專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包括高擊穿電壓半導(dǎo)體器件如穿孔型IGBT(PT-IGBT)在內(nèi)的半導(dǎo)體器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
技術(shù)上認(rèn)為IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是高擊穿電壓半導(dǎo)體器件的一種。圖5是表示常規(guī)的穿孔型IGBT的結(jié)構(gòu)的截面圖。如圖5所示，IGBT包含n-型基層81。在n-型基極層81中形成p型基基層82。又，在p型極基層82中形成n型發(fā)射極層83。
通過柵極絕緣膜84在夾在n型發(fā)射極層83和n-型基極層81之間的p型基極層82上提供柵極電極85。柵極電極85例如是由多晶硅形成的。
通過在層間絕緣膜87中形成的接觸孔，發(fā)射極電極86與n型發(fā)射極層83和p型基極層82連接。發(fā)射極電極86由金屬例如Al形成。而且，n-型基極層81包括柵極電極85和發(fā)射極電極86的表面都用鈍化膜(圖中未畫出)覆蓋。
另一方面，通過n+型緩沖層88在n-型基極層81的背面上形成p+型集電極層89。在p+型集電極層89的表面上形成集電極電極90。集電極電極90由金屬例如Al形成。
然而，這類PT-IGBT引起一個如下描述的嚴(yán)重的問題。特別是，圖5所示的PT-IGBT是用具有預(yù)先在p+型集電極層89上形成的n+型緩沖層88和n-型基極層81的厚的外延圓片制成的。
更具體地說，用外延生長法在厚度為625μm的p+型集電極層89上連續(xù)地形成厚度15μm的n+型緩沖層88和厚度60μm的n-型基極層81，以便形成厚度為700μm的外延圓片。然后，對p+型集電極層89的背面進(jìn)行拋光使p+型集電極層89的厚度減小175μm，從而用外延圓片作為基片。
然而，制造厚度為700μm的外延圓片是很費(fèi)錢的，結(jié)果使圖5所示的PT-IGBT很昂貴。
為了克服上面指出的問題，本發(fā)明的發(fā)明者們已經(jīng)考慮用通常的圓片，其中n+型緩沖層88和p+型集電極層89并不預(yù)先形成在它的里面。
更具體地說，發(fā)明者們試圖用由包括在圓片表面上以所述順序連續(xù)地形成p型極基層82，n型發(fā)射極層83，柵極絕緣膜84，柵極電極85，層間絕緣膜87，發(fā)射極電極86，和鈍化層(圖中未畫出)，連續(xù)地將n型雜質(zhì)離子和p型雜質(zhì)離子注入n-型基極層81的背面，并用激光束照射n-型基極層81的背面，激活這些n型和p型雜質(zhì)，從而形成n+型緩沖層88和p+型集電極層89的方法制備的通常的圓片。
然而，因為由這種激光輻射(激光老煉)達(dá)到的熔化深度只有若干微米并且輻射時間很短，所以由激光輻射產(chǎn)生的熱不足以傳入n+型緩沖層88，使從例如離子注入導(dǎo)致的損害層保持在n+型緩沖層88中。結(jié)果，在器件接通的狀態(tài)下集電極和發(fā)射極之間的飽和電壓(VCE(飽和))增加，在器件斷開的狀態(tài)下使產(chǎn)生漏電流的特性減少。
因為受到損害的層起著注入空穴的陷阱的作用，所以飽和電壓VCE(飽和)增加。另一方面，因為如果受到損害的層91被耗盡了則受到損害的層91在器件斷開的狀態(tài)下起著載流子產(chǎn)生中心的作用，所以產(chǎn)生漏電流，如圖6所示。
作為一種用于消除由存在殘余的受到損害的層引起的問題的技術(shù)，減少注入n+型緩沖層88的n型雜質(zhì)的加速能量被認(rèn)為是有效的，這是因為n型雜質(zhì)的激活率隨著加速能量Vacc的減小而增大，如圖7所示。
我們應(yīng)該注意到，如果n型雜質(zhì)的加速能量減小，則n+型緩沖層88的深度減小，結(jié)果在n+型緩沖層88中的雜質(zhì)濃度分布受到p+型雜質(zhì)擴(kuò)散的很大影響，降低了濃度分布的可控性。
