專利名稱：制造具有透明導(dǎo)電膜的設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于制造具有透明導(dǎo)電膜的設(shè)備，且更具體地涉及一種用于通過(guò)使用等離子體在真空下，在一基底上形成一透明導(dǎo)電膜的設(shè)備。
如圖9至12所示，該常規(guī)的基底生產(chǎn)設(shè)備包括一離子電鍍?cè)O(shè)備，其通過(guò)使用一膜形成夾具(jig)900和饋送輥1000，通過(guò)在自一ITO燒結(jié)體蒸發(fā)且通過(guò)一等離子束被離子化的ITO的顆粒的氣氛中饋送一絕緣基底，而在該絕緣基底上形成一ITO膜，在該膜形成夾具900中，該絕緣基底被固定地配置。下面進(jìn)行詳細(xì)的描述。
圖9是在該常規(guī)的離子電鍍?cè)O(shè)備中使用的用于一絕緣基底的一膜形成夾具的透視圖。
如圖9所示，該用于一絕緣基底的膜形成夾具900包括一用于保持該絕緣基底901的托架902、和用于在其上承載該托架902的一承載部件903。
該托架902由一在其底部902a上形成有一矩形開(kāi)口902b的箱形部件和從其上部邊緣902c的相對(duì)側(cè)橫向向外延伸的兩對(duì)伸出部分902d形成。該托架902在該箱形部件的底部902a上保持該絕緣基底901。
而且，該承載部件903由一在其中接收該托架902的一框架部件形成，并通過(guò)駐留在其上的托架902的伸出部分902d來(lái)保持該托架902。
在自一ITO燒結(jié)體蒸發(fā)的ITO的顆粒的氣氛中，如上構(gòu)成的膜形成夾具900借助于在

圖10中示出的饋送輥并沿圖10中的箭頭A所示的箭頭方向被傳送，其上保持有該絕緣基底901，從而在該絕緣基底901上形成一ITO膜。
圖10是概略地示出圖9中所示的膜形成夾具900和饋送輥1000的配置的平面視圖，及圖11是沿圖10的XI-XI線截取的一截面視圖。
在圖10和11中，沿圖10中所示的饋送方向A配置的多對(duì)饋送輥1000被放置在該離子電鍍?cè)O(shè)備中的蒸發(fā)的ITO顆粒的氣氛中。配置在饋送輥1000上的是承載托架902的承載部件903，其通過(guò)這些饋送輥的轉(zhuǎn)動(dòng)，沿圖10所示的饋送方向A被傳送。
如上構(gòu)成的離子電鍍?cè)O(shè)備典型地通過(guò)使用一等離子體，在絕緣基底901上形成一透明導(dǎo)電膜，例如ITO膜。然而，與該絕緣基底相接觸的托架902被導(dǎo)電的，且因此，會(huì)產(chǎn)生自絕緣基底901到托架902的非正常的放電。
當(dāng)通過(guò)存在于該等離子體氣氛中的電荷被充電的絕緣基底901和相對(duì)于該絕緣基底901具有一電位差的導(dǎo)電材料(膜形成夾具900的部分，例如處于地電位的托架902等)被進(jìn)行接觸時(shí)，導(dǎo)致該非正常的放電，引發(fā)該絕緣基底901上的電荷放電到膜形成夾具900的部分，例如托架902等。
在該非正常放電中，絕緣基底901上的電荷以一非常大的電流被瞬時(shí)放電，以使可通過(guò)該放電的脈沖在該絕緣基底901上形成一斑記且該導(dǎo)電材料的部分可通過(guò)蒸發(fā)而被耗散，導(dǎo)致例如該導(dǎo)電材料的耗散部分被附連到該絕緣基底901上的問(wèn)題。
例如，在圖9中的膜形成夾具900中，與托架902接觸的絕緣基底901的一部分可能被損壞，而該托架902、承載部件903和饋送輥1000的部分可能通過(guò)蒸發(fā)而被耗散并附連到該絕緣基底901上。結(jié)果，在用于形成該絕緣導(dǎo)電膜的處理的最后階段，可能出現(xiàn)絕緣基底901發(fā)生斷裂且雜質(zhì)可能被附連到絕緣基底901上的問(wèn)題。
