專利名稱：液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置，涉及被稱為橫電場(chǎng)方式的液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
所謂橫電場(chǎng)方式的液晶顯示裝置，是在隔著液晶相對(duì)配置的各基片中在一方基片的液晶一側(cè)表面的象素區(qū)域中形成相互鄰接的象素電極和相對(duì)電極，通過(guò)在這些各電極之間產(chǎn)生的電場(chǎng)中與該基片平行的成分推動(dòng)液晶。
作為把這種液晶顯示裝置適用在有源矩陣型的裝置中的液晶顯示裝置，其構(gòu)成是在上述一方基片的液晶一側(cè)的面上，形成有，薄膜晶體管，它把由并列設(shè)置的多個(gè)柵極信號(hào)線和與這些柵極信號(hào)線交叉地并列設(shè)置的多個(gè)漏極信號(hào)線包圍的區(qū)域作為象素區(qū)域，在這些象素區(qū)域上靠來(lái)自柵極信號(hào)線的掃描信號(hào)動(dòng)作；象素電極，經(jīng)由該薄膜晶體管提供來(lái)自漏極信號(hào)線的圖像信號(hào)；相對(duì)電極，對(duì)上述圖像信號(hào)提供成為基準(zhǔn)的電壓信號(hào)。
而后，上述象素電極和相對(duì)電極，在分別在一個(gè)方向上延長(zhǎng)形成帶狀的同時(shí)，交替配置它們形成多個(gè)電極群。
另外，其中上述相對(duì)電極，已知具備有隔著上述漏極信號(hào)線和絕緣膜沿著其走行方向重疊形成的構(gòu)造。
使來(lái)自漏極信號(hào)線的由電場(chǎng)產(chǎn)生的電力線終止于和該漏極信號(hào)線重疊形成的上述相對(duì)電極上，而不終止于和該相對(duì)電極鄰接配置的象素電極上。這是因?yàn)槿绻麃?lái)自漏極信號(hào)線的電力線終止于象素電極，則其變?yōu)楦蓴_的緣故。

發(fā)明內(nèi)容
但是，這樣構(gòu)成的液晶顯示裝置，為了使上述相對(duì)電極具有上述功能，在配置成使該相對(duì)電極其中心軸和漏極信號(hào)線的中心一致的同時(shí)，需要形成其寬度比漏極信號(hào)線的寬度還寬。
因此，漏極信號(hào)線相對(duì)該相對(duì)電極的電容(寄生電容)增大，直至出現(xiàn)在提供給該漏極信號(hào)線的圖像信號(hào)中產(chǎn)生波形延遲的問(wèn)題。
這種情況下，漏極信號(hào)線的波形延遲與該漏極信號(hào)線的電阻R和寄生電容C的積成比例，為了使該成分小考慮減小該電阻R、寄生電容C的至少一方。
但是，當(dāng)在漏極信號(hào)線的上方存在相對(duì)電極的情況下，例如即使增大漏極信號(hào)線的寬度以減小該漏極信號(hào)線的電阻R，但和該相對(duì)電極的寄生電容C也隨之增加，其結(jié)果，處于不能降低波形延遲的狀態(tài)。
本發(fā)明，就是基于這樣的情況而提出的，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)之一在于降低漏極信號(hào)線對(duì)相對(duì)電極的電容。
在本申請(qǐng)中揭示的發(fā)明中，如果簡(jiǎn)單地說(shuō)明有代表性的概要?jiǎng)t如下。
(1)采用本發(fā)明的液晶顯示裝置，其特征在于例如，在隔著液晶相對(duì)配置的各基片中在一方基片的液晶一側(cè)的面上，具有并列設(shè)置的多條柵極信號(hào)線和與這些柵極信號(hào)線交叉地并列設(shè)置的多條漏極信號(hào)線，用這些信號(hào)線包圍的區(qū)域作為象素區(qū)域，在這些象素區(qū)域上形成靠來(lái)自柵極信號(hào)線的掃描信號(hào)動(dòng)作的薄膜晶體管、經(jīng)由該薄膜晶體管提供來(lái)自漏極信號(hào)線的圖像信號(hào)的象素電極、和在該象素電極之間產(chǎn)生電場(chǎng)的相對(duì)電極，上述相對(duì)電極具有隔著絕緣膜在上述漏極信號(hào)線的走行方向上延長(zhǎng)重疊的構(gòu)造，上述漏極信號(hào)線在和上述相對(duì)電極CT相對(duì)的面上，至少具有2個(gè)以上和該相對(duì)電極CT的距離不同的區(qū)域。
(2)
采用本發(fā)明的液晶顯示裝置，其特征在于例如，在隔著液晶相對(duì)配置的各基片中在一方基片的液晶一側(cè)的面上，具有并列設(shè)置的多條柵極信號(hào)線和與這些各柵極信號(hào)線交叉地并列設(shè)置的多條漏極信號(hào)線，用這些各信號(hào)線包圍的區(qū)域作為象素區(qū)域，在這些象素區(qū)域上形成靠來(lái)自柵極信號(hào)線的掃描信號(hào)動(dòng)作的薄膜晶體管、經(jīng)由該薄膜晶體管提供來(lái)自漏極信號(hào)線的圖像信號(hào)的象素電極、和在該象素電極之間產(chǎn)生電場(chǎng)的相對(duì)電極，上述相對(duì)電極具有隔著絕緣膜在上述漏極信號(hào)線的走行方向上延長(zhǎng)重疊的構(gòu)造，上述漏極信號(hào)線在其走行方向的各邊中至少在一方的側(cè)壁面上形成有該漏極信號(hào)線扇形展開到基底層一側(cè)的錐形。