如果濃度分布的可控性降低，則會產(chǎn)生如下的嚴(yán)重問題。具體地說，如果濃度分布的可控性降低，則很難或者不可能形成每層都有希望濃度分布的n+型緩沖層88和p+型集電極層89。結(jié)果，就不可能得到希望的器件特性。又。這使器件在濃度分布上相互不同，導(dǎo)致器件特性的不均勻性。
無論如何，在這種常規(guī)的PT-IGBT中通過離子注入和激光老煉形成n+型緩沖層和p+型集電極層，結(jié)果使飽和電壓VCE(飽和)增加和在n+型緩沖層中雜質(zhì)濃度分布的可控性降低。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的第1方面，我們提供一種半導(dǎo)體器件，它包含具有第1導(dǎo)電型的第1基極層，具有第1和第2表面并進(jìn)一步具有高電阻的基極層，具有第2導(dǎo)電型的在第1表面中的第2基極層，具有第1導(dǎo)電型的在第2基極層中的發(fā)射極層，通過位于發(fā)射極層和第1基極層之間的第2基極層上面的柵極絕緣膜的柵極電極；具有第1導(dǎo)電型并進(jìn)一步具有高雜質(zhì)濃度的在第2表面中形成的緩沖層；由在緩沖層中的由SR分析得到的激活的第1導(dǎo)電型雜質(zhì)濃度[cm-2]/在緩沖層中的由SIMS分析得到的第1導(dǎo)電型雜質(zhì)濃度[cm-2]定義的第1激活率為25％或更大；具有第2導(dǎo)電型的在緩沖層中的集電極層；和由在集電極層中的由SR分析得到的激活的第2導(dǎo)電型雜質(zhì)濃度[cm-2]/在集電極層中的由SIMS分析得到的第2導(dǎo)電型雜質(zhì)濃度[cm-2]定義的第2激活率為大于0％和等于或小于10％。
根據(jù)本發(fā)明的第2方面，我們提供一種制造半導(dǎo)體器件的方法，它包含制備具有第1導(dǎo)電型的第1基極層并具有每個都具有高電阻的第1和第2表面的第1基極層；以所述順序在第1基極層的第1表面上連續(xù)地形成提供柵極絕緣膜的絕緣膜和提供柵極電極的導(dǎo)電膜；連續(xù)地使導(dǎo)電膜和絕緣膜形成圖案以便部分地露出第1表面；用自對準(zhǔn)在露出的第1表面上形成具有第2導(dǎo)電型的第2基極層；在第2基極層中選擇地形成具有第1導(dǎo)電型的發(fā)射極層；在發(fā)射極層上形成發(fā)射極電極；將具有第1導(dǎo)電型的第1雜質(zhì)離子注入第1基極層的第2表面；用第1老煉處理激活第1雜質(zhì)離子以便在第2表面上形成具有高雜質(zhì)濃度并具有第1導(dǎo)電型的緩沖層；將具有第2導(dǎo)電型的第2雜質(zhì)離子注入緩沖層的表面區(qū)域；和用第2老煉處理激活第2雜質(zhì)離子以便在緩沖層中形成具有第2導(dǎo)電型的集電極層。


圖1A到1F是表示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例制造PT-IGBT的方法的截面圖。
圖2是用于解釋SR分析的圖。
圖3是表示對于比較情形的PT-IGBT和本發(fā)明的PT-IGBT在每個n+型緩沖層和p+型集電極層中雜質(zhì)濃度的SIMS分析結(jié)果的圖。
圖4是表示n+型緩沖層的激活率“a”和VCE(飽和)之間關(guān)系的圖。
圖5是表示常規(guī)的PT-IGBT的結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖6是用于解釋在常規(guī)的PT-IGBT中漏電流發(fā)生機(jī)理的圖。
圖7是表示用離子注入引入的第1導(dǎo)電型雜質(zhì)的加速能量與激活率的依賴關(guān)系的圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在我們參照附圖描述本發(fā)明的一個實施例。
圖1A到1F是表示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例制造PT-IGBT的方法的截面圖。
