專利名稱：半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的清洗裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的清洗裝置，尤指一種用于將封裝完成的半導(dǎo)體快速、有效清洗干凈的清洗裝置。
半導(dǎo)體元件在完成線路排布后，通常用一封裝體將其封裝，以保護(hù)半導(dǎo)體元件，并使半導(dǎo)體上的信號(hào)通過(guò)該封裝體傳遞到印刷電路板。
現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝方法，在該封裝體上用球柵陣列方式設(shè)置一個(gè)以上上午金屬球，使半導(dǎo)體元件上的信號(hào)連接到該金屬球，再借助該金屬球傳遞到電路板。
而現(xiàn)有的球柵陣列金屬球的封裝方法，將半導(dǎo)體元件設(shè)置到一基板上，再借助一條以上的金屬線連接到基板上，再以一封膠體將半導(dǎo)體元件及一條以上的導(dǎo)線密封，以保護(hù)該半導(dǎo)體元件及一條以上的金屬線，最后，將一個(gè)以上的用以連接到印刷電路板的金屬凸塊連接到該基板上，將該基板設(shè)置在一回焊機(jī)內(nèi)，經(jīng)適當(dāng)?shù)臏囟燃訜岷?，該金屬凸塊則借助其本身的內(nèi)聚力形成金屬球，此為現(xiàn)有的球柵陣列金屬球的封裝方法。
如

圖1所示，在完成球柵陣列金屬球的制作后，由于該金屬凸塊內(nèi)含有錫、鉛及助焊劑等成分，因此，該金屬凸塊經(jīng)回焊機(jī)加熱凝聚成金屬10后，其內(nèi)的助焊劑及雜質(zhì)12將被排擠出金屬球10的表面，因此，在完成球柵陣列金屬球10封裝后，必須將封裝體設(shè)置在一清洗裝置內(nèi)將助焊劑等雜質(zhì)清除，以免金屬球接觸不良而影響到半導(dǎo)體的信號(hào)傳遞。
現(xiàn)有的半導(dǎo)體的清洗裝置為半自動(dòng)式的作業(yè)方式，其與回焊機(jī)為非連續(xù)式的作業(yè)，經(jīng)過(guò)回焊機(jī)的半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品，并不是馬上進(jìn)入清洗裝置進(jìn)行清洗，而必須以人工方式將其一一置入清洗裝置內(nèi)，此時(shí)，經(jīng)過(guò)回焊機(jī)的半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的溫度自50-60度慢慢地冷卻下來(lái)至常溫狀態(tài)，而球柵陣列金屬球上的助焊劑等雜質(zhì)將慢慢地凝固在金屬球表面，因此，在清洗過(guò)程中不易將其清洗干凈，當(dāng)金屬球的直徑越小時(shí)，清洗效果越差。
如圖2所示，現(xiàn)有的非連續(xù)式的清洗裝置，包括有多個(gè)清洗區(qū)域14、16及18，而由于進(jìn)入該非連續(xù)式清洗裝置的半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品已冷卻下來(lái)，現(xiàn)有的清洗裝置的第一個(gè)清洗區(qū)14為常溫清洗區(qū)，第二個(gè)清洗區(qū)域16亦為常溫清洗區(qū)，而最后一個(gè)清洗區(qū)域18為經(jīng)加熱裝置17加溫的清洗區(qū)，用以將經(jīng)過(guò)第一、二清洗區(qū)域14、16未清除掉的助焊劑等雜質(zhì)12活化，以便于將該雜質(zhì)12清洗干凈。但是，當(dāng)金屬球10的直徑越小時(shí)，附著在金屬球10與基板20的助焊劑等雜質(zhì)12并不容易清除干凈，而影響到封裝體的潔凈度，或必須重新進(jìn)行清洗。
本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的清洗裝置，使半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的清洗更為快速。
本實(shí)用新型的又一目的在于提供一種半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的清洗裝置，使半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的清洗更為潔凈。
本實(shí)用新型的的目的是通過(guò)如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的。
一種半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的清洗裝置，一使該半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品經(jīng)過(guò)回焊機(jī)后直接傳遞至清洗裝置的輸送帶，其與回焊機(jī)連接，該清洗裝置包括一個(gè)以上的清洗區(qū)域，每一清洗區(qū)域包括一儲(chǔ)水槽；一個(gè)以上的噴嘴；一用于將儲(chǔ)水槽中的水加熱至適當(dāng)溫度的加熱裝置；一用于將經(jīng)加熱的水抽至噴嘴、并借助噴嘴噴出適當(dāng)溫度的水清洗半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的抽水裝置。
清洗裝置依序包括有一第一清洗區(qū)域、一第二清洗區(qū)域及一第三清洗區(qū)域。
第一清洗區(qū)域的水溫接近經(jīng)過(guò)回焊機(jī)半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的溫度。
