專利名稱：磁性氧化物燒結(jié)體及使用該燒結(jié)體的高頻電路部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于高頻電路部件的磁性氧化物燒結(jié)體及使用該燒結(jié)體的高頻電路部件。
通過制成層壓結(jié)構(gòu)，可以增加線圈的卷數(shù)，并且由于構(gòu)造也成為閉合磁路，因而可以得到高電感、阻抗。
作為內(nèi)藏于燒結(jié)體中的導(dǎo)體材料，從電阻率、熔點、成本等方面考慮，一般大多使用銀(Ag)。由于銀的熔點不超過1000℃，所以作為用于層壓結(jié)構(gòu)的磁性體材料，一直以來通常使用即使在900℃的燒成下也能得到高燒結(jié)密度的NiZn系鐵素體。
但是，由于NiZn系鐵素體的磁各向異性較低，因而在數(shù)百MHz的頻率下將發(fā)生自然諧振，從而無法在GHz的頻帶使用。
作為高頻規(guī)格，雖然有時采用使用非磁性體的空心線圈，但是使用非磁性體難以獲得高電感、阻抗。
另一方面，六方晶鐵素體由于其六角板狀結(jié)晶的面內(nèi)方向與垂至于該晶面的方向的磁各向異性不同，因而不易發(fā)生自然諧振，直至GHz的頻帶都具有高導(dǎo)磁率。但是在六方晶鐵素體的情況下，為了得到所需的燒結(jié)密度、磁特性，必須提高燒成溫度。
迄今為止，雖然嘗試著通過在具有高生成溫度的六方晶鐵素體內(nèi)使用低熔點氧化物，在不高于Ag的熔點下燒成，但是軟磁性相的生成率低，難以充分發(fā)揮六方晶鐵素體的磁特性。
與本申請相關(guān)的一個類似先有技術(shù)為特開平9-167703號公報。該公報以Z型六方晶鐵素體(Ba，Sr，Pb)3(Co1-xCux)2Fe24O42為中心進(jìn)行了研究，為了嘗試在低溫下燒成，添加了V2O5、CuO、Bi2O3、MoO3、WO3、PbO。
在該公報中，也報道了主相為M型、Y型、W型、X型、U型的六方晶鐵素體的低溫?zé)?。特別是關(guān)于具體實施例中所公開的以Y型作為主相的物質(zhì)，即(Ba)2(Co1-xCux)2Fe12O22，雖然沒有Y型六方晶鐵素體所占比例的記載，對其不甚清楚，但是因為煅燒溫度為極低的700℃，所以所占比例至多為50％左右，如果再加上添加物，則其所占比例將更低，可以說不同于本申請所述比率超過80％的物質(zhì)。因此，所得磁特性根本不能使人滿意。也就是說，雖然該公報中的組成和物質(zhì)的添加可以實現(xiàn)低溫?zé)Y(jié)，但是沒有對煅燒溫度進(jìn)行充分研究，由于燒結(jié)后軟磁性相的生成率低，因而不能充分發(fā)揮燒成后的磁特性。從而可以說存在難于獲得高電感、阻抗的問題。
另外，所述公報中CuO的含量也低于本申請，即使考慮了添加物的效果，也還是有無法通過900℃左右的燒成提高Y型六方晶鐵素體的生成率，得到高特性的問題。
(2)除了上面(1)中所述問題外，還存在下述有待解決的問題。即，過去的所謂Y型六方晶鐵素體的電阻率即使較高也最多只有到1×105Ω·m左右，另外對于為了獲得高特性而用Cu、Zn等取代了的物質(zhì)，其電阻率為1×104Ω·m左右，不得不說這些值與用作電子部件材料所需的超過1×105Ω·m的電阻率值相比是較低的。
而且，由于六方晶鐵素體的介電常數(shù)高于尖晶石型鐵素體，因而感應(yīng)器中產(chǎn)生的寄生電容變大，感應(yīng)器易于發(fā)生自振，存在電感和阻抗降低的問題。
(3)即使上面(1)中所述問題在一定程度上得到了解決，在與本申請相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)，也仍需進(jìn)一步對磁特性等進(jìn)行改善，特別是希望嘗試進(jìn)一步提高在高頻帶的導(dǎo)磁率。
通過使在高頻帶的導(dǎo)磁率進(jìn)一步提高，例如(i)在用作電感部件的情況下，可以獲得更高的電感，或者(ii)在用作噪聲濾波器部件的情況下，可以獲得更高的阻抗特性。
(4)除了上面(3)中所述問題外，還存在下述有待解決的問題。即，過去的所謂Y型六方晶鐵素體的電阻率即使較高也最多只有到1×105Ω·m左右，另外對于為了獲得高特性而用Cu、Zn等取代了的物質(zhì)，其電阻率為1×104Ω·m左右，不得不說這些值與用作電子部件材料所需的超過1×105Ω·m的電阻率值相比是較低的。
而且，由于六方晶鐵素體的介電常數(shù)高于尖晶石型鐵素體，因而感應(yīng)器中產(chǎn)生的寄生電容變大，感應(yīng)器易于發(fā)生自振，存在電感和阻抗降低的問題。
與上述(2)的先有技術(shù)問題相對應(yīng)，開發(fā)研究出了本發(fā)明的第二組發(fā)明，其目的在于提供可以在不超過1000℃特別是在900℃附近燒成、電阻率高、介電常數(shù)低、以Y型六方晶鐵素體為主成分鐵素體的磁性氧化物燒結(jié)體及使用該燒結(jié)體的高頻電路部件。為了解決所述課題，本發(fā)明為Y型六方晶鐵素體占至少80％的磁性氧化物燒結(jié)體，該磁性氧化物燒結(jié)體如下構(gòu)成主成分含有換算成CoO為3-15％摩爾的氧化鈷、換算成CuO為5-17％摩爾的氧化銅、換算成Fe2O3為57-61％摩爾的氧化鐵、其余部分為AO(AO為BaO或SrO中的至少一種)，副成分含有0.6-7％重量的硼硅酸玻璃、硼硅酸鋅玻璃或鉍玻璃。另外，本發(fā)明為具有在磁性氧化物燒結(jié)體中埋設(shè)了導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)的高頻電路部件，前述磁性氧化物燒結(jié)體中Y型六方晶鐵素體占至少80％，并且該磁性氧化物燒結(jié)體如下構(gòu)成主成分含有換算成CoO為3-15％摩爾的氧化鈷、換算成CuO為5-17％摩爾的氧化銅、換算成Fe2O3為57-61％摩爾的氧化鐵、其余部分為AO(AO為BaO或SrO中的至少一種)，副成分含有0.6-7％重量的硼硅酸玻璃、硼硅酸鋅玻璃或鉍玻璃。