在第1步驟中，以所述順序?qū)⑻峁〇艠O絕緣膜2的絕緣膜和提供柵極電極3的導(dǎo)電膜連續(xù)地沉積在n-型基極層1的表面上，如圖1A所示。柵極絕緣膜2例如由二氧化硅膜形成，柵極電極3例如由多晶硅形成。
然后，通過自對準(zhǔn)在n-型基極層1中形成p型基極層4，接著在p型基極層4中形成由n型發(fā)射層5，如圖1B所示。
在下一步驟中，將層間絕緣膜6沉積在整個表面上，接著在層間絕緣膜6中形成接觸孔，其次形成連接p型基極層4和n型發(fā)射層5的發(fā)射極電極7，如圖1C所示。發(fā)射極電極7例如由Al制成。偶爾，我們希望通過插入發(fā)射極電極7和包含p型基極層4和n型發(fā)射層5的半導(dǎo)體層之間的勢壘金屬層形成發(fā)射極電極7，代替形成與p型基極層4和n型發(fā)射極層5直接接觸的發(fā)射極電極7。
進(jìn)一步，用鈍化膜(圖中未畫出)，例如聚酰亞胺膜，覆蓋包括柵極電極3和發(fā)射極電極7的n-型基極層1的表面，并根據(jù)規(guī)定的擊穿電壓減小n-型基極層1的厚度。通過拋光n-型基極層1的背面減小n-型基極層1的厚度。例如用CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)進(jìn)行拋光。也可以用采用機(jī)械拋光和濕刻蝕兩者的方法減小n-型基極層1的厚度。在這種情形中，首先進(jìn)行機(jī)械拋光。
在下一步驟中，用離子注入法例如在160KeV的加速能量下以1×1015cm-2的摻雜量在n-型基極層1的背面中引入n型雜質(zhì)如磷，接著用準(zhǔn)分子激光器在例如2.5J/cm2的能量密度下照射n-型基極層1的背面。然后，加上激光老煉(第1老煉)以便熔化從n-型基極層1的背面不深于2μm的區(qū)域，從而在n-型基極層1的背面上形成n+型緩沖層8，如圖1D所示。激光老煉的溫度不低于硅的化溫度，例如不低于1,300℃。
這樣形成的n+型緩沖層8具有25％或更大的激活率“a”(第1激活率)，并具有從n-型基極層1的背面小于2μm的厚度。在如圖1F所示的處理中n-型基極層1的背面提供p+型集電極層9的前面。
上述激活率“a”由P/Q定義，其中P代表由SR分析得到的在n+型激活緩沖層中的n型雜質(zhì)的濃度[cm-2]，Q代表由SIMS分析得到的在n+型激活緩沖層中的n型雜質(zhì)的濃度[cm-2]。
簡而言之，技術(shù)上已知的SR分析如下所示。具體地說，如果使2個探針之間的距離減小到足夠小(數(shù)十到數(shù)百μm)，給定與樣品接觸的每個探針的半徑為“a”，擴(kuò)展電阻Rs和電阻率ρ之間的關(guān)系給定為Rs＝ρ/2a。
圖2表示在由雜質(zhì)擴(kuò)散形成pn結(jié)被傾斜地拋光后進(jìn)行的SR分析，用2個探針之間的距離為20μm的儀器進(jìn)行SR分析。圖2所示的DOPING TYPE II(摻雜類型II)對應(yīng)于n+型緩沖層8，DOPINGTYPE I(摻雜類型I)對應(yīng)于在下一步驟中形成的p+型集電極層9。
考慮如上所述地形成的n+型緩沖層8，由SR分析得到的激活的n型雜質(zhì)的濃度[cm-2]為2.7×1014cm-2，由SIMS分析得到的n型雜質(zhì)的濃度[cm-2]為1×1015cm-2。從而得到上述激活率“a”為25％或更高，即a≥25％。
如圖4所示，將激活率“a”設(shè)為“25％”或更高的理由是當(dāng)它超過25％時VCE(sat)被充分地減小。還已經(jīng)發(fā)現(xiàn)在大于或等于25％的區(qū)域漏電流充分地減小。
在下一步驟中，在50KeV的加速能量下以1×1015cm-2的摻雜量在n+型緩沖層8的表面中注入硼離子(B+)，以便在n+型緩沖層8中提供p+型集電極層9，如圖1E所示。
我們希望，硼的注入量為使p+型集電極層9的一部分由于硼的離子注入而非晶形的值。這就是為什么注入硼離子的激活率在連續(xù)無序的非晶形狀態(tài)中比在老煉溫度相同時包含部分無序的層中高的原因。
