專利名稱：平板顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種平板顯示器及其制造方法。更具體地，本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光(EL)顯示器及其制造方法。
背景技術(shù)：
作為平板顯示器，電致發(fā)光(EL)顯示器近年來(lái)受到了大量關(guān)注。EL顯示器通常使用薄膜晶體管(TFT)作為開(kāi)關(guān)元件。
圖1是說(shuō)明傳統(tǒng)EL顯示器的橫截面視圖。圖1的傳統(tǒng)EL顯示器如下制造。首先，在透明絕緣襯底10的整個(gè)表面上形成第一絕緣層11。第一絕緣層11用作緩沖層。透明絕緣襯底10由玻璃或合成樹(shù)脂制造。多晶硅層沉積在緩沖層11上，并使用第一掩膜構(gòu)圖成半導(dǎo)體層13。
第二絕緣層15形成在透明絕緣襯底10的整個(gè)表面上方，并覆蓋半導(dǎo)體層13。第二絕緣層15用作柵極絕緣層。
第一金屬層沉積在第一絕緣層15上，并使用第二掩膜構(gòu)圖成柵電極16和第一電容器電極17。
在半導(dǎo)體層13內(nèi)離子摻雜入n型或p型雜質(zhì)，以形成源極和漏極區(qū)13-1和13-2。半導(dǎo)體層13在柵電極16下方的部分13-3用作有源區(qū)。
第三絕緣層19形成在透明絕緣襯底10的整個(gè)表面上方，并覆蓋柵電極16和第一電容器電極17。絕緣層19用作互絕緣層。
然后，使用第三掩膜蝕刻第二和第三絕緣層15和19，形成第一和第二接觸孔20-1和20-2。第一接觸孔20-1暴露源極區(qū)13-1的一部分，第二接觸孔20-2暴露漏極區(qū)13-2的一部分。
第二金屬層沉積在襯底的整個(gè)表面上方，并使用第四掩膜構(gòu)圖成源電極和漏電極22-1和22-2以及第二電容器電極22-3。源電極22-1通過(guò)第一接觸孔20-1接觸源極區(qū)13-1，漏電極22-2通過(guò)第二接觸孔20-2接觸漏極區(qū)13-2。第二電容器電極22-3從源電極和漏電極22-1和22-2兩者之一、例如源電極22-1延伸。因此，傳統(tǒng)EL顯示器的TFT 51和電容器52得以完成。
此處，第三絕緣層19的在第一和第二電容器電極17和22-3之間的部分用作電容器52的介電層。
以下，在透明絕緣襯底10的整個(gè)表面上方形成第四絕緣層25。第四絕緣層25用作鈍化層。使用第五掩膜蝕刻鈍化層25，以在對(duì)應(yīng)源電極和漏電極22-1和22-2兩者之一的一部分的區(qū)域處形成通孔26。在圖1內(nèi)，通孔26暴露漏電極22-2的一部分。
在鈍化層25上沉積透明材料層，并使用第六掩膜將其構(gòu)圖成像素電極27。像素電極27由諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的透明導(dǎo)電材料制成。像素電極27通過(guò)通孔26電連接漏電極22-2。像素電極27用作正極。
在透明絕緣襯底10的整個(gè)表面上方形成第五絕緣層28。第五絕緣層28用作平面層。使用第七掩膜蝕刻平面層28，形成開(kāi)口部分28-1。開(kāi)口部分28-1暴露正電極27的一部分。
在正電極27的暴露部分和平面層28上形成有機(jī)EL層29。沉積第三金屬層，即負(fù)電極30，以覆蓋整個(gè)顯示區(qū)，完成傳統(tǒng)有機(jī)EL顯示器53。
然而，傳統(tǒng)有機(jī)EL顯示器具有以下缺點(diǎn)。因?yàn)槭褂闷叩缽?fù)雜的掩膜工藝制造有機(jī)EL顯示器，所以生產(chǎn)成本高，生產(chǎn)量低。此外，在形成正電極27的蝕刻工藝中，蝕刻溶液可能浸入源電極和漏電極22-1和22-2，于是源電極和漏電極22-1和22-2可能被損壞，從而，降低TFT的電性能。此外，自有機(jī)EL層29發(fā)射的光從柵極絕緣層15和互絕緣層19之間的界面、以及互絕緣層19和鈍化層25之間的界面反射，從而降低了光透射率。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種有機(jī)EL顯示器，該顯示器通過(guò)減少掩膜工藝而具有高的產(chǎn)量。
