專(zhuān)利名稱(chēng)：埋孔離散式電路元件及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電路元件及其制作方法。特別涉及一種適于自動(dòng)化大量生產(chǎn)，適用于電子電路中的離散式電路元件(discrete circuitcomponents)及其制作方法。
背景技術(shù)：
如二極管(diode)、晶體管(transistor)、電阻(resistor)和電容(capacitor)等主動(dòng)及被動(dòng)式電路元件(active and passive circuitcomponents)，乃是廣泛應(yīng)用于電子電路中的電路元件。不論是小信號(hào)(signal)或較大功率(power)用途的，線性(linear)或數(shù)字(digital)性質(zhì)的電路，皆需應(yīng)用到此些不同性質(zhì)的離散式電路元件。除了整合于集成電路的中的二極管、電阻與電容外，離散元件(discrete component)形式的二極管、電阻與電容元件，是使用量極大的電子零件。
由于離散元件形式的電路元件在各式各樣電子電路中的用量相當(dāng)大，且其單位售價(jià)相對(duì)于其它諸如晶體管等的主動(dòng)元件又不高，因此是極為適于，或者是說(shuō)，極需要自動(dòng)化的大量生產(chǎn)。從另一角度而言，此種數(shù)量大而低單價(jià)的元件，若無(wú)法利用自動(dòng)化高速生產(chǎn)，便難以具有商業(yè)上的競(jìng)爭(zhēng)力。
離散式電路元件有著多種型式的包裝(packaging)，常見(jiàn)者諸如導(dǎo)線型包裝(leaded package)?；谛⌒突男枨?，表面粘著技術(shù)(SMT，surface-mount technology)型式的離散式元件，已逐漸變成微型化電子裝置所需采用的電子元件，故以低成本進(jìn)行高速率的大量生產(chǎn)，乃是此類(lèi)離散式電路元件的制造所必須遵循的方向。不過(guò)，公知技術(shù)中制作此等離散式電路元件的方法，仍無(wú)法完全脫離人工加工的步驟。例如，有些型式的離散式二極管電路元件，仍需要倚賴(lài)高比例的人工生產(chǎn)步驟。
另一方面，有些已經(jīng)自動(dòng)化的離散式電路元件制造方法，其所采用的工藝步驟中包含了二道以上的鉆孔操作。由于板材的機(jī)械性鉆孔動(dòng)作需要一定的操作時(shí)間及定位精確度，基與每一個(gè)雙電極元件通常皆需要進(jìn)行至少二次鉆孔，因此亦在整體工藝中形成瓶頸。因此，公知技術(shù)中采用二片以上鉆孔板材的工藝，無(wú)可避免地會(huì)需要較長(zhǎng)的工藝時(shí)間，并需求較為精密的定位準(zhǔn)確度操作。此兩因素皆會(huì)增加元件的單位制作成本。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種埋孔離散式電路元件及其制造方法，其元件構(gòu)造可適合于SMD型式的，諸如EIA標(biāo)準(zhǔn)的芯片尺寸，而其制造方法則可適于進(jìn)行低成本的大量生產(chǎn)。
為實(shí)現(xiàn)前述目的，本發(fā)明提供一種埋孔離散式電路元件的制作方法，其步驟包含有(a)，在一基板的第一表面上形成一個(gè)矩陣的復(fù)數(shù)個(gè)的元件晶粒面的導(dǎo)電線路，每一個(gè)該些晶粒面導(dǎo)電線路各包含有電性互相獨(dú)立的一第一導(dǎo)電段及一第二導(dǎo)電段；(b)，對(duì)應(yīng)地在該基板反對(duì)于該第一表面的第二表面上形成一個(gè)矩陣復(fù)數(shù)個(gè)的焊接面導(dǎo)電線路，每一個(gè)該些焊接面導(dǎo)電線路各包含有電性互相獨(dú)立的一第一導(dǎo)電段及一第二導(dǎo)電段，且該晶粒面導(dǎo)電線路的該第一及第二導(dǎo)電段以?