更具體地說，當(dāng)從p+型集電極層9的表面2μm內(nèi)的區(qū)域中p型雜質(zhì)的摻雜量[cm-2]為1×1015cm-2時，在450℃老煉處理后的激活率“b”(第2激活率)約為3％，當(dāng)上述摻雜量[cm-2]為1×1014cm-2，低于上述值時，激活率“b”小于1％。
對于p+型集電極層9，其中p型雜質(zhì)的摻雜量[cm-2]為1×1015cm-2，由SR分析得到的激活的p型雜質(zhì)的濃度3×1013cm-2，由SIMS分析得到的p型雜質(zhì)的濃度1×1015cm-2。它們的比，即，激活率“b”約為3％。
又，當(dāng)p型雜質(zhì)的摻雜量[cm-2]為1×1014cm-2時，由SR分析得到的激活的p型雜質(zhì)的濃度6×1011cm-2，由SIMS分析得到的p型雜質(zhì)的濃度1×1014cm-2。從而得到激活率“b”小于1％。
進(jìn)一步，能夠成為非晶形的硼的摻雜量約為1015cm-2或更大。
在下一步驟中，通過濺射由在Al基體中加入Si制備的Al-Si靶將由Al-Si材料構(gòu)成的集電極電極10沉積在p+型集電極層9上，接著在450℃燒結(jié)集電極電極10(第2老煉)，如圖1F所示。在本情形中將燒結(jié)溫度設(shè)定在450℃。然而，燒結(jié)溫度不限于450℃。換句話說，燒結(jié)溫度的上限由發(fā)射極電極7的材料和飩化膜的材料決定。
即，必須使燒結(jié)溫度的上限不高于發(fā)射極電極7的材料的熔化溫度，和不高于能夠保持飩化膜質(zhì)量的溫度。例如，當(dāng)用聚酰亞胺形成飩化膜時，上述燒結(jié)溫度的上限為560℃。
燒結(jié)處理也用作老煉，以便激活注入n+型緩沖層8的表面中的硼離子。從而可以在n+型緩沖層8上形成p+型集電極層9而沒有增加處理步驟的數(shù)目。上述的燒結(jié)處理代表用電爐進(jìn)行的熱處理(電爐老煉)。
由在450℃進(jìn)行的燒結(jié)處理達(dá)到的硼離子的激活率小于1％。在這種情形中，如果如圖1E所示在注入硼離子的步驟中使p+型集電極層9的一部分非晶形，則可以期待達(dá)到較高的激活率。
提供p+型集電極層9，使得激活率“b”(第2激活率)大于0％小于10％。激活率“b”的定義與上面給出的激活率“a”的定義相同。更具體地說，激活率“b”由X/Y定義，其中X代表由SR分析得到的激活的p+型集電極層9中的p型雜質(zhì)的濃度[cm-2]，Y代表由SIMS分析得到的在p+型集電極層9中的p型雜質(zhì)的濃度[cm-2]。為什么激活率“b”落在上述范圍內(nèi)，即0(％)＜“b”≤10(％)的原因是硼離子被燒結(jié)處理激活。
進(jìn)一步，用已知的方法形成V/Ni/Au電極(圖中未畫出)，接著將它切成小方塊。
圖3畫出雜質(zhì)濃度分布，該分布表示在分別由激光老煉和燒結(jié)激活磷離子和硼離子的情形(本發(fā)明)中和分別由激光老煉激活磷離子和硼離子的情形(比較情形)中每個n+型緩沖層和p+型集電極層中雜質(zhì)濃度的SIMS分析結(jié)果。
圖3表示在比較情形中，硼離子擴(kuò)散進(jìn)入從p+型集電極層的表面0.1μm內(nèi)的區(qū)域。然而在本發(fā)明情形中，硼離子擴(kuò)散很少發(fā)生在從p+型集電極層的表面0.1μm內(nèi)的區(qū)域中。換句話說，本發(fā)明的方法使雜質(zhì)濃度分布達(dá)到高斯分布成為可能，而在比較情形中這是不能夠達(dá)到的。
因此，如上所述，如果由激光老煉進(jìn)行磷離子的激活以便提供相對淺薄的n+型緩沖層，則因為硼離子是被燒結(jié)激活的，所以能夠充分防止包含在p+型集電極層中的硼擴(kuò)散進(jìn)入n+型緩沖層。所以，能夠防止在n+型緩沖層中磷濃度分布的可控性降低。
