專(zhuān)利名稱(chēng)：L型字線(xiàn)間隙壁的結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于L型字線(xiàn)(Word Line)間隙壁的結(jié)構(gòu)及其制造方法，特別是有關(guān)于閃存(Flash Memory)中制造L型字線(xiàn)間隙壁的結(jié)構(gòu)及其制造方法，以提供柵極(Gate)與漏極(Drain)間有良好的電性隔離，但其應(yīng)用不限于本領(lǐng)域。


圖1a至圖1h所繪示為一般閃存中字線(xiàn)間隙壁的制造方法的流程上視圖，而圖2a至圖2h所繪示為一般對(duì)照?qǐng)D1a至圖1h閃存中字線(xiàn)間隙壁的制造方法的流程剖面圖。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1a與圖2a，圖2a為圖1a沿I-I剖面線(xiàn)的結(jié)構(gòu)剖面圖。首先，提供襯底110，并在襯底110上形成氮化硅層(圖未繪示)，此氮化硅層的厚度約為1600，再進(jìn)行定義步驟以在襯底110上定義出淺溝渠隔離116。接著，移除此氮化硅層，并形成浮柵極氧化層112與多晶硅層114以覆蓋在襯底110上，其結(jié)構(gòu)如圖2a所示。其中，浮柵極氧化層112的厚度約為80，而多晶硅層114的厚度約為800。之后，可依閃存晶體需要，再進(jìn)行其它例如使基本晶體(Cell)自行對(duì)準(zhǔn)(Self-Aligned)擴(kuò)散(Diffusion)等制作工藝。
然后，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1b與圖2b，圖2b為圖1b沿II-II剖面線(xiàn)的結(jié)構(gòu)剖面圖。其中，形成氮化硅層118在上述圖2a的結(jié)構(gòu)上，此氮化硅層118的厚度約為2500。接著，形成光阻層120于氮化硅層118上，并利用光阻層120以定義出開(kāi)口122，此開(kāi)口122用來(lái)定義基本晶體的位置。在此形成開(kāi)口122的定義步驟中，去除了部分的氮化硅層118與蝕刻部分的多晶硅層114，借此以在多晶硅層114的表面形成具有兩側(cè)略微傾斜的凹洞123，其結(jié)構(gòu)如圖2b所示。
之后，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1c與圖2c，圖2c為圖1c沿III-III剖面線(xiàn)的結(jié)構(gòu)剖面圖。移除圖2b的結(jié)構(gòu)中的光阻層120后，于開(kāi)口122的位置形成氧化層124，此氧化層124的厚度約為3000。接著，并利用如化學(xué)機(jī)械研磨(Chemical Mechanical Polishing；CMP)使氧化層124表面平坦化。隨后，形成光阻層126，并利用此光阻層126以定義出共同源極區(qū)域(Common Source Area)128。此共同源極區(qū)域128的定義步驟，去除了氧化層124間的氮化硅層118、多晶硅層114與浮柵極氧化層112，并暴露出部分的襯底110表面，其結(jié)構(gòu)如圖2c所示。
隨后，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1d與圖2d，圖2d為圖1d沿IV-IV剖面線(xiàn)的結(jié)構(gòu)剖面圖。移去圖2c結(jié)構(gòu)中的光阻層126，并在共同源極區(qū)域128兩側(cè)的氧化層124壁上，形成另一層氧化層，此氧化層的厚度約為500。隨后，再進(jìn)行非等向性蝕刻步驟將氧化層蝕刻成氧化硅間隙壁130，并暴露出部分的襯底110表面，其中氧化硅間隙壁130用以隔離浮柵極氧化層112與后續(xù)形成的多晶硅層132。接著，形成多晶硅層132將共同源極區(qū)域128填滿(mǎn)，此多晶硅層132的厚度約為3000。之后，再利用如化學(xué)機(jī)械研磨法使多晶硅層132表面平坦化，所形成的結(jié)構(gòu)如圖2d所示。此時(shí)，已完成了閃存中源極區(qū)域的內(nèi)聯(lián)機(jī)。
