專(zhuān)利名稱(chēng)：回收芯片的清洗方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種回收芯片的方法，且特別是有關(guān)于一種對(duì)使用過(guò)的芯片作回收，以用于常壓化學(xué)氣相沉積(atmospheric pressurechemical vapor deposition，APCVD)機(jī)臺(tái)反應(yīng)器作為預(yù)防保養(yǎng)的測(cè)試之用的方法。
集成電路在我們的日常生活中，幾乎可說(shuō)已達(dá)無(wú)所不在的地步。集成電路的制作流程相當(dāng)復(fù)雜，基本上，約需經(jīng)過(guò)數(shù)百個(gè)不同的步驟，耗時(shí)約一、二個(gè)月的時(shí)間才得以完成。其所涉及的技術(shù)涵蓋近代科學(xué)的重要發(fā)明，且其自動(dòng)化程度也是目前產(chǎn)業(yè)中最徹底的一種。由此看來(lái)，集成電路工業(yè)為一種需要資金相當(dāng)龐大的產(chǎn)業(yè)。因此，如何減少半導(dǎo)體廠(chǎng)運(yùn)轉(zhuǎn)的花費(fèi)、增加效益為業(yè)者所致力達(dá)到的目標(biāo)。
半導(dǎo)體組件，例如金氧半晶體管，是由層數(shù)不等且材質(zhì)厚度均不同的薄膜所組成，而這些薄膜覆蓋在芯片上的技術(shù)，典型的利用化學(xué)氣相沉積工藝來(lái)形成。
通常，化學(xué)氣相沉積機(jī)臺(tái)(chemical vapor deposition，CVD)均需定期作預(yù)防保養(yǎng)(prevention maintenance，PM)，而每一次的預(yù)防保養(yǎng)期間，為了確保CVD機(jī)臺(tái)合乎標(biāo)準(zhǔn)，便會(huì)進(jìn)行一測(cè)試的工作。
然而，公知均使用全新的芯片(new-bare Si)，或表面研磨過(guò)的芯片(reclaim wafer)，作為預(yù)防保養(yǎng)的測(cè)試芯片，其耗資甚大，尤其以常壓化學(xué)氣相沉積(atmospheric pressure CVD，APCVD)機(jī)臺(tái)，其預(yù)防保養(yǎng)測(cè)試時(shí)所耗用的全新芯片、或表面有研磨過(guò)的芯片的數(shù)量，比其它的CVD機(jī)臺(tái)使用的數(shù)量龐大許多。以一般半導(dǎo)體廠(chǎng)APCVD機(jī)臺(tái)預(yù)防保養(yǎng)后測(cè)試反應(yīng)器粒子(particle)的芯片數(shù)量，一個(gè)月約為350片，若全部使用全新芯片，花費(fèi)約為五十萬(wàn)；若使用表面有研磨過(guò)的芯片，其花費(fèi)約為二十一萬(wàn)，且花費(fèi)隨著產(chǎn)量的提升而增加，如此，耗資甚巨，使得半導(dǎo)體廠(chǎng)的成本花費(fèi)無(wú)法降低。
因此，本發(fā)明的目的之一就是在提供一種回收芯片的方法，可降低用于常壓化學(xué)氣相沉積機(jī)臺(tái)反應(yīng)器的預(yù)防保養(yǎng)測(cè)試所需的全新芯片的外購(gòu)數(shù)量，節(jié)省成本花費(fèi)。
本發(fā)明的另一目的就是在提供一種回收芯片的方法，利用本發(fā)明的芯片回收方法，對(duì)回收芯片加以處理后，作為常壓化學(xué)氣相沉積機(jī)臺(tái)反應(yīng)器有預(yù)防保養(yǎng)的測(cè)試芯片，如此可降低花費(fèi)，增加效益。
本發(fā)明的又一目的是在提供一種回收芯片的清洗方法，對(duì)回收的芯片進(jìn)行清洗步驟，可再利用芯片，如此可節(jié)省成本花費(fèi)，增加效益。
