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      改善了傳輸特性的同軸電纜的制作方法

      文檔序號(hào):6857800閱讀:308來源:國知局
      專利名稱:改善了傳輸特性的同軸電纜的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種同軸電纜。
      在數(shù)字可視接口中,使用的是例如傳輸最小化差值信號(hào)(TMDS)電路,其是基于其中一個(gè)數(shù)字平面面板標(biāo)準(zhǔn)。TMDS電路包括作為傳輸電纜的一根單個(gè)的雙軸電纜或兩根共軸電纜,其中每根電纜包括附加有漏導(dǎo)體的信號(hào)導(dǎo)體。
      傳統(tǒng)上已發(fā)展出許多類型的同軸電纜并得到廣泛地應(yīng)用。例如在未審查的日本專利申請(qǐng)(JP-A)No.H06-275142中公開了一種同軸電纜,該電纜包括一個(gè)中心導(dǎo)體,覆蓋中心導(dǎo)體的第一絕緣層,及覆蓋特殊導(dǎo)體的第二絕緣層。在未審查的日本專利申請(qǐng)(JP-A)No.S60-101808中也公開了一種同軸電纜組件或部件,該電纜組件包括多個(gè)同軸電纜,每根電纜的結(jié)構(gòu)同上述電纜的結(jié)構(gòu)相同并且共同放置在一個(gè)管狀件內(nèi),其包括內(nèi)部絕緣體,外部絕緣體,及放置在內(nèi)外部絕緣體之間的屏蔽導(dǎo)體。
      在這樣的同軸電纜中,通常絕緣體中的內(nèi)部絕緣體是用具有相對(duì)低的介電常數(shù)的材料制成而外部絕緣體是用具有相對(duì)高的介電常數(shù)的材料制成。因此,如果這種同軸電纜用在TMDS電路中,信號(hào)導(dǎo)體和漏導(dǎo)體的傳輸特性彼此不一致。
      在傳統(tǒng)的雙軸電纜中,漏導(dǎo)體為一根多芯導(dǎo)線并且不經(jīng)過絕緣處理。因此,信號(hào)導(dǎo)體和漏導(dǎo)體在電感系數(shù),阻抗,傳導(dǎo)系數(shù)及電容量方面彼此不同,其中這些方面支配或決定了高頻傳輸通路的電磁干擾特性。這可能會(huì)造成高頻傳輸通路的電磁干擾特性的退化。
      另外,信號(hào)導(dǎo)體和漏導(dǎo)體的高頻反應(yīng)也不相同。因此,嚴(yán)格意義上,漏導(dǎo)體和信號(hào)導(dǎo)體的傳輸速度也彼此不相同。
      因此本發(fā)明的目的在于提供一種具有極佳傳輸特性的同軸電纜。
      本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種具有極佳高頻傳輸通路特性的同軸電纜。
      本發(fā)明的其他目的在下面的描述中將清楚地體現(xiàn)出來。
      根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,提供一種同軸電纜,其包括信號(hào)導(dǎo)體,包著信號(hào)導(dǎo)體的第一絕緣件,圍繞第一絕緣件放置的屏蔽導(dǎo)體,包著屏蔽導(dǎo)體和第一絕緣件的第二絕緣件,其具有和第一絕緣件相同的介電常數(shù)。
      根據(jù)本發(fā)明的另一方面,提供一種同軸電纜,其包括信號(hào)導(dǎo)體,包著信號(hào)導(dǎo)體的第一絕緣件,圍繞第一絕緣件放置的屏蔽導(dǎo)體,包著屏蔽導(dǎo)體和第一絕緣件的第二絕緣件,其具有和第一絕緣件相同的介電常數(shù),與信號(hào)導(dǎo)體相平行延伸的漏導(dǎo)體,包著漏導(dǎo)體的第三絕緣件,其具有和第一絕緣件相同的介電常數(shù),同信號(hào)導(dǎo)體和漏導(dǎo)體相平行延伸的附加導(dǎo)體,及包著附加導(dǎo)體的附加絕緣件,其具有和第一絕緣件相同的介電常數(shù),屏蔽導(dǎo)體包著第一絕緣件,第三絕緣件,及附加絕緣件。
      根據(jù)本發(fā)明另一方面,提供一種同軸電纜,其包括信號(hào)導(dǎo)體,包著信號(hào)導(dǎo)體的第一絕緣件,圍繞第一絕緣件放置的屏蔽導(dǎo)體,包著屏蔽導(dǎo)體和第一絕緣件的第二絕緣件,其具有和第一絕緣件相同的介電常數(shù),插入第一絕緣件和屏蔽導(dǎo)體之間的漏導(dǎo)體,插入屏蔽導(dǎo)體和漏導(dǎo)體之間的第三絕緣件,其具有和第一絕緣件相同的介電常數(shù),同信號(hào)導(dǎo)體相平行延伸的附加信號(hào)導(dǎo)體,包著附加信號(hào)導(dǎo)體的附加絕緣件,其具有和第一絕緣件相同的介電常數(shù),及包著附加絕緣件的附加漏導(dǎo)體并且附加絕緣件在插入的同時(shí)也位于附加漏導(dǎo)體和屏蔽導(dǎo)體之間。


