專利名稱：光器件及其制造方法、光模塊、電路板以及電子儀器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光器件及其制造方法、光模塊、電路板以及電子儀器。
(1)本發(fā)明的光器件制造方法包含(a)在包含多個形成了光學部分的光元件的第一襯底上，通過光透射性的粘結(jié)層，粘貼包含透明襯底的第二襯底，密封所述光學部分；(b)把所述第一襯底切斷為各個所述光元件。
根據(jù)本發(fā)明，因為密封光學部分之后切斷第一襯底，所以廢料不會進行密封部中，能得到質(zhì)量高的光器件。
(2)在該光器件制造方法中，在所述步驟(a)中，可以把固定了相互位置的多個所述透明襯底作為所述第二襯底粘貼在所述第一襯底上。
據(jù)此，因為第二襯底預先具有多個透明襯底，所以也可以在粘貼到第一襯底上之后不進行切斷。另外，因為多個透明襯底相互的位置固定，所以向第一襯底的粘貼變得簡單。
(3)在該光器件制造方法中，所述第二襯底是在薄板上粘貼光透射性的板，通過不切斷所述薄板而把所述板切斷為多個所述透明襯底而得到的襯底，是由粘貼在所述薄板上的多個所述透明襯底構(gòu)成的襯底。
(4)在該光器件制造方法中，至少在所述透明襯底上設(shè)置所述粘結(jié)層后，把所述第二襯底粘貼在所述第一襯底上。
據(jù)此，在第一襯底中，在不粘貼透明襯底的區(qū)域中可以不設(shè)置粘結(jié)層。
(5)在該光器件制造方法中，所述第一襯底的所述光元件在所述光學部分的外側(cè)形成有電極；在所述(a)步驟中，可以避開所述電極，在所述第一襯底的上方設(shè)置所述透明襯底。
據(jù)此，因為第一襯底的電極的上方開放，所以能容易地取得對電極的電連接。
(6)在該光器件制造方法中，所述(a)步驟可以包含以下所述步驟(a1)在所述第一襯底上粘貼所述第二襯底；(a2)使所述第二襯底與所述光學部分對應，切斷為多個所述透明襯底。
據(jù)此，第二襯底和第一襯底的對位變得容易。另外，可以不進行分散的多個單片的對位。
(7)在該光器件制造方法中，所述第一襯底的所述光元件在各個所述光學部分的外側(cè)形成有電極；在所述(a2)步驟中，一邊除去所述第二襯底的所述電極上方的部分，一邊切斷所述第二襯底。
據(jù)此，因為第一襯底的電極上方開放，所以容易取得對電極的電連接。
(8)在該光器件制造方法中，在所述(a2)步驟中，切斷所述第二襯底的刀的寬度比在所述步驟(b)中切斷所述第一襯底的刀的寬度大。
(9)在該光器件制造方法中，所述(a)步驟可以包含(a1)在所述第一襯底上形成所述粘結(jié)層；(a2)把多個所述第二襯底分別與各個所述光元件的所述光學部分對應后進行粘結(jié)。
據(jù)此，當?shù)谝灰r底和第二襯底的熱膨脹率等的差異大時，能以良好的位置精度把具有單片化的透明襯底的第二襯底粘結(jié)到光學部分上。
(10)在該光器件制造方法中，在所述第一襯底的所述光元件中，在各個所述光學部分的外側(cè)形成有電極；在所述(a2)步驟中，可以避開所述電極，在所述第一襯底的上方設(shè)置所述第二襯底。
據(jù)此，因為第一襯底的電極的上方開放，所以容易取得對電極的電連接。
(11)在該光器件制造方法中，在所述(a)步驟中，可以包含以下步驟在多個所述光元件上連續(xù)設(shè)置所述粘結(jié)層。
(12)在該光器件制造方法中，可以包含以下步驟在所述(a)步驟中，在多個所述光元件上連續(xù)設(shè)置所述粘結(jié)層；在所述(a)步驟后，可以通過除去所述粘結(jié)層中至少位于所述電極上的部分，來使所述電極露出。
(13)在該光器件制造方法中，在所述(a)步驟中，可以避開所述電極，在各個所述光元件上設(shè)置所述粘結(jié)層。
(14)在該光器件制造方法中，所述透明襯底至少可以使可見光通過，而不讓紅外線通過。
(15)在該光器件制造方法中，所述第一襯底可以是半導體晶片。
(16)在該光器件制造方法中，各個所述光學部分可以具有圖象傳感用的排列的多個受光部。
(17)在該光器件制造方法中，各個所述光學部分可以具有設(shè)置在所述受光部上方的濾色鏡。
(18)在該光器件制造方法中，各個所述光學部分可以具有設(shè)置在所述第一襯底表面上的微型透鏡陣列。
