專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置，特別是涉及可使用同一圖形的芯片及導(dǎo)電圖形通過線焊接的固定位置而容易地變更切換電路裝置中控制端子的引線端子的半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
手機(jī)等移動通訊器材中多使用GHz帶的微波，在天線的切換電路和收發(fā)的切換電路等中多使用用于將這些高頻信號切換的切換元件(例如特開平9-181642號)。作為該元件由于是處理高頻，所以多使用采用砷化鎵(GaAs)的場效應(yīng)晶體管(以下稱FET)，隨之將所述切換電路自身集成化的單片微波集成電路(MMIC)的開發(fā)在進(jìn)展中。
現(xiàn)在作為半導(dǎo)體裝置的封裝一般是在引線和同一材料的島上進(jìn)行芯片焊接、進(jìn)行樹脂密封的結(jié)構(gòu)。下面對該半導(dǎo)體裝置以化合物半導(dǎo)體GaAs的切換電路為例進(jìn)行說明。
圖8是表示現(xiàn)有化合物半導(dǎo)體切換電路裝置的電路圖。第一FET1和第二FET2的源極電極(或漏極電極)連接在共同輸入端子IN上，F(xiàn)ET1及FET2的柵極電極分別通過電阻R1、R2連接在第一和第二控制端子Ct1-1、Ct1-2上，且FET1及FET2的漏極電極(或源極電極)連接在第一和第二輸出端子OUT1、OUT2上。施加在第一和第二控制端子Ct1-1、Ct1-2上的控制信號是互補信號，使施加有H電平信號的FET開啟(ON)、將施加在共同輸入端子IN上的輸入信號向某一輸出端子傳遞。電阻R1、R2是以防止高頻信號通過柵極電極相對成為交流接地的控制端子Ct1-1、Ct1-2的直流電位漏出為目的設(shè)置的。
圖9表示了把該化合物半導(dǎo)體切換電路裝置集成化的化合物半導(dǎo)體芯片的一例。
把在GaAs基片上進(jìn)行切換的FET1及FET2配置在中央部，電阻R1、R2連接在各FET的柵極電極上。與共同輸入端子IN、輸出端子OUT1、OUT2、控制端子Ct1-1、Ct1-2對應(yīng)的底座I、O1、O2、C1、C2設(shè)置在基片的周邊。用虛線表示的第二層配線是在形成各FET柵極電極時同時形成的柵極金屬層(Ti/Pt/Au)20，用實線表示的第三層配線是進(jìn)行連接各元件及形成底座的底座金屬層(Ti/Pt/Au)40。與第一層基片歐姆接觸的歐姆金屬層(AuGe/Ni/Au)形成各FET的源極電極、漏極電極及各電阻兩端的取出電極，圖9中因與底座金屬層重疊所以未圖示。
圖10表示了將控制端子Ct1-1的位置從圖8向FET2移動、將控制端子Ct1-2的位置從圖8向FET1移動的切換電路圖。按照用戶的要求也有必要組成與圖8及圖9所示圖形的電路邏輯(以下稱此為一般圖形的切換電路裝置)相反的邏輯。即是在輸出端子OUT1上通過信號時向從輸出端子OUT1移遠(yuǎn)的控制端子Ct1-1上施加例如3V、向控制端子Ct1-2上施加以0V，相反地在輸出端子OUT2上通過信號時向從輸出端子OUT2移遠(yuǎn)的控制端子Ct1-2上施加3V、向Ct1-1上施加0V偏置信號的邏輯(以下稱此為反向控制切換電路)，這時有必要變更芯片內(nèi)的配置。
圖11表示了把反向控制型的切換電路裝置集成化的化合物半導(dǎo)體芯片的一例。在GaAs基片上把進(jìn)行切換的FET1及FET2配置在中央部，電阻R1、R2連接在各FET的柵極電極上。與共同輸入端子IN、輸出端子OUT1、OUT2、控制端子Ct1-1、Ct1-2對應(yīng)的底座在基片的周邊設(shè)置在FET1及FET2的周圍。用虛線表示的第二層配線是在形成各FET柵極電極時同時形成的柵極金屬層(Ti/Pt/Au)20，用實線表示的第三層配線是進(jìn)行連接各元件及形成底座的底座金屬層(Ti/Pt/Au)30。與第一層基片歐姆接觸的歐姆金屬層(AuGa/Ni/Au)10形成各FET的源極電極、漏極電極及各電阻兩端的取出電極，圖11中因與底座金屬層重疊所以未圖示。
