專利名稱：電光裝置、其制造方法和電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使從外部電路輸入信號(hào)的接線端子形成區(qū)域中的階梯降低的電光裝置和其制造方法，以及將該電光裝置用于顯示部的電子設(shè)備。
一般地，電光裝置把例如液晶用作電光物質(zhì)，而進(jìn)行規(guī)定顯示的液晶裝置具有將液晶夾持在一對(duì)基板之間的結(jié)構(gòu)。其中，例如，通過三端子型的開關(guān)元件來驅(qū)動(dòng)像素電極的有源矩陣型的液晶裝置具有以下那樣的結(jié)構(gòu)。即，在構(gòu)成這種液晶裝置的一對(duì)基板內(nèi)，在一個(gè)基板上彼此交叉那樣地設(shè)置多個(gè)掃描線和多個(gè)數(shù)據(jù)線，并且對(duì)應(yīng)于這些交叉部分的各個(gè)部分設(shè)置TFT(Thin Film Transistor薄膜晶體管)那樣的三端子型開關(guān)元件和像素電極對(duì)，而且，在設(shè)置這些像素電極的區(qū)域(顯示區(qū)域)的周邊上設(shè)置用于驅(qū)動(dòng)各個(gè)掃描線和數(shù)據(jù)線的周邊電路。此外，在另一基板上設(shè)置與像素電極對(duì)置的透明的對(duì)置電極。在兩基板的對(duì)置面上，分別設(shè)置研磨處理過的取向膜，使得液晶分子的長軸方向在兩基板間例如可連續(xù)扭曲約90度。另一方面，在其各背面?zhèn)壬戏謩e設(shè)置對(duì)應(yīng)于取向方向的偏光器。
這里，圖像信號(hào)通常通過圖像信號(hào)線來供給，并且對(duì)各數(shù)據(jù)線通過采樣開關(guān)以適當(dāng)?shù)亩〞r(shí)來進(jìn)行采樣。此外，如果對(duì)應(yīng)的掃描線上施加的掃描信號(hào)變?yōu)樽饔秒娖?，則在掃描線和數(shù)據(jù)線的交叉部分上設(shè)置的開關(guān)元件被導(dǎo)通，將對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線上被采樣的圖像信號(hào)供給到像素電極。而且，對(duì)置基板上設(shè)置的對(duì)置電極被維持在一定的電位上。
在這樣的結(jié)構(gòu)中，在對(duì)各掃描線供給掃描信號(hào)、以及通過周邊電路按適當(dāng)?shù)亩〞r(shí)供給控制采樣開關(guān)的采樣信號(hào)后，在像素電極和對(duì)置電極之間夾置的液晶組成的液晶電容上，將圖像信號(hào)對(duì)應(yīng)的電壓有效值施加在每個(gè)像素上。
此時(shí)，通過像素電極和對(duì)置電極之間的光在兩電極間施加的電壓差為零時(shí)，沿液晶分子的扭曲進(jìn)行約90度旋光，而隨著電壓差增大，液晶分子向電場方向傾斜的結(jié)果，其旋光性消失。因此，在例如透過型的電光裝置中，在入射側(cè)和背面?zhèn)壬吓c研磨方向一致地分別配置偏光軸相互垂直的偏光器的情況下，如果兩電極上施加的電壓差是零，則透過光，而隨著兩電極上施加的電壓差增大，光被遮擋。因此，通過按每個(gè)像素來控制對(duì)像素電極施加的電壓，可進(jìn)行規(guī)定的顯示。
可是，一般來說，上述的研磨處理是這樣的處理通過使卷繞在滾輪上的拋光布旋轉(zhuǎn)移動(dòng)，在一定方向(研磨方向)上研磨聚胺等的有機(jī)膜表面。然后，通過該研磨處理，有機(jī)膜的聚合物主鏈在研磨方向上延伸，液晶分子沿該延伸方向來排列。
但是，在形成取向膜的襯底面上，特別是在設(shè)有像素電極、開關(guān)元件、掃描線、數(shù)據(jù)線、周邊電路的基板的襯底面上，因有無各種布線和各種元件等、以及有無接觸孔等而產(chǎn)生500nm～1000nm左右的階梯。即使在產(chǎn)生這樣的階梯的襯底面上形成取向膜，在取向膜的表面上仍然產(chǎn)生階梯。而且，對(duì)這樣的取向膜進(jìn)行研磨處理后，拋光布的纖維捎因階梯混亂的結(jié)果，研磨的程度在整個(gè)基板面上會(huì)變得不均勻。而且，如果對(duì)不均勻地施加這種研磨處理的基板注入和密封液晶，則產(chǎn)生被認(rèn)為是液晶分子未取向在一定方向上的顯示不勻。具體地說，產(chǎn)生沿研磨方向的筋狀的顯示不勻，存在使顯示品質(zhì)下降這樣的問題。
本發(fā)明是鑒于上述情況提出的發(fā)明，其目的在于提供電光裝置、其制造方法和電子設(shè)備，可降低基板表面中的階梯，抑制因不均勻的研磨處理造成的顯示上的不良情況的產(chǎn)生。
首先，本申請(qǐng)的發(fā)明人認(rèn)為，在上述階梯內(nèi)，使顯示品質(zhì)下降最大的階梯是從外部電路輸入各種信號(hào)的接線端子和從這些接線端子引出的布線中產(chǎn)生的階梯。
如果對(duì)此詳細(xì)說明，那么像素電極和連接它的開關(guān)元件被對(duì)應(yīng)設(shè)置在掃描線和數(shù)據(jù)線的各交叉部分，所以它們的排列節(jié)距取決于掃描線和數(shù)據(jù)線的排列節(jié)距。此外，包括采樣開關(guān)的周邊電路對(duì)應(yīng)于掃描線和數(shù)據(jù)線來設(shè)置，所以構(gòu)成周邊電路的元件的排列節(jié)距也取決于掃描線和數(shù)據(jù)線的排列節(jié)距。因此，因這些元件和布線等的階梯造成的顯示不勻按像素排列節(jié)距的一倍或其整數(shù)倍來發(fā)生，所以認(rèn)為在顯示上不大明顯。
對(duì)此，從縮短由此引出的布線長度的觀點(diǎn)和從確保裝置整體的對(duì)稱性的觀點(diǎn)來看，使接線端子靠近用于驅(qū)動(dòng)上述采樣開關(guān)和數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路，并且沿掃描線的延伸方向(即，與數(shù)據(jù)線的延伸方向交叉的方向)來排列，而從容易進(jìn)行與外部連接的觀點(diǎn)看，將接線端子比掃描線和數(shù)據(jù)線的排列節(jié)距更寬、即與掃描線和數(shù)據(jù)線的排列節(jié)距無關(guān)地來形成。因此，認(rèn)為因接線端子和延伸至該接線端子的布線的階梯引起的顯示不勻非常顯眼。
(1)因此，本申請(qǐng)的第1發(fā)明的電光裝置的特征在于，包括多個(gè)層組成的基板；在所述基板的外表面上形成的絕緣膜；在與所述絕緣膜大致相同的同一平面上形成的輸入圖像信號(hào)的接線端子；以及與所述接線端子導(dǎo)通的布線。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于可以降低在接線端子的表面和其周邊表面上產(chǎn)生的階梯，所以可抑制研磨處理中的拋光布的纖維捎混亂。
(2)第1發(fā)明的特征在于，在構(gòu)成所述基板的層的至少一層上，設(shè)置形成所述接線端子的區(qū)域的溝。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，可以降低接線端子的表面和形成溝的絕緣膜的表面的階梯。
(3)此外，第1發(fā)明的特征在于，在形成所述接線端子的區(qū)域的溝中，設(shè)置構(gòu)成所述接線端子的導(dǎo)電膜。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，即使用于形成導(dǎo)電膜的圖形偏移，由于可以利用以溝作為邊緣，所以可以在接線端子的區(qū)域中可靠地形成導(dǎo)電膜。
(4)此外，第1發(fā)明的特征在于，在構(gòu)成所述基板的層的至少一層的所述布線的至少所述接線端子側(cè)的區(qū)域下，設(shè)置與形成所述接線端子區(qū)域的溝連接的布線溝。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，可以降低延伸至接線端子的布線的階梯。
(5)此外，第1發(fā)明的特征在于，將所述基板的外表面上形成的絕緣膜形成在形成所述接線端子區(qū)域的溝的區(qū)域和形成所述布線的溝的區(qū)域上。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，可以降低接線端子的表面和絕緣膜的表面的階梯，并且降低延伸至接線端子的布線的階梯。
(6)此外，第1發(fā)明的特征在于，所述接線端子由多層的導(dǎo)電膜來形成。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，使下層側(cè)的導(dǎo)電膜與像素區(qū)域或周邊電路的導(dǎo)電層共用，并且可以用與連接接線端子的連接體一致的材料來形成上層側(cè)的導(dǎo)電膜。
(7)此外，第1發(fā)明的特征在于，在所述形成所述接線端子區(qū)域的溝的區(qū)域下形成至少一層高度調(diào)整膜。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，僅調(diào)整溝的深度和接線端子的厚度，就可以使在溝的區(qū)域上形成的絕緣膜的表面均勻。
(8)此外，第1發(fā)明的特征在于，所述溝的深度與所述接線端子的厚度和所述高度調(diào)整膜的厚度之和大致相同。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于溝上形成的接線端子的導(dǎo)電膜的表面與基準(zhǔn)面大致相同，所以可以大體完全除去接線端子周圍的階梯。
(9)此外，第1發(fā)明的特征在于，所述高度調(diào)整膜是所述顯示區(qū)域上形成的布線和構(gòu)成所述周邊電路的布線中的至少一個(gè)布線。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于在顯示區(qū)域上形成的布線和形成周邊電路的布線共用，所以對(duì)工藝更有利。
(10)具有所述溝的深度與所述布線的厚度大致相同的特征。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，不使用高度調(diào)整膜也可以。