xún)?nèi)埋導(dǎo)電物質(zhì)的鍍覆貫穿孔而電性地分別與該焊接面導(dǎo)電線路的該第一及第二導(dǎo)電段電性連結(jié)；(c)，在該第一表面的晶粒導(dǎo)電線路的第一導(dǎo)電段上定置一元件晶粒，并將該晶粒的第一電極電性地連結(jié)至該晶粒導(dǎo)電線路的第一導(dǎo)電段；(d)，將該元件晶粒的第二電極電性地連結(jié)至該晶粒導(dǎo)電線路的該第二導(dǎo)電段；(e)，以電性絕緣物質(zhì)水氣密地完全包覆該基板第一表面上的該些元件晶粒及其所有導(dǎo)電線路；(f)，切割該被水氣密封的基板，以將所有該些元件晶粒分割成為個(gè)體獨(dú)立的離散式電子元件。
本發(fā)明并提供一種埋孔離散式電路元件，該元件包含有一基板，一元件晶粒，及電性絕緣的包覆物質(zhì)，其第一表面上形成有一元件晶粒面導(dǎo)電線路，其包含有電性互相獨(dú)立的一第一導(dǎo)電段及一第二導(dǎo)電段；其反對(duì)于該第一表面的第二表面上形成有一焊接面導(dǎo)電線路，其包含有電性互相獨(dú)立的一第一導(dǎo)電段及一第二導(dǎo)電段；一第一鍍覆貫穿孔，內(nèi)埋導(dǎo)電物質(zhì)，并將該晶粒面導(dǎo)電線路的該第一導(dǎo)電段電性地與該焊接面導(dǎo)電線路的該第一導(dǎo)電段電性連結(jié)；及一第二鍍覆貫穿孔，內(nèi)埋導(dǎo)電物質(zhì)，并將該晶粒面導(dǎo)電線路的該第二導(dǎo)電段電性地與該焊接面導(dǎo)電線路的該第二導(dǎo)電段電性連結(jié)。元件晶粒被定置于該第一表面的晶粒導(dǎo)電線路的第一導(dǎo)電段上，該晶粒的第一電極電性地連結(jié)至該晶粒導(dǎo)電線路的第一導(dǎo)電段；且該晶粒的第二電極電性地連結(jié)至該晶粒導(dǎo)電線路的該第二導(dǎo)電段。電性絕緣物質(zhì)則以水氣密封的方式完全包覆該基板第一表面上的該些元件晶粒及其所有導(dǎo)電線路。


圖1是本發(fā)明埋孔離散式電路元件一較佳實(shí)施例的基板的晶粒面平面圖；圖2是圖1基板的焊接面的平面圖；圖3是圖1的局部放大圖，顯示基板晶粒面的初始導(dǎo)電線路的構(gòu)造細(xì)節(jié)；圖4是圖1及2的基板的橫截面圖；
圖5是橫截面圖，顯示一離散式電路元件被定置于基板的晶粒面上，并形成元件電極的電性連結(jié)；圖6是橫截面圖，顯示圖5的離散式電路元件被水密性材料包覆；圖7是橫截面圖，顯示圖6的基板構(gòu)造被切割成分離的離散式電路元件；圖8及圖9是立體圖，分別顯示制造完成并經(jīng)切割分離的離散式電路元件的單體構(gòu)造。
具體實(shí)施例方式
圖中的各圖分別顯示本發(fā)明埋孔離散式電路元件較佳實(shí)施例制作方法中數(shù)個(gè)選定的過(guò)程步驟的視圖。此些包含了上視圖、橫截面圖以及透視圖等的各種視圖，分別顯示本發(fā)明埋孔離散式電路元件制作各個(gè)步驟階段中的階段性構(gòu)造。下面的說(shuō)明文字中將配合此些選定的階段性步驟，針對(duì)本發(fā)明埋孔離散式電路元件制作方法的一較佳實(shí)施例來(lái)進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
圖1是本發(fā)明埋孔離散式電路元件一較佳實(shí)施例的基板晶粒面平面圖。如圖所示，用以承載整個(gè)矩陣排列的，典型多達(dá)數(shù)百個(gè)離散式電路元件的基板100，晶粒面110的表面上有多個(gè)離散式電路元件的初始導(dǎo)電線路111，112，...及114等，排列于二維正交的矩陣中。
相對(duì)于圖1的晶粒面的初始導(dǎo)電線路，基板100在其圖1的晶粒面110的反對(duì)表面，亦即元件的焊接面，亦有一個(gè)由多個(gè)初始導(dǎo)電線路211，212，...及214等，排列于對(duì)應(yīng)的矩陣中。
