專利名稱：雷電浪涌瞬態(tài)過壓放電管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種H01T1\15,4\02的半導(dǎo)體充氣過壓保護(hù)器件，尤指一種雷電浪涌瞬態(tài)過壓放電管。
圖中1-引出線(鍍鎂絲線)，2、5-紅色環(huán)，3-橙色環(huán)，4-富士蘭色環(huán)，6-玻璃殼體，7-硅片，8-金屬鉬柱，9-絕緣層，10-瓷管包金屬，11-瓷柱。
為了詳細(xì)說明本創(chuàng)作的整體貢獻(xiàn)，在本說明書的后段給出了制作雷電浪涌瞬態(tài)過壓A或B型放電管的主要方法、步驟及工藝過程。而凡及本創(chuàng)作主張的、在所述技術(shù)方案所限定的參數(shù)、指標(biāo)范疇內(nèi)的任何所為均屬于本實(shí)用新型保護(hù)的界域。
表1

表2
權(quán)利要求1.一種雷電浪涌瞬態(tài)過壓放電管，具有至少一對引出線(1)，一個過壓放電管的玻璃殼體(6)，其特征是，所述的玻璃殼體(6)，其表面設(shè)有間距相等或不相等的至少兩個以上的色環(huán)；所述玻璃殼體其內(nèi)部設(shè)有金屬鉬柱(8)，其中，相對一個金屬鉬柱(8)的兩邊設(shè)有絕緣層(9)，相對所述絕緣層(9)的兩邊設(shè)有硅片(7)；或者相對兩個所述金屬鉬柱(8)的中間設(shè)有至少一個瓷管包金屬(10)、一個瓷柱(11)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雷電浪涌瞬態(tài)過壓放電管，其特征是，所述的硅片(7)是一種芯片且具有一由硅片自身導(dǎo)體與空間隙構(gòu)成的且充入惰性氣體的空間放電層，所述芯片其片體的兩端套入充入了惰性氣體的所述的玻璃殼體(6)中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雷電浪涌瞬態(tài)過壓放電管，其特征是，所述的瓷管包金屬(10)是一種芯片且由瓷柱鍍金屬膜、間隙放電層構(gòu)成，其中，所述瓷柱鍍金屬膜的兩端具有帶帽電極且套入充入了惰性氣體的所述的玻璃殼體(6)中。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雷電浪涌瞬態(tài)過壓放電管，其特征是，所述的芯片其截面積為0.85*0.85mm，其直徑為φ1.0mm，其厚度為100-150um，其電阻率為0-30Ωmm，其空間放電層的間隙厚度為10-40um。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的雷電浪涌瞬態(tài)過壓放電管，其特征是，所述的帶帽電極其直徑為φ2*2mm，其間隙放電層的厚度為10-40um.。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種雷電浪涌瞬態(tài)過壓放電管,它具有至少一對引出線,一個過壓放電管的玻璃殼體,其中,所述的玻璃殼體,其表面設(shè)有間距相等或不相等的至少兩個以上的色環(huán);所述玻璃殼體其內(nèi)部設(shè)有金屬鉬柱,而且,相對一個金屬鉬柱的兩邊設(shè)有絕緣層,相對所述絕緣層的兩邊設(shè)有硅片;或者相對兩個所述金屬鉬柱的中間設(shè)有至少一個瓷管包金屬、一個瓷柱。該放電管滿足半導(dǎo)體充氣過壓保護(hù)器件對放電性能穩(wěn)定可靠、吸收快、一致性好、對稱性好且成本低的要求。
文檔編號H01T4/02GK2520597SQ01227229
公開日2002年11月13日 申請日期2001年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2001年6月15日
發(fā)明者王學(xué)斌, 趙瑞鳳 申請人:趙瑞鳳