專利名稱：在有機(jī)發(fā)光裝置的制造中可重復(fù)使用的物質(zhì)量傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對在有機(jī)發(fā)光裝置的制造中對通過物理氣相沉積形成的有機(jī)材料的有機(jī)層進(jìn)行監(jiān)測和控制的方法。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光裝置也被稱為有機(jī)電熒發(fā)光裝置，可通過將兩個或更多有機(jī)層夾在第一電極和第二電極之間制成。
在一種常規(guī)結(jié)構(gòu)的無源矩陣(passive matrix)有機(jī)發(fā)光裝置中，多個橫向間隔的光傳輸陽極例如氧化銦錫(indium-tin-oxide，即ITO)作為第一電極形成在光傳輸基體(例如，玻璃基體)上。接著在保持減小的壓力(通常小于10-3托)的腔室內(nèi)利用來自于相應(yīng)源的相應(yīng)有機(jī)材料的氣相沉積順序地形成兩個或多個有機(jī)層。多個橫向間隔的陰極作為第二電極沉積在最上方的有機(jī)層上。陰極的取向相對于陽極的取向形成一定的角度，通常為直角。
通過在適合的列(陽極)和每一行(陰極)之間順序地提供電勢(也被稱為驅(qū)動電壓)來使這樣的常規(guī)無源矩陣有機(jī)發(fā)光裝置工作。當(dāng)陰極相對于陽極具有負(fù)偏壓時(shí)，光從由陰極和陽極的重疊區(qū)域所限定的像素被發(fā)出，并且發(fā)出的光通過陽極和基體達(dá)到觀察者。
在一種有源矩陣(active matrix)有機(jī)發(fā)光裝置中，作為第一電極的一組陽極由與相應(yīng)的光傳輸部分相連的薄膜晶體管(TFTs)提供。以一種基本上與上述無源矩陣有機(jī)發(fā)光裝置的構(gòu)成相同的方式通過氣相沉積順序地形成兩個或多個有機(jī)層。公共陰極作為第二電極沉積在最上方的有機(jī)層上。US-A-5,550,066中描述了一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)和功能，該文獻(xiàn)所披露的內(nèi)容在這里作為參考。
例如，在US-A-4,356,429；US-A-4,539,507；US-A-4,720,432和US-A-4,769,292中描述了用于構(gòu)成一種有機(jī)發(fā)光裝置的有機(jī)材料、氣相沉積有機(jī)層的厚度和層的結(jié)構(gòu)，這些文獻(xiàn)所披露的內(nèi)容在這里作為參考。
為了提供一種厚度基本均勻且精確的有機(jī)發(fā)光裝置，必須對該裝置的有機(jī)層形成進(jìn)行監(jiān)測或控制。這種對利用來自于某一源的有機(jī)材料的升華或蒸發(fā)以使有機(jī)層氣相沉積的控制通常是通過將監(jiān)測裝置設(shè)置在氣相沉積區(qū)內(nèi)來完成的，基體或結(jié)構(gòu)件在所述氣相沉積區(qū)內(nèi)被有機(jī)層覆蓋。這樣，在有機(jī)層形成在基體或結(jié)構(gòu)件上的同時(shí)，監(jiān)測裝置能夠接收有機(jī)層。該監(jiān)測裝置又提供響應(yīng)于有機(jī)層在監(jiān)測裝置上的形成速率的電信號，而有機(jī)層在監(jiān)測裝置上的形成速率與用于提供有機(jī)發(fā)光裝置的有機(jī)層在基體或結(jié)構(gòu)件上的形成速率是相關(guān)的。該監(jiān)測裝置的電信號被處理和/或放大，并且可用于通過調(diào)節(jié)蒸汽源溫度控制元件(例如，源加熱器)來控制氣相沉積速率和形成在裝置基體或結(jié)構(gòu)件上的有機(jī)層厚度。
公知的監(jiān)測裝置是所謂的晶體物質(zhì)量傳感器(crystal mass-sensor)裝置，其中監(jiān)測器是具有兩個相反電極的石英晶體。該晶體是設(shè)置在沉積速率監(jiān)測器中的振蕩器電路的一部分。在一個可接受的范圍內(nèi)，振蕩器電路的振蕩頻率與由沉積在晶體上的一層或多層材料振蕩的晶體表面上的物質(zhì)量負(fù)荷大約成反比。當(dāng)超過可接受的晶體物質(zhì)量負(fù)荷的范圍時(shí)，例如形成過多數(shù)量的沉積層，振蕩器電路不再可靠地發(fā)揮其功能，必須利用新的晶體物質(zhì)量傳感器代替“超載”的晶體。而這樣的替換要求停止氣相沉積過程。