圖2是圖1基板的焊接面的平面圖，其表面上亦有多個(gè)離散式電路元件的初始導(dǎo)電線路排列于矩陣中。注意到圖2的基板焊接面210是圖1的基板晶粒面110水平翻轉(zhuǎn)所顯示的焊接面導(dǎo)電線路矩陣排列圖形。此可由圖1及圖2中晶粒面110的線路111是與焊接面210的線路211對(duì)應(yīng)，線路112與212對(duì)應(yīng)，...及114與214對(duì)應(yīng)而得以理解。
在每一個(gè)離散元件的初始導(dǎo)電線路中(包含晶粒面及焊接面)，在大致位于導(dǎo)電線路的中心位置，各皆形成有一貫穿孔，實(shí)質(zhì)上垂直貫穿基板100的整個(gè)厚度。例如，圖1及圖2中的導(dǎo)電線路111及對(duì)應(yīng)的211中，貫穿有一貫通孔131，在導(dǎo)電線路112及對(duì)應(yīng)的212中則貫穿有一貫通孔132。
每一貫穿孔與其對(duì)應(yīng)在基板的晶粒面及焊接面上的導(dǎo)電線路的相對(duì)位置關(guān)系，顯示于圖3與圖4中。圖3是圖1的局部放大圖，其顯示基板晶粒面的初始導(dǎo)電線路的構(gòu)造細(xì)節(jié)，而圖4則為圖1及2的基板的橫截面圖。圖1、圖2及圖3中，每一個(gè)以虛線所圍繞的大致矩形的區(qū)域，如同后面所將說(shuō)明的，代表一個(gè)離散電子元件的實(shí)體范圍。例如圖3所示，虛線121所標(biāo)示的范圍是本發(fā)明一個(gè)完整埋孔離散式電子元件的實(shí)體范圍，其中，于范圍121內(nèi)大致中心處，如虛線區(qū)域151所標(biāo)示的位置，是元件晶粒所將定置的位置。
注意到圖3的確平面圖所顯示，導(dǎo)電線路在基板100晶粒面110上沿長(zhǎng)軸方向(圖中的水平方向)的不對(duì)稱(chēng)圖形。依據(jù)本發(fā)明埋孔離散式電子元件的一較佳實(shí)施例，其導(dǎo)電線路于圖3中所顯示一個(gè)別元件的元件個(gè)體腳印(Component Footprint)范圍121內(nèi)，沿其短軸方向(圖中的垂直方向)，導(dǎo)電線路111與112實(shí)質(zhì)上呈現(xiàn)大致對(duì)稱(chēng)的圖形。
相比之下，線路111與112沿元件腳印的長(zhǎng)軸方向則顯現(xiàn)明顯的不對(duì)稱(chēng)。實(shí)質(zhì)上，導(dǎo)電線路111與112屬互相電性獨(dú)立的兩導(dǎo)電圖形。導(dǎo)電線路111與112兩者各具有一段朝向元件中心延伸的導(dǎo)電線段。兩導(dǎo)電線路其中之一朝向元件中心，即元件晶粒所將定置的定位延伸，另一導(dǎo)電線路則未依相當(dāng)幅度向中心延伸，以便兩者互不接觸，保持電性互相獨(dú)立的開(kāi)路狀態(tài)。
在圖3所顯示的實(shí)施例之中，右側(cè)的導(dǎo)電線路111是向元件中心延伸較多的導(dǎo)電線路。不過(guò)，如同本領(lǐng)域的技術(shù)人員所可以理解的，若安排左側(cè)的導(dǎo)電線路延伸到達(dá)元件中心，亦是同樣是可行的作法。
圖4的橫截面圖顯示，各貫穿孔是鍍覆貫穿孔(PTH，PlatedThrough-Hole)。如圖所示，貫穿孔131及132，利用諸如濺鍍(sputtering)，電鍍(electroplating)等制作印刷電路基板的技術(shù)，可以在透通的孔壁上形成導(dǎo)電金屬層。貫穿孔壁上的此鍍覆金屬層便可以將基板100的晶粒面與相對(duì)反面的焊接面上的導(dǎo)電線互相電性地連接結(jié)起來(lái)。
圖1與圖2所顯示的基板，是作為本發(fā)明埋孔離散式電子元件的基礎(chǔ)。此基板是電性絕緣的板材，其可以是，例如玻璃纖維強(qiáng)化樹(shù)酯(FRR)，或者是利用模鑄(molding)等技術(shù)，使用適當(dāng)?shù)慕^緣性質(zhì)材料制作成板材。其后可利用諸如顯影蝕刻技術(shù)(photolithography)而制作晶粒面及焊接面上的導(dǎo)電線路。
