專利名稱：陶瓷電子部件烘焙用放置架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)陶瓷電容器，壓電元件，鐵氧體等的陶瓷電子部件進(jìn)行烘焙時(shí)所采用的放置架。
另外，在該放置架中，在烘焙時(shí)，其組成成分作用于被烘焙體，不使制品性能退化，通過該放置架的放置面，抑制被烘焙體中的粘接劑的揮發(fā)，這些方面均要求將不產(chǎn)生烘焙不均勻的情況作為重要的特性。
在過去，作為著眼于這樣的特性的放置架等，公開有在基材表面上形成噴鍍層的支架(JP特公平4-21330號(hào)文獻(xiàn))，以及下述電子部件烘焙用支架(JP特開2001-200378號(hào)文獻(xiàn))，其中在基材表面上具有噴鍍層，就放置被烘焙體的面的表面粗糙度來說，十點(diǎn)平均粗糙度在150～1000μm的范圍內(nèi)。
這些支架通過形成于基材表面上的噴鍍層，防止與被烘焙體的反應(yīng)。另外，在后者的支架中，由于通過具有規(guī)定的表面粗糙度的噴鍍層，與被烘焙體的接觸面積減小，故被烘焙體中的粘接劑由支架的存在而完全不受到抑制，實(shí)現(xiàn)揮發(fā)，獲得監(jiān)獄的烘焙體。
但是，對(duì)于這些支架，在表面粗糙度較大的類型中，在烘焙后，即使在使該放置架傾斜等情況下，被烘焙體仍掛于支架表面的凹部，照原樣殘留在放置架上。為此，形成將一次烘焙的電子部件還供給到烘焙步驟等的，自動(dòng)化處理方面的問題之一。特別是，近年來，在陶瓷電容器中，其尺寸越來越微小，主要尺寸從1.6mm×0.8mm，1.0mm×0.5mm等的尺寸，轉(zhuǎn)移到0.6mm×0.3mm的尺寸，在采用過去的支架，烘焙該尺寸的陶瓷電容器的場(chǎng)合，目前的情況是該被烘焙體以較高的比例，掛于支架表面的凹部。
用于解決課題的技術(shù)方案即，本發(fā)明提供一種陶瓷電子部件烘焙用放置架，其中在基材表面上，具有涂敷層，其特征在于該涂敷層具有算術(shù)平均粗糙度(Ra)與被烘焙體的厚度的比在1/20～1/65的范圍內(nèi)的表面粗糙度。
另外，本發(fā)明提供一種陶瓷電子部件烘焙用放置架，其中在基材表面上，具有涂敷層，其特征在于上述涂敷層具有下述表面粗糙度，其中十點(diǎn)平均表面粗糙度(Rz)與被烘焙體的厚度的比在1/3.5～1/11.0的范圍內(nèi)，并且凸凹部的平均間距(Sm)與被烘焙體的長度的比在1/1.3～1/10.0的范圍內(nèi)。
在這里，算術(shù)平均粗糙度(Ra)和十點(diǎn)平均粗糙度(Rz)均為按照J(rèn)IS規(guī)格B0601，在評(píng)價(jià)長度為12.5mm，切斷值為2.5mm的條件下測(cè)定的值，凸凹部的平均間距(Sm)為在基準(zhǔn)長度為0.8mm的條件下測(cè)定的值。
在本發(fā)明中，為了可應(yīng)對(duì)0.6mm(長度)×0.3mm(厚度)的被烘焙體，在前者的陶瓷電子部件烘焙用放置架中，最好該涂敷層具有算術(shù)平均粗糙度(Ra)在5～15μm的范圍內(nèi)的表面粗糙度，在后者的陶瓷電子部件烘焙用放置架中，最好該涂敷層具有十點(diǎn)平均表面粗糙度(Rz)在27～86μm的范圍內(nèi)，并且凸凹部的平均間距(Sm)在60～461μm的范圍內(nèi)的表面粗糙度。