另外，當(dāng)一定類型的有機(jī)層沉積在晶體物質(zhì)量傳感器裝置上時(shí)，在覆蓋的厚度達(dá)到500-2000納米后，各層可能會開始開裂并且從物質(zhì)量傳感器表面剝落。這可能會使晶體物質(zhì)量傳感器在厚度恰好在上述物質(zhì)量負(fù)荷限度下時(shí)使其在覆蓋速率檢測性能方面變得不準(zhǔn)確。
在技術(shù)改進(jìn)過程中，通常可在由于物質(zhì)量負(fù)荷過大或者沉積薄膜的開裂和剝落而必須更換晶體物質(zhì)量傳感器之前準(zhǔn)備幾個有機(jī)發(fā)光裝置。這樣的改進(jìn)中并不困難，這是由于其它的考慮因素通常需要通過打開沉積腔室來中斷氣相沉積，從而以人工更換基體或結(jié)構(gòu)件、在較小的蒸汽源中補(bǔ)充有機(jī)材料等。
但是在制造環(huán)境中，需要重復(fù)地制作數(shù)量較多的有機(jī)發(fā)光裝置，因此，更換“超載”的晶體物質(zhì)量傳感器或具有開裂的或剝落的有機(jī)層的晶體物質(zhì)量傳感器會受到嚴(yán)重的限制，這是因?yàn)橹圃煜到y(tǒng)配置成能夠全面地提供在許多裝置結(jié)構(gòu)件上生產(chǎn)所有有機(jī)層的能力，甚至能夠生產(chǎn)全封閉的有機(jī)發(fā)光裝置。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個目的在于，通過提供用于控制有機(jī)層厚度的可重復(fù)使用的傳感器來形成有機(jī)層。該目的可通過這樣一種方法來實(shí)現(xiàn)，本發(fā)明提供一種用于將蒸發(fā)的或升華的有機(jī)層沉積在結(jié)構(gòu)件上以形成有機(jī)發(fā)光裝置的一部分，所述方法包括下列步驟(a)在沉積區(qū)沉積有機(jī)材料以形成有機(jī)發(fā)光裝置的層；(b)提供可移動的傳感器，當(dāng)所述傳感器移動到沉積區(qū)中并在沉積步驟中被覆蓋時(shí)提供表示形成所述層的有機(jī)材料的厚度的信號；(c)根據(jù)所述信號控制有機(jī)材料的沉積以控制沉積速率和形成在結(jié)構(gòu)件上的有機(jī)層的厚度；(d)將可移動的傳感器從沉積區(qū)移動到清潔位置；以及(e)去除可移動的傳感器上的有機(jī)材料以使可移動的傳感器能夠重復(fù)使用。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是，用于控制發(fā)光裝置中的一個或更多有機(jī)層的厚度的晶體物質(zhì)量傳感器可被清潔和重復(fù)使用，從而能夠提供更有效的制造方法。


圖1是無源矩陣有機(jī)發(fā)光裝置(OLED)的示意性透視圖，所述有機(jī)發(fā)光裝置(OLED)中具有被部分剝離的元件以露出各層；圖2是適于制造大量有機(jī)發(fā)光裝置(OLEDs)并具有從轂部延伸出的多個工位的的制造系統(tǒng)的示意性透視圖；圖3是裝有數(shù)量較多的基體或結(jié)構(gòu)件的載體的示意性截面圖，如在圖2中截線3-3所示，該載體位于圖2中所示系統(tǒng)的裝載工位中；圖4是表示在圖2中所示系統(tǒng)中的用于在基體或結(jié)構(gòu)件上形成氣相沉積有機(jī)空穴傳輸層(HTL)的氣相沉積工位的示意性截面圖，該氣相沉積工位如在圖2中截線4-4所示；圖5是圖4中所示晶體物質(zhì)量傳感器和相關(guān)的沉積速率監(jiān)測器的放大的示意性截面圖；圖6示意性地示出了圖4中所示的傳感器，該傳感器的表面上具有較高的物質(zhì)量負(fù)荷，物質(zhì)量負(fù)荷采用N層有機(jī)空穴傳輸材料的形式，其中現(xiàn)有技術(shù)中所涉及的傳感器的此類物質(zhì)量負(fù)荷會使相關(guān)的沉積速率監(jiān)測器在讀出的沉積速率時(shí)不可靠或者可能不會工作；