為防止由于上述非正常放電導(dǎo)致的絕緣基底901發(fā)生斷裂且雜質(zhì)可能被附連到絕緣基底901上，與絕緣基底901接觸的膜形成夾具900需要與絕緣基底901處于相同的電位。為此，僅要求該膜形成夾具900與該離子電鍍?cè)O(shè)備的主體是電浮置的(floating)，且常規(guī)地，如圖12所示，通過(guò)使用非導(dǎo)電陶瓷軸1200作為各饋送輥1000的軸來(lái)實(shí)現(xiàn)該膜形成夾具900與該離子電鍍?cè)O(shè)備的電浮置。
然而，該陶瓷軸1200承受該絕緣基底901和膜形成夾具900的負(fù)載和饋送輥1000的轉(zhuǎn)動(dòng)的扭矩，以使該陶瓷軸1200可能發(fā)生斷裂而無(wú)法實(shí)現(xiàn)膜形成夾具900的饋送或?qū)е略陴佀驮撃ば纬蓨A具900中出現(xiàn)麻煩。
本發(fā)明的目的在于提供一種用于生產(chǎn)具有透明導(dǎo)電膜的基底的設(shè)備，其可防止出現(xiàn)非正常放電并使饋送輥持久耐用。
根據(jù)該設(shè)備，第二承載裝置的分離器元件在用于形成該透明導(dǎo)電膜的蒸發(fā)的顆粒遷移并附連至該支持元件的一表面上的一路徑中連同該支持元件一起形成同一曲徑。因此，該透明導(dǎo)電膜不是從該絕緣基底到該些饋送裝置連續(xù)地形成，且因此該絕緣基底可被保持在一穩(wěn)定的浮動(dòng)狀態(tài)以防止出現(xiàn)不正常的放電。而且，這些饋送裝置的軸不再要求由陶瓷材料形成，而可由剛性更高的金屬形成，且因此可使饋送裝置的使用壽命持久。
在本發(fā)明的一較佳形式中，提供了一種用于制造具有透明導(dǎo)電膜的基底的設(shè)備，該設(shè)備包括一保持部件，用于保持一絕緣基底；第一承載裝置，用于支持該保持部件；饋送裝置，用于饋送該第一承載裝置；和第二承載裝置，其具有配置在第一承載裝置上的至少一支持元件和配置在該第一承載裝置上并沿該支持元件延伸的至少一分離器元件，其中該第一承載裝置經(jīng)該第二承載裝置的支持元件支持該保持部件，且該分離器元件在高度上低于該支持元件以使該分離器元件局部地將該支持元件與該設(shè)備內(nèi)的用于形成該透明導(dǎo)電膜的蒸發(fā)的顆粒的氣氛分離開(kāi)。
根據(jù)該設(shè)備，該分離器元件局部地將該支持元件與該設(shè)備內(nèi)的顆粒的氣氛分離開(kāi)，使得能夠在用于形成該透明導(dǎo)電膜的蒸發(fā)的顆粒遷移并附連至該支持元件的一表面上的一路徑中形成一曲徑。結(jié)果，該透明導(dǎo)電膜不是從該絕緣基底到該些饋送裝置連續(xù)地形成，且因此該絕緣基底可被保持在一穩(wěn)定的浮動(dòng)狀態(tài)以防止出現(xiàn)不正常的放電。而且，這些饋送裝置的軸不在要求由陶瓷材料形成，而可由剛性更高的金屬形成，且因此可使饋送裝置的使用壽命持久。
較佳地，在由第一承載裝置上的對(duì)應(yīng)于面向該分離器元件的該支持元件的一表面和面向該支持元件的該分離器元件的一表面之間的一距離的第一邊、和該分離器元件的該表面上的對(duì)應(yīng)于該分離器元件的高度的一第二邊所確定的一直角三角形中，該第一邊和該第二邊相交形成一直角，且該直角三角形的斜邊與該第一邊形成的角度在45°至85°的范圍內(nèi)。
