專利名稱：一種ZnO肖特基二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件。具體說(shuō)涉及ZnO肖特基二極管。
背景技術(shù)：
肖特基二極管，特別是調(diào)頻肖特基二極管可廣泛應(yīng)用于微波混頻、檢波及高速開(kāi)關(guān)電路等領(lǐng)域。傳統(tǒng)的肖特基二極管，其歐姆接觸電極直接設(shè)在襯底的背面，在襯底的正面自下而上依次沉積外延層和金屬電極層，外延層的厚度均在2μm以上。這種肖特基二極管的襯底串聯(lián)電阻較大，截止頻率較低，故其應(yīng)用場(chǎng)合受到極大限制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種利于提高二極管性能的ZnO肖特基二極管。
ZnO肖特基二極管是在襯底的正面自下而上依次沉積第一金屬電極層、ZnO晶體膜外延層和第二金屬電極層而構(gòu)成。
通常，使ZnO晶體膜外延層的厚度在0.3～1μm。
本發(fā)明的ZnO肖特基二極管，其第一金屬電極層和ZnO外延層形成了歐姆接觸，第二金屬電極層和ZnO外延層形成了肖特基接觸。由于歐姆接觸與肖特基接觸的電極直接在ZnO外延層的兩側(cè)，可避免因襯底造成的串聯(lián)電阻過(guò)大而導(dǎo)致器件的理想因子偏高，利于提高截止頻率。采用ZnO薄膜，原料豐富，價(jià)格低廉，且適合高溫、高頻工作，抗輻射能力強(qiáng)；此外，有多種襯底適合ZnO薄膜的沉積，使得器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)比較靈活，制備工藝也簡(jiǎn)單。


圖1是ZnO肖特基二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是ZnO肖特基二極管的整流特性。
具體實(shí)施例方式
參照?qǐng)D1，本發(fā)明的ZnO肖特基二極管是在襯底1的正面自下而上依次沉積第一金屬電極層2、ZnO晶體膜外延層3和第二金屬電極層4而構(gòu)成。其中襯底可以是硅、金屬或玻璃。ZnO晶體膜外延層的厚度在0.3～1μm。第一、第二金屬層可以是任意金屬，一般，第一金屬層采用鋁，第二金屬層采用鉑為好。.
制備時(shí)，先按常規(guī)方法對(duì)襯底進(jìn)行清洗，然后在襯底上用真空蒸發(fā)沉積第一金屬層，如鋁膜，再用磁控濺射沉積法在鋁膜上沉積ZnO晶體膜層，用光刻工藝在ZnO薄膜上制作第二金屬電極層，如鉑電極。
本發(fā)明的ZnO肖特基二極管用J-V測(cè)試顯示，見(jiàn)圖2所示，它具有明顯的整流特性，可適應(yīng)通訊，微波技術(shù)的發(fā)展。
權(quán)利要求
1.一種ZnO肖特基二極管，包括襯底(1)，其特征在于它是在襯底的正面自下而上依次沉積第一金屬電極層(2)、ZnO晶體膜外延層(3)和第二金屬電極層(4)而構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ZnO肖特基二極管，其特征是ZnO晶體膜外延層(3)的厚度為0.3～1μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ZnO肖特基二極管，其特征是所說(shuō)的第一金屬電極層(2)是鋁，第二金屬電極層(4)是鉑。
全文摘要
本發(fā)明的ZnO肖特基二極管是在襯底的正面自下而上依次沉積第一金屬電極層、ZnO晶體膜外延層和第二金屬電極層而構(gòu)成。本發(fā)明的ZnO肖特基二極管，由于歐姆接觸與肖特基接觸的電極直接在ZnO外延層的兩側(cè)，可避免因襯底造成的串聯(lián)電阻過(guò)大而導(dǎo)致器件的理想因子偏高，利于提高截止頻率。采用ZnO薄膜，原料豐富，價(jià)格低廉，且適合高溫、高頻工作，抗輻射能力強(qiáng)；此外，有多種襯底適合ZnO薄膜的沉積，使得器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)比較靈活，制備工藝也簡(jiǎn)單。
文檔編號(hào)H01L29/872GK1405899SQ0213732
公開(kāi)日2003年3月26日 申請(qǐng)日期2002年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月28日
發(fā)明者葉志鎮(zhèn), 李蓓, 黃靖云, 張海燕 申請(qǐng)人:浙江大學(xué)