專利名稱：通過(guò)形成絕緣疊層對(duì)表面發(fā)射激光器進(jìn)行橫模和偏振控制的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種表面發(fā)射激光器構(gòu)件，尤其涉及這種具有絕緣鏡子構(gòu)件的激光器，該絕緣鏡子構(gòu)件用于橫摸和偏振控制。
背景技術(shù)：
表面發(fā)射激光器結(jié)構(gòu)，如垂直空腔表面發(fā)射激光器(VCSELs)，在光通信領(lǐng)域已經(jīng)贏得了顯著的重要性。通過(guò)采用例如III-V合金化合物的半導(dǎo)體激光器提供的較高的轉(zhuǎn)換速度已經(jīng)使得這種裝置成為發(fā)光裝置的一種合乎邏輯的選擇。由于可靠性、易于耦合以及測(cè)試這幾方面的原因，VCSELs在更普通的邊緣發(fā)射裝置中獲得認(rèn)可。VCSELs通常采用眾所周知的平面工藝和設(shè)備制成，且容易地適于與其他有源元件和無(wú)源元件進(jìn)行集成。
通常，VCSELs在發(fā)射表面上有一個(gè)普通靜合接點(diǎn)和一個(gè)有孔的接點(diǎn)，從光學(xué)裝置中發(fā)射的光線穿過(guò)該小孔。該接點(diǎn)小孔通常為圓形，因?yàn)檫@能比較好地適于與光纖配合。
由這種標(biāo)準(zhǔn)VCSELs發(fā)射的光線的偏振是不可預(yù)測(cè)的，因?yàn)樵摴饩€會(huì)隨機(jī)地從一個(gè)裝置指向另一個(gè)裝置。而且，尤其是在高速操作下偏振可能會(huì)轉(zhuǎn)換。尤其在與偏振靈敏元件一起使用時(shí)從一種VCSELs中發(fā)射出的光線的偏振可能比較重要，并且為了調(diào)節(jié)或控制VCSELs的偏振已經(jīng)作出了一些努力。
在Fiedler等人在IEEE的1996年Lasers and Electro-OpticalSociety年會(huì)的第一卷第211到212上發(fā)表的題為“High FrequencyBehaviour of Oxidized Single-Mode Single Polarization VCSELswith Ellipticai Current Aperture”的論文中論述了一種技術(shù)，其中被氧化的VCSELs上設(shè)有一些橢圓形孔以試圖控制偏振后的單模光發(fā)射。
Panajotov等人所著的一篇題為“Impact of In-Plane AnistropicStrain on the Polarization Behavior of Vertical-CavitySurface-Emitt ing Lasers”的論文(Applied Physics Letter，Volume 77，Number 11，September 11，2000)公開(kāi)了一種從外部誘導(dǎo)產(chǎn)生的面內(nèi)各向異性張力，該張力施加到一種VCSEL上以便證實(shí)具有垂直線性偏振的兩種基本模式之間存在轉(zhuǎn)換。
在Corzine等人的美國(guó)專利US6188711中也描述了從外部施加張力或應(yīng)力來(lái)控制VCSELs的偏振。
Thornton的于1999年12月14日授權(quán)的美國(guó)專利US6002705描述了波長(zhǎng)和偏振多樣的垂直空腔表面發(fā)射激光器，其中應(yīng)力誘導(dǎo)元件位于該激光裝置的自由表面。該應(yīng)力誘導(dǎo)元件由一種其熱膨脹系數(shù)高于構(gòu)成激光裝置的表面層的材料的熱膨脹系數(shù)的材料制成。
Pamulapati等人的于1999年9月14日授權(quán)的美國(guó)專利US5953962描述了一種張力誘導(dǎo)方法，該方法用來(lái)控制VCSELs中的偏振狀態(tài)。在該專利US5953962中，VCSEL以共晶方式被粘到主基片上，該主基片具有預(yù)定的各向異性的熱膨脹系數(shù)。在成形過(guò)程中，在激光器空腔中誘導(dǎo)出單軸向張力。