在本發(fā)明中，也可通過單個(gè)的表層，形成這樣的表面粗糙度的涂敷層，但是最好通過中間層和表層，形成上述涂敷層，實(shí)質(zhì)上，通過該中間層的表面粗糙度，限定該涂敷層的表面粗糙度。此時(shí)，最好，就算術(shù)平均粗糙度(Ra)來說，上述中間層的表面粗糙度與上述涂敷層的表面粗糙度的比控制在0.3～2.4倍的范圍內(nèi)。另外，最好，就中間層的表面粗糙度來說，算術(shù)平均粗糙度(Ra)在5～20μm的范圍內(nèi)，為了可應(yīng)對(duì)0.6mm(長度)×0.3mm(厚度)的被烘焙體，特別是最好，上述算術(shù)平均粗糙度(Ra)在5～15μm的范圍內(nèi)。
此外，為了象上述那樣按照中間的表面粗糙度，對(duì)涂敷層的表面粗糙度進(jìn)行控制，最好表層的平均厚度在20～200μm的范圍內(nèi)。
在本發(fā)明的陶瓷電子部件烘焙用放置架中，由于象上述那樣，就上述涂敷層的表面粗糙度來說，算術(shù)平均粗糙度(Ra)為被烘焙體的厚度的比在1/20～1/65的范圍內(nèi)，或，就該涂敷層的表面粗糙度來說，十點(diǎn)平均表面粗糙度(Rz)與被烘焙體的厚度的比在1/3.5～1/10.0的范圍內(nèi)，并且凸凹部的平均間距(Sm)與被烘焙體的長度的比在1/1.3～1/10.0的范圍內(nèi)，故顯然，在烘焙時(shí)，該放置架的組成成分不與被烘焙體發(fā)生反應(yīng)，被烘焙體中的粘接劑容易從被烘焙體的放置面揮發(fā)，獲得均勻的烘焙體，并且在于烘焙后，進(jìn)行使該放置架傾斜等的操作，收集陶瓷電子部件時(shí)，全部的電子部件不會(huì)掛于放置架凹部上，可順利地收集。
在本發(fā)明的陶瓷電子部件烘焙用放置架(下面將其簡稱為“放置架”)中，在基材表面上，具有涂敷層，該涂敷層具有特定范圍的表面粗糙度。下面針對(duì)各組成元件，進(jìn)行具體描述。
本發(fā)明的基材的材質(zhì)沒有特別的限制，可由作為放置架而通常適用的陶瓷形成。另外，對(duì)于制作基材的方法，沒有特別的限制，比如，可在通過沖壓等方式對(duì)陶瓷化原料成形后，對(duì)其烘焙，對(duì)其進(jìn)行制作。
就本發(fā)明的涂敷層的表面粗糙度來說，算術(shù)平均粗糙度(Ra)與被烘焙體的厚度的比在1/20～1/65的范圍內(nèi)，最好與被烘焙體的厚度的比在1/25～1/62的范圍內(nèi)。
如果就涂敷層的表面粗糙度來說，算術(shù)平均粗糙度(Ra)小于被烘焙體的厚度的1/65，則抑制被烘焙體中的粘接劑的揮發(fā)，無法獲得均勻的烘焙體，根據(jù)情況，放置架的組成成分還與被烘焙體發(fā)生反應(yīng)。如果就涂敷層的表面粗糙度來說，算術(shù)平均粗糙度(Ra)超過被烘焙體的厚度的1/20，則在通過放置架的傾斜等操作，收集烘焙后的電子部件時(shí)，多數(shù)情況是電子部件掛于放置面的凹部，該電子部件照原樣殘留。
具體來說，比如，在制造1.6mm(長度)×0.8mm(厚度)的尺寸的電子部件的場(chǎng)合，最好，涂敷層具有算術(shù)平均粗糙度(Ra)在12～40μm的范圍內(nèi)的表面粗糙度。另外，比如，在制造1.0mm(長度)×0.5mm(厚度)的尺寸等的那樣的，小于1.6mm(長度)×0.8mm(厚度)的尺寸的電子部件的場(chǎng)合，最好，涂敷層具有算術(shù)平均粗糙度(Ra)在5～20μm的范圍內(nèi)的表面粗糙度。特別是在制造正在轉(zhuǎn)為主要尺寸的0.6mm(長度)×0.3mm(厚度)的尺寸的陶瓷電容器的場(chǎng)合，最好，具有算術(shù)平均粗糙度(Ra)在5～15μm的范圍內(nèi)的表面粗糙度。因此，象已描述的那樣，在過去的放置架中，無法完全地應(yīng)對(duì)該尺寸的電子部件，構(gòu)成妨礙烘焙的自動(dòng)化的原因。