圖7示意性地示出了位于圖2中所示的HTL沉積工位內(nèi)的本發(fā)明所涉及的可移動的傳感器組件，其中第一晶體物質(zhì)量傳感器在沉積區(qū)中工作，而所示的第三傳感器位于用于提供清潔閃光的光導(dǎo)管附近，當(dāng)?shù)谝粋鞲衅鞣e累了較高的物質(zhì)量負(fù)荷時(shí)所述第二傳感器在清潔后處于將進(jìn)入沉積區(qū)的位置；圖7A示出了圖7中所示的光導(dǎo)管，該光導(dǎo)管還可包括設(shè)置在光導(dǎo)管頂端附近的加熱器和用于收集被清潔閃光從傳感器上去除的有機(jī)材料的收集裝置；圖7B示意性地示出了傾斜地朝向物質(zhì)量負(fù)荷傳感器的光導(dǎo)管和用于收集被清潔閃光從傳感器上去除的有機(jī)材料的收集裝置；圖7C示意性地示出了另一種用于從傳感器上去除有機(jī)材料的光學(xué)清潔裝置，其中清潔輻射源通過透鏡、位于腔室殼體內(nèi)的窗口以及可加熱的鏡提供朝向物質(zhì)量負(fù)荷傳感器的清潔輻射；圖8是表示圖7中所示可移動的傳感器組件的視圖，但示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的用于對具有高物質(zhì)量負(fù)荷的傳感器進(jìn)行清潔的加熱器；圖9A-9D是本發(fā)明應(yīng)用中所用的可轉(zhuǎn)動傳感器支承件的不同實(shí)施例的示意性平面圖，用虛輪廓線表示在沉積區(qū)中的傳感器的位置和傳感器清潔位置；以及圖10是圖5中所示的晶體物質(zhì)量傳感器的放大截面圖，但根據(jù)本發(fā)明，在傳感器表面上具有預(yù)先形成的輻射吸收層以增強(qiáng)在清潔位置中全部或部分去除傳感器上的有機(jī)層的效果。
由于OLED的層厚尺寸通常在亞微米范圍內(nèi)，而表示裝置橫向尺寸的特征可在50-500毫米的范圍內(nèi)，因此附圖必然是示意性的。因此，附圖中的比例是為了看起來方便而不是精確尺寸。
具體實(shí)施例方式“基體”一詞在這里指的是其上預(yù)先形成有多個橫向間隔的第一電極(陽極)的光傳輸支承件，此基體是無源矩陣OLED的前身。“結(jié)構(gòu)件”一詞在這里指的是在接收一部分氣相沉積有機(jī)層后的基體，并且表示了有源矩陣排列與無源矩陣前身的差別。
參見圖1，圖1是表示無源矩陣有機(jī)發(fā)光裝置(OLED)10的示意性透視圖，在所示的有機(jī)發(fā)光裝置(OLED)10中，部分元件被剝離以露出各層。
光傳輸基體11上形成有多個橫向間隔開的第一電極12(也被稱為陽極)。利用物理氣相沉積方法依次形成有機(jī)空穴傳輸層(HTL)13、有機(jī)發(fā)光層(LEL)14和有機(jī)電子傳輸層(electron-transportinglayer)(ETL)15，后面將進(jìn)行更詳細(xì)的描述。多個橫向間隔的第二電極16(也被稱為陰極)形成在有機(jī)電子傳輸層15上并且第二電極16的排列方向與第一電極12的排列方向基本垂直。封裝或蓋18使該結(jié)構(gòu)件的感光部分與周圍環(huán)境密封，從而提供了完整的OLED10。
參見圖2，圖2是表示適于利用自動操作裝置或者機(jī)器人裝置(未示出)制造大量有機(jī)發(fā)光裝置的制造系統(tǒng)100的示意性透視圖，所述自動操作裝置或者機(jī)器人裝置用于在從緩沖轂(buffer hub)102延伸的多個工位和從傳輸轂(transfer hub)104延伸的多個工位中輸送或傳輸基體或結(jié)構(gòu)件。真空泵106經(jīng)過泵接口107為緩沖轂102和傳輸轂(transfer hub)104內(nèi)部提供減小的壓力，并且為從這些轂部延伸的每一個工位內(nèi)部提供減小的壓力。壓力計(jì)108顯示系統(tǒng)100內(nèi)的減小的壓力。該壓力可在10-2至10-6托的范圍內(nèi)。