貫穿孔可利用數(shù)值加工機(jī)具，在如圖3所示的定位上，鉆孔貫通。其后，如同前述，可利用濺鍍與/或電鍍等工藝而形成鍍覆貫通孔。鍍覆貫通孔形成后，即可獲得圖1及圖2所顯示的基板100。
接著，鍍覆貫通孔內(nèi)即可埋入具有導(dǎo)電性的填充材料。在本發(fā)明埋孔離散式電子元件的一較佳實(shí)施例之中，填充埋入圖1及圖2所示基板的各鍍覆貫通孔內(nèi)的導(dǎo)電性材料，是一般電路板制作所使用的錫或錫合金導(dǎo)接等物質(zhì)。
圖3及圖4中所顯示的基板，其鍍覆貫通孔內(nèi)已填充埋入導(dǎo)電性的材質(zhì)。利用此基板，如圖5所示，接著便可以將離散式電路元件的晶粒定置于圖3所示的定位151上。圖5的橫截面圖顯示一離散式電路元件的晶粒511被定置于基板100的晶粒面110上。且元件晶粒511的電極，并與基板100上的晶粒面110上導(dǎo)電線路111A電性地連結(jié)。
晶粒511與導(dǎo)電線路111A的電性接合可以利用，例如，晶粒511下表面電極上所預(yù)先形成的軟焊錫，應(yīng)用諸如紅外線回流(IR Reflow)等類(lèi)似表面粘著元件(SMD)軟焊的技術(shù)而達(dá)成。
當(dāng)電路元件晶粒511下表面的電極與晶粒面上的導(dǎo)電線路111A上的達(dá)成電性穩(wěn)固接合之后，晶粒511另一端，亦即頂端上的另一電極，便可以利用諸如跳接線而與基板100晶粒面110上的另一導(dǎo)電線路112B，透過(guò)導(dǎo)線531而電性地接合。
當(dāng)完成圖5所顯示的架構(gòu)之后，各元件晶粒的電極便已電性地連結(jié)到其各自基板范圍(圖1、圖2及圖3中以虛線所標(biāo)示出來(lái)的元件范圍)內(nèi)的對(duì)應(yīng)軟焊接腳上。此時(shí)，電性結(jié)構(gòu)已建構(gòu)完成，但仍排列于矩陣中的各個(gè)埋孔離散式電路元件，便可以進(jìn)行水氣密封(sealedhermetically)的處理。圖6的橫截面圖即顯示圖5的離散式電路元件晶粒被水密性材料600包覆的情形。此種密封包覆可以，例如利用模鑄的方式進(jìn)行。只需利用模具在基板100的晶粒面110上方形成一個(gè)高度適恰的空間，便可以利用，例如將熔融的絕緣材質(zhì)注入該空間內(nèi)，便可方便地制成水氣密封裝600，以將晶粒511，5...等保護(hù)于其中。注意到，水氣密絕緣材質(zhì)600的選定，可為與基板100本身所使用者完全相同的物質(zhì)。
之后，圖7的橫截面圖顯示，圖6的基板構(gòu)造被切割成分離的離散式電路元件。注意到兩相鄰元件之間的切割，實(shí)質(zhì)上是對(duì)準(zhǔn)兩元件之間的埋孔的對(duì)稱(chēng)中心線而進(jìn)行切割的。如圖所示，切割圖7中元件711即須沿切割道741與742進(jìn)行切割。此外，如同可以理解的，沿著圖中所未標(biāo)示，實(shí)質(zhì)上垂直于切割道741與742的方向，亦須進(jìn)行至少二道切割，才能完整地將元件711分離出來(lái)。
圖8及圖9的立體圖分別顯示制造完成并經(jīng)切割分離的單體離散式電路元件的電極接腳構(gòu)造。由于切割是如前述，通過(guò)埋孔的對(duì)稱(chēng)中心線而進(jìn)行的，故圖9的立體圖顯示，各個(gè)元件的兩電極，皆可具有一個(gè)面積夠大，且高度顯著高于基板上的初導(dǎo)電線路厚度的一個(gè)導(dǎo)電接面，如圖9中埋孔填充物質(zhì)142沿著垂直于基板平面的方向所出現(xiàn)的高度。在本發(fā)明各個(gè)埋孔離散式電子元件于印刷電路板上進(jìn)行軟焊時(shí)，此導(dǎo)電接面可以確保良好的軟焊品質(zhì)。