      圖1為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的同軸電纜的端部透視圖;圖2為TMDS電路的框圖,其中激勵(lì)器和接收器利用圖1所示的同軸電纜通過電纜線束連接;圖3為圖2中所用的電纜線束的等效電路圖;圖4為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的同軸電纜的端部透視圖;圖5為圖4所示同軸電纜的橫斷面視圖;圖6為根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的同軸電纜的端部透視圖;圖7為圖6所示同軸電纜的橫斷面視圖;圖8為圖6和圖7中所示同軸電纜的等效電路圖。
      參考圖1,下面根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例對(duì)同軸電纜進(jìn)行描述。
      同軸電纜10包括中心導(dǎo)體11,其沿中心軸延伸,內(nèi)部絕緣件12,其包在中心導(dǎo)體11的外圍表面上,網(wǎng)狀外部導(dǎo)體13,其放置在內(nèi)部絕緣件12的外圍表面上,外部絕緣件14,其包在外部絕緣件13的外圍表面上,屏蔽導(dǎo)體15,其包在外部絕緣件14上,及包在屏蔽導(dǎo)體15外圍表面上的絕緣外殼16。內(nèi)部絕緣件12,外部絕緣件14和絕緣外殼16是用相同的電介質(zhì)材料制成的。屏蔽導(dǎo)體15包括纏繞在絕緣外殼16內(nèi)表面上的鋁帶。
      當(dāng)應(yīng)用同軸電纜10時(shí),中心導(dǎo)體11作為信號(hào)導(dǎo)體用于信號(hào)的傳輸。外部導(dǎo)體13作為漏導(dǎo)體用于信號(hào)返回通路。內(nèi)部絕緣件12形成第一絕緣件。絕緣外殼16形成第二絕緣件。外部絕緣件14形成第三絕緣件。
      參考圖2,根據(jù)公知的一個(gè)數(shù)字平面面板標(biāo)準(zhǔn)對(duì)TMDS電路進(jìn)行描述。
      圖2中的TMDS電路包括激勵(lì)器17,接收器18,及電纜線束19,其同激勵(lì)器17和接收器18連接。當(dāng)TMDS電路工作時(shí),第一和第二信號(hào)電流I1和I2從接收器18流向激勵(lì)器17。另一方面,返回電流Ir從激勵(lì)器17流向接收器18。
      電纜線束19包括兩個(gè)圖1中所示的同軸電纜10。具有上述結(jié)構(gòu)的TMDS電路通過圖3所示的等效電路表示出來。每個(gè)同軸電纜10都是可操作的,因此在1GHz或更高的高頻區(qū)域中能夠消除共模噪聲。
      參考圖4和圖5,根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的同軸電纜進(jìn)行描述。
      同軸電纜20包括兩個(gè)中心導(dǎo)體21,它們沿電纜的縱向延伸且相互平行,兩個(gè)內(nèi)部絕緣件22,它們分別包在中心導(dǎo)體21的外圍表面上,網(wǎng)狀外部導(dǎo)體23,分別放置在內(nèi)部絕緣件22的外圍表面上,一個(gè)外部絕緣件24,其共同地包在外部導(dǎo)體23的外圍表面上,一個(gè)屏蔽導(dǎo)體25,其包在外部絕緣件24的外圍表面上,包在屏蔽導(dǎo)體25外圍表面上的絕緣外殼26。內(nèi)部絕緣件22,外部絕緣件24及絕緣外殼26是用相同的電介質(zhì)材料制成的并具有相對(duì)低的介電常數(shù),其中它們的介電常數(shù)彼此相等。屏蔽導(dǎo)體25包括纏繞在絕緣外殼26內(nèi)表面上的鋁帶。
      當(dāng)應(yīng)用同軸電纜20時(shí),每個(gè)中心導(dǎo)體21作為信號(hào)導(dǎo)體用于信號(hào)的傳輸。每個(gè)外部導(dǎo)體23作為漏導(dǎo)體用于信號(hào)的返回通路。每個(gè)內(nèi)部絕緣件22都用作一個(gè)第一絕緣件。絕緣外殼26形成第二絕緣件,外部絕緣件24形成第三絕緣件。
      如上所述,圖4和圖5中所示同軸電纜具有兩個(gè)中心導(dǎo)體21和兩個(gè)外部導(dǎo)體23。因此,通過單個(gè)的同軸電纜20就可以實(shí)現(xiàn)連接TMDS電路激勵(lì)器和接收器的電纜線束。
      接下來參考圖6和圖7,對(duì)根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的同軸電纜進(jìn)行描述。
