專利名稱：半導(dǎo)體工藝記錄設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及關(guān)于一種半導(dǎo)體工藝記錄設(shè)備。本發(fā)明尤其關(guān)于一種可防止連接于其上的端點(diǎn)設(shè)備燒毀的半導(dǎo)體工藝記錄設(shè)備。
如

圖1所示，在現(xiàn)有的半導(dǎo)體制造過程中，例如應(yīng)用有分立(未耦合)等離子體源(DPS，Decoupled Plasma Source)技術(shù)的半導(dǎo)體工藝，端點(diǎn)設(shè)備10輸出一端點(diǎn)信號SE至連接于其上的現(xiàn)有的半導(dǎo)體工藝記錄設(shè)備11，用以將目前執(zhí)行中的端點(diǎn)設(shè)備10的工作狀態(tài)適當(dāng)?shù)赜涗浵聛?。除此之外，現(xiàn)有的半導(dǎo)體工藝記錄設(shè)備11會產(chǎn)生且輸出一反饋信號SF至端點(diǎn)設(shè)備10，以響應(yīng)所接收到的端點(diǎn)信號SE。由于所產(chǎn)生的反饋信號SF通常具有高電壓脈沖，所以反饋信號SF經(jīng)常會造成端點(diǎn)設(shè)備10中構(gòu)成元件的損毀。舉例而言，端點(diǎn)設(shè)備10中的放射板會因?yàn)榉答佇盘朣F而燒毀，導(dǎo)致整個(gè)端點(diǎn)設(shè)備10皆無法使用。尤其對于應(yīng)用有分立等離子體源(DPS)的工藝而言，由于端點(diǎn)設(shè)備10須維持長時(shí)間地輸出功率，亦即，射頻模塊(未圖標(biāo))須持續(xù)運(yùn)作，所以造成端點(diǎn)設(shè)備10中的放射板(Emission Board)(未圖標(biāo))上的電子元件持續(xù)提供負(fù)載。結(jié)果，端點(diǎn)設(shè)備10中的放射板更容易因由現(xiàn)有的半導(dǎo)體工藝記錄設(shè)備11所產(chǎn)生的反饋信號SF導(dǎo)致過熱燒毀。
如此一來，在使用現(xiàn)有的半導(dǎo)體工藝記錄設(shè)備11的半導(dǎo)體制造過程中，必須更換上新的端點(diǎn)設(shè)備10以恢復(fù)半導(dǎo)體工藝的進(jìn)行，導(dǎo)致生產(chǎn)成本的增加。再者，經(jīng)常更換端點(diǎn)設(shè)備10所花費(fèi)的時(shí)間會使得半導(dǎo)體制造的生產(chǎn)速率大大地降低。
為達(dá)上述目的，依據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體工藝記錄設(shè)備包括一緩沖電路及一端點(diǎn)記錄裝置。在本發(fā)明中，該緩沖電路的輸入端連接于外界的端點(diǎn)設(shè)備，以接收該端點(diǎn)設(shè)備所輸出的第一信號。該緩沖電路的輸出端則連接于該端點(diǎn)記錄裝置，用于輸出代表該第一信號的第二信號，以響應(yīng)于該第一信號。舉例而言，該緩沖電路可包括一電壓隨耦器與一電阻。當(dāng)該端點(diǎn)記錄裝置接收到該第二信號時(shí)，其基于該第二信號而輸出一反饋信號至該緩沖電路。由于該反饋信號被阻絕于該緩沖電路中，故該反饋信號無法輸出至該外界的端點(diǎn)設(shè)備內(nèi)，藉以保護(hù)該外界的端點(diǎn)設(shè)備免受該反饋信號的損害。
依據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體工藝記錄設(shè)備還包括一模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器，連接于該緩沖電路與該端點(diǎn)記錄裝置之間，用以將從該緩沖電路輸入的模擬信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號而輸出至該端點(diǎn)記錄裝置。
如前所述，依據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體工藝記錄設(shè)備成功地保護(hù)外界的端點(diǎn)設(shè)備不受到具有高電壓脈沖的反饋信號的損害，故無須停止工藝的進(jìn)行來更換上新的端點(diǎn)設(shè)備，藉以大大地減低半導(dǎo)體制造的生產(chǎn)成本與速率。