根據(jù)本發(fā)明的上述目的，提出一種回收芯片的方法，適用于常壓化學(xué)氣相沉積機(jī)臺(tái)預(yù)防保養(yǎng)的測(cè)試回收芯片，此測(cè)試回收芯片上具有氧化物層，將測(cè)試回收芯片先浸泡于酸洗槽中，以去除回收芯片上的氧化物，續(xù)浸于水洗槽中，去除前一步驟所殘留的酸及其它粒子。然后再浸于溢流槽中，清洗干凈。接著，再進(jìn)行粒子測(cè)試步驟，以確保經(jīng)清洗步驟后芯片的品質(zhì)與回收率。本發(fā)明借助酸洗槽控制蝕刻工藝以去除氧化物薄層，使表面粗糙度與外購(gòu)的已研磨過(guò)的芯片相似，再利用V形水洗槽對(duì)表面粒子進(jìn)行清洗，造成更好的回收芯片，以作為常壓化學(xué)氣相沉積機(jī)臺(tái)預(yù)防保養(yǎng)后測(cè)試反應(yīng)器粒子芯片之用。
此外，本發(fā)明亦提出一種已清洗過(guò)的芯片，此芯片可作為常壓化學(xué)氣相沉積機(jī)臺(tái)反應(yīng)器預(yù)防保養(yǎng)的測(cè)試芯片，其芯片的清洗步驟包括將使用過(guò)的回收芯片依序浸泡于酸洗槽、水洗槽、及溢流槽中。
為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下

圖1為依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種回收芯片的方法的方塊流程圖；以及圖2為依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的控片回收清洗步驟的方塊流程圖。
圖1繪示依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種回收芯片的方法的方塊流程圖。
請(qǐng)參照?qǐng)D1，首先，回收使用過(guò)的芯片，這些回收芯片例如是已經(jīng)經(jīng)APCVD反應(yīng)器測(cè)試使用過(guò)的芯片，或其它的回收芯片。接著，進(jìn)行步驟S100，監(jiān)視(monitor)這些回收芯片，以利后續(xù)進(jìn)行粒子的測(cè)試。
接著，進(jìn)行步驟S102，對(duì)回收的芯片加以分類(lèi)。其例如包括將表面未研磨過(guò)的芯片分類(lèi)出來(lái)。本發(fā)明系使用表面未研磨過(guò)的回收芯片來(lái)進(jìn)行后續(xù)步驟。
之后，進(jìn)行步驟S104，對(duì)這些回收芯片作一控片回收清洗步驟，此控片回收清洗步驟例如是在一控片清洗機(jī)臺(tái)(dummy wet station，DWS)上進(jìn)行，此清洗步驟包括將回收芯片先浸泡于一酸洗槽中，去除回收芯片上的氧化物，且調(diào)整其表面粗糙度。接著，將回收芯片浸泡于一V型PDR(parallel down rinse)水洗槽，去除前一步驟所殘留的酸及其它粒子。之后，再將回收芯片浸泡于一溢流槽中，清洗干凈。其中酸洗槽例如使用氫氟酸來(lái)進(jìn)行清洗。
圖2簡(jiǎn)單繪示此控片回收清洗步驟的方塊流程圖。以經(jīng)過(guò)APCVD機(jī)臺(tái)反應(yīng)器預(yù)防保養(yǎng)的測(cè)試回收芯片為例，此測(cè)試回收芯片上例如已沉積一層厚度約3000-4000埃的硼磷硅玻璃(BPSG)，首先于步驟S200中，將測(cè)試回收芯片浸泡于酸洗槽中，去除芯片表面的BPSG氧化物層，其浸泡時(shí)間約為15秒；接著，進(jìn)行步驟S202，將芯片浸泡在水洗槽中，其浸泡的時(shí)間約為10分鐘；之后，進(jìn)行步驟S204，將芯片浸泡在溢流槽中，其浸泡的時(shí)間約為5分鐘。
其中浸泡于各個(gè)清洗槽的時(shí)間設(shè)定是根據(jù)其回收芯片上的氧化物層來(lái)決定。其設(shè)定方法例如將芯片清洗后，使用原子力顯微鏡(atomic force microscopy，AFM)，觀(guān)察芯片表面的粗糙度，不斷地重復(fù)試驗(yàn)，以得到上述較佳的工藝條件。