本發(fā)明的另一目的是提供一種具有優(yōu)秀電性能的有機(jī)EL顯示器。
本發(fā)明的再一個(gè)目的是提供一種具有高光透射率的有機(jī)EL顯示器。
本發(fā)明的其它目的和優(yōu)點(diǎn)將在后面的說(shuō)明中部分地闡明，并且部分地將因該說(shuō)明而清楚，或者可通過(guò)本發(fā)明的實(shí)施而得以了解。
為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的以上和其它目的，提供一種平板顯示器，該平板顯示器包括形成在絕緣襯底上的具有開(kāi)口部分的像素電極；形成在絕緣襯底的與像素電極隔開(kāi)的表面上方的半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層具有形成在半導(dǎo)體層兩個(gè)端部處的源極區(qū)和漏極區(qū)；形成在絕緣襯底的不包括像素電極的開(kāi)口部分的表面上方的第一絕緣層；形成在半導(dǎo)體層上方的第一絕緣層上的柵電極；以及形成在絕緣襯底的不包括像素電極的開(kāi)口部分的表面上方的第二絕緣層。
該平板顯示器還包括形成在第一和第二絕緣層中的接觸孔，該接觸孔暴露像素電極的一部分與半導(dǎo)體層的部分源極和漏極區(qū)域；形成在第二絕緣層上的源電極和漏電極，其中源電極通過(guò)接觸孔中的一個(gè)電連接至源極區(qū)，漏電極通過(guò)接觸孔中的另一個(gè)電連接至漏極區(qū)和像素電極；以及形成在絕緣襯底的不包括像素電極的開(kāi)口部分的表面上方的第三絕緣層。
開(kāi)口部分具有小于像素電極的面積尺寸。第三絕緣層是一平面層，該平面層由SiNx、SiOx、丙烯或光致抗蝕劑層制成。
本發(fā)明提供一種制造平板顯示器的方法，包括在絕緣襯底上形成彼此間隔的像素電極和半導(dǎo)體層；在絕緣襯底的表面上方形成第一絕緣層，以覆蓋像素電極和半導(dǎo)體層；在第一絕緣層的對(duì)應(yīng)半導(dǎo)體層的位置的部分上形成柵電極；在絕緣襯底的表面上方形成第二絕緣層，以覆蓋柵電極；在第一和第二絕緣層內(nèi)形成接觸孔，以暴露像素電極的一部分和部分半導(dǎo)體層；在第二絕緣層上形成源電極和漏電極，該源電極和漏電極通過(guò)接觸孔中的一個(gè)將源電極電連接至半導(dǎo)體層，并通過(guò)接觸孔中的另一個(gè)將漏電極電連接到半導(dǎo)體層和像素電極；在絕緣襯底表面上方形成光致抗蝕劑層，該層暴露第二絕緣層在像素電極上方的一部分；以及通過(guò)將光致抗蝕劑層用作掩膜蝕刻第一和第二絕緣層來(lái)形成開(kāi)口部分。
當(dāng)半導(dǎo)體層和像素電極形成在絕緣襯底上時(shí)，像素電極在半導(dǎo)體層之后形成。否則，像素電極在半導(dǎo)體層前形成。
該方法還包括在形成光致抗蝕劑層之前，在絕緣襯底的表面上方形成第三絕緣層；以及在將光致抗蝕劑層用作掩膜形成開(kāi)口部分之后，去除剩下的光致抗蝕劑層。


通過(guò)結(jié)合附圖的、對(duì)優(yōu)選實(shí)施例的以下描述，本發(fā)明的這些和其它目的及優(yōu)點(diǎn)將變得更清晰并更易于理解，其中圖1是示出傳統(tǒng)EL顯示器的橫截面視圖；圖2是示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器的平面圖；圖3A至3L是截取自圖2的線III-III的橫截面視圖，說(shuō)明了制造根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的平板顯示器的方法；以及圖4是示出截取自圖2的線IV-IV的平板顯示器的橫截面視圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在詳細(xì)參考本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，其例子示于附圖中，其中，相似的附圖標(biāo)記表示相似的元件。為了闡述本發(fā)明，以下參照附圖來(lái)說(shuō)明實(shí)施例。