根據(jù)該較佳實(shí)施例，由該第一邊和第二邊確定的直角三角形的斜邊與該第一邊形成的角度在45°至85°的范圍內(nèi)，該第一邊和該第二邊相交形成該直角。因此，該支持部件和該分離器部件的相對(duì)的表面之間的距離可被減小，從而可使得蒸發(fā)的顆粒難以遷移到該支持部件，以使可有利地防止該透明導(dǎo)電膜從該絕緣基底到該些饋送裝置連續(xù)地形成。
更佳地，該角度在60°至85°的范圍內(nèi)。
根據(jù)該較佳實(shí)施例，可有利地防止該透明導(dǎo)電膜從該絕緣基底到該些饋送裝置連續(xù)地形成。
較佳地，該支持元件和該分離器元件之間的高度差在1至5mm的范圍內(nèi)。
根據(jù)該較佳實(shí)施例，該支持元件和該分離器元件之間的高度差在1至5mm的范圍內(nèi)。因此，可使得蒸發(fā)的顆粒難以遷移到該支持部件，以使可有效地防止該透明導(dǎo)電膜從該絕緣基底到該些饋送裝置連續(xù)地形成。
更佳地，該高度差在1至3mm的范圍內(nèi)。
根據(jù)該較佳實(shí)施例，可有效地防止該透明導(dǎo)電膜從該絕緣基底到該些饋送裝置連續(xù)地形成。
較佳地，該第二承載裝置由陶瓷材料制成。
根據(jù)該較佳實(shí)施例，該第二承載裝置由陶瓷材料制成。因此，該絕緣基底可被保持在一穩(wěn)定的浮動(dòng)狀態(tài)以防止出現(xiàn)不正常的放電。
較佳地，該支持元件和分離器元件各包括一空心圓柱部件。
根據(jù)該較佳實(shí)施例，該支持元件和分離器元件各包括一空心圓柱部件。因此，該支持元件和該分離器元件可被容易地制造，且當(dāng)分離器元件和該支持元件被配置在第一承載裝置上時(shí)，不再需要考慮支持部件的取向和該分離器部件的取向。
較佳地，該第二承載裝置包括配置在該第一承載裝置上的多對(duì)支持元件和分離器元件。
較佳地，該支持元件和該分離器元件包括配置在第一承載裝置上的若干板。
在此情況下，這些板最好沿該保持部件的一相關(guān)邊的整個(gè)長(zhǎng)度延伸。
較佳地，該設(shè)備還包括形成在該保持部件上的作為一法蘭樣部件的一附加分離器元件。
通過(guò)以下結(jié)合附圖所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明的以上和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將變得顯然。
圖4是圖3中出現(xiàn)的支持部件的透視圖；圖5是圖4中沿線III-III截取的截面視圖；圖6是用于解釋通過(guò)制造一透明導(dǎo)電膜的該設(shè)備來(lái)形成一ITO膜的處理過(guò)程的示意圖；圖7是該支持部件的一變型的視圖；圖8是一托架的一變型的視圖；圖9是在一常規(guī)的的離子電鍍?cè)O(shè)備中采用的用于一絕緣基底的一膜形成夾具的透視圖；圖10是圖9中的膜形成夾具和饋送輥的配置的概略性平面視圖；圖11是圖10中沿線XI-XI截取的截面視圖；圖12是在常規(guī)的離子電鍍?cè)O(shè)備中采用的用于電浮動(dòng)的裝置的構(gòu)造的概略性視圖。
首先參見(jiàn)圖1，概略性地示出了根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的、用于制造具有一透明導(dǎo)電膜的基底的設(shè)備的配置。根據(jù)本發(fā)明的該設(shè)備是一離子電鍍?cè)O(shè)備。
如圖1所示，該離子電鍍?cè)O(shè)備包括作為一膜形成腔室的一真空容器8，其具有形成有一放電端口9的一側(cè)壁，和形成有一空心圓柱形部分10的一相對(duì)側(cè)壁。該空心圓柱形部分10中安裝有一壓力梯度型等離子槍12。
