專利名稱：介電材料層結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)及其制造方法，特別是關(guān)于一種介電材料層的結(jié)構(gòu)及其制造方法。
目前已廣泛地被用來(lái)當(dāng)作內(nèi)金屬介電層(inter-metal dielectrics；IMD)的材料，常見(jiàn)的有二氧化硅(SiO2)、FSG(fluorinated SiO2)以及臺(tái)灣應(yīng)用材料公司所生產(chǎn)的黑鉆石(black diamond)。二氧化硅的介電常數(shù)約為4。FSG是指氟摻雜的二氧化硅，其介電常數(shù)約為3.5。而黑鉆石的介電常數(shù)則為3。
但是，半導(dǎo)體元件運(yùn)算速度不斷地提高，介電常數(shù)高于2.5的介電材料已經(jīng)不能滿足需求。因此，熟悉此技術(shù)的人員提出一種以旋轉(zhuǎn)涂布法(spin-on)形成介電常數(shù)低于2.5的低介電常數(shù)材料，這類的低介電常數(shù)材料多為有機(jī)硅烷聚合物，例如HSQ(hydrogen silsequoxiane)、MSQ(methyl silsequoxiane)，或有機(jī)碳烴聚合物Silk、Flare、PAE-2、Velox、BCB等。不過(guò)，由于此類多孔性介電材料的耐熱性較差，因此往往在后續(xù)的熱制程中產(chǎn)生形變，造成產(chǎn)品的優(yōu)良率降低，因此多孔性介電材料通常會(huì)再搭配無(wú)機(jī)介電材料，以彌補(bǔ)多孔性介電材料不耐熱的缺點(diǎn)。
然而，由于多孔性介電材料與無(wú)機(jī)介電材料界而間僅是物理性吸附，其吸附力并不夠強(qiáng)，故容易剝落。此吸附力不佳的缺點(diǎn)將可能使下一步制程無(wú)法進(jìn)行，甚至造成元件失效，降低制程的優(yōu)良率，因此并不符合復(fù)雜的半導(dǎo)體制程所需。因此，要如何改善低阻值多孔性介電材料層和無(wú)機(jī)介電材料層之間的吸附力，是目前所面臨的一大瓶頸。
另一方面，低溫化學(xué)氣相沉積法(chemical vapor deposition，CVD)正處于積極的研制階段，該法是利用空氣與反應(yīng)性氣體混合做為前驅(qū)體，用以沉積多孔性介電材料。
然而，以低溫化學(xué)氣相沉積所形成的多孔性介電材料，由于其結(jié)構(gòu)松散，往往仍有附著性不佳的問(wèn)題存在。
本發(fā)明的目的之一在于提供一種防止剝落的介電材料層結(jié)構(gòu)。
為達(dá)到上述的目的，本發(fā)明提出一種介電材料層的結(jié)構(gòu)，此結(jié)構(gòu)主要是包括一基底；一多孔性介電材料，設(shè)置于上述基底表面；以及一致密介電材料，設(shè)置于上述多孔性介電材料之上。所述的多孔性介電材料是以露出基底表面邊緣的方式加以設(shè)置，并且基底表面露出部分直接與密介電材料接觸。
所述的介電材料層結(jié)構(gòu)還包括一第二多孔性介電材料，設(shè)制于第一致密介電材料表面之上，及一第二致密介電材料，覆蓋于上述第二多孔性介電材料與上述露出部分的第一致密介電材料表面之上。
如前所述，上述多孔性介電材料和上述致密介電材料均可以利用化學(xué)氣相沉積法(chemical vapor deposition；CVD)或旋轉(zhuǎn)涂布法(spin-on)形成。并且，上述多孔性介電材料可由半有機(jī)硅烷聚合物或有機(jī)芳香碳烴氫聚合物所構(gòu)成，而上述致密介電材料可由半有機(jī)硅烷聚合物、有機(jī)芳香碳烴氫聚合物、二氧化硅、氟硅玻璃或黑鉆石之一或其組合所構(gòu)成。上述致密介電材料與上述多孔性介電層材料是為相同材質(zhì)，且上述致密介電層材料施以一致密化處理。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種防止介電材料層剝落的介電材料層結(jié)構(gòu)的制造方法。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提出一種介電材料層的制造方法，此方法的步驟主要是包括提供一基底；形成一多孔性介電材料于上述基底表面；以及形成一致密介電材料于上述多孔性介電材料。
