專利名稱：真空斷路器的觸點(diǎn)及使用觸點(diǎn)的真空斷路器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及真空斷路器的觸點(diǎn)及使用觸點(diǎn)的真空斷路器。
US No.4620074(相應(yīng)于日本專利申請(qǐng)二次公開No.3-59531)公開了一種真空開關(guān)的觸點(diǎn)安排。這種安排包括兩個(gè)杯形觸點(diǎn)，各有中空的圓筒形的觸點(diǎn)等。各觸點(diǎn)架的端面有觸點(diǎn)板和多個(gè)縫槽設(shè)在觸點(diǎn)架的圓周表面?？p槽相對(duì)于各觸點(diǎn)架的中心軸線傾斜。規(guī)定了觸點(diǎn)架的軸向長度(杯的深度)、縫槽的數(shù)目和縫槽相對(duì)于觸點(diǎn)架直徑的方位角。
因此，本發(fā)明的目的是提供一種真空斷路器的觸點(diǎn)，可增加磁場(chǎng)強(qiáng)度而不惡化機(jī)械強(qiáng)度，以及提供使用觸點(diǎn)的真空斷路器，在斷路時(shí)可產(chǎn)生均勻的電弧分布和達(dá)到高的斷路性能而不增加其尺寸。
為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的上述目的，本發(fā)明提供了一種真空斷路器的觸點(diǎn)，包括一個(gè)中空的圓筒形的觸點(diǎn)架，所述的觸點(diǎn)架包括一中心軸線、相對(duì)的軸向端面和沿著中心軸線延伸的軸向長度；一個(gè)觸點(diǎn)板，設(shè)在所述的觸點(diǎn)架的相對(duì)的軸向端面之一上；多個(gè)第一縫隙，從所述的相對(duì)的軸向端面之一延伸出和相對(duì)所述的觸點(diǎn)架的中心軸線傾斜，所述的第一縫隙有沿著所述的觸點(diǎn)架的軸向延伸的第一高度X；多個(gè)第二縫隙，從所述的相對(duì)的軸向端面中另一個(gè)延伸出和相對(duì)所述的觸點(diǎn)架的中心軸線傾斜，所述的第二縫隙有沿著所述的觸點(diǎn)架的軸向延伸的第二高度Y，所述的第二縫隙與所述的第一縫隙配合以在所述的第一、二縫隙之間，限定在所述的觸點(diǎn)架中的圈形部分，該部分允許電流流過和形成沿所述的觸點(diǎn)架軸向的軸向磁場(chǎng)；其中假設(shè)觸點(diǎn)架的軸向長度為1，所述的第一高度X和所述的第二高度Y滿足由下面公式(1)-(3)給出的關(guān)系0.9≥X …(1)X≥Y≥0.2X …(2)1.4≥X+Y≥0.8…(3)為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的上述目的，本發(fā)明還提供了一個(gè)真空斷路器，包括一個(gè)真空外殼；和一對(duì)觸點(diǎn)，安排成同軸地設(shè)在所述的真空外殼內(nèi)和可以沿著軸向相對(duì)運(yùn)動(dòng)，各觸點(diǎn)包括一個(gè)中空的圓筒形的觸點(diǎn)架，所述的觸點(diǎn)架包括一中心軸線、相對(duì)的軸向端面和沿著中心軸線延伸的軸向長度；一個(gè)觸點(diǎn)板，設(shè)在所述的觸點(diǎn)架的相對(duì)的軸向端面之一上；多個(gè)第一縫隙，從所述的相對(duì)的軸向端面之一延伸出和相對(duì)所述的觸點(diǎn)架的中心軸線傾斜，所述的第一