Yoshikawa等人的于2000年11月28日授權(quán)的美國(guó)專利US6154479描述一種VCSEL，其中通過(guò)限制頂部鏡子的斷面尺寸從而僅僅限制由該鏡子所提供的波導(dǎo)中的單一的橫向主模對(duì)偏振方向進(jìn)行控制。創(chuàng)造出了一種非圓形的或橢圓形的裝置來(lái)控制該偏振。
Gaw等人的于1999年11月30日授權(quán)的美國(guó)專利US5995531也描述一種橢圓形斷面的頂部鏡子，該鏡子形成一種脊形，該脊部受到蝕刻下降到一個(gè)離子注入?yún)^(qū)域以便形成一個(gè)細(xì)長(zhǎng)形從而使該裝置發(fā)射出的光線偏振。在底部發(fā)射激光器上采用矩形空氣柱(air-post)構(gòu)件、非對(duì)稱氧化小孔以及一種橢圓形孔作為一種控制偏振的方法也是本領(lǐng)域所公知的。
上述所有方法其結(jié)構(gòu)和/或工藝步驟都比較復(fù)雜，而目前所需要的是一種用于控制和穩(wěn)定VCSELs的偏振的簡(jiǎn)單技術(shù)。
在申請(qǐng)人的于2001年7月3日申請(qǐng)的共同待審的英國(guó)專利申請(qǐng)1006192.6中描述了一種解決前述偏振轉(zhuǎn)換問(wèn)題尤其是在VCSEL以較大的調(diào)制信號(hào)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的偏振轉(zhuǎn)換問(wèn)題的方案。
通常，VCSEL中的激光作用由于空腔的長(zhǎng)度較短而僅僅存在一種縱模。另一方面，VCSEL中的激光作用可以由多個(gè)橫模支持，如果該發(fā)射孔大到足以支持這種運(yùn)轉(zhuǎn)的話。眾所周知，在多模VCSELs中，當(dāng)各個(gè)模競(jìng)爭(zhēng)載體時(shí)，會(huì)產(chǎn)生模分割噪音(MPN)。采用單個(gè)模，就不會(huì)存在降低VCSEL的性能的MPN。而且，如果單個(gè)模為主模，那么該光束將會(huì)有一種Gaussiam電磁場(chǎng)分布。與VCSEL中的高階橫模相比，該Gaussiam光束的光點(diǎn)直徑和擴(kuò)散度更小。這對(duì)于較小光點(diǎn)和較低分散度比較重要的用途來(lái)說(shuō)這都是一種優(yōu)點(diǎn)。這包括一些其中較小的圓形光點(diǎn)是一種優(yōu)點(diǎn)的應(yīng)用領(lǐng)域，例如讀出技術(shù)領(lǐng)域。光點(diǎn)尺寸較小具有極大的益處，因?yàn)檫@使得與光線配合變得較為容易。此外，較小的光點(diǎn)尺寸和較低的分散角度使其能夠?qū)⒐饩€發(fā)射到光纖的中心，這又能增加高速傳送的數(shù)據(jù)所能傳送的距離。
偏振轉(zhuǎn)換是一種公知的現(xiàn)象，如前所述，并且這種偏振轉(zhuǎn)換可能在VCSEL中造成跳模。因此，在偏振方式之間的轉(zhuǎn)換(或跳模)可能會(huì)改變激光的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性，并顯著地降低通信鏈路。此外，由于光纖中存在各向同性，因此傳輸會(huì)進(jìn)一步下降。盡管單模的圓形輸出外形非常有利于與光纖連接，但是由于該孔的對(duì)稱性造成的不穩(wěn)定的偏振狀態(tài)將會(huì)削弱這種優(yōu)點(diǎn)。因此，通過(guò)引入非對(duì)稱性，該偏振能夠得到穩(wěn)定或至少以一種相對(duì)較小的交換代價(jià)得以進(jìn)行控制。
發(fā)明概述本發(fā)明的原理在于通過(guò)向VCSEL這樣的激光器引入空間上依賴光腔損耗來(lái)控制模式選擇。這通過(guò)位于VCSEL裝置的頂部的絕緣疊層引入。為了增加擴(kuò)散較寬(空間上的延伸)的高階模的光損耗，應(yīng)在絕緣疊層的周圍設(shè)置一個(gè)抗反射(AR)的涂層。