另外，最好就本發(fā)明的涂敷層的表面粗糙度來說，十點(diǎn)平均表面粗糙度(Rz)為被烘焙體的厚度的1/3.5～1/11.0，并且凸凹部的平均間距(Sm)為被烘焙體的長度的1/1.3～1/10.0，特別是最好，十點(diǎn)平均表面粗糙度(Rz)為被烘焙體的厚度的1/4.0～1/10.0，并且凸凹部的平均間距(Sm)為被烘焙體的長度的1/1.5～1/8.5。
如果就本發(fā)明的涂敷層的表面粗糙度來說，十點(diǎn)平均表面粗糙度(Rz)小于被烘焙體的厚度的1/11.0，由于在被烘焙體與放置架之間，無法確保充分的空間，故抑制粘接劑的揮發(fā)，容易產(chǎn)生烘焙不均勻。如果就本發(fā)明的涂敷層的表面粗糙度來說，十點(diǎn)平均表面粗糙度(Rz)超過被烘焙體的厚度的1/3.5，則在通過放置架的傾斜等操作，收集烘焙后的電子部件時(shí)，多數(shù)情況是電子部件掛于放置面的凹部，其照原樣殘留。
此外，由于就涂敷層的表面粗糙度來說，凸凹部的平均間距(Sm)小于被烘焙體的長度的1/10.0，或超過1/1.3，在被烘焙體與放置架之間，無法確保充分的空間，故粘接劑的揮發(fā)受到抑制，容易產(chǎn)生烘焙不均勻。
具體來說，比如，最近，在制造正在轉(zhuǎn)為主要尺寸的0.6mm(長度)×0.3mm(厚度)的尺寸的陶瓷電容器的場(chǎng)合，最好，就涂敷層的表面粗糙度來說，十點(diǎn)平均表面粗糙度(Rz)在27～86μm的范圍內(nèi)，凸凹部的平均間距(Sm)在60～461μm的范圍內(nèi)。
另外，涂敷層可采用覆蓋基材的放置部分的類型，但是如果在烘焙時(shí)，爐內(nèi)的氣體與基材之間發(fā)生反應(yīng)，則具有基材發(fā)生變形的危險(xiǎn)性，故最好，還在其它的部分，形成涂敷層。
此外，涂敷層既可為由單獨(dú)表層形成的類型，也可為由中間層和表層形成的類型。
顯然，在由中間層和表層形成涂敷層的場(chǎng)合，最好，實(shí)質(zhì)上，按照中間層的表面粗糙度，限制涂敷層的表面粗糙度。
在這樣的涂敷層中，可通過難于獲得上述所需的表面粗糙度的等離子噴鍍等的方法，形成表層。
還有，在此場(chǎng)合，就中間層的表面粗糙度來說，其算術(shù)平均粗糙度(Ra)最好為涂敷層表面粗糙度的0.3～2.4倍，最好為0.5～2.0倍。
就中間層的表面粗糙度來說，其算術(shù)平均粗糙度(Ra)與涂敷層的表面粗糙度的比在上述范圍內(nèi)，由于表層的厚度基本上是均勻的，涂敷層的性能退化均勻地發(fā)生，故該表層難于剝離。
具體來說，針對(duì)每種被烘焙體的尺寸，最好，形成與上述涂敷層的表面粗糙度基本上相同的表面粗糙度，比如，在制造大于0.6mm(長度)×0.3mm(厚度)的尺寸的陶瓷電容的場(chǎng)合，最好，就中間層的表面粗糙度來說，其算術(shù)粗糙度(Ra)在5～20μm的范圍內(nèi)。另外，在制造0.6mm(長度)×0.3mm(厚度)的尺寸的陶瓷電容的場(chǎng)合，最好，就中間層的表面粗糙度來說，算術(shù)平均粗糙度(Ra)在5～15μm的范圍內(nèi)。