(3)采用本發(fā)明的液晶顯示裝置，其特征在于例如，在隔著液晶相對(duì)配置的各基片中在一方基片的液晶一側(cè)的面上，具有并列設(shè)置的多條柵極信號(hào)線和與這些各柵極信號(hào)線交叉地并列設(shè)置的多個(gè)2層導(dǎo)電層構(gòu)造構(gòu)成的漏極信號(hào)線，用這些信號(hào)線包圍的區(qū)域作為象素區(qū)域，在這些象素區(qū)域上形成靠來(lái)自柵極信號(hào)線的掃描信號(hào)動(dòng)作的薄膜晶體管、經(jīng)由該薄膜晶體管提供來(lái)自漏極信號(hào)線的圖像信號(hào)的象素電極、在和該象素電極之間產(chǎn)生電場(chǎng)的相對(duì)電極，上述相對(duì)電極具有隔著絕緣膜在上述漏極信號(hào)線的走行方向上延長(zhǎng)重疊的構(gòu)造，上述漏極信號(hào)線在其下層一側(cè)的導(dǎo)電層上，在其走行方向的各邊中至少在一方的側(cè)壁面上形成有該漏極信號(hào)線扇形展開到基底層一側(cè)的錐形。
(4)采用本發(fā)明的液晶顯示裝置，其特征在于例如，在隔著液晶相對(duì)配置的各基片中在一方基片的液晶一側(cè)的面上，具有并列設(shè)置的多條柵極信號(hào)線和與這些各柵極信號(hào)線交叉地并列設(shè)置的多條漏極信號(hào)線。
該漏極信號(hào)線其下層一側(cè)的導(dǎo)電層為A1或者由該合金組成的2層構(gòu)造，用這些信號(hào)線包圍的區(qū)域作為象素區(qū)域，在這些象素區(qū)域上形成靠來(lái)自柵極信號(hào)線的掃描信號(hào)動(dòng)作的薄膜晶體管、經(jīng)由該薄膜晶體管提供來(lái)自漏極信號(hào)線的圖像信號(hào)的象素電極、在和該象素電極之間產(chǎn)生電場(chǎng)的相對(duì)電極，上述相對(duì)電極具有隔著絕緣膜在上述漏極信號(hào)線的走行方向上延長(zhǎng)重疊的構(gòu)造，上述漏極信號(hào)線在其下層導(dǎo)電層上，在其走行方向的各邊中至少在一方的側(cè)壁面上形成有該漏極信號(hào)線扇形展開到基底層一側(cè)的錐形。
(5)采用本發(fā)明的液晶顯示裝置，其特征在于例如，在隔著液晶相對(duì)配置的各基片中在一方基片的液晶一側(cè)的面上，具有并列設(shè)置的多條柵極信號(hào)線和與這些隔柵極信號(hào)線交叉地并列設(shè)置的由多條2層的導(dǎo)電層構(gòu)造構(gòu)成的漏極信號(hào)線，形成有，把用這些信號(hào)線包圍的區(qū)域作為象素區(qū)域，在這些象素區(qū)域上形成由來(lái)自柵極信號(hào)線的掃描信號(hào)動(dòng)作的薄膜晶體管、經(jīng)由該薄膜晶體管提供來(lái)自漏極信號(hào)線的圖像信號(hào)的象素電極、在和該象素電極之間產(chǎn)生電場(chǎng)的相對(duì)電極，上述相對(duì)電極具有隔著絕緣膜在上述漏極信號(hào)線的走行方向上延長(zhǎng)重疊的構(gòu)造，上述漏極信號(hào)線通過(guò)把其上層的導(dǎo)電膜作為掩模蝕刻下層的導(dǎo)電層，在該下層的導(dǎo)電膜的側(cè)壁面上形成有該漏極信號(hào)線扇形展開到基底層一側(cè)的錐形。
(6)采用本發(fā)明的液晶顯示裝置，其特征在于例如，在隔著液晶相對(duì)配置的各基片中在一方基片的液晶一側(cè)的面上，具有并列設(shè)置的多條柵極信號(hào)線和與這些各柵極信號(hào)線交叉地并列設(shè)置的多條漏極信號(hào)線，該漏極信號(hào)線為中間層由A1或者其合金的導(dǎo)電層組成，最上層以及最下層由A1或者其合以外的導(dǎo)電層組成的3層構(gòu)造，用這些信號(hào)線包圍的區(qū)域作為象素區(qū)域，在這些象素區(qū)域上形成靠來(lái)自柵極信號(hào)線的掃描信號(hào)動(dòng)作的薄膜晶體管、經(jīng)由該薄膜晶體管提供來(lái)自漏極信號(hào)線的圖像信號(hào)的象素電極、在和該象素電極之間產(chǎn)生電場(chǎng)的相對(duì)電極，上述相對(duì)電極具有隔著絕緣膜在上述漏極信號(hào)線的走行方向上延長(zhǎng)重疊的構(gòu)造，上述漏極信號(hào)線其最下層導(dǎo)電層的寬度比最上層導(dǎo)電層的寬度還寬，中間層導(dǎo)電層的寬度從該最下層導(dǎo)電層的寬度至最上層導(dǎo)電層的寬度逐漸減小變化。
(7)采用本發(fā)明的液晶顯示裝置，其特征在于例如，在隔著液晶相對(duì)配置的各基片中在一方基片的液晶一側(cè)的面上，具有并列設(shè)置的多條柵極信號(hào)線和與這些各柵極信號(hào)線交叉地并列設(shè)置的多條漏極信號(hào)線，該漏極信號(hào)線為中間層由A1或者其合金的導(dǎo)電層組成，最上層以及最下層由A1或者其合以外的導(dǎo)電層組成的3層構(gòu)造，用這些信號(hào)線包圍的區(qū)域作為象素區(qū)域，在這些象素區(qū)域上形成靠來(lái)自柵極信號(hào)線的掃描信號(hào)動(dòng)作的薄膜晶體管、經(jīng)由該薄膜晶體管提供來(lái)自漏極信號(hào)線的圖像信號(hào)的象素電極、在和該象素電極之間產(chǎn)生電場(chǎng)的相對(duì)電極，上述相對(duì)電極具有隔著絕緣膜在上述漏極信號(hào)線的走行方向上延長(zhǎng)重疊的構(gòu)造，上述漏極信號(hào)線其最下層導(dǎo)電層的寬度比最上層導(dǎo)電層的寬度還寬，中間層導(dǎo)電層的側(cè)壁面的寬度在從該最下層導(dǎo)電層的寬度至最上層導(dǎo)電層的寬度逐漸減小變化，與此同時(shí)在該側(cè)壁面上形成有氧化被膜。