縫隙有沿著所述的觸點(diǎn)架的軸向延伸的第一高度X；多個(gè)第二縫隙，從所述的相對(duì)的軸向端面中另一個(gè)延伸出和相對(duì)所述的觸點(diǎn)架的中心軸線傾斜，所述的第二縫隙有沿著所述的觸點(diǎn)架的軸向延伸的第二高度Y，所述的第二縫隙與所述的第一縫隙配合以在所述的第一、二縫隙之間，限定在所述的觸點(diǎn)架中的圈形部分，該部分允許電流流過和形成沿所述的觸點(diǎn)架軸向的軸向磁場(chǎng)；其中假設(shè)觸點(diǎn)架的軸向長度為1，所述的第一高度X和所述的第二高度Y滿足由下面公式(1)-(3)給出的關(guān)系0.9≥X …(1)X≥Y≥0.2X …(2)1.4≥X+Y≥0.8…(3)
最佳實(shí)施例的詳細(xì)說明下面參見


按照本發(fā)明的用于真空斷路器的觸點(diǎn)，及使用觸點(diǎn)的真空斷路器。參見圖1-2，圖中示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的觸點(diǎn)。參見圖4-5，圖中示出了用在真空斷路器的兩個(gè)相對(duì)的觸點(diǎn)。如圖1-2中可見，觸點(diǎn)包括一個(gè)有中心軸線A的中空的圓筒形的觸點(diǎn)架1。在圖1中，D表示觸點(diǎn)架1的外徑，L為觸點(diǎn)架1的軸向長度或深度，W表示觸點(diǎn)架1的圓筒形的壁的厚度。如圖1所示，觸點(diǎn)架1包括相對(duì)的軸向端面1a和1b。觸點(diǎn)板2通過釬焊固定到觸點(diǎn)架1的端面1a。觸點(diǎn)端板3通過釬焊固定到觸點(diǎn)架1的相對(duì)的端面1b。圓筒形的觸點(diǎn)架1和觸點(diǎn)端板3配合形成一個(gè)杯形。在該實(shí)施例中，如圖4所示，觸點(diǎn)端板3有一環(huán)形的裝配件3b，設(shè)在端板3的表面3a上。一個(gè)中空的圓筒形增強(qiáng)件4與觸點(diǎn)架1同軸地設(shè)在觸點(diǎn)架1的里面和沿觸點(diǎn)架1的內(nèi)圓周面延伸，兩者之間有間距。增強(qiáng)件4增強(qiáng)觸點(diǎn)架1和觸點(diǎn)板2以防止兩者的變形。增強(qiáng)件4包括一個(gè)軸向端部，裝在環(huán)形裝配件3b的內(nèi)周邊和與觸點(diǎn)板3的表面3a接觸。增強(qiáng)件4有一個(gè)軸向端面與觸點(diǎn)板2接觸，并用釬焊焊在其上。
觸點(diǎn)架1包括第一縫隙5和第二縫隙6，設(shè)在觸點(diǎn)架1的圓筒壁上。第一縫隙5和第二縫隙6延伸在觸點(diǎn)架1的內(nèi)外圓周表面之間。第一縫隙5和第二縫隙6相對(duì)于觸點(diǎn)架1的中心軸線A傾斜一角α。第一縫隙5的端部5a開口到觸點(diǎn)架1的端面1a。第二縫隙6的端部6a開口到觸點(diǎn)架1的相對(duì)的端面1b。第一縫隙5和第二縫隙的方位角β為常數(shù)。如圖3所示，方位角β是各弧形的縫隙5，6，相對(duì)各圓形端面1a和1b的中心0的打開的角度。第一縫隙5和第二縫隙6配合在其間限定觸點(diǎn)架1中的圈形部分。具體地，在相互鄰近的第一縫隙5之間形成有一個(gè)圈形部分7a，在第一縫隙5和第二縫隙之間形成有一個(gè)圈形部分7b和在相鄰的第二縫隙6之間形成有一個(gè)圈形部分7c。