在芯片內(nèi)部配置了與共同輸入端子IN、控制端子Ct1-1及Ct1-2或輸出端子OUT1及OUT2對應(yīng)的底座I、C1、C2、O1、O2。在反向控制型的切換電路中與圖9一樣，F(xiàn)ET1的柵極電極和與控制端子Ct1-1對應(yīng)的底座C1用電阻R1連接，F(xiàn)ET2的柵極電極和與控制端子Ct1-2對應(yīng)的底座C2用電阻R2連接，但從圖9底座C1移到FET2側(cè)、底座C2移到FET1側(cè)。
圖12表示安裝了上述切換電路裝置的結(jié)構(gòu)。圖12(A)是俯視圖，圖12(B)表示的是B-B線的剖面圖。
形成切換元件的化合物半導(dǎo)體芯片63用焊錫等導(dǎo)電膏70固定安裝在引線架的島62e上，化合物半導(dǎo)體芯片63的各電極座I、C1、C2、O1、O2和引線62用焊接線64連接。這樣控制端子Ct1-1與引線62a、輸入端子IN與引線62b、控制端子Ct1-2與引線62c、輸出端子OUT1與引線62d、OUT2與引線62f分別連接。固定著半導(dǎo)體芯片63的島62e成為GND端子。半導(dǎo)體芯片63的周邊部分被與密封模具形狀一致的樹脂75包覆，引線62的前端部分被引出到樹脂75的外部。
根據(jù)用戶的要求有時如圖11所示要提供把連接在FET上的控制端子Ct1-1及Ct1-2的位置調(diào)換的反向控制型切換電路裝置，這時需要從晶片開始重新投入。但當(dāng)根據(jù)要求個個應(yīng)對時，晶片的制作大致要1～2個月、組裝要1個月，所以不能快速應(yīng)對，且有需很大成本的問題。
當(dāng)想把圖9所示的一般圖形的切換電路裝置的布置圖變換成圖11所示的反向控制型邏輯電路的布置圖時，由于芯片內(nèi)部沒有空間，所以要沿芯片外周配置電阻。但若按該配置例如就要分別在芯片的X方向(左右)增大25μm、Y方向增大50μm，為此芯片尺寸就增大了。
還有，在現(xiàn)有的化合物半導(dǎo)體切換電路裝置的封裝結(jié)構(gòu)中需要通用地使用各種大小的半導(dǎo)體芯片，所以采用了適合大芯片尺寸的引線架。這是由于若采用適合各個尺寸的引線架時，就要相應(yīng)增加成本。
現(xiàn)在硅半導(dǎo)體芯片性能的提高也是驚人的，在高頻帶利用的可能性正在提高。例如使用fT(遮斷頻率)25GHz以上的硅半導(dǎo)體晶體管的本機(jī)振蕩電路，通過對應(yīng)用電路下功夫可產(chǎn)生與使用GaAs FET的本機(jī)振蕩電路相近的性能?，F(xiàn)在硅芯片在高頻帶的利用難、是在利用昂貴的化合物半導(dǎo)體芯片，但若硅半導(dǎo)體芯片的性能提高、產(chǎn)生利用的可能性時，當(dāng)然高價化合物半導(dǎo)體芯片、連晶片自身也會在價格競爭中敗北。即縮小芯片尺寸以謀求低價格化成為重要課題。而且即使化合物半導(dǎo)體芯片的小型化及低價格化在進(jìn)展、而封裝外形卻原樣大，小型化的芯片的優(yōu)越性就完全不能發(fā)揮，所以在芯片小型化的同時也在強烈期望封裝的小型化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述情況而開發(fā)的，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置包括絕緣性支承基片；半導(dǎo)體芯片，表面上有多個電極座；導(dǎo)電圖形，設(shè)在基片上、與多個電極座一一對應(yīng)；連接裝置，連接多個電極座與導(dǎo)電圖形。導(dǎo)電圖形中至少有兩個導(dǎo)電圖形向與導(dǎo)電圖形對應(yīng)的至少兩個電極座延伸接近，把至少兩個導(dǎo)電圖形與至少兩個電極座用連接裝置連接時，通過選擇某一導(dǎo)電圖形調(diào)換至少兩個與電極座對應(yīng)的連接端子的位置，這樣來解決上述問題。這樣用同一封裝和同一芯片可提供一般的切換電路裝置和反向控制切換電路裝置這兩者。而且由于是芯片尺寸封裝，所以可大大有利于實現(xiàn)芯片小型化、封裝小型化、削減成本及用戶安裝的小型化。