(8)采用本發(fā)明的液晶顯示裝置，其特征在于例如，在隔著液晶相對(duì)配置的各基片中在一方基片的液晶一側(cè)的面上，具有并列設(shè)置的多條柵極信號(hào)線和與這些各柵極信號(hào)線交叉地并列設(shè)置的多條漏極信號(hào)線，用這些信號(hào)線包圍的區(qū)域作為象素區(qū)域，在這些象素區(qū)域上形成靠來(lái)自柵極信號(hào)的掃描線動(dòng)作的薄膜晶體管、經(jīng)由該薄膜晶體管提供來(lái)自漏極信號(hào)線的圖像信號(hào)的象素電極、經(jīng)由相對(duì)電壓信號(hào)線對(duì)上述圖像信號(hào)線提供成為基準(zhǔn)的信號(hào)的相對(duì)電極，上述相對(duì)電壓信號(hào)線，具有隔著絕緣膜在上述柵極信號(hào)線的走行方向上延長(zhǎng)重疊的構(gòu)造，上述柵極信號(hào)線在其走行方向的各邊中至少在一方的邊的側(cè)壁面上形成有該柵極信號(hào)線扇形展開到基底層一側(cè)的錐形。


圖1是展示本發(fā)明的液晶顯示裝置的象素的一實(shí)施例的斷面圖。
圖2是展示本發(fā)明的液晶顯示裝置的一實(shí)施例的等價(jià)電路圖。
圖3是展示本發(fā)明的液晶顯示裝置的象素的一實(shí)施例的平面圖。
圖4是圖3的IV-IV線中的斷面圖。
圖5是展示本發(fā)明的液晶顯示裝置的象素的主要部分的一實(shí)施例的斷面圖。
圖6是展示本發(fā)明的液晶顯示裝置的漏極信號(hào)線的另一實(shí)施例的斷面圖。
圖7是展示本發(fā)明的液晶顯示裝置的象素的主要部分的一實(shí)施例的斷面圖。
圖8是展示本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法的一實(shí)施例的工序圖。
圖9是展示本發(fā)明的液晶顯示裝置的象素的主要部分的一實(shí)施例的斷面圖。
圖10是展示本發(fā)明的液晶顯示裝置的象素的另一實(shí)施例的斷面圖。
圖11是展示本發(fā)明的液晶顯示裝置的漏極信號(hào)線的另一實(shí)施例的斷面圖。
圖12是展示本發(fā)明的液晶顯示裝置的象素的另一實(shí)施例的斷面圖。
圖13是展示本發(fā)明的液晶顯示裝置的象素的另一實(shí)施例的斷面圖。
具體實(shí)施例方式
以下，用

本發(fā)明的液晶顯示裝置的實(shí)施例。
實(shí)施例1《等價(jià)電路》圖2是展示本發(fā)明的液晶顯示裝置的一實(shí)施例的等價(jià)電路圖。該圖是電路圖，按照實(shí)際上的幾何配置關(guān)系繪制。
在該圖中，具有隔著液晶相互相對(duì)配置的一對(duì)透明基片SUB1、SUB2，該液晶由兼用來(lái)固定相對(duì)一方透明基片SUB1的另一方透明基片SUB2的密封材料SL封入。
在由密封材料SL包圍的上述一方的透明基片SUB1的液晶一側(cè)的面上，形成有在其x方向上延長(zhǎng)在y方向上并列設(shè)置的柵極信號(hào)線GL和在y方向上延長(zhǎng)在x方向上并列設(shè)置的漏極信號(hào)線DL。
在用各柵極信號(hào)線GL和各漏極信號(hào)線DL包圍的區(qū)域構(gòu)成象素區(qū)域的同時(shí)，這些各象素區(qū)域的矩陣形狀的集合體構(gòu)成液晶顯示部分AR。
另外，在x方向上并列設(shè)置的各象素區(qū)域的各自上形成有在各象素區(qū)域內(nèi)走行的共用的相對(duì)電壓信號(hào)線CL。該相對(duì)電壓信號(hào)線CL成為向各象素區(qū)域的后述的相對(duì)電極CT提供對(duì)于圖像信號(hào)成為基準(zhǔn)的電壓的信號(hào)線。
在各象素區(qū)域上，形成有靠來(lái)自其一面的柵極信號(hào)線GL的掃描信號(hào)動(dòng)作的薄膜晶體管TFT，和經(jīng)由該薄膜晶體管TFT提供來(lái)自一面的漏極信號(hào)線DL的圖像信號(hào)的象素電極PX。
該象素電極PX，在和上述相對(duì)電壓信號(hào)線CL連接的相對(duì)電極CT之間產(chǎn)生電場(chǎng)，由該電場(chǎng)控制液晶的光透過(guò)率。
上述柵極信號(hào)線GL的各自的一端超過(guò)上述密封材料SL延長(zhǎng)，其延長(zhǎng)端構(gòu)成連接垂直掃描驅(qū)動(dòng)電路V的輸出端子的端子。另外，上述垂直掃描驅(qū)動(dòng)電路V的輸入端子輸入來(lái)自被配置在液晶顯示板的外部的印刷電路板的信號(hào)。
垂直掃描驅(qū)動(dòng)電路V由多個(gè)半導(dǎo)體器件組成，相互鄰接的多個(gè)柵極信號(hào)線之間被群組化，在這些各群組的每1個(gè)中分配一個(gè)半導(dǎo)體器件。
同樣，上述漏極信號(hào)線DL的各自的一端超過(guò)上述密封材料SL延長(zhǎng)，其延長(zhǎng)端構(gòu)成連接圖像信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路He的輸出端子。另外，上述圖像信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路He的輸入端子輸入來(lái)自被配置在液晶顯示板的外部的印刷電路板的信號(hào)。
該圖像信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路He由多個(gè)半導(dǎo)體器件組成，相互鄰接的多個(gè)漏極信號(hào)線之間被群組化，在這些各群組的每1個(gè)中分配一個(gè)半導(dǎo)體器件。
另外，上述相對(duì)電壓信號(hào)線CL例如在圖中右側(cè)的端部上被共同連接，其連接線超過(guò)密封材料SL延長(zhǎng)，在其延長(zhǎng)端中構(gòu)成端子CLT。從該端子CLT提供相對(duì)圖像信號(hào)成為基準(zhǔn)的電壓。
上述各柵極信號(hào)線GL，用來(lái)自垂直掃描電路的掃描信號(hào)，順序選擇一個(gè)。
另外，在上述各漏極信號(hào)線DL的各自上，由圖像信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路He與上述柵極信號(hào)線GL的選擇定時(shí)一致地提供圖像信號(hào)。