第一縫隙5和第二縫隙6的總數(shù)S定在下式給定的范圍內(nèi)0.1D≤S≤0.2D式中D表示觸點(diǎn)架1的外徑(mm)。第一縫隙5和第二縫隙6的數(shù)目各為總數(shù)S的一半。第一縫隙5和第二縫隙6的傾斜角α定在60度-80度的范圍內(nèi)。傾斜角α的范圍根據(jù)觸點(diǎn)架1的機(jī)械強(qiáng)度和電阻的減小而確定。具體地，從觸點(diǎn)架1的機(jī)械強(qiáng)度和電阻的減小觀點(diǎn)出發(fā)，沿著與其垂直的方向在相鄰的第一縫隙5之間，在相鄰的第二縫隙6之間，和在第一縫隙5和第二縫隙6之間延伸的垂直距離“e”優(yōu)選地為約7mm-18mm。在這種情形下，基于觸點(diǎn)架1的外徑D和第一縫隙5和第二縫隙6的總數(shù)，得到傾斜角α的范圍，也就是60度-80度。
第一縫隙5和第二縫隙6的方位角β定在(540/S)°≤β≤(1440/S)°之間的范圍。下限值(540/S)°是在圈形部分的長度為1.5圈的情形下確定。如果下限值小于(540/S)°，不能產(chǎn)生足夠的磁通量。上限值(1440/S)°是在圈形部分的長度為4圈的情形下確定。如果上限值大于(1440/S)°，電阻將增加到產(chǎn)生會(huì)有負(fù)面影響的熱量。另外，在這種情形下，觸點(diǎn)架1的機(jī)械強(qiáng)度會(huì)降低。
第一縫隙5和第二縫隙6相互等距間隔開預(yù)定的圓周距離或方位角γ。方位角γ的范圍設(shè)定在(120/S)°≤γ≤(600/S)°的范圍內(nèi)，式中S表示第一縫隙5和第二縫隙6的總數(shù)。方位角γ根據(jù)觸點(diǎn)架1的機(jī)械強(qiáng)度確定。
第一縫隙5和第二縫隙6的圓周長度減小以在其間限定圓周距離或方位角γ。結(jié)果，在相鄰的第一縫隙5之間和在相鄰的第二縫隙6之間形成一個(gè)剛性的小柱部分1c。通過設(shè)置小柱部分1c，可保持觸點(diǎn)架1的機(jī)械強(qiáng)度。具體地，如果在觸點(diǎn)架1中形成圓周延伸的縫隙，沿軸向觸點(diǎn)架1的機(jī)械強(qiáng)度會(huì)惡化。但是，由于設(shè)有剛性的小柱部分1c，可保持觸點(diǎn)架1的軸向強(qiáng)度。
在觸點(diǎn)架1的軸向延伸的預(yù)定區(qū)域內(nèi)，第一縫隙5和第二縫隙6可相互搭接。第二縫隙6可以設(shè)成使得其一部分設(shè)在相鄰的第一縫隙5之間。如圖2清楚可見，觸點(diǎn)板2設(shè)有線性的縫隙8，從觸點(diǎn)板2的外周邊筆直地向里延伸?？p隙8的數(shù)目與第一縫隙5的數(shù)目相同?？p隙8的內(nèi)端與觸點(diǎn)板2的中心0偏開，和縫隙8的外端開口到觸點(diǎn)板2的圓周表面。縫隙8總體安排成螺旋方式，如圖2所示。通過把縫隙8的外端8a與觸點(diǎn)架1的第一縫隙5的開口端5a對(duì)齊，把觸點(diǎn)板2裝到觸點(diǎn)架1上。因而縫隙8與第一縫隙5相互連通。
現(xiàn)在參見圖4-6，說明使用上述觸點(diǎn)的真空斷路器。如圖6所示，真空斷路器10包括一個(gè)真空外殼13和設(shè)在真空外殼13內(nèi)的兩個(gè)觸點(diǎn)11、12。兩個(gè)觸點(diǎn)11、12各有如圖1-3所示的結(jié)構(gòu)。如圖4-6所示，觸點(diǎn)11、12安排成同軸和相互相對(duì)。在觸點(diǎn)11、12之間有預(yù)定的間隙(中間接觸距離)G。預(yù)定的間隙G定在15mm≤G≤100mm之間的范圍。預(yù)定的間隙G根據(jù)加到真空斷路器10上的電壓級(jí)別用經(jīng)驗(yàn)方法確定。