圖1是用于說明本發(fā)明的(A)為平面圖、(B)為立體圖；圖2是用于說明本發(fā)明的平面圖；圖3是用于說明本發(fā)明的平面圖；圖4是用于說明本發(fā)明的剖面圖；圖5是用于說明本發(fā)明的剖面圖；圖6是用于說明本發(fā)明的平面圖；圖7是用于說明本發(fā)明的平面圖；圖8是用于說明現(xiàn)有技術(shù)的電路圖；圖9是用于說明現(xiàn)有技術(shù)的平面圖；圖10是用于說明現(xiàn)有技術(shù)的電路圖；圖11是用于說明現(xiàn)有技術(shù)的平面圖；圖12是用于說明現(xiàn)有技術(shù)的(A)為平面圖、(B)為剖面圖。
具體實施例方式
下面詳細(xì)說明本發(fā)明的實施例。
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置包括絕緣基片1、導(dǎo)電圖形2、半導(dǎo)體芯片3、連接裝置4、通孔5和外部連接電極6。
參照圖1至圖4詳細(xì)說明本發(fā)明的第一實施例。
圖1(A)是基片1上所設(shè)導(dǎo)電圖形2的一部分?；?是由陶瓷和玻璃環(huán)氧樹脂等構(gòu)成的大張絕緣基片，其由一張或數(shù)張重疊、具有可維持制造工序中機(jī)械強度的合計板厚是180～250μm的板厚。
導(dǎo)電圖形2由設(shè)在絕緣基片1上的六條引線2構(gòu)成、設(shè)置成與半導(dǎo)體芯片上配置的電極座相對應(yīng)。導(dǎo)電圖形2由鍍金形成，其中兩條引線2延伸至用虛線表示的半導(dǎo)體芯片固定區(qū)域11，配置成這兩條引線2的兩端從半導(dǎo)體芯片固定區(qū)域11露出的形狀。半導(dǎo)體芯片的固定區(qū)域11沒有相當(dāng)于現(xiàn)在的島部的部位，半導(dǎo)體芯片用絕緣性樹脂固定在延伸的兩條引線2上。這些導(dǎo)電圖形2在每個用點劃線表示的各封裝區(qū)域10內(nèi)是同一形狀，設(shè)置成用連結(jié)部12連接。各封裝區(qū)域10具有例如長邊×短邊是1.2mm×0.8mm的矩形形狀，固定區(qū)域11例如是0.30mm×0.37mm，但該固定區(qū)域11隨半導(dǎo)體芯片的大小而不同。各封裝區(qū)域10的導(dǎo)電圖形2相互隔開100μm的間隔縱橫配置。所述間隔在安裝工序中成為切割線。這里各圖形2是通過鍍金設(shè)置的，但無電解鍍也可，這時因無連接的必要所以各導(dǎo)電圖形是個別地設(shè)置。
如圖1(B)所示，基片1上縱橫配置有多個(例如100個)與一個半導(dǎo)體芯片對應(yīng)的封裝區(qū)域10。
圖2表示半導(dǎo)體芯片3。半導(dǎo)體芯片3是化合物半導(dǎo)體切換電路裝置，背面是半絕緣性的GaAs基片。該切換電路裝置在GaAs基片上把進(jìn)行切換的FET1及FET2配置在中央部，電阻R1、R2連接在各FET的柵極電極17上。與共同輸入端子IN、輸出端子OUT1、OUT2對應(yīng)的電極座I、O1、O2和分別與控制端子Ct1-1、Ct1-2對應(yīng)的電極座C1、C2設(shè)置在基片的周邊?？刂贫俗佑秒姌O座C1連接在FET1的柵極電極17上，控制端子用電極座C2連接在FET2的柵極電極17上?？刂贫俗佑秒姌O座C1、C2上還分別連接有控制端子Ct1-1、Ct1-2。這里與輸入端子及輸出端子對應(yīng)的電極座上固定有后面要說明的連接引線。