進(jìn)而，在上述的實(shí)施例中，展示了垂直掃描驅(qū)動(dòng)電路V以及圖像信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路He被搭載在透明基片SUB1上的半導(dǎo)體器件，但例如也可以是跨過(guò)透明基片SUB1和印刷基板之間連接的所謂的載帶方式的半導(dǎo)體器件，進(jìn)而，當(dāng)上述薄膜晶體管TFT的半導(dǎo)體層是由多晶硅(p-Si)組成的情況下，也可以在透明基片SUB1面上和配線層同時(shí)形成由上述多晶硅組成的半導(dǎo)體元件。
《象素的構(gòu)成》圖3是展示上述象素區(qū)域的構(gòu)成的一實(shí)施方式的平面圖。另外，圖1展示圖3的I-I線的斷面圖，圖4展示圖3的IV-IV線的斷面圖。
在各圖中，在透明基板SUB1的液晶一側(cè)的面上，首先，形成沿著x方向延長(zhǎng)在y方向上并列設(shè)置的一對(duì)柵極信號(hào)線GL。
這些柵極信號(hào)線GL和后述的一對(duì)漏極信號(hào)線DL一同包圍矩形的區(qū)域，把該區(qū)域作為象素區(qū)域構(gòu)成。
另外，和該柵極信號(hào)線GL的形成同時(shí)，在各象素區(qū)域的例如中央上形成和該柵極信號(hào)線GL平行走行的相對(duì)電壓信號(hào)線CL。
這樣在形成有柵極信號(hào)線GL以及相對(duì)電壓信號(hào)線CL的透明基片SUB1的表面上，形成由例如SiN構(gòu)成的絕緣膜GI(參照?qǐng)D1、圖4)被覆該柵極信號(hào)線GL以及相對(duì)電壓信號(hào)線CL。
該絕緣膜GI，在后述的漏極信號(hào)線DL的形成區(qū)域上具有作為相對(duì)上述柵極信號(hào)線GL的層間絕緣膜的功能，在后述的薄膜晶體管TFT的形成區(qū)域上具有作為其柵極絕緣膜的功能，在后述的電容元件Cstg的形成區(qū)域上具有作為其介質(zhì)膜之一的功能。
而后，在該絕緣膜GI的表面，形成與上述柵極信號(hào)線GL的一部分重疊的例如由非晶形Si構(gòu)成的半導(dǎo)體層AS。
該半導(dǎo)體層AS，是薄膜晶體管TFT，在其上面形成漏電極SD1以及源電極SD2，由此可以構(gòu)成把柵極信號(hào)線的一部分作為柵電極的反交錯(cuò)構(gòu)造的MIS型晶體管。
在此，上述漏電極SD1以及源電極SD2在漏極信號(hào)線DL的形成時(shí)同時(shí)形成。
即，形成在y方向延伸在x方向上并列設(shè)置的漏極信號(hào)線DL，其一部分延伸到上述半導(dǎo)體層AS的上面形成漏電極SD，另外，只與該漏電極SD1分開薄膜晶體管TFT的溝道長(zhǎng)度的距離來(lái)形成源電極SD2。
進(jìn)而，該漏信號(hào)線DL，在其走行方向的各邊的側(cè)壁面上，形成向該漏極信號(hào)線DL的絕緣膜GI一側(cè)扇形展開的錐型，而這樣構(gòu)成的理由后述。
另外，該源電極SD2和被形成在象素區(qū)域內(nèi)的象素電極PX形成一體。
即，象素電極PX由在象素區(qū)域內(nèi)在其y方向上延伸在x方向上并列設(shè)置的多條(在圖中是2條)電極群構(gòu)成。其中的一個(gè)象素電極PX的一方的端部兼作上述源電極SD2，在另一端上在與另一象素電極PX對(duì)應(yīng)的位置上實(shí)現(xiàn)相互電氣連接。
進(jìn)而雖然未圖示，但在半導(dǎo)體層AS與漏電極SD1以及源電極SD2的界面上形成摻雜有高濃度的雜質(zhì)的薄層，該層具有作為接觸層的功能。
該接觸層，例如在半導(dǎo)體層SD的形成時(shí)，在其表面上已經(jīng)形成高濃度的雜質(zhì)層，通過(guò)把形成在其上面的漏電極SD1以及源電極SD2的圖案作為掩模，蝕刻從它們上面露出的上述雜質(zhì)層形成。
在形成有這樣的薄膜晶體管TFT、漏極信號(hào)線DL、漏電極SD1、源電極SD2，以及象素電極PX的透明基片SUB1的表面上形成保護(hù)膜PSV(參照?qǐng)D1、圖4)。該保護(hù)膜PSV是回避和上述薄膜晶體管TFT的液晶直接接觸的膜，其作用是防止該薄膜晶體管TFT的特性劣化。
而后，該保護(hù)層PSV用由如SiN那樣的無(wú)機(jī)材料層組成的保護(hù)膜PSV1和由樹脂等的有機(jī)材料層組成的保護(hù)膜PSV2的順序疊層體構(gòu)成。這樣作為保護(hù)膜PSV使用由有機(jī)材料層組成的保護(hù)膜PSV2的原因是降低保護(hù)膜自身的介電常數(shù)。
因此，作為保護(hù)膜PSV的構(gòu)成，當(dāng)然也可以不在局部使用無(wú)機(jī)材料層，而全部設(shè)置成有機(jī)材料層。
在保護(hù)膜PSV的上面形成相對(duì)電極CT。該相對(duì)電極CT和上述象素電極PX一樣由在y方向上延伸在x方向上并列設(shè)置的多條(在圖中是3條)電極群構(gòu)成，并且，這些電極，在看成平面的情況下，位于上述象素電極PX之間。
即，相對(duì)電極CT和象素電極PX，從一方的漏極信號(hào)線到另一方的漏極信號(hào)線，分別順序等間隔地配置相對(duì)電極、象素電極、相對(duì)電極、象素電極、……、相對(duì)電極。
在此，位于象素區(qū)域兩側(cè)的相對(duì)電極CT，在其一部分被重疊在漏信號(hào)線DL上形成的同時(shí)，和相鄰的象素區(qū)域?qū)?yīng)的相對(duì)電極CT共同形成。
換言之，在漏極信號(hào)線DL上使相對(duì)電極CT和其中心軸大致一致地重疊，形成該相對(duì)電極CT的寬度比漏極信號(hào)線DL還寬。相對(duì)漏極信號(hào)線DL，左側(cè)的相對(duì)電極CT構(gòu)成左側(cè)的象素區(qū)域的各相對(duì)電極CT之一，右側(cè)的相對(duì)電極CT構(gòu)成右側(cè)的象素區(qū)域的各相對(duì)電極CT之一。