真空外殼13包括一個(gè)絕緣管14和包著絕緣管14的相對(duì)端部的端板15、16。絕緣管14由陶瓷、玻璃等制成。端板15、16由金屬制成。對(duì)真空外殼13抽真空以產(chǎn)生一個(gè)高真空。一個(gè)固定電極棒17通過端板15固定到真空外殼1 3上。作為固定電極的觸點(diǎn)11固定到位于真空外殼13內(nèi)的固定電極棒17的尖端。作為可移動(dòng)的電極的觸點(diǎn)12固定到活動(dòng)電極棒19的尖端，活動(dòng)電極棒19的尖端與真空外殼13內(nèi)的固定電極棒17的尖端相對(duì)。
在如此構(gòu)造的真空斷路器中，在斷路時(shí)，在作為電極的觸點(diǎn)11和12之間產(chǎn)生電弧。電流“i”按圖1和6中的箭頭指示的方向流動(dòng)。具體地，如圖1所示，電流i從觸點(diǎn)板2進(jìn)入在觸點(diǎn)架1的相鄰的第一縫隙5之間的圈形部分7a，穿過在第一縫隙5和第二縫隙6之間的圈形部分7b和在相鄰的第二縫隙6之間的圈形部分7c。由于電流“i”穿過圈形部分7a、7b、7c，在觸點(diǎn)板2之間產(chǎn)生了一個(gè)磁場(chǎng)B。在如此形成的許多長的電流通路的情形下，磁場(chǎng)B約為只有第一縫隙5的觸點(diǎn)之間產(chǎn)生的磁場(chǎng)的兩倍。因此，真空斷路器可達(dá)到極好的電弧穩(wěn)定性和斷路性能。同時(shí)，可允許一個(gè)旁路電流，如圖1虛線所示。
考慮在間隔開的電極之間產(chǎn)生的磁場(chǎng)，由于第一縫隙5在觸點(diǎn)11和12的觸點(diǎn)板12之間產(chǎn)生的磁場(chǎng)比由于第二縫隙6產(chǎn)生的磁場(chǎng)更有效地作用在真空電弧上。這是因?yàn)樵谟|點(diǎn)板2這側(cè)的第一縫隙5比在觸點(diǎn)端板3這側(cè)的第二縫隙6位于更靠近在電極之間的間隙。如果第一縫隙5和第二縫隙6有沿觸點(diǎn)架1的軸向延伸的同樣的軸向長度(下面稱作高度)，則不會(huì)總是得到理想的磁場(chǎng)。由于這一原因，對(duì)設(shè)有第一縫隙5和第二縫隙6有不同的高度的各種觸點(diǎn)進(jìn)行了試驗(yàn)以測(cè)量其間產(chǎn)生的磁場(chǎng)強(qiáng)度。
參見圖7A-7C，8A-8C和9-13說明在觸點(diǎn)之間的磁場(chǎng)強(qiáng)度。圖7A-7C示出了有不同安排的第一縫隙5和第二縫隙6的觸點(diǎn)，其中第一縫隙5和第二縫隙6的高度的總和的比是改變的。在圖7A-7C中，X和Y分別表示第一縫隙5的高度和第二縫隙6的高度，和假設(shè)觸點(diǎn)架1的軸向長度為1。這里0＜X，Y＜1和X＝Y(jié)。第一縫隙5和第二縫隙6的形狀參數(shù)由第一縫隙5和第二縫隙6的高度X，Y和高度XY的總和X+Y來表示。圖7A-7C示出的情形是第一縫隙5和第二縫隙6的高度X，Y相等，和高度X，Y的總和相對(duì)觸點(diǎn)架1的軸向長度“1”改變。圖7A示出的情形為X+Y＞1，其中高度X，Y的總和X+Y大于觸點(diǎn)架1的軸向長度“1”。也就是，第一縫隙5和第二縫隙6在高度方向重疊。圖7B示出的情形為X+Y＝1，其中高度X，Y的總和X+Y等于觸點(diǎn)架1的軸向長度“1”。也就是，第一縫隙5和第二縫隙6在高度方向不重疊。圖7C示出的情形為X+Y＜1，其中高度X，Y的總和X+Y小于觸點(diǎn)架1的軸向長度“1”。也就是，第一縫隙5和第二縫隙6在高度方向相互隔開一段距離。