還包括去除上述多孔性介電材料的邊緣，直到露出部分上述基底表面的步驟，并且將基底表面露出部分直接與致密介電材料接觸。
還包括在第一致密介電材料表面設(shè)置一第二多孔性介電材料，并將第二致密介電材料覆蓋于上述第二多孔性介電材料與上述露出部分的第一致密介電材料表面之上的步驟。
如前所述，上述多孔性介電材料和上述致密介電材料皆可以利用化學(xué)氣相沉積法(chemical vapor deposition；CVD)或旋轉(zhuǎn)涂布法(spin-on)形成。并且，上述多孔性介電材料可由半有機(jī)硅烷聚合物或有機(jī)芳香碳烴氫聚合物所構(gòu)成，而上述致密介電材料可由半有機(jī)硅烷聚合物、有機(jī)芳香碳烴氫聚合物、二氧化硅、氟硅玻璃或黑鉆石之一或其組合所構(gòu)成。上述致密介電材料與上述多孔性介電層材料是為相同材質(zhì)，且上述致密介電層材料施以一致密化處理。
本發(fā)明具有下列效果1.本發(fā)明介電材料層結(jié)構(gòu)利用致密介電材料覆蓋于多孔性介電材料表面，可提高介電層的機(jī)械強(qiáng)度，增加介電層對(duì)其他材料的附著力，如抗反射層(anti-reflection layer；ARC)，并且可防止水氣(moisture)入侵與增加其抗蝕性。
2.本發(fā)明的介電材料層結(jié)構(gòu)，可以避免公知的多孔性介電材料堆疊時(shí)容易發(fā)生的剝落問(wèn)題。
3.本發(fā)明的制造方法并不需要增加額外的步驟，不會(huì)使制程復(fù)雜化。
圖4是實(shí)施例4制得的介電材料層的結(jié)構(gòu)剖面圖；圖5是實(shí)施例5制得的介電材料層的結(jié)構(gòu)剖面圖。
首先，請(qǐng)參照

圖1A，提供一半導(dǎo)體基底10。可利用化學(xué)氣相沉積法(CVD)或旋轉(zhuǎn)涂布法(spin-on)形成一low-k多孔性介電材料12于上述半導(dǎo)體基底10表面。上述多孔性介電材料12的材質(zhì)大多是為半有機(jī)物或有機(jī)物，例如半有機(jī)硅烷聚合物(如bydrogen silsesquioxane；HSQ、metbylsilsequioxane；MSQ)、Allied Signal公司所生產(chǎn)的FLARE、氣凝膠(aerogels)、干凝膠(xerogels)、Dow Chemical公司所生產(chǎn)的SiLK或是Nanopore公司所生產(chǎn)的nanoglass。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D1B，形成一致密介電材料14于上述多孔性介電材料12表面。其中，上述致密介電材料14可以利用化學(xué)氣相沉積法(CVD)或旋轉(zhuǎn)涂布法(spin-on)形成，并且其材質(zhì)可由半有機(jī)硅，烷聚合物、有機(jī)芳香碳烴氫聚合物二氧化硅、氟硅玻璃或黑鉆石所構(gòu)成。上述致密介電材料14可能與上述多孔性介電材料12為同一種材質(zhì)，再經(jīng)過(guò)致密化處理(densified)，使上述致密介電材料14具有比上述多孔性介電常數(shù)12致密的性質(zhì)。請(qǐng)注意，此處所稱的“致密”，乃是一種相對(duì)性的概念，而非絕對(duì)性的概念，亦即標(biāo)號(hào)14的材料相對(duì)于標(biāo)號(hào)12的材料顯得致密。致密介電材料14的結(jié)構(gòu)較致密，因此介電常數(shù)通常較高于多孔性介電常數(shù)12。如此，便可以利用上述致密介電材料14保護(hù)上述多孔性介電材料12，使上述多孔性介電材料12不容易發(fā)生剝落的現(xiàn)象，同時(shí)由兩者共同組成的介電材料層的介電常數(shù)仍可維特不至于太高。