該等離子槍12包括第一中間電極14，該中間電極14包含有一電磁線圈13并被固定至該空心圓柱形部分10的一壁上；第二中間電極16，該中間電極16包含一環(huán)形永磁鐵15并與第一中間電極14平行配置；一陰極17；和一插入在該陰極17和該第二中間電極16之間的一玻璃管18。
該電磁線圈13由一電源19激勵(lì)，且聚焦線圈11由一電源20激勵(lì)。應(yīng)注意電源19和20都是可變調(diào)節(jié)型的。
第一和第二中間電極14、16經(jīng)對(duì)應(yīng)的壓降電阻器21、22被連接至一可變調(diào)節(jié)的電壓主電源23的一端(陽(yáng)極側(cè))，該可變調(diào)節(jié)的電壓主電源23的另一端(陰極側(cè))被連接至陰極17。而且，該主電源23經(jīng)一開(kāi)關(guān)26與串連連接的一輔助放電電源24和一壓降電阻器25平行連接。
而且，該玻璃管18包含有由Mo(鉬)形成的且被固定至陰極17的一空心圓柱形部件27、由Ta(鉭)形成且延伸通過(guò)陰極17的一管子28、和由LaB6形成且以固定至該空心圓柱形部件27的內(nèi)壁上的形式被配置在管子28的內(nèi)端附近的一位置的一環(huán)形部件29。一放電氣體(例如具有預(yù)定氧含量的氬氣)自箭頭B指示的方向，經(jīng)管子28被提供給該等離子槍12。
在真空容器8的底部，布置有其中接收作為一小片的ITO燒結(jié)體(待被蒸發(fā)的材料)的主爐31，且在該主爐31周圍設(shè)置有一輔助爐32。該主爐31由具有優(yōu)良熱傳導(dǎo)率的導(dǎo)電材料，例如銅形成，并形成有用于接收來(lái)自等離子槍12的一等離子束的凹口。該主爐31被連接至主電源23的陽(yáng)極以形成吸引該等離子束的一陽(yáng)極。
該輔助爐32由類似于主爐31的具有優(yōu)良熱傳導(dǎo)率的導(dǎo)電材料形成，并包含有一環(huán)形永磁鐵33和一電磁鐵34。該電磁鐵34由一可變調(diào)節(jié)型的爐線圈電源35激勵(lì)。也就是說(shuō)，該輔助爐32被構(gòu)成以使該環(huán)形永磁鐵33和該電磁鐵34被同軸地疊放在一圍繞該主爐31的環(huán)形容器32a內(nèi)，且同時(shí)該電磁鐵34被連接至該爐線圈電源35，用于生成一磁場(chǎng)以使由該電磁鐵生成的磁場(chǎng)和由該環(huán)形永磁鐵生成的磁場(chǎng)相互重疊。在此情況下，由該環(huán)形永磁鐵33生成的磁場(chǎng)的內(nèi)部磁通的方向和由該永磁鐵34生成的內(nèi)部磁通的方向是一致的，且提供給電磁鐵34的電流通過(guò)改變?cè)摖t線圈電源35的電壓而被改變。
而且，類似于主爐31，輔助爐32也經(jīng)壓降電阻器36被連接至該主電源23的陽(yáng)極以形成一陽(yáng)極。
在當(dāng)前實(shí)施例中，在該真空容器8的上部，布置有用于沿由圖1中的箭頭A所示的方向饋送用于保持一絕緣基底的一膜形成夾具200的一饋送輥組37，在后將參照?qǐng)D2對(duì)該膜形成夾具進(jìn)行詳細(xì)描述。該饋送輥組37由水平并列布置的多個(gè)饋送輥(饋送裝置)38組成(參見(jiàn)圖2)。各饋送輥38具有一軸，該軸由具有比陶瓷材料更高剛性的金屬而非陶瓷材料制成。而且，在該真空容器8的上部，布置有用于將該絕緣基底加熱到一預(yù)定溫度的加熱器39。