與上述(3)的先有技術(shù)問題相對應(yīng)，開發(fā)研究出了本發(fā)明的第三組發(fā)明，其目的在于提供到數(shù)百MHz-GHz的高頻帶仍具有極好的導(dǎo)磁率特性，并且盡量不含Y型六方晶鐵素體以外的異相，可以在不超過1000℃特別是在900℃附近燒成的磁性氧化物燒結(jié)體及使用該燒結(jié)體的高頻電路部件。為了解決所述課題，本發(fā)明為Y型六方晶鐵素體占至少80％的磁性氧化物燒結(jié)體，該磁性氧化物燒結(jié)體如下構(gòu)成主成分含有換算成CoO為3-15％摩爾的氧化鈷、換算成CuO為5-17％摩爾的氧化銅、換算成Fe2O3為57-61％摩爾的氧化鐵、0-15％重量的MO(MO為NiO、ZnO、MgO中的至少一種，MO的含量不為0)、其余部分為AO(AO為BaO或SrO中的至少一種)，副成分含有0.5-7％重量的氧化鉍(Bi2O3)。另外，本發(fā)明為具有在磁性氧化物燒結(jié)體中埋設(shè)了導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)的高頻電路部件，前述磁性氧化物燒結(jié)體中Y型六方晶鐵素體占至少80％，并且該磁性氧化物燒結(jié)體如下構(gòu)成主成分含有換算成CoO為3-15％摩爾的氧化鈷、換算成CuO為5-17％摩爾的氧化銅、換算成Fe2O3為57-61％摩爾的氧化鐵、0-15％重量的MO(MO為NiO、ZnO、MgO中的至少一種，MO的含量不為0)、其余部分為AO(AO為BaO或SrO中的至少一種)，副成分含有0.5-7％重量的氧化鉍(Bi2O3)。
與上述(4)的先有技術(shù)問題相對應(yīng)，開發(fā)研究出了本發(fā)明的第四組發(fā)明，其目的在于提供可以在不超過1000℃特別是在900℃附近燒成、在高頻帶的導(dǎo)磁率良好、電阻率高、介電常數(shù)低、以Y型六方晶鐵素體為主成分鐵素體的磁性氧化物燒結(jié)體及使用該燒結(jié)體的高頻電路部件。為了解決所述課題，本發(fā)明為Y型六方晶鐵素體占至少80％的磁性氧化物燒結(jié)體，該磁性氧化物燒結(jié)體如下構(gòu)成主成分含有換算成CoO為3-15％摩爾的氧化鈷、換算成CuO為5-17％摩爾的氧化銅、換算成Fe2O3為57-61％摩爾的氧化鐵、0-15％重量的MO(MO為NiO、ZnO、MgO中的至少一種，MO的含量不為0)、其余部分為AO(AO為BaO或SrO中的至少一種)，副成分含有0.6-7％重量的硼硅酸玻璃、硼硅酸鋅玻璃或鉍玻璃。另外，本發(fā)明為具有在磁性氧化物燒結(jié)體中埋設(shè)了導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)的高頻電路部件，前述磁性氧化物燒結(jié)體如下構(gòu)成主成分含有換算成CoO為3-15％摩爾的氧化鈷、換算成CuO為5-17％摩爾的氧化銅、換算成Fe2O3為57-61％摩爾的氧化鐵、0-15％重量的MO(MO為NiO、ZnO、MgO中的至少一種，MO的含量不為0)、其余部分為AO(AO為BaO或SrO中的至少一種)，副成分含有0.6-7％重量的硼硅酸玻璃、硼硅酸鋅玻璃或鉍玻璃。


圖1為實施例所用電感元件(高頻電路部件)的示意圖。
(1)對第一發(fā)明組的說明由于本發(fā)明第一發(fā)明組的磁性氧化物燒結(jié)體為陶瓷燒結(jié)體，因而可以通過通常的陶瓷制作工藝進(jìn)行制造。
本發(fā)明第一發(fā)明組的磁性氧化物燒結(jié)體的主成分含有換算成CoO為3-15％摩爾(優(yōu)選5-10％摩爾)的氧化鈷、換算成CuO為5.5-17％摩爾(優(yōu)選10-15％摩爾)的氧化銅、換算成Fe2O3為57-61％摩爾(優(yōu)選59-60％摩爾)的氧化鐵，主成分的其余部分為AO(AO為BaO或SrO中的至少一種)。AO的形態(tài)為BaO或SrO的單獨形態(tài)或者BaO與SrO的混合形態(tài)。
另外，本發(fā)明的磁性氧化物燒結(jié)體的副成分含有0.5-7％重量(優(yōu)選0.6-5％重量)的氧化鉍Bi2O3。
從后述實施例可知，所述氧化鉍Bi2O3在添加時可以以該氧化物的形態(tài)混入，在燒結(jié)后也通常以該氧化物的形態(tài)殘存。
在上述主成分的含有比例中，如果CoO不到3％摩爾，則有產(chǎn)生在例如2GHz的導(dǎo)磁率降低(例如不到2.0)等問題的傾向，如果CoO超過15％摩爾，則有產(chǎn)生在例如500MHz的導(dǎo)磁率降低(例如不到2.0)等問題的傾向。
如果CuO不到5.5％摩爾，則有產(chǎn)生煅燒溫度超過1000℃等問題的傾向，如果CuO超過17％摩爾，則有產(chǎn)生導(dǎo)磁率降低(例如不到2.0)等問題的傾向。
如果Fe2O3不到57％摩爾或者超過61％摩爾，都將有產(chǎn)生導(dǎo)磁率降低等問題的傾向。
在上述副成分的含有比例中，如果上述Bi2O3的含量不到0.5％重量，則有通過不超過1000℃的燒成得不到理論密度的至少90％等問題產(chǎn)生的傾向，如果上述Bi2O3的含量超過7％重量，則有產(chǎn)生導(dǎo)磁率降低等問題的傾向。
通過添加上述Bi2O3副成分，特別是與含有上述CuO量這一條件相結(jié)合可以明顯實現(xiàn)低溫?zé)Y(jié)。還具有提高磁特性的協(xié)同效果。如果燒成溫度降低，則可以將廉價且電阻較小的Ag之類低熔點電極材料以內(nèi)藏形式同時燒成，容易地制造電極一體化的閉磁路結(jié)構(gòu)的元件。這樣制造的元件可以用作例如小型且具有高Q值的感應(yīng)器，或者小型且在高頻帶特別是特定頻率阻抗較大的噪聲濾波器等高頻元件(高頻電路部件)。
進(jìn)而，本發(fā)明的磁性氧化物燒結(jié)體的至少80％，特別優(yōu)選至少90％由Y型六方晶鐵素體構(gòu)成。此處所述“％”由X射線衍射強度的主峰比算出。
如果Y型六方晶鐵素體所占比例不到80％，則將發(fā)生不能在高頻得到高導(dǎo)磁率的問題。從而難以得到具有高電感、阻抗的高頻電路部件。
在與銀(Ag)之類低熔點電極材料同時燒成的情況下，由于本燒成溫度變低，為了使燒結(jié)后的Y型六方晶鐵素體達(dá)到至少80％，需要在煅燒時生成至少80％的Y型六方晶鐵素體。雖然根據(jù)組成而有所不同，但是從850℃附近開始BaFe12O19和BaFe2O4開始分解，開始生成Y型六方晶鐵素體。
但是，如果BaFe12O19和BaFe2O4的分解不充分進(jìn)行，則Y型六方晶鐵素體的生成就不能繼續(xù)進(jìn)行。因此，為了使Y型六方晶鐵素體達(dá)到至少80％，煅燒溫度需要設(shè)定在至少850℃，特別是850-1000℃。而且，CuO的含量需要在5.5-17％摩爾范圍內(nèi)。如果煅燒溫度不到850℃或者CuO的含量在上述范圍之外，則難以生成超過80％的Y型六方晶鐵素體。另外，煅燒溫度如果超過1000℃而過高，則不能得到細(xì)粉末。細(xì)粉末的制作是低溫?zé)芍袠O為重要的技術(shù)。
從所述觀點看來，如上所述煅燒溫度在850-1000℃時，為了提高Y型六方晶鐵素體的生成率，作為主成分的上述CuO的含量須為5.5-17％摩爾。