圖8A-8C示出類似圖7A-7C的情形，但是示出了X＞Y的情形，其中第一縫隙5的高度大于第二縫隙6的高度。圖8A示出的情形為X+Y＞1，其中第一縫隙5和第二縫隙6在高度方向重疊。圖8B示出的情形為X+Y＝1，其中第一縫隙5和第二縫隙6在高度方向不重疊。圖8C示出的情形為X+Y＜1，其中第一縫隙5和第二縫隙6在高度方向隔開一段距離。
圖9示出使用圖7A-7B所示的觸點(diǎn)的真空斷路器中產(chǎn)生的磁場(chǎng)強(qiáng)度。圖10示出了使用圖7A-7B所示的觸點(diǎn)的真空斷路器中產(chǎn)生的磁場(chǎng)強(qiáng)度。在圖9和10中，橫座標(biāo)軸表示離開作為電極的觸點(diǎn)板2的中心軸線的徑向距離，和縱座標(biāo)軸表示在觸點(diǎn)之間產(chǎn)生的磁場(chǎng)強(qiáng)度。使用了任選的單位(A.U)。具體地，圖9示出了在第一縫隙5和第二縫隙6的高度X和Y是相等(X＝Y(jié))的情形下得到的磁場(chǎng)強(qiáng)度。圖10示出了在第一縫隙5的高度大于第二縫隙6的高度(X＞Y)的情形下得到的磁場(chǎng)強(qiáng)度。在圖9和10中，實(shí)線表示在X+Y＞1的情形下得到的磁場(chǎng)強(qiáng)度的分布，在該情形下，第一縫隙5和第二縫隙6的高度X、Y的和X+Y大于觸點(diǎn)架1的軸向長度“1”使第一縫隙5和第二縫隙6在高度方向重疊。而虛線代表在X+Y＝1的情表下得到的磁場(chǎng)強(qiáng)度。在這種情形下，第一縫隙5和第二縫隙6的高度X，Y的和X+Y等于觸點(diǎn)架1的軸向長度“1”，使第一縫隙5和第二縫隙6在高度方向不重疊。從圖9和10可見，在X+Y＞1的情形下得到的磁場(chǎng)強(qiáng)度大于在X+Y＝1的情形下得到的磁場(chǎng)強(qiáng)度。
圖11示出了觸點(diǎn)的第一縫隙5和第二縫隙6的高度X，Y的總和X+Y和觸點(diǎn)之間產(chǎn)生的磁場(chǎng)強(qiáng)度之間的關(guān)系，圖中橫座標(biāo)軸表示第一縫隙5和第二縫隙6的高度X，Y的總和X+Y，而縱座標(biāo)軸表示在觸點(diǎn)之間產(chǎn)生的磁場(chǎng)。實(shí)線表示在X＞Y的情形下，也就是在第一縫隙5的高度X大于第二縫隙6的高度Y的情形下得到的磁場(chǎng)強(qiáng)度。虛線表示在X＝Y(jié)的情形下，也就是在第一縫隙5的高度X等于第二縫隙6的高度Y的情形下得到的磁場(chǎng)強(qiáng)度。
圖12表示在第一縫隙5和第二縫隙6的高度X，Y的總和與各觸點(diǎn)的機(jī)械強(qiáng)度之間的關(guān)系。橫座標(biāo)軸表示第一縫隙5和第二縫隙6的高度X，Y的總和X+Y，縱座標(biāo)軸表示各觸點(diǎn)的機(jī)械強(qiáng)度。實(shí)線表示X＞Y情形下得到的機(jī)械強(qiáng)度，而虛線表示X＝Y(jié)情形下得到的機(jī)械強(qiáng)度。如圖11和12可見，在X＞Y情形下得到的機(jī)械強(qiáng)度基本等于在X＝Y(jié)情形下得到的機(jī)械強(qiáng)度，但是在X＞Y的情形下得到的磁場(chǎng)強(qiáng)度大于在X＝Y(jié)的情形下得到的磁場(chǎng)強(qiáng)度。