用虛線表示的第二層配線是形成各FET通道區(qū)域14和形成肖特基結(jié)的柵極電極17時同時形成的柵極金屬層(Ti/Pt/Au)20，用實線表示的第三層配線是進(jìn)行各元件連接及底座形成的底座金屬層(Ti/Pt/Au)40。與第一層基片歐姆接觸的歐姆金屬層(AuGe/Ni/Au)形成各FET的源極電極13、漏極電極15及各電阻兩端的取出電極，圖2中因與底座金屬層重疊所以未圖示。本發(fā)明實施例的電路圖與圖8一樣，所以說明省略。
圖3表示了把半導(dǎo)體芯片3固定在絕緣基片1上的例子。
如圖3(A)所示，半導(dǎo)體芯片3固定在鍍金層的引線2c、2a上。引線2c、2a配置成延伸接近于控制端子用電極座C1、C2，各自的兩端從芯片邊緣露出。這里引線2c、2a露出的位置并不限于圖示位置，但引線2c及引線2a從芯片邊緣露出的部分必須在對應(yīng)的兩個電極座近旁，而且為了焊接必須有足夠的面積。
引線2b與輸入端子IN、引線2d與輸出端子OUT1、引線2f與輸出端子OUT2對應(yīng)，引線2c與控制端子Ct1-2、引線2a與控制端子Ct1-1對應(yīng)。半導(dǎo)體芯片用絕緣性粘接劑固定在引線2c、2a上。
焊接線4把半導(dǎo)體芯片3的各電極座I、O1、O2、C1、C2與引線2連接。把控制端子用電極座C1與近旁的從芯片露出的引線2a連接，把控制端子用電極座C2與近旁的從芯片露出的引線2c連接。把輸入端子用電極座I與引線2b、輸出端子用電極座O1與引線2d、輸出端子用電極座O2與引線2f連接。半導(dǎo)體芯片3背面是半絕緣性基片、引線2e是GND電位。
通過在該位置進(jìn)行線焊接，引線2c與FET2的控制端子用電極座C2連接并與控制端子Ct1-2對應(yīng)，引線2a與FET1的控制端子用電極座C1連接并與控制端子Ct1-1對應(yīng)。即在與現(xiàn)有技術(shù)相同的芯片圖形(一般圖形)的情況下，可實現(xiàn)圖10及圖11所示的反向控制型的切換電路裝置。
另一方面，圖3(B)表示在圖8的電路圖所示的一般圖形中使用該芯片的情況。這時把控制端子用電極座C1與近旁的從芯片露出的引線2c連接，把控制端子用電極座C2與近旁的從芯片露出的引線2a連接。
通過在該位置進(jìn)行線焊接，引線2c與FET1的控制端子用電極座C1連接并與控制端子Ct1-1對應(yīng)，引線2a與FET2的控制端子用電極座C2連接并與控制端子Ct1-2對應(yīng)。
這樣通過把設(shè)在絕緣基片上的控制端子用導(dǎo)電圖形在芯片下延伸并從芯片邊緣把兩端露出、選擇用焊接線連接的引線，可在同一芯片圖形同一導(dǎo)電圖形的情況下容易地調(diào)換連接在FET1、FET2上的控制端子Ct1-1、Ct1-2的位置。即通過調(diào)換與兩個引線連接的焊接線的位置，可把兩個控制端子用電極座C1、C2的排列順序和對應(yīng)的控制端子Ct1-1、Ct1-2的排列順序正反變換配置。因此可在同一芯片圖形(一般的芯片圖形)及同一導(dǎo)電圖形的情況下，僅通過調(diào)換焊接線的連接處，而實現(xiàn)一般的切換電路裝置和反向控制型的切換電路裝置。
這里該導(dǎo)電圖形2在形成鍍敷圖形時，使用了厚膜印刷，所以圖形(引線)間的最小間隔可制成75μm。這與采用現(xiàn)有的框架時沖壓的框架沖裁界限是框架的板厚(150μm)×0.8、其最小間隔是120μm相比，可大幅度縮小引線間距離，可大大有助于封裝的小型化。
圖4表示將上述化合物半導(dǎo)體芯片3組入封裝形成的化合物半導(dǎo)體切換電路裝置，是圖3的A-A線所示的剖面。
基片1上設(shè)有與各引線2對應(yīng)的通孔5。通孔5貫通基片1、內(nèi)部埋設(shè)有鎢等導(dǎo)電材料。背面有與各通孔5對應(yīng)的外部連接電極6。
化合物半導(dǎo)體芯片3用絕緣性粘接劑50橫跨固定在兩條引線2a、2c上，芯片3的各電極座I、O1、O2、C1、C2分別通過線4、引線2、通孔5和與各自位置對應(yīng)位置的外部連接電極6電連接。
