專利名稱：用氧化物還原腐蝕清除殘留物的方法
技術領域：
本公開涉及到半導體器件制造領域。更具體地說，本公開涉及到側壁聚合物材料的清除或灰化。確切地說，公開了一種在使用H2O和CF4腐蝕柵之后，用氧化物還原腐蝕來清除殘留物的方法。
背景技術：
在常規(guī)的半導體制造工藝過程中，在半導體晶片上和制作在半導體晶片上的零件上，形成了一些不希望有的材料。通常，必須將這些不希望有的材料從半導體晶片清除或腐蝕掉。不幸的是，并不是所有的不希望有的材料都能夠從半導體晶片或制作在半導體晶片上的零件被輕易地清除或腐蝕掉。
現(xiàn)參照現(xiàn)有技術的

圖1A，示出了半導體襯底100的側剖面圖，此半導體襯底具有柵氧化物層102、多晶硅層104、以及排列在其上的光抗蝕劑部分106。在現(xiàn)有技術的圖1A結構中，光抗蝕劑部分106確定了其中將要制作多晶硅柵的位置。
現(xiàn)參照現(xiàn)有技術的圖1B，在現(xiàn)有技術中，對多晶硅層104進行等離子體腐蝕。等離子體腐蝕工序將除了被光抗蝕劑部分106所覆蓋從而防止等離子體腐蝕的那部分多晶硅層104之外的多晶硅層104清除。雖然這一工藝可以用來形成多晶硅柵，但這一常規(guī)工藝存在著與之相關的嚴重缺點。例如，如現(xiàn)有技術的圖1B所示，通常示為108的殘留物(例如殘留的聚合物材料)形成在光抗蝕劑部分106、多晶硅層104的保留部分、以及柵氧化物層102的表面上。
在一種現(xiàn)有技術的方法中，對現(xiàn)有技術的圖1B的結構進行腐蝕性化學剝離(例如氫氟酸浸入那樣的濕法酸浸入)，以清除殘留物108。然而，等離子體曝光的柵氧化物，例如柵氧化物層102，在氫氟酸中迅速腐蝕。具體地說，甚至在稀釋的氫氟酸中的短暫的浸入過程中，等離子體曝光的柵氧化物就能夠腐蝕20-40。這一問題由于目前某些制造工藝形成厚度為30?；蚋〉臇叛趸锒M一步惡化。為了確保在半導體襯底100上留下所要求數(shù)量的柵氧化物層102，在已經(jīng)清除殘留物108和光抗蝕劑部分106之后，對柵氧化物層102的厚度進行測量。
現(xiàn)參照現(xiàn)有技術的圖1C，此側剖面圖示出了一個例子，其中在氫氟酸浸入之后，柵氧化物層102已經(jīng)被有害地腐蝕。在現(xiàn)有技術的圖1C中，由于柵氧化物層102的過腐蝕，部分半導體襯底100不再被柵氧化物層102覆蓋。因此，在后續(xù)工藝步驟中，半導體襯底100的一些區(qū)域得不到適當?shù)谋Ｗo。
因此，對于有效地清除等離子體腐蝕引入的殘留物而不有害地和明顯地沖擊柵氧化物的方法，有了需求。
本發(fā)明的公開本發(fā)明提供了一種方法，它有效地清除等離子體腐蝕引入的殘留物而不有害地和明顯地沖擊柵氧化物。
更具體地說，在一個實施方案中，在部分光抗蝕劑已經(jīng)被用來形成多晶硅柵之后，本發(fā)明提供了一種新穎的有利的等離子體灰化環(huán)境。具體地說，在此實施方案中，本發(fā)明將CF4引入到等離子體灰化環(huán)境中。接著，本實施方案將H2O汽引入到等離子體灰化環(huán)境中。在此實施方案中，CF4對H2O的體積比為0.1∶1-10∶1。接著，本實施方案利用等離子體灰化環(huán)境來基本上清除多晶硅腐蝕引入的殘留物而不要求腐蝕性化學剝離。在這樣做的過程中，柵氧化物的腐蝕被明顯地抑制，致使足夠量的柵氧化物層保留在下方的半導體襯底上。此外，在本發(fā)明中，在清除等離子體腐蝕引入的殘留物之后，柵氧化物層是清潔的，且足夠的柵氧化物保留下來，致使能夠精確而可靠地測量保留的柵氧化物層的厚度，硅襯底從而不被暴露于可能對其造成沖擊或沾污的環(huán)境。