(11)本申請(qǐng)第2發(fā)明的電光裝置的特征在于，包括多個(gè)層組成的基板；在所述基板上設(shè)置的輸入圖像信號(hào)的接線端子；在構(gòu)成所述基板的層的至少一層上，在形成到達(dá)所述接線端子的至少一部分上設(shè)置的溝；在與所述溝對(duì)應(yīng)的區(qū)域上形成的所述布線；以及所述布線上形成的絕緣膜。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，溝上形成的布線的表面與接線端子(焊盤)的表面相比僅低溝的深度量。因此，由于將布線上形成的絕緣膜和接線端子表面的階梯降低，所以可抑制研磨處理中的拋光布的纖維捎的混亂。
再有，可以將溝直接形成在基板上，也可以在該基板上形成層積物。此外，作為布線，期望是鋁等的低電阻金屬膜。此時(shí)，將布線本身作為焊盤使用也可以，根據(jù)安裝時(shí)的情況，也可以將布線上層積的ITO(銦錫氧化物)等不同種的導(dǎo)電膜作為焊盤來使用。
(12)在第2發(fā)明中，期望所述接線端子由構(gòu)成所述布線的電鍍膜來形成，所述布線上形成的所述絕緣膜露出所述接線端子。
(13)此外，在第2發(fā)明中，期望所述接線端子的表面和所述絕緣膜的表面為大致相同的高度。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，大體上可完全除去延伸至布線的階梯。
(14)此外，第2發(fā)明的特征在于，將所述溝形成在包圍所述接線端子的區(qū)域中，在包圍所述接線端子的區(qū)域上形成所述布線。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，可以通過溝來形成接線端子的區(qū)域。此外，使相鄰的接線端子短路也可以。
(15)此外，第2發(fā)明的特征在于，所述布線上形成的所述絕緣膜的表面和與形成所述布線的區(qū)域鄰接的所述絕緣膜的表面為大致相同的高度。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，大體上可完全除去布線的階梯。
(16)此外，第2發(fā)明的特征在于，所述布線由所述顯示區(qū)域上形成的布線來形成。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于布線可以用顯示區(qū)域上形成的布線來形成，所以不必增加步驟數(shù)。
(17)此外，第2發(fā)明的特征在于，所述布線由顯示區(qū)域周圍形成的構(gòu)成周邊電路的布線來形成。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于布線由構(gòu)成周邊電路的布線來形成，所以不必增加步驟數(shù)。
(18)此外，第2發(fā)明的特征在于，所述布線由顯示區(qū)域上形成的布線和所述顯示區(qū)域的周圍形成的構(gòu)成周邊電路的布線來形成。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于將延伸至接線端子的布線、顯示區(qū)域中形成的布線和構(gòu)成周邊電路的布線共用，所以對(duì)工藝更有利。
(19)此外，第2發(fā)明的特征在于，在所述布線的區(qū)域下形成至少一層的高度調(diào)整膜。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，僅調(diào)整溝的深度和布線的厚度，就可以使在布線上形成的絕緣膜的表面均勻。
(20)此外，第2發(fā)明的特征在于，所述溝的深度與所述布線的厚度和所述高度調(diào)整膜的厚度之和大致相同。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于對(duì)應(yīng)于溝形成的布線上表面與基準(zhǔn)面大致相同，所以可大體上完全除去延伸至接線端子的布線的階梯。
(21)此外，第2發(fā)明的特征在于，所述高度調(diào)整膜是所述顯示區(qū)域上形成的布線和構(gòu)成所述周邊電路的布線中的至少一個(gè)布線。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于將顯示區(qū)域上形成的布線和構(gòu)成周邊電路的布線共用，所以對(duì)工藝更有利。
(22)此外，第2發(fā)明的特征在于，所述溝的深度與所述布線的厚度大致相同。
在第1發(fā)明中，不使用高度調(diào)整膜也可以。
(23)本申請(qǐng)的第3發(fā)明的電光裝置的特征在于，包括多個(gè)層組成的基板；所述基板上形成的顯示區(qū)域；所述顯示區(qū)域中配置的布線；所述基板上的所述顯示區(qū)域的周邊上形成的與所述布線電連接的周邊電路；所述基板上形成的接線端子；將所述周邊電路和所述接線端子電連接的布線；在構(gòu)成所述基板的層的至少一層上，在形成所述周邊電路的部分上設(shè)置的溝；以及所述周邊電路上形成的絕緣膜。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于可以使周邊電路上均勻，所以可以降低周邊電路上的階梯引起的顯示不勻。
(24)本申請(qǐng)第4發(fā)明的電光裝置的特征在于，包括多個(gè)層組成的基板；所述基板上形成的顯示區(qū)域；所述顯示區(qū)域中配置的布線；所述基板上的所述顯示區(qū)域的周邊上形成的與所述布線電連接的周邊電路；所述基板上形成的接線端子；將所述周邊電路和所述接線端子電連接的布線；在構(gòu)成所述基板的層的至少一層上，在形成所述周邊電路的部分上設(shè)置的溝；形成所述接線端子的區(qū)域的溝；以及在所述周邊電路的溝和形成所述接線端子的區(qū)域的溝的區(qū)域中形成的構(gòu)成外表面的絕緣膜。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于可以使周邊電路上和接線端子的周圍均勻，所以可以降低因周邊電路上和接線端子的周圍的階梯引起的顯示不勻。
(25)本申請(qǐng)第5發(fā)明的電光裝置的特征在于，包括多個(gè)層組成的基板；所述基板上形成的顯示區(qū)域；所述顯示區(qū)域中配置的布線；在所述基板上的所述顯示區(qū)域的周邊上形成的與所述布線電連接的周邊電路；所述基板上形成的接線端子；將所述周邊電路和所述接線端子電連接的布線；在構(gòu)成所述基板的層的至少一層上，在形成所述顯示區(qū)域中配置的布線的部分上設(shè)置的溝；在構(gòu)成所述基板的層的至少一層上，在形成所述周邊電路的部分上設(shè)置的溝；形成所述接線端子的區(qū)域的溝；以及在所述周邊電路的溝和形成所述接線端子的區(qū)域的溝的區(qū)域中形成的構(gòu)成外表面的絕緣膜。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于可以使顯示區(qū)域上、周邊電路上和接線端子的周圍均勻，所以可以降低因顯示區(qū)域上、周邊電路上和接線端子的周圍的階梯引起的顯示不勻。
(26)本申請(qǐng)第6發(fā)明的電光裝置的特征在于，包括多個(gè)層組成的基板；所述基板上形成的顯示區(qū)域；所述顯示區(qū)域中配置的數(shù)據(jù)線；沿所述顯示區(qū)域的一邊形成的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路；夾住所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路并與所述顯示區(qū)域的一邊對(duì)置那樣形成的接線端子；將圖像信號(hào)供給與所述接線端子電連接的所述數(shù)據(jù)線的信號(hào)線；在構(gòu)成所述基板的層的至少一層上，形成接線端子的區(qū)域的溝；以及構(gòu)成所述基板的外表面，并使所述接線端子露出的絕緣膜。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，尤其可以使數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路和接線端子的周圍均勻，所以可以降低因該區(qū)域的階梯引起的顯示不勻。
(27)此外，第6發(fā)明的特征在于，在構(gòu)成所述基板的層的至少一層上，至少在所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路和所述接線端子之間的區(qū)域內(nèi)形成所述信號(hào)線的部分上形成溝。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，可以遞減因形成信號(hào)線部分產(chǎn)生的階梯。
(28)此外，第6發(fā)明的特征在于，在構(gòu)成所述基板的層的至少一層上，在形成所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路的部分上形成溝。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，可以降低因數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路的階梯引起的顯示不勻。
(29)此外，第6發(fā)明的特征在于，在所述顯示區(qū)域的一邊和所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路之間，配有采樣電路電路，在所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路中控制對(duì)所述數(shù)據(jù)線供給的圖像信號(hào)。
(30)此外，第6發(fā)明的特征在于，在構(gòu)成所述基板的層的至少一層上，形成在形成所述采樣電路的部分上設(shè)置的溝。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，可以降低因采樣電路的階梯引起的顯示不勻。