本實(shí)施例是一種防止介電材料層剝落的結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)剖面圖見(jiàn)圖1B。上述基底10，其表面設(shè)置一多孔性介電材料12，因其結(jié)構(gòu)松散，具有多孔洞，所以介電常數(shù)值相當(dāng)?shù)?。再者，一致密介電材?4，設(shè)置于上述多孔性介電材料12表面，因?yàn)樯鲜鲋旅芙殡姴牧?4具有致密的結(jié)構(gòu)，所以覆蓋在上述多孔性介電材料12之上，可以防止上述多孔性介電材料12剝落。并且，根據(jù)本發(fā)明是由上述多孔性介電材料12與上述致密介電材料14共同組成介電層，與單獨(dú)使用致密介電材料作為介電層相比較，其介電常數(shù)值較低。
實(shí)施例2請(qǐng)參照?qǐng)D2A至第2D圖。
首先，請(qǐng)參照?qǐng)D2A，提供一半導(dǎo)體基底100。并且，可以視需求而定，利用適當(dāng)沉積程序，例如化學(xué)氣相沉積，形成一蝕刻終止層102于上述半導(dǎo)體基底100表面，其中上述蝕刻終止層102的材質(zhì)例如為氮氧化硅(SiON)。
第二，請(qǐng)參照?qǐng)D2B，可利用化學(xué)氣相沉積法(CVD)或旋轉(zhuǎn)涂布法(spin-on)形成一多孔性介電材料104于上述蝕刻終止層12表面。上述多孔性介電材料104的材質(zhì)大多是為半有機(jī)物或有機(jī)物，例如半有機(jī)硅烷聚合物(如hydrogen silsesquioxane；HSQ、methylsilsequioxane；MSQ)、Allied Sisnal公司所生產(chǎn)的FLARE、氣凝膠(aerogels)、干凝膠(xerogels)、Dow Chemical公司所生產(chǎn)的SiLK或是Nanopore公司所生產(chǎn)的nanoglass，由于其結(jié)構(gòu)為多孔性，因此通常具有相當(dāng)?shù)偷慕殡姵?shù)值。
第三，請(qǐng)參照?qǐng)D2C，利用適當(dāng)程序，例如洗邊(edge bead remove；EBR)，去除上述多孔性介電材料104的邊緣，直到露出部分上述蝕刻終止層102表面，用以清除形成上述多孔性介電材料的邊緣污染部分。
第四，請(qǐng)參照?qǐng)D2D，利用適當(dāng)程序，例如化學(xué)氣相沉積法或旋轉(zhuǎn)涂布法，順應(yīng)性形成一致密介電材料106于上述蝕刻終止層102與上述多孔性介電材料104表面，用以全面性將上述多孔性介電材料104包覆起來(lái)，由于上述致密介電材料106的結(jié)構(gòu)致密，附著性良好，可以避免多孔性介電材料104脫落。上述致密介電材料106例如為半有機(jī)硅烷聚合物、有機(jī)芳香碳烴氫聚合物、二氧化硅、氟硅玻璃或黑鉆石所構(gòu)成。
本實(shí)施例是一種防止介電材料層剝落的結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)剖面圖見(jiàn)圖2D。上述基底100表面可設(shè)置一蝕刻終止層102。接著，一多孔性介電材料104設(shè)置于上述蝕刻終止層102。上述多孔性介電材料104的面積小于上述基底100的面積，使得上述多孔性介電材料104的外圍部分露出部分上述蝕刻終止層102表面。
再者，一致密介電材料106，設(shè)置于上述多孔性介電材料104以及上述蝕刻終止層102表面，順應(yīng)性覆蓋住上述多孔性介電材料104，亦即不僅上述多孔性介電材料104的頂部表面被上述致密介電材料106所覆蓋，上述多孔性介電材料104的側(cè)壁(side wall)部分亦被上述致密介電材料106覆蓋。如此一來(lái)，上述多孔性介電材料104不容易發(fā)生剝落的問(wèn)題。