即六個外部連接電極6以對封裝外形的中心線左右(上下)對稱的圖形配置。具體說就是沿封裝側(cè)面的一邊按控制端子Ct1-1(或Ct1-2)、輸入端子IN、控制端子Ct1-2(或Ct1-1)，沿封裝側(cè)面的另一邊按輸出端子OUT1、GND端子、輸出端子OUT2的順序配置。
封裝的四周側(cè)面由樹脂層15和絕緣基片1的截面形成，封裝的上面由平坦化的樹脂層15的表面形成，封裝的下面由絕緣基片1的背面形成。
該化合物半導(dǎo)體切換電路裝置在絕緣基片1上有0.3mm左右的樹脂層15包覆、把化合物半導(dǎo)體芯片3密封?；衔锇雽?dǎo)體芯片3有約130μm左右的厚度。
封裝的正面整個面是樹脂層15，背面絕緣基片1的外部連接電極6以左右(上下)對稱的圖形配置，電極的極性判斷困難，所以最好在樹脂層15的表面形成凹部或印刷等、刻印表示極性的標(biāo)記。
如上所述，本發(fā)明的特征就在于制成不使用沖裁框架的芯片尺寸封裝，把控制端子連接的兩條引線延伸并在其上面固定半導(dǎo)體芯片，使這各引線的兩端從芯片的邊緣露出。這樣使用同一芯片圖形同一導(dǎo)電圖形，僅調(diào)換用焊接線連接的引線就可容易地實現(xiàn)一般的圖形和反向控制型的圖形，可迅速、通用地應(yīng)對用戶的要求。
在把芯片固定在現(xiàn)有的沖裁框架上的結(jié)構(gòu)中，為實現(xiàn)反向控制型的圖形不得不變更芯片圖形，所以不但半導(dǎo)體芯片的尺寸變大而且封裝外形也變大，根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，由于又實現(xiàn)封裝的小型化、半導(dǎo)體芯片又一個圖形便可，所以可大大有助于削減成本。
這里參照圖5及圖6表示本發(fā)明的第二實施例。平面圖與圖3所示第一實施例相同故省略，圖5是圖3的A-A線的剖面圖。第二實施例是將第一實施例CSP多芯片模塊化了，是把導(dǎo)電圖形埋入成為支承基片的絕緣性樹脂內(nèi)的結(jié)構(gòu)。
成為支承基片的絕緣樹脂21把半導(dǎo)體芯片23及多個導(dǎo)電圖形(引線)22完全包覆，絕緣性樹脂21填充在引線22間的分離槽31內(nèi)，與引線22側(cè)面的彎曲結(jié)構(gòu)(圖示省略了，但實際上引線側(cè)面是彎曲的)配合牢固地結(jié)合。并且由絕緣性樹脂21支承引線22。固定在引線22上的半導(dǎo)體芯片23也一并被覆蓋、共同密封。作為樹脂材料環(huán)氧樹脂等熱硬性樹脂可用傳遞模實現(xiàn)，聚酰亞胺樹脂、聚亞苯基硫醚等熱塑性樹脂可用注射模實現(xiàn)。
絕緣性樹脂21的厚度調(diào)整為包覆距半導(dǎo)體芯片23的焊接線24的最頂部約50μm左右。該厚度考慮到強度制厚些、制薄些都可。絕緣性樹脂21的表面通過退火而平坦化。這是絕緣性樹脂21在有大面積形成時，特別是由于引線22的材料即導(dǎo)電箔30與形成絕緣性樹脂21的密封樹脂的熱膨脹系數(shù)和反流后溫度降低時的成型收縮率的不同，導(dǎo)電箔30發(fā)生翹曲。即為抑制絕緣性樹脂21的表面發(fā)生翹曲，通過退火使其平坦化。
焊接線24把半導(dǎo)體芯片23的各電極座I、O1、O2、C1、C2與各引線22連接。通過基于熱壓接的球焊及基于超聲波的楔焊一并進(jìn)行線焊接，這樣控制端子Ct1-1、輸入端子IN、Ct1-2、輸出端子OUT1、OUT2被連接在各引線22上。引線中的一條連接在半導(dǎo)體芯片背面成為GND端子。
導(dǎo)電圖形22被埋入絕緣樹脂21，與配置在半導(dǎo)體芯片23上的電極座對應(yīng)設(shè)置。固定區(qū)域沒有相當(dāng)于現(xiàn)有的島部，半導(dǎo)體芯片23用絕緣性粘接劑50固定在延伸至固定區(qū)域大致中央的引線22a、22c上。