(31)此外，第6發(fā)明的特征在于，在所述顯示區(qū)域上形成取向膜，所述取向膜的研磨方向從所述接線端子朝向所述顯示區(qū)域。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，通過使不依賴于像素排列節(jié)距產(chǎn)生的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路和接線端子之間的區(qū)域均勻，可以減少比較容易視出的顯示不勻。
(32)本申請(qǐng)的第7發(fā)明的電子設(shè)備的特征在于，包括發(fā)射光的光源；對(duì)所述光源的發(fā)射光實(shí)施與圖像信息對(duì)應(yīng)的調(diào)制的權(quán)利要求1至權(quán)利要求31中任一項(xiàng)所述的電光裝置；以及將所述電光裝置調(diào)制過的先進(jìn)行投射的投射部件。
在以這樣的電光裝置作為投射型使用的情況下，即使其顯示不勻非常小，但在投射像中，可視出的程度會(huì)被擴(kuò)大，但本申請(qǐng)的第6發(fā)明的電子設(shè)備配有使接線端子和延伸至該接線端子的布線形成區(qū)域平坦化的電光裝置，所以可以進(jìn)行抑制階梯引起的顯示不勻的高品質(zhì)顯示。
(33)本申請(qǐng)的第8發(fā)明的電光裝置的制造方法用于制造電光裝置，該電光裝置根據(jù)經(jīng)多個(gè)層組成的基板上設(shè)置的接線端子輸入的信號(hào)來顯示規(guī)定的圖像，其特征在于，該方法包括在構(gòu)成所述基板的層的至少一層上，在要形成延伸至所述接線端子布線的部分上設(shè)置溝的步驟；在與所述溝對(duì)應(yīng)的區(qū)域上形成所述布線的步驟；以及在所述布線上層積絕緣膜的步驟。
根據(jù)該方法，與上述第1發(fā)明同樣，可以降低接線端子的表面和絕緣膜的表面的階梯，以及延伸至接線端子的布線的階梯。
(34)此外，第8發(fā)明的特征在于，所述接線端子與形成所述布線的步驟同時(shí)形成，在層積所述絕緣膜的步驟后，包括將所述絕緣膜覆蓋的接線端子露出的步驟。
根據(jù)該方法，通過腐蝕等比較簡單的步驟就可以降低接線端子附近的階梯。
(35)此外，第8發(fā)明的特征在于，露出所述接線端子的步驟是對(duì)所述絕緣膜進(jìn)行研磨的步驟。
根據(jù)該方法，通過使作為接線端子的電鍍膜的表面具有停止層功能，可以比較容易地進(jìn)行大體完全的平坦化。


圖1(a)表示本發(fā)明實(shí)施例的電光裝置的液晶裝置的結(jié)構(gòu)斜視圖，圖1(b)是圖1(a)的A-A’線的剖面圖。
圖2表示本發(fā)明實(shí)施例的液晶裝置的電氣結(jié)構(gòu)方框圖。
圖3表示本發(fā)明實(shí)施例的液晶裝置的顯示區(qū)域的等效電路圖。
圖4是說明本發(fā)明實(shí)施例的液晶裝置的工作的定時(shí)圖。
圖5表示本發(fā)明實(shí)施例的液晶裝置的顯示區(qū)域中的像素的詳細(xì)結(jié)構(gòu)平面圖。
圖6是圖4的B-B’線的剖面圖。
圖7表示本發(fā)明實(shí)施例的液晶裝置的周邊區(qū)域的逆變器電路的詳細(xì)結(jié)構(gòu)平面圖。
圖8是圖6的C-C’線的剖面圖。
圖9表示本發(fā)明實(shí)施例的液晶裝置的接線端子附近形成的溝的結(jié)構(gòu)斜視圖。
圖10是圖9的D-D’線的剖面圖，是表示液晶裝置中的接線端子和延伸至該接線端子的布線的結(jié)構(gòu)剖面圖。
圖11(a)～圖11(d)分別表示本發(fā)明實(shí)施例的液晶裝置中的元件基板的制造工序的剖面圖。
圖12(a)～圖12(h)分別表示本發(fā)明實(shí)施例的液晶裝置中的元件基板的制造工序的剖面圖。
圖13(a)～圖13(1)分別表示本發(fā)明實(shí)施例的液晶裝置中的元件基板的制造工序的剖面圖。
圖14表示本發(fā)明實(shí)施例的液晶裝置中的元件基板的研磨方向的平面圖。
圖15表示本發(fā)明變形例的接線端子和延伸至該接線端子的布線的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖16表示本發(fā)明變形例的接線端子和延伸至該接線端子的布線的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖17表示應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例的電光裝置的電子設(shè)備一例的投射器結(jié)構(gòu)平面圖。
以下，參照附圖來說明本發(fā)明的實(shí)施例。
<電光裝置的概略結(jié)構(gòu)>
首先，說明本發(fā)明實(shí)施例的電光裝置。該電光裝置通過其電光學(xué)的變化來進(jìn)行規(guī)定的顯示，作為電光學(xué)物質(zhì)使用液晶。圖1(a)表示該電光裝置內(nèi)除了外部電路以外的液晶裝置100的結(jié)構(gòu)斜視圖，圖1(b)是圖1(a)中的A-A’線的剖面圖。
如這些圖所示，液晶裝置100包括形成各種元件和像素電極118等的元件基板101；以及通過包括隔板(圖中省略)的密封材料104將設(shè)置對(duì)置電極108等的對(duì)置基板102保持一定的間隔，使電極形成面對(duì)置粘合，并且在該間隙中封入電光學(xué)物質(zhì)、例如TN(TwistedNematic扭轉(zhuǎn)向列)型的液晶105。
這里，元件基板101使用玻璃、石英和硅酮等，對(duì)置基板102使用玻璃或石英等。在元件基板101使用不透明基板的情況下，不作為透過型而作為反射型來使用。此外，密封材料104沿對(duì)置基板102的周邊來形成，但為了封入液晶105而將一部分開口。因此，在液晶105封入或，該開口部分通過密封材料106來密封。
接著，在作為元件基板101的對(duì)置面、密封材料104外側(cè)一邊的區(qū)域140a中，形成后述的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路，輸出采樣信號(hào)。而且，在這一邊中形成密封材料104的附近區(qū)域150a上形成后述的圖像信號(hào)線和采樣電路等。另一方面，在這一邊的外周部分上形成多個(gè)接線端子107，輸入來自外部電路(圖中省略)的各種信號(hào)。
此外，在與這一邊相鄰的兩邊的區(qū)域130a上分別形成后述的掃描線驅(qū)動(dòng)電路，從兩側(cè)來驅(qū)動(dòng)掃描線。再有，如果掃描線上供給的掃描信號(hào)的延遲沒有問題，那么在單側(cè)僅形成一個(gè)掃描線驅(qū)動(dòng)電路就可以。
然后，在剩余的一邊區(qū)域160a上形成預(yù)充電電路和兩個(gè)掃描線驅(qū)動(dòng)電路使用的共用布線等。這里，預(yù)充電電路是用于降低對(duì)數(shù)據(jù)線采樣圖像信號(hào)時(shí)的負(fù)載，在進(jìn)行采樣之前的定時(shí)中將各數(shù)據(jù)線預(yù)充電到規(guī)定的電位的電路，但由于在本申請(qǐng)中沒有直接關(guān)系，所以在下面省略其說明。
另一方面，如后所述，通過在與元件基板101粘合部分中的四角內(nèi)至少一個(gè)地方設(shè)置的導(dǎo)通材料，來實(shí)現(xiàn)對(duì)置基板102的對(duì)置電極108與元件基板101上形成的接線端子107的電導(dǎo)通。
另外，在對(duì)置基板102上，在與像素電極118對(duì)置的區(qū)域中設(shè)置著色層(彩色濾光器)，在著色層以外的區(qū)域中，設(shè)置防止因漏光造成的對(duì)比度下降和用于包圍非顯示區(qū)域的遮光膜。但是，在應(yīng)用于如后述的投射器那樣的色光調(diào)制用途的情況下，在對(duì)置基板102上不必形成著色層。
再有，無論在對(duì)置基板102上是否設(shè)置著色層，為了防止因光的照射而造成元件的特性下降，都在元件基板101上設(shè)置后述的遮光膜。此外，如后面所述，在元件基板101和對(duì)置基板102的背面上，設(shè)置研磨處理的取向膜(在圖1中省略)，使得液晶105中的分子的長軸方向在兩基板間連續(xù)地扭轉(zhuǎn)約90度，在其各背面?zhèn)确謩e形成對(duì)應(yīng)于取向方向的偏光器(圖中省略)。
此外，在圖1(b)中，在對(duì)置電極108、像素電極118、接線端子107上具有厚度，但這是用于表示形成位置的措施，實(shí)際上，相對(duì)于基板薄到可以忽視的程度。而且，由于接線端子107和像素電極118被形成在實(shí)施后述的平坦化處理的絕緣膜上，所以元件襯底101的對(duì)置面上，階梯大都被平坦化。
<電氣結(jié)構(gòu)>
下面，說明上述液晶裝置100中元件基板101的電氣結(jié)構(gòu)。圖2表示該結(jié)構(gòu)的示意圖。
如該圖所示，在元件基板101上設(shè)置用于輸入來自外部電路的各種信號(hào)的多個(gè)接線端子107。經(jīng)這些接線端子107輸入的信號(hào)通過布線171供給到各部。下面簡單地說明這些信號(hào)，首先，如圖4所示，VID1～VID6是將與點(diǎn)時(shí)鐘DCLK同步供給的一個(gè)系統(tǒng)的圖像信號(hào)VID分配到6個(gè)系統(tǒng)并且在時(shí)間軸上延長到6倍的信號(hào)，通過6條圖像信號(hào)線122被供給到采樣電路150。再有，圖像信號(hào)線122是布線171中的特別的線。即，布線171一般是指從接線端子107中抽出的布線，其中，將供給圖像信號(hào)VID1～VID6的布線特別稱為圖像信號(hào)線122。
第2，Vss和VssX分別是掃描線驅(qū)動(dòng)電路130和數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140的電源的低位側(cè)電壓(接地電位)。此外，VddY或VddX分別是掃描線驅(qū)動(dòng)電路130和數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140的電源的高位側(cè)電壓。其中，由于電源的低位側(cè)電壓VssY是后述的存儲(chǔ)電容器的接地電位，所以通過電容線175被供給到各像素。