圖2顯示了一平面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器100。參照?qǐng)D2，有機(jī)EL顯示器100包括像素130，在此，像素130包括第一和第二TFT 110和200；存儲(chǔ)電容器170；以及有機(jī)EL元件300。
像素130形成在由兩條相鄰的柵極線101、數(shù)據(jù)線102和電源線103定義的區(qū)域內(nèi)。柵極線101布置在橫向上。數(shù)據(jù)線102和電源線103布置在柵極線101的垂直方向上。柵極線101用于向薄膜晶體管(TFT)加載開(kāi)/關(guān)電流。數(shù)據(jù)線102用于加載數(shù)據(jù)電壓。電源線103用于提供驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL顯示器100的電流。
第一TFT 110布置在鄰近柵極線101和數(shù)據(jù)線102的交點(diǎn)的位置。第一TFT 110包括半導(dǎo)體層120、柵電極140、以及源電極和漏電極160和165。半導(dǎo)體層120包括源極區(qū)和漏極區(qū)120-1和120-2，以及有源區(qū)120-3(見(jiàn)圖4)。柵電極140從柵極線101延伸。源電極160從數(shù)據(jù)線102延伸，并通過(guò)第一接觸孔255-1電連接至半導(dǎo)體層120的源極區(qū)120-1。漏電極165通過(guò)第二接觸孔255-2電連接至漏極區(qū)120-2。
存儲(chǔ)電容器170用于儲(chǔ)存在一幀中驅(qū)動(dòng)第二TFT 200所需的數(shù)據(jù)電壓。存儲(chǔ)電容器170包括第一和第二電容器電極173和177，介電層175夾在其間(見(jiàn)圖4)。第一電容器電極173通過(guò)第三接觸孔255-3電連接至第一TFT110的漏電極165。第二電容器電極177從電源線103延伸。
第二TFT 200包括半導(dǎo)體層220、柵電極240、以及源電極和漏電極260和265。半導(dǎo)體層220包括源極區(qū)和漏極區(qū)220-1和220-2，以及有源區(qū)220-3(見(jiàn)圖3L)。柵電極240從第一電容器電極173延伸。源電極260從電源線103延伸，并通過(guò)第四接觸孔255-4電連接至半導(dǎo)體層220的源極區(qū)220-1。漏電極265用于將驅(qū)動(dòng)電壓加載到有機(jī)EL元件300上，并通過(guò)第五接觸孔255-5電連接至半導(dǎo)體層220的漏極區(qū)220-2。
有機(jī)EL元件300包括正電極310和負(fù)電極330，有機(jī)EL層320(見(jiàn)圖3L)間插其間。正電極310通過(guò)第六接觸孔255-6電連接至第二TFT 200的漏電極265。在正電極310上形成一開(kāi)口部分275，有機(jī)EL層320形成在正電極310上，以覆蓋開(kāi)口部分275。
以下，參照?qǐng)D3A至3L和4說(shuō)明制造圖2的有機(jī)EL顯示器的工藝。圖3A至3L顯示了截取自圖2的線III-III的橫截面視圖。圖4示出了截取自圖2的線IV-IV的橫截面視圖。
圖3A表明，第一絕緣層210形成在透明絕緣襯底(“襯底”)105的整個(gè)表面上，用作緩沖層。緩沖層210用于防止雜質(zhì)的進(jìn)入。透明導(dǎo)電材料層310a沉積在緩沖層210上。
圖3B示出，透明導(dǎo)電材料層310a用第一掩膜構(gòu)圖成正電極，即，像素電極310。
圖3C示出，多晶硅層220a沉積在襯底105的整個(gè)表面上，覆蓋正電極310。此時(shí)，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，多晶硅層220a這樣形成，即沉積非晶硅層，然后退火。然而，不必在所有的情況下均沉積非晶硅層。
參照?qǐng)D3D和4，使用第二掩膜構(gòu)圖多晶硅層220a，以形成半導(dǎo)體層120和220。在此實(shí)施例中，當(dāng)像素電極310和半導(dǎo)體層120和220形成在襯底105上時(shí)，先形成像素電極310，然后形成半導(dǎo)體層120和220。否則，先形成半導(dǎo)體層120和220，然后形成像素電極310。