(19)在該光器件制造方法中，作為所述粘結(jié)層的材料，可以使用光的絕對折射率與所述微型透鏡陣列不同的材料。
(20)本發(fā)明的光器件通過所述方法來制造。
(21)本發(fā)明的光模塊具有光器件和安裝所述光器件的支撐構(gòu)件。
(22)本發(fā)明的電路板安裝有所述光模塊。
(23)本發(fā)明的電子儀器具有所述光模塊。


圖1A～圖1B是說明本發(fā)明實施例1的光器件制造方法的圖。
圖2是說明本發(fā)明實施例1的光器件制造方法的圖。
圖3A和圖3B是說明本發(fā)明實施例1的光器件制造方法的圖。
圖4A和圖4B是說明本發(fā)明實施例1的光器件制造方法的圖。
圖5A和圖5B是說明本發(fā)明實施例1的光器件制造方法的圖。
圖6A～圖6C是說明本發(fā)明實施例2光器件制造方法的圖。
圖7A～圖7B是說明本發(fā)明實施例3的光器件制造方法的圖。
圖8是說明本發(fā)明實施例4的光模塊和電路板的圖。
圖9是表示本發(fā)明實施例的光模塊的圖。
圖10是表示本發(fā)明實施例的光模塊的圖。
圖11是表示本發(fā)明實施例的電子儀器的圖。
圖12是表示本發(fā)明實施例的電子儀器的圖。
圖13A～圖13B是表示本發(fā)明實施例的電子儀器的圖。
(實施例1)圖1A～圖5B是說明本發(fā)明實施例1的光器件制造方法的圖。在本實施例中，如圖1A和圖1B所示，在第一襯底10上安裝第二襯底30。
為了提高后面描述的切斷步驟中的作業(yè)性，也可以在第一襯底10上粘貼薄板12。圖2是放大表示第一襯底10的一部分的圖。第一襯底10具有包含光學部分14的多個光元件50。光元件50包含光學部分14和電極26。光學部分14是光入射或出射的部分。另外，光學部分14變換光能和其他能量(例如電)。即一個光學部分14具有多個能量變換部(受光部、發(fā)光部)16。
在本實施例中，各光學部分14具有多個能量變換部(受光部或圖象信號感受部)16。如圖2所示，多個能量變換部16二維地排列，能紀行圖象信號的感受。即本實施例中制造的光器件或光模塊是攝像傳感器(例如CCD、CMOS傳感器)等固態(tài)攝像設(shè)備。能量變換部16由鈍化膜18覆蓋。鈍化膜18具有光透射性。第一襯底10如果包含半導體襯底(例如半導體晶片)，就可以用SiO2、SiN形成鈍化膜18。
光學部分14可以具有濾色鏡20。濾色鏡20形成在鈍化膜18上。另外，在濾色鏡20上設(shè)置了平坦化層，在其上可以設(shè)置微型透鏡陣列24。
在第一襯底10上形成了多個電極26。圖2所示的電極26具有形成在墊上的凸出，但是也可以只是墊。如圖2所示，電極26最好在各光元件50中，形成在光學部分14的外側(cè)。例如，在相鄰的光學部分14之間形成了電極26。一個光學部分14與一組的電極26(多個)對應。例如，如圖5B所示，可以沿著光學部分14的多條邊(例如相對的兩邊)配置電極。
第二襯底30包含透明襯底32。透明襯底32具有光透射性。雖然并未特別限定透明襯底32的形狀，但是例如是四邊形。另外，第二襯底30的外形可以與第一襯底10的外形幾乎相同。另外，透明襯底32配置在光學部分14的上方。透明襯底32如果是光能透射的，損失大小無所謂，可以只使特定的波長的光透射。透明襯底32可以使可見光通過，但是不讓紅外線區(qū)域的光通過。透明襯底32可以對于可見光損失小，對于紅外線區(qū)域的光損失大。另外，透明襯底32可以具有使可見光通過，但是不讓紅外線通過的膜。作為透明襯底32，可以使用光學玻璃，也可以使用塑料板。
第二襯底30通過粘結(jié)層36粘結(jié)在第一襯底10上。在本實施例中，粘結(jié)層36設(shè)置在各透明襯底32上。粘結(jié)層36具有光透射性。粘接劑36的光透射性可以與大氣的光透射性同等程度高。對粘結(jié)層36可以使用熱可塑性樹脂。例如熱可塑性的感光性樹脂(感光性樹脂)。須指出的是，為了容易處理，可以使粘結(jié)層36先假硬化，使其接觸粘結(jié)層10后，產(chǎn)生粘接力。例如如果粘結(jié)層36是紫外線硬化型的熱可塑性樹脂，能在假硬化中應用紫外線的照射。當粘結(jié)層36形成在微型透鏡陣列24上時，兩者的光的絕對折射率不同。具體而言，如圖2所示，如果微型透鏡陣列24為凸透鏡，則粘結(jié)層36的絕對折射率最好比微型透鏡陣列24的絕對折射率小。相反，如果微型透鏡陣列24為凹透鏡，則粘結(jié)層36的絕對折射率最好比微型透鏡陣列24的絕對折射率大。