第三，LC com是對(duì)置電極108上施加的電壓信號(hào)。因此，被供給電壓信號(hào)LC com的兩個(gè)電極109被分別設(shè)置在與粘合對(duì)置基板102使用的密封材料104(參照?qǐng)D1)的角對(duì)應(yīng)的地點(diǎn)。因此，元件基板101與對(duì)置基板102實(shí)際粘合后，電極109和對(duì)置電極108通過導(dǎo)通材料來連接，將電壓信號(hào)LC com施加到對(duì)置電極108上。再有，電壓信號(hào)LC com對(duì)于時(shí)間軸是一定的，將該電壓信號(hào)LC com作為基準(zhǔn)，將圖像信號(hào)VID1～VID6例如在每1個(gè)水平掃描期間分開為高位側(cè)和低位側(cè)，外部電路進(jìn)行交流驅(qū)動(dòng)。此外，設(shè)置電極109的地點(diǎn)在本實(shí)施例中為2個(gè)地方，但設(shè)置該電極109的理由是通過導(dǎo)通材料來對(duì)對(duì)置電極108施加電壓信號(hào)LC com，所以設(shè)置電極109的地點(diǎn)至少是1個(gè)就夠了。因此，設(shè)置電極109的地點(diǎn)可以是1個(gè)，也可以是3個(gè)以上。
第四，如圖4所示，DY是垂直掃描期間最初供給的傳送開始脈沖，CLY是掃描線驅(qū)動(dòng)電路130中使用的時(shí)鐘信號(hào)。再有，CLY inv是將時(shí)鐘信號(hào)CLY電平反向的反向時(shí)鐘信號(hào)。
第五，如圖4所示，DX是水平掃描期間最初供給的傳送開始脈沖，CLX是數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140中使用的時(shí)鐘信號(hào)。再有，CLX inv是將時(shí)鐘信號(hào)CLY電平反向的反向時(shí)鐘信號(hào)。ENB1、ENB2是如后述的用于限制數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140中的移位寄存器的各輸出信號(hào)的脈沖寬度的使能信號(hào)。
可是，作為元件基板101的顯示區(qū)域100a，將多個(gè)掃描線112沿行(X)方向平行地排列，此外，將多個(gè)數(shù)據(jù)線114沿列(Y方向)平行地排列，在它們的各交叉部分上設(shè)置對(duì)應(yīng)的像素。
詳細(xì)地說，如圖3所示，在掃描線112和數(shù)據(jù)線114交叉的部分中，作為用于控制像素的開關(guān)元件的TFT116的柵極被連接到掃描線112，TFT116的源極被連接到數(shù)據(jù)線114，而TFT116的漏極被連接到矩形狀的透明像素電極118。
如上述那樣，在液晶裝置100中，由于在元件基板101和對(duì)置基板102的電極形成面之間夾持液晶105，所以各像素的液晶電容由像素電極118、對(duì)置電極108、這兩個(gè)電極間夾持的液晶105來構(gòu)成。這里，為了便于說明，假設(shè)掃描線112的總數(shù)為‘m’，數(shù)據(jù)線114的總數(shù)為‘6n’(m、n分別為整數(shù))，則像素對(duì)應(yīng)于掃描線112和數(shù)據(jù)線114的各交叉部分排列成m行×6n列的矩陣狀。
此外，在矩陣狀的像素組成的顯示區(qū)域100a中，對(duì)每個(gè)像素另外形成用于防止液晶電容漏泄的存儲(chǔ)電容119。該存儲(chǔ)電容119的一端連接到像素電極118(TFT116的漏極)，其另一端通過電容線175被共用連接。因此，存儲(chǔ)電容119與液晶電容并聯(lián)連接，所以使液晶電容的保持特性被改善，可實(shí)現(xiàn)高對(duì)比度。再有，在本實(shí)施例中，對(duì)電容線175施加電源的低位側(cè)電壓VssY，這里，由于在時(shí)間上施加一定的電壓就可以，所以也可以施加電源的高位側(cè)電壓VddY或電壓LC com等。此外，包括存儲(chǔ)電容119的像素的詳細(xì)結(jié)構(gòu)將后述。
再次返回到圖2來說明，掃描線驅(qū)動(dòng)電路130在每個(gè)水平掃描期間1H依次將有效電平的掃描信號(hào)G1、G2、…、Gm在一個(gè)垂直有效顯示期間內(nèi)輸出到各掃描線112。由于詳細(xì)的結(jié)構(gòu)與本發(fā)明沒有直接關(guān)系，所以省略圖示，但可由移位寄存器和多個(gè)邏輯積電路構(gòu)成。其中，如圖4所示，移位寄存器將垂直掃描期間的最初供給的傳送開始脈沖DY在每次時(shí)鐘信號(hào)CLY(以及反向時(shí)鐘信號(hào)CLY inv)的電平轉(zhuǎn)變時(shí)依次移位，并輸出信號(hào)G1’、G2’、G3’…、Gm’，各邏輯電路求信號(hào)G1’、G2’、G3’…、Gm’中相鄰的信號(hào)之間的邏輯積信號(hào)，輸出掃描信號(hào)G1、G2、G3、…、Gm。
此外，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140在水平掃描期間1H內(nèi)依次輸出有效電平的采樣信號(hào)S1、S2、…、Sn。由于其詳細(xì)的結(jié)構(gòu)與本發(fā)明不直接相關(guān)，所以省略圖示，但可由包括倒相電路的移位寄存器和多個(gè)邏輯積電路來構(gòu)成。其中，如圖4所示，移位寄存器將水平掃描期間的最初供給的傳送開始脈沖DX在每次時(shí)鐘信號(hào)CLX(以及反向時(shí)鐘信號(hào)CLXinv)的電平轉(zhuǎn)變時(shí)依次移位，并輸出信號(hào)S1’、S2’、S3’…、Sn’，各邏輯電路使用使能信號(hào)ENB1和ENB2在期間SMPa變窄信號(hào)S1’、S2’、S3’…、Sn’的脈沖寬度，使得相鄰的信號(hào)之間彼此不重疊，并輸出采樣信號(hào)S1、S2、S3、…、Sn。
接著，各個(gè)采樣電路150由在每個(gè)數(shù)據(jù)線114中設(shè)置的采樣開關(guān)151來構(gòu)成。另一方面，數(shù)據(jù)線114以每塊6個(gè)被分塊，圖2中從左開始數(shù)的屬于第i(i是1、2、…、n)號(hào)塊的數(shù)據(jù)線114的6條線中，最左位置的數(shù)據(jù)線114的一端上連接的采樣開關(guān)151在采樣信號(hào)Si為有效期間對(duì)通過圖像信號(hào)線122供給的圖像信號(hào)VIDI進(jìn)行采樣，并供給對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線114。
以下同樣，在屬于第號(hào)塊的數(shù)據(jù)線114的6條線中，位于第3、4、5、6號(hào)的數(shù)據(jù)線114的一端上連接的各個(gè)采樣開關(guān)151在采樣信號(hào)Si為有效期間對(duì)通過圖像信號(hào)線122供給的圖像信號(hào)VID3、VID4、VID5、VID6進(jìn)行采樣，并供給對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線114。即，如果采樣信號(hào)Si變?yōu)橛行щ娖剑瑒t屬于第號(hào)塊的6條數(shù)據(jù)線114的各條線同時(shí)采樣各自圖像信號(hào)VID1～VID6。
這些掃描線驅(qū)動(dòng)電路130、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140、采樣電路150等是用于制造后判別有無缺陷的檢查電路，并且形成在顯示區(qū)域100a的周邊，所以被稱為周邊電路。但是，由于檢查電路與本申請(qǐng)沒有直接關(guān)系，所以省略其說明。
<電光裝置的工作>
下面，簡單地說明上述結(jié)構(gòu)的電光裝置的工作。
首先，將垂直掃描期間的最初傳送開始脈沖DY供給到掃描線驅(qū)動(dòng)電路130。該傳送開始脈沖DY通過時(shí)鐘信號(hào)CLY(以及其反向時(shí)鐘信號(hào)CLYinv)被依次移位的結(jié)果如圖4所示，作為在每一個(gè)水平掃描期間依次變?yōu)橛行щ娖降膾呙栊盘?hào)G1、G2、…、Gm輸出到對(duì)應(yīng)的掃描線112。
另一方面，如圖4所示，一個(gè)系統(tǒng)的圖像信號(hào)VID通過外部電路被分配為6個(gè)系統(tǒng)的圖像信號(hào)VID1～VID6，并且對(duì)時(shí)間軸延長至6倍。此外，如同一圖所示，對(duì)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140供給水平掃描期間的最初傳送開始脈沖DX。該傳送開始脈沖DX在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140中在時(shí)鐘信號(hào)CLX(以及其反向時(shí)鐘信號(hào)CLXinv)的電平每次轉(zhuǎn)換時(shí)被依次移位，變?yōu)樾盘?hào)S1’、S2’、…、Sn’。然后，該信號(hào)S1’、S2’、…、Sn’被限制在使能信號(hào)ENB1、ENB2的有效電平期間SMPa，這如圖4所示，作為采樣信號(hào)S1、S2、…、Sn被依次輸出。
其中，在掃描信號(hào)G1為有效期間，即在第1號(hào)的水平掃描期間，采樣信號(hào)S1為有效電平后，從左起屬于第1號(hào)塊的6條數(shù)據(jù)線114對(duì)各自圖像信號(hào)VID1～VID6進(jìn)行采樣。然后，這些圖像信號(hào)VID1～VID6通過圖2或圖3中從上數(shù)與第1條掃描線112和對(duì)應(yīng)的6條數(shù)據(jù)線114交叉的像素的TFT116被分別寫入。然后，采樣信號(hào)S2變?yōu)橛行щ娖胶?，屬于?號(hào)塊的6條數(shù)據(jù)線114對(duì)各自圖像信號(hào)VID1～VID6再次進(jìn)行采樣，這些圖像信號(hào)VID1～VID6通過與第1條掃描線112和對(duì)應(yīng)的6條數(shù)據(jù)線114交叉的像素的TFT116被分別寫入。