因?yàn)樯鲜鲋旅芙殡姴牧?06具有致密的結(jié)構(gòu)，所以全面性覆蓋在上述多孔性介電材料104與上述蝕刻終止層102之上，可以防止上述多孔性介電材料104剝落。并且，根據(jù)本發(fā)明是由上述多孔性介電材料104與上述致密介電材料106共同組成介電層，與單獨(dú)使用致密介電材料做為介電層相比較，其介電常數(shù)值較低。
如前所述，根據(jù)本發(fā)明，在此實(shí)施例中雖然以各單一層多孔性介電材料與致密介電材料而組成介電層但可以視實(shí)際需求而定，多孔性介電材料與致密介電材料可以重復(fù)設(shè)置以共同組合成介電層，并不在此設(shè)限。
根據(jù)本發(fā)明中實(shí)施例1與實(shí)施例2的差別在于實(shí)施例1中多孔性介電材料與致密介電材料的面積大小一致，致密介電材料直接覆蓋在孔性介電材料表面，用以保護(hù)孔性介電材料，防止其剝落。至于實(shí)施例2則為多孔性介電材料的面積小于致密介電材料，致密介電材料順應(yīng)性覆蓋在多孔性介電材料的表面，使得多孔性介電材料不僅頂部表面被覆蓋，多孔性介電材料的側(cè)壁同樣也被覆蓋保護(hù)，使得多孔性介電材料受到全面性保護(hù)，更不容易剝落。
實(shí)施例3根據(jù)本發(fā)明，實(shí)施例1與實(shí)施例2可以視需求而合并使用，重復(fù)設(shè)置多孔性介電材料與致密介電材料。
圖3是本發(fā)明多層介電層的一實(shí)施例剖面圖。其通用于高強(qiáng)度、高韌性的多孔性介電材料。編號(hào)500是一基底，其表面設(shè)置一第一多孔性介電材料501。接著，一第一致密介電材料502順應(yīng)性形成于上述第一多孔性介電材料501的表面，用以全面性覆蓋上述第一多孔性介電材料501。后續(xù)再設(shè)置一多孔性介電材料503，其面積大小相等于上述第一多孔性介電材料501，再順應(yīng)性形成一第二致密介電材料504。編號(hào)504a是為上述第二致密介電材料504順應(yīng)性形成時(shí)的最邊緣部分，落于上述第一致密介電材料502的邊緣部分502a。如此，依序重復(fù)設(shè)置一第三多孔性介電材料505、第三致密介電材料506、第四多孔性介電材料507、第四致密介電材料508，第五多孔性介電材料509、第五致密介，電材料510、第六多孔性介電材料511、第六致密介電材料512、第七多孔性介電材料513、第七致密介電材料514、第八多孔性介電材料515、第八致密介電材料516。其中，上述第一多孔性介電材料501、上述第二多孔性介電材料503、上述第三多孔性介電材料505、上述第四多孔性介電材料507、上述第五多孔性介電材料509、上述第六多孔性介電材料511、上述第七多孔性介電材料513、上述第八多孔性介電材料515的面積大小皆相等，各自可利用化學(xué)氣相沉積法(CVD)或旋轉(zhuǎn)涂布法(spin-on)形成，其材料獨(dú)立由有機(jī)芳香碳烴氫聚合物(如hydrogen silsesquioxane；HSQ、methylsilsequioxane，MSQ)、AlliedSignal公司所生產(chǎn)的FLARB、氣凝膠(aerogels)、干凝膠(xerogels)、Dow Chemical公司所生產(chǎn)的SiLK或是Nanopore公司所生產(chǎn)的nanoglass所構(gòu)成。并且，上述第一致密介電材料502、上述第二致密介電材料504、上述第三致密介電材料506、上述第四致密介電材料508、上述第五致密介電材料510、上述第六致密介電材料512、上述第七致密介電材料514、上述第八致密介電材料516皆可各自利用化學(xué)氣相沉積法(CVD)或旋轉(zhuǎn)涂布法(spin-on)形成，且其材料獨(dú)立由半有機(jī)硅烷聚合物、有機(jī)芳香碳烴氫聚合物、二氧化硅、氟硅玻璃或黑鉆石所構(gòu)成。