上述本發(fā)明的磁性氧化燒結(jié)體可用作具有在磁性氧化物燒結(jié)體中埋設(shè)了導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)的高頻電路部件，例如阻抗器(impeder)、感應(yīng)器。
下面舉出具體的實施例對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)說明。[實施例1-I](實施例樣品和比較例樣品的制作)稱量各原料，使燒結(jié)后的組成為如下表1所示的組成，用鋼制球磨機進(jìn)行15小時的濕混合。接著將該混合粉在大氣中、表1所載溫度下煅燒2小時。接下來，將作為表1所示副成分的Bi2O3按預(yù)定量添加，之后用鋼制球磨機粉碎15小時。
將由此制得的六方晶鐵素體粉末造粒，用100MPa的壓力使其成形為所需的形狀。
將該成形體在大氣中、表1所示燒成溫度下燒結(jié)2小時。六方晶鐵素體燒結(jié)體的組成如下表1所示，分別測定這些樣品的密度以及在25℃時頻率500MHz和2GHz下的導(dǎo)磁率，結(jié)果列在表1中。頻率500MHz和2GHz時的導(dǎo)磁率目標(biāo)各自為至少2.0。
此外，用燒結(jié)體的粉末，由X射線衍射峰的強度比算出Y型六方晶鐵素體的占有率。
表1

比較例5的Bi量較少，密度低于理論密度(5.4Mg/m3)的90％，因此不優(yōu)選。[實施例1-II]接下來，用本發(fā)明的磁性體制造阻抗元件。即，稱量各原料，使燒結(jié)后的組成為如上表1中實施例7樣品所示的組成，用鋼制球磨機進(jìn)行15小時的濕混合。接著將該混合粉在大氣中、950℃煅燒2小時。接下來，添加5％重量作為副成分的Bi2O3，之后用鋼制球磨機粉碎15小時。
將有機粘結(jié)劑混入該煅燒粉末中，通過刮片法(doctor bladeprocess)形成均一的原料片(green sheet)。
為了比較，準(zhǔn)備用NiCuZn系尖晶石鐵素體粉末(NiO＝45％摩爾、CuO＝5％摩爾、ZnO＝1.5％摩爾、Fe2O3＝48％摩爾、CoO＝0.5％摩爾)制作的原料片。
另一方面，準(zhǔn)備混合了銀的導(dǎo)電性膠，在先前的原料片上將線圈層壓成螺旋狀。在厚度方向上加壓進(jìn)行壓著，制作在磁性體之間夾著電極的原料片層壓體。將其在930℃燒成2小時。在所得燒結(jié)體側(cè)面的內(nèi)部導(dǎo)體的位置上涂布銀膠，焊上外部電極，制成圖1示意的阻抗元件(高頻電路部件)。另外，為了便于理解元件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，圖1畫出了模型圖。圖1中，符號11為內(nèi)部導(dǎo)體(Ag線圈)，符號10為末端導(dǎo)體，符號20為鐵素體。
在頻率2GHz測定由此制得的阻抗元件的阻抗和導(dǎo)磁率，與過的NiCuZn系尖晶石鐵素體的阻抗為135Ω(導(dǎo)磁率1.2)相比，本發(fā)明的元件的阻抗為208Ω(導(dǎo)磁率3.7)，提高了至少大約54％。
從上述結(jié)果可看出本發(fā)明第一組發(fā)明的效果。也就是說，本發(fā)明可提供下述磁性氧化物燒結(jié)體和使用該燒結(jié)體的高頻電路部件，該磁性氧化物燒結(jié)體中Y型六方晶鐵素體占至少80％，由于其構(gòu)成是主成分含有換算成CoO為3-15％摩爾的氧化鈷、換算成CuO為5.5-17％摩爾的氧化銅、換算成Fe2O3為57-61％摩爾的氧化鐵、其余部分為AO(AO為BaO或SrO中的至少一種)，副成分含有0.5-7％重量的氧化鉍(Bi2O3)，因而到數(shù)百MHz-GHz的高頻帶仍具有良好磁特性而被使用，并且盡量不含Y型六方晶鐵素體以外的異相，可以在不超過1000℃特別是在900℃附近燒成。
(2)對第二發(fā)明組的說明由于本發(fā)明第二發(fā)明組的磁性氧化物燒結(jié)體為陶瓷燒結(jié)體，因而可以通過通常的陶瓷制作工藝進(jìn)行制造。
本發(fā)明第二發(fā)明組的磁性氧化物燒結(jié)體的主成分含有換算成CoO為3-15％摩爾(優(yōu)選3-5％摩爾)的氧化鈷、換算成CuO為5-17％摩爾(優(yōu)選5.5-10％摩爾)的氧化銅、換算成Fe2O3為57-61％摩爾(優(yōu)選59-60％摩爾)的氧化鐵，主成分的其余部分為AO(AO為BaO或SrO中的至少一種)。AO的形態(tài)為BaO或SrO的單獨形態(tài)或者BaO與SrO的混合形態(tài)。
另外，本發(fā)明的磁性氧化物燒結(jié)體的副成分含有0.6-7％重量(優(yōu)選0.6-5％重量)的硼硅酸玻璃、硼硅酸鋅玻璃或鉍玻璃。
硼硅酸玻璃通常表示含有B2O3、SiO2的玻璃，硼硅酸鋅玻璃通常表示含有B2O3、SiO2、ZnO的玻璃，鉍玻璃通常表示含有Bi2O3的玻璃。在所述各玻璃的定義中，上述各成分不一定是主成分。
作為這些副成分玻璃的含有形態(tài)，可以單獨使用硼硅酸玻璃、硼硅酸鋅玻璃和鉍玻璃中的一種，也可以將其2種或3種混合使用。當(dāng)2種或2種以上混合使用時，只要混合后的總重量％在上述范圍內(nèi)即可。
通過添加這樣的玻璃，可以獲得高電阻率化(即提高電阻率)和低介電常數(shù)化(即降低介電常數(shù))。因此，通過添加上述本申請指定的玻璃，可以得到作為高頻電路部件，例如層壓部件材料所必需的至少1×105Ω·m的電阻率。而且，發(fā)現(xiàn)添加本申請指定的玻離還具有降低介電常數(shù)的效果，當(dāng)將本發(fā)明燒結(jié)體用作高頻部件時，可以得到在高頻的高阻抗，具有使阻抗的頻帶更寬的效果。
這些玻璃在添加時的狀態(tài)必須是玻璃。在燒成后，所用玻璃成分存在于燒成體中而不論其是否是玻璃狀態(tài)。
在這些玻璃中，硼硅酸鋅玻璃、硼硅酸玻璃可以更有效地實現(xiàn)高電阻率、低介電常數(shù)，因此特別優(yōu)選。另外，當(dāng)以相同玻璃添加量進(jìn)行比較時，從可以降低得到至少90％相對密度的溫度考慮，特別優(yōu)選鉍玻璃。
在上述主成分的含有比例中，如果CoO不到3％摩爾，則有產(chǎn)生在例如2GHz的導(dǎo)磁率降低(例如不到2.0)等問題的傾向，如果CoO超過15％摩爾，則有產(chǎn)生在例如500MHz的導(dǎo)磁率降低(例如不到2.0)等問題的傾向。
如果CuO不到5％摩爾，則有產(chǎn)生煅燒溫度超過1000℃等問題的傾向，如果CuO超過17％摩爾，則有產(chǎn)生導(dǎo)磁率降低(例如不到2.0)等問題的傾向。