以下同樣地，采樣信號(hào)S3、S4、…、Sn依次變?yōu)橛行щ娖胶螅瑢儆诘?號(hào)、第4號(hào)、…、第n號(hào)塊的6條數(shù)據(jù)線114對(duì)各自圖像信號(hào)VID1～VID6進(jìn)行采樣，這些圖像信號(hào)VID1～VID6通過與第1條掃描線112和對(duì)應(yīng)的6條數(shù)據(jù)線114交叉的像素的TFT116被分別寫入。由此，完全對(duì)第1行的所有像素的寫入。
接著，在掃描信號(hào)G2為有效期間，即在第2號(hào)的水平掃描期間中，同樣地，對(duì)第2行的所有像素進(jìn)行寫入，以下同樣地，掃描信號(hào)G3、G4、…、Gm有效，對(duì)第3行、第4行、第m行的像素進(jìn)行寫入。由此，完成對(duì)第1行～第m行的所有像素的寫入。
在這樣的驅(qū)動(dòng)中，與按每1條來驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)線114的方式比較，通過各采樣開關(guān)151對(duì)圖像信號(hào)進(jìn)行采樣的時(shí)間變?yōu)?倍，所以充分確保各像素中的充放電時(shí)間。因此，可以實(shí)現(xiàn)高對(duì)比度。
<像素的詳細(xì)結(jié)構(gòu)>
下面，參照?qǐng)D5和圖6來說明上述像素的細(xì)節(jié)。圖5表示該詳細(xì)結(jié)構(gòu)的平面圖，圖6是圖5的B-B’線的剖面圖。再有，在圖5中，為了說明理解，對(duì)最上面導(dǎo)電層的像素電極118通過虛線僅示出其輪廓。
首先，如這些圖所示，將數(shù)據(jù)線114、掃描線112、電容線175、TFT116等主要要素形成在作為元件基板101的基本材料的基板10中設(shè)置的溝12內(nèi)。換句話說，在形成數(shù)據(jù)線114、掃描線112、電容線175、TFT116等的所有區(qū)域12a中形成該溝12。
其次，在該溝12中設(shè)置遮光膜22，防止光從基板10的下側(cè)侵入到TFT116。而且，在該遮光膜22的上層通過襯底絕緣膜40來設(shè)置多晶硅組成半導(dǎo)體層20，其表面用通過熱氧化產(chǎn)生的絕緣膜32來覆蓋。
可是，數(shù)據(jù)線114在Y方向上延伸，而掃描線112在X方向上延伸。此外，電容線175與掃描線112接近并在平行于X方向上延伸設(shè)置，但在與數(shù)據(jù)線114交叉的部分中，突出并形成在前段側(cè)(圖5中上側(cè))，以便與數(shù)據(jù)線114重疊。在這樣的布線下，半導(dǎo)體層20從數(shù)據(jù)線114和電容線175交叉的地點(diǎn)向電容線175的延長方向(圖5中右方向)、數(shù)據(jù)線114的下層中的電容線175的突出方向(上方向)、以及其反方向(下方向)共計(jì)3個(gè)方向上延伸，并被形成為略T字狀。
然后，在半導(dǎo)體層30內(nèi)與掃描線112重疊的部分成為溝道區(qū)30a。換句話說，在掃描線112內(nèi)與半導(dǎo)體層30交叉的部分作為柵電極116G來使用。而且，在半導(dǎo)體層30中，在溝道區(qū)30a的源極側(cè)設(shè)置低濃度源極區(qū)30b、高濃度源極區(qū)116S，而在溝道區(qū)30a的漏極側(cè)，設(shè)置低濃度漏極區(qū)30c、高濃度漏極區(qū)116D，成為所謂的LDD(Lightly DopedDrain輕摻雜漏)結(jié)構(gòu)。
這里，高濃度源極區(qū)116S通過對(duì)絕緣膜32和第1層間絕緣膜41進(jìn)行開孔的接觸孔51被連接到數(shù)據(jù)線114，而高濃度漏極區(qū)116D通過對(duì)絕緣膜32、第1層間絕緣膜41和第2層間絕緣膜42進(jìn)行開孔的接觸孔53被連接到像素電極118。
此外，半導(dǎo)體層30中的高濃度漏極區(qū)116D的一部分具有作為存儲(chǔ)電容119的一個(gè)電極的功能。即，存儲(chǔ)電容119有這樣的結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體層30內(nèi)，以電容線175下層位置的高濃度漏極區(qū)30f為一個(gè)電極，以電容線175本身為另一個(gè)電極，并插入半導(dǎo)體層30表面上形成的絕緣膜32中。再有，存儲(chǔ)電容119除了通過高濃度漏極區(qū)30f和電容線175夾入在絕緣膜32中來形成電容之外，同時(shí)還有通過高濃度區(qū)30f和遮光膜22夾入在襯底絕緣膜40中形成電容的情況。
然后，在最上層(即，與液晶105接觸的面)的整個(gè)面上，形成聚胺等有機(jī)膜組成的取向膜61。在與對(duì)置基板102粘合之前，對(duì)該取向膜61實(shí)施上述研磨處理。
這樣，在掃描線112、數(shù)據(jù)線114、電容線175被隱藏在形成區(qū)域的下側(cè)的狀態(tài)下形成半導(dǎo)體層30。另一方面，半導(dǎo)體層30的下層防止從基板10的下側(cè)侵入光。因此，TFT116具有使光難以從基板10的上側(cè)和下側(cè)雙方侵入的結(jié)構(gòu)，所以可防止因光照射引起的TFT116的特性變化。
而且，在顯示區(qū)域100a中，除了像素電極118以外，所有的布線(導(dǎo)電膜)和半導(dǎo)體層等要素被形成在溝12中，所以可防止因它們?cè)斐陕∑稹Ｒ虼?，在顯示區(qū)域100a中，用于對(duì)像素電極118供給圖像信號(hào)而形成的掃描線112和數(shù)據(jù)線114等區(qū)域、和未形成它們的開口區(qū)域的階梯被減小。
<周邊電路的詳細(xì)結(jié)構(gòu)>
下面，以數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140的移位寄存器中包括的倒相器為例來說明周邊電路的細(xì)節(jié)。圖7表示該倒相器的結(jié)構(gòu)平面圖，而圖8是圖7中的C-C’線的剖面圖。
首先，在形成周邊電路的周邊電路區(qū)域中不存在像素電極118，所以與圖5或圖6所示的像素部不同，未設(shè)置對(duì)第2層間絕緣膜42開孔的接觸孔53。此外，將遮光膜22形成在周邊電路區(qū)域的一部分上也可以。此外，除了布線的用途不同，基本上與像素部為相同的結(jié)構(gòu)。
即，圖7和圖8所示的倒相器在基板10上設(shè)置的溝12內(nèi)形成布線和半導(dǎo)體層等主要要素。該倒相器具有互補(bǔ)性結(jié)構(gòu)，將與開關(guān)像素電極118的TFT116相同的LDD結(jié)構(gòu)的P型溝道型TFT及N溝道型TFT直接串聯(lián)在施加電源的高位側(cè)電壓VddX的布線1404和施加電源的低位側(cè)電壓VssX的布線1414之間。詳細(xì)地說，布線1404通過接觸孔1451被連接到P溝道型TFT的高濃度漏極區(qū)，而布線1414通過接觸孔1454被連接到N溝道型TFT的高濃度源極區(qū)。而且，供給倒相器的輸入信號(hào)的布線1412分支為兩個(gè)方向，作為P溝道型TFT和N溝道型TFT共用的柵極。P溝道型TFT的高濃度漏極區(qū)通過接觸孔1453分別被連接到供給倒相器輸出信號(hào)的布線1412。
這些布線中，柵電極的布線1412是對(duì)與顯示區(qū)域中的掃描線112相同導(dǎo)電層進(jìn)行構(gòu)圖的布線，此外，布線1404、1414和1424是對(duì)與像素部中的數(shù)據(jù)線114相同導(dǎo)電層進(jìn)行構(gòu)圖的布線。即，在周邊電路區(qū)域中，使用與顯示區(qū)域中的掃描線112同一導(dǎo)電層來形成第1層的布線1412，使用與數(shù)據(jù)線114相同的導(dǎo)電層來形成第2層的布線1404、1414和1424。
這里，以數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140中的倒相器為例進(jìn)行了說明，但數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140中的其它元件、例如時(shí)鐘倒相器、構(gòu)成邏輯積電路的NAND門等，以及掃描線驅(qū)動(dòng)電路130中的各種元件與這里說明的倒相器一樣可形成在溝12中。因此，即使在形成周邊電路的區(qū)域中，與顯示區(qū)域同樣，可降低因布線和有無元件等不同造成的階梯。
<接線端子的詳細(xì)結(jié)構(gòu)>
下面，參照?qǐng)D10來說明接線端子107的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。圖10是圖9的D-D’線的剖面圖，表示接線端子107和布線171的結(jié)構(gòu)剖面圖。
如圖10所示，將接線端子107和布線171對(duì)應(yīng)形成在基板10上設(shè)置的溝12中。這里，如圖9所示，在要形成接線端子107的周緣(輪廓)部分和要形成延伸至該接線端子的布線171的部分對(duì)應(yīng)的基板10的表面上形成溝12。
如圖10所示，在溝12和輪廓部分包圍的區(qū)域中，形成由顯示區(qū)域和周邊電路形區(qū)域的遮光膜22相同層組成的導(dǎo)電膜22b。在該導(dǎo)電膜22b的上層形成襯底絕緣膜40，并覆蓋整個(gè)基板，但殘留與基板10上形成的溝12對(duì)應(yīng)的凹凸部。
接著，在襯底絕緣膜40中溝12對(duì)應(yīng)的凹部和由其輪廓部包圍的區(qū)域?qū)?yīng)的凸部中，形成與顯示區(qū)域中的掃描線112和周邊電路區(qū)域中的第1層布線1412同一層的導(dǎo)電膜112b。在該導(dǎo)電膜112b的上層中形成第1層間絕緣膜41，覆蓋整個(gè)基板，但殘留對(duì)應(yīng)于溝12的凹凸部。