圖13示出由第一縫隙5和第二縫隙6的高度X，Y代表的參數(shù)區(qū)域P，其中可以得到要求的磁場(chǎng)強(qiáng)度和機(jī)械強(qiáng)度。在區(qū)域P，第一縫隙5和第二縫隙6的高度X，Y的關(guān)系由下式(1)-(3)給定0.9≥X …(1)X≥Y≥0.2X …(2)1.4≥X+Y≥0.8…(3)通過在區(qū)域P中選擇第一縫隙5和第二縫隙6的高度X，Y可得到提高的磁場(chǎng)強(qiáng)度和機(jī)械強(qiáng)度的真空斷路器。具體地，第一縫隙5的高度X設(shè)定為等于或大于第二縫隙6的高度Y。優(yōu)選地，第一縫隙5的高度X設(shè)定為大于第二縫隙6的高度Y。在這種情形下，可得到作用在觸點(diǎn)之間的電弧上的更有效的磁場(chǎng)強(qiáng)度，如上所述。另外，第二縫隙6的高度Y設(shè)成等于第一縫隙5的高度X的1/5(也就是0.2X)。另外，第一縫隙5和第二縫隙6的高度X，Y的總和X+Y設(shè)成不大于1.4的值。在這種情形下，第一和第二縫隙5、6沿高度方向相互重疊。第一和第二縫隙5，6的高度X，Y的總和X+Y設(shè)成不小于0.8的值。在這種情形下，第一和第二縫隙5，6沿高度方向相互隔開不大的間隙。
觸點(diǎn)架1可在與端面1a交會(huì)的外圓周表面上另外設(shè)有圓周縫隙。該圓周縫隙沿圓周延伸和與第一縫隙5連通。另外，觸點(diǎn)架1可以在與相對(duì)的端面1b交會(huì)的外圓周表面上設(shè)有另外的圓周縫隙。該圓周縫隙沿圓周延伸和與第二縫隙6連通。
本發(fā)明的真空斷路器通過在上述范圍內(nèi)相對(duì)觸點(diǎn)架1的軸向長度設(shè)定第一縫隙5和第二縫隙6的高度X，Y可提供延伸的電流通道。這樣提高了在觸點(diǎn)之間產(chǎn)生的磁場(chǎng)強(qiáng)度而沒有惡化觸點(diǎn)的機(jī)械強(qiáng)度，用來在斷路時(shí)均勻分布產(chǎn)生的電弧，和改善斷路性能。
本申請(qǐng)是基于2001.9.12提交的日本專利申請(qǐng)No.2001-276171和2001.9.26提交的日本專利申請(qǐng)No.2001-293440。這些內(nèi)容結(jié)合作為本發(fā)明的參考。
雖然上面已參照本發(fā)明的一些實(shí)施例說明了本發(fā)明，但本發(fā)明不局限于這些實(shí)施例。本專業(yè)的技術(shù)人員在上面教導(dǎo)下可對(duì)上述實(shí)施例作出修改和改型。本發(fā)明精神由下面權(quán)利要求書限定。
權(quán)利要求