如果Fe2O3不到57％摩爾或者超過61％摩爾，都將有產(chǎn)生導(dǎo)磁率降低等問題的傾向。
在上述副成分的含有比例中，如果上述指定的玻璃含量不到0.6％重量，則有通過不超過1000℃的燒成得不到理論密度的至少90％等問題產(chǎn)生的傾向，如果上述玻璃的含量超過7％重量，則有產(chǎn)生導(dǎo)磁率降低等問題的傾向。
通過添加上述玻璃副成分，特別是與含有上述CuO量這一條件相結(jié)合可以明顯實現(xiàn)低溫?zé)Y(jié)。如果燒成溫度降低，則可以將廉價且電阻較小的Ag之類低熔點電極材料以內(nèi)藏形式同時燒成，容易地制造電極一體化的閉磁路結(jié)構(gòu)的元件。這樣制造的元件可以用作例如小型且具有高Q值的感應(yīng)器，或者小型且在高頻帶特別是特定頻率的阻抗較大的噪聲濾波器等高頻元件(高頻電路部件)。
進(jìn)而，本發(fā)明的磁性氧化物燒結(jié)體的至少80％特別優(yōu)選至少90％由Y型六方晶鐵素體構(gòu)成。此處所述“％”由X射線衍射強度的主峰比算出。
在與銀(Ag)之類低熔點電極材料同時燒成的情況下，由于本燒成溫度變低，為了使燒結(jié)后的Y型六方晶鐵素體達(dá)到至少80％，需要在煅燒時生成至少80％的Y型六方晶鐵素體。雖然根據(jù)組成而有所不同，但是從850℃附近開始BaFe12O19和BaFe2O4開始分解，開始生成Y型六方晶鐵素體。但是，如果BaFe12O19和BaFe2O4的分解不充分進(jìn)行，則Y型六方晶鐵素體的生成就不能繼續(xù)進(jìn)行。因此，為了使Y型六方晶鐵素體達(dá)到至少80％，煅燒溫度需要設(shè)定在至少850℃，特別是850-1000℃。而且，CuO的含量需要優(yōu)選在5.5-17％摩爾的范圍內(nèi)。如果煅燒溫度不到850℃或者CuO的含量不是指定量，則難以生成超過80％的Y型六方晶鐵素體。另外，煅燒溫度如果超過1000℃而過高，則不能得到細(xì)粉末。細(xì)粉末的制作是低溫?zé)芍袠O為重要的技術(shù)。
從所述觀點看來，如上所述煅燒溫度在850-1000℃時，為了提高Y型六方晶鐵素體的生成率，作為主成分的上述CuO的含量須優(yōu)選為5.5-17％摩爾。
上述本發(fā)明的磁性氧化燒結(jié)體可用作具有在磁性氧化物燒結(jié)體中埋設(shè)了導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)的高頻電路部件，例如阻抗器、感應(yīng)器。
下面舉出具體的實施例對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)說明。[實施例2-I](實施例樣品和比較例樣品的制作)稱量各原料，使燒結(jié)后的組成為如下表2所示的組成，用鋼制球磨機進(jìn)行15小時的濕混合。接著將該混合粉在大氣中、表2所載溫度下煅燒2小時。接下來，將表2所示的指定玻璃按預(yù)定量添加，之后用鋼制球磨機粉碎15小時。
將由此制得的六方晶鐵素體粉末造粒，用100MPa的壓力使其成形為所需的形狀。
將該成形體在大氣中、表2所示溫度下燒結(jié)2小時。六方晶鐵素體燒結(jié)體的組成如下表2所示，分別測定這些樣品在25℃時頻率500MHz和2GHz下的導(dǎo)磁率以及電阻率、介電常數(shù)，結(jié)果列在表2中。在頻率500MHz和2GHz時導(dǎo)磁率的目標(biāo)值為至少2.0。電阻率的目標(biāo)值為1×105Ω·m。介電常數(shù)越低越好。另外，從后述的試驗結(jié)果可知，電阻率如果超過1×105Ω·m，則介電常數(shù)表示不超過30的低值。
此外，用燒結(jié)體的粉末，由X射線衍射峰的強度比算出Y型六方晶鐵素體的占有率。
表2

表2(續(xù))

比較例2-I-17中的煅燒在850℃進(jìn)行10小時。[實施例2-II]將加入到上述實施例2-I中實施例2-I-6樣品的主成分中的添加成分的種類和添加量按照下表3所示進(jìn)行變化，制作各種樣品。測定這些樣品得到至少90％的相對密度(相對于理論密度100)的溫度。
結(jié)果列于下表3中。
表3
接下來，用本發(fā)明的磁性體制造電感元件。即，稱量各原料，使燒結(jié)后的組成為如上表2中實施例2-I-6樣品的主成分所示的組成，用鋼制球磨機進(jìn)行15小時的濕混合。接著將該混合粉在大氣中、950℃煅燒2小時。接下來，添加5％重量作為副成分的鉍玻璃，之后用鋼制球磨機粉碎15小時。
將有機粘結(jié)劑混入該煅燒粉末中，通過刮片法形成均一的原料片。
為了比較，準(zhǔn)備用NiZn系尖晶石鐵素體粉末(NiO＝45％摩爾、CuO＝5％摩爾、ZnO＝1.5％摩爾、Fe2O3＝48％摩爾、CoO＝0.5％摩爾)制作的原料片。
另一方面，準(zhǔn)備混合了銀的導(dǎo)電性膠，在先前的原料片上將線圈層壓形成螺旋狀。在厚度方向上加壓進(jìn)行壓著，制作在磁性體之間夾著電極的原料片層壓體。將其在930℃燒成2小時。在所得燒結(jié)體側(cè)面的內(nèi)部導(dǎo)體的位置上涂布銀膠，焊上外部電極，制成圖1示意的阻抗元件(高頻電路部件)。另外，為了便于理解元件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，圖1畫出了模型圖。圖1中，符號11為內(nèi)部導(dǎo)體(Ag線圈)，符號10為末端導(dǎo)體，符號20為鐵素體。
在頻率2GHz測定所得電感元件的阻抗和導(dǎo)磁率，本發(fā)明的元件的阻抗為208Ω(導(dǎo)磁率3.7)。NiCuZn系鐵素體的阻抗為135Ω(導(dǎo)磁率1.2)。
從上述結(jié)果可看出本發(fā)明第二組發(fā)明的效果。也就是說，本發(fā)明可提供電阻率高、介電常數(shù)低、以Y型六方晶鐵素體為主成分鐵素體的下述磁性氧化物燒結(jié)體和使用該燒結(jié)體的高頻電路部件，該磁性氧化物燒結(jié)體中Y型六方晶鐵素體占至少80％，由于其構(gòu)成是主成分含有換算成CoO為3-15％摩爾的氧化鈷、換算成CuO為5-17％摩爾的氧化銅、換算成Fe2O3為57-61％摩爾的氧化鐵、其余部分為AO(AO為BaO或SrO中的至少一種)，副成分含有0.6-7％重量的硼硅酸玻璃、硼硅酸鋅玻璃或鉍玻璃，因而可以在不超過1000℃特別是在900℃附近焙成。
(3)對第三發(fā)明組的說明由于本發(fā)明第三發(fā)明組的磁性氧化物燒結(jié)體為陶瓷燒結(jié)體，因而可以通過通常的陶瓷制作工藝進(jìn)行制造。