在另一個實施方案中，本發(fā)明提供了一種用來在等離子體腐蝕多晶硅之后同時清除光抗蝕劑和殘留聚合物的方法。在此實施方案中，在部分光抗蝕劑已經(jīng)被用來形成多晶硅柵之后，本發(fā)明提供了一種新穎的有利的等離子體灰化環(huán)境。具體地說，在此實施方案中，本發(fā)明將CF4引入到等離子體灰化環(huán)境中。接著，本實施方案將H2O汽引入到等離子體灰化環(huán)境中。在此實施方案中，CF4對H2O的體積比為0.1∶1-10∶1。然后，本實施方案將O2引入到等離子體灰化環(huán)境中。接著，本實施方案利用等離子體灰化環(huán)境來基本上清除多晶硅腐蝕引入的殘留物并且清除光抗蝕劑的保留部分而不要求腐蝕性化學剝離。在這樣做的過程中，柵氧化物的腐蝕被明顯地抑制，致使足夠量的柵氧化物層保留在下方的半導體襯底上。此外，在本發(fā)明中，在清除等離子體腐蝕引入的殘留物之后，柵氧化物層是清潔的，且足夠的柵氧化物保留下來，致使能夠精確而可靠地測量保留的柵氧化物層的厚度，硅襯底從而不被暴露于可能對其造成沖擊或沾污的環(huán)境。而且，所有保留的光抗蝕劑區(qū)域也已經(jīng)被清除。
在閱讀各個附圖中所示的優(yōu)選實施方案的下列詳細描述之后，本發(fā)明的這些和其它的目的和優(yōu)點，對于本技術的一般技術人員來說，無疑將變得顯而易見。
附圖的簡要說明結合在本說明書中并成為本說明書一部分的附圖，描述了本發(fā)明的實施方案，并與其描述一起用來解釋本發(fā)明的原理現(xiàn)有技術的圖1A-1C是剖面圖，示出了與現(xiàn)有技術多晶硅柵制作和殘留物清除方法相關的各個步驟。
圖2A-2D是剖面圖，示出了根據(jù)提出權利要求的本發(fā)明一個實施方案的殘留物清除工藝。
圖3是根據(jù)提出權利要求的本發(fā)明一個實施方案執(zhí)行的各個步驟的流程圖。
圖4是根據(jù)提出權利要求的本發(fā)明一個實施方案執(zhí)行的各個步驟的流程圖。
圖5A-5C是剖面圖，示出了根據(jù)提出權利要求的本發(fā)明另一個實施方案的殘留物清除工藝。
圖6是根據(jù)提出權利要求的本發(fā)明一個實施方案執(zhí)行的各個步驟的流程圖。
圖7是根據(jù)提出權利要求的本發(fā)明一個實施方案執(zhí)行的各個步驟的流程圖。
圖8是根據(jù)提出權利要求的本發(fā)明一個實施方案的CF4/H2O和O2等離子體灰化參數(shù)表。
本技術的一般熟練人員可以理解的是，其它的零件和元件可以出現(xiàn)在半導體襯底上，但為清晰起見而未示出。此外，除特別指出之外，本描述中所指的附圖應該被理解為未按比例繪制。
本發(fā)明的最佳實施模式現(xiàn)詳細參照本發(fā)明的優(yōu)選實施方案，其例子示于附圖中。雖然結合優(yōu)選實施方案來描述本發(fā)明，但要理解的是，這不是用來將本發(fā)明限制在這些實施方案。相反，本發(fā)明被認為覆蓋了可以包括在所附權利要求定義的本發(fā)明的構思與范圍內的各種變通、修正、和等效情況。