這樣通過(guò)在漏極信號(hào)線DL的上方形成比該漏極信號(hào)線DL還寬的相對(duì)電極CT，起到可以回避來(lái)自該漏極信號(hào)線DL的電力線終止于在該相對(duì)電極CT處終止的象素電極PX上的效果。這是因?yàn)楫?dāng)來(lái)自漏極信號(hào)線DL的電力線終止于象素電極PX的情況下，它變成干擾的緣故。
由電極群組成的各相對(duì)電極CT，和由充分被覆柵極信號(hào)線GL形成的由同一材料組成的相對(duì)電壓信號(hào)CL形成一體，經(jīng)由該相對(duì)電壓信號(hào)線CL提供基準(zhǔn)電壓。
進(jìn)而，相對(duì)電極CT和相對(duì)電壓信號(hào)線CL，可以用如金屬層那樣的非透光性材料構(gòu)成，另外，例如也可以用ITO(氧化銦錫)、ITZO(氧化銦錫鋅)、IZO(氧化銦鋅)等的透光性材料構(gòu)成。
充分被覆柵極信號(hào)線GL形成的相對(duì)電壓信號(hào)線CL，在從該柵極信號(hào)線GL讀出的部分中，上述各象素電極PX的接觸部分位于其下層，由此，在象素電極PX和相對(duì)電壓信號(hào)線CL之間形成把絕緣膜GI和保護(hù)膜PSV作為介質(zhì)膜的電容元件Cstg。
該電容元件Cstg，例如具有比較長(zhǎng)的存儲(chǔ)提供給象素電極PX的圖像信號(hào)等的功能。
而后，在這樣形成相對(duì)電極CT的透明基片SUB1的上面被覆該相對(duì)電極CT形成定向膜ORI1。該定向膜ORI1是和液晶直接接觸的膜，用形成在其表面上的摩擦確定該液晶分子的初始定向方向。
進(jìn)而，如圖3所示，各象素電極PX以及相對(duì)電極CT的構(gòu)造是，分別在其長(zhǎng)方向上具有多個(gè)彎曲部分形成曲折的圖案。成為采用了所謂的多疇方式的構(gòu)成。
即，液晶即使在其分子排列相同的狀態(tài)下，因?yàn)楦鶕?jù)入射到液晶顯示板上的光的入射方向，透過(guò)光的偏光狀態(tài)變化，所以對(duì)應(yīng)入射方向，光的透過(guò)率不同。
在這樣的液晶顯示板的視角依存性相對(duì)視角方向視點(diǎn)傾斜時(shí)，由于引起亮度的反轉(zhuǎn)現(xiàn)象，所以在彩色顯示的情況下具有圖像著色的顯示特性。
因此，把聯(lián)結(jié)各電極的折彎點(diǎn)的假想的線作為邊界在一方的區(qū)域和另一方的區(qū)域中，使作用在各電極間的電場(chǎng)的方向不同，由此，補(bǔ)償依賴于視野角度的圖像著色。
這樣構(gòu)成的液晶顯示裝置其構(gòu)成是，設(shè)置成漏極信號(hào)線DL與其長(zhǎng)方向平行的各側(cè)壁面為扇形展開到基底層的錐形以使斷面為梯形形狀。
另外，該漏極信號(hào)線DL的構(gòu)成是被在其上方隔著保護(hù)膜PSV形成的相對(duì)電極充分被覆。
因此，如圖5所示，當(dāng)從漏極信號(hào)線DL的頂部到該相對(duì)電極CT的距離設(shè)置為d1的情況下，從該漏極信號(hào)線DL的側(cè)壁到該相對(duì)電極CT的距離變?yōu)閐2，其值比d1大。
這意味著，在必須把保護(hù)膜PSV的膜厚度形成在規(guī)定厚度的制約中，以及根據(jù)設(shè)定漏極信號(hào)線DL的全體電阻的需要必須把其斷面積設(shè)定為規(guī)定值的制約中，進(jìn)而為了提高象素區(qū)域的孔徑率必須把該漏極信號(hào)線DL的寬度設(shè)置為規(guī)定值的制約下，可以降低漏極信號(hào)線DL和相對(duì)電極CT之間的電容。
即，為了降低漏極信號(hào)線DL和相對(duì)電極CT之間的電容，首先，考慮增大保護(hù)膜PSV的厚度，只這樣做象素電極PX和相對(duì)電極CT之間的電場(chǎng)強(qiáng)度弱，必須增加驅(qū)動(dòng)電壓，因此其厚度受到限制。另外，通過(guò)只以漏極信號(hào)線DL的層厚度減小的部分?jǐn)U大寬度，在確保該漏極信號(hào)線DL的電阻的同時(shí)，減小和相對(duì)電極CT之間的電容，這種情況下隨之該相對(duì)電極CT的寬度也不得不增加(因?yàn)樵撓鄬?duì)電極CT具有所謂的保護(hù)功能)，象素區(qū)域的孔徑率降低。
因此，作為漏極信號(hào)線DL的構(gòu)成，當(dāng)設(shè)定其斷面積的情況下，具有相對(duì)其底面的寬度W2頂面的寬度W1減小的效果。與從漏極信號(hào)線DL的頂面至相對(duì)電極CT的距離是d1的區(qū)域相比，還是從側(cè)壁面至該相對(duì)電極CT的距離是d2(＞d1)的區(qū)域一方面積大。
進(jìn)而，即使在這種情況下，漏極信號(hào)線DL的底面的寬度W2也可以用要在象素區(qū)域中得到的規(guī)定的孔徑率制約。
實(shí)施例2本實(shí)施例，從實(shí)施例1所示的發(fā)明的主旨出發(fā)，漏極信號(hào)線DL的斷面的形狀不必須是梯形，例如，如圖6(a)所示，在漏極信號(hào)線DL的頂面上可以形成沿著該漏極信號(hào)線DL的長(zhǎng)方向的凹陷部分DEN。另外，如圖6(b)所示，該凹陷部分DEN可以是不限于一個(gè)的多個(gè)。另外，如圖6(c)所示，該凹陷部分DEN的斷面形狀沒有特別規(guī)定，也可以是三角形。
要點(diǎn)是，在漏極信號(hào)線DL與相對(duì)電極CT相對(duì)的面上，只要其構(gòu)成是和該相對(duì)電極的距離具有至少2個(gè)以上的不同區(qū)域，就可以起到相同的效果。