本發(fā)明第三發(fā)明組的磁性氧化物燒結(jié)體的主成分含有換算成CoO為3-15％摩爾(優(yōu)選3-5％摩爾)的氧化鈷、換算成CuO為5-17％摩爾(優(yōu)選5.5-10％摩爾)的氧化銅、換算成Fe2O3為57-61％摩爾(優(yōu)選59-60％摩爾)的氧化鐵、0-15％重量、優(yōu)選1-15％重量、特別優(yōu)選5-15％重量的MO(MO為NiO、ZnO、MgO中的至少一種，MO的含量不為0)，主成分的其余部分為AO(AO為BaO或SrO中的至少一種)。MO的形態(tài)可以是NiO、ZnO或MgO的單獨形態(tài)，也可以是至少2種的混合形態(tài)。當(dāng)2種或2種以上混合使用時，只要混合后的總摩爾％在上述范圍內(nèi)即可。AO的形態(tài)為BaO或SrO的單獨形態(tài)或者BaO與SrO的混合形態(tài)。
另外，本發(fā)明的磁性氧化物燒結(jié)體的副成分含有0.5-7％重量(優(yōu)選0.6-5％重量)的氧化鉍Bi2O3。
從后述實施例可知，所述氧化鉍Bi2O3可以在添加時以該氧化物的形態(tài)混入，在燒結(jié)后一般也是以該氧化物的形態(tài)殘存。
在上述主成分的含有比例中，如果CoO不到3％摩爾，則有產(chǎn)生在例如2GHz的導(dǎo)磁率降低(例如不到2.0)等問題的傾向，如果CoO超過15％摩爾，則有產(chǎn)生在例如500MHz的導(dǎo)磁率降低(例如不到2.0)等問題的傾向。
如果CuO不到5％摩爾，則有產(chǎn)生煅燒溫度超過1000℃等問題的傾向，如果CuO超過17％摩爾，則有產(chǎn)生導(dǎo)磁率降低(例如不到2.0)等問題的傾向。
如果Fe2O3不到57％摩爾或者超過61％摩爾，都將有產(chǎn)生導(dǎo)磁率降低等問題的傾向。
在上述副成分的含有比例中，如果Bi2O3的含量不到0.5％重量，則有通過不超過1000℃的燒成得不到理論密度的至少90％等問題產(chǎn)生的傾向，如果上述Bi2O3的含量超過7％重量，則有產(chǎn)生導(dǎo)磁率降低等問題的傾向。通過添加上述Bi2O3副成分，特別是與含有上述CuO量這一條件相結(jié)合可以明顯實現(xiàn)低溫?zé)Y(jié)。還具有提高磁特性的協(xié)同效果。如果燒成溫度降低，則可以將廉價且電阻較小的Ag之類低熔點電極材料以內(nèi)藏形式同時燒成，容易地制造電極一體化的閉磁路結(jié)構(gòu)的元件。
這樣制造的元件可以用作例如小型且具有高Q值的感應(yīng)器，或者小型且在高頻帶特別是特定頻率的阻抗較大的噪聲濾波器等高頻元件(高頻電路部件)。
當(dāng)用ZnO作為MO并且該物質(zhì)的含量為0-15％重量(除去0含量)時，可以顯著提高導(dǎo)磁率，可以在制成高頻電路部件后的高阻抗化(即獲得高阻抗)和阻抗的寬帶化方面發(fā)揮特別優(yōu)選的功效。另外，當(dāng)用NiO、MgO作為MO并且其含量為0-15％重量(除去0含量)時，當(dāng)然可以提高導(dǎo)磁率，還具有提高諧振頻率的效果。因此，作為高頻電路部件，在控制高阻抗和阻抗的帶域方面發(fā)揮特別優(yōu)選的效果。
進(jìn)而，本發(fā)明的磁性氧化物燒結(jié)體的至少80％特別優(yōu)選至少90％由Y型六方晶鐵素體構(gòu)成。此處所述“％”由X射線衍射強度的主峰比算出。
如果Y型六方晶鐵素體所占比例不到80％，則將發(fā)生在高頻不能得到高導(dǎo)磁率的問題。從而難以得到具有高電感、阻抗的高頻電路部件。
在與銀(Ag)之類低熔點電極材料同時燒成的情況下，由于本燒成溫度較低，為了使燒結(jié)后的Y型六方晶鐵素體達(dá)到至少80％，需要在煅燒時生成至少80％的Y型六方晶鐵素體。雖然根據(jù)組成而有所不同，但是從850℃附近開始BaFe12O19和BaFe2O4開始分解，開始生成Y型六方晶鐵素體。
但是，如果BaFe12O19和BaFe2O4的分解不充分進(jìn)行，則Y型六方晶鐵素體的生成就不能繼續(xù)進(jìn)行。因此，為了使Y型六方晶鐵素體達(dá)到至少80％，煅燒溫度需要設(shè)定在至少850℃，特別是850-1000℃。而且，CuO的含量需要優(yōu)選在5.5-17％摩爾的范圍內(nèi)。如果煅燒溫度不到850℃或者CuO的含量在上述范圍之外，則難以生成超過80％的Y型六方晶鐵素體。另外，煅燒溫度如果超過1000℃而過高，則不能得到細(xì)粉末。細(xì)粉末的制作是低溫?zé)芍袠O為重要的技術(shù)。
從所述觀點看來，如上所述煅燒溫度在850-1000℃時，為了提高Y型六方晶鐵素體的生成率，作為主成分的上述CuO的含量須優(yōu)選為5.5-17％摩爾。
上述本發(fā)明的磁性氧化燒結(jié)體可用作具有在磁性氧化物燒結(jié)體中埋設(shè)了導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)的高頻電路部件，例如阻抗器、感應(yīng)器。
下面舉出具體的實施例對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)說明。[實施例3-I](實施例樣品和比較例樣品的制作)稱量各原料，使燒結(jié)后的組成為如下表4所示的組成，用鋼制球磨機進(jìn)行15小時的濕混合。接著將該混合粉在大氣中、表4所載溫度下煅燒2小時。接下來，將作為表4所示副成分的Bi2O3按預(yù)定量添加，之后用鋼制球磨機粉碎15小時。
將由此制得的六方晶鐵素體粉末造粒，用100MPa的壓力使其成形為所需的形狀。
將該成形體在大氣中、表4所示溫度下燒結(jié)2小時。六方晶鐵素體燒結(jié)體的組成如下表4所示，分別測定這些樣品在25℃時頻率500MHz和2GHz的導(dǎo)磁率，結(jié)果列在表4中。頻率500MHz時導(dǎo)磁率的目標(biāo)值為至少2.5，頻率2GHz時導(dǎo)磁率的目標(biāo)值為至少2.0。
此外，用燒結(jié)體的粉末，由X射線衍射峰的強度比算出Y型六方晶鐵素體的占有率。
表4

比較例3-5和3-8的密度低于理論密度(5.4Mg/m3)的90％，因此不優(yōu)選。
表4(續(xù))

實施例3-20的煅燒時間為10小時。[實施例3-II]接下來，用本發(fā)明的磁性體制造電感元件。即，稱量各原料，使燒結(jié)后的組成為如上表4中實施例3-11樣品所示的組成，用鋼制球磨機進(jìn)行15小時的濕混合。接著將該混合粉在大氣中、950℃煅燒2小時。接下來，添加5％重量作為副成分的Bi2O3，之后用鋼制球磨機粉碎15小時。
將有機粘結(jié)劑混入該煅燒粉末中，通過刮片法形成均一的原料片。