上述第三致密介電材料的邊緣部分506a則落于上述第二致密介電材料的邊緣部分504a的表面，再依序堆疊上述第四致密介電材料的邊緣部分508a、上述第五致密介電材料的邊緣部分510a、上述第六致密介電材料的邊緣部分512a、上述第七致密介電材料的邊緣部分514a、上述第八致密介電材料的邊緣部分516a。
實(shí)施例4圖4是本發(fā)明實(shí)施例4的多層介電層的剖面圖。其適用于強(qiáng)度、韌性等材料特性中等的多孔性介電材料。編號(hào)600是一基底，其表面設(shè)置一第一多孔性介電材料601。接著，一第一致密介電材料602順應(yīng)性形成于上述第一多孔性介電材料601的表面，用以全面性覆蓋上述第一多孔性介電材料601。后續(xù)再設(shè)置一多孔性介電材料603，其面積大小相等于上述第一多孔性介電材料601，再順應(yīng)性形成一第二致密介電材料604。編號(hào)604a是為上述第二致密介電材料604順應(yīng)性形成時(shí)的最邊緣部分，落于上述第一致密介電材料602的邊緣部分602a。如此，依序重復(fù)設(shè)置一第三多孔性介電材料605、第三致密介電材料606、第四多孔性介電材料607、第四致密介電材料608。其中，上述第一多孔性介電材料601、上述第二多孔性介電材料603、上述第三多孔性介電材料605、上述第四多孔性介電材料607的面積大小皆相等。
接著，形成一第五多孔性介電材料609，其中上述第五多孔性介電材料609的面積小于上述第四多孔性介電材料607，接著，順應(yīng)性形成一第五致密介電材料610，使得上述第五多孔性介電材料609被全面性覆蓋，完整地保護(hù)上述第五多孔性介電材料609，以防止其剝落。
接著，再重復(fù)形成一第六多孔性介電材料611、第六致密介電材料612、第七多孔性介電材料613第八致密介電材料616。其中，上述第六多孔性介電材料611、上述第七多孔性介電材料613、上述第八多孔性介電材料615的面積大小依序遞減。如此一來(lái)，皆可使得上述第六多孔性介電材料611、上述第七多孔性介電材料613、上述第八多孔性介電材料615受到全面性覆蓋與保護(hù)，較不容易剝落。
上述第一多孔性介電材料601、上述第二多孔性介電材料603、上述第三多孔性介電材料605、上述第四多孔性介電材料607、上述第五多孔性介電材料609、上述第六多孔性介電材料611、上述第七多孔性介電材料613、上述第八多孔性介電材料615皆可各自利用化學(xué)氣相沉積法(CVD)或旋轉(zhuǎn)涂布法(spin-on)形成，其材料獨(dú)立由有機(jī)硅烷聚合物(如hydrogensilsesquioxane；HSQ、methylsilsequioxane；MSQ)、Allied Signal公司所生產(chǎn)的FLARE、氣凝膠(aerogels)、干凝膠(xerogels)、Dow Chemical公司所生產(chǎn)的SiLK或是Nanopore公司所生產(chǎn)的nanoglass所構(gòu)成。并且，上述第一致密介電材料602、上述第二致密介電材料604、上述第三致密介電材料506、上述第四致密介電材料608、上述第五致密介電材料610、上述第六致密介電材料612、上述第七致密介電材料614、上述第八致密介電材料616皆可利用化學(xué)氣相沉積法(CVD)或旋轉(zhuǎn)涂布法(spin-on)形成，且其材料例如為半有機(jī)硅烷聚合物、有機(jī)芳香碳烴氫聚合物、二氧化硅、氟硅玻璃或黑鉆石所構(gòu)成。
上述第三致密介電材料的邊緣部分606a則落于上述第二致密介電材料的邊緣部分604a的表面，再依序堆疊上述第四致密介電材料的邊緣部分608a、上述第五致密介電材料的邊緣部分610a、上述第六致密介電材料的邊緣部分612a、上述第七致密介電材料的邊緣部分614a、上述第八致密介電材料616的邊緣部分616a。