還有，在涂敷層由中間層和表層形成的場(chǎng)合，表層的平均厚度最好在20～200μm的范圍內(nèi)，特別是最好在20～100μm的范圍內(nèi)。當(dāng)表層的平均厚度小于20μm時(shí)，具有表層不附著于中間層的一部分上，中間層露出的情況，放置架的組成成分容易與被烘焙體發(fā)生反應(yīng)。如果表層的平均厚度大于200μm，難于通過中間層的表面粗糙度，對(duì)涂敷層的表面粗糙度進(jìn)行控制。另外，中間層的厚度沒有特別的限制，但是，最好其最好在70～300μm的范圍內(nèi)。
在本發(fā)明中，在由單個(gè)表層形成涂敷層的場(chǎng)合，也可通過噴涂，或伴隨表面粗糙化處理的噴鍍的方式，形成該表層。此時(shí)，在噴涂中，對(duì)原料粒徑，漿液濃度，涂敷條件等進(jìn)行控制，可形成所需的表面粗糙度，對(duì)于伴隨表面粗糙化處理的噴鍍，可對(duì)原料，原料投放條件，形成所需的表面粗糙度。
同樣在由中間層和表層形成涂敷層的場(chǎng)合，與上述相同，比如，可通過噴涂，或伴隨表面粗糙化處理的噴鍍的方式，形成該中間層。另外，比如，可通過噴涂，或伴隨表面粗糙化處理的噴鍍的方式，形成該表層。
另外，在通過噴涂，形成表層時(shí)，可對(duì)原料粒徑，漿液濃度，涂敷條件等進(jìn)行控制，形成所需的表面粗糙度，在通過噴鍍，形成表層時(shí)，可選擇和控制噴鍍方法，原料粒徑和原料投放位置等，形成所需的表面粗糙度。
作為噴鍍，可例舉有比如，通過加熱的方法，采用燃燒火炎的氣體噴鍍，采用電弧的電弧噴鍍，采用等離子體噴射的等離子噴鍍等，但是從可以良好的精度，形成平均厚度在20～250μm的層的方面來說，最好通過等離子噴鍍，形成表層。另外，作為等離子噴鍍，可例舉水穩(wěn)定處理的等離子噴鍍，氣體等離子噴鍍等方式，從可相對(duì)中間層，形成緊密貼合性較高的表層的方面來說，最好氣體等離子噴鍍的平均厚度在20～50μm的范圍內(nèi)，以便形成較薄的表層，可由放置面的表面粗糙度更加直接地反映中間層的表面粗糙度。
此外，在本發(fā)明中，中間層和表層的材質(zhì)沒有特別的限制，放置架通?？捎蛇M(jìn)行了涂敷處理的放置架形成。
實(shí)施例下面根據(jù)實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更加具體的描述。但是，本發(fā)明完全不限于這些實(shí)施例。
(評(píng)價(jià)方法)
①表面粗糙度對(duì)算術(shù)平均粗糙度(Ra)，十點(diǎn)平均表面粗糙度(Rz)，凸凹部的平均間距(Sm)進(jìn)行評(píng)價(jià)。該評(píng)價(jià)按照J(rèn)IS規(guī)格B0601進(jìn)行，算術(shù)平均粗糙度(Ra)，以及十點(diǎn)平均表面粗糙度(Rz)均是在評(píng)價(jià)長度為12.5mm，切割值為2.5mm的條件下測(cè)定的，凸凹部的平均間距(Sm)是在評(píng)價(jià)長度為4.0mm，基準(zhǔn)長度為0.8mm的條件下測(cè)定的。
②厚度比例(1)該比例指尺寸為0.6mm(長度)×0.3mm(厚度)的制品作為被烘焙體時(shí)的，各實(shí)施例和各比較實(shí)例的放置架的算術(shù)平均粗糙度(Ra)相對(duì)被烘焙體的厚度的比。
③厚度比例(2)該比例指尺寸為0.6mm(長度)×0.3mm(厚度)的制品作為被烘焙體時(shí)的，各實(shí)施例和各比較實(shí)例的放置架的十點(diǎn)平均粗糙度(Rz)相對(duì)被烘焙體的厚度的比。