為了比較，準(zhǔn)備用NiCuZn系尖晶石鐵素體粉末(NiO＝45％摩爾、CuO＝5％摩爾、ZnO＝1.5％摩爾、Fe2O3＝48％摩爾、CoO＝0.5％摩爾)制作的原料片。
另一方面，準(zhǔn)備混合了銀的導(dǎo)電性膠，在先前的原料片上將線圈層壓形成螺旋狀。在厚度方向上加壓進(jìn)行壓著，制作在磁性體之間夾著電極的原料片層壓體。將其在930℃燒成2小時。在所得燒結(jié)體側(cè)面的內(nèi)部導(dǎo)體的位置上涂布銀膠，焊上外部電極，制成圖1示意的阻抗元件(高頻電路部件)。另外，為了便于理解元件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，圖1畫出了模型圖。圖1中，符號11為內(nèi)部導(dǎo)體(Ag線圈)，符號10為末端導(dǎo)體，符號20為鐵素體。
在頻率2GHz測定所得阻抗元件的阻抗和導(dǎo)磁率，本發(fā)明的元件的阻抗為236Ω(導(dǎo)磁率4.2)，具有極為優(yōu)異的特性；而過去的NiCuZn系鐵素體的阻抗為135Ω(導(dǎo)磁率1.2)。
從上述結(jié)果可看出本發(fā)明第三組發(fā)明的效果。也就是說，本發(fā)明可提供下述磁性氧化物燒結(jié)體和使用該燒結(jié)體的高頻電路部件，該磁性氧化物燒結(jié)體中Y型六方晶鐵素體占至少80％，由于其構(gòu)成是主成分含有換算成CoO為3-15％摩爾的氧化鈷、換算成CuO為5-17％摩爾的氧化銅、換算成Fe2O3為57-61％摩爾的氧化鐵、0-15％重量的MO(MO為NiO、ZnO、MgO中的至少一種，MO的含量不為0)、其余部分為AO(AO為BaO或SrO中的至少一種)，副成分含有0.5-7％重量的氧化鉍(Bi2O3)，因而到數(shù)百MHz-GHz的高頻帶仍具有極好的磁特性，并且盡量不含Y型六方晶鐵素體以外的異相，可以在不超過1000℃特別是在900℃附近燒成。
(4)對第四發(fā)明組的說明由于本發(fā)明第四發(fā)明組的磁性氧化物燒結(jié)體為陶瓷燒結(jié)體，因而可以通過通常的陶瓷制作工藝進(jìn)行制造。
本發(fā)明第四發(fā)明組的磁性氧化物燒結(jié)體的主成分含有換算成CoO為3-15％摩爾(優(yōu)選3-5％摩爾)的氧化鈷、換算成CuO為5-17％摩爾(優(yōu)選5.5-10％摩爾)的氧化銅、換算成Fe2O3為57-61％摩爾(優(yōu)選59-60％摩爾)的氧化鐵、0-15％重量、優(yōu)選1-15％重量、特別優(yōu)選5-15％重量的MO(MO為NiO、ZnO、MgO中的至少一種，MO的含量不為0)，主成分的其余部分為AO(AO為BaO或SrO中的至少一種)。
MO的形態(tài)可以是NiO、ZnO或MgO的單獨形態(tài)，也可以是至少2種的混合形態(tài)。當(dāng)至少2種混合使用時，只要混合后的總摩爾％在上述范圍內(nèi)即可。
AO的形態(tài)為BaO或SrO的單獨形態(tài)或者BaO與SrO的混合形態(tài)。
另外，本發(fā)明的磁性氧化物燒結(jié)體的副成分含有0.6-7％重量(優(yōu)選0.6-5％重量)的硼硅酸玻璃、硼硅酸鋅玻璃或鉍玻璃。
硼硅酸玻璃通常表示含有B2O3、SiO2的玻璃，硼硅酸鋅玻璃通常表示含有B2O3、SiO2、ZnO的玻璃，鉍玻璃通常表示含有Bi2O3的玻璃。在所述各玻璃的定義中，上述各成分不一定是主成分。
作為這些副成分玻璃的含有形態(tài)，可以單獨使用硼硅酸玻璃、硼硅酸鋅玻璃和鉍玻璃中的一種，也可以將其2種或3種混合使用。當(dāng)至少2種混合使用時，只要混合后的總重量％在上述范圍內(nèi)即可。通過添加這樣的玻璃，可以獲得高電阻率化(即提高電阻率)和低介電常數(shù)化(即降低介電常數(shù))。因此，通過添加上述本申請指定的玻璃，可以得到作為高頻電路部件，例如層壓部件材料所必需的至少1×105Ω·m的電阻率。
而且，發(fā)現(xiàn)通過添加本申請指定的玻璃還具有降低介電常數(shù)的效果，當(dāng)將本發(fā)明燒結(jié)體用作高頻部件時，在高頻下可以得到高阻抗，具有使阻抗的頻帶更寬的效果。這些玻璃在添加時的狀態(tài)必須是玻璃。在燒成后，所用玻璃成分存在于燒成體中而不論其是否是玻璃狀態(tài)。
在這些玻璃中，硼硅酸鋅玻璃、硼硅酸玻璃可以更有效地實現(xiàn)高阻抗率、低介電常數(shù)，因此特別優(yōu)選。另外，當(dāng)以相同玻璃添加量進(jìn)行比較時，從可以降低得到至少90％相對密度的溫度考慮，特別優(yōu)選鉍玻璃。
在上述主成分的含有比例中，如果CoO不到3％摩爾，則有產(chǎn)生在例如2GHz的導(dǎo)磁率降低(例如不到2.0)等問題的傾向，如果CoO超過15％摩爾，則有產(chǎn)生導(dǎo)磁率降低(例如在500MHz時的導(dǎo)磁率不足2.5，在2GHz時的導(dǎo)磁率不足2.0)等問題的傾向。
如果CuO不到5％摩爾，則有產(chǎn)生煅燒溫度超過1000℃等問題的傾向，如果CuO超過17％摩爾，則有產(chǎn)生在2GHz時的導(dǎo)磁率降低等問題的傾向。
如果Fe2O3不到57％摩爾或者超過61％摩爾，都將有產(chǎn)生導(dǎo)磁率降低等問題的傾向。
在上述副成分的含有比例中，如果上述指定玻璃的含量不到0.6％重量，則有通過不超過1000℃的燒成得不到理論密度的至少90％等問題產(chǎn)生的傾向，如果上述指定玻璃的含量超過7％重量，則有產(chǎn)生導(dǎo)磁率降低等問題的傾向。
通過添加上述玻璃副成分，特別是與含有上述CuO量這一條件相結(jié)合可以明顯實現(xiàn)低溫?zé)Y(jié)。如果燒成溫度降低，則可以將廉價且電阻較小的Ag之類低熔點電極材料以內(nèi)藏形式同時燒成，容易地制造電極一體化的閉磁路結(jié)構(gòu)的元件。這樣制造的元件可以用作例如小型且具有高Q值的感應(yīng)器，或者小型且在高頻帶特別是特定頻率的阻抗較大的噪聲濾波器等高頻元件(高頻電路部件)。
當(dāng)用ZnO作為MO并且該物質(zhì)的含量為0-15％重量(除去0含量)時，可以顯著提高導(dǎo)磁率，可以在制成高頻電路部件后的高阻抗化(即獲得高阻抗)和阻抗的寬帶化方面發(fā)揮特別優(yōu)選的功效。另外，當(dāng)用NiO、MgO作為MO并且其含量為0-15％重量(除去0含量)時，當(dāng)然可以提高導(dǎo)磁率，還具有提高諧振頻率的效果。因此，作為高頻電路部件，在控制高阻抗和阻抗的帶域方面發(fā)揮特別優(yōu)選的效果。