可以把透明襯底32逐一粘貼到第一襯底10上。在本實施例中，在固定了相互的位置的狀態(tài)下，把多個透明襯底32粘貼在第一襯底10上。在圖1A和圖1B所示的例子中，預先在薄板34上粘貼多個透明襯底32。這樣，一次能粘貼多個透明襯底32。須指出的是，多個透明襯底32排列為矩陣狀。
圖3A和圖3B是說明取得包含固定了相互的位置的多個透明襯底的第二襯底的步驟的圖。在該例子中，如圖3A所示，在薄板34上粘貼板28，在板28上形成粘結(jié)層36。須指出的是，可以使粘結(jié)層36假硬化。接著，如圖3B所示，通過刀(例如切片刀)，在不切斷薄板34的前提下，把板28切斷為多個透明襯底32。此時，也切斷了粘結(jié)層36(用符號36a表示切斷的各粘結(jié)層)。按照刀38的寬度(厚度)，決定相鄰的透明襯底32的間隔。即按照刀38的寬度(厚度)，除去了沿著板28的切斷線的部分。刀38的寬度比后面描述的切斷第一襯底10的刀的寬度大。
這樣，就從板28得到了透明襯底32。即得到了包含薄板34和粘貼在薄板34上的透明襯底32的第二襯底。據(jù)此，因為在形成粘結(jié)層36后，切斷板28，所以粘結(jié)層36很難附著在透明襯底32的端面。須指出的是，作為變形例，也可以把粘貼在薄板34上的板28切斷為多個透明襯底32后，在多個透明襯底32上設(shè)置粘結(jié)層36?；蛘?，可以按照透明襯底32的形狀(避開切斷線)，在板28上形成粘結(jié)層36，切斷未形成粘結(jié)層36的部分。
如圖4A所示，經(jīng)過了上述的步驟，在第一襯底10上安裝第二襯底30。第一襯底10形成了具有光學部分14的多個光元件50，在各光學部分14的上方配置各透明襯底32。另外，避開電極26設(shè)置透明襯底。當粘結(jié)層36假應哈時，例如進行加熱，使其產(chǎn)生粘接力。如果必要，剝離粘貼在透明襯底32上的第二襯底30的薄板34。粘結(jié)層36和透明襯底32密封光學部分14?？梢允拐辰Y(jié)層36和光學部分14之間沒有間隙。須指出的是，當粘結(jié)層36的一部分附著在電極26上是，也可以附加除去它的步驟。粘結(jié)層36的一部分通過溶劑和濺射等蝕刻，或照射等離子體(O2等離子體)，灰化除去。另外，在密封光學部分14之前，最好有洗凈光學部分14的步驟。此時，因為能防止在光學部分14上附著了廢料、毛刺等的光學部分14被密封，所以提高了光器件的成品率。
如圖4B所示，切斷第一襯底10，作為各光元件50a。該切斷使用刀40(例如切片刀)。第一襯底10是在光學部分14的外側(cè)，即電極26的外側(cè)切斷。在圖4B所示的例子中，相鄰的光學部分14之間形成了與各光學部分14對應的電極26，通過在這些電極26(多個)之間切斷第一襯底10，作為各光元件50a。如果在第一襯底10上粘貼了薄板12，即使把第一襯底10分離為各光元件50a，各光元件50a也不會散亂。這樣就得到了光器件。根據(jù)本實施例，因為密封光學部分14后，切斷第一襯底10，所以廢料不會進入密封部內(nèi)，能得到質(zhì)量高的光器件。
圖5A是說明本發(fā)明實施例1的光器件的縱剖視圖，圖5B是它的俯視圖。光器件具有光元件50a、透明襯底32。光從透明襯底32入射光學部分14。設(shè)置在光元件50a中的光學部分14由粘結(jié)劑層36和透明襯底32密封。微型透鏡陣列24和形成在其上的粘結(jié)層36的光的絕對折射率不同。具體而言，如果從粘結(jié)層36觀察，微型透鏡陣列24為凸透鏡，則粘結(jié)層36的絕對折射率最好比微型透鏡陣列24的絕對折射率小。相反，如果從粘結(jié)層36觀察，微型透鏡陣列24為凹透鏡，則粘結(jié)層36的絕對折射率最好比微型透鏡陣列24的絕對折射率大。在光學部分14的外側(cè)，即透明襯底32的外側(cè)，在第一襯底10(具體而言，該單片即光元件50)上設(shè)置了電極26。其他的細節(jié)與上述的光器件制造方法中說明的內(nèi)容對應。