接著，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1e與圖2e，圖2e為圖1e沿V-V剖面線(xiàn)的結(jié)構(gòu)剖面圖。其中，將圖2d結(jié)構(gòu)中的多晶硅層132表面氧化，以形成氧化層133，此氧化層133的厚度約為200。接著，將氮化硅層118與部分多晶硅層114、浮柵極氧化層112去除，以形成凸形結(jié)構(gòu)134。隨后，形成氧化層136以覆蓋上述的凸形結(jié)構(gòu)134，此氧化層136的厚度約為170。之后，共形地形成多晶硅層138以覆蓋氧化層136，此多晶硅層138的厚度約為2000，其結(jié)構(gòu)如圖2e所示。
然后，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1f與圖2f，其中圖2f為圖1f沿VI-VI剖面線(xiàn)的結(jié)構(gòu)剖面圖。進(jìn)行非等向性蝕刻步驟，使圖2e結(jié)構(gòu)中的多晶硅層138形成字線(xiàn)間隙壁140于凸形結(jié)構(gòu)134的兩側(cè)，且其輪廓(Profile)為弧形，形成如圖2f的結(jié)構(gòu)。接著，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1g與圖2g，其中圖2g為圖1g沿VII-VII剖面線(xiàn)的結(jié)構(gòu)剖面圖。形成介電層(圖未繪示)于上述圖2f結(jié)構(gòu)上，此介電層的厚度約為2000，其材質(zhì)例如為氮化硅，并進(jìn)行非等向性蝕刻步驟以將介電層蝕刻成介電質(zhì)間隙壁142，且暴露出另一部分的襯底110表面，其中此介電質(zhì)間隙壁142位在字線(xiàn)間隙壁140的上下邊，如圖2g所示的結(jié)構(gòu)。之后，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1h與圖2h，其中，圖2h為圖1h沿VIII-VIII剖面線(xiàn)的結(jié)構(gòu)剖面圖。在圖2g結(jié)構(gòu)上，形成自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化(Salicide)層144于暴露的字線(xiàn)間隙壁140上與暴露的另一部分的襯底110上，以形成漏極于襯底110中。如此便完成閃存的制造。
如上述一般閃存中字線(xiàn)間隙壁的制造方法，其在凸形結(jié)構(gòu)143上共形地覆蓋一層多晶硅層138，并利用非等向性蝕刻以形成凸形結(jié)構(gòu)134兩側(cè)的字線(xiàn)間隙壁140。由于多晶硅層138的形成表面厚度不均勻加上非等向性蝕刻的作用，因此，所形成的字線(xiàn)間隙壁140的輪廓為弧形，這會(huì)衍生出下述問(wèn)題。首先，如圖2h所示的結(jié)構(gòu)，后續(xù)形成的介電質(zhì)間隙壁142的寬度與高度y1不足以使字線(xiàn)間隙壁140表面的金屬硅化層144(即柵極)與襯底110表面的金屬硅化層144(即漏極)有良好的電性隔離，容易造成柵極與漏極橋接(Bridge)的缺點(diǎn)而降低晶體優(yōu)良率。其次，字線(xiàn)間隙壁140的信道長(zhǎng)度(Channel Length；即長(zhǎng)度x1)不易控制，尤其蝕刻時(shí)間會(huì)影響到信道長(zhǎng)度與字線(xiàn)間隙壁140的輪廓。舉例來(lái)說(shuō)，倘若字線(xiàn)間隙壁140的輪廓太陡峭，后續(xù)形成的介電質(zhì)間隙壁142的高度、寬度與量不足，就會(huì)增加?xùn)艠O與漏極橋接的機(jī)會(huì)。因此，當(dāng)閃存的尺寸日益縮小之際，利用一般閃存的制造方法不易獲致尺寸更小的字線(xiàn)。