④長度比例該比例指尺寸為0.6mm(長度)×0.3mm(厚度)的制品作為被烘焙體時(shí)的，各實(shí)施例和各比較實(shí)例的放置架的凸凹部的平均間距(Sm)相對(duì)被烘焙體的長度的比。
⑤鉤掛頻率以鈦酸鋇為原料，制作尺寸為0.6mm(長度)×0.3mm(厚度)的，與市場(chǎng)上銷售的陶瓷電容器形狀相同的試樣。另外，在將該試樣放置于通過各實(shí)施例和比較實(shí)例獲得的放置架上后，在使該放置架傾斜30°的狀態(tài)，施加振動(dòng)，觀察試樣的移動(dòng)，收集狀態(tài)，進(jìn)行評(píng)價(jià)。
在該評(píng)價(jià)中，將全部的試樣不掛于涂敷層的凹部，而將全部的試樣收集的場(chǎng)合評(píng)價(jià)為○，將一部分試樣掛于上述凹部的同時(shí)，將全部試樣收集的場(chǎng)合評(píng)價(jià)為△，將掛于凹部，未將全部的試樣收集的場(chǎng)合評(píng)價(jià)為×。
⑥粘接劑揮發(fā)性采用以鈦酸鋇為主原料，采用包含作為粘接劑的，丙烯酸系粘接劑30％的原料，通過刮片法，制作層片，接著，進(jìn)行壓接，切斷處理，按照0.6mm(長度)×0.3mm(厚度)的尺寸，將與市場(chǎng)上銷售的陶瓷電容器形狀相同的制品制作為試樣。另外，將該試樣放置于通過各實(shí)施例和比較實(shí)例獲得的放置架上，在N2氣氛下，在300℃的溫度下對(duì)其加熱2個(gè)小時(shí)，按照加熱前后減少的重量，對(duì)揮發(fā)的粘接劑量進(jìn)行評(píng)價(jià)。
在該評(píng)價(jià)中，以理論上的重量減少量作為100％，將80～100％評(píng)價(jià)為○，將50～80％評(píng)價(jià)為△，將小于50％評(píng)價(jià)為×。
⑦剝離性在通過各實(shí)施例和各比較實(shí)例獲得的放置架上，涂敷作為介電質(zhì)的鈦酸鋇溶液，然后，反復(fù)5次地進(jìn)行在1350℃的溫度下，對(duì)其烘焙2個(gè)小時(shí)的操作，確認(rèn)是否涂敷層與基材剝離。
在評(píng)價(jià)中，將完全確認(rèn)沒有涂敷層的剝離的制品評(píng)價(jià)為○，將在涂敷層的20％以下的部分確認(rèn)有剝離的制品評(píng)價(jià)為△，將在涂敷層的20％以上的部分確認(rèn)有剝離的制品評(píng)價(jià)為×。
⑧表層附著性切斷形成有中間層和表層的各實(shí)施例和各比較實(shí)例的放置架，通過顯微鏡，觀察切斷面，將沒有未粘接部分的場(chǎng)合評(píng)價(jià)為○，將有未粘接部分的場(chǎng)合評(píng)價(jià)為×。
⑨對(duì)中間層的涂敷層的表面粗糙度的控制性針對(duì)中間性，涂敷層(表層)，測(cè)定算術(shù)平均算術(shù)平均值(Ra)，將中間層的算術(shù)平均算術(shù)平均值(Ra)為涂敷層(表層)的算術(shù)平均粗糙度(Ra)的0.3～2.4倍的場(chǎng)合評(píng)價(jià)為○，將此場(chǎng)合以外的場(chǎng)合評(píng)價(jià)為×。
(第1實(shí)施例)將作為基材，由Al2O3含量為80重量％，SiO2的含量為19重量％，其它的材料為1重量％形成的材料進(jìn)行擠壓成形，然后，對(duì)其進(jìn)行烘焙，制作Al2O3-SiO2的組分的，尺寸為縱150mm×橫150mm×厚度5mm的板狀體的制品。