進(jìn)而，本發(fā)明的磁性氧化物燒結(jié)體的至少80％特別優(yōu)選至少90％由Y型六方晶鐵素體構(gòu)成。此處所述“％”由X射線衍射強度的主峰比算出。
在與銀(Ag)之類低熔點電極材料同時燒成的情況下，由于本燒成溫度較低，為了使燒結(jié)后的Y型六方晶鐵素體達(dá)到至少80％，需要在煅燒時生成至少80％的Y型六方晶鐵素體。雖然根據(jù)組成而有所不同，但是從850℃附近開始BaFe12O19和BaFe2O4開始分解，開始生成Y型六方晶鐵素體。但是，如果BaFe12O19和BaFe2O4的分解不充分進(jìn)行，則Y型六方晶鐵素體的生成就不能繼續(xù)進(jìn)行。因此，為了使Y型六方晶鐵素體達(dá)到至少80％煅燒溫度需要設(shè)定在至少850℃，特別是850-1000℃。而且，CuO的含量需要優(yōu)選在5.5-17％摩爾范圍內(nèi)。如果煅燒溫度不到850℃或者CuO的含量不是指定量，則難以生成超過80％的Y型六方晶鐵素體。另外，煅燒溫度如果超過1000℃而過高，則不能得到細(xì)粉末。細(xì)粉末的制作是低溫?zé)芍袠O為重要的技術(shù)。
從所述觀點看來，如上所述煅燒溫度在850-1000℃時，為了提高Y型六方晶鐵素體的生成率，作為主成分的上述CuO的含量須優(yōu)選為5.5-17％摩爾。
上述本發(fā)明的磁性氧化燒結(jié)體可用作具有在磁性氧化物燒結(jié)體中埋設(shè)了導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)的高頻電路部件，例如阻抗器、感應(yīng)器。
下面舉出具體的實施例對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
(實施例樣品和比較例樣品的制作)稱量各原料，使燒結(jié)后的組成為如下表5所示的組成，用鋼制球磨機進(jìn)行15小時的濕混合。接著將該混合粉在大氣中、表5所載溫度下煅燒2小時。接下來，將表5所示的指定玻璃按預(yù)定量添加，之后用鋼制球磨機粉碎15小時。
將由此制得的六方晶鐵素體粉末造粒，用100MPa的壓力使其成形為所需的形狀。
將該成形體在大氣中、表5所示溫度下燒結(jié)2小時。六方晶鐵素體燒結(jié)體的組成如下表5所示，分別測定這些樣品在25℃時頻率500MHz和2GHz的導(dǎo)磁率以及電阻率、介電常數(shù)，結(jié)果列在表6中。
在頻率500MHz時導(dǎo)磁率的目標(biāo)值為至少2.5，在頻率2GHz時導(dǎo)磁率的目標(biāo)值為至少2.0。電阻率的目標(biāo)值為1×105Ω·m。介電常數(shù)越低越好。另外，從后述的試驗結(jié)果可知，電阻率如果超過1×105Ω·m的值，則介電常數(shù)表示不超過30的低值。
此外，用燒結(jié)體的粉末，由X射線衍射峰的強度比算出Y型六方晶鐵素體的占有率。
表5

實施例4-I-14的煅燒時間為10小時。
表5(續(xù))

表6

表6(續(xù))
將加入到上述實施例4-I中實施例4-I-2樣品的主成分中的添加成分的種類和添加量按照下表7所示進(jìn)行變化，制作各種樣品。測定這些樣品得到至少90％的相對密度(相對于理論密度100)的溫度。
結(jié)果列于下表7中。
表7
接下來，用本發(fā)明的磁性體制造阻抗元件。即，稱量各原料，使燒結(jié)后的組成為如上表5中實施例4-I-2樣品的主成分所示的組成，用鋼制球磨機進(jìn)行15小時的濕混合。接著將該混合粉在大氣中、950℃煅燒2小時。接下來，添加5％重量作為副成分的鉍玻璃，之后用鋼制球磨機粉碎15小時。
將有機粘結(jié)劑混入該煅燒粉末中，通過刮片法形成均一的原料片。
為了比較，準(zhǔn)備用NiCuZn系尖晶石鐵素體粉末(NiO＝45％摩爾、CuO＝5％摩爾、ZnO＝1.5％摩爾、Fe2O3＝48％摩爾、CoO＝0.5％摩爾)制作的原料片。
另一方面，準(zhǔn)備混合了銀的導(dǎo)電性膠，在先前的原料片上將線圈層壓形成螺旋狀。在厚度方向上加壓進(jìn)行壓著，制作在磁性體之間夾著電極的原料片層壓體。將其在930℃燒成2小時。在所得燒結(jié)體側(cè)面的內(nèi)部導(dǎo)體的位置上涂布銀膠，焊上外部電極，制成圖1示意的阻抗元件(高頻電路部件)。另外，為了便于理解元件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，圖1畫出了模型圖。圖1中，符號11為內(nèi)部導(dǎo)體(Ag線圈)，符號10為末端導(dǎo)體，符號20為鐵素體。
在頻率2GHz測定所得阻抗元件的阻抗和導(dǎo)磁率，本發(fā)明的元件的阻抗為236Ω(導(dǎo)磁率4.2)，具有極為優(yōu)異的特性；而過去的NiCuZn系鐵素體的阻抗為135Ω(導(dǎo)磁率1.2)。
從上述結(jié)果可看出本發(fā)明第四組發(fā)明的效果。也就是說，本發(fā)明可提供在高頻帶的導(dǎo)磁率特性良好、電阻率高、介電常數(shù)低、以Y型六方晶鐵素體為主成分鐵素體的磁性氧化物燒結(jié)體和使用該燒結(jié)體的高頻電路部件，該磁性氧化物燒結(jié)體中Y型六方晶鐵素體占至少80％，由于其構(gòu)成是主成分含有換算成CoO為3-15％摩爾的氧化鈷、換算成CuO為5-17％摩爾的氧化銅、換算成Fe2O3為57-61％摩爾的氧化鐵、0-15％重量的MO(MO為NiO、ZnO、MgO中的至少一種，MO的含量不為0)，其余部分為AO(AO為BaO或SrO中的至少一種)，副成分含有0.6-7％重量的硼硅酸玻璃、硼硅酸鋅玻璃或鉍玻璃，因而可以在不超過1000℃特別是在900℃附近燒成。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明的磁性氧化燒結(jié)體可用作具有在磁性氧化物燒結(jié)體中埋設(shè)了導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)的高頻電路部件，例如阻抗器、感應(yīng)器。
權(quán)利要求
1.磁性氧化物燒結(jié)體，其中Y型六方晶鐵素體占至少80％，其特征在于所述磁性氧化物燒結(jié)體含有主成分和副成分，所述磁性氧化物燒結(jié)體的主成分含有換算成CoO為3-15％摩爾的氧化鈷、換算成CuO為5.5-17％摩爾的氧化銅、換算成Fe2O3為57-61％摩爾的氧化鐵，主成分的其余部分為AO(AO為BaO或SrO中的至少一種)，副成分含有0.5-7％重量的氧化鉍(Bi2O3)。