這些工位包括用于裝載基體或結(jié)構(gòu)件的裝載工位110、用于形成有機(jī)空穴傳輸層(HTL)的氣相沉積工位130、用于形成有機(jī)發(fā)光層(LEL)的氣相沉積工位140、用于形成有機(jī)電子傳輸層(ETL)的氣相沉積工位150、用于形成多個第二電極(陰極)的氣相沉積工位150、用于將結(jié)構(gòu)件從緩沖轂102傳輸?shù)絺鬏斴?04的卸載工位103以及通過連接器接口105與傳輸轂104相連的封裝工位180，傳輸轂104還提供儲放工位170。這些工位的每一個都分別具有延伸到緩沖轂102和傳輸轂104中的開放接口，并且每一個工位具有真空密封接口(未示出)以接入用于清潔、補(bǔ)充材料的工位和用于更換或修理部件的工位。每一個工位包括限定腔室的殼體。
圖3是沿圖2中的截線3-3所剖得的表示裝載工位110的示意性截面圖。裝載工位110具有殼體110H，殼體110H限定腔室110C。載體111設(shè)置在該腔室內(nèi)，載體111用于承載多個具有預(yù)先形成的第一電極12的基體11(見圖1)。所設(shè)置的載體111也可用于支撐多個有源矩陣結(jié)構(gòu)件。載體111也可被設(shè)置在卸載工位103和儲放工位170中。
參見圖4，圖4是沿圖2中的截線4-4所剖得的表示HTL氣相沉積工位130的示意性截面圖。殼體130H限定了腔室130C?；w11(見圖1)被固定在固定裝置131中，固定裝置131可構(gòu)成掩?？?。源134位于絕熱支撐件132上，源134充有有機(jī)空穴傳輸材料13a，有機(jī)空穴傳輸材料13a充填到水平面13b。利用加熱元件135對源134加熱，加熱元件135通過導(dǎo)線245和247與源電源240的相應(yīng)輸出端子244和246相連。
當(dāng)源溫度足夠高時(shí)，有機(jī)空穴傳輸材料13a將蒸發(fā)或升華，從而提供有機(jī)空穴傳輸材料的氣相沉積區(qū)13v(如圖中的虛線和箭頭所示)。
基體11以及常規(guī)的晶體物質(zhì)量傳感器200位于沉積區(qū)內(nèi)，并且這些元件中的每一個上都形成有有機(jī)空穴傳輸層13f(如圖中虛輪廓線所示)。
如在本領(lǐng)域公知的，晶體物質(zhì)量傳感器200通過導(dǎo)線210與沉積速率監(jiān)測器220的輸入端子216相連。傳感器200是設(shè)置在監(jiān)測器220中的振蕩器電路的一部分，所述振蕩器電路以一定的頻率振蕩，所述頻率基本上與晶體的物質(zhì)量負(fù)荷成反比，晶體的物質(zhì)量負(fù)荷例如是由所形成的層13f提供的物質(zhì)量負(fù)荷。監(jiān)測器220包括能夠產(chǎn)生與物質(zhì)量負(fù)荷的速率成比例的信號的微分電路，即能夠產(chǎn)生與層13f的沉積速率成比例的信號的微分電路。該信號由沉積速率監(jiān)測器220顯示并且在其輸出端子222處被提供。導(dǎo)線224將該信號與控制器或放大器230的輸入端子226連接在一起，控制器或放大器230在輸出端子232處提供輸出信號。后面的輸出信號通過導(dǎo)線234和輸入端子236成為源電源240的輸入信號。
這樣，如果在氣相沉積區(qū)13v內(nèi)的蒸汽流是暫時(shí)穩(wěn)定的，那么層13f的物質(zhì)量增加或增長將以恒定的速率進(jìn)行。速率監(jiān)測器220將在輸出端子222處提供恒定的信號，并且源電源240將通過導(dǎo)線245和247為源134的加熱元件135提供恒定的電流，從而將暫時(shí)穩(wěn)定的蒸汽流維持在沉積區(qū)內(nèi)。在穩(wěn)定的氣相沉積條件下(即在沉積速率恒定的條件下)，在固定的沉積時(shí)間內(nèi)，能夠在基體和晶體物質(zhì)量傳感器200上實(shí)現(xiàn)有機(jī)空穴傳輸層13所需最終厚度(見圖1)，此時(shí)，可通過終止對源134的加熱或者將快門(未示出)放置在源上來終止氣相沉積。
盡管為了便于描述，圖4中示出的源134比較簡單，但是應(yīng)該理解的是，可采用其他多種源結(jié)構(gòu)以便在沉積區(qū)內(nèi)提供蒸發(fā)或升華后的有機(jī)材料氣體。