接著，將60重量％的，平均粒徑為2μm的Al2O3，40重量％的，平均粒徑為20μm的Al2O3混合，調(diào)制固體成分，接著，相對(duì)30重量份的水，混合67重量份的上述的固體成分，3重量份的粘接劑，調(diào)制漿液。接著，按照5kg/cm2的空氣壓力，采用噴槍，將該漿液噴涂于基材的表面上，然后，在1450℃的溫度下，對(duì)其進(jìn)行燒接處理2個(gè)小時(shí)，形成Al2O3成分的，厚度為100μm的，算術(shù)平均粗糙度為(Ra)為5μm的中間層。
然后，采用平均粒徑為80umm的氧化鋯顆粒，對(duì)基材的表面進(jìn)行等離子噴鍍處理，形成ZrO2成分的，厚度為100μm的，算術(shù)平均粗糙度(Ra)為15μm的表層，制造陶瓷電子部件用放置架。其特性和評(píng)價(jià)匯總于表1中。
(第2～4實(shí)施例和第1～3比較實(shí)例)分別采用平均粒徑為60μm，50μm，40μm，110μm，80μm，或30μm的氧化鋯顆粒，進(jìn)行等離子噴鍍處理，分別形成算術(shù)平均粗糙度(Ra)為12μm，8μm，5μm，20μm，16μm，或4μm的表層，除此以外，按照與第1實(shí)施例相同的方式，制造放置架。其特性和評(píng)價(jià)匯總于表1中。
(評(píng)價(jià))象表1所示的那樣，在算術(shù)平均粗糙度(Ra)在5～15μ的范圍內(nèi)，厚度比例(1)在1/20.0～1/60.0的范圍內(nèi)的第1～4實(shí)施例的陶瓷電子部件用放置架中，如果使該放置架傾斜30°，則順利地將全部的放置的試樣收集，粘接劑的揮發(fā)性也良好。
與此相對(duì)，在算術(shù)平均粗糙度(Ra)分別為20μm，15μm，厚度比例(1)較大而分別為1/15.0，1/18.8的第1，2比較實(shí)例的陶瓷電子部件用放置架中，雖然粘接劑的揮發(fā)性均良好，但是如果使該放置架傾斜30°，則放置的試樣以較高的比例發(fā)生鉤掛。在算術(shù)平均粗糙度(Ra)為4μm，厚度比例(1)較小而為1/75.0的第3比較實(shí)例的陶瓷電子部件用放置架中，如果使該放置架傾斜30°，雖然順利地將全部的放置的試樣收集，但是對(duì)于粘接劑的揮發(fā)性來說，確認(rèn)有重量減少量小于80％的制品。
表1

(第5～10和第4～7比較實(shí)例)分別采用平均粒徑為50μm的氧化鋯顆粒，調(diào)整噴涂槍和基材之間的距離，進(jìn)行等離子噴涂處理，分別形成規(guī)定的表面粗糙度的表層，除此以外，與第1實(shí)施例相同，制造放置架。
(評(píng)價(jià))象表2所示的那樣，在厚度比例(2)在1/4.0～1/10.0的范圍內(nèi)，長度比例在1/1.5～1/8.0的范圍內(nèi)的第5～10實(shí)施例的陶瓷電子部件用放置架中，如果使該放置架傾斜30°，則順利地將全部的放置的試樣收集，粘接劑的揮發(fā)性也良好。
與此相對(duì)，在厚度比例(2)為1/7.0，而長度比例較大而為1/1.2的第4比較實(shí)例，以及的長度比例較小而為1/12.0的第5比較實(shí)例的陶瓷電子部件用放置架中，如果使該放置架傾斜30°，雖然順利將全部放置的試樣收集，但是對(duì)于粘接劑的揮發(fā)性來說，確認(rèn)有重量減少量小于50％的制品。