實(shí)施例3圖7是展示采用本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一實(shí)施例的構(gòu)成圖，是和圖5對(duì)應(yīng)的圖。
和圖5的情況相比不同的構(gòu)成是，漏極信號(hào)線DL是2層構(gòu)造，其中利用上層的金屬層UML在下層的金屬層DML的側(cè)壁上形成錐形。
在此，作為上層的金屬層，例如選擇Mo、Cr、MoW、MoCr、Ti、CrMo等，作為下層的金屬層，例如選擇Al、AlNd、AlSi、AlTa、AlTiTa、Cr等。
圖8是展示上述的漏極信號(hào)線的制造方法的一實(shí)施例的工序圖。
首先，如圖8(a)所示，在要形成漏極信號(hào)線DL的基底層的上面，順序形成下層的金屬層MDL以及上層的金屬層UML。這種情況下，上層的金屬層UML是比下層的金屬層DML蝕刻速率快的材料。
而后，在上層的金屬層UML的表面的全部區(qū)域上形成光抗蝕劑膜PRE，用公知的光刻技術(shù)在要形成漏極信號(hào)線DL的區(qū)域上使該光抗蝕劑膜PRE殘留下來(lái)。
以下，如圖8(b)所示，把剩下的光抗蝕劑膜PRE作為掩模一起蝕刻上述上層以及下層的金屬層UML、DML。
首先，選擇蝕刻上層的金屬層UML，使得下層的金屬層的DML露出。
而后，如圖8(c)所示，蝕刻下層的金屬層DML，該蝕刻，如圖8(d)所示，進(jìn)行到上述基底的表面露出為止。
這種情況下，在上述光抗蝕劑膜PRE的下方殘留的下層金屬層DML的側(cè)壁面上形成扇形展開到基底層一側(cè)的錐形。
其后，如圖8(e)所示，除去上述光抗蝕劑膜PRE，漏極信號(hào)線DL的形成結(jié)束。
實(shí)施例4圖9是展示采用本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一實(shí)施例的構(gòu)成圖，是和圖5對(duì)應(yīng)的圖。
和圖5的情況比較不同的構(gòu)成是，漏極信號(hào)線由3層構(gòu)造的金屬層構(gòu)成，其最下層的金屬層DML的寬度是W2，最上層的金屬層UML的寬度是W1(W2＞W(wǎng)1)，中間層的金屬層MML的寬度是從最下層的金屬層DML一方到最上層的金屬層UML一方，從W2到W1變化的錐形。
另外，中間層的金屬層MML由A1或者A1的合金構(gòu)成，其他的金屬層UML、DML由此外的金屬或者其合金構(gòu)成。
這種情況下，其他的金屬層UML、DML希望是可以抑制A1或者A1的合金氧化那樣的金屬或者其合金。這是因?yàn)椋珹1或者A1的合金容易氧化，在漏極信號(hào)線的輸入端子部分上的接觸電阻增大，成為引起圖像信號(hào)的波形失真的原因。
實(shí)施例5圖10是展示采用本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一實(shí)施例的構(gòu)成圖，相當(dāng)于圖3的X-X所示的斷面圖。
本實(shí)施例，在把上述漏極信號(hào)線D如實(shí)施例2所示那樣形成3層構(gòu)造的同時(shí)，在和該漏極信號(hào)線DL形成的同時(shí)，形成實(shí)現(xiàn)相對(duì)電壓信號(hào)CL和相對(duì)電極CT的連接的中間層INV。
在此，該中間層INV用由和漏極信號(hào)線DL相同的金屬組成的疊層構(gòu)造組成，而這種情況下的最上層以及最下層的各金屬UML、DML，可以分別把提高相對(duì)電極CT以及相對(duì)電壓信號(hào)線CL的接觸性作為目的選擇。
例如，最下層以及最上層的各金屬DML、UML為MoZr，這種情況下，希望與Mo相比Zr一方少。具體地說(shuō)理想的是Mo-8wt％Zr。另外，中間層的金屬為AlNd，這種情況下，希望與Al相比Nd一方少。具體地說(shuō)理想的是Al-9.8wt％Nd。
另外，代替Zr、Nd，即使是所謂的稀土類元素也可以起到同樣效果。
而后，希望最上層以及最上層的各金屬UML、DML的膜厚度比中間層的金屬層MML還薄。這是為了提高因低電阻化和形狀產(chǎn)生的電容的降低效果。因此，中間層的金屬層MML的膜厚度理想的是在最上層的金屬層UML的4倍以上。
實(shí)施例6本實(shí)施例，如實(shí)施例5所示，在由三層構(gòu)造組成的漏極信號(hào)線DL中，如圖1所示，在其錐形面上形成氧化膜OXL。這是因?yàn)橛葾l或者其合金組成的中間層的金屬層MML露出，由此可以防止產(chǎn)生小丘的緣故。
由此，可以防止中間層的配線電阻因時(shí)間變化氧化以及隨時(shí)間漏極信號(hào)線DL的配線電阻變化，提高可靠性。
在此，上述氧化膜OXL可以用例如以下的方法形成。首先，在側(cè)壁面上形成由形成錐形的三層構(gòu)造組成的漏極信號(hào)線DL，通過(guò)氧化等離子處理在該錐形的側(cè)壁面上形成氧化膜OXL。這種情況下，作為最上層的金屬層的材料希望是非Al系列的金屬。這是為了防止連接電阻增大的緣故。
另外，作為另一方法，進(jìn)行所謂的陽(yáng)極化處理。即，在基片上作為中間層使用Al系列金屬，在形成由在其側(cè)面上形成有錐形的三層構(gòu)造組成的漏極信號(hào)線DL后，把該基片浸泡在電解液中，把該漏極信號(hào)線DL作為陽(yáng)極同時(shí)在該電解液中浸泡成為陰極的另一金屬板。而后，對(duì)陽(yáng)極以及陰極通電，在上述錐形的側(cè)壁面上形成陽(yáng)極氧化膜OXL。這種情況下，也是希望最上層的金屬層UML的材料是非Al系列的金屬。
進(jìn)而，作為另一方法，通過(guò)在氧氣存在的氣體氛圍中加熱由在側(cè)壁面上形成有錐形的三層構(gòu)造組成的漏極信號(hào)線DL，在該側(cè)壁面上形成熱氧化膜。這種情況下的加熱希望在100℃以下。
