絕緣層210與硬材料間隙壁212的氮化硅層與作為絕緣層216的氧化物具有高蝕刻選擇比(etching selectivity)的條件下，蝕刻預定位置的絕緣層216，而形成自動對準接觸窗開口220a、220b，暴露出基底200。使用T形島狀光阻圖案218為光罩，可使定義自動對準接觸窗開口220a、220b的制程窗口變大。
此外，定義自動對準接觸窗開口220a、220b的光罩也可選用如圖5所示的光阻圖案218a，它是連續(xù)式的光阻圖案，光阻圖案218a的剖面同樣如圖3C的光阻218a所示，覆蓋住部分的字符線206與絕緣層216，而可通過光阻218a去除預定形成自動對準接觸窗開口220a、220b位置的絕緣層216。之后，再去除光阻218。
請同時參照圖2D、圖3D與圖4D，在第一自動對準接觸窗開口220a與第二自動對準接觸窗開口220b中填入導電材料，形成第一插塞222a與第二插塞222b，其中，第一插塞222a作為后續(xù)形成的位線接觸窗與基底200電性連接的第一自動對準接觸窗，而第二插塞222b作為節(jié)點接觸窗與基底200電性連接的第二自動對準接觸窗。插塞222a、222b的形成是先在字符線206上形成導電材料，例如以化學氣相沉積法形成復晶硅或鎢金屬等，之后，再以覆絕緣層210為研磨終點，使用化學機械研磨法將覆絕緣層210表面的導電材料研磨去除。
請同時參照圖2E、圖3E與圖4E，在字符線206、第一插塞222a與第二插塞222b上形成一絕緣層224，之后再利用微影蝕刻法定義絕緣層224，蝕刻而去除部分絕緣層224，在第一插塞222a上形成一位線接觸窗開口(bit line contact hole，CB hole)226，暴露出第一插塞。其中，絕緣層224例如以化學氣相沉積法形成薄氧化物層，而在作為覆絕緣層210的氮化物與作為絕緣層224的氧化物具有較大的蝕刻選擇比之下，蝕刻絕緣層224的步驟可停留在覆絕緣層210上，而不致破壞字符線206。
請參照圖2F、圖3F與圖4F，在絕緣層224上形成導電材料，例如以化學氣相沉積法形成復晶硅或鎢金屬等，填入位線接觸窗開口222a中，并延伸至絕緣層224表面。之后，再利用化學機械研磨法研磨導電材料，將絕緣層224上的導電材料去除，而在第一插塞222a上形成位線接觸窗228。其中，位線接觸窗228通過第一插塞222a與基底200電性連接。
請參照圖2G、圖3G、圖4G以及圖6A-6D，其中圖6A-6D是圖2G6-6線的部分切面的制造流程。接著，在基底200上形成互相平行排列的位線230。位線230形成是先在絕緣層224與位線接觸窗228上形成一毯覆式介電層232，覆蓋整個晶圓，例如以化學氣相沉積法形成氧化物層。之后，再于介電層232上覆蓋線形位線光阻圖案(BLline space pattern)，利用線形位線光阻圖案為罩幕，以微影蝕刻制程定義介電層232，而在介電層232中形成與字符線垂直相交，互相平行排列且深度與介電層232厚度同高的溝道234，如圖6A所示，其中溝道234需經(jīng)過位線接觸窗228，而在溝道234中暴露出位線接觸窗228表面。
接著，在溝道234中形成位線230，它是先在溝道234中填入導電材料，例如以化學氣相沉積法沉積鎢金屬，導電材料填滿溝道234并延伸至介電層232表面。續(xù)進行回蝕溝道234中導電材料的步驟，回蝕刻除了將介電層232表面的導電材料去除外，將溝道234中的導電材料回蝕至一深度，使溝道234中的下半部具有導電材料，而形成如圖6B所示的位線230，位線230通過位線接觸窗228與第一插塞222a與基底200電性連接。其中，位線230的表面需低于介電層232表面，而位線230與介電層232之間更可具有阻障層(barrier layer)增加導電材料與氧化物的間的附著力。之后，再對介電層232進行等向性蝕刻(isotropic etching)步驟，使得位線230以上的溝道234開口擴大，而形成一碗狀開口234a。請參照圖6D，續(xù)在溝道234中填入硬材料層236，例如為氮化硅層，硬材料層236可以化學氣相沉積法形成，在填滿溝道234之后并延伸至介電層232表面，之后再以介電層232作為研磨終點，利用化學機械研磨法將介電層232表面的硬材料層去除，而形成如圖3G以及圖6D所示，不高于介電層232表面的硬材料層236。擴大的開口234a使得填入的硬材料層236具有較大的表面積，因此當后續(xù)形成節(jié)點接觸窗開口時，可避免破壞底下的位線230。