實(shí)施例5圖5是本發(fā)明實(shí)施例5的多層介電層的剖面圖。其適用于低強(qiáng)度、低韌性的多孔性介電材料。編號(hào)700是一基底，其表面設(shè)置一第一多孔性介電材料701。接著，一第一致密介電材料702順應(yīng)性形成于上述第一多孔性介電材料701的表面，用以全面性覆蓋上述第一多孔性介電材料701。后續(xù)再設(shè)置一多孔性介電材料703，其面積小于上述第一多孔性介電材料701的面積，再順應(yīng)性形成一第二致密介電材料704。編號(hào)704a是為上述第二致密介電材料704順應(yīng)性形成時(shí)的最邊緣部分，落于上述第一致密介電材料702的邊緣部分702a。如此依序重復(fù)設(shè)置一第三多孔性介電材料705、第三致密介電材料706、第四多孔性介電材料707、第四致密介電材料708、第五多孔性介電材料709、第五致密介電材料710、第六多孔性介電材料711、第六致密介電材料712、第七多孔性介電材料713、第七致密介電材料714、第八多孔性介電材料715、第八致密介電材料716。
如前所述，上述第一多孔性介電材料701、第二多孔性介電材料703、第三多孔性介電材料705、第四多孔性介電材料707、第五多孔性介電、材料709、第六多孔性介電材料711、上述第七多孔性介電材料718、上述第八多孔性介電材料715的面積大小依序遞減。如此一來(lái)，皆可使得各層多孔性介電材料7受到全面性覆蓋與保護(hù)，較不容易剝落。根據(jù)本發(fā)明的本實(shí)施例的多孔性材料受到最完整保護(hù)，整個(gè)介電材料層最不容易剝落。
上述第一多孔性介電材料701、上述第二多孔性介電材料703、上述第三多孔性介電材料705、上述第四多孔性介電材料707、上述第五多孔性介電材料709、上述第六多孔性介電材料711、上述第七多孔性介電材料713、上述第八多孔性介電材料715皆可利用化學(xué)氣相沉積法(CVD)或旋轉(zhuǎn)涂布法(spin-on)形成，其材料獨(dú)立由半有機(jī)硅烷聚合物(如hydrogensilsesquioxane；HSQ、metbylsilsequioxane；MSQ)、Allied Signal公司所生產(chǎn)的FLARE、氣凝膠(aerogels)、干凝膠(xerogels)、Dow Chehcal公司所生產(chǎn)的SiLK或是Nanopore公司所生產(chǎn)的nanoglass所構(gòu)成。并且，上述第一致密介電材料702、上述第二致密介電材料704、上述第三致密介電材料706、上述第四致密介電材料708、上述第五致密介電材料710、上述第六致密介電材料712、上述第七致密介電材料714、上述第八致密介電材料717皆可利用化學(xué)氣相沉積、法(CVD)或旋轉(zhuǎn)涂布法(spin-on)形成，且其材料例如為半有機(jī)硅烷聚合物、有機(jī)芳香碳烴氫聚合物、二氧化硅、氟硅玻璃或黑鉆石所構(gòu)成。
上述第三致密介電材料的邊緣部分706a則落于上述第二致密介電材料的邊緣部分704a的表面，再依序堆疊上述第四致密介電材料的邊緣部分708a、上述第五致密介電材料的邊緣部分710a、上述第六致密介電材料的邊緣部分712a、上述第七致密介電材料的邊緣部分714a、上述第八致密介電材料716的邊緣部分716a。
權(quán)利要求
1.一種介電材料層結(jié)構(gòu)，包括一基底；一多孔性介電材料，設(shè)置于上述基底表面；其特征在于還包括一致密介電材料，設(shè)置于上述多孔性介電材料之上。
2.如權(quán)利要求1所述的介電材料層結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的多孔性介電材料是以露出基底表面邊緣的方式加以設(shè)置，并且基底表面露出部分直接與密介電材料接觸。