因此，本發(fā)明的目的是為了通過(guò)在VCSEL分布Bragg反射器的頂部形成一個(gè)絕緣鏡子構(gòu)件來(lái)控制VCSEL的橫模和偏振。絕緣鏡子由厚度(光程長(zhǎng)度)額定值為λ/4的折射率高低交替的材料構(gòu)成。這還可以表述為L(zhǎng)＝λ/4+n×λ/2，其中n為整數(shù)。對(duì)該鏡子進(jìn)行選擇性地蝕刻以便形成一個(gè)小孔或空氣柱。該小孔可以是對(duì)稱的，以便提供橫?？刂?，或者是不對(duì)稱的，以便提供橫模和偏振控制。
因此，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種表面發(fā)射激光器，該激光器具有夾在第一和第二鏡子之間以及在第一和第二鏡子上的第一和第二接點(diǎn)之間的有源層用于為該激光器提供運(yùn)行功率，該改進(jìn)包括一個(gè)位于第一和第二鏡子中的其中一個(gè)上的絕緣鏡子構(gòu)件。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種控制表面發(fā)射激光器中的模選擇的方法，該激光器具有夾在第一和第二鏡子之間的有源層，每個(gè)鏡子上都有相應(yīng)的接點(diǎn)，用于為激光器提供運(yùn)行功率，該方法包括為其中一個(gè)鏡子提供一個(gè)絕緣鏡子構(gòu)件，以便有選擇性地調(diào)節(jié)激光器內(nèi)的空間依賴空腔損耗。
作為一個(gè)優(yōu)選方面，該表面發(fā)射激光器為一種VCSEL。
附圖簡(jiǎn)要說(shuō)明下面將參照附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，其中

圖1是如前述共同待審的英國(guó)申請(qǐng)所述的VCSEL的橫剖視圖；圖2是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的橫剖面視圖，示出了一個(gè)絕緣疊層；圖3所示的是撞擊在薄膜層上的電磁波的反射原理；圖4所示的是為了打破對(duì)稱性該絕緣疊層可能的形狀；以及圖5所示的是本發(fā)明的VCSEL結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例的橫剖面視圖。
本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明盡管下述說(shuō)明具體指的是VCSEL，但是需要理解的是，該構(gòu)思可以應(yīng)用到任何關(guān)心控制空間擴(kuò)散的表面發(fā)射激光器構(gòu)件上。
圖1所示的是一種如在該申請(qǐng)人的共同待審申請(qǐng)中所述的典型鋁鎵砷(AlGaAs)VCSEL的基本結(jié)構(gòu)。盡管圖1指的是一種特定的VCSEL結(jié)構(gòu)，并且尤其指的是一種850納米的p-up結(jié)構(gòu)。該VCSEL可以包括其它材料系統(tǒng)以用于在其它波長(zhǎng)進(jìn)行發(fā)射。眾所周知，不同的激光器構(gòu)件和材料可以用來(lái)調(diào)節(jié)發(fā)射出的輸出波長(zhǎng)。而且圖1中所示的結(jié)構(gòu)具有p-型頂部DBR，而該頂部DBR也可以為n-型。在圖1中的裝置中，該VCSEL結(jié)構(gòu)是通過(guò)眾所周知的技術(shù)例如金屬有機(jī)化合物的汽相外延在砷化鎵(GaAs)基片上生成的。優(yōu)選的是，該結(jié)構(gòu)在一個(gè)單獨(dú)外延循環(huán)中生成。該砷化鎵基片的通常結(jié)構(gòu)為n-型，正如該底部的分布布喇格反射器(DBR)一樣，其也稱之為布喇格(Bragg)鏡。該n-DBR由λ/4的折射率高低交替AlxGa1-xAs的層構(gòu)成。