由于在一般制造閃存時(shí)，介電質(zhì)間隙壁最好有足夠的高度與寬度，才能達(dá)到金屬硅化層間有良好的電性隔離。因此，有必要提供更佳形狀的字線(xiàn)間隙壁的結(jié)構(gòu)及其制造方法，以降低柵極與漏極橋接的機(jī)率，并制作優(yōu)良率較高的閃存晶體。
因此，本發(fā)明的主要目的之一為提供一種L型字線(xiàn)間隙壁的制造方法，其用于制造閃存，可使制造出來(lái)的字線(xiàn)間隙壁具有L型的結(jié)構(gòu)，以利于后續(xù)介電質(zhì)間隙壁的制作。
本發(fā)明的另一目的為提供一種L型字線(xiàn)間隙壁的制造方法，其利用雙層介電質(zhì)間隙壁，借此以使柵極與漏極間有良好的電性隔離。
本發(fā)明的又一目的為提供一種L型字線(xiàn)間隙壁的結(jié)構(gòu)，其L型字線(xiàn)間隙壁的信道長(zhǎng)度可以控制，因此能滿(mǎn)足尺寸更小的字線(xiàn)的需求，更提高產(chǎn)品優(yōu)良率。
根據(jù)以上所述的目的，本發(fā)明提供了一種L型字線(xiàn)間隙壁的制造方法，至少包括提供具有預(yù)設(shè)結(jié)構(gòu)在其上的襯底；接著，共形地形成多晶硅層以覆蓋襯底與預(yù)設(shè)結(jié)構(gòu)，其中此多晶硅層具有橫向部分與垂直部分；然后，形成第一介電質(zhì)間隙壁于多晶硅層的橫向部分上且貼于多晶硅層的垂直部分上；之后，以第一介電質(zhì)間隙壁為罩幕，選擇性蝕刻多晶硅層，使多晶硅層形成字線(xiàn)間隙壁于預(yù)設(shè)結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，并暴露出部分的襯底，其中字線(xiàn)間隙壁的輪廓為L(zhǎng)型；以及形成第二介電質(zhì)間隙壁于襯底上且貼于第一介電質(zhì)間隙壁與字線(xiàn)間隙壁的兩側(cè)。
根據(jù)以上所述的目的，本發(fā)明還提供了一種L型字線(xiàn)間隙壁的結(jié)構(gòu)，至少包括襯底，其中于襯底上至少設(shè)有預(yù)設(shè)結(jié)構(gòu)；L型字線(xiàn)間隙壁位于預(yù)設(shè)結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，其中L型字線(xiàn)間隙壁的垂直部分貼于預(yù)設(shè)結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上，且L型字線(xiàn)間隙壁的橫向部分位于襯底上；第一介電質(zhì)間隙壁位于L型字線(xiàn)間隙壁的橫向部分上且貼于L型字線(xiàn)間隙壁的垂直部分上，并暴露出部分的L型字線(xiàn)間隙壁；以及第二介電質(zhì)間隙壁位于襯底上且貼于第一介電質(zhì)間隙壁與L型字線(xiàn)間隙壁的兩側(cè)，其中第二介電質(zhì)間隙壁的高度約低于第一介電質(zhì)間隙壁的高度，并暴露出部分的襯底。
根據(jù)以上所述的L型字線(xiàn)間隙壁的結(jié)構(gòu)，其中此預(yù)設(shè)結(jié)構(gòu)包括浮柵極、以及位于浮柵極上的控制柵極，且此預(yù)設(shè)結(jié)構(gòu)位于源極與漏極之間。
根據(jù)以上所述的L型字線(xiàn)間隙壁的結(jié)構(gòu)，還至少包括金屬硅化層位于暴露的部分的L型字線(xiàn)間隙壁上與暴露的部分的襯底上。
利用本發(fā)明L型字線(xiàn)間隙壁的制造方法，具有制造L型字線(xiàn)間隙壁的優(yōu)點(diǎn)，因此，后續(xù)形成的介電質(zhì)間隙壁可具有足夠的高度與寬度，以提供襯底與字線(xiàn)間隙壁表面的金屬硅化層的良好電性隔離。