接著，圖3E和4示出，第二絕緣層230形成在襯底105的整個(gè)表面上方，并覆蓋半導(dǎo)體層120和220。第二絕緣層230用作柵極絕緣層。
圖3F和4示出，第一金屬層240a沉積在第二絕緣層230上。圖3G和4示出，第一金屬層240a用第三掩膜構(gòu)圖成柵電極140和240，以及第一電容器電極173。
圖3H和4示出，在半導(dǎo)體層120和220內(nèi)離子摻雜入n型或p型雜質(zhì)，以分別形成源極區(qū)和漏極區(qū)120-1和120-2，以及220-1和220-2。半導(dǎo)體層120和220在柵電極140和240下方的部分120-3和220-3分別用作有源區(qū)。
第三絕緣層250形成在襯底105整個(gè)表面上方，并覆蓋柵電極140和240。第三絕緣層250用作互絕緣層?；ソ^緣層250的對(duì)應(yīng)第一電容器電極173的部分用作存儲(chǔ)電容器170的介電層175。柵極絕緣層230和互絕緣層250使用第四掩膜蝕刻，以形成第一至第六接觸孔255-1至255-6。
以下，圖3I和4示出，第二金屬層260a沉積在互絕緣層250上。
圖3J和4示出，第二金屬層260a使用第五掩膜構(gòu)圖，以形成第一TFT110的源電極和漏電極160和165，第二TFT 200的源電極和漏電極260和265，以及第二電容器電極177。
源電極160通過(guò)第一接觸孔255-1電連接至源極區(qū)120-1。漏電極165的一端通過(guò)第二接觸孔255-2電連接至漏極區(qū)120-2，另一端通過(guò)第三接觸孔255-3電連接至第一電容器電極173。源電極260通過(guò)第四接觸孔255-4電連接至源極區(qū)220-1。漏電極265的一端通過(guò)第五接觸孔255-5電連接至漏極區(qū)220-2，另一端通過(guò)第六接觸孔255-6電連接至正電極310。
接著，圖3K和4示出，第四絕緣層270形成在襯底105的整個(gè)表面上方，作為平面層。該平面層270使用第六掩膜蝕刻，以暴露正電極310的一部分，從而在正電極310上形成一開(kāi)口部分275。該開(kāi)口部分275具有小于正電極310的面積尺寸，使得有機(jī)EL層330被沉積得不與正電極310的邊緣部分相切。當(dāng)有機(jī)EL層330與正電極310的邊緣部分相切時(shí)，在正電極310的邊緣部分產(chǎn)生強(qiáng)電場(chǎng)，從而縮短有機(jī)EL顯示器的壽命。
第一至第三絕緣層例如由SiNx或SiOx制成，第四絕緣層由例如SiNx、SiOx或丙烯制成。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，開(kāi)口部分275根據(jù)以下方法形成。首先，在互絕緣層250上形成平面層270，然后在平面層270上形成光致抗蝕劑構(gòu)圖。平面層270由SiNx或SiOx制成。柵極絕緣層230、互絕緣層250和平面層270根據(jù)光致抗蝕劑構(gòu)圖同時(shí)蝕刻，以形成開(kāi)口部分275。除去剩余的光致抗蝕劑構(gòu)圖?；蛘?，開(kāi)口部分275可以這樣形成，即先在互絕緣層250上形成光致抗蝕劑構(gòu)圖，然后根據(jù)光致抗蝕劑構(gòu)圖同時(shí)蝕刻?hào)艠O絕緣層230和互絕緣層250，其中，光致抗蝕劑構(gòu)圖用作平面層。因?yàn)樾纬赦g化層的工藝可以省略，或光致抗蝕劑構(gòu)圖可以替代平面層，所以制造工藝可以進(jìn)一步簡(jiǎn)化。
接著，圖3L和4示出，有機(jī)EL層320形成在正電極310的暴露部分上。最后，在平面層270上形成第三金屬層330，以覆蓋有機(jī)EL層320。第三金屬層330用作負(fù)電極。
即使未示出，有機(jī)EL層320通常包括孔透明層、發(fā)光層和電子輸運(yùn)層，這些層順序堆疊，并夾在正電極和負(fù)電極之間。
柵極線101(見(jiàn)圖2)與柵電極140和240同時(shí)形成，數(shù)據(jù)線102和電源線103(見(jiàn)圖2)與源電極和漏電極160和165、260和265同時(shí)形成。