在這樣構(gòu)成的離子電鍍?cè)O(shè)備中，具有質(zhì)量百分比為4％至6％的范圍內(nèi)的SnO2含量的一ITO燒結(jié)體30在該主爐31的凹口內(nèi)被接收，且放電氣體自等離子槍12的陰極17側(cè)通過(guò)管子28被提供進(jìn)腔室8中。這導(dǎo)致在管子28和主爐31之間產(chǎn)生放電，從而生成一等離子束。該等離子束通過(guò)該環(huán)形永磁鐵15和該電磁鐵13的作用而被聚焦，并通過(guò)由該聚焦線圈11和該輔助爐32中的環(huán)形永磁鐵33和電磁鐵34確定的磁場(chǎng)引導(dǎo)以到達(dá)該主爐31。
在該主爐31中接收的ITO燒結(jié)體30通過(guò)該等離子束被而被蒸發(fā)，且該蒸發(fā)的ITO顆粒通過(guò)該等離子束被離子化且被附連至由該加熱器39加熱的絕緣基底，以在其上形成一ITO膜。
接著，將詳細(xì)描述圖1中所示的膜形成夾具200。
圖2是該膜形成夾具200的透視圖，而圖3是沿圖2中的III-III線截取的一截面圖。
如圖2和3所示，該膜形成夾具200由用于保持該絕緣基底202的一托架(保持部件)201，和用于經(jīng)多個(gè)(在所說(shuō)明的實(shí)施例中為四個(gè))支持部件300(第二承載裝置)在其上承載該托架201的一承載器(第一承載裝置)203組成。這些支持部件300將參照?qǐng)D4進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
該托架201由一箱形部件和兩對(duì)伸出部分201d形成，在該箱形部件的底部201a上形成一矩形開(kāi)口201b，該兩對(duì)伸出部分201d從該托架201的一上部邊緣201c的兩相對(duì)側(cè)橫向向外延伸。該托架201在該箱形部件的底部201a保持該絕緣基底202。自該ITO燒結(jié)體蒸發(fā)的ITO顆粒被附連至經(jīng)上述開(kāi)口201b被暴露給外部的絕緣基底20。
該承載器203由金屬和類似材料制成的一框架部件形成，在其中接收托架201，并通過(guò)駐留在其上的托架201的伸出部分201d，經(jīng)這些支持部件300保持該托架201。
圖4是圖3中所示的支持部件300的透視圖，圖5是沿圖4中的V-V線截取的截面圖。
如圖4和5所示，這些支持部件300被并列布置在該承載器203上。各支持部件300由裝配在承載器203上的由陶瓷材料制成的一空心圓柱體部件(分離器元件)300a，和在該空心圓柱形部件300a中同軸地接收并被裝配在承載器203上的一空心圓柱形部件(支持原件)300b組成(圖4)。簡(jiǎn)而言之，各對(duì)應(yīng)對(duì)的空心圓柱部件300a和300b具有一嵌套的構(gòu)造。
如圖5所示，空心圓柱部件300b的高度大于空心圓柱部件300a的高度，其間相差一長(zhǎng)度A，且因此，托架201僅由空心圓柱部件300b支持。因此，空心圓柱部件300a不與伸出部分201d相接觸，以使在空心圓柱部件300b和空心圓柱部件300a之間形成一曲徑。在該圖中的符號(hào)B指示空心圓柱部件300a的內(nèi)徑的一半和空心圓柱部件300b的外徑的一半之間的差。
空心圓柱部件300b的高度和空心圓柱部件300a的高度之間的差A(yù)最好在1mm至5mm的范圍內(nèi)，且更佳地在1mm至3mm的范圍內(nèi)。而且，在由對(duì)應(yīng)于空心圓柱部件300a的內(nèi)徑的一半和空心圓柱部件300b的外徑的一半之間的差B的一邊OP(第一邊)和對(duì)應(yīng)于空心圓柱部件300a的高度的一邊OQ(第二邊)確定的一直角三角形中，邊OP和OQ相交成一直角，假定由該邊OP和一斜邊PQ形成的一角由θ表示，該θ最好在45至85度的范圍內(nèi)，且更佳地在60至85度的范圍內(nèi)?？招膱A柱部件300b的高度和空心圓柱部件300a的高度之間的差A(yù)和空心圓柱部件300a的內(nèi)徑的一半和空心圓柱部件300b的外徑的一半之間的差B最好設(shè)置為盡可能小的值。