134凸形結(jié)構(gòu) 136氧化層138多晶硅層 139介電質(zhì)間隙壁140字線(xiàn)間隙壁 141字線(xiàn)間隙壁142介電質(zhì)間隙壁 143介電質(zhì)間隙壁144金屬硅化層 145金屬硅化層x1長(zhǎng)度 y1高度x2長(zhǎng)度 y2高度請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D3a與圖4a，圖4a為圖3a沿I-I剖面線(xiàn)的結(jié)構(gòu)剖面圖。首先，提供襯底110，并在襯底110上形成氮化硅層，此氮化硅層的厚度約為1600，再進(jìn)行定義步驟以在襯底110上定義出淺溝渠隔離116。接著，移除此氮化硅層，并形成浮柵極氧化層112與多晶硅層114以覆蓋在襯底110上，其結(jié)構(gòu)如圖4a所示。其中，浮柵極氧化層112的厚度約為80，而多晶硅層114的厚度約為800。之后，可依閃存晶體需要，再進(jìn)行其它例如使基本晶體自行對(duì)準(zhǔn)擴(kuò)散等制作工藝。
然后，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D3b與圖4b，圖4b為圖3b沿II-II剖面線(xiàn)的結(jié)構(gòu)剖面圖。其中，形成氮化硅層118在上述圖4a的結(jié)構(gòu)上，此氮化硅層118的厚度約為2500。再形成光阻層120于氮化硅層118上，并利用此光阻層120以定義出開(kāi)口122，此開(kāi)口122用來(lái)定義基本晶體的位置。在此形成開(kāi)口122的定義步驟中，去除了部分的氮化硅層118與蝕刻部分的多晶硅層114，借此以在多晶硅層114的表面形成具有兩側(cè)略微傾斜的凹洞123，如圖4b所示。
之后，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D3c與圖4c，圖4c為圖3c沿III-III剖面線(xiàn)的結(jié)構(gòu)剖面圖。移除圖4b的結(jié)構(gòu)中的光阻層120，并在開(kāi)口122的位置形成氧化層124，此氧化層124的厚度約為3000。接著，并利用如化學(xué)機(jī)械研磨使氧化層124表面平坦化。隨后，形成光阻層126，并利用此光阻層126以定義出共同源極區(qū)域128。此共同源極區(qū)域128的定義步驟，去除了氧化層124間的氮化硅層118、多晶硅層114與浮柵極氧化層112，并暴露出部分的襯底110表面，其結(jié)構(gòu)如圖4c所示。
隨后，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D3d與圖4d，圖4d為圖3d沿IV-IV剖面線(xiàn)的結(jié)構(gòu)剖面圖。移去上述圖4c結(jié)構(gòu)中的光阻層126，并在共同源極區(qū)域128兩側(cè)的氧化層124壁上，形成另一層氧化層，此氧化層的厚度約為500。隨后，再進(jìn)行非等向性蝕刻步驟將氧化層蝕刻成氧化硅間隙壁130，并暴露出部分的襯底110表面，其中氧化硅間隙壁130用以隔離浮柵極氧化層112與后續(xù)形成的多晶硅層132。接著，形成多晶硅層132將共同源極區(qū)域128填滿(mǎn)，此多晶硅層132的厚度約為3000。之后，再利用如化學(xué)機(jī)械研磨法使多晶硅層132表面平坦化，所形成的結(jié)構(gòu)如圖4d所示。此時(shí)，已完成了閃存中源極區(qū)域的內(nèi)聯(lián)機(jī)。
接著，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D3e與圖4e，圖4e為圖3e沿V-V剖面線(xiàn)的結(jié)構(gòu)剖面圖。其中，將圖4d結(jié)構(gòu)中的多晶硅層132表面氧化，以形成氧化層133，此氧化層133的厚度約為200。接著，將氮化硅層11818與部分多晶硅層114、浮柵極氧化層112去除，以形成凸形結(jié)構(gòu)134。隨后，形成氧化層136以覆蓋上述的凸形結(jié)構(gòu)134，此氧化層136的厚度約為170。之后，共形地形成多晶硅層138以覆蓋氧化層136，此多晶硅層138的厚度約等于或小于2000，其結(jié)構(gòu)如圖4e所示，其中多晶硅層138具有橫向部分與垂直部分。之后，可依閃存晶體需要，再于多晶硅層138中，例如利用離子植入能量約20千電子伏特、離子劑量為每平方公分約5×1015個(gè)離子，進(jìn)行N+型離子植入(Ion Implantation)等制作工藝。