如上所述，與使用七道掩膜加工的傳統(tǒng)工藝相比，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器用六道掩膜加工制造。本發(fā)明中掩蔽工藝的減少增加了總體制造產(chǎn)量。此外，因?yàn)榻^緣層未布置在對(duì)應(yīng)有機(jī)EL層320的區(qū)域內(nèi)，所以光透射率可以明顯提高。另外，因?yàn)橄袼仉姌O310在形成源電極和漏電極260和265的工藝前形成，所以可以防止源電極和漏電極被蝕刻工藝損壞(如果像素電極310在源電極和漏電極之后形成)，從而提高TFT的電性能。
本發(fā)明側(cè)重于有機(jī)EL顯示器而得以說(shuō)明。但是，本發(fā)明可應(yīng)用于其它平板顯示器，例如液晶顯示器(LCD)。
雖然本發(fā)明的一些實(shí)施例已得以顯示和說(shuō)明，但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在不背離本發(fā)明的宗旨和精髓的情況下，可對(duì)這些實(shí)施例作出改變。
權(quán)利要求
1.一種平板顯示器，包括襯底；形成在所述襯底上的具有開(kāi)口部分的像素電極；形成在所述襯底的與所述像素電極隔開(kāi)的表面上方的半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層具有形成在其兩個(gè)端部處的源極區(qū)和漏極區(qū)；形成在所述襯底的不包括所述像素電極的開(kāi)口部分的表面上方的第一絕緣層；形成在所述半導(dǎo)體層上方的所述第一絕緣層上的柵電極；以及形成在所述襯底的不包括所述像素電極的開(kāi)口部分的表面上方的第二絕緣層。
2.如權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其特征在于，還包括形成在所述第一和第二絕緣層中的接觸孔，該接觸孔暴露所述像素電極的一部分和所述半導(dǎo)體層的部分源極和漏極區(qū)域；形成在所述第二絕緣層上的源電極和漏電極，其中，源電極通過(guò)接觸孔中的一個(gè)電連接至源極區(qū)，漏電極通過(guò)接觸孔中的另一個(gè)電連接至漏極區(qū)和所述像素電極；以及形成在所述襯底的不包括所述像素電極的開(kāi)口部分的表面上方的第三絕緣層。
3.如權(quán)利要求2所述的平板顯示器，其特征在于，第三絕緣層是一平面層，該平面層包括氧化物層、氮化物層、SiNx、SiOx和丙烯中的一種。
4.如權(quán)利要求3所述的平板顯示器，其特征在于，開(kāi)口部分的面積尺寸小于所述像素電極的面積。
5.如權(quán)利要求2所述的平板顯示器，其特征在于，第三絕緣層是由光致抗蝕劑層構(gòu)成的平面層。
6.如權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其特征在于，開(kāi)口部分的面積尺寸小于所述像素電極的面積。
7.一種制造平板顯示器的方法，包括在襯底上形成彼此間隔的像素電極和半導(dǎo)體層；在襯底的表面上方形成第一絕緣層，以覆蓋像素電極和半導(dǎo)體層；在第一絕緣層的對(duì)應(yīng)半導(dǎo)體層的位置的部分上形成柵電極；在襯底的表面上方形成第二絕緣層，以覆蓋柵電極；在第一和第二絕緣層內(nèi)形成接觸孔，以暴露像素電極的一部分和部分半導(dǎo)體層；在第二絕緣層上形成源電極和漏電極，該源電極和漏電極通過(guò)接觸孔中的一個(gè)將源電極電連接至半導(dǎo)體層，并通過(guò)接觸孔中的另一個(gè)將漏電極電連接到半導(dǎo)體層和像素電極；在襯底表面上方形成光致抗蝕劑層，該層暴露第二絕緣層在像素電極上方的一部分；以及通過(guò)將光致抗蝕劑層用作掩膜蝕刻第一和第二絕緣層來(lái)形成開(kāi)口部分。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述的像素電極和半導(dǎo)體層的形成包括，在形成半導(dǎo)體層之后，形成像素電極。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述的像素電極和半導(dǎo)體層的形成包括在形成半導(dǎo)體層之前形成像素電極。