圖中符號說明10端點(diǎn)設(shè)備11現(xiàn)有的半導(dǎo)體工藝記錄設(shè)備20端點(diǎn)設(shè)備21半導(dǎo)體工藝記錄設(shè)備210 緩沖電路211 端點(diǎn)記錄裝置212 電壓隨耦器213 電阻30端點(diǎn)設(shè)備31半導(dǎo)體工藝記錄設(shè)備310 緩沖電路311 端點(diǎn)記錄裝置312 模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器圖2A是顯示依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體工藝記錄設(shè)備的電路區(qū)塊圖。如圖2A所示，依本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體工藝記錄設(shè)備21包括一緩沖電路210以及一端點(diǎn)記錄裝置211。依據(jù)本發(fā)明的端點(diǎn)記錄裝置211可為如圖1所示的現(xiàn)有的半導(dǎo)體工藝記錄設(shè)備11或類似者。半導(dǎo)體工藝記錄設(shè)備21連接于一外界的端點(diǎn)設(shè)備20，用以記錄端點(diǎn)設(shè)備20的工作狀態(tài)。舉例而言，端點(diǎn)設(shè)備20可為分立等離子體源(DPS)工藝機(jī)臺或其它類似的半導(dǎo)體工藝設(shè)備。
精確言之，半導(dǎo)體工藝記錄設(shè)備21中的緩沖電路210的輸入端連接于端點(diǎn)設(shè)備20，以接收從端點(diǎn)設(shè)備20輸出的第一信號S1。舉例而言，第一信號S1可含有關(guān)于端點(diǎn)設(shè)備20的工作狀態(tài)的信息。響應(yīng)于所接收到的第一信號S1，緩沖電路210會經(jīng)由其輸出端輸出代表第一信號的第二信號S2。舉例而言，第二信號S2具有與第一信號S1相同的電壓位準(zhǔn)。端點(diǎn)記錄裝置211連接于緩沖電路210的輸出端，以接收第二信號S2。繼而，端點(diǎn)記錄裝置211基于第二信號S2記錄有關(guān)于端點(diǎn)設(shè)備20的工作狀態(tài)的信息，并且輸出一反饋信號SF至緩沖電路210。在依據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體工藝記錄設(shè)備21中，緩沖電路210阻絕從端點(diǎn)記錄裝置211輸出的反饋信號SF，因此反饋信號SF不會被輸出至外界的端點(diǎn)設(shè)備20內(nèi)。如此一來，即使反饋信號SF具有高電壓脈沖或端點(diǎn)設(shè)備20處于長時(shí)間功率輸出的狀態(tài)，端點(diǎn)設(shè)備20仍不會因反饋信號SF而造成損壞。因此，無須停止工藝的進(jìn)行來更換上新的端點(diǎn)設(shè)備，藉以大大地減低半導(dǎo)體制造的生產(chǎn)成本與速率。
圖2B是顯示依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體工藝記錄設(shè)備中緩沖電路的一例子的詳細(xì)電路圖。如圖2B所示，緩沖電路210包括一電壓隨耦器212以及一電阻213。電壓隨耦器212所輸出的信號的電壓位準(zhǔn)等同于輸入電壓隨耦器212的信號的電壓位準(zhǔn)。因此，緩沖電路210在接收第一信號S1之后，會以相同于第一信號S1的電壓位準(zhǔn)輸出第二信號S2。至于電阻213，其作為一限流電阻，用以限流第一信號S1，藉以保護(hù)緩沖電路210與半導(dǎo)體工藝記錄設(shè)備21。圖3是顯示依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體工藝記錄設(shè)備的電路區(qū)塊圖。相較于圖2A所示的第一實(shí)施例，依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體工藝記錄設(shè)備31還包含一模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器312，連接于緩沖電路310與端點(diǎn)記錄裝置311之間。換言之，緩沖電路310經(jīng)由模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器312而連接至端點(diǎn)記錄裝置311，如圖3所示。模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器312用以將所輸入的模擬與數(shù)字信號分別轉(zhuǎn)換成數(shù)字與模擬信號而輸出。因此，從端點(diǎn)設(shè)備30經(jīng)由緩沖電路310所輸出的模擬信號會被模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器312轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號以輸入至端點(diǎn)記錄裝置311。