需要理解的是，如圖所示的四分之一波長(zhǎng)或λ/4是光程長(zhǎng)度的額定值。該長(zhǎng)度也可以記載成L＝λ/4+n×λ/2，其中n為整數(shù)且L為光程長(zhǎng)度。在底部鏡子的頂部的該有源層為m×λ/2長(zhǎng)的空腔，該空腔包括一些多量子阱。在本發(fā)明的特定的實(shí)施例中，該有源區(qū)域是一個(gè)1-λ長(zhǎng)的AlGaAs/GaAs多量子阱(MQW)區(qū)域。第二布喇格(Bragg)鏡或由p-型AlGaAs構(gòu)成的具有高/低的鋁濃度的DBR生成于該有源層的頂部。在底部鏡子上形成有一個(gè)有孔接點(diǎn)，并在砷化鎵基片上鍍上一個(gè)n-接點(diǎn)。通常，在該p-DBR中形成一個(gè)離子注入?yún)^(qū)域，以便限制n-接點(diǎn)和p-接點(diǎn)之間的電流通路。在圖1還顯示了一個(gè)與選擇氧化的小孔一樣的層，該層是一層其鋁濃度高于該碟片組中的其他層的p-DBR。下面將對(duì)這種可氧化層的用途進(jìn)行描述。
現(xiàn)在已經(jīng)證實(shí)，具有較高鋁含量的AlGaAs層可以在熱蒸汽的面前得到氧化。通常，可氧化的層是在頂部DBR中生成的，并隨后對(duì)該DBR進(jìn)行蝕刻以便形成一個(gè)平臺(tái)，并由此使得該可氧化的層的邊緣暴露出來(lái)。該裝置隨后在溫度提升的蒸汽環(huán)境下進(jìn)行處理，并且從暴露區(qū)域向中心進(jìn)行氧化。通過(guò)選擇適當(dāng)?shù)奶幚頃r(shí)間，該氧化層所有的邊緣向內(nèi)推進(jìn)，留下中心的沒(méi)有氧化的層。該中心沒(méi)有氧化的小孔用來(lái)提供一個(gè)電流限制區(qū)域。
在Corzine等人的美國(guó)專利US5896408中，該氧化層通過(guò)從該裝置的頂面向下到可氧化層對(duì)小孔進(jìn)行蝕刻形成，并隨后使得該結(jié)構(gòu)暴露在蒸汽環(huán)境下。通過(guò)向下直到該可氧化層形成一蝕刻小孔圖樣，該電流限制區(qū)域得到控制。
如圖2所示，本發(fā)明的VCSEL的基本結(jié)構(gòu)與圖1中所示的那種相似。本發(fā)明的改進(jìn)涉及該頂部或p-DBR鏡子的頂部上的絕緣疊層以及位于該發(fā)射小孔的頂部上的蝕刻防止反射/抗反射的涂層。
該抗反射層的原理是降低反射波并由此增加傳輸波。采用單層涂層對(duì)反射光束形成一種精確對(duì)消的兩個(gè)要求是，反射是完全反相剛好為180°且反射光具有相同的強(qiáng)度。在該層的厚度需要進(jìn)行選擇以便使得相位得到精確對(duì)消的同時(shí)，通過(guò)選擇材料來(lái)保證該反射強(qiáng)度，該材料的選擇通過(guò)Fresnel方程進(jìn)行控制。由于該抗反射層的厚度至關(guān)重要，因此需要充分地控制該過(guò)程。
圖3所示的涉及抗反射層的原理。正如極左處所標(biāo)明的一樣，該沖擊電磁波來(lái)自于VCSEL中的有源區(qū)域，并穿過(guò)鋁鎵砷材料到達(dá)VCSEL的頂部表面和可能為例如Al2O3的抗反射(AR)涂層之間的交界面處。該第二交界面在AR涂層和空氣之間，且圖中表示出了三種材料中的每種材料的折射率(n)，即鋁鎵砷中的n＝3.4；Al2O3中的n大約等于1.63以及空氣中的折射率n＝1。因此為了獲得最大的傳輸，該抗反射層的厚度需要根據(jù)從有源區(qū)域發(fā)射出的波長(zhǎng)來(lái)進(jìn)行精確的選擇。
如圖2所示，該絕緣疊層可以由例如Si、SiO2或Si3N4制成，其中每層的折射率高低交替。該防止反射涂層/抗反射涂層，例如Al2O3，可以這樣選擇，用來(lái)蝕刻該絕緣疊層的蝕刻劑不會(huì)蝕刻該涂層。因此，用于該抗反射涂層的較好的材料為Al2O3，因?yàn)槠淠軌蛞子趪姙R或蒸發(fā)到該裝置的頂部。