請參照圖2H、圖3H與圖4H，在介電層232與硬材料層236上形成如圖2H所示的線形節(jié)點接觸窗開口光阻圖案(space node contactpattern，space CN pattern)238，覆蓋在第一插塞222a上的介電層232與硬材料層236，至少需暴露出預定形成節(jié)點接觸窗的位置。接著，以線形節(jié)點接觸窗開口光阻圖案238為罩幕，對介電層232與絕緣層224進行蝕刻，而形成節(jié)點接觸窗開口240，暴露出第二插塞222b。在定義節(jié)點接觸窗開口240的步驟中，由于位線230上有硬材料層236覆蓋，因此在蝕刻步驟進行時，硬材料層236與介電層232的高蝕刻選擇比可使得硬材料層236阻擋蝕刻劑的侵蝕，故可僅蝕刻暴露出的介電層232，而使節(jié)點接觸窗開口240可自動對準在第二插塞222b上。隨后去除光阻238。
接著，請參照圖2I，圖3I與圖4I以及圖7、圖8與圖9，其中圖7、圖8與圖9分別是圖2I線7-7、線8-8、與線9-9的剖面圖。在節(jié)點接觸窗開口240中填入導電材料，例如為復晶硅或鎢金屬，填滿節(jié)點接觸窗開口240并延伸至介電層232表面，隨后再利用化學機械研磨法去除介電層232表面多余的導電材料，而形成如圖4I所示的節(jié)點接觸窗242，其中節(jié)點接觸窗242經(jīng)由第二插塞222b與基底電性連接。從圖9所可明顯看出，硬材料層236因擴大的碗狀開口234a(圖6C)相對于位線230而言具有較大的表面積，故在定義節(jié)點接觸窗242時，可避免破壞到硬材料層236下方的位線230。
至此完成存儲單元數(shù)組，后續(xù)可以任何公知制程進行電容的制作，例如柱狀電容、冠狀電容等。
此外，本發(fā)明的較佳實施例使用了在形成自動對準接觸窗222a、222b與節(jié)點接觸窗242時均利用自動對準接觸窗的制程，故可增加制程窗口，并改善重疊范圍。
再者，本發(fā)明的較佳實施例中，利用不連續(xù)T形島狀光罩圖案218定義自動對準接觸窗，再加上定義位線與節(jié)點接觸窗時均使用線狀/間隔狀的光罩圖案，因此更能增加制程窗口。
雖然本發(fā)明已以一較佳實施例闡明如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習此技術者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作各種更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當以權(quán)利要求書范圍所界定為準。
權(quán)利要求
1.一種動態(tài)隨機存儲器電容器的制造方法，適用于一基底上，其特征在于該制造方法至少包括在基底上定義復數(shù)個主動區(qū)；在基底上定義復數(shù)條互相平行排列的字符線，這些字符線間以一間隙隔開；在間隙中填入第一絕緣層；定義第一絕緣層，形成作為位線接觸窗的第一自動對準接觸窗開口以及作為節(jié)點接觸窗的第二自動對準接觸窗開口；在第一自動對準接觸窗開口與第二自動對準接觸窗開口中填入導電材料，形成第一自動對準接觸窗與第二自動對準接觸窗；在這些字符線上形成第二絕緣層；定義第二絕緣層，形成一位線接觸窗開口；在位線接觸窗開口填入導電材料，形成一位線接觸窗，使位線接觸窗經(jīng)由第一自動對準接觸窗與基底電性耦接；在第二絕緣層上形成一介電層；定義介電層，形成復數(shù)條與字符線垂直而互相平行排列的溝道；在這些溝道中填入導電材料，形成復數(shù)條位線，這些位線的一上表面低于介電層，且這些位線經(jīng)由位線接觸窗與第一自動對準接觸窗電性連接；在位線上形成一硬材料層，將這些溝道填滿；定義介電層與第二絕緣層，形成一節(jié)點接觸窗開口；以及在節(jié)點接觸窗開口中填入導電材料，形成一節(jié)點接觸窗，其中節(jié)點接觸窗經(jīng)由第二自動對準接觸窗與基底電性耦接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動態(tài)隨機存儲器電容器的制造方法，其特征在于其中這些主動區(qū)是以一淺溝道隔離結(jié)構(gòu)定義。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動態(tài)隨機存儲器電容器的制造方法，其特征在于其中這些字符線是在基底上依序形成一導電層與一覆絕緣層，之后定義導電層與覆絕緣層成復數(shù)條互相平行排列的線，并在這些線的側(cè)壁上形成一硬材料間隙壁而形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動態(tài)隨機存儲器電容器的制造方法，其特征在于包括在這些字符線側(cè)邊的基底形成一源/漏極區(qū)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動態(tài)隨機存儲器電容器的制造方法，其特征在于在間隙中填入第一絕緣層包括在基底上形成絕緣材料，填入間隙中，并延伸至字符線上；以及以化學機械研磨法平坦化絕緣材料，使這些字符線暴露出。