圖5是圖4中所示的現(xiàn)有技術(shù)中所涉及的晶體物質(zhì)量傳感器200和相關(guān)的沉積速率監(jiān)測器220的放大的示意性截面圖。晶體204具有前電極205和后電極206。電接地的殼體202與前電極205電接觸并且通過連接裝置209與導(dǎo)線210的被防護(hù)的部分相連。導(dǎo)線210的振蕩器信號運(yùn)載部分通過連接器207與后電極206相連。殼體130H的各部分、氣相沉積區(qū)13v以及形成在前電極205上的有機(jī)空穴傳輸層13f和殼體202的前部與圖4中的相應(yīng)元件相對應(yīng)。
通常，晶體物質(zhì)量傳感器的殼體202是水冷的(在附圖中未示出)。水冷能夠使晶體的溫度保持穩(wěn)定并且保證沉積監(jiān)測準(zhǔn)確以及不受熱效應(yīng)的影響。
圖6示意性地示出了圖4中所示的晶體物質(zhì)量傳感器200，目前所示的晶體物質(zhì)量傳感器200具有較高的物質(zhì)量負(fù)荷，物質(zhì)量負(fù)荷采用N層有機(jī)空穴傳輸材料13的形式。在物質(zhì)量負(fù)荷較高(由于累積的沉積層作為N個連續(xù)接收有機(jī)空穴傳輸材料13的基體或結(jié)構(gòu)件)的情況下，沉積速率監(jiān)測器220可能不會工作或者讀出的沉積速率不可靠。
由于沉積在傳感器上的厚度低于N個連續(xù)層厚度的有機(jī)材料部分開裂、剝離或者剝落，也會使監(jiān)測器220變得不可靠。
現(xiàn)參見圖7，其中示出了本發(fā)明所涉及的物質(zhì)量傳感器300的一個實(shí)施例，物質(zhì)量傳感器300代替圖4、5和6中所示的單個定位式物質(zhì)量傳感器200。
為了列舉目的而描述的可轉(zhuǎn)動的傳感器支承件320用于支撐三個晶體物質(zhì)量傳感器301、302和303。傳感器301位于上述氣相沉積區(qū)13v中并且在其中工作(與如圖4中所示的基體或結(jié)構(gòu)件一起)。導(dǎo)線與每一個晶體的后電極相連(見圖5)，并且導(dǎo)線接觸端323(諸如，彈簧偏壓接觸端)與形成在電絕緣傳感器支承件320上的傳感器接觸端321(傳感器301的)接合。
通過密封件327使傳感器支承件320以轉(zhuǎn)動的方式設(shè)置在工位130的殼體130H(見圖2)中，并且可利用轉(zhuǎn)動器325以這里所述的手動模式或者通過步進(jìn)馬達(dá)或類似裝置以一種自動分度的轉(zhuǎn)動模式(automated indexed rotation mode)使傳感器支撐件320轉(zhuǎn)動。
當(dāng)傳感器301在沉積區(qū)中工作時(shí)，傳感器303位于光導(dǎo)管392的附近，光導(dǎo)管392能夠提供來自于清潔閃光裝置390的閃光輻射，閃光輻射足夠強(qiáng)大以便通過由熱引起的升華或蒸發(fā)去除傳感器303上的多層物質(zhì)量負(fù)荷13(xN)或者去除在物質(zhì)量負(fù)荷減小時(shí)可能出現(xiàn)的部分開裂的、剝離或剝落的有機(jī)沉積物。以一種與利用來自于源134的有機(jī)材料13a的升華或蒸發(fā)在氣相沉積區(qū)13v中形成有機(jī)氣相的方式基本上等效的方式通過升華或蒸發(fā)進(jìn)行這樣的清潔或者將傳感器303上的有機(jī)材料去除。利用清潔閃光裝置390提供的閃光輻射的強(qiáng)度大到足以將沉積在傳感器上的有機(jī)材料的溫度升高至足以使有機(jī)材料開始升華或蒸發(fā)的溫度，但是使該溫度保持在去除傳感器303上的金屬電極或者對傳感器303的性能產(chǎn)生不良影響所要求的溫度。用于有機(jī)發(fā)光裝置的有機(jī)材料特別是服從該技術(shù)，這是因?yàn)檫@些材料在大大低于使大部分無機(jī)材料(諸如通常用于晶體物質(zhì)量傳感器的電極材料)汽化所要求的溫度的溫度下汽化。在傳感器303被清潔后，接著可被置于沉積區(qū)13v中并且可再次使用以在無需打開沉積腔室130C及釋放真空的情況下監(jiān)測沉積速率和有機(jī)層的厚度。
當(dāng)傳感器301積累了所不希望的較高物質(zhì)量負(fù)荷時(shí)，在清潔后的傳感器302處于傳感器支撐件上將進(jìn)入沉積區(qū)的位置中。
設(shè)置防護(hù)裝置329以在沉積區(qū)中在一個傳感器上進(jìn)行氣相沉積，并且可保護(hù)其它傳感器不會出現(xiàn)氣相沉積。