1.一種真空斷路器的觸點(diǎn)，包括一個(gè)中空的圓筒形的觸點(diǎn)架，所述的觸點(diǎn)架包括一中心軸線、相對(duì)的軸向端面和沿著中心軸線延伸的軸向長度；一個(gè)觸點(diǎn)板，設(shè)在所述的觸點(diǎn)架的相對(duì)的軸向端面之一上；多個(gè)第一縫隙，從所述的相對(duì)的軸向端面之一延伸出和相對(duì)所述的觸點(diǎn)架的中心軸線傾斜，所述的第一縫隙有沿著所述的觸點(diǎn)架的軸向延伸的第一高度X；多個(gè)第二縫隙，從所述的相對(duì)的軸向端面中另一個(gè)延伸出和相對(duì)所述的觸點(diǎn)架的中心軸線傾斜，所述的第二縫隙有沿著所述的觸點(diǎn)架的軸向延伸的第二高度Y，所述的第二縫隙與所述的第一縫隙配合以在所述的第一、二縫隙之間，限定在所述的觸點(diǎn)架中的圈形部分，該部分允許電流流過和形成沿所述的觸點(diǎn)架軸向的軸向磁場(chǎng)；其中假設(shè)觸點(diǎn)架的軸向長度為1，所述的第一高度X和所述的第二高度Y滿足由下面公式(1)-(3)給出的關(guān)系0.9≥X …(1)X≥Y≥0.2X …(2)1.4≥X+Y≥0.8…(3)
2.按照權(quán)利要求1所述的觸點(diǎn)，其特征在于所述的第一高度X等于所述的第二高度Y。
3.按照權(quán)利要求2所述的觸點(diǎn)，其特征在于所述的第一高度X和所述的第二高度Y的總和大于1。
4.按照權(quán)利要求2所述的觸點(diǎn)，其特征在于所述的第一高度X和所述的第二高度Y的總和等于1。
5.按照權(quán)利要求2所述的觸點(diǎn)，其特征在于所述的第一高度X和所述的第二高度Y的總和小于1。
6.按照權(quán)利要求1所述的觸點(diǎn)，其特征在于所述的第一高度X大于所述的第二高度Y。
7.按照權(quán)利要求6所述的觸點(diǎn)，其特征在于所述的第一高度X和所述的第二高度Y的總和大于1。
8.按照權(quán)利要求6所述的觸點(diǎn)，其特征在于所述的第一高度X和所述的第二高度Y的總和等于1。
9.按照權(quán)利要求6所述的觸點(diǎn)，其特征在于所述的第一高度X和所述的第二高度Y的總和小于1。
10.按照權(quán)利要求1的觸點(diǎn)，其特征在于所述的觸點(diǎn)板包括多個(gè)第三縫隙，所述的第三縫隙一端開口到所述的觸點(diǎn)板的圓周表面，所述的第三縫隙的一端在所述的觸點(diǎn)架的相對(duì)的軸向端面之一與所述的第一縫隙連通。
11.按照權(quán)利要求1的觸點(diǎn)，其特征在于還包括一增強(qiáng)件，同軸地設(shè)在所述的觸點(diǎn)架的里面，所述的增強(qiáng)件與所述的觸點(diǎn)板接觸和沿所述的觸點(diǎn)架延伸。
12.一個(gè)真空斷路器，包括一個(gè)真空外殼；和一對(duì)觸點(diǎn)，安排成同軸地設(shè)在所述的真空外殼內(nèi)和可以沿著軸向相對(duì)運(yùn)動(dòng)，各觸點(diǎn)包括一個(gè)中空的圓筒形的觸點(diǎn)架，所述的觸點(diǎn)架包括一中心軸線、相對(duì)的軸向端面和沿著中心軸線延伸的軸向長度；一個(gè)觸點(diǎn)板，設(shè)在所述的觸點(diǎn)架的相對(duì)的軸向端面之一上；多個(gè)第一縫隙，從所述的相對(duì)的軸向端面之一延伸出和相對(duì)所述的觸點(diǎn)架的中心軸線傾斜，所述的第一縫隙有沿著所述的觸點(diǎn)架的軸向延伸的第一高度X；多個(gè)第二縫隙，從所述的相對(duì)的軸向端面中另一個(gè)延伸出和相對(duì)所述的觸點(diǎn)架的中心軸線傾斜，所述的第二縫隙有沿著所述的觸點(diǎn)架的軸向延伸的第二高度Y，所述的第二縫隙與所述的第一縫隙配合以在所述的第一、二縫隙之間，限定在所述的觸點(diǎn)架中的圈形部分，該部分允許電流流過和形成沿所述的觸點(diǎn)架軸向的軸向磁場(chǎng)；其中假設(shè)觸點(diǎn)架的軸向長度為1，所述的第一高度X和所述的第二高度Y滿足由下面公式(1)-(3)給出的關(guān)系0.9≥X …(1)X≥Y≥0.2X …(2)1.4≥X+Y≥0.8…(3)