更具體地說，分別地進(jìn)行為了激活注入第1導(dǎo)電型的基極層的第1導(dǎo)電型雜質(zhì)離子的老煉和為了激活注入第1導(dǎo)電型的緩沖層的第2導(dǎo)電型雜質(zhì)離子的老煉。即，因為在使得第2導(dǎo)電型雜質(zhì)很少擴(kuò)散進(jìn)入第1導(dǎo)電型基極層，從而不會導(dǎo)致器件性能下降和濃度分布的可控性降低的條件下進(jìn)行第2老煉，所以能夠制造包括高擊穿電壓半導(dǎo)體器件如PT-IGBT在內(nèi)的半導(dǎo)體器件，這些半導(dǎo)體器件能夠抑制器件性能下降和雜質(zhì)濃度分布的可控性降低。上述的條件例如是第2老煉溫度低于第1老煉溫度。
進(jìn)一步，通過抑制濃度分布的可控性降低，能夠解除如由可控性降低導(dǎo)致不能得到希望的器件特性和器件特性隨器件的不同而不同這樣一些常規(guī)的問題。
因為提供的n+型緩沖層和p+型集電極層每個都具有希望的雜質(zhì)濃度分布，所以能夠得到希望的器件特性。
在上述實施例中，使第2老煉溫度低于第1老煉溫度，以便防止包含在p+型集電極層中的p型雜質(zhì)擴(kuò)散進(jìn)入n+型緩沖層。換句話說，也能夠通過控制老煉時間或通過控制老煉溫度和老煉時間兩者防止上述的雜質(zhì)擴(kuò)散。
本發(fā)明不限于上述實施例。例如在上述實施例中，第1導(dǎo)電型是n型，第2導(dǎo)電型是p型。然而，也可以用p型作為第1導(dǎo)電型，用n型作為第2導(dǎo)電型。
進(jìn)一步，在上述實施例中，集電極電極10的燒結(jié)處理用作在p+型集電極層9中硼離子的激活處理。然而，可以用不同的熱處理分別進(jìn)行集電極電極10的燒結(jié)處理和硼離子的激活處理。在這種情形中，可以容易地使每個熱處理的條件最佳化。
更進(jìn)一步，在上述實施例中，我們已經(jīng)說明了PT-IGBT的分立器件。然而，也可以使控制電路和保護(hù)電路處于同一塊芯片中那樣地形成PT-IGBT和其它電路。
進(jìn)一步，在上述實施例中，可以將本發(fā)明應(yīng)用于其它的高擊穿電壓半導(dǎo)體器件如IEGT(注入增強(qiáng)型柵晶體管)。換句話說，可以將本發(fā)明應(yīng)用于具有這樣一種結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體器件，該結(jié)構(gòu)包括第1導(dǎo)電型的高電阻基極層/具有高雜質(zhì)濃度的第1導(dǎo)電型的緩沖層/第2導(dǎo)電型的集電極層。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，PT-IGBT沒有如在n+型緩沖層中VCE(飽和))上升，漏電流增加，雜質(zhì)濃度分布的可控性降低這樣的問題。
我們也應(yīng)該注意到本發(fā)明可以提供能夠抑制器件特性的惡化和雜質(zhì)濃度分布的可控性惡化的具有高擊穿電壓的半導(dǎo)體器件，和制造該器件的方法。
對于那些熟練的技術(shù)人員來說很容易了解附加的優(yōu)點和修改。所以，本發(fā)明在它的更廣闊的方面不限于這里指出和描述的具體細(xì)節(jié)和代表性的實施例。因此，可以作出各種不同的修改而沒有偏離由所附權(quán)利要求書和它們的等效物定義的普遍的創(chuàng)造性概念的精神或范圍。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，它包含具有第1導(dǎo)電型的第1基極層，所述第1基極層具有第1和第2表面并進(jìn)一步具有高電阻；具有第2導(dǎo)電型的在所述第1表面上的第2基極層；具有所述第1導(dǎo)電型的在所述第2基極層中的發(fā)射極層；通過在位于所述發(fā)射極層和所述第1基極層之間的所述第2基極層上面的柵極絕緣膜的柵極電極；具有所述第1導(dǎo)電型并進(jìn)一步具有高雜質(zhì)濃度的在所述第2表面中形成的緩沖層；由在所述緩沖層中的由SR分析得到的激活的第1導(dǎo)電型雜質(zhì)濃度[cm-2]/在所述緩沖層中的由SIMS分析得到的第1導(dǎo)電型雜質(zhì)濃度[cm-2]定義的第1激活率，該第1激活率為25％或更大；具有所述第2導(dǎo)電型的在所述緩沖層中的集電極層；和由在所述集電極層中的由SR分析得到的激活的第2導(dǎo)電型雜質(zhì)濃度[cm-2]/在所述集電極層中的由SIMS分析得到的第2導(dǎo)電型雜質(zhì)濃度[cm-2]定義的第2激活率，該第2激活率大于0％，等于或小于10％。