本發(fā)明并不局限于上述的實施例，而是可以有各種變形。例如，本發(fā)明包含與用實施例中說明的結(jié)構(gòu)實質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)(例如，功能、方法以及結(jié)果相同的結(jié)構(gòu)，或目的以及結(jié)果相同的結(jié)構(gòu))。另外，本發(fā)明包含置換了實施例中說明的結(jié)構(gòu)的非本質(zhì)的部分。另外，本發(fā)明包含與實施例中說明的結(jié)構(gòu)產(chǎn)生相同的作用效果的結(jié)構(gòu)或能實現(xiàn)相同的目的的結(jié)構(gòu)。另外，本發(fā)明包含在實施例中說明的結(jié)構(gòu)中附加了眾所周知的技術(shù)的結(jié)構(gòu)。
(實施例2)圖6A～圖6C是說明本發(fā)明實施例2的光器件制造方法的圖。在本實施例中，使用實施例1中說明的構(gòu)件。
如圖6A所示，在第一襯底10上通過粘結(jié)層36粘貼第二襯底30。粘結(jié)層36可以在第一襯底10上，在多個光元件50上連續(xù)形成。即粘結(jié)層36可以覆蓋多個光學部分14以及相鄰的光學部分14之間的區(qū)域而形成。此時，能簡單地形成粘結(jié)層6。作為變形例，也可以在各光學部分14上，即避開相鄰的光學部分14之間的區(qū)域，形成粘結(jié)層36。
如圖6B所示，切斷第二襯底30，形成多個透明襯底32。與各光學部分14對應切斷第二襯底30。第二襯底30的切斷線最好位于第一襯底10的電極26的上方。即因為容易取得對于電極26的電連接，所以除去第二襯底30的電極26的上方的部分。例如，作為用于切斷第二襯底30的刀38，使用進行切削，進行切斷的工具。這樣，就使電極26的上方開放。須指出的是，刀38(例如切片刀)最好比切斷第一襯底10的刀40(參照圖4B)的寬度大。第二襯底30的切斷在不破損第二襯底30的表面和電極26的前提下進行。例如控制刀38，使刀38的頂端不接觸電極26，只切斷粘結(jié)層36的上部?？梢栽诘诙r底30上形成圖中未顯示的溝。此時，向著電極配置溝。通過這樣，第二襯底30的表面從電極26分開溝的深度的距離，所以刀38的頂端很難接觸到電極26。
如圖6B所示，當在相鄰的透明襯底32之間(例如電極26上)殘留了粘結(jié)層36的一部分是，進行除去它的步驟。例如，通過基于溶劑和濺射的蝕刻、或基于等離子體(O2等離子體)的灰化，把透明襯底32作為掩模，能除去粘結(jié)層36的一部分。
這樣，如圖6C所示，能密封各光學部分14。然后，進行圖4B所示的步驟。根據(jù)本實施例，能簡單地形成透明襯底32。另外，可以不進行分散的多個透明襯底的對位。關(guān)于其他的點，在本實施例中，與實施例1中說明的內(nèi)容對應。
(實施例3)圖7A和圖7B是說明本發(fā)明實施例3的光器件制造方法的圖。在本實施例中，使用實施例1中說明的構(gòu)件。
如圖7A所示，在本實施例中，在第一襯底10上形成粘結(jié)層36。其細節(jié)與實施例2中說明的內(nèi)容對應。然后，如圖7B所示，在粘結(jié)層36上粘結(jié)多個透明襯底32作為多個第二襯底30。具體而言，在各光學部分14的上方配置各透明襯底32，粘結(jié)在粘結(jié)層36上。另外，最好避開電極26配置透明襯底32。
這樣，可以預先把成為多個透明襯底32的第二襯底30粘貼在第一襯底10上。關(guān)于其他的點，在本實施例中，與實施例1或2中說明的內(nèi)容對應。
(實施例4)圖8是說明本發(fā)明實施例4的光模塊以及電路板的圖。圖8所示的光模塊具有圖5A所示的光元件50a。光元件50a安裝在支撐構(gòu)件(例如箱體)52上。在支撐構(gòu)件52上形成了布線54。支撐構(gòu)件52可以是MID(Molded Interconnect Device)。電連接了光元件50a的電極26和布線54。電連接中，也可以使用引線56。另外，在電連接部(例如引線56以及它的接合部分)，設(shè)置了密封樹脂58。即電連接部用密封樹脂58密封。例如可以通過澆注封裝設(shè)置密封樹脂58。光元件50a由透明襯底32和粘結(jié)層36密封了光學部分14，所以透明襯底32和粘結(jié)層36作為障礙物起作用，所以密封樹脂58不覆蓋光學部分14。