13.按照權(quán)利要求12的真空斷路器，其特征在于還包括一個(gè)第一電極棒，固定在所述的觸點(diǎn)之一上，一個(gè)第二電極棒，固定在所述的觸點(diǎn)的另一個(gè)上，和一個(gè)致動(dòng)器，與所述的第二電極棒連接，和可操作使所述的第二電極棒相對(duì)所述的第一電極棒沿所述的觸點(diǎn)架的軸向移動(dòng)。
14.按照權(quán)利要求12的真空斷路器，其特征在于所述的第一高度X等于所述的第二高度Y。
15.按照權(quán)利要求14的真空斷路器，其特征在于所述的第一高度X和所述的第二高度Y的總和大于1。
16.按照權(quán)利要求14的真空斷路器，其特征在于所述的第一高度X和所述的第二高度Y的總和等于1。
17.按照權(quán)利要求14的真空斷路器，其特征在于所述的第一高度X和所述的第二高度Y的總和小于1。
18.按照權(quán)利要求12的真空斷路器，其特征在于所述的第一高度X大于所述的第二高度Y。
19.按照權(quán)利要求18的真空斷路器，其特征在于所述的第一高度X和所述的第二高度Y的總和大于1。
20.按照權(quán)利要求18的真空斷路器，其特征在于所述的第一高度X和所述的第二高度Y的總和等于1。
21.按照權(quán)利要求18的真空斷路器，其特征在于所述的第一高度X和所述的第二高度Y的總和小于1。
22.按照權(quán)利要求12的真空斷路器，其特征在于所述的觸點(diǎn)板包括多個(gè)第三縫隙，所述的第三縫隙一端開口到所述的觸點(diǎn)板的圓周表面，所述的第三縫隙的一端在所述的觸點(diǎn)架的相對(duì)的軸向端面之一與所述的第一縫隙連通。
23.按照權(quán)利要求12的真空斷路器，其特征在于各所述的觸點(diǎn)包括一增強(qiáng)件，同軸地設(shè)在所述的觸點(diǎn)架的里面，所述的增強(qiáng)件與所述的觸點(diǎn)板接觸和沿所述的觸點(diǎn)架延伸。
全文摘要
觸點(diǎn)和使用觸點(diǎn)的斷路器。觸點(diǎn)包括中空的圓筒形觸點(diǎn)架和設(shè)在觸點(diǎn)架的一個(gè)軸向端面上的觸點(diǎn)板。第一縫隙和第二縫隙分別從觸點(diǎn)架的一個(gè)和另一個(gè)軸向端面上延伸出。第一縫隙和第二縫隙相對(duì)觸點(diǎn)架的中心軸線傾斜，和分別有沿觸點(diǎn)架的軸向延伸的第一高度X和第二高度Y。假設(shè)觸點(diǎn)架的軸向長度1，第一高度X和第二高度Y滿足由下式(1)－(3)給出的關(guān)系(1)0.9≥X；(2)X≥Y≥0.2X；(3)1.4≥X+Y≥0.8。
文檔編號(hào)H01H33/664GK1405811SQ0213154
公開日2003年3月26日 申請(qǐng)日期2002年9月11日 優(yōu)先權(quán)日2001年9月12日
發(fā)明者松井芳彥, 竹渕秀光, 西島陽 申請(qǐng)人:株式會(huì)社明電舍