另外，在長度比例為1/3.0，但是厚度比例(2)較大而為1/3.0的第6比較實(shí)例的陶瓷電子部件用放置架中，雖然粘接劑的揮發(fā)性良好，但是如果使該放置架傾斜30°，則放置的試樣以較高的比例發(fā)生鉤掛。另外，在長度比例為1/3.0，而厚度比例較小而為1/12.0的第7比較實(shí)例的陶瓷電子部件用放置架中，如果使該放置架傾斜30°，雖然順利將全部放置的試樣收集，但是對(duì)于粘接劑的揮發(fā)性來說，在幾乎所有的試樣中，重量減少量小于50％。
表2

(第11～14實(shí)施例和第8～10比較實(shí)例)分別采用平均粒徑為30μm，50μm，60μm，90μm，25μm，120μm，或150μm的氧化鋯顆粒，對(duì)形成中間層的基材，進(jìn)行等離子噴鍍處理，分別形成算術(shù)平均粗糙度(Ra)為2.5μm，8.0μm，10.0μm，16μm，1.5μm，17.0μm，或20.0μm的表層，制造陶瓷電子部件用放置架，除此以外，與第1實(shí)施例相同，制造放置架。
(評(píng)價(jià))象表3所示的那樣，在表面粗糙度比在0.313～2.381的范圍內(nèi)的第11～14實(shí)施例的陶瓷電子部件用放置架中，完全未確認(rèn)有涂敷層的剝離。
與此相對(duì)，在表面粗糙度比較大而為3.333的第8比較實(shí)例和表面粗糙度比較小而為0.294的第9比較實(shí)例的陶瓷電子部件用放置架中，在涂敷的一部分中，確認(rèn)有剝離。另外，在表面粗糙度更小而為0.250的第10比較實(shí)例的陶瓷電子部件用放置架中，在涂敷層的幾乎整個(gè)部分，確認(rèn)有剝離。
表3

(第15～18實(shí)施例和第11，12比較實(shí)例)首先，將60重量％的，平均粒徑為2μm的Al2O3，40重量％的，平均粒徑為20μm的Al2O3混合，調(diào)制固體成分，接著，相對(duì)25重量份的水，混合72重量份的上述的固體成分，3重量份的粘接劑，調(diào)制漿液。
接著，與第1實(shí)施例相同，對(duì)按照與第1實(shí)施例相同的方式制作的基材表面，進(jìn)行噴涂上述漿液，接著對(duì)其進(jìn)行燒接處理2個(gè)小時(shí)，形成算術(shù)平均粗糙度(Ra)為20.0μm的中間層。
然后，采用平均粒徑為110umm的氧化鋯顆粒，對(duì)基材的表面進(jìn)行等離子噴鍍處理，分別按照20.0μm，50.0μm，100.0μm，200.0μm，15.0μm，或250.0μm的厚度，形成ZrO2的表層，制造陶瓷電子部件用放置架。
(評(píng)價(jià))象表4所示的那樣，在表層厚度在20.0～200.0μm的范圍內(nèi)的第15～18實(shí)施例的陶瓷電子部件用放置架中，在中間層與表層之間，完全未確認(rèn)有未粘接部分，中間層的算術(shù)平均粗糙度(Ra)與涂敷層(表層)的算術(shù)平均粗糙度(Ra)的比在0.3～2.4倍的范圍內(nèi)。
與此相對(duì)，在表層厚度為15.0μm的第11比較實(shí)例的陶瓷電子部件用放置架中，在中間層與表層之間，在一部分，確認(rèn)有未粘接部分。另外，在表層厚度為250.0μm的第12比較實(shí)例的陶瓷電子部件用放置架中，涂敷層(表層)與中間層的算術(shù)平均粗糙度(Ra)的差值較大，中間層的涂敷層的表面粗糙度的控制不充分。
表4