應(yīng)該理解的是，光導(dǎo)管392是經(jīng)真空密封連通件(未示出)穿過殼體130H進(jìn)行連接的。類似地，所有電導(dǎo)線都是經(jīng)相應(yīng)的電連通件穿過殼體130進(jìn)入到腔室130C中或者從腔室130C中引出。這樣的連通件在真空系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域中是公知的。
光導(dǎo)管392可是利用一種能夠傳輸由清潔閃光裝置390所提供的光的材料制成的光導(dǎo)纖維纜?；蛘?，光導(dǎo)管392可被制成空心的或管狀的光傳輸元件。
在圖7A中，光導(dǎo)管392可包括位于光導(dǎo)管頂端附近或頂端處的加熱器392H和收集裝置392T。加熱器392H的目的是對光導(dǎo)管392的光活性頂端區(qū)域進(jìn)行加熱以防止從傳感器303的表面蒸發(fā)的有機(jī)升華物(被去除的有機(jī)材料)沉積在光導(dǎo)管的頂端區(qū)域上。收集裝置392T用于收集升華物并防止這樣的升華物擴(kuò)散到整個腔室130C。收集裝置392T可被冷卻以增強(qiáng)收集裝置內(nèi)的有機(jī)升華物的冷凝效果。
圖7B示出了以一定斜角從清潔閃光裝置390引向物質(zhì)量負(fù)荷傳感器的光導(dǎo)管292B的結(jié)構(gòu)。收集裝置392T的功能參照圖7A中所述的。清潔閃光傾斜地入射到物質(zhì)量傳感器303上的有機(jī)沉積物上就不需要在光導(dǎo)管392B的頂端設(shè)置加熱器。
圖7C示意性地示出了另一種用于從物質(zhì)量傳感器上去除有機(jī)材料的光學(xué)清潔裝置結(jié)構(gòu)。清潔輻射源390R通過一個或多個透鏡392L、在殼體130H中的輻射傳輸窗口392W和可被加熱器392HM加熱的鏡392M提供清潔輻射作為引向在物質(zhì)量傳感器303上的有機(jī)沉積物的閃光或定時(shí)輻射束(例如，從激光源發(fā)出的定時(shí)激光束)。收集裝置392T以上述方式工作。
現(xiàn)參見圖8，其中示出了圖7中所示的傳感器組件300，其中利用通過導(dǎo)線396和398與清潔加熱器裝置395相連的加熱器399代替光導(dǎo)管392和清潔閃光裝置390。與圖7中所示元件392T的功能等效的收集裝置可被包括在圖8中所示的傳感器組件中并且圍繞加熱器399以收集升華物并防止這樣的升華物擴(kuò)散到整個腔室。
另外，加熱器399可被結(jié)合在物質(zhì)量傳感器的殼體202中。在這種情況下，在用于去除有機(jī)層的升華物的清潔位置處不用水冷卻傳感器殼體是令人希望的。
圖9A-9D是本發(fā)明應(yīng)用中所用的可轉(zhuǎn)動傳感器支承件的不同實(shí)施例的示意性平面圖。如虛輪廓線所示，利用防護(hù)裝置329的位置表示在沉積區(qū)中的傳感器301的位置，并且傳感器清潔位置392(圖7中所示的光導(dǎo)管392)是利用虛輪廓線來表示的。
圖9A示出了具有可轉(zhuǎn)動的傳感器支撐件320A的物質(zhì)量傳感器組件300A，傳感器支撐件320A具有支撐在其上的單一傳感器301。
圖9B示出了具有設(shè)置在可轉(zhuǎn)動的傳感器支撐件320B上的兩個傳感器301、302的物質(zhì)量傳感器組件300B。
圖9C示出了物質(zhì)量傳感器組件300C，物質(zhì)量傳感器組件300C提供適于支撐四個傳感器301、302、303和304的可轉(zhuǎn)動的傳感器支撐件320C。
圖9D示出了具有適于支撐多個傳感器(包括傳感器307)的圓形可轉(zhuǎn)動的傳感器支撐件320D的物質(zhì)量傳感器組件300D。
圖10是圖5中所示的晶體物質(zhì)量傳感器的放大截面圖，但具有預(yù)先形成在晶體204的前電極205和殼體202的前部上的輻射吸收層391。輻射吸收層391可是由輻射吸收碳或其它輻射吸收材料制成的層以提高全部或部分地去除設(shè)置在可移動的傳感器支撐件上的傳感器上的積累的有機(jī)層的效果，可移動的傳感器支撐件可從在沉積區(qū)13v中的位置移動到可利用輻射閃光(見圖7)、輻照(見圖7)和加熱器(見圖8)去除有機(jī)材料的清潔位置。