現(xiàn)參照圖2A，示出了一種半導體襯底200，它具有柵氧化物層202、多晶硅層204、以及排列在其上的光抗蝕劑部分206。在圖2A的結構中，光抗蝕劑部分206確定了其中要制作多晶硅柵的位置。
現(xiàn)參照圖2B，在本實施方案中，對多晶硅層204進行等離子體腐蝕。等離子體腐蝕工序將除了被光抗蝕劑部分206所覆蓋從而防止等離子體腐蝕的那部分多晶硅層204之外的多晶硅層204清除。如圖2B所示，通常示為208的殘留物(例如殘留的聚合物材料)形成在光抗蝕劑部分206、多晶硅層204的保留部分、以及柵氧化物層202的表面上。
現(xiàn)參照圖2C，側剖面圖示出了本實施方案的一個例子，其中圖2C的殘留物208已經(jīng)被清除而沒有清除柵氧化物層202。此外，與現(xiàn)有技術不同，本實施方案清除殘留物208而無需對柵氧化物層202進行腐蝕性化學剝離。對本實施方案中用來清除殘留物208的工藝，將在下面結合圖3和4進行詳細的描述。
現(xiàn)參照圖2D，側剖面圖示出了清除圖2C的殘留物208之后和清除圖2C的光抗蝕劑部分206之后的本實施方案的一個例子。在本實施方案中，僅僅多晶硅柵區(qū)域204和柵氧化物層202仍然排列在半導體襯底200上。而且，柵氧化物層202現(xiàn)在是清潔的，并能夠被測量以證實柵氧化物層202的厚度是所要求的。
現(xiàn)參照圖3，示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施方案執(zhí)行的各個步驟的流程圖300。在本實施方案中，在步驟302，執(zhí)行多晶硅層的等離子體腐蝕以確定多晶硅柵的位置。如上所述，此工序導致在都位于半導體襯底上的光抗蝕劑部分、多晶硅層的保留區(qū)域、以及柵氧化物層表面上形成殘留物。此外。如上所述，常規(guī)工藝采用腐蝕性化學剝離試圖清除這些殘留物。這種現(xiàn)有技術的腐蝕性化學剝離，對柵氧化物層造成有害的沖擊并明顯地腐蝕柵氧化物層。
接著參照步驟304，與現(xiàn)有技術不同，本實施方案則使半導體襯底和上方的零件暴露于等離子體灰化環(huán)境，以便清除多晶硅層的等離子體腐蝕所引起的殘留物。因此，本實施方案消除了對半導體襯底和上方的零件(包括柵氧化物層)進行有害的腐蝕性化學剝離的需要。下面將結合圖4來詳細地描述在本實施方案的步驟304中用來清除殘留物208的灰化環(huán)境的精確化學過程。在本實施方案中，在步驟304中清除殘留物之后，本發(fā)明進行到步驟306。
在步驟306，本實施方案清除光抗蝕劑的其余部分(例如位于多晶硅柵上的光抗蝕劑)。這一光抗蝕劑清除工序確保柵氧化物層現(xiàn)在是清潔的并容易測量。
現(xiàn)參照步驟308，在執(zhí)行步驟302、304、和306之后，本實施方案使得能夠精確而可靠地測量柵氧化物層的厚度。亦即，在本實施方案中，有可能測量柵氧化物層的厚度，而不會在剝離之前得到與測量相關的明顯錯誤的測量(因為殘留物可能被測量工具錯誤地測量為氧化物)，也無需使用腐蝕性化學剝離(它清除顯著數(shù)量的氧化物)。
現(xiàn)參照圖4，示出了為產(chǎn)生圖3中步驟304所述的等離子體灰化環(huán)境而執(zhí)行的步驟的流程圖400。在執(zhí)行步驟302之后并根據(jù)圖4的步驟402，本實施方案產(chǎn)生等離子體灰化環(huán)境。更確切地說，在一個實施方案中，本發(fā)明將CF4引入到等離子體灰化環(huán)境中。