然后，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D3f與圖4f，其中圖4f為圖3f沿VI-VI剖面線(xiàn)的結(jié)構(gòu)剖面圖。形成介電層于上述圖4e結(jié)構(gòu)上，此介電層的材質(zhì)例如氮化硅(Si3N4)、或者利用四乙基鄰硅酸鹽(Tetraethylorthosilicate；TEOS)、高溫氧化物(High Temperature Oxide；HTO)所形成的介電材料，且其厚度約為800。并進(jìn)行非等向性蝕刻步驟，以選擇性將介電層蝕刻成介電質(zhì)間隙壁139并暴露出部分的晶硅層138，其中此介電質(zhì)間隙壁139位于多晶硅層138的橫向部分上且貼于多晶硅層138的垂直部分上，如圖4f的結(jié)構(gòu)。
值得一提的是，根據(jù)本發(fā)明的L型字線(xiàn)間隙壁的制造方法，其通過(guò)控制字線(xiàn)間隙壁的信道長(zhǎng)度，以滿(mǎn)足尺寸更小的字線(xiàn)的需求。更詳而言之，其通過(guò)控制多晶硅層138的厚度約小于2000，使后續(xù)所形成的L型字線(xiàn)間隙壁具有較小且預(yù)定的信道長(zhǎng)度。由于L型字線(xiàn)間隙壁的信道長(zhǎng)度視實(shí)際需求而定，并不限于本發(fā)明說(shuō)明書(shū)的所述，此為一般熟悉此技術(shù)的人員所了解的，故不另贅述。所以，本發(fā)明避免以回蝕刻方式形成字線(xiàn)間隙壁，可有效防止蝕刻時(shí)間影響字線(xiàn)間隙壁的信道長(zhǎng)度及其輪廓，故能提高產(chǎn)品優(yōu)良率。
接著，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D3g與圖4g，其中圖4g為圖3g沿VII-VII剖面線(xiàn)的結(jié)構(gòu)剖面圖。進(jìn)行非等向性蝕刻步驟，利用介電質(zhì)間隙壁139為罩幕，選擇性蝕刻圖4f結(jié)構(gòu)中的多晶硅層138，使多晶硅層138形成字線(xiàn)間隙壁141，其中字線(xiàn)間隙壁141的輪廓為L(zhǎng)型，且字線(xiàn)間隙壁141的垂直部分貼于凸形結(jié)構(gòu)134的側(cè)壁上，并且字線(xiàn)間隙壁141的橫向部分位于氧化層136上并暴露出部分的氧化層136，而形成如圖4g的結(jié)構(gòu)。
然后，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D3h與圖4h，其中圖4h為圖3h沿VIII-VIII剖面線(xiàn)的結(jié)構(gòu)剖面圖。形成介電層(圖未繪示)于上述圖4g結(jié)構(gòu)上，此介電層的材質(zhì)例如氮化硅、或者利用四乙基鄰硅酸鹽、高溫氧化物所形成的介電材料，且其厚度約為2000，并進(jìn)行非等向性蝕刻步驟以將介電層蝕刻成介電質(zhì)間隙壁143，其中此介電質(zhì)間隙壁143位于氧化層136上且貼于介電質(zhì)間隙壁139與字線(xiàn)間隙壁141的兩側(cè)，然后，再利用介電質(zhì)間隙壁143為罩幕，選擇性蝕刻氧化層136并暴露出另一部分的襯底110，而形成如圖4h的結(jié)構(gòu)，其中介電質(zhì)間隙壁143的高度約低于介電質(zhì)間隙壁139的高度。之后，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D3i與圖4i，其中，圖4i為圖3i沿IX-IX剖面線(xiàn)的結(jié)構(gòu)剖面圖。在圖4h結(jié)構(gòu)上，形成自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化層145于暴露的字線(xiàn)間隙壁141上與暴露的另一部分的襯底110上，以形成漏極于襯底110中。如此便完成閃存的制造。