布線54的一部分成為外部端子(例如引線)60。外部端子60電連接了形成在電路板62上的布線圖案64。在圖8所示的例子中，在電路板62上形成了孔，在該孔中插入了外部端子60。在該孔的周圍形成了布線圖案64的凸臺，該凸臺和外部端子60用焊料(例如焊錫)接合。這樣，在電路板62上安裝了光模塊。另外，支撐構(gòu)件52可以是不具有外部端子60的電路板62。
(其他實施例)圖9是說明本發(fā)明實施例的光模塊的圖。圖9所示的光模塊具有圖5A所示的光元件50a和安裝了它的支撐構(gòu)件70。在支撐構(gòu)件70上形成了孔72，透明襯底32的至少一部分位于孔72的內(nèi)側(cè)。另外，孔72中安裝了透鏡支架74。在透鏡支架74中形成了孔76，在其內(nèi)側(cè)安裝了透鏡78?？?6、72是連通的，用透鏡78聚光的光入射透明襯底32。須指出的是，透明襯底32可以切斷紅外線區(qū)域的光。光元件50a的電極26與支撐構(gòu)件70的布線79的接合中，可以應用粘結(jié)劑、各向異性導電材料、各向異性導電膜、金屬接合的任意一種。另外，在光元件50a和支撐構(gòu)件70之間可以設(shè)置圖中未顯示的未滿材料。
圖10是說明本發(fā)明實施例的光模塊的圖。圖10所示的光模塊具有圖5A所示的光元件50a和安裝了它的支撐構(gòu)件80。在支撐構(gòu)件80上形成了孔82，透明襯底32的至少一部分位于孔82的內(nèi)側(cè)。另外，孔82中安裝了透鏡支架74(具體如上所述)。
在圖10中，光元件50a安裝在撓性襯底84上，它的電極26與形成在撓性襯底84上的布線圖案86接合。在該接合中，可以應用粘結(jié)劑、各向異性導電材料、各向異性導電膜和金屬接合中的任意一種。另外，在光元件50a和支撐構(gòu)件80之間可以設(shè)置圖中未顯示的未滿材料。在撓性襯底84上形成了孔88?？?6、82、88是連通的，用透鏡78聚光的光入射到光元件50a。
在撓性襯底84上安裝(例如倒焊)了電子元件(例如半導體芯片)90。電子元件90和布線圖案86電連接。撓性襯底84彎曲，通過粘結(jié)劑92接合了電子元件90和光器件50。并且，也可以預先分別把光元件50a和電子元件90分別安裝在撓性襯底84上之后，使撓性襯底84彎曲，再接合光元件50a和電子元件90。
作為本發(fā)明實施例的電子儀器，圖11所示的筆記本型個人電腦100具有組裝了光模塊的照相機110。另外，圖12所示的數(shù)字相機200具有光模塊。而且，圖13A和圖13B所示的移動電話300具有組裝了光模塊的照相機310。
權(quán)利要求
1.一種光器件制造方法，其特征在于包含(a)在包含多個形成了光學部分的光元件的第一襯底上，通過光透射性的粘結(jié)層，粘貼包含透明襯底的第二襯底，來密封所述光學部分；(b)把所述第一襯底切斷為各個所述光元件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光器件制造方法，其特征在于在所述步驟(a)中，把固定了相互的位置的多個所述透明襯底作為所述第二襯底粘貼在所述第一襯底上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光器件制造方法，其特征在于所述第二襯底是在薄板上粘貼光透射性的板，通過不切斷所述薄板而把所述板切斷為多個所述透明襯底而得到的襯底，是由粘貼在所述薄板上的多個所述透明襯底構(gòu)成的襯底。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光器件制造方法，其特征在于至少在所述透明襯底上設(shè)置所述粘結(jié)層之后，把所述第二襯底粘貼在所述第一襯底上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光器件制造方法，其特征在于所述第一襯底的所述光元件形成在所述光學部分的外側(cè)；在所述(a)步驟中，避開所述電極，在所述第一襯底的上方設(shè)置所述透明襯底。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光器件制造方法，其特征在于所述(a)步驟包含(a1)在所述第一襯底上粘貼所述第二襯底；(a2)對應所述光學部分，把所述第二襯底切斷為多個所述透明襯底。