本發(fā)明的效果象上面描述的那樣，按照本發(fā)明的陶瓷電子部件烘焙用放置架，可獲得在烘焙時(shí)，組成幾乎不與被烘焙體反應(yīng)，不抑制烘焙體中的粘接劑的揮發(fā)的，均勻的烘焙體。另外，在自動(dòng)化的烘焙步驟中，在收集烘焙后的制品時(shí)，完全沒有收集不良，可應(yīng)對(duì)烘焙自動(dòng)化處理。
權(quán)利要求
1.一種陶瓷電子部件烘焙用放置架，其中在基材表面上，具有涂敷層，其特征在于該涂敷層具有算術(shù)平均粗糙度(Ra)與被烘焙體的厚度的比在1/20～1/65的范圍內(nèi)的表面粗糙度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷電子部件烘焙用放置架，其特征在于上述涂敷層具有算術(shù)平均粗糙度(Ra)在5～15μm的范圍內(nèi)的表面粗糙度。
3.一種陶瓷電子部件烘焙用放置架，其中在基材表面上，具有涂敷層，其特征在于上述涂敷層具有下述表面粗糙度，其中十點(diǎn)平均表面粗糙度(Rz)與被烘焙體的厚度的比在1/3.5～1/11.0的范圍內(nèi)，并且凸凹部的平均間距(Sm)與被烘焙體的長度在1/1.3～1/10.0的范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陶瓷電子部件烘焙用放置架，其特征在于上述涂敷層具有十點(diǎn)平均表面粗糙度(Rz)在27～86μm的范圍內(nèi)，并且凸凹部的平均間距(Sm)在60～461μm的范圍內(nèi)的表面粗糙度。
5.一種陶瓷電子部件烘焙用放置架，其中在基材表面上，具有涂敷層，其特征在于上述涂敷層由中間層和表層形成，實(shí)質(zhì)上，根據(jù)該中間層的表面粗糙度，限定該涂敷層的表面粗糙度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陶瓷電子部件烘焙用放置架，其特征在于就算術(shù)平均粗糙度(Ra)來說，上述中間層的表面粗糙度為上述涂敷層的表面粗糙度的0.3～2.4倍。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的陶瓷電子部件烘焙用放置架，其特征在于上述表層的平均厚度在20～200μm的范圍內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陶瓷電子部件烘焙用放置架，其特征在于就上述中間層的表面粗糙度來說，算術(shù)平均粗糙度(Ra)在5～20μm的范圍內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明的課題在于提供一種陶瓷電子部件烘焙用放置架，其中在烘焙時(shí)，組成成分不與被烘焙體反應(yīng)，并且也容易從放置架放置面?zhèn)仁贡缓姹后w中的粘接劑揮發(fā)，可獲得均勻的烘焙體，另外在自動(dòng)化的烘焙步驟中，在收集烘焙后的制品時(shí)，不產(chǎn)生收集不良。本發(fā)明涉及在基材表面上具有涂敷層的陶瓷電子部件烘焙用放置架。該涂敷層具有算術(shù)平均粗糙度(Ra)與被烘焙體的厚度的比在1/20～1/65的范圍內(nèi)的表面粗糙度。
文檔編號(hào)H01G4/12GK1434470SQ0214629
公開日2003年8月6日 申請(qǐng)日期2002年10月21日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月23日
發(fā)明者森博, 二本松浩明, 森笹真司 申請(qǐng)人:日本礙子株式會(huì)社, Ngk阿德列克株式會(huì)社