本發(fā)明埋孔離散式電路元件，雖然使用一片形成有貫通孔的基板作為建構(gòu)整個(gè)矩陣的多個(gè)元件的基礎(chǔ)，但在其工藝的初期，此些貫通孔便被埋實(shí)。因此，在每一個(gè)元件的指定形成范圍中，由于不需要再預(yù)留后續(xù)鉆孔處理的空間，因此，整個(gè)元件的范圍便可以充份運(yùn)用來(lái)承載元件晶粒。換句話說(shuō)，元件在基板上所必須占用的最小空間便可以盡可能地縮小。此種工藝極為適合于制作微小型的元件，諸如0603甚至0402規(guī)格的元件。相比之下，公知技術(shù)中使用二道鉆孔處理程序的工藝，由于必須保留鉆孔的安全空間，故其元件尺寸便無(wú)法如同本發(fā)明所公開(kāi)的埋孔離散式電子元件一樣地縮到最小。
雖然前面的說(shuō)明文字已是本發(fā)明特定實(shí)施例的一個(gè)完整的說(shuō)明，但其各種的修改變化，變動(dòng)的構(gòu)造及等效者的應(yīng)用仍是可能的。例如，雖然前述實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明中只廣泛地以離散式電路元件來(lái)說(shuō)明本發(fā)明，但如同本領(lǐng)域的技術(shù)人員所可以理解的，SMT型式下，EIA標(biāo)準(zhǔn)芯片的各種尺寸的離散式二極管，諸如Zener，Schottky等，或者離散式電容，無(wú)論是有否有極性，或者離散式電阻，甚至是主動(dòng)或集成電路本質(zhì)，但只需使用二電性接頭的電子元件，皆是可以適用于本發(fā)明所公開(kāi)的制作方法。此外，本發(fā)明不但適用于常見(jiàn)的1210、1206以及0805等SMT型EIA標(biāo)準(zhǔn)芯片尺寸，其還特別適于更為小型的SMT型離散式電路元件。再例如，說(shuō)明中基板的晶粒面上的該些導(dǎo)電線路可為固化的膏狀銀膠，固化的膏狀銅膠，或固化的膏狀銅合金膠。又例如，該板的焊接面上的該些導(dǎo)電線路上更可覆有一鎳層與或一金層。因此，前面的描述說(shuō)明即不應(yīng)被拿來(lái)限定本發(fā)明，而其范圍應(yīng)以權(quán)利要求的內(nèi)容來(lái)加以界定。
權(quán)利要求
1.一種埋孔離散式電路元件的制作方法，其特征在于步驟包含有(a)在一基板的第一表面上形成一個(gè)矩陣復(fù)數(shù)個(gè)的元件晶粒面導(dǎo)電線路，每一個(gè)該些晶粒面導(dǎo)電線路各包含有電性互相獨(dú)立的一第一導(dǎo)電段及一第二導(dǎo)電段；(b)對(duì)應(yīng)地在該基板反對(duì)于該第一表面的第二表面上形成一個(gè)矩陣復(fù)數(shù)個(gè)的焊接面導(dǎo)電線路，每一個(gè)該些焊接面導(dǎo)電線路各包含有電性互相獨(dú)立的一第一導(dǎo)電段及一第二導(dǎo)電段，且該晶粒面導(dǎo)電線路的該第一及第二導(dǎo)電段以?xún)?nèi)埋導(dǎo)電物質(zhì)的鍍覆貫穿孔而電性地分別與該焊接面導(dǎo)電線路的該第一及第二導(dǎo)電段電性連結(jié)；(c)在該第一表面的晶粒導(dǎo)電線路的第一導(dǎo)電段上定置一元件晶粒，并將該晶粒的第一電極電性地連結(jié)至該晶粒導(dǎo)電線路的第一導(dǎo)電段；(d)將該元件晶粒的第二電極電性地連結(jié)至該晶粒導(dǎo)電線路的該第二導(dǎo)電段；(e)以電性絕緣物質(zhì)水氣密地完全包覆該基板第一表面上的該些元件晶粒及其所有導(dǎo)電線路；(f)切割該被水氣密封的基板，以將所有該些元件晶粒分割成為個(gè)體獨(dú)立的離散式電子元件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋孔離散式電路元件制作方法，其特征在于該基板的該晶粒面上的該些導(dǎo)電線路是固化的膏狀銀膠。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋孔離散式電路元件制作方法，其特征在于該基板的該晶粒面上的該些導(dǎo)電線路是固化的膏狀銅膠。