而且，在溝12對(duì)應(yīng)的凹部和其輪廓部分包圍的區(qū)域?qū)?yīng)的凸部上，形成與顯示區(qū)域的數(shù)據(jù)線114和周邊電路區(qū)域的第2層布線1404、1414、1424等同一層的導(dǎo)電膜114b。然后，在該導(dǎo)電膜114b的上層中形成遍及整個(gè)基板的第2層間絕緣膜42，但在溝12的輪廓部分包圍的區(qū)域所對(duì)應(yīng)的凸部中設(shè)置開孔部42a。即，導(dǎo)電膜114b在對(duì)應(yīng)于溝12的輪廓部分包圍的區(qū)域的凸部中露出，將它用作接線端子107的焊盤，而延伸至該凸部的導(dǎo)電膜114b被用作布線171。在這樣的結(jié)構(gòu)中，在開孔部42a中露出的導(dǎo)電膜114b的表面比其它部分隆起，所以可降低與第2層間絕緣膜42的表面的階梯。
此外，形成從基板10的基準(zhǔn)面4至溝12的深度d，使得大致等于導(dǎo)電膜22b的厚度t1、導(dǎo)電膜112b的厚度t2和導(dǎo)電膜114b的厚度t3的之和。因此，溝12中形成的導(dǎo)電膜114b的表面P、和未形成導(dǎo)電膜22b、112b、114b部分中的第1層間絕緣膜41的表面Q大致相等，所以在它們的上層中形成第2層間絕緣膜42后，形成布線171的部分和未形成布線的部分變得大體平坦。
但是，溝12的輪廓部分包圍的區(qū)域所對(duì)應(yīng)的形成凸部的導(dǎo)電膜22b、112b可以說是電氣不需要的部分，但設(shè)置這樣的導(dǎo)電膜22b、112b的理由如下。即，在本實(shí)施例中，溝12除了形成在端子區(qū)域之外，還形成在顯示區(qū)域和周邊電路區(qū)域中，但從簡化步驟的觀點(diǎn)來說，期望這些溝12在同一步驟中集中形成。這里，在顯示區(qū)域和周邊電路中，考慮遮光膜、第1層和第2層的布線中的膜厚，來決定溝12的深度，以便第2層間絕緣膜42的表面盡可能平坦。另一方面，在接線端子107和布線171中，僅有最上層的導(dǎo)電層114b較好，但在考慮遮光膜、第1層和第2層布線中的膜厚來設(shè)定深度d的溝12中，在僅設(shè)置導(dǎo)電層114b時(shí)，存在溝12的深度過大，會(huì)產(chǎn)生階梯的情況。因此，在端子區(qū)域中，為了防止這樣的階梯，將顯示區(qū)域和周邊電路區(qū)域中設(shè)置的遮光膜、和第1層的布線作為高度調(diào)整虛擬膜來使用。再有，這樣的虛擬膜用于高度調(diào)整，所以不限于導(dǎo)電膜，也可以另外形成并使用絕緣體。
此外，與遮光膜22同一膜的導(dǎo)電膜22b有比較薄的情況。這種情況下，由于可以忽略遮光膜22和有無導(dǎo)電膜22b的不同所產(chǎn)生的階梯，所以在端子區(qū)域中不設(shè)置電鍍膜22b也可以。這種情況下，溝12的深度可大致等于導(dǎo)電膜112b的厚度t2和導(dǎo)電膜114的厚度t3之和。而且，也可以考慮半導(dǎo)體層30的膜厚來形成溝12，這種情況下，作為高度調(diào)整的虛擬膜，也可以使用構(gòu)成半導(dǎo)體層30的多晶硅層。
<制造工藝>
下面，以元件基板101為中心來說明實(shí)施例的電光裝置的制造工藝。
首先，如圖11(a)所示，例如，在石英基板，玻璃基板、硅基板等的基板10上，通過光刻和腐蝕等來形成溝12。如上所述，該溝12的深度d按大致等于遮光膜、第1層和第2層的膜厚之和來形成。
接著，如圖11(b)所示，在形成了溝12的基板10上，形成遮光膜22、導(dǎo)電膜22b。具體地說，在形成了溝12的基板10的整個(gè)面上，通過濺射等按100～300nm左右的厚度形成不透明的高熔點(diǎn)金屬、具體來說為Ti(鈦)、Cr(鉻)、W(鎢)、Ta(鉭)、Mo(鉬)、Pb(鉛)等金屬單體，或至少包含它們中的一種的合金或金屬硅化物后，通過光刻和腐蝕將該高熔點(diǎn)金屬構(gòu)圖為上述的形狀，并形成遮光膜22、導(dǎo)電膜22b。
接著，如圖11(c)所示，在遮光膜22、導(dǎo)電膜22b、基板10的表面上形成襯底絕緣膜40。詳細(xì)地說，例如通過常壓或減壓CVD(Chemical Vapor Deposition化學(xué)氣相沉積)法等由NSG(非摻雜硅酸鹽玻璃)、PSG(磷硅酸鹽玻璃)、BSG(硼硅酸鹽玻璃)、BPSG(硼磷硅酸鹽玻璃)等高絕緣性玻璃、或氧化硅膜、氮化硅膜等以約50～150nm的厚度(更好以約600～800nm的厚度)來形成襯底絕緣膜40。
接著，在襯底絕緣膜40的整個(gè)上表面上，例如通過減壓CVD法等按約100nm的厚度來形成非晶硅層，通過熱處理等來固相生長而形成多晶硅層。此時(shí)，在形成N溝道型的TFT的情況下，僅通過離子注入來摻雜Sb(銻)、As(砷)、P(磷)等V系元素的雜質(zhì)，而在形成P溝道型TFT的情況下，同樣僅通過離子注入來摻雜Al(鋁)、B(硼)、Ga(鎵)等Ⅲ系元素的雜質(zhì)。然后，如圖11(d)所示，通過光刻和腐蝕等對(duì)多晶硅層進(jìn)行構(gòu)圖，將顯示區(qū)域中的TFT116和周邊電路區(qū)域中的半導(dǎo)體層30形成為島狀。再有，在半導(dǎo)體層30內(nèi)，對(duì)于形成電容線175的區(qū)域30f以高濃度摻雜磷等雜質(zhì)，預(yù)先實(shí)現(xiàn)低電阻化也可以。
而且，如圖12(e)所示，對(duì)半導(dǎo)體層30的表面進(jìn)行熱氧化處理，將絕緣膜32形成在該半導(dǎo)體層30的表面上。通過該步驟，半導(dǎo)體層30最終達(dá)到約30～150nm的厚度，更好為約35～45nm的厚度，而絕緣膜32達(dá)到約60～150nm的厚度，更好為約30nm的厚度。
接著，在絕緣膜32和襯底絕緣膜40的上面，通過減壓CVD法等來堆積多晶硅層。然后，如圖12(f)所示，通過光刻和腐蝕等對(duì)該多晶硅層進(jìn)行構(gòu)圖，分別形成兼用作在顯示區(qū)域的TFT116的柵電極的掃描線112、形成存儲(chǔ)電容119中的另一電極的電容線175，此外，形成作為周邊電路區(qū)域的包括柵電極的第1層布線1412，而且形成作為端子區(qū)域的導(dǎo)電膜112b。再有，就該導(dǎo)電膜來說，不是多晶硅，而也可以由Al等金屬膜或金屬硅化物膜來形成，也可以將這些金屬膜或金屬硅化物膜和多晶硅以多層來形成。
接著，如圖12(g)所示，在半導(dǎo)體層30中摻雜適當(dāng)?shù)碾s質(zhì)。詳細(xì)地說，在顯示區(qū)域中的TFT116為N溝道型的情況下，在源·漏區(qū)域內(nèi)，對(duì)于相鄰溝道區(qū)30的區(qū)域，以作為掃描線112一部分的柵電極為擴(kuò)散掩模，按低濃度來摻雜P等V族元素的雜質(zhì)。同時(shí)，在周邊電路區(qū)域的N溝道型TFT中，同樣以作為布線1412的一部分的柵電極為掩模，按低濃度來摻雜雜質(zhì)。接著，形成比柵電極寬度寬的抗蝕劑，以它為掩模，按高濃度同樣來摻雜P等的V族元素的雜質(zhì)。由此，N溝道型TFT具有LDD結(jié)構(gòu)，在溝道區(qū)30a的源極側(cè)設(shè)置低濃度源極區(qū)30b、高濃度源極區(qū)116S，而在溝道區(qū)30a的漏極側(cè)設(shè)置低濃度漏極區(qū)30c、高濃度漏極區(qū)116D。接著，在用抗蝕劑對(duì)這些N溝道型TFT的半導(dǎo)體層30進(jìn)行掩模后，對(duì)于周邊電路區(qū)域的P溝道型TFT來說，以布線1412為掩模，同樣對(duì)溝道區(qū)相鄰的區(qū)域摻雜例如B(硼)等Ⅲ族元素的雜質(zhì)，來形成低濃度區(qū)域，接著，以比布線1412寬度寬的抗蝕劑為掩模，同樣摻雜B等Ⅲ族元素的雜質(zhì)，并形成高濃度區(qū)域。
也可以不將這樣的各溝道型TFT形成為LDD結(jié)構(gòu)，也可以形成偏置結(jié)構(gòu)，此外，也可以形成簡單的自對(duì)準(zhǔn)型(自匹配型)的TFT。此外，在周邊電路的互補(bǔ)型TFT中，可以進(jìn)將N溝道型形成為LDD結(jié)構(gòu)，而且，可以將像素部中的TFT116形成為互補(bǔ)型。
接著，如圖12(h)所示，例如通過CVD法等以約500～1500nm的厚度來堆積第1層間絕緣膜41，以便覆蓋柵電極和襯底絕緣膜40等。作為第1層間絕緣膜41的材質(zhì)，與襯底絕緣膜40一樣，可列舉出NSG、PSG、BSG、BPSG等硅酸鹽玻璃膜、氮化硅膜、氧化硅膜等。
接著，如圖13(i)所示，分別形成作為顯示區(qū)域的接觸孔51、作為周邊電路區(qū)域的接觸孔1451、1452、1453和1454。詳細(xì)地說，對(duì)于第1層間絕緣膜41和絕緣膜32，在與TFT116的源極區(qū)域?qū)?yīng)的位置上通過干式腐蝕等來形成接觸孔51，并且在與P溝道型和N溝道型TFT的高濃度漏極區(qū)及高濃度源極區(qū)對(duì)應(yīng)的位置上形成接觸孔1451、1452、1453和1454。此時(shí)，在周邊電路區(qū)域中，在實(shí)現(xiàn)第1層布線和第2層布線的導(dǎo)通的情況下，對(duì)應(yīng)于該導(dǎo)通部分同樣地形成接觸孔(圖中省略)。
接著，在第1層間絕緣膜41上，通過濺射等以約100～500nm的厚度來堆積鋁等低電阻金屬或金屬硅化物等組成的導(dǎo)電膜。然后，如圖13(j)所示，通過光刻和腐蝕等對(duì)該導(dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖，形成兼用作顯示區(qū)域的TFT116的源電極的數(shù)據(jù)線114，形成包括作為周邊電路區(qū)域的源·漏電極的第2層的布線1404、1414、1412，此外，形成作為端子區(qū)域的導(dǎo)電膜114b。
接著，如圖13(k)所示，例如通過CVD法等以500～1500nm的厚度來堆積第2層間絕緣膜42，以便覆蓋第層的布線和第1層間絕緣膜41等。作為第2層間絕緣膜42的材質(zhì)，與襯底絕緣膜40和第1層間絕緣膜41一樣，可列舉出NSG、PSG、BSG、BPSG等硅酸鹽玻璃膜、氮化硅膜、氧化硅膜等。
接著，如圖13(l)所示，在顯示區(qū)域的TFT116的漏極區(qū)對(duì)應(yīng)的位置上，通過干式腐蝕等來形成對(duì)第1層間絕緣膜41和絕緣膜32進(jìn)行開孔的接觸孔53。另一方面，在端子區(qū)域的第2層間絕緣膜42內(nèi)，除去位于用溝12的輪廓部分包圍的凸部的部分47，設(shè)置開孔部42a。