后面要敘述，但如圖5(B)所示導(dǎo)電圖形22是導(dǎo)電箔30。設(shè)有分離槽31的導(dǎo)電箔30通過把背面進(jìn)行研磨、磨削、腐蝕、激光的金屬蒸發(fā)等進(jìn)行化學(xué)的及/或物理的清除，作為導(dǎo)電圖形22被分離。這樣成為導(dǎo)電圖形22的背面在絕緣性樹脂21上露出的結(jié)構(gòu)。成為填充在分離槽31內(nèi)的絕緣性樹脂21的表面與導(dǎo)電圖形22的表面實際上是一致的結(jié)構(gòu)。
半導(dǎo)體芯片23與第一實施例相同，所以省略詳述，但這里是化合物半導(dǎo)體的切換電路裝置，背面是半絕緣性的GaAs基片。因為是切換電路裝置，所以與輸入端子IN、控制端子Ct1-1、Ct1-2、輸出端子OUT1、OUT2連接的五個電極座I、C1、C2、O1、O2圍住芯片外周配置在芯片表面。而且是與FET1連接的控制端子用電極座C1與Ct1-1連接，與FET2連接的控制端子用電極座C2與Ct1-2分別連接的一般圖形的芯片。用絕緣性粘接劑固定在成為控制端子Ct1-1或Ct1-2的引線22a、22c上，用各個焊接線24連接電極座與引線22。
外部連接電極26設(shè)置成用保護(hù)層27覆蓋導(dǎo)電圖形即各引線22，在希望的位置開口供給焊錫。這樣在裝配時因焊錫等的表面張力、可原狀地水平移動，有可自身調(diào)整的特點。
圖6表示形成導(dǎo)電圖形的導(dǎo)電箔30。導(dǎo)電箔30的厚度考慮到以后的腐蝕以10μm～300μm左右為好，這里采用了70μm(2盎司)的銅箔。但無論是300μm以上還是10μm以下，只要能形成比導(dǎo)電箔30的厚度淺的分離槽31便可。這樣多個(這里是4～5個)形成多個固定區(qū)域的塊32在長條狀的導(dǎo)電箔30上分開排列(圖6(A))。
圖6(B)表示具體的導(dǎo)電圖形22。本圖是將圖6(A)所示的塊32的一個放大了。用虛線表示的部分是一個封裝區(qū)域10，一個塊32上矩陣狀地配列多個導(dǎo)電圖形22。導(dǎo)電圖形22至少將形成導(dǎo)電圖形22以外的區(qū)域的導(dǎo)電箔30腐蝕形成分離槽31、制成導(dǎo)電圖形22。該導(dǎo)電箔30考慮焊料的附著性、焊接性、鍍敷性而選擇其材料，作為材料以銅為主材料的導(dǎo)電箔、以Al為主材料的導(dǎo)電箔或由Fe-Ni等合金構(gòu)成的導(dǎo)電箔等被采用。
導(dǎo)電圖形22可用腐蝕形成，所以與現(xiàn)有的沖裁框架、框架的板厚(150μm)×0.8是圖形間距離界限的相比，可大幅度縮小圖形間距離，可大大有助于封裝的小型化。
第二實施例的特征在于在包覆絕緣性樹脂21之前，成為導(dǎo)電圖形22的導(dǎo)電箔30成為支承基片，成為支承基片的導(dǎo)電箔30作為電極材料是必需的材料。因此有能最大限度節(jié)省結(jié)構(gòu)材料而操作的優(yōu)點，也能實現(xiàn)降低成本。
分離槽31形成得比導(dǎo)電箔30的厚度淺，所以導(dǎo)電箔30并不作為導(dǎo)電圖形22而個個分離。從而作為片狀的導(dǎo)電箔30而一體處理，封裝絕緣性樹脂21時有往模具的搬運、往模具的安裝操作非常方便的特點。
本實施例中對導(dǎo)電箔30的情況作了說明，但可以說基片是由硅晶片、陶瓷基片、銅框架等材料構(gòu)成時也同樣。
如圖7所示，引線沿芯片外周配置也可。本發(fā)明中只要能把與控制端子用底座C1、C2分別對應(yīng)的控制端子Ct1-1、Ct1-2的位置用調(diào)換焊接線的連接處來選擇的話便可，延伸引線2a及2c接近控制端子用底座C1及C2便可。
即如圖所示即使是沿芯片外周配置的圖形，也可通過選擇某一引線來調(diào)換與兩個電極座分別對應(yīng)的連接端子的位置。