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動態(tài)隨機存儲器電容器的制造方法，其特征在于其中形成第一自動對準接觸窗開口與第二自動對準接觸窗開口包括在字符線與第一絕緣層上形成一不連續(xù)的T形島狀光阻圖案；以及以T形島狀光阻圖案為罩幕，蝕刻部分這些間隙中的第一絕緣層，使基底暴露出。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動態(tài)隨機存儲器電容器的制造方法，其特征在于其中第一自動對準接觸窗與第二自動對準接觸窗的形成包括在字符線上與第一絕緣層上形成導電材料，填入第一自動對準接觸窗開口與第二自動對準接觸窗開口，且延伸至字符線與第一絕緣層上；以及以化學機械研磨法研磨導電材料，使這些字符線暴露出。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動態(tài)隨機存儲器電容器的制造方法，其特征在于其中位線接觸窗開口的形成包括在第二絕緣層上形成一位線接觸窗開口光阻圖案；以及以位線接觸窗開口光阻圖案為罩幕，蝕刻第二絕緣層，暴露出第一自動對準接觸窗。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動態(tài)隨機存儲器電容器的制造方法，其特征在于其中位線接觸窗的形成包括在第二絕緣層上形成導電材料，填入位線接觸窗開口，且延伸至第二絕緣層上；以及以化學機械研磨法研磨導電材料，使第二絕緣層暴露出。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動態(tài)隨機存儲器電容器的制造方法，其特征在于其中這些溝道的形成包括在介電層上形成一線形位線光阻圖案；以及以線形位線光阻圖案為罩幕，蝕刻介電層，暴露出位線接觸窗。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動態(tài)隨機存儲器電容器的制造方法，其特征在于其中形成這些位線包括在介電層上形成導電材料，填入這些溝道中，并延伸至介電層上；以及回蝕刻填入這些溝道的導電材料，暴露出介電層，且使這些溝道僅有部分深度具有導電材料，作為位線。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動態(tài)隨機存儲器電容器的制造方法，其特征在于在形成位線后，在填入硬材料層之前包括等向性蝕刻溝道的步驟，而在這些溝道的上半部形成一碗狀開口。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動態(tài)隨機存儲器電容器的制造方法，其特征在于其中填入硬材料層包括在介電層上形成硬材料，填入這些溝道中，且延伸至介電層上；以及以化學機械研磨法去除介電層表面的硬材料，暴露出介電層。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動態(tài)隨機存儲器電容器的制造方法，其特征在于其中形成節(jié)點接觸窗開口包括在硬材料層與介電層上形成一線形節(jié)點接觸窗開口光阻圖案；以及以節(jié)點接觸窗開口光阻圖案為罩幕，蝕刻介電層與第二絕緣層，而暴露出基底。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動態(tài)隨機存儲器電容器的制造方法，其特征在于其中節(jié)點接觸窗的形成包括在介電層與硬材料層上形成導電材料，填入節(jié)點接觸窗開口，且延伸至介電層上；以及以化學機械研磨法研磨導電材料，暴露出介電層與硬材料層。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動態(tài)隨機存儲器電容器的制造方法，形成第一自動對準接觸窗開口與第二自動對準接觸窗開口包括在字符線與第一絕緣層上形成一連續(xù)式自動對準接觸窗開口光阻圖案；以及以連續(xù)的自動對準接觸窗開口光阻圖案為罩幕，蝕刻部分這些間隙中的第一絕緣層，使基底暴露出。