圖6示出了由圖1的設(shè)備進(jìn)行的形成一ITO膜的處理過(guò)程。
如圖6所示，借助于等離子束，通過(guò)加熱而自在主爐31內(nèi)接收的ITO燒結(jié)體30蒸發(fā)的蒸發(fā)顆粒600被附連至絕緣基底202、托架201、承載器203和饋送輥38的表面上，它們的表面被暴露給這些蒸發(fā)的顆粒的氣氛還有空心圓柱部件300a和300b的外表面，以形成一ITO膜601。
在當(dāng)前實(shí)施例中，上述曲徑在蒸發(fā)顆粒600通過(guò)空心圓柱部件300a而遷移并附連至空心圓柱部件300b的外表面的路徑中被形成，空心圓柱部件300a將空心圓柱部件300b的外表面與蒸發(fā)顆粒600的氣氛分離開(kāi)。這防止了蒸發(fā)顆粒600直接到達(dá)空心圓柱部件300b的外表面，最后防止了ITO膜601從絕緣基底202到饋送輥38連續(xù)地形成。
根據(jù)該當(dāng)前實(shí)施例，空心圓柱部件300a將空心圓柱部件300b的外表面與蒸發(fā)顆粒600的氣氛分離開(kāi)，以在蒸發(fā)顆粒600的遷移和附連的路徑中形成一曲徑。結(jié)果，防止了ITO膜601從絕緣基底202到饋送輥38連續(xù)地形成。，且因此，絕緣基底202可被保持在一穩(wěn)定浮動(dòng)狀態(tài)以防止發(fā)生異常的放電。而且，不再要求饋送輥38的軸由陶瓷材料形成，而可由剛性更高的金屬形成，且因此使得饋送輥38持久耐用。
在上述實(shí)施例中，空心圓柱部件300b可由實(shí)心圓柱形部件替代。而且，當(dāng)在絕緣基底202上形成一非導(dǎo)電膜(例如SiO2或TiO2)時(shí)，支持部件300可單獨(dú)由空心圓柱部件300b形成。而且，伸出部分201d的數(shù)量可以是3個(gè)，或多于4個(gè)。
而且如圖7所示，可通過(guò)與圖2中所示的饋送方向A平行配置的一平行板700在在蒸發(fā)顆粒600的遷移和附連的路徑中形成該曲徑，以使平行板700將蒸發(fā)顆粒600的氣氛與一平行板701的外表面分離開(kāi)，該平行板701與平行板700平行配置并比平行板700高。期望的是平行板700和701在對(duì)應(yīng)于平行于饋送方向A的托架201的一邊的一長(zhǎng)度上延伸。
而且，如圖8所示，該曲徑可通過(guò)從暴露給蒸發(fā)顆粒600的氣氛的該托架201的一表面垂直延伸的一法蘭800而在蒸發(fā)顆粒600的遷移和附連的路徑中被形成，且在同時(shí)與圖2中所示的方向A平行，以使該法蘭800和該空心圓柱部件300a將蒸發(fā)顆粒600的氣氛與該空心圓柱部件300b的外表面分開(kāi)。期望的是法蘭800在對(duì)應(yīng)于與饋送方向A平行的托架201的一邊的一長(zhǎng)度上延伸。
接著，將描述本發(fā)明的例子。
通過(guò)使用圖1的設(shè)備，通過(guò)設(shè)置上述高度A和如表1中所示的角度θ，制備了具有一透明導(dǎo)電膜的基底的測(cè)試片(例1至6，和比較例1至4)表1

應(yīng)注意到各空心圓柱部件300a被構(gòu)成以具有20mm的外直徑、1mm的厚度和5mm的高度。另一方面，各空心圓柱部件300b被構(gòu)成以使相對(duì)于空心圓柱部件300a確定的的高度差A(yù)和角度θ被設(shè)置成圖1中所示的值。而且，制做空心圓柱部件300a和300b的材料是鋁(氧化鋁)。