應(yīng)該理解的是，具有設(shè)置在可移動的傳感器支撐件上的一個或多個傳感器的傳感器組件可有效地結(jié)合在圖2中所示的OLED制造系統(tǒng)100的氣相沉積工位130、140、150中的每一個中。這樣，這些工位中的每一個可利用常規(guī)的物質(zhì)量傳感器和沉積速率監(jiān)測器對氣相沉積速率進(jìn)行監(jiān)測和控制，并且通過在清潔位置沿著可移動傳感器支撐件的移動路徑全部或部分地去除物質(zhì)量負(fù)荷傳感器上的有機(jī)材料來提供一個或多個可重復(fù)使用的傳感器。
本發(fā)明的其它特征包括下列內(nèi)容。
對于該設(shè)備，其中多個傳感器設(shè)置在可移動的傳感器支撐件上，并且用于去除沉積在第一傳感器上的有機(jī)材料的裝置包括位于傳感器上的有機(jī)材料附近的加熱器。
該設(shè)備還包括預(yù)先形成在多個傳感器中的每一個上的熱量吸收層。
對于該設(shè)備，其中所述可移動的傳感器支撐件是可轉(zhuǎn)動的傳感器支撐件。
對于該設(shè)備，其中所述可移動的傳感器支撐件是可轉(zhuǎn)動的傳感器支撐件。
該設(shè)備還包括可通過去除這樣的有機(jī)材料的裝置收集從傳感器上去除的有機(jī)材料的收集裝置。
對于該設(shè)備，其中所述收集裝置包括用于冷卻的裝置。
該設(shè)備還包括可利用去除這樣的有機(jī)材料的裝置收集從第一傳感器上去除的有機(jī)材料的收集裝置。對于該設(shè)備，其中所述收集裝置包括用于冷卻的裝置。
權(quán)利要求
1.一種用于將蒸發(fā)的或升華的有機(jī)層沉積在結(jié)構(gòu)件上以形成有機(jī)發(fā)光裝置的一部分的方法，所述方法包括下列步驟(a)在沉積區(qū)沉積有機(jī)材料以形成有機(jī)發(fā)光裝置的層；(b)設(shè)置可移動的傳感器，當(dāng)所述傳感器移動到沉積區(qū)中并在沉積步驟中被覆蓋時(shí)會提供表示形成所述層的有機(jī)材料的厚度的信號；(c)根據(jù)所述信號控制有機(jī)材料的沉積以控制沉積速率和形成在結(jié)構(gòu)件上的有機(jī)層的厚度；(d)將可移動的傳感器從沉積區(qū)移動到清潔位置；以及(e)去除可移動的傳感器上的有機(jī)材料以使可移動的傳感器能夠重復(fù)使用。
2.一種用于將蒸發(fā)的或升華的有機(jī)層沉積在結(jié)構(gòu)件上以形成有機(jī)發(fā)光裝置的一部分的方法，所述方法包括下列步驟(a)在沉積區(qū)沉積有機(jī)材料以形成有機(jī)發(fā)光裝置的層；(b)至少設(shè)置第一和第二可移動的傳感器，當(dāng)所述每一個傳感器移動到沉積區(qū)中并在有機(jī)材料的沉積步驟中被覆蓋時(shí)提供表示形成所述層的有機(jī)材料的厚度的信號；(c)根據(jù)所述信號控制有機(jī)材料的沉積以控制沉積速率和形成在結(jié)構(gòu)件上的有機(jī)層的厚度；(d)在第一可移動的傳感器已經(jīng)被覆蓋有有機(jī)材料后將第一可移動的傳感器從沉積區(qū)移動到清潔位置；以及(e)將第二可移動的傳感器移動到所述沉積區(qū)中；以及(f)在清潔位置處去除第一可移動的傳感器上的有機(jī)材料以使第一可移動的傳感器能夠重復(fù)使用。
3.一種用于將蒸發(fā)的或升華的有機(jī)層沉積在結(jié)構(gòu)件上以形成有機(jī)發(fā)光裝置的一部分的設(shè)備，所述設(shè)備包括(a)限定出腔室的殼體和與腔室相連的用于減小腔室中的壓力的泵；(b)用于容納要被蒸發(fā)的或者被升華的有機(jī)材料的源以及與所述源相連的用于調(diào)節(jié)其溫度以控制有機(jī)材料蒸發(fā)或升華的速率的裝置；(c)用于使結(jié)構(gòu)件定位以使這樣的結(jié)構(gòu)件設(shè)在沉積區(qū)中與所述源隔開的裝置；(d)位于沉積區(qū)中的可移動傳感器，所述可移動傳感器用于接收來自于所述源的有機(jī)材料同時(shí)使這樣的有機(jī)材料沉積在結(jié)構(gòu)件上；(e)與所述傳感器相連的電裝置，所述電裝置對沉積在傳感器上的有機(jī)材料厚度作出響應(yīng)以調(diào)節(jié)溫度控制裝置，從而能夠控制形成在結(jié)構(gòu)件上的有機(jī)層的沉積速率和厚度；(f)用于將傳感器移動到沉積區(qū)外的裝置以及用于全部或部分地去除沉積在傳感器上的有機(jī)材料以使這樣傳感器可在沉積區(qū)中重復(fù)使用的裝置。