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋孔離散式電路元件制作方法，其特征在于該基板的該晶粒面上的該些導(dǎo)電線路是固化的膏狀銅合金膠。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋孔離散式電路元件制作方法，其特征在于該基板的該焊接面上的該些導(dǎo)電線路上還覆有一鎳層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋孔離散式電路元件制作方法，其特征在于該基板的該焊接面上的該些導(dǎo)電線路上還覆有一金層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋孔離散式電路元件制作方法，其特征在于該電路元件晶粒是二極管晶粒。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋孔離散式電路元件制作方法，其特征在于該電路元件晶粒是晶體管晶粒。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋孔離散式電路元件制作方法，其特征在于該電路元件晶粒是電容晶粒。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋孔離散式電路元件制作方法，其特征在于該電路元件晶粒是電阻晶粒。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋孔離散式電路元件制作方法，其特征在于該電路元件晶粒是包含有主動(dòng)與被動(dòng)電路元件的晶粒。
12.一種埋孔離散式電路元件的制作方法，其特征在于步驟包含有(a)在一基板的第一表面上形成一個(gè)矩陣復(fù)數(shù)個(gè)的元件晶粒面導(dǎo)電線路，每一個(gè)該些晶粒面導(dǎo)電線路各包含有電性互相獨(dú)立的一第一導(dǎo)電段及一第二導(dǎo)電段；(b)對(duì)應(yīng)地在該基板反對(duì)于該第一表面的第二表面上形成一個(gè)矩陣復(fù)數(shù)個(gè)的焊接面導(dǎo)電線路，每一個(gè)該些焊接面導(dǎo)電線路各包含有電性互相獨(dú)立的一第一導(dǎo)電段及一第二導(dǎo)電段，且該晶粒面導(dǎo)電線路的該第一及第二導(dǎo)電段電性地分別與該焊接面導(dǎo)電線路的該第一及第二導(dǎo)電段電性連結(jié)；(c)在該第一表面的晶粒導(dǎo)電線路的第一導(dǎo)電段上定置一元件晶粒，并將該晶粒的第一電極電性地連結(jié)至該晶粒導(dǎo)電線路的確第一導(dǎo)電段；(d)將該元件晶粒的第二電極電性地連結(jié)至該晶粒導(dǎo)電線路的該第二導(dǎo)電段；(e)以電性絕緣物質(zhì)水氣密地完全包覆該基板第一表面上的該些元件晶粒及其所有導(dǎo)電線路；(f)切割該被水氣密封的基板，以將所有該些元件晶粒分割成為個(gè)體獨(dú)立的離散式電子元件。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的埋孔離散式電路元件制作方法，其特征在于該晶粒面導(dǎo)電線路的該第一及第二導(dǎo)電段是以?xún)?nèi)埋導(dǎo)電物質(zhì)的鍍覆貫穿孔而電性地分別與該焊接面導(dǎo)電線路的該第一及第二導(dǎo)電段電性連結(jié)。