該小孔通常為3-30微米，且該絕緣疊層為1-10微米。優(yōu)選的是，該疊片的直徑或尺寸比該小孔要小，以便獲得有利的低階模。圖4所示的是絕緣碟片組可能存在的形狀。這些形狀包括橢圓形、矩形以及八邊形。
在制造過(guò)程中，該激光器構(gòu)件通常在一個(gè)單獨(dú)外延循環(huán)中生成。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，該激光器構(gòu)件例如VCSEL具有一個(gè)頂部鏡子，該頂部鏡子上的層比通常生成的層少。隨后對(duì)該結(jié)構(gòu)進(jìn)行處理以便形成在圖1中大致所示的VCSEL。在該頂部鏡子上采用較少的層是為了在隨后形成絕緣疊層時(shí)不會(huì)獲得較高的反射率。在形成該VCSEL之后，該絕緣疊層材料被一層接一層地蒸發(fā)到該VCSEL上。該絕緣材料從底部向上包括Al2O3+Si+Si3N4+Si。正如前面所指出的，該絕緣疊層可能由其他材料制成。在蒸發(fā)過(guò)程中對(duì)每層的厚度進(jìn)行仔細(xì)的控制。這就解釋了由于該VCSEL結(jié)構(gòu)中的鏡子的數(shù)量較少而反射率較低的原因。最終的VCSEL象傳統(tǒng)的多模式VCSEL一樣運(yùn)行，但是沒(méi)有象具有一種穩(wěn)定偏振狀態(tài)的單模式(更理想的是主模)VCSEL一樣的有利的特征。要獲得上述特征所能做的是增加高階模的光損耗，這有利于主要的以及單獨(dú)的模運(yùn)行。不過(guò)，要形成一個(gè)平臺(tái)并由此通過(guò)蝕刻掉一些材料來(lái)降低高階模(其在橫向上更普遍)的反射率并不那么容易。這種工藝將不會(huì)充分地降低反射率。眾所周知，在該工藝中，Al2O3比較有利。其具有精確的厚度和反射率以便變成一層抗反射(AR)層，如果其能夠向下蝕刻到Si+Si3N4+Si并停止于Al2O3層。所采用的蝕刻劑不會(huì)影響到AR涂層(當(dāng)然，繼續(xù)蝕刻會(huì)最終損壞AR涂層)。由于選擇了Al2O3，因此不僅能夠?qū)⑾蛳碌奈g刻控制在Al2O3而且能夠使得該過(guò)程停止以便保護(hù)該關(guān)鍵的厚度λ/4，該厚度是在形成AR層時(shí)的其中一個(gè)條件。除此之外，Al2O3的反射率要求能夠?qū)崿F(xiàn)抗反射的條件。
圖5所示的是本發(fā)明的第二實(shí)施例的具有一個(gè)絕緣疊層的VCSEL的一個(gè)可選擇實(shí)施例。在該實(shí)施例中，采用了一種絕緣的鎵砷基片，并且采用一種高度摻雜的緩沖層，以便有助于將電流從頂部n接點(diǎn)引向n型下部布喇格鏡。另外，該結(jié)構(gòu)包括抗反射涂層，絕緣疊層和p接點(diǎn)和在圖2中的實(shí)施例中的一樣。
需要指出的是，在該圖中，各種元件并沒(méi)有給出比例。
盡管對(duì)本發(fā)明的特定的實(shí)施例進(jìn)行了描述和解釋，但是對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)對(duì)其進(jìn)行各種變化是顯而易見(jiàn)的。不過(guò)，這種改變會(huì)位于附后的權(quán)利要求書所限定的本發(fā)明的實(shí)際范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種表面發(fā)射激光器，該激光器具有一個(gè)夾在第一和第二鏡子之間以及在所述第一和第二鏡子上的第一和第二接點(diǎn)之間的有源層，該有源層用于為該激光器提供運(yùn)行功率，該改進(jìn)包括一個(gè)位于所述第一和第二鏡子中的其中一個(gè)上的絕緣鏡子構(gòu)件。
2.如權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射激光器，其中，所述激光器是一種垂直空腔表面發(fā)射激光器(VCSEL)。