經(jīng)過(guò)回焊機(jī)的半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的溫度為40-60C°度。
第三清洗區(qū)域設(shè)有一用于將第三清洗區(qū)域清洗后的水直接導(dǎo)入第二清洗區(qū)域儲(chǔ)水槽內(nèi)的導(dǎo)水裝置。
每一清洗區(qū)域的儲(chǔ)水槽均為后一儲(chǔ)水槽溢出的水可流入前一儲(chǔ)水槽內(nèi)的溢流式儲(chǔ)水槽。
該輸送帶設(shè)有固定半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的滾筒。
該一個(gè)以上的清洗區(qū)域后可連接一吹風(fēng)裝置。
該吹風(fēng)裝置后可連接一烘干裝置。
該半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的金屬球?yàn)榍驏抨惲薪饘偾颉?br> 本實(shí)用新型通過(guò)清洗裝置與回焊機(jī)構(gòu)成連續(xù)作業(yè)方式，可提高半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的清洗速度；清洗裝置的每一清洗區(qū)域的水槽具有加熱裝置，可使經(jīng)過(guò)回焊機(jī)的半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品借助熱水活化金屬球的助焊劑及雜質(zhì)，便于將半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品清洗干凈；清洗裝置可有效地清除助焊劑及雜質(zhì)，因此，其可適用于球徑相當(dāng)小的金屬球清洗作業(yè)，而得到較佳清洗效果。
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明圖1為半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的金屬球被助焊劑等雜質(zhì)包覆的示意圖。
圖2為現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的清洗裝置示意圖。
圖3為本實(shí)用新型半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的清洗裝置示意圖。
圖4為本實(shí)用新型半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的清洗裝置局部示意圖。
如圖3所示，本實(shí)用新型清洗裝置22由一輸送帶24連接到一回焊機(jī)26后，一個(gè)以上的半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品排設(shè)在一模具28上同時(shí)完成球柵陳列金屬球制作，該排有一個(gè)以上的半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的模具28經(jīng)過(guò)回焊機(jī)24后，直接連續(xù)地進(jìn)入清洗裝置22內(nèi)，將模具28上的半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品金屬球(球柵陣列金屬球)上的助焊劑等雜質(zhì)沖洗干凈，并經(jīng)一吹風(fēng)裝置32及一烘干裝置34將半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品上的水份清除。
該清洗裝置22設(shè)有一第一清洗區(qū)域36、一第二清洗區(qū)域38及一第三清洗區(qū)域40，每一清洗區(qū)域36、38及40皆設(shè)有一儲(chǔ)水槽42、44及46，一個(gè)以上的噴嘴48、50及52，一加熱裝置54、56及58，用于將儲(chǔ)水槽42、44及46的水加熱至適當(dāng)?shù)臏囟龋怀樗b置60、62及64用于將儲(chǔ)水槽42、44及46抽至噴嘴48、50及52，使經(jīng)清洗裝置22的半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品28的金屬球30上的助焊劑等雜質(zhì)得以沖洗干凈，再經(jīng)一吹風(fēng)裝置32及一烘干裝置34將模具28上的半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品上的水份清除。
經(jīng)回焊機(jī)26出來(lái)的半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的溫度為40-60度，第一清洗區(qū)域36的儲(chǔ)水槽42加熱后的溫度與半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的溫度40-60度相近，使半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的金屬球上的助焊劑等雜質(zhì)活化便于沖洗。