作為設(shè)置開孔部42a的方法，大致有兩種在第2層間絕緣膜42內(nèi)，通過腐蝕等有選擇地除去對(duì)應(yīng)于開孔部42a的部分的第一方法，以及對(duì)第2層間絕緣膜42實(shí)施CMP(化學(xué)機(jī)械研磨)處理，直至露出與溝12的輪廓部分包圍的區(qū)域?qū)?yīng)的凸部的導(dǎo)電膜114b的第2方法。其中，從作為接線端子107的部分和其它部分大體平坦的觀點(diǎn)來說，后者的第2方法有利。但是，在前者的第一方法中，在第2層間絕緣膜42內(nèi)，通過與形成接觸孔53相同的方法就可以有選擇地除去對(duì)應(yīng)于開孔部42的部分，所以從簡化步驟的觀點(diǎn)來說，第一方法有利。
還有，對(duì)于以后的步驟省略圖示，但在第2層間絕緣膜42的表面上，在通過濺射等以約50～200nm的厚度來堆積ITO等透明導(dǎo)電性薄膜后，通過光刻和腐蝕等來構(gòu)圖為規(guī)定的形狀(參照?qǐng)D5)，形成像素電極118。然后，將聚胺等有機(jī)溶液涂敷、燒制在基板10的整個(gè)背面上。由此，形成取向膜61。再有，對(duì)于該取向膜61，在圖14所示的發(fā)明上實(shí)施研磨處理。
然后，在將這樣形成的元件基板101通過密封材料104粘合在與其旋轉(zhuǎn)約90度的方向上進(jìn)行過研磨處理的對(duì)置基板102上后，封入、密封并劃分(分割)液晶105，成為圖1(a)所示的電光裝置。
在元件基板101中，在整個(gè)面上形成取向膜61，但在液晶密封后，通過等離子體處理等，除去在從對(duì)置基板102伸出部分中形成的取向膜。因此，端子區(qū)域和周邊電路區(qū)域的最上層不是取向膜61，而是導(dǎo)電膜114b或第2層間絕緣膜42(參見圖8或圖10)。
根據(jù)這樣的制造方法，將溝12除了設(shè)置在端子區(qū)域之外還設(shè)置在顯示區(qū)域和周邊電路區(qū)域中，由于在這里形成布線和元件，所以不僅端子區(qū)域，而且在顯示區(qū)域和周邊電路區(qū)域中，都使基板表面的階梯降低。此時(shí)，在作為接線端子107的焊盤的導(dǎo)電膜114b的下層設(shè)置的高度調(diào)整導(dǎo)電膜22b使用與顯示區(qū)域和周邊電路區(qū)域中的遮光膜22相同的層來形成，此外，高度調(diào)整導(dǎo)電膜112b同樣用顯示區(qū)域中的掃描線112、周邊電路區(qū)域中的布線1412相同的層構(gòu)成的導(dǎo)電膜來形成，而且，導(dǎo)電膜114b也用顯示區(qū)域中的掃描線114、周邊電路區(qū)域中的布線1404、1414、1424相同的層構(gòu)成的導(dǎo)電膜來形成。而且，溝12除了端子區(qū)域之外在顯示區(qū)域和周邊電路區(qū)域中被集中設(shè)置。因此，由于幾乎沒有要追加的工藝，所以可防止制造工藝的復(fù)雜化。
<變形例>
在上述的實(shí)施例中，作為接線端子107的焊盤由與數(shù)據(jù)線114和第2層的布線1404同一層的導(dǎo)電膜114b來形成，除此以外，也可以層積另外的導(dǎo)電膜。例如，如圖15所示，在對(duì)像素電極118進(jìn)行構(gòu)圖時(shí)，在由溝12的輪廓對(duì)應(yīng)部分包圍的凸部的導(dǎo)電膜114b上，也可以殘留ITO等的導(dǎo)電膜118b。如上所述，導(dǎo)電膜114b由鋁等構(gòu)成，但在鋁容易被侵入問題上，還存在與FPC(Flexible Printed Circuit柔性印刷電路)基板的接合中使用的導(dǎo)電性微膠囊的粘合性差的問題。因此，通過導(dǎo)電膜118b覆蓋露出的導(dǎo)電膜114b的表面來消除這樣的問題。
<應(yīng)用例>
此外，在實(shí)施例中，除了端子區(qū)域之外，即使在顯示區(qū)域和周邊電路區(qū)域中也形成溝12，但如上所述，顯示區(qū)域和周邊電路區(qū)域中的階梯按與像素的排列節(jié)距相同的倍數(shù)或其整數(shù)倍產(chǎn)生，所以認(rèn)為該階梯引起的顯示不勻并不明顯。因此，可考慮在顯示區(qū)域和周邊電路區(qū)域中不設(shè)置溝12，而僅在端子區(qū)域中形成溝12。
追根到底來說，如圖14所示，在數(shù)據(jù)線114的延長方向上進(jìn)行研磨處理的情況下，研磨顯示區(qū)域100a的拋光布不依賴于像素的排列節(jié)距的混亂區(qū)域是屬于形成接線端子107和布線171的區(qū)域、以及顯示區(qū)域100a中施加的拋光布進(jìn)行掃描的區(qū)域190a雙方的區(qū)域。即，用圖2來說是區(qū)域B。因此，如果是僅抑制不依賴于像素的排列節(jié)距產(chǎn)生的、比較容易看出的顯示不勻的目的，可考慮僅在該區(qū)域B中形成溝12。
在圖14所示的方向上進(jìn)行研磨處理的情況下，在區(qū)域192a中，即使例如因階梯引起拋光布混亂，由于其纖維捎未施加到顯示區(qū)域100a，所以可考慮不必在該區(qū)域192中(例如，在掃描線驅(qū)動(dòng)電路130中)形成溝12。
在僅在端子區(qū)域中形成溝12的情況下，由于可以不考慮與遮光膜22相同膜組成的導(dǎo)電膜22b和與掃描線112相同膜組成的導(dǎo)電膜112b的厚度，所以如圖16所示，在導(dǎo)電膜114b的下層不設(shè)置導(dǎo)電膜，而按大致等于導(dǎo)電膜114b的厚度t3來設(shè)定溝12的深度d就可以。
<其它>
在上述實(shí)施例中，6條數(shù)據(jù)線114集中為1塊，對(duì)于屬于1塊的6條數(shù)據(jù)線114同時(shí)采樣并供給6系統(tǒng)中變換的圖像信號(hào)VID1～VID6，但變換數(shù)和同時(shí)施加的數(shù)據(jù)線(即，構(gòu)成1塊的數(shù)據(jù)線數(shù))不限于‘6’。例如，如果采樣電路150中的采樣開關(guān)151的響應(yīng)速度很高，則不將圖像信號(hào)變換為并行而串行傳送到1條圖像信號(hào)線，使得對(duì)每條數(shù)據(jù)線114以點(diǎn)順序來采樣。此外，假設(shè)變換和同時(shí)施加的數(shù)據(jù)線的數(shù)為‘3’、‘12’、‘24’等，可以對(duì)3條、12條、24條等數(shù)據(jù)線同時(shí)供給進(jìn)行了3系統(tǒng)變換、12系統(tǒng)變換、24系統(tǒng)變換等的圖像信號(hào)。再有，根據(jù)彩色的圖像信號(hào)由3個(gè)基色信號(hào)組成的關(guān)系，所以在簡化控制和電路方面，作為變換數(shù)和同時(shí)施加的數(shù)據(jù)線數(shù)最好是3的倍數(shù)。但是，在后述的投射器那樣的單光調(diào)制用途的情況下，不需要是3的倍數(shù)。而且，也可以不同時(shí)控制采樣開關(guān)，而依次移位并供給并行變換后的圖像信號(hào)VID1～VID6，依次地控制采樣開關(guān)151。
此外，在上述實(shí)施例中，具有從上到下的方向?qū)呙杈€112進(jìn)行掃描，并從左到右的方向來選擇塊的結(jié)構(gòu)，但可以是按相反方向來選擇的結(jié)構(gòu)，也可以是根據(jù)用途來選擇某個(gè)方向的結(jié)構(gòu)。
而且，在上述實(shí)施例中，在元件基板101上形成平面型的TFT116等，但本發(fā)明不限于此。例如，也可以用底柵型來構(gòu)成TFT116。此外，用半導(dǎo)體基板來構(gòu)成元件基板101，并且這里形成互補(bǔ)型晶體管來取代TFT116也可以。而且，應(yīng)用SOI(Silicon On Insulator硅-絕緣體)技術(shù)，在藍(lán)寶石、石英、玻璃等絕緣性基板上形成單晶硅膜，在其上制作各種元件作為元件基板101也可以。但是，在元件基板101沒有透明性的情況下，用鋁來形成像素電極118，并形成各自用途反射層，必須將液晶裝置100用作反射型。
<投射器>
下面，說明應(yīng)用上述電光裝置的電子設(shè)備。實(shí)施例的電光裝置可應(yīng)用于各種電子設(shè)備，例如個(gè)人計(jì)算機(jī)、液晶電視、取景器型·監(jiān)視器直視型的視頻錄象機(jī)、汽車導(dǎo)航裝置、尋呼機(jī)、電子筆記本、計(jì)算器、文字處理器、工作站、電視電話、POS終端、數(shù)字照相機(jī)、攜帶電話、配有觸摸屏的設(shè)備等。
這里，通過本發(fā)明可消除顯示不勻，即沿研磨方向的筋狀的顯示不勻在直視型中沒有比較的問題，但在投射顯示圖像的投射器中被擴(kuò)大到不能忽視的程度。
因此，作為電子設(shè)備的一例，列舉說明這樣的投射器。這里，投射器將上述的液晶裝置100作為光閥來使用，圖17表示該結(jié)構(gòu)的平面圖。如圖所示，在投射器2100內(nèi)部，設(shè)有鹵燈等白色光源組成的燈組件2102。從該燈組件2102射出的投射光通過在內(nèi)部配置的3片反射鏡2106和2片分色鏡2108被分離成RGB的三基色，分別導(dǎo)入各基色對(duì)應(yīng)的光閥100R、100G和100B。這里，光閥100R、100G和100B的結(jié)構(gòu)與上述實(shí)施例的液晶裝置100相同，用從輸入圖像信號(hào)的處理電路(這里省略圖示)供給的R、G、B的基色信號(hào)來分別驅(qū)動(dòng)。此外，B色的光與其它的R色或G色比較，由于先路長，所以為了防止其損失，通過入射透鏡2122、中繼透鏡2123和射出透鏡2124組成的中繼透鏡系統(tǒng)2121來導(dǎo)入。
而且，由光閥100R、100G、100B分別調(diào)制的光從3個(gè)方向入射到二向色棱鏡2112。然后，在該二向色棱鏡2112中，R色和B色的光按90度折射，而G色光直行。因此，在合成各色的圖像后，通過投射透鏡2114將彩色圖像投射在屏幕2120上。