通過(guò)這樣加熱，可以緩和在多層構(gòu)造的漏極信號(hào)線DL內(nèi)產(chǎn)生的應(yīng)力，這樣可以降低經(jīng)長(zhǎng)時(shí)間使用后的應(yīng)力斷線。
進(jìn)而，此方法，也可以和上述的2個(gè)其他方法一同使用。這是因?yàn)橥ㄟ^(guò)加上加熱工序，可以緩和在漏極信號(hào)線DL內(nèi)產(chǎn)生的應(yīng)力的緣故。
實(shí)施例7在本實(shí)施例中，其構(gòu)成是如圖12所示，漏極信號(hào)線DL，和以往一樣，把其斷面直接形成矩陣形狀，在除去成為其上方的相對(duì)電極CT的基底層的形成有保護(hù)膜PSV的表面的該相對(duì)電極CT(至少和該漏極信號(hào)線重疊的相對(duì)電極)的區(qū)域上形成凹陷部分。
這樣的保護(hù)膜PSV可以通過(guò)采用使用所謂的半曝光方式的光刻技術(shù)不增加工序數(shù)形成。
即使通過(guò)設(shè)置成這種構(gòu)成，因?yàn)榭梢栽龃舐O信號(hào)線DL和相對(duì)電極CT之間的距離，所以可以降低它們之間的電容。
實(shí)施例8本實(shí)施例，如圖13所示，以實(shí)施例7所示的構(gòu)成為前提，使漏極信號(hào)線DL在其側(cè)壁面上形成錐形。這樣一來(lái)，可以進(jìn)一步降低漏極信號(hào)線DL和相對(duì)電極CT之間的電容。
另外，即使在這種情況下，把漏極信號(hào)線DL設(shè)置成多層構(gòu)造也可以起到在上述的實(shí)施例中所示的效果。
實(shí)施例9在上述的各實(shí)施例中，把漏極信號(hào)線DL作為對(duì)象說(shuō)明了本發(fā)明，但并不限于此，不用說(shuō)也可以適用在柵極信號(hào)線GL中。
如果在柵極信號(hào)線GL的上方存在和相對(duì)電極CT連接的相對(duì)電壓信號(hào)線CL，則由于它們之間的電容不匹配因而產(chǎn)生同樣的效果。
實(shí)施例10進(jìn)而，在上述的實(shí)施例中，在漏極信號(hào)線DL或者柵極信號(hào)線GL中，形成在其側(cè)壁面上的錐形是被形成在該信號(hào)線的走行方向的各邊的側(cè)壁面上，但并不限定于此，當(dāng)然也可以只是其中的一方上形成。
從上述說(shuō)明可知，如果采用本發(fā)明的液晶顯示裝置，則可以降低例如漏極信號(hào)線對(duì)于相對(duì)電極的電容。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，其特征在于在隔著液晶相對(duì)配置的各基片中一方基片的液晶一側(cè)表面上，具有并列設(shè)置的多條柵極信號(hào)線和與這些各柵極信號(hào)線交叉并列設(shè)置的多條漏極信號(hào)線，用這些各信號(hào)線包圍的區(qū)域作為象素區(qū)域，在這些象素區(qū)域上形成有通過(guò)來(lái)自柵極信號(hào)線的掃描信號(hào)動(dòng)作的薄膜晶體管、經(jīng)由該薄膜晶體管提供來(lái)自漏極信號(hào)線的圖像信號(hào)的象素電極、和在該象素電極之間產(chǎn)生電場(chǎng)的相對(duì)電極，上述相對(duì)電極具有隔著絕緣膜在上述漏極信號(hào)線的走行方向上延長(zhǎng)重疊的構(gòu)造，上述漏極信號(hào)線在和上述相對(duì)電極相對(duì)的面上，形成為具有至少2個(gè)以上和該相對(duì)電極的距離不同的區(qū)域。
2.一種液晶顯示裝置，其特征在于在隔著液晶相對(duì)配置的各基片中一方基片的液晶一側(cè)表面上，具有并列設(shè)置的多條柵極信號(hào)線和與這些各柵極信號(hào)線交叉并列設(shè)置的多條漏極信號(hào)線，用這些各信號(hào)線包圍的區(qū)域作為象素區(qū)域，在這些象素區(qū)域上形成有通過(guò)來(lái)自柵極信號(hào)線的掃描信號(hào)動(dòng)作的薄膜晶體管、經(jīng)由該薄膜晶體管提供來(lái)自漏極信號(hào)線的圖像信號(hào)的象素電極、和在該象素電極之間產(chǎn)生電場(chǎng)的相對(duì)電極，上述相對(duì)電極具有隔著絕緣膜在上述漏極信號(hào)線的走行方向上延長(zhǎng)重疊的構(gòu)造，上述漏極信號(hào)線在其走行方向的各邊中至少在一方的側(cè)壁面上形成有該漏極信號(hào)線扇形展開到基底層一側(cè)的錐形。
3.權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于上述漏極信號(hào)線在其下層一側(cè)導(dǎo)電層上在其走行方向的各邊中至少在一方的側(cè)壁面上形成向該漏極信號(hào)線的基底層一側(cè)扇形展開的錐形。
4.權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于上述漏極信號(hào)線在其下層的導(dǎo)電層上在其走行方向的各邊中至少在一方的側(cè)壁面上形成向該漏極信號(hào)線的基底層一側(cè)扇形展開的錐形。
5.權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于上述漏極信號(hào)線其下層側(cè)的寬度比上層側(cè)的寬度寬。
6.權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于上述漏極信號(hào)線是多層構(gòu)造，其下層比上層寬度寬。