在步驟404中，本實施方案將H2O汽引入到等離子體灰化環(huán)境中，使CF4對H2O的體積比例如為0.1∶1-10∶1。在圖3的步驟304中，本實施方案使用這一等離子體灰化環(huán)境來基本上清除多晶硅腐蝕引起的殘留物而無需腐蝕性化學剝離。因此，本實施方案不需要現(xiàn)有技術的有害腐蝕性化學剝離。
此外，在本發(fā)明的一個實施方案中，借助于以約為每分鐘5-5000標準立方厘米(SCCM)的流速引入CF4，產(chǎn)生了上述的等離子體灰化環(huán)境。在本實施方案中，以約為每分鐘5-5000標準立方厘米(SCCM)的流速引入H2O到等離子體灰化環(huán)境中。而且，在本實施方案中，被用來基本上清除多晶硅腐蝕引起的殘留物而無需腐蝕性化學剝離的等離子體灰化環(huán)境，其壓力是50毫乇至5乇，功率為50-5000W，執(zhí)行時間長度為3-300秒鐘，執(zhí)行的溫度為20-350℃。雖然在本實施方案中列舉了這些參數(shù)，但本發(fā)明完全適合于改變等離子體灰化環(huán)境的參數(shù)、條件、和組分。
在本實施方案中，CF4的存在被用來清除殘留物，而H2O的存在被用來抑制柵氧化物層的腐蝕。作為本實施方案好處的一個例子，將柵氧化物層暴露于腐蝕性化學剝離的常規(guī)現(xiàn)有技術工藝常常顯示出40以上的氧化物層厚度損失。但本實施方案卻將柵氧化物層的厚度損失限制到了小于10。
當完成步驟404時，本實施方案返回到圖3的步驟306。
現(xiàn)參照圖5A，示出了一種半導體襯底500的剖面圖，此襯底具有柵氧化物層502、多晶硅層504、以及排列在其上的光抗蝕劑部分506。在圖5A的結構中，光抗蝕劑部分506確定了其中要制作多晶硅柵的位置。
現(xiàn)參照圖5B，在本實施方案中，對多晶硅層504進行等離子體腐蝕。等離子體腐蝕工序將除了被光抗蝕劑部分506所覆蓋從而防止等離子體腐蝕的那部分多晶硅層504之外的多晶硅層504清除。如圖5B所示，通常示為508的殘留物(例如殘留的聚合物材料)形成在光抗蝕劑部分506、多晶硅層的保留部分504、以及柵氧化物層502的表面上。
現(xiàn)參照圖5C，側剖面圖示出了本實施方案的一個例子，其中圖5C的殘留物508以及圖5C的光抗蝕劑保留部分506已經(jīng)被清除。此外，與現(xiàn)有技術不同，本實施方案清除了殘留物508而沒有對柵氧化物層502進行腐蝕性化學剝離。對本實施方案中用來清除殘留物508以及光抗蝕劑506的工藝，將在下面結合圖6和7進行詳細的描述。而且，柵氧化物層502現(xiàn)在是清潔的，并能夠被測量以證實柵氧化物層502的厚度是所要求的。
現(xiàn)參照圖6，示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施方案執(zhí)行的各個步驟的流程圖600。在本實施方案中，在步驟602，執(zhí)行多晶硅層的等離子體腐蝕以確定多晶硅柵的位置。如上所述，此工序導致在都位于半導體襯底上的光抗蝕劑、多晶硅層的保留區(qū)域、以及柵氧化物層表面上形成殘留物。此外。如上所述，常規(guī)工藝采用腐蝕性化學剝離試圖清除這些殘留物。這種現(xiàn)有技術的腐蝕性化學剝離，對柵氧化物層造成有害的沖擊并明顯地腐蝕柵氧化物層。