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中在位于從所述集電極層的表面2μm內(nèi)的所述緩沖層中的第2導(dǎo)電型雜質(zhì)的摻雜量為1×1015cm-2或更大。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中在從所述集電極層的表面2μm內(nèi)形成的所述基極層中具有所述緩沖層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的半導(dǎo)體器件，其中在位于從所述集電極層的表面2μm內(nèi)的所述緩沖層中的第2導(dǎo)電型雜質(zhì)的摻雜量為1×1015cm-2或更大。
5.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，它包含制備具有第1導(dǎo)電型并具有第1和第2表面的第1基極層，所述第1基極層具有高電阻；在第1基極層的所述第1表面上連續(xù)地沉積提供柵極絕緣膜的絕緣膜和提供柵極電極的導(dǎo)電膜；連續(xù)地使所述導(dǎo)電膜和所述絕緣膜形成圖案，以便部分地露出所述第1表面；用自對準(zhǔn)在露出的第1表面中形成具有第2導(dǎo)電型的第2基極層；在所述第2基極層中選擇地形成具有所述第1導(dǎo)電型的發(fā)射極層；在所述發(fā)射極層上形成發(fā)射極電極；將具有所述第1導(dǎo)電型的第1雜質(zhì)離子注入所述第2表面；用第1老煉激活所述第1雜質(zhì)離子，以便在所述第2表面上形成具有高雜質(zhì)濃度并具有所述第1導(dǎo)電型的緩沖層；將具有所述第2導(dǎo)電型的第2雜質(zhì)離子注入所述緩沖層；和用第2老煉激活所述第2雜質(zhì)離子，以便在所述緩沖層中形成具有上述導(dǎo)電類型的集電極。
6.權(quán)利要求5的方法，其中由在所述緩沖層中的由SR分析得到的激活的第1導(dǎo)電型雜質(zhì)濃度[cm-2]/在所述緩沖層中的由SIMS分析得到的第1導(dǎo)電型雜質(zhì)濃度[cm-2]定義的第1激活率，該第1激活率為25％或更大；由在所述集電極層中的由SR分析得到的激活的第2導(dǎo)電型雜質(zhì)濃度[cm-2]/在所述集電極層中的由SIMS分析得到的第2導(dǎo)電型雜質(zhì)濃度[cm-2]定義的第2激活率，該第2激活率大于0％，等于或小于10％。
7.權(quán)利要求5的方法，其中用于進(jìn)行第2老煉的溫度低于進(jìn)行第1老煉的溫度。
8.權(quán)利要求5的方法，其中進(jìn)行第2老煉的溫度低于用于保持鈍化的質(zhì)量的溫度。
9.權(quán)利要求5的方法，其中所述1是激光老煉，所述2是電爐老煉。
10.權(quán)利要求5的方法，其中以使所述的集電極為非晶的劑量將所述2雜質(zhì)離子注入所述緩沖層。
全文摘要
一種半導(dǎo)體器件包含用于提供PT－IEBT或IEGT結(jié)構(gòu)的第1基極層,該結(jié)構(gòu)包括緩沖層和在緩沖層中提供的集電極層。由在緩沖層中的由SR分析得到的激活的第1導(dǎo)電型雜質(zhì)濃度[cm
文檔編號H01L21/331GK1379480SQ0210872
公開日2002年11月13日 申請日期2002年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2001年3月29日
發(fā)明者小林源臣, 野崎秀樹 申請人:株式會社東芝