這里任一實施例中可安裝的元件不限于化合物半導(dǎo)體切換電路裝置、其它的集成電路、晶體管、二極管等半導(dǎo)體芯片，片狀電容、片狀電阻、片狀電感器等無源元件及厚度雖厚但CSP、GBA等倒裝的半導(dǎo)體元件等表面安裝元件都可以。
本發(fā)明的特征在于不使用沖裁框架的CSP，把成為控制端子的兩個導(dǎo)電圖形在半導(dǎo)體芯片的下面延伸并從芯片將其端部露出。
這樣，第一，使用同一圖形的芯片及導(dǎo)電圖形利用線焊接的固定位置可容易地變更切換電路裝置控制端子的引線端子配置。即把與控制端子對應(yīng)的引線通過芯片的下面并從芯片邊緣露出，通過用焊接線選擇該引線的某一條就可調(diào)換與控制端子用電極座對應(yīng)的連接端子的位置。在使用現(xiàn)有的沖裁框架的結(jié)構(gòu)中不得不變更芯片內(nèi)的圖形，所以芯片尺寸變大、成本也提高了。但根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，在同一芯片圖形(一般的芯片圖形)及同一導(dǎo)電圖形的情況下，僅通過調(diào)換焊接線的連接處就可實現(xiàn)一般的切換電路裝置和反向控制型的切換電路裝置。目前需要變更芯片內(nèi)的圖形，從晶片開始投入要1～2個月、組裝要1個月，但僅變更焊接位置用1/6左右的TAT就可迅速應(yīng)對。即具有對用戶的要求能以非常低的成本迅速靈活應(yīng)對的優(yōu)點。
第二，封裝的構(gòu)造是CSP，與現(xiàn)在使用引線、樹脂密封的封裝結(jié)構(gòu)相比可大幅度地把封裝尺寸小型化?，F(xiàn)在在通用地使用沖裁框架，所以對芯片尺寸來說是超出需要的大引線，而且引線導(dǎo)出至密封樹脂的外部，所以封裝外形變得超出需要的大，但若是CSP的話，可抑制到需要最小限度的大小。
第三，可縮小圖形的最小間隔，所以通過這點也可實現(xiàn)封裝的小型化。這是由于與現(xiàn)在采用沖裁框架、用沖壓沖裁時的界限是板厚×0.8(μm)相對，本發(fā)明中是通過鍍層的厚膜印刷或?qū)щ姴母g而形成圖形的。具體說就是可把框架時120μm的最小間隔縮小到75μm，可大大助于封裝小型化。
第四，特別是當(dāng)半導(dǎo)體芯片是化合物半導(dǎo)體切換電路裝置時通過把在高頻成為GND電位的控制端子Ct1-1、Ct1-2、及GND端子配置在成為RF線的輸入端子IN、輸出端子OUT1、OUT2間，成為遮斷高頻信號的結(jié)構(gòu)，所以有提高絕緣特性的優(yōu)點。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括絕緣性支承基片；半導(dǎo)體芯片，表面上有多個電極座；導(dǎo)電圖形，設(shè)在所述基片上、與所述多個電極座一一對應(yīng)；連接裝置，連接所述多個電極座與所述導(dǎo)電圖形，其特征在于，所述導(dǎo)電圖形中至少兩個導(dǎo)電圖形向與該導(dǎo)電圖形對應(yīng)的至少兩個所述電極座延伸接近，把所述至少兩個導(dǎo)電圖形與所述至少兩個電極座用所述連接裝置連接時，通過選擇某一導(dǎo)電圖形來調(diào)換與所述至少兩個電極座對應(yīng)的連接端子的位置。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體芯片是由背面為半絕緣性的化合物半導(dǎo)體基片構(gòu)成。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體芯片用絕緣性樹脂固定在至少兩個所述導(dǎo)電圖形上，所述至少兩個導(dǎo)電圖形其兩端分別從所述芯片邊緣露出。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，通過調(diào)換與所述至少兩個電極座連接的連接裝置的位置，可把所述至少兩個電極座的排列順序和對應(yīng)的所述連接端子的排列順序正反配置。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體芯片是切換電路裝置，所述切換電路裝置的控制端子連接在所述至少兩個導(dǎo)電圖形上。