接著參照步驟604，與現(xiàn)有技術不同，本實施方案則使半導體襯底和上方的零件暴露于等離子體灰化環(huán)境，以便清除多晶硅層的等離子體腐蝕所引起的殘留物以及光抗蝕劑的保留部分。因此，本實施方案消除了對半導體襯底和上方的零件(包括柵氧化物層)進行有害的腐蝕性化學剝離的需要。下面將結合圖7來詳細地描述在本實施方案的步驟604中用來清除殘留物508的灰化環(huán)境的精確化學過程。這一殘留物和光抗蝕劑清除工序確保了柵氧化物層現(xiàn)在是清潔的并容易被測量。在本實施方案中，在步驟604中清除殘留物以及光抗蝕劑保留部分二者之后，本公開進行到步驟606。
現(xiàn)參照步驟606，在執(zhí)行步驟602和604之后，本實施方案使得能夠進行柵氧化物層厚度的精確而可靠的測量。
現(xiàn)參照圖7，示出了為產(chǎn)生圖6中步驟604所述的等離子體灰化環(huán)境而執(zhí)行的各個步驟的流程圖700。在執(zhí)行步驟602之后并根據(jù)圖7的步驟702，本實施方案產(chǎn)生等離子體灰化環(huán)境。更確切地說，在一個實施方案中，本公開將CF4引入到等離子體灰化環(huán)境中。
在步驟704中，本實施方案將H2O汽引入到等離子體灰化環(huán)境中，使CF4對H2O的體積比例如為0.1∶1-10∶1。
在步驟706中，本實施方案將O2汽引入到等離子體灰化環(huán)境中。
在圖7的步驟706中，本實施方案使用這一等離子體灰化環(huán)境來基本上清除多晶硅腐蝕引起的殘留物以及光抗蝕劑而無需腐蝕性化學剝離。因此，本實施方案不需要現(xiàn)有技術的有害腐蝕性化學剝離。
此外，在本發(fā)明的一個實施方案中，借助于以約為每分鐘5-5000標準立方厘米(SCCM)的流速引入CF4，產(chǎn)生了上述的等離子體灰化環(huán)境。在本實施方案中，以約為每分鐘5-5000標準立方厘米(SCCM)的流速，將H2O引入到等離子體灰化環(huán)境中。在本實施方案中，以約為每分鐘10-10000標準立方厘米(SCCM)的流速，將O2引入到等離子體灰化環(huán)境中。而且，在本實施方案中，被用來基本上清除多晶硅腐蝕引起的殘留物以及光抗蝕劑保留部分而無需腐蝕性化學剝離的等離子體灰化環(huán)境，其壓力是5毫乇至5乇，功率為50-5000W，執(zhí)行時間長度為3-300秒鐘，執(zhí)行的溫度為20-350℃。雖然在本實施方案中列舉了這些參數(shù)，但本發(fā)明完全適合于改變等離子體灰化環(huán)境的參數(shù)、條件、和組分。
在本實施方案中，CF4的存在被用來清除殘留物，而H2O的存在被用來抑制柵氧化物層的腐蝕，O2的存在被用來清除光抗蝕劑材料的保留部分。作為本實施方案好處的一個例子，將柵氧化物層暴露于腐蝕性化學剝離的常規(guī)現(xiàn)有技術工藝常常顯示出40以上的氧化物層厚度損失。但本實施方案卻將柵氧化物層的厚度損失限制到了小于10。
當完成步驟706時，本實施方案返回到圖6的步驟606。
現(xiàn)參照圖8，表800列舉了根據(jù)提出權利要求的本發(fā)明一個實施方案的CF4/H2O和O2等離子體灰化參數(shù)。雖然在表800中列舉了這些參數(shù)，但本發(fā)明完全適合于改變等離子體灰化環(huán)境的參數(shù)、條件、和組分。