14.一種埋孔離散式電路元件，其特征在于包含有一基板，其第一表面上形成有一元件晶粒面導(dǎo)電線路，其包含有電性互相獨(dú)立的一第一導(dǎo)電段及一第二導(dǎo)電段；其反對(duì)于該第一表面的第二表面上形成有一焊接面導(dǎo)電線路，其包含有電性互相獨(dú)立的一第一導(dǎo)電段及一第二導(dǎo)電段；一第一鍍覆貫穿孔，內(nèi)埋導(dǎo)電物質(zhì)，并將該晶粒面導(dǎo)電線路的該第一導(dǎo)電段電性地與該焊接面導(dǎo)電線路的該第一導(dǎo)電段電性連結(jié)；及一第二鍍覆貫穿孔，內(nèi)埋導(dǎo)電物質(zhì)，并將該晶粒面導(dǎo)電線路的該第二導(dǎo)電段電性地與該焊接面導(dǎo)電線路的該第二導(dǎo)電段電性連結(jié)；一元件晶粒，定置于該第一表面的晶粒導(dǎo)電線路的第一導(dǎo)電段上，該晶粒的第一電極電性地連結(jié)至該晶粒導(dǎo)電線路的第一導(dǎo)電段；且該晶粒的第二電極電性地連結(jié)至該晶粒導(dǎo)電線路的該第二導(dǎo)電段；電性絕緣物質(zhì)，水氣密地完全包覆該基板第一表面上的該些元件晶粒及其所有導(dǎo)電線路。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的埋孔離散式電路元件，其特征在于該基板的該晶粒面上的該些導(dǎo)電線路是固化的膏狀銀膠。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的埋孔離散式電路元件，其特征在于該基板的該晶粒面上的該些導(dǎo)電線路是固化的膏狀銅膠。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的埋孔離散式電路元件，其特征在于該基板的該晶粒面上的該些導(dǎo)電線路是固化的膏狀銅合金膠。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的埋孔離散式電路元件，其特征在于該基板的該焊接面上的該些導(dǎo)電線路上還覆有一鎳層。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的埋孔離散式電路元件，其特征在于該基板的該焊接面上的該些導(dǎo)電線路上還覆有一金層。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的埋孔離散式電路元件，其特征在于該電路元件晶粒是二極管晶粒。
21.根據(jù)權(quán)利要求14所述的埋孔離散式電路元件，其特征在于該電路元件晶粒是晶體管晶粒。
22.根據(jù)權(quán)利要求14所述的埋孔離散式電路元件，其特征在于該電路元件晶粒是電容晶粒。
23.根據(jù)權(quán)利要求14所述的埋孔離散式電路元件，其特征在于該電路元件晶粒是電阻晶粒。
24.根據(jù)權(quán)利要求14所述的埋孔離散式電路元件，其特征在于該電路元件晶粒是包含有主動(dòng)與被動(dòng)電路元件的晶粒。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種埋孔離散式電路元件的制作方法，在基板一面形成一矩陣復(fù)數(shù)個(gè)的元件晶粒面導(dǎo)電線路，每一晶粒面導(dǎo)電線路含電性獨(dú)立的兩導(dǎo)電段；(b)在基板另一面形成一矩陣復(fù)數(shù)個(gè)的焊接面導(dǎo)電線路，每一焊接面導(dǎo)電線路含電性獨(dú)立的兩導(dǎo)電段，且該晶粒面導(dǎo)電線路的該兩導(dǎo)電段以?xún)?nèi)埋導(dǎo)電物質(zhì)鍍覆貫穿孔而電性地分別與該焊接面導(dǎo)電線路的該兩導(dǎo)電段電性連結(jié)；(c)在晶粒導(dǎo)電線路的第一導(dǎo)電段上定置一元件晶粒，并將該晶粒的第一電極電性地連結(jié)至該晶粒導(dǎo)電線路的第一導(dǎo)電段；(d)將第二電極也電性地聯(lián)結(jié)至第二導(dǎo)電段；(e)以絕緣物質(zhì)氣密地完全包覆該基板第一表面上的該些元件晶粒及其所有導(dǎo)電線路；(f)切割該被氣密封的基板。
文檔編號(hào)H01L21/50GK1492730SQ0214657
公開(kāi)日2004年4月28日 申請(qǐng)日期2002年10月22日 優(yōu)先權(quán)日2002年10月22日
發(fā)明者陳文隆 申請(qǐng)人:典琦科技股份有限公司