6.一種半導(dǎo)體裝置，包括絕緣基片；化合物半導(dǎo)體芯片，固定在該絕緣基片表面上，其表面有多個電極座；導(dǎo)電圖形，設(shè)在所述絕緣基片表面上，與所述多個電極座一一對應(yīng)；連接裝置，連接所述多個電極座與所述導(dǎo)電圖形，通孔，與所述導(dǎo)電圖形對應(yīng)、貫通所述絕緣基片；外部連接電極，與該通孔對應(yīng)設(shè)在所述絕緣基片的背面，其特征在于，所述導(dǎo)電圖形中的兩個導(dǎo)電圖形向與該導(dǎo)電圖形對應(yīng)的兩個所述電極座延伸接近，把所述兩個導(dǎo)電圖形與所述兩個電極座用所述連接裝置連接時，通過選擇某一導(dǎo)電圖形來調(diào)換與所述兩個電極座對應(yīng)的形成連接端子的所述外部連接電極的位置。
7.一種半導(dǎo)體裝置，包括絕緣樹脂；化合物半導(dǎo)體芯片，埋入該絕緣樹脂內(nèi)，其表面有多個電極座；導(dǎo)電圖形，埋入所述絕緣樹脂內(nèi)，與所述多個電極座一一對應(yīng)；連接裝置，連接所述多個電極座與所述導(dǎo)電圖形；外部連接電極，與從所述絕緣樹脂背面露出的導(dǎo)電圖形對應(yīng)，其特征在于，所述導(dǎo)電圖形中的兩個導(dǎo)電圖形向與該導(dǎo)電圖形對應(yīng)的兩個所述電極座延伸接近，把所述兩個導(dǎo)電圖形與所述電極座用所述連接裝置連接時，通過選擇某一導(dǎo)電圖形來調(diào)換與所述兩個電極座對應(yīng)的形成連接端子的所述外部連接電極的位置。
8.如權(quán)利要求6或7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述化合物半導(dǎo)體芯片用絕緣性樹脂固定在兩個所述導(dǎo)電圖形上，所述兩個導(dǎo)電圖形從所述芯片一側(cè)的邊緣延伸至另一側(cè)的邊緣并從所述芯片露出。
9.如權(quán)利要求6或7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，通過調(diào)換與所述兩個電極座連接的連接裝置的位置可把所述兩個電極座的排列順序和對應(yīng)的所述連接端子的排列順序正反配置。
10.如權(quán)利要求6或7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述化合物半導(dǎo)體芯片的背面是半絕緣性基片。
11.如權(quán)利要求6或7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述化合物半導(dǎo)體芯片是切換電路裝置，所述切換電路裝置的兩個控制端子分別連接在所述兩個導(dǎo)電圖形上。
全文摘要
一種半導(dǎo)體裝置。把化合物半導(dǎo)體芯片固定在沖裁框架的島上、樹脂密封的封裝結(jié)構(gòu)有封裝尺寸的小型化不進(jìn)展的問題。反向控制型的情況下，形成芯片尺寸變大、重新作圖形成本也會增大的原因。本發(fā)明把兩個圖形在芯片下延伸、芯片固定在圖形上，控制端子調(diào)換連接處。這樣使用同一芯片同一圖形、僅以焊接位置就可調(diào)換一般圖形和反向控制型的圖形，所以對用戶的要求可迅速并靈活地應(yīng)對，還可大幅度降低成本。由于是CSP，所以可大大有助于封裝的小型化。
文檔編號H01L21/60GK1420559SQ02150650
公開日2003年5月28日 申請日期2002年11月15日 優(yōu)先權(quán)日2001年11月15日
發(fā)明者淺野哲郎, 榊原干人, 豬爪秀行, 境春彥, 木村茂夫 申請人:三洋電機(jī)株式會社