另外，清洗裝置22的第三清洗區(qū)域40設(shè)有一導(dǎo)水裝置54，用以將第三清洗區(qū)域40清洗后的水直接導(dǎo)入第二清洗區(qū)域38內(nèi)，使第三清洗區(qū)域40的水槽46內(nèi)的水保持干凈狀態(tài)，不會(huì)再次污染半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品。清洗裝置22的每一清洗區(qū)域36、38及40的水槽42、44及46亦可為溢流式儲(chǔ)水槽，當(dāng)?shù)谌逑磪^(qū)域40的儲(chǔ)水槽46填滿時(shí)，將自動(dòng)溢出并流入第二清洗區(qū)域38的儲(chǔ)水槽44內(nèi)，使儲(chǔ)水槽42、44及46的水可循環(huán)使用，節(jié)省水的用量。
如圖4所示，其為圖3的局部放大圖，清洗裝置22的輸送帶24上方設(shè)有滾筒66，以將傳送至清洗裝置22的模28固定，使其在清洗過(guò)程中，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)不致被沖損或沖離清洗裝置22。
權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的清洗裝置，一使該半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品經(jīng)過(guò)回焊機(jī)后直接傳遞至清洗裝置的輸送帶，其與回焊機(jī)連接，其特征在于該清洗裝置包括一個(gè)以上的清洗區(qū)域，每一清洗區(qū)域包括一儲(chǔ)水槽；一個(gè)以上的噴嘴；一用于將儲(chǔ)水槽中的水加熱至適當(dāng)溫度的加熱裝置；一用于將經(jīng)加熱的水抽至噴嘴、并借助噴嘴噴出適當(dāng)溫度的水清洗半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的抽水裝置。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的清洗裝置，其特征在于清洗裝置依序包括有一第一清洗區(qū)域、一第二清洗區(qū)域及一第三清洗區(qū)域。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的清洗裝置，其特征在于第一清洗區(qū)域的水溫接近經(jīng)過(guò)回焊機(jī)半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的溫度。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的清洗裝置，其特征在于經(jīng)過(guò)回焊機(jī)的半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的溫度為40-60℃度。
5.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的清洗裝置，其特征在于第三清洗區(qū)域設(shè)有一用于將第三清洗區(qū)域清洗后的水直接導(dǎo)入第二清洗區(qū)域儲(chǔ)水槽內(nèi)的導(dǎo)水裝置。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的清洗裝置，其特征在于每一清洗區(qū)域的儲(chǔ)水槽均為后一儲(chǔ)水槽溢出的水可流入前一儲(chǔ)水槽內(nèi)的溢流式儲(chǔ)水槽。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的清洗裝置，其特征在于該輸送帶設(shè)有固定半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的滾筒。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的清洗裝置，其特征在于該一個(gè)以上的清洗區(qū)域后可連接一吹風(fēng)裝置。
9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的清洗裝置，其特征在于該吹風(fēng)裝置后可連接一烘干裝置。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的清洗裝置，其特征在于該半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的金屬球?yàn)榍驏抨惲薪饘偾颉?br> 專利摘要一種半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的清洗裝置,一使該半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品經(jīng)過(guò)回焊機(jī)后直接傳遞至清洗裝置的輸送帶,其與回焊機(jī)連接,該清洗裝置包括:包括有儲(chǔ)水槽的清洗區(qū)域、噴嘴、加熱裝置及抽水裝置;清洗裝置與回焊機(jī)構(gòu)成連續(xù)作業(yè)方式,提高了半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品的清洗速度;清洗裝置的每一清洗區(qū)域的水槽具有加熱裝置,便于將半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品清洗干凈;清洗裝置可有效地清除助焊劑及雜質(zhì),其適用于球徑相當(dāng)小的金屬球清洗作業(yè),清洗效果較佳。
文檔編號(hào)H01L21/00GK2470952SQ0120054
公開日2002年1月9日 申請(qǐng)日期2001年2月1日 優(yōu)先權(quán)日2001年2月1日
發(fā)明者陳明輝, 范光宇, 王東傳, 吳志成 申請(qǐng)人:勝開科技股份有限公司