4.如權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其特征在于，所述傳感器設(shè)置在可移動的傳感器支撐件上，并且用于去除沉積在傳感器上的有機(jī)材料的裝置包括被引向在傳感器上的有機(jī)材料的閃光輻射或定時(shí)輻射束。
5.如權(quán)利要求4所述的設(shè)備，還包括預(yù)先形成在傳感器上的熱量吸收層。
6.如權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其特征在于，所述傳感器設(shè)置在可移動的傳感器支撐件上，并且用于去除沉積在傳感器上的有機(jī)材料的裝置包括傳感器上的有機(jī)材料附近的加熱器。
7.如權(quán)利要求6所述的設(shè)備，還包括預(yù)先形成在傳感器上的輻射吸收層。
8.一種用于將蒸發(fā)的或升華的有機(jī)層沉積在結(jié)構(gòu)件上以形成有機(jī)發(fā)光裝置的一部分的設(shè)備，所述設(shè)備包括(a)限定腔室的殼體和與腔室相連的用于減小腔室中的壓力的泵；(b)用于容納被蒸發(fā)的或者被升華的有機(jī)材料的源以及與所述源相連的用于調(diào)節(jié)其溫度以控制有機(jī)材料蒸發(fā)或升華的速率的裝置；(c)用于使結(jié)構(gòu)件定位以使這樣的結(jié)構(gòu)件設(shè)在沉積區(qū)中與所述源隔開的裝置；(d)位于沉積區(qū)中的多個可移動傳感器中的第一可移動傳感器，所述第一可移動傳感器用于接收來自于所述源的有機(jī)材料同時(shí)使這樣的有機(jī)材料沉積在結(jié)構(gòu)件上；(e)與所述第一可移動傳感器相連的電裝置，所述電裝置對沉積在傳感器上的有機(jī)材料厚度作出響應(yīng)以調(diào)節(jié)溫度控制裝置，從而能夠控制形成在結(jié)構(gòu)件上的有機(jī)層的沉積速率和厚度；(f)用于將所述第一傳感器移動到沉積區(qū)外的裝置以及用于全部或部分地去除沉積在傳感器上的有機(jī)材料以使這樣傳感器可在沉積區(qū)中重復(fù)使用的裝置；以及(g)用于將多個可移動的傳感器中的第二可移動的傳感器移動到沉積區(qū)中的裝置以及與所述第二傳感器相連的電裝置。
9.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其特征在于，多個傳感器設(shè)置在可移動的傳感器支撐件上，并且用于去除沉積在第一傳感器上的有機(jī)材料的裝置包括被引向傳感器上的有機(jī)材料的閃光輻射或定時(shí)輻射束。
10.如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，還包括預(yù)先形成在多個傳感器中的每一個上的熱量吸收層。
全文摘要
本發(fā)明涉及在制造有機(jī)發(fā)光裝置中對有機(jī)材料的沉積進(jìn)行控制的方法,所述方法包括:在沉積區(qū)沉積有機(jī)材料以形成有機(jī)發(fā)光裝置的層;設(shè)置可移動的傳感器,當(dāng)所述傳感器移動到沉積區(qū)中并在沉積步驟中被覆蓋時(shí)提供表示形成所述層的有機(jī)材料的沉積速率和厚度的信號。所述方法還包括:根據(jù)所述信號控制有機(jī)材料的沉積以控制形成所述層的有機(jī)材料的沉積速率和厚度;將可移動的傳感器從沉積區(qū)移動到清潔位置;以及去除可移動的傳感器上的有機(jī)材料以使可移動的傳感器能夠重復(fù)使用。
文檔編號H01L51/40GK1382827SQ0211805
公開日2002年12月4日 申請日期2002年4月22日 優(yōu)先權(quán)日2001年4月20日
發(fā)明者M·A·馬庫斯, A·L·赫里欽, S·A·范, 斯利克 申請人:伊斯曼柯達(dá)公司