根據(jù)本發(fā)明的L型字線(xiàn)間隙壁的制造方法，其利用雙層介電質(zhì)間隙壁，因此可提供字線(xiàn)間隙壁上的金屬硅化層與襯底上的金屬硅化層有良好的電性隔離，并能滿(mǎn)足尺寸更小的字線(xiàn)的需求。更詳而言之，除了前述以控制多晶硅層138的厚度來(lái)獲致較小且預(yù)定的信道長(zhǎng)度之外，也可通過(guò)控制介電質(zhì)間隙壁139的厚度，使后續(xù)所形成的字線(xiàn)間隙壁141具有較小且預(yù)定的信道長(zhǎng)度，且當(dāng)介電質(zhì)間隙壁143的厚度越大，字線(xiàn)間隙壁141表面的金屬硅化層145與襯底110表面的金屬硅化層145就有更佳的電性隔離。請(qǐng)參考圖4i，其中字線(xiàn)間隙壁141的信道長(zhǎng)度(即長(zhǎng)度x2)由介電質(zhì)間隙壁139的厚度來(lái)控制，而金屬硅化層145之間的電性隔離則由高度y2與介電質(zhì)間隙壁143的厚度來(lái)有效控制。
綜合上述，本發(fā)明的一優(yōu)點(diǎn)就是提供一種L型字線(xiàn)間隙壁的制造方法，其用于制造閃存，可使制造出來(lái)的字線(xiàn)間隙壁具有L型的結(jié)構(gòu)，以利于后續(xù)介電質(zhì)間隙壁的制作。
本發(fā)明的另一優(yōu)點(diǎn)為提供一種L型字線(xiàn)間隙壁的制造方法，其利用雙層介電質(zhì)間隙壁，借此以使字線(xiàn)間隙壁上的金屬硅化層與襯底上的金屬硅化層有良好的電性隔離。
本發(fā)明的又一優(yōu)點(diǎn)為提供一種L型字線(xiàn)間隙壁的結(jié)構(gòu)，其L型字線(xiàn)間隙壁的信道長(zhǎng)度可以控制，因此能滿(mǎn)足尺寸更小的字線(xiàn)的需求，更提高產(chǎn)品優(yōu)良率。
如熟悉此技術(shù)的人員所了解的，以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用以限定本發(fā)明的權(quán)利要求；凡其它未脫離本發(fā)明所揭示的精神下所完成的等效改變或修飾，均應(yīng)包括在下述的申請(qǐng)專(zhuān)利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種L型字線(xiàn)間隙壁的制造方法，其特征在于至少包括提供一襯底，其中該襯底上具有一預(yù)設(shè)結(jié)構(gòu)在該襯底上；共形地形成一多晶硅層以覆蓋該襯底與該預(yù)設(shè)結(jié)構(gòu)，其中該多晶硅層具有一橫向部分與一垂直部分；形成一第一介電質(zhì)間隙壁于該多晶硅層的該橫向部分上且貼于該多晶硅層的該垂直部分上；以該第一介電質(zhì)間隙壁為一罩幕，進(jìn)行一蝕刻步驟使該多晶硅層轉(zhuǎn)變成該L型字線(xiàn)間隙壁，其中該L型字線(xiàn)間隙壁位于該預(yù)設(shè)結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，并暴露出部分的該襯底；形成一第二介電質(zhì)間隙壁于該襯底上且貼于該第一介電質(zhì)間隙壁與該L型字線(xiàn)間隙壁的兩側(cè)，并暴露出部分的該L型字線(xiàn)間隙壁。
2.如權(quán)利要求1所述的L型字線(xiàn)間隙壁的制造方法，其特征在于其中該第一介電質(zhì)間隙壁與該第二介電質(zhì)間隙壁的材質(zhì)選自于由氮化硅(Si3N4)、四乙基鄰硅酸鹽(Tetraethylorthosilicate；TEOS)以及高溫氧化物(High Temperature Oxide；HTO)所組成的一族群。