      同軸電纜30包括兩個(gè)信號(hào)導(dǎo)體31,兩個(gè)第一絕緣件32,它們分別包在信號(hào)導(dǎo)體31的外圍表面上,漏導(dǎo)體33,第三絕緣件34,其包在漏導(dǎo)體33的外圍表面上,屏蔽導(dǎo)體35,其通過第一和第三絕緣件32和34共同地包著信號(hào)導(dǎo)體31和漏導(dǎo)體33,絕緣外殼36,其作為第二絕緣件并包在屏蔽導(dǎo)體35的外圍表面上。在此,兩根電纜41每一個(gè)都包括用第一絕緣件32包蓋的信號(hào)導(dǎo)體31,單根電纜42包括用第三絕緣件34包蓋的漏導(dǎo)體33,電纜41和電纜42都是以三股編織而成的。漏導(dǎo)體33的直徑比信號(hào)導(dǎo)體33的直徑大。因此,可以降低傳輸應(yīng)力。
      第一絕緣件32,第三絕緣件34和絕緣外殼36是用相同的電介質(zhì)材料制成并且具有彼此相等且相對(duì)低的介電常數(shù)。屏蔽導(dǎo)體35是用已知的鋁聚脂薄片屏蔽材料制成。絕緣外殼36用已知的聚鋁帶制成。通過將已知的編織屏蔽帶同聚乙烯氯化物帶共同螺旋地纏在一起可以得到屏蔽導(dǎo)體35和絕緣外殼36的接合。在這種情況下,可以使用以公知的方式用鍍錫軟的銅制導(dǎo)線制成的編織屏蔽帶。
      圖6和圖7中所示的同軸電纜30可以通過圖8所示等效電路表示。同軸電纜30是可操作的,因此在1GHz或更高的高頻區(qū)域內(nèi)可以消除共模噪聲。漏導(dǎo)體33的直徑比信號(hào)導(dǎo)體的直徑大,因此可以降低傳輸應(yīng)力。結(jié)果,在電感系數(shù),阻抗,傳導(dǎo)系數(shù)及電容量方面能夠取得一致的傳輸特性并且降低了衰減因素。
      權(quán)利要求
      1.一種同軸電纜,該同軸電纜包括信號(hào)導(dǎo)體;包著所述信號(hào)導(dǎo)體的第一絕緣件;繞著所述第一絕緣件放置的屏蔽導(dǎo)體;及包著所述屏蔽導(dǎo)體和所述第一絕緣件的第二絕緣件,其具有同所述第一絕緣件相同的介電常數(shù);
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的同軸電纜,其中所述同軸電纜還包括漏導(dǎo)體,其與所述信號(hào)導(dǎo)體相平行延伸;包著所述漏導(dǎo)體的第三絕緣件,其具有和所述第一絕緣件相同的介電常數(shù),所述屏蔽導(dǎo)體覆蓋所述第一和所述第三絕緣件。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的同軸電纜,其中所述漏導(dǎo)體的直徑比所述信號(hào)導(dǎo)體的直徑大。
      4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的同軸電纜,其中所述同軸電纜還包括同所述信號(hào)導(dǎo)體和所述漏導(dǎo)體相平行延伸的附加導(dǎo)體;及包著所述附加導(dǎo)體的附加絕緣件,其具有和第一絕緣件相同的介電常數(shù),所述屏蔽導(dǎo)體包著該附加絕緣件及第一絕緣件,第三絕緣件。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的同軸電纜,其中所述同軸電纜還包括插入所述第一絕緣件和所述屏蔽導(dǎo)體之間的漏導(dǎo)體;及插入所述屏蔽導(dǎo)體和所述漏導(dǎo)體之間的第三絕緣件,其具有和所述第一絕緣件相同的介電常數(shù)。
      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的同軸電纜,其中所述信號(hào)導(dǎo)體,屏蔽導(dǎo)體,及漏導(dǎo)體基本上同心放置。
      7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的同軸電纜,其中所述同軸電纜還包括同信號(hào)導(dǎo)體相平行延伸的附加信號(hào)導(dǎo)體;包著附加信號(hào)導(dǎo)體的附加絕緣件,其具有和第一絕緣件相同的介電常數(shù);及包著所述附加絕緣件的附加漏導(dǎo)體,并且附加絕緣件在被插入的同時(shí)也位于所述附加漏導(dǎo)體與所述屏蔽導(dǎo)體之間。
      全文摘要
      本發(fā)明公開一種同軸電纜,其具有信號(hào)導(dǎo)體和屏蔽導(dǎo)體,在二者之間放置著第一絕緣件,第二絕緣件包著屏蔽導(dǎo)體和所述第一絕緣件。第二絕緣件具有與第一絕緣件相同的介電常數(shù)。
      文檔編號(hào)H01B11/00GK1318846SQ0111072
      公開日2001年10月24日 申請(qǐng)日期2001年4月17日 優(yōu)先權(quán)日2000年4月19日
      發(fā)明者藤野一弘, 加藤宣和 申請(qǐng)人:日本航空電子工業(yè)株式會(huì)社
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