于是，本發(fā)明提供了一種有效地清除等離子體腐蝕引起的殘留物而不有害地和明顯地沖擊柵氧化物的方法。
為了說明和描述的目的，已經(jīng)提出了本發(fā)明的具體實施方案的上述描述。這不是為了完備或用來將本發(fā)明限制在所公開的精確形式，根據(jù)上述討論顯然有可能作出許多修正和改變。選擇并描述這些實施方案是為了最好地解釋本發(fā)明的原理及其實際應用，從而使本技術領域的熟練人員能夠最好地利用本發(fā)明以及具有各種各樣修正的適合于特定使用目的的各種實施方案。本發(fā)明的范圍由所附權利要求及其同等情況定義。
權利要求
1.一種方法，它包含下列步驟a)將CF4引入到等離子體灰化環(huán)境中；以及b)將H2O汽引入到所述等離子體灰化環(huán)境中，使所述CF4對所述H2O汽的體積比為0.1∶1-10∶1。
2.權利要求1的方法，其中所述方法是為了在多晶硅的等離子體腐蝕之后增強殘留物的清除，此方法還包含下述步驟c)利用所述等離子體灰化環(huán)境來基本上清除多晶硅腐蝕引入的殘留物而無需腐蝕性化學剝離。
3.權利要求1的方法，其中所述方法是為了精確確定執(zhí)行多晶硅的等離子體腐蝕之后柵氧化物層的保留厚度，此方法還包含下述步驟c)利用所述等離子體灰化環(huán)境來基本上清除多晶硅腐蝕引入的殘留物而無需腐蝕性化學剝離；以及d)測量所述柵氧化物層在所述步驟c)之后的厚度。
4.權利要求1-3中任何一個所述的方法，其中所述將CF4引入到所述等離子體灰化環(huán)境中的步驟a)包含下述步驟以大約每分鐘360標準立方厘米(SCCM)的流速引入所述CF4。
5.權利要求1-4中任何一個所述的方法，其中所述將H2O引入到所述等離子體灰化環(huán)境中的步驟b)包含下述步驟以大約每分鐘600標準立方厘米(SCCM)的流速引入所述H2O。
6.權利要求2-5中任何一個所述的方法，其中利用所述等離子體灰化環(huán)境來基本上清除所述多晶硅腐蝕引入的殘留物的所述步驟c)還包含下述步驟利用所述等離子體灰化環(huán)境來基本上清除所述多晶硅腐蝕引入的殘留物而無需所述腐蝕性化學剝離，其中所述等離子體灰化環(huán)境的壓力范圍為50毫乇至5乇。
7.權利要求2-5中任何一個所述的方法，其中利用所述等離子體灰化環(huán)境來基本上清除所述多晶硅腐蝕引入的殘留物的所述步驟c)還包含下述步驟利用所述等離子體灰化環(huán)境來基本上清除所述多晶硅腐蝕引入的殘留物而無需所述腐蝕性化學剝離，其中所述等離子體灰化環(huán)境的功率范圍為100-3000W。
8.權利要求2-5中任何一個所述的方法，其中利用所述等離子體灰化環(huán)境來基本上清除所述多晶硅腐蝕引入的殘留物的所述步驟c)還包含下述步驟利用所述等離子體灰化環(huán)境來基本上清除所述多晶硅腐蝕引入的殘留物而無需所述腐蝕性化學剝離，其中所述等離子體灰化環(huán)境的時間長度范圍為5-300秒。
9.權利要求2-5中任何一個所述的方法，其中利用所述等離子體灰化環(huán)境來基本上清除所述多晶硅腐蝕引入的殘留物的所述步驟c)還包含下述步驟利用所述等離子體灰化環(huán)境來基本上清除所述多晶硅腐蝕引入的殘留物而無需所述腐蝕性化學剝離，其中所述等離子體灰化環(huán)境的溫度范圍為50-350℃。