再有，在光閥100R、100G和100B中，通過分色鏡2108來入射與R、G、B各基色對(duì)應(yīng)的光，所以不必設(shè)置上述彩色濾色器。此外，光閥100R、100B的透過像在通過二向色棱鏡2112反射后被投射，而光閥100G的透過像被原封不動(dòng)地投射，所以具有將光閥100R、100B的顯示像相對(duì)于光閥100G的顯示像左右反轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明不限于上述實(shí)施例，在本發(fā)明的主要精神或不違反本發(fā)明思想的范圍內(nèi)可適當(dāng)設(shè)計(jì)變更，伴隨著這種變更的情況被包括在本發(fā)明的技術(shù)范圍中。
權(quán)利要求
1．一種電光裝置，其特征在于，包括多個(gè)層組成的基板；在所述基板的外表面上形成的絕緣膜；在與所述絕緣膜大致相同的同一平面上形成的輸入圖像信號(hào)的接線端子；以及與所述接線端子導(dǎo)通的布線。
2．如權(quán)利要求1的電光裝置，其特征在于在構(gòu)成所述基板的層的至少一層上，設(shè)置形成所述接線端子的區(qū)域的溝。
3．如權(quán)利要求2的電光裝置，其特征在于在形成所述接線端子的區(qū)域的溝中，設(shè)置構(gòu)成所述接線端子的導(dǎo)電膜。
4．如權(quán)利要求2的電光裝置，其特征在于在構(gòu)成所述基板的層的至少一層的所述布線的至少所述接線端子側(cè)的區(qū)域下，設(shè)置與形成所述接線端子區(qū)域的溝連接的布線溝。
5．如權(quán)利要求4的電光裝置，其特征在于將所述基板的外表面上形成的絕緣膜形成在形成所述接線端子區(qū)域的溝的區(qū)域和形成所述布線的溝的區(qū)域上。
6．如權(quán)利要求1的電光裝置，其特征在于所述接線端子由多層的導(dǎo)電膜來形成。
7．如權(quán)利要求3的電光裝置，其特征在于在所述形成所述接線端子區(qū)域的溝的區(qū)域下形成至少一層高度調(diào)整膜。
8．如權(quán)利要求7的電光裝置，其特征在于所述溝的深度與所述接線端子的厚度和所述高度調(diào)整膜的厚度之和大致相同。
9．如權(quán)利要求7的電光裝置，其特征在于所述高度調(diào)整膜是所述顯示區(qū)域上形成的布線和構(gòu)成所述周邊電路的布線中的至少一個(gè)布線。
10．如權(quán)利要求2的電光裝置，其特征在于所述溝的深度與所述布線的厚度大致相同。
11．一種電光裝置，其特征在于，包括多個(gè)層組成的基板；在所述基板上設(shè)置的輸入圖像信號(hào)的接線端子；在構(gòu)成所述基板的層的至少一層上，在形成到達(dá)所述接線端子的布線的至少一部分上設(shè)置的溝；在與所述溝對(duì)應(yīng)的區(qū)域上形成的所述布線；以及在所述布線上形成的絕緣膜。
12．如權(quán)利要求11的電光裝置，其特征在于所述接線端子由構(gòu)成所述布線的電鍍膜來形成，所述布線上形成的所述絕緣膜露出所述接線端子。
13．如權(quán)利要求11的電光裝置，其特征在于所述接線端子的表面和所述絕緣膜的表面為大致相同的高度。
14．如權(quán)利要求11的電光裝置，其特征在于將所述溝形成在包圍所述接線端子的區(qū)域中，在包圍所述接線端子的區(qū)域上形成所述布線。
15．如權(quán)利要求14的電光裝置，其特征在于形成在所述布線上的所述絕緣膜的表面和與形成所述布線的區(qū)域鄰接的所述絕緣膜的表面為大致相同的高度。
16．如權(quán)利要求11的電光裝置，其特征在于所述布線由所述顯示區(qū)域上形成的布線來形成。
17．如權(quán)利要求11的電光裝置，其特征在于所述布線由在顯示區(qū)域周圍形成的構(gòu)成周邊電路的布線來形成。
18．如權(quán)利要求11的電光裝置，其特征在于所述布線由顯示區(qū)域上形成的布線和在所述顯示區(qū)域的周圍形成的構(gòu)成周邊電路的布線來形成。
19．如權(quán)利要求11的電光裝置，其特征在于在所述布線的區(qū)域下形成至少一層的高度調(diào)整膜。
20．如權(quán)利要求19的電光裝置，其特征在于所述溝的深度與所述布線的厚度和所述高度調(diào)整膜的厚度之和大致相同。
21．如權(quán)利要求19的電光裝置，其特征在于所述高度調(diào)整膜是所述顯示區(qū)域上形成的布線和構(gòu)成所述周邊電路的布線中的至少一個(gè)布線。
22．如權(quán)利要求11的電光裝置，其特征在于所述溝的深度與所述布線的厚度大致相同。
23．一種電光裝置，其特征在于，包括多個(gè)層組成的基板；所述基板上形成的顯示區(qū)域；所述顯示區(qū)域中配置的布線；所述基板上的所述顯示區(qū)域的周邊上形成的與所述布線電連接的周邊電路；所述基板上形成的接線端子；將所述周邊電路和所述接線端子電連接的布線；在構(gòu)成所述基板的層的至少一層上，在形成所述周邊電路的部分上設(shè)置的溝；以及所述周邊電路上形成的絕緣膜。
24．一種電光裝置，其特征在于，包括多個(gè)層組成的基板；所述基板上形成的顯示區(qū)域；所述顯示區(qū)域中配置的布線；所述基板上的所述顯示區(qū)域的周邊上形成的與所述布線電連接的周邊電路；所述基板上形成的接線端子；將所述周邊電路和所述接線端子電連接的布線；在構(gòu)成所述基板的層的至少一層上，在形成所述周邊電路的部分上設(shè)置的溝；形成所述接線端子的區(qū)域的溝；以及在所述周邊電路的溝和形成所述接線端子的區(qū)域的溝的區(qū)域中形成的構(gòu)成外表面的絕緣膜。
25．一種電光裝置，其特征在于，包括多個(gè)層組成的基板；所述基板上形成的顯示區(qū)域；所述顯示區(qū)域中配置的布線；在所述基板上的所述顯示區(qū)域的周邊上形成的與所述布線電連接的周邊電路；所述基板上形成的接線端子；將所述周邊電路和所述接線端子電連接的布線；在構(gòu)成所述基板的層的至少一層上，在形成配置于所述顯示區(qū)域中的布線的部分上設(shè)置的溝；在構(gòu)成所述基板的層的至少一層上，在形成所述周邊電路的部分上設(shè)置的溝；形成所述接線端子的區(qū)域的溝；以及在所述周邊電路的溝和形成所述接線端子的區(qū)域的溝的區(qū)域中形成的構(gòu)成外表面的絕緣膜。
26．一種電光裝置，其特征在于，包括多個(gè)層組成的基板；所述基板上形成的顯示區(qū)域；所述顯示區(qū)域中配置的數(shù)據(jù)線；沿所述顯示區(qū)域的一邊形成的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路；夾置所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路并與所述顯示區(qū)域的一邊對(duì)置那樣形成的接線端子；將圖像信號(hào)供給與所述接線端子電連接的所述數(shù)據(jù)線的信號(hào)線；在構(gòu)成所述基板的層的至少一層上，形成接線端子的區(qū)域的溝；以及構(gòu)成所述基板的外表面，并使所述接線端子露出的絕緣膜。
27．如權(quán)利要求26的電光裝置，其特征在于在構(gòu)成所述基板的層的至少一層上，至少在所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路和所述接線端子之間的區(qū)域內(nèi)形成所述信號(hào)線的部分上形成溝。
28．如權(quán)利要求26的電光裝置，其特征在于在構(gòu)成所述基板的層的至少一層上，在形成所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路的部分上形成溝。
29．如權(quán)利要求26的電光裝置，其特征在于在所述顯示區(qū)域的一邊和所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路之間，配有采樣電路，在所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路中控制對(duì)所述數(shù)據(jù)線供給的圖像信號(hào)。
30．如權(quán)利要求29的電光裝置，其特征在于在構(gòu)成所述基板的層的至少一層上，形成在形成所述采樣電路的部分上設(shè)置的溝。
31．如權(quán)利要求26的電光裝置，其特征在于在所述顯示區(qū)域上形成取向膜，所述取向膜的研磨方向從所述接線端子朝向所述顯示區(qū)域。
32．一種電子設(shè)備，其特征在于，包括發(fā)射光的光源；對(duì)所述光源的發(fā)射光進(jìn)行與圖像信息對(duì)應(yīng)的調(diào)制的權(quán)利要求1至權(quán)利要求31中任一項(xiàng)所述的電光裝置；以及把所述電光裝置調(diào)制過的光進(jìn)行投射的投射部件。
33．一種電光裝置的制造方法，該電光裝置根據(jù)經(jīng)多個(gè)層組成的基板上所設(shè)置的接線端子輸入的信號(hào)來顯示規(guī)定的圖像，其特征在于，該方法包括在構(gòu)成所述基板的層的至少一層上，在要形成延伸至所述接線端子布線的部分上設(shè)置溝的步驟；在與所述溝對(duì)應(yīng)的區(qū)域上形成所述布線的步驟；以及在所述布線上層積絕緣膜的步驟。
34．如權(quán)利要求33所述的電光裝置的制造方法，其特征在于所述接線端子與形成所述布線的步驟同時(shí)形成，在層積所述絕緣膜的步驟后，包括將所述絕緣膜覆蓋的接線端子露出的步驟。
35．如權(quán)利要求34的電光裝置的制造方法，其特征在于露出所述接線端子的步驟是對(duì)所述絕緣膜進(jìn)行研磨的步驟。
全文摘要
在基板10中,在要形成延伸至接線端子107的布線171的部分上設(shè)置溝12。然后,用第2層間絕緣膜42來覆蓋接線端子107和布線171,并且在與接線端子107對(duì)應(yīng)的部分上設(shè)置開孔部42a。由此,減少接線端子107和延伸至其內(nèi)的布線171中的階梯。
文檔編號(hào)H01L29/786GK1319832SQ0111202
公開日2001年10月31日 申請(qǐng)日期2001年3月26日 優(yōu)先權(quán)日2000年3月27日
發(fā)明者村出正夫 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社