3.如權(quán)利要求1所述的L型字線(xiàn)間隙壁的制造方法，其特征在于其中該第二介電質(zhì)間隙壁的一高度約低于該第一介電質(zhì)間隙壁的一高度。
4.如權(quán)利要求1所述的L型字線(xiàn)間隙壁的制造方法，其特征在于其中該多晶硅層的一厚度小于2000。
5.如權(quán)利要求1所述的L型字線(xiàn)間隙壁的制造方法，其特征在于其中在形成該第二介電質(zhì)間隙壁的步驟后，還包括形成一自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化(Salicide)層于暴露出的該L型字線(xiàn)間隙壁的該部分上與該襯底的該部分上。
6.一種L型字線(xiàn)間隙壁的結(jié)構(gòu)，其特征在于至少包括一襯底，其中于該襯底上至少設(shè)有一預(yù)設(shè)結(jié)構(gòu)；該L型字線(xiàn)間隙壁位于該預(yù)設(shè)結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，其中該L型字線(xiàn)間隙壁的一垂直部分貼于該預(yù)設(shè)結(jié)構(gòu)的一側(cè)壁上，且該L型字線(xiàn)間隙壁的一橫向部分位于該襯底上；一第一介電質(zhì)間隙壁位于該L型字線(xiàn)間隙壁的該橫向部分上且貼于該L型字線(xiàn)間隙壁的該垂直部分上；一第二介電質(zhì)間隙壁位于該襯底上且貼于該第一介電質(zhì)間隙壁與該L型字線(xiàn)間隙壁的該兩側(cè)。
7.如權(quán)利要求6所述的L型字線(xiàn)間隙壁的結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該預(yù)設(shè)結(jié)構(gòu)為一凸型結(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求6所述的L型字線(xiàn)間隙壁的結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該L型字線(xiàn)間隙壁的材質(zhì)為多晶硅。
9.如權(quán)利要求6所述的L型字線(xiàn)間隙壁的結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該第一介電質(zhì)間隙壁與該第二介電質(zhì)間隙壁的材質(zhì)選自于由氮化硅、四乙基正硅酸鹽以及高溫氧化物(HTO)所組成的一族群。
10.如權(quán)利要求6所述的L型字線(xiàn)間隙壁的結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該第二介電質(zhì)間隙壁的一高度約低于該第一介電質(zhì)間隙壁的一高度。
全文摘要
一種L型字線(xiàn)(Word Line)間隙壁的結(jié)構(gòu)及其制造方法，此L型字線(xiàn)間隙壁應(yīng)用于制造分離式柵極(Split Gate)的閃存(Flash Memory)中，利用L型字線(xiàn)間隙壁與雙層介電質(zhì)間隙壁形成于閃存結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，不僅可以控制L型字線(xiàn)間隙壁的信道長(zhǎng)度(Channel Length)，而且在形成金屬硅化層后，更提供柵極(Gate)與漏極(Drain)之間有良好的電性隔離，借此以制造尺寸更小且優(yōu)良率更高的閃存器件。
文檔編號(hào)H01L21/70GK1479365SQ0214219
公開(kāi)日2004年3月3日 申請(qǐng)日期2002年8月30日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月30日
發(fā)明者謝佳達(dá) 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司