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光器件制造方法，其特征在于所述第一襯底的所述光元件在各個所述光學部分的外側(cè)形成有電極；在所述(a2)步驟中，一邊除去所述第二襯底的所述電極上方的部分，一邊切斷所述第二襯底。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光器件制造方法，其特征在于在所述(a2)步驟中，切斷所述第二襯底的刀的寬度比在所述步驟(b)中切斷所述第一襯底的刀的寬度大。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光器件制造方法，其特征在于所述(a)步驟包含(a1)在所述第一襯底上形成所述粘結(jié)層；(a2)把多個所述第二襯底分別與各個所述光元件的所述光學部分對應后進行粘結(jié)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光器件制造方法，其特征在于在所述第一襯底的所述光元件中，在各個所述光學部分的外側(cè)形成有電極；在所述(a2)步驟中，避開所述電極，在所述第一襯底的上方設(shè)置所述第二襯底。
11.根據(jù)權(quán)利要求1～10中任意一項所述的光器件制造方法，其特征在于在所述(a)步驟中，包含在多個所述光元件上連續(xù)設(shè)置所述粘結(jié)層。
12.根據(jù)權(quán)利要求5、7或10所述的光器件制造方法，其特征在于在所述(a)步驟中，在多個所述光元件上連續(xù)設(shè)置所述粘結(jié)層；在所述(a)步驟之后，通過除去所述粘結(jié)層中至少位于所述電極之上的部分，使所述電極露出。
13.根據(jù)權(quán)利要求5、7或10所述的光器件制造方法，其特征在于在所述(a)步驟中，避開所述電極，在各個所述光元件上設(shè)置所述粘結(jié)層。
14.根據(jù)權(quán)利要求1～10中任意一項所述的光器件制造方法，其特征在于所述透明襯底至少使可見光通過，不讓紅外線通過。
15.根據(jù)權(quán)利要求1～10中任意一項所述的光器件制造方法，其特征在于所述第一襯底是半導體晶片。
16.根據(jù)權(quán)利要求1～10中任意一項所述的光器件制造方法，其特征在于各個所述光學部分具有為圖象傳感用而排列的多個受光部。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的光器件制造方法，其特征在于各個所述光學部分具有設(shè)置在所述受光部上方的濾色鏡。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的光器件制造方法，其特征在于各個所述光學部分具有設(shè)置在所述第一襯底的表面的微型透鏡陣列。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的光器件制造方法，其特征在于作為所述粘結(jié)層的材料，使用光的絕對折射率與所述微型透鏡陣列不同的材料。
20.一種光器件，其特征在于通過權(quán)利要求1～10中任意一項所述的方法來制造。
21.一種光模塊，其特征在于具有權(quán)利要求20所述的光器件和安裝所述光器件的支撐構(gòu)件。
22.一種電路板，其特征在于安裝有權(quán)利要求21所述的光模塊。
23.一種電子儀器，其特征在于具有權(quán)利要求21所述的光模塊。
全文摘要
本發(fā)明提供高質(zhì)量的光器件及其制造方法、光模塊、電路板以及電子儀器。在包含多個形成了光學部分(14)的光元件(50)的第一襯底(10)上，通過光透射性的粘結(jié)層(36)，粘貼包含透明襯底(32)的第二襯底(30)，密封光學部分(14)。然后，把第一襯底(10)切斷為各個光元件(50)。
文檔編號H01L21/02GK1430405SQ0215835
公開日2003年7月16日 申請日期2002年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2001年12月27日
發(fā)明者橋元伸晃 申請人:精工愛普生株式會社