7.一種液晶顯示裝置，其特征在于在隔著液晶相對(duì)配置的各基片中一方基片的液晶一側(cè)表面上，具有并列設(shè)置的多條柵極信號(hào)線和與這些各柵極信號(hào)線交叉并列設(shè)置的多條漏極信號(hào)線，該漏極信號(hào)線為中間層由A1或者其合金的導(dǎo)電層組成，最上層以及最下層由A1或者其合金以外的導(dǎo)電層組成的3層構(gòu)造，用上述各信號(hào)線包圍的區(qū)域作為象素區(qū)域，在這些象素區(qū)域上形成有通過(guò)來(lái)自柵極信號(hào)線的掃描信號(hào)動(dòng)作的薄膜晶體管、經(jīng)由該薄膜晶體管提供來(lái)自漏極信號(hào)線的圖像信號(hào)的象素電極、和在該象素電極之間產(chǎn)生電場(chǎng)的相對(duì)電極，上述相對(duì)電極具有隔著絕緣膜在上述漏極信號(hào)線的走行方向上延長(zhǎng)重疊的構(gòu)造，上述漏極信號(hào)線最下層導(dǎo)電層的寬度比最上層的導(dǎo)電層寬度寬，中間層導(dǎo)電層的寬度從該最下層導(dǎo)電層的寬度到最上層導(dǎo)電層的寬度逐漸減小變化。
8.權(quán)利要求7所述的液晶顯示裝置，其特征在于在上述中間層的側(cè)壁面上形成氧化被膜。
9.一種液晶顯示裝置，其特征在于在隔著液晶相對(duì)配置的各基片中一方基片的液晶一側(cè)表面上，具有并列設(shè)置的多條柵極信號(hào)線和與這些各柵極信號(hào)線交叉并列設(shè)置的多條漏極信號(hào)線，用這些各信號(hào)線包圍的區(qū)域作為象素區(qū)域，在這些象素區(qū)域上形成有通過(guò)來(lái)自柵極信號(hào)線的掃描信號(hào)動(dòng)作的薄膜晶體管、經(jīng)由該薄膜晶體管提供來(lái)自漏極信號(hào)線的圖像信號(hào)的象素電極、和在該象素電極之間產(chǎn)生電場(chǎng)的相對(duì)電極，上述相對(duì)電極具有隔著絕緣膜在上述柵極信號(hào)線的走行方向上延長(zhǎng)重疊的構(gòu)造，上述柵極信號(hào)線在其走行方向的各邊中至少一方的側(cè)壁面上形成有該柵極信號(hào)線扇形展開到基底層一側(cè)的錐形。
10.權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置，其特征在于上述柵極信號(hào)線在其下層側(cè)導(dǎo)電層上在其走行方向的各邊中，至少在一方的側(cè)壁面上形成有向該柵極信號(hào)線的基底層一側(cè)扇形展開的錐形。
11.權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置，其特征在于上述柵極信號(hào)線在其下層的導(dǎo)電層上在其走行方向的各邊中，至少在一方的側(cè)壁面上形成有向該柵極信號(hào)線的基底層一側(cè)扇形展開的錐形。
12.權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置，其特征在于上述柵極信號(hào)線，其下層一側(cè)的寬度比上層一側(cè)的寬度寬。
13.權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置，其特征在于上述柵極信號(hào)線是多層構(gòu)造，下層比上層寬。
14.一種液晶顯示裝置，其特征在于在隔著液晶相對(duì)配置的各基片中一方基片的液晶一側(cè)表面上，具有并列設(shè)置的多條柵極信號(hào)線和與這些各柵極信號(hào)線交叉并列設(shè)置的多條漏極信號(hào)線，該漏極信號(hào)線為中間層由A1或者其合金的導(dǎo)電層組成，最上層以及最下層由A1或者其合金以外的導(dǎo)電層組成的3層構(gòu)造，用上述各信號(hào)線包圍的區(qū)域作為象素區(qū)域，在這些象素區(qū)域上形成有通過(guò)來(lái)自柵極信號(hào)線的掃描信號(hào)動(dòng)作的薄膜晶體管、經(jīng)由該薄膜晶體管提供來(lái)自漏極信號(hào)線的圖像信號(hào)的象素電極、和在該象素電極之間產(chǎn)生電場(chǎng)的相對(duì)電極，上述相對(duì)電極具有隔著絕緣膜在上述柵極信號(hào)線的走行方向上延長(zhǎng)重疊的構(gòu)造，上述柵極信號(hào)線最下層導(dǎo)電層的寬度比最上層導(dǎo)電層的寬度寬，中間層導(dǎo)電層的寬度從該最下層導(dǎo)電層的寬度至最上層導(dǎo)電層的寬度逐漸減小變化。
15.權(quán)利要求14所述的液晶顯示裝置，其特征在于在上述中間層的側(cè)壁面上形成有氧化被膜。
全文摘要
在隔著液晶相對(duì)配置的各基片中一方基片的液晶一側(cè)表面上，具有并列設(shè)置的多條柵極信號(hào)線和與這些各柵極信號(hào)線交叉并列設(shè)置的多條的漏極信號(hào)線，用這些各信號(hào)線包圍的區(qū)域作為象素區(qū)域，在這些象素區(qū)域上形成由來(lái)自柵極信號(hào)線的掃描信號(hào)動(dòng)作的薄膜晶體管、經(jīng)由該薄膜晶體管提供來(lái)自漏極信號(hào)線的圖像信號(hào)的象素電極、和在該象素電極之間產(chǎn)生電場(chǎng)的相對(duì)電極，上述相對(duì)電極具有隔著絕緣膜在上述漏極信號(hào)線的走行方向上延長(zhǎng)重疊的構(gòu)造，上述漏極信號(hào)線其走行方向的各邊中至少一方的側(cè)壁面上形成有該漏極信號(hào)線扇形展開到基底層一側(cè)的錐形。
文檔編號(hào)H01L23/52GK1419157SQ0215046
公開日2003年5月21日 申請(qǐng)日期2002年11月13日 優(yōu)先權(quán)日2001年11月13日
發(fā)明者仲吉良彰, 倉(cāng)橋永年, 川村徹也, 柳川和彥 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立制作所