17.一種動態(tài)隨機存儲器電容器的制造方法，其特征在于適用于一基底上，其特征在于該制造方法至少包括在基底上定義復數(shù)個主動區(qū)；在基底上形成復數(shù)條平行排列的字符線；在形成位線接觸窗與節(jié)點接觸窗的預定位置的這些字符線間形成第一插塞與第二插塞，其余這些字符線間填入絕緣材料；在第一插塞上形成一位線接觸窗；在基底上形成復數(shù)條平行排列，與這些字符線垂直相交的位線，這些位線經(jīng)由位線接觸窗與第一插塞與基底電性連接，其特征在于這些位線之間電性絕緣，且這些位線上覆蓋一硬材料層；以及在第二插塞上形成一節(jié)點接觸窗。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的動態(tài)隨機存儲器電容器的制造方法，其特征在于其中這些主動區(qū)是以一隔離結(jié)構(gòu)定義。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的動態(tài)隨機存儲器電容器的制造方法，其特征在于其中這些字符線在基底上依序形成一導電層與一覆絕緣層，之后定義導電層與覆絕緣層成復數(shù)條平行排列的字符線，并在這些字符線側(cè)壁上形成硬材料間隙壁。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的動態(tài)隨機存儲器電容器的制造方法，其特征在于其中覆絕緣層與硬材料間隙壁包括氮化物。
21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的動態(tài)隨機存儲器電容器的制造方法，其特征在于其中包括在字符線側(cè)邊的基底形成一源/漏極區(qū)。
22.根據(jù)權(quán)利要求17所述的動態(tài)隨機存儲器電容器的制造方法，其特征在于其中第一插塞與第二插塞的形成包括在這些字符線間填入導電材料，暴露出這些字符線的一上表面；以及去除位于位線接觸窗與節(jié)點接觸窗的預定位置以外的導電材料，以形成第一插塞與第二插塞，分別作為部分的位線接觸窗與部分的節(jié)點接觸窗。
23.根據(jù)權(quán)利要求17所述的動態(tài)隨機存儲器電容器的制造方法，其特征在于其中形成位線接觸窗包括在這些字符線上形成一絕緣層，去除第一插塞上的絕緣層，暴露出第一插塞，之后填入導電材料而形成。
24.根據(jù)權(quán)利要求17所述的動態(tài)隨機存儲器電容器的制造方法，其特征在于其中形成這些位線的步驟包括在基底上形成毯覆式的介電層；去除部分毯覆式的介電層，形成復數(shù)個垂直于這些字符線的溝道，暴露出位線接觸窗；在這些溝道中填入導電層并加以回蝕，以使導電層的表面低于介電層，導電層作為這些位線；以及填入硬材料層于這些溝道中。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的動態(tài)隨機存儲器電容器的制造方法，其特征在于在形成位線后，在填入硬材料層之前更包括等向性蝕刻這些溝道的步驟，而在這些溝道的上半部形成復數(shù)個碗狀開口。
26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的動態(tài)隨機存儲器電容器的制造方法，其特征在于其中填入硬材料層包括在介電層上形成一硬材料，填入這些溝道中，且延伸至介電層上；以及以化學機械研磨法去除介電層表面的硬材料，暴露出介電層。
27.根據(jù)權(quán)利要求24所述的動態(tài)隨機存儲器電容器的制造方法，其特征在于其中位線接觸窗形成于這些字符線、第一插塞與第二插塞上方的絕緣層之中，且其中節(jié)點接觸窗的形成包括在介電層與絕緣層中形成節(jié)點接觸窗開口，以暴露出第二插塞；在介電層與硬材料層上形成導電材料，填入節(jié)點接觸窗開口，且延伸至介電層上；以及以化學機械研磨法研磨導電材料，暴露出介電層與硬材料層。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的動態(tài)隨機存儲器電容器的制造方法，其特征在于其中形成節(jié)點接觸窗開口包括在介電層與硬材料層上形成一線形節(jié)點接觸窗開口光阻圖案；以及以節(jié)點接觸窗開口光阻圖案為罩幕，蝕刻暴露出的介電層與絕緣層，而暴露出第二插塞。
全文摘要
一種動態(tài)隨機存儲器電容器的制造方法,是在一基底上定義主動區(qū)后,在基底上形成復數(shù)條平行排列的字符線,接著,在字符線間,預定形成位線接觸窗與節(jié)點接觸窗的位置形成第一插塞與第二插塞,而其余的字符線間則填入絕緣材料。之后,在第一插塞上形成一位線接觸窗,接著在基底上形成復數(shù)條平行排列,且與字符線垂直相交的位線,其中位線經(jīng)由位線接觸窗與第一插塞以及基底電性連接,而位線與位線之間電性絕緣,且位線上覆蓋有一硬材料層。最后在第二插塞上形成一節(jié)點接觸窗。
文檔編號H01L21/70GK1378262SQ01109530
公開日2002年11月6日 申請日期2001年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2001年3月30日
發(fā)明者劉豪杰, 陳錫銓, 張榮和, 蔡泓祥, 王立銘, 黃森煥, 許伯如, 謝文貴 申請人:華邦電子股份有限公司