然后，進(jìn)行步驟S106，進(jìn)行一粒子測(cè)試步驟，檢查清洗過(guò)芯片上的粒子是否少于一標(biāo)準(zhǔn)值。以8時(shí)的回收芯片為例，此特定值約為50顆(指大于0.2μm的粒子)。
若已清洗過(guò)的芯片上的粒子數(shù)目沒(méi)有少于50顆，則進(jìn)行步驟S108，作第二次的回收。若少于50顆，則合乎標(biāo)準(zhǔn)，可再利用以作為APCVD機(jī)臺(tái)反應(yīng)器的預(yù)防保養(yǎng)的測(cè)試芯片，見(jiàn)步驟S110。此粒子測(cè)試步驟可確保經(jīng)清洗過(guò)后芯片的品質(zhì)及回收率。
進(jìn)行步驟S112，回收經(jīng)APCVD機(jī)臺(tái)預(yù)防保養(yǎng)測(cè)試完后的芯片。
接著，于步驟S114中，檢查測(cè)試完后的芯片，其測(cè)試次數(shù)是否多于5次，若少于5次，則進(jìn)行步驟S116，繼續(xù)作APCVD機(jī)臺(tái)反應(yīng)器預(yù)防保養(yǎng)的測(cè)試之用。若測(cè)試次數(shù)超過(guò)5次，則于步驟S118中，將這些芯片利用在工藝要求較不嚴(yán)謹(jǐn)?shù)奈锢須庀喑练e(physical vapordeposition，PVD)工藝。
本發(fā)明的回收芯片的方法，系對(duì)使用過(guò)的芯片作一回收清洗的步驟，借助酸洗槽控制蝕刻程序以去除其上的氧化物薄層，使表面粗糙度與外購(gòu)的已研磨過(guò)的芯片相似，再利用V形水洗槽對(duì)表面粒子進(jìn)行清洗，造成更好的回收芯片，清洗過(guò)后的芯片可取代全新芯片或表面研磨過(guò)的芯片，來(lái)作為常壓化學(xué)氣相沉積機(jī)臺(tái)預(yù)防保養(yǎng)后測(cè)試反應(yīng)器粒子芯片之用。以一般半導(dǎo)體廠(chǎng)APCVD機(jī)臺(tái)預(yù)防保養(yǎng)后測(cè)試反應(yīng)器粒子的芯片數(shù)量，一個(gè)月約為350片，若使用回收清洗過(guò)的芯片，花費(fèi)僅約五千元。其生產(chǎn)效益若以每月一萬(wàn)片的產(chǎn)量計(jì)算，預(yù)估可比使用全新芯片或表面研磨過(guò)的芯片，可減少七成以上的花費(fèi)，由此看來(lái)，本發(fā)明能確實(shí)地節(jié)省制造成本，增加效益。
綜上所述，本發(fā)明具有下列優(yōu)點(diǎn)(1)利用本發(fā)明的回收芯片的清洗方法，對(duì)回收的芯片進(jìn)行一清洗回收步驟，可再利用芯片，節(jié)省全新芯片的外購(gòu)量，降低成本花費(fèi)。
(2)本發(fā)明提出一種APCVD機(jī)臺(tái)反應(yīng)器的預(yù)防保養(yǎng)測(cè)試用的芯片的回收方法，可降低成本花費(fèi)，增加效益。
雖然本發(fā)明已以一較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種改進(jìn)或變型，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求書(shū)為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種回收芯片的方法，適用于一常壓化學(xué)氣相沉積機(jī)臺(tái)預(yù)防保養(yǎng)的一測(cè)試回收芯片，該測(cè)試回收芯片上包括一氧化物層，其特征在于該方法包括將該測(cè)試回收芯片浸泡于一酸洗槽；將該測(cè)試回收芯片浸泡于一水洗槽；將該測(cè)試回收芯片浸泡于一溢流槽；以及進(jìn)行粒子測(cè)試步驟。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于其中該酸洗槽系使用氫氟酸。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于其中該氧化物層包括厚度約3000-4000埃的硼磷硅玻璃(BPSG)。