如同第一實(shí)施例，依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體工藝記錄設(shè)備31中的緩沖電路310用以阻絕從端點(diǎn)記錄裝置311輸出的通常具有高電壓脈沖的反饋信號。因此，依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體工藝記錄設(shè)備31成功地防止端點(diǎn)設(shè)備30遭受到燒毀，故無須停止工藝的進(jìn)行來更換上新的端點(diǎn)設(shè)備，藉以大大地減低半導(dǎo)體制造的生產(chǎn)成本與速率。
雖然本發(fā)明業(yè)已通過較佳實(shí)施例作為例示加以說明，應(yīng)了解者為本發(fā)明不限于此被揭露的實(shí)施例。相反地，本發(fā)明意欲涵蓋對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是明顯的各種修改與相似配置。因此，申請專利范圍的范圍應(yīng)根據(jù)最廣的詮釋，以包容所有此類修改與相似配置。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體工藝記錄設(shè)備，連接于位于外界的一端點(diǎn)設(shè)備，包含一緩沖電路，連接于該端點(diǎn)設(shè)備，用以接收從該端點(diǎn)設(shè)備輸出的第一信號，并且隨后輸出代表該第一信號的第二信號；以及一端點(diǎn)記錄裝置，連接于該緩沖電路，用以接收該第二信號，并且基于該第二信號而輸出反饋信號至該緩沖電路，其中該緩沖電路阻絕該反饋信號，使之不輸入該端點(diǎn)設(shè)備中。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝記錄設(shè)備，其特征在于該緩沖電路包含一電壓隨耦器，其輸入端連接于該端點(diǎn)設(shè)備，用以接收從該第一信號，且其輸出端連接于該端點(diǎn)記錄裝置，用以輸出該第二信號。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體工藝記錄設(shè)備，其特征在于該緩沖電路還包含一電阻，連接于該電壓隨耦器的該輸入端與該端點(diǎn)設(shè)備之間，用以限流該第一信號。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝記錄設(shè)備，其特征在于還包含一模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器，連接于該緩沖電路與該端點(diǎn)記錄裝置之間，用以將模擬的第二信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字的第二信號。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝記錄設(shè)備，其特征在于該端點(diǎn)設(shè)備為一分立等離子體源工藝設(shè)備。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝記錄設(shè)備，其特征在于該反饋信號具有一高電壓位準(zhǔn)脈沖。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝記錄設(shè)備，其特征在于該第二信號具有相同于該第一信號的電壓位準(zhǔn)。
全文摘要
一種半導(dǎo)體工藝記錄設(shè)備，包括一緩沖電路及一端點(diǎn)記錄裝置。該緩沖電路的輸入端連接于一外界的端點(diǎn)設(shè)備，用以接收從該端點(diǎn)設(shè)備輸出的第一信號。該緩沖電路的輸出端則連接于該端點(diǎn)記錄裝置，用以輸出代表該第一信號的第二信號，響應(yīng)于該第一信號。當(dāng)該端點(diǎn)記錄裝置接收到該第二信號時(shí)，其基于該第二信號而輸出一反饋信號至該緩沖電路。由于該反饋信號被阻絕于該緩沖電路中，故可保護(hù)該端點(diǎn)設(shè)備免受該反饋信號的損害，藉以大大地減低半導(dǎo)體制造的生產(chǎn)成本與速率。
文檔編號H01L21/00GK1459823SQ0212037
公開日2003年12月3日 申請日期2002年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2002年5月23日
發(fā)明者王宏翔, 游順全, 劉邦開, 林育安, 陳委辰, 劉信成 申請人:旺宏電子股份有限公司