而且，當(dāng)制備這些測(cè)試片時(shí)，具有5.0％(質(zhì)量百分比)的SnO2含量的一ITO燒結(jié)體被用作為一小片，且在以下的放電條件下，通過(guò)離子電鍍法，在絕緣基底202上形成具有150nm厚度的ITO膜601。
放電條件放電氣體Ar+O2放電電流200A真空容器8中的壓力2.66×10-1Pa(2.0×10-3Torr)
氧氣的局部壓力2.66×10-2Pa(2.0×10-4Torr)絕緣基底202的溫度200℃然后，涉及上述測(cè)試片的由非正常放電的脈沖引起的斑記的發(fā)生百分比被測(cè)量。測(cè)量的結(jié)果也被示出在表1中。
如從表1中所見(jiàn)，在比較例1至3中，角度θ被設(shè)置為較小值40°，以使圖5中的半徑差B變大。因此，使得蒸發(fā)顆粒600容易遷移入空心圓柱部件300a的內(nèi)部。因此，ITO膜601的一部分也被形成在空心圓柱部件300b和300a之間以使絕緣基底202和饋送輥38通過(guò)ITO膜601相互連接。這引發(fā)了非正常放電的發(fā)生，這由上述測(cè)量所證實(shí)。
而且，在比較例4中，高度差A(yù)被設(shè)至0mm，且因此ITO膜601的一部分被形成在空心圓柱部件300a的外表面上到這樣一程度使得絕緣基底202經(jīng)過(guò)形成在空心圓柱部件300a的外表面上的該部分ITO膜601被連接到饋送輥38。這引發(fā)了非正常放電的發(fā)生，這由上述測(cè)量所證實(shí)。
相反，在例1至6中，角度θ被設(shè)置為45°至60°的范圍內(nèi)的值，大于比較例1中采用的值，以使半徑差B變小。因此，使得蒸發(fā)顆粒600難以遷移入空心圓柱部件300a的內(nèi)部。因此，空心圓柱部件300b和300a不會(huì)通過(guò)一部分ITO膜601而相互連接。而且，在例1至6中，高度差A(yù)被設(shè)置2mm或更大，其大于0mm，在絕緣基底202和饋送輥38之間不會(huì)連接有形成在空心圓柱部件300a的外表面上的一部分ITO膜601。這防止了非正常放電的發(fā)生，這由上述測(cè)量所證實(shí)。
盡管在以上實(shí)施例中，鋁被采用作為空心圓柱部件300b和300a的材料，這非限制性的，可采用氧化鈣、氧化鎂、石英玻璃、氧化釷、二氧化鈦、高鋁紅柱石、尖晶石、鎂橄欖石、氧化鋯和鋯石中的任一種。
工業(yè)應(yīng)用性根據(jù)本發(fā)明的該用于制造具有一透明導(dǎo)電膜的基底的設(shè)備，配置在第一承載裝置上并支持用于保持一基底的一保持部件的第二承載裝置包括一分離器元件和一支持元件，且該分離器元件連同該支持原件一起在蒸發(fā)顆粒的遷移和附連至該支持原件的一表面的路徑中形成一曲徑。因此，在該透明導(dǎo)電膜的形成期間，防止發(fā)生非正常放電并使得作為用于第一承載裝置的饋送裝置的饋送輥持久耐用。
權(quán)利要求
1.一種用于制造具有透明導(dǎo)電膜的基底的設(shè)備，該設(shè)備包括一保持部件，用于保持一絕緣基底；第一承載裝置，用于支持所述保持部件；饋送裝置，用于饋送所述第一承載裝置；和第二承載裝置，其具有配置在第一承載裝置上的至少一支持元件和配置在所述第一承載裝置上并沿所述支持元件延伸的至少一分離器元件，其中所述第一承載裝置經(jīng)所述第二承載裝置支持所述保持部件，且所述分離器元件在用于形成所述透明導(dǎo)電膜的蒸發(fā)顆粒的遷移并附連至所述支持元件的一表面上的一路徑中連同所述支持元件一起形成一曲徑。