10.權利要求3所述的方法，其中所述步驟c)之后的測量所述柵氧化物層的厚度的所述步驟d)還包含下述步驟測量所述柵氧化物層的所述厚度而不會得到由于使用所述腐蝕性化學剝離而引起的明顯缺點的測量。
11.權利要求1的方法，其中所述方法是為了在多晶硅的等離子體腐蝕之后同時清除光抗蝕劑和殘留的聚合物，此方法還包含下列步驟c)將O2引入到所述等離子體灰化環(huán)境中，以及d)利用所述等離子體灰化環(huán)境來基本上清除多晶硅腐蝕引入的殘留物并清除光抗蝕劑的保留部分而無需腐蝕性化學剝離。
12.權利要求11所述的方法，其中將CF4引入到所述等離子體灰化環(huán)境中的所述步驟a)包含下述步驟以大約每分鐘5-5000標準立方厘米(SCCM)的流速引入所述CF4。
13.權利要求11所述的方法，其中將H2O引入到所述等離子體灰化環(huán)境中的所述步驟b)包含下述步驟以大約每分鐘5-5000標準立方厘米(SCCM)的流速引入所述H2O。
14.權利要求11所述的方法，其中將O2引入到所述等離子體灰化環(huán)境中的所述步驟c)包含下述步驟以大約每分鐘10-10000標準立方厘米(SCCM)的流速引入所述O2。
15.權利要求11所述的方法，其中利用所述等離子體灰化環(huán)境來基本上清除所述多晶硅腐蝕引入的殘留物的所述步驟d)還包含下述步驟利用所述等離子體灰化環(huán)境來基本上清除所述多晶硅腐蝕引入的殘留物并清除所述光抗蝕劑的所述保留部分而無需所述腐蝕性化學剝離，其中所述等離子體灰化環(huán)境的壓力范圍為5毫乇至5乇。
16.權利要求11所述的方法，其中利用所述等離子體灰化環(huán)境來基本上清除所述多晶硅腐蝕引入的殘留物的所述步驟d)還包含下述步驟利用所述等離子體灰化環(huán)境來基本上清除所述多晶硅腐蝕引入的殘留物并清除所述光抗蝕劑的所述保留部分而無需所述腐蝕性化學剝離，其中所述等離子體灰化環(huán)境的功率范圍為50-5000W。
17.權利要求11所述的方法，其中利用所述等離子體灰化環(huán)境來基本上清除所述多晶硅腐蝕引入的殘留物的所述步驟d)還包含下述步驟利用所述等離子體灰化環(huán)境來基本上清除所述多晶硅腐蝕引入的殘留物并清除所述光抗蝕劑的所述保留部分而無需所述腐蝕性化學剝離，其中所述等離子體灰化環(huán)境的時間長度范圍為3-300秒。
18.權利要求11所述的方法，其中利用所述等離子體灰化環(huán)境來基本上清除所述多晶硅腐蝕引入的殘留物的所述步驟d)還包含下述步驟利用所述等離子體灰化環(huán)境來基本上清除所述多晶硅腐蝕引入的殘留物并清除所述光抗蝕劑的所述保留部分而無需所述腐蝕性化學剝離，其中所述等離子體灰化環(huán)境的溫度范圍為20-350℃。
全文摘要
一種用來清除等離子體腐蝕引入的殘留物的方法。在一個實施方案中,在部分光抗蝕劑已經(jīng)被用來形成多晶硅柵之后,本發(fā)明提供了一種新穎的有利的等離子體灰化環(huán)境。具體地說,在此實施方案中,本發(fā)明將CF
文檔編號H01L21/3065GK1358328SQ01800078
公開日2002年7月10日 申請日期2001年1月17日 優(yōu)先權日2000年1月19日
發(fā)明者E·K·耶, C·T·加布里爾, T·鄭, L·萊爾德 申請人:皇家菲利浦電子有限公司