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于其中該測(cè)試回收芯片浸泡于該酸洗槽的時(shí)間約為15秒，浸泡于該水洗槽的時(shí)間約為10分，浸泡于該溢流槽的時(shí)間約為5分。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于其中該測(cè)試回收芯片為表面未經(jīng)研磨的芯片。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于其中該粒子測(cè)試步驟用以檢查在該控片清洗步驟后，該芯片上的粒子是否少于一標(biāo)準(zhǔn)值；若低于該標(biāo)準(zhǔn)值，則可再利用。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于其中該測(cè)試回收芯片為8時(shí)芯片時(shí)，該標(biāo)準(zhǔn)值為50顆(指大于0.2μm的粒子)。
8.一種已清洗過(guò)的芯片，該芯片先經(jīng)過(guò)一控片清洗步驟的處理，該芯片系作為一常壓化學(xué)氣相沉積機(jī)臺(tái)反應(yīng)器預(yù)防保養(yǎng)的一測(cè)試芯片，其特征在于其中該控片清洗步驟包括提供一回收芯片，該回收芯片上包括一氧化物層，將該回收芯片浸泡于一酸洗槽，將該回收芯片浸泡于一水洗槽，及將該回收芯片浸泡于一溢流槽。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于其中該酸洗槽系使用氫氟酸。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于其中該氧化物層包括厚度約3000-4000埃的硼磷硅玻璃(BPSG)。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于其中該回收芯片浸泡于該酸洗槽的時(shí)間約為15秒，浸泡于該水洗槽的時(shí)間約為10分，浸泡于該溢流槽的時(shí)間約為5分。
12.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于其中該回收芯片為表面未經(jīng)研磨的芯片。
13.一種回收芯片的清洗方法，提供一包括一氧化物層的回收芯片，其特征在于該清洗方法包括將該回收芯片浸泡于一酸洗槽；將該回收芯片浸泡于一水洗槽；以及將該回收芯片浸泡于一溢流槽。
14.如權(quán)利要求13所述的清洗方法，其特征在于其中該氧化物層包括厚度約3000-4000埃的硼磷硅玻璃(BPSG)。
15.如權(quán)利要求14所述的清洗方法，其特征在于其中該回收芯片浸泡于該酸洗槽的時(shí)間約為15秒，浸泡于該水洗槽的時(shí)間約為10分，浸泡于該溢流槽的時(shí)間約為5分。
16.如權(quán)利要求13所述的清洗方法，其特征在于其中該回收芯片為表面未經(jīng)研磨的芯片。
17.如權(quán)利要求13所述的清洗方法，其特征在于其中該酸洗槽系使用氫氟酸。
全文摘要
一種回收芯片的清洗方法,借助本發(fā)明的回收芯片的方法,對(duì)使用過(guò)的回收芯片作一控片清洗的步驟,依序?qū)⒒厥招酒萦谝凰嵯床邸⒁凰床?、及一溢流槽中。而清洗過(guò)后的芯片可取代全新芯片或表面研磨過(guò)的芯片,來(lái)作為APCVD機(jī)臺(tái)反應(yīng)器預(yù)防保養(yǎng)的測(cè)試反應(yīng)器雜質(zhì)的芯片,如此,可節(jié)省成本花費(fèi),增加效益。
文檔編號(hào)H01L21/302GK1378235SQ0110953
公開(kāi)日2002年11月6日 申請(qǐng)日期2001年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2001年3月30日
發(fā)明者李景倫 申請(qǐng)人:華邦電子股份有限公司