2.一種用于制造具有透明導(dǎo)電膜的基底的設(shè)備，該設(shè)備包括一保持部件，用于保持一絕緣基底；第一承載裝置，用于支持所述保持部件；饋送裝置，用于饋送所述第一承載裝置；和第二承載裝置，其具有配置在所述第一承載部件上的至少一支持元件和配置在所述第一承載部件上并沿所述支持元件延伸的至少一分離器元件，其中所述第一承載裝置經(jīng)所述第二承載裝置的支持元件支持所述保持部件，且所述分離器元件在高度上低于所述支持元件以使所述分離器元件部分地將所述支持元件與所述設(shè)備內(nèi)的用于形成所述透明導(dǎo)電膜的蒸發(fā)顆粒的氣氛分離開(kāi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的設(shè)備，其中，在由所述第一承載裝置上的對(duì)應(yīng)于面向所述分離器元件的所述支持元件的一表面和面向所述支持元件的所述分離器元件的一表面之間的一距離的第一邊、和所述分離器元件的所述表面上的對(duì)應(yīng)于所述分離器元件的高度的一第二邊所確定的一直角三角形中，所述第一邊和所述第二邊相交形成一直角，由所述直角三角形的斜邊與所述第一邊形成的角度在45°至85°的范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的設(shè)備，其中所述角度在60°至85°的范圍內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一的設(shè)備，其中所述支持元件和所述分離器元件之間的高度差在1至5mm的范圍內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的設(shè)備，其中所述高度差在1至3mm的范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一的設(shè)備，其中所述第二承載裝置由陶瓷材料制成。
8.根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一的設(shè)備，其中所述支持元件和分離器元件各包括一空心圓柱部件。
9.根據(jù)權(quán)利要求2的設(shè)備，其中所述第二承載裝置包括配置在所述第一承載裝置上的多對(duì)支持元件和分離器元件。
10.根據(jù)權(quán)利要求2的設(shè)備，其中所述支持元件和所述分離器元件包括配置在第一承載裝置上的若干板。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的設(shè)備，其中這些板沿所述保持部件的一相關(guān)邊的整個(gè)長(zhǎng)度延伸。
12.根據(jù)權(quán)利要求2的設(shè)備，其中所述設(shè)備還包括形成在所述保持部件上的一附加法蘭樣分離器元件。
全文摘要
提供了一種用于制造具有透明導(dǎo)電膜的基底的設(shè)備，其可防止發(fā)生非正常放電并使饋送輥持久耐用。一承載器支持一托架，該托架經(jīng)若干支持部件保持一絕緣基底，各支持部件由一空心圓柱部件(分離器元件)和一空心圓柱部件(支持元件)形成。該承載器通過(guò)饋送輥(38)在一ITO燒結(jié)體的蒸發(fā)顆粒的氣氛中被傳送，饋送輥38的軸由剛性更大的金屬制成。分離器元件將該蒸發(fā)顆粒的氣氛與支持元件的外表面分離開(kāi)以在這些蒸發(fā)顆粒的遷移和附連的路徑中形成一曲徑。
文檔編號(hào)H01B13/00GK1394344SQ01803185
公開(kāi)日2003年1月29日 申請(qǐng)日期2001年10月17日 優(yōu)先權(quán)日2000年10月18日
發(fā)明者和田俊司 申請(qǐng)人:日本板硝子株式會(huì)社