3.如權(quán)利要求2所述的VCSEL，其中，所述的絕緣鏡子構(gòu)件具有絕緣材料疊層，且絕緣材料層具有第一和第二反射率。
4.如權(quán)利要求3所述的VCSEL，其中，所述絕緣鏡子構(gòu)件具有一層抗反射材料。
5.如權(quán)利要求4所述的VCSEL，其中，抗反射材料層的厚度對(duì)VCSEL的發(fā)射光的波長(zhǎng)進(jìn)行最大量地傳輸來(lái)進(jìn)行選擇。
6.如權(quán)利要求4所述的VCSEL，其中，第一鏡子位于有源層的頂部并涂有p型材料。
7.如權(quán)利要求6所述的VCSEL，其中，在所述第一鏡子中的氧化層中的小孔構(gòu)成了VCSEL的發(fā)射孔。
8.如權(quán)利要求7所述的VCSEL，其中，覆蓋有絕緣疊層的區(qū)域小于發(fā)射孔以進(jìn)行橫?？刂啤?br> 9.如權(quán)利要求8所述的VCSEL，其中，絕緣疊層的形狀為非對(duì)稱形以便用于進(jìn)行偏振控制。
10.如權(quán)利要求9所述的VCSEL，其中，所述絕緣疊層為橢圓形。
11.如權(quán)利要求9所述的VCSEL，其中，所述絕緣疊層為矩形。
12.如權(quán)利要求9所述的VCSEL，其中，所述絕緣疊層為八邊形。
13.如權(quán)利要求3所述的VCSEL，其中，所述絕緣疊層由Si、SiO2以及Si3N4中的其中一種材料制成。
14.如權(quán)利要求4所述的VCSEL，其中，所述抗反射層為Al2O3。
15.一種表面發(fā)射激光器控制模式選擇的方法，該激光器具有一個(gè)夾在第一和第二鏡子之間的有源層，每個(gè)鏡子上都有相應(yīng)的接點(diǎn)，用于為激光器提供運(yùn)行功率，該方法包括為其中一個(gè)所述鏡子提供一個(gè)絕緣鏡子構(gòu)件，以便有選擇性地調(diào)節(jié)所述表面發(fā)射激光器內(nèi)的空間依賴空腔損耗。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述表面發(fā)射激光器是一種垂直空腔表面發(fā)射激光器(VCSEL)，其中所述絕緣疊層包括由第一和第二絕緣材料制成的交替層，其中第一和第二絕緣材料中的每一種都具有不同的反射率。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述絕緣鏡子構(gòu)件包括一個(gè)位于所述VCSEL的第一絕緣層和鏡子之間的抗反射層。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述第一和第二絕緣層以及所述抗反射涂層中每一個(gè)的厚度在蒸發(fā)過(guò)程中都進(jìn)行仔細(xì)地控制。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述絕緣層向下被蝕刻到所述抗反射涂層，從而在所述VCSEL的頂部形成一個(gè)絕緣疊層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種垂直空腔表面發(fā)射激光器(VCSEL)，其具有非對(duì)稱的光限制。具有對(duì)稱結(jié)構(gòu)的VCSELs偏振將會(huì)不可預(yù)測(cè)和可以轉(zhuǎn)換。本發(fā)明的VCSEL在發(fā)射分布布喇格鏡的頂部具有一個(gè)絕緣疊層。該疊層由兩層或更多層構(gòu)成，這些層為絕緣層，且每個(gè)交替的層具有兩種不同的折射率。在優(yōu)選實(shí)施例中，在頂部鏡子和絕緣層之間有一個(gè)抗反射涂層。作為優(yōu)選該疊層小于發(fā)射孔。
文檔編號(hào)H01S5/20GK1405938SQ0214317
公開(kāi)日2003年3月26日 申請(qǐng)日期2002年9月16日 優(yōu)先權(quán)日2001年9月15日
發(fā)明者托馬斯·阿格斯坦, 理查德·馬克思·馮·維滕貝格 申請(qǐng)人:扎爾林克半導(dǎo)體有限公司