10.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述的半導(dǎo)體層的形成包括在襯底上形成多晶硅層；以及構(gòu)圖多晶硅層，以形成半導(dǎo)體層。
11.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述的半導(dǎo)體層的形成包括在襯底上沉積非晶硅層；退火非晶硅層，以形成多晶硅層；以及構(gòu)圖多晶硅層，以形成半導(dǎo)體層。
12.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述的半導(dǎo)體層的形成包括在襯底上形成多晶硅層；以及構(gòu)圖多晶硅層，以形成半導(dǎo)體層。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述的柵電極的形成包括在第一絕緣層上沉積第一金屬層；以及構(gòu)圖第一金屬層，形成柵電極。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，還包括在對(duì)應(yīng)半導(dǎo)體層的端部處形成源極區(qū)和漏極區(qū)。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述的源電極和漏電極的形成包括在第二絕緣層上沉積第二金屬層；以及構(gòu)圖第二金屬層，以形成源電極和漏電極。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述的開(kāi)口部分的形成包括將剩余的光致抗蝕劑層用作平面層。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述的像素電極和半導(dǎo)體層的形成包括在形成半導(dǎo)體層之后形成像素電極。
18.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述的像素電極和半導(dǎo)體層的形成包括在形成半導(dǎo)體層之前形成像素電極。
19.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，還包括在形成光致抗蝕劑層之前在襯底表面上方形成第三絕緣層；以及在將光致抗蝕劑層用作掩膜而形成開(kāi)口部分后，去除剩余的光致抗蝕劑層。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，第三絕緣層包括氧化物層、氮化物層和丙烯層中的一種。
21.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述的開(kāi)口部分的形成包括將剩余的光致抗蝕劑層用作平面層。
22.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，還包括在形成光致抗蝕劑層之前在襯底表面上方形成第三絕緣層；以及在將光致抗蝕劑層用作掩膜而形成開(kāi)口部分后，去除剩余的光致抗蝕劑層。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種平板顯示器。該顯示器包括:形成在絕緣襯底上的具有開(kāi)口部分的像素電極;形成在絕緣襯底的與像素電極隔開(kāi)的表面上方的半導(dǎo)體層,該半導(dǎo)體層具有形成在其兩端的源極區(qū)和漏極區(qū);形成在絕緣襯底的不包括像素電極的開(kāi)口部分的表面上方的第一絕緣層;形成在半導(dǎo)體層上方的第一絕緣層上的柵電極;以及形成在絕緣襯底的不包括像素電極的開(kāi)口部分的表面上方的第二絕緣層。本發(fā)明提供了一種用減少的掩膜工藝制造的有機(jī)電致發(fā)光顯示器,它具有優(yōu)秀的電性能和提高的光透射率。
文檔編號(hào)H01L27/12GK1381899SQ0210582
公開(kāi)日2002年11月27日 申請(qǐng)日期2002年4月11日 優(yōu)先權(quán)日2001年4月13日
發(fā)明者金琴男 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社