2.權(quán)利要求1的磁性氧化物燒結(jié)體，其中在制造所述磁性氧化物燒結(jié)體時的煅燒溫度為850℃-1000℃。
3.高頻電路部件，它具有在磁性氧化物燒結(jié)體中埋設(shè)了導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)，其特征在于前述磁性氧化物燒結(jié)體中Y型六方晶鐵素體占至少80％，并且該磁性氧化物燒結(jié)體含有主成分和副成分，所述主成分含有換算成CoO為3-15％摩爾的氧化鈷、換算成CuO為5.5-17％摩爾的氧化銅、換算成Fe2O3為57-61％摩爾的氧化鐵，主成分的其余部分為AO(AO為BaO或SrO中的至少一種)，副成分含有0.5-7％重量的氧化鉍(Bi2O3)。
4.權(quán)利要求3的高頻電路部件，其中在制造所述磁性氧化物燒結(jié)體時的煅燒溫度為850℃-1000℃。
5.權(quán)利要求3的高頻電路部件，其中所述導(dǎo)體以銀(Ag)作為主要成分。
6.磁性氧化物燒結(jié)體，其中Y型六方晶鐵素體占至少80％，其特征在于所述磁性氧化物燒結(jié)體含有主成分和副成分，該磁性氧化物燒結(jié)體的主成分含有換算成CoO為3-15％摩爾的氧化鈷、換算成CuO為5-17％摩爾的氧化銅、換算成Fe2O3為57-61％摩爾的氧化鐵，主成分的其余部分為AO(AO為BaO或SrO中的至少一種)，副成分含有0.6-7％重量的硼硅酸玻璃、硼硅酸鋅玻璃或鉍玻璃。
7.權(quán)利要求6的磁性氧化物燒結(jié)體，其中在制造所述磁性氧化物燒結(jié)體時的煅燒溫度為850℃-1000℃。
8.高頻電路部件，它具有在磁性氧化物燒結(jié)體中埋設(shè)了導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)，其特征在于前述磁性氧化物燒結(jié)體中Y型六方晶鐵素體占至少80％，并且該磁性氧化物燒結(jié)體含有主成分和副成分，所述主成分含有換算成CoO為3-15％摩爾的氧化鈷、換算成CuO為5-17％摩爾的氧化銅、換算成Fe2O3為57-61％摩爾的氧化鐵，主成分的其余部分為AO(AO為BaO或SrO中的至少一種)，副成分含有0.6-7％重量的硼硅酸玻璃、硼硅酸鋅玻璃或鉍玻璃。
9.權(quán)利要求8的高頻電路部件，其中在制造所述磁性氧化物燒結(jié)體時的煅燒溫度為850℃-1000℃。
10.權(quán)利要求8的高頻電路部件，其中所述導(dǎo)體以銀(Ag)作為主要成分。
11.磁性氧化物燒結(jié)體，其中Y型六方晶鐵素體占至少80％，其特征在于所述磁性氧化物燒結(jié)體含有主成分和副成分，該磁性氧化物燒結(jié)體的主成分含有換算成CoO為3-15％摩爾的氧化鈷、換算成CuO為5-17％摩爾的氧化銅、換算成Fe2O3為57-61％摩爾的氧化鐵、0-15％重量的MO(MO為NiO、ZnO、MgO中的至少一種，MO的含量不為0)，主成分的其余部分為AO(AO為BaO或SrO中的至少一種)，副成分含有0.5-7％重量的氧化鉍(Bi2O3)。
12.權(quán)利要求11的磁性氧化物燒結(jié)體，其中在制造所述磁性氧化物燒結(jié)體時的煅燒溫度為850℃-1000℃。
13.高頻電路部件，它具有在磁性氧化物燒結(jié)體中埋設(shè)了導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)，其特征在于前述磁性氧化物燒結(jié)體中Y型六方晶鐵素體占至少80％，并且該磁性氧化物燒結(jié)體含有主成分和副成分，所述主成分含有換算成CoO為3-15％摩爾的氧化鈷、換算成CuO為5-17％摩爾的氧化銅、換算成Fe2O3為57-61％摩爾的氧化鐵、0-15％重量的MO(MO為NiO、ZnO、MgO中的至少一種，MO的含量不為0)，主成分的其余部分為AO(AO為BaO或SrO中的至少一種)，副成分含有0.5-7％重量的氧化鉍(Bi2O3)。
14.權(quán)利要求13的高頻電路部件，其中在制造所述磁性氧化物燒結(jié)體時的煅燒溫度為850℃-1000℃。
15.權(quán)利要求13的高頻電路部件，其中所述導(dǎo)體以銀(Ag)作為主要成分。
16.磁性氧化物燒結(jié)體，其中Y型六方晶鐵素體占至少80％，其特征在于所述磁性氧化物燒結(jié)體含有主成分和副成分，該磁性氧化物燒結(jié)體的主成分含有換算成CoO為3-15％摩爾的氧化鈷、換算成CuO為5-17％摩爾的氧化銅、換算成Fe2O3為57-61％摩爾的氧化鐵、0-15％重量的MO(MO為NiO、ZnO、MgO中的至少一種，MO的含量不為0)，主成分的其余部分為AO(AO為BaO或SrO中的至少一種)，副成分含有0.6-7％重量的硼硅酸玻璃、硼硅酸鋅玻璃或鉍玻璃。
17.權(quán)利要求16的磁性氧化物燒結(jié)體，其中在制造所述磁性氧化物燒結(jié)體時的煅燒溫度為850℃-1000℃。
18.高頻電路部件，它具有在磁性氧化物燒結(jié)體中埋設(shè)了導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述磁性氧化物燒結(jié)體含有主成分和副成分，該磁性氧化物燒結(jié)體的主成分含有換算成CoO為3-15％摩爾的氧化鈷、換算成CuO為5-17％摩爾的氧化銅、換算成Fe2O3為57-61％摩爾的氧化鐵、0-15％重量的MO(MO為NiO、ZnO、MgO中的至少一種，MO的含量不為0)，主成分的其余部分為AO(AO為BaO或SrO中的至少一種)，副成分含有0.6-7％重量的硼硅酸玻璃、硼硅酸鋅玻璃或鉍玻璃。
19.權(quán)利要求18的高頻電路部件，其中在制造所述磁性氧化物燒結(jié)體時的煅燒溫度為850℃-1000℃。
20.權(quán)利要求18的高頻電路部件，其中所述導(dǎo)體以銀(Ag)作為主要成分。
全文摘要
可以提供下述磁性氧化物燒結(jié)體及使用該燒結(jié)體的高頻電路部件，所述磁性氧化物燒結(jié)體中Y型六方晶鐵素體占至少80％，它含有主成分和副成分，主成分含有預(yù)定摩爾％的氧化鈷、氧化銅、氧化鐵和AO(AO為BaO或SrO中的至少一種)，更優(yōu)選主成分含有預(yù)定摩爾％的MO(MO為NiO、ZnO、MgO中的至少一種)，副成分含有預(yù)定重量％的氧化鉍(Bi
文檔編號H01F1/37GK1426383SQ01808774
公開日2003年6月25日 申請日期2001年8月3日 優(yōu)先權(quán)日2001年3月1日
發(fā)明者梅田秀信, 村瀨琢 申請人:Tdk株式會社