3.如權(quán)利要求2所述的介電材料層結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的介電材料層結(jié)構(gòu)還包括一第二多孔性介電材料，設(shè)制于第一致密介電材料表面之上，及一第二致密介電材料，覆蓋于上述第二多孔性介電材料與上述露出部分的第一致密介電材料表面之上。
4.如權(quán)利要求1，2或3所述的介電材料層結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的致密介電材料是利用化學(xué)氣相沉積法或旋轉(zhuǎn)涂布法形成。
5.如權(quán)利要求1，2或3所述的介電材料層結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的致密介電材料包括半有機(jī)硅燒聚合物、有機(jī)芳香碳烴氫聚合物、二氧化硅、氟硅玻璃或黑鉆石之一或其組合。
6.如權(quán)利要求1，2或3所述的介電材料層結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的致密介電材料與所述多孔性介電層材料為相同材質(zhì)，且所述致密介電材料施以一致密化處理。
7.一種制備權(quán)利要求1所述的介電材料層結(jié)構(gòu)的方法，包括如下步驟提供一基底；形成一多孔性介電材料于上述基底表面；其特征在于，還包括形成一致密介電材料覆蓋于上述多孔性介電材料的步驟。
8.如權(quán)利要求7所述的介電材料層結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，還包括去除上述多孔性介電材料的邊緣，直到露出部分上述基底表面的步驟，并且將基底表面露出部分直接與致密介電材料接觸。
9.如權(quán)利要求8所述的介電材料層結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，還包括在第一致密介電材料表面設(shè)置一第二多孔性介電材料，并將第二致密介電材料覆蓋于上述第二多孔性介電材料與上述露出部分的第一致密介電材料表面之上的步驟。
10.如權(quán)利要求7，8或9所述的介電材料層結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述的致密介電材料是利用化學(xué)氣相沉積法或旋轉(zhuǎn)涂布法形成。
11.如權(quán)利要求7，8或9所述的介電材料層結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述的致密介電材料包括半有機(jī)硅烷聚合物、有機(jī)芳香碳烴氫聚合物、二氧化硅、氟硅玻璃或黑鉆石之一或其組合。
12.如權(quán)利要求7，8或9所述的介電材料層結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述的致密介電材料與上述多孔性介電材料是為相同材質(zhì)，且上述致密介電層材料施以一致密化處理。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種low－k介電材料層結(jié)構(gòu)及其制造方法，該介電材料層結(jié)構(gòu)包括一基底；一多孔性介電材料，設(shè)置于上述基底表面；以及一致密介電材料，設(shè)置于上述多孔性介電材料之上。其制造方法包括提供一基底；在一基底上形成一low－k的多孔性介電材料，接著，再覆蓋上一層致密的介電材料于多孔性介電材料表面?？煞乐苟嗫仔越殡姴牧蟿兟?peeling)的問(wèn)題發(fā)生。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1464537SQ02124398
公開(kāi)日2003年12月31日 申請(qǐng)日期2002年6月21日 優(yōu)先權(quán)日2002年6月21日
發(fā)明者周子仁, 章勛明, 陳盈和, 李勝男 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司