專利名稱：多晶片封裝組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型屬于半導(dǎo)體元件，特別是一種多晶片封裝組件。
基板10設(shè)有上表面16及下表面18，上表面16形成有復(fù)數(shù)個第一連接點20，下表面18形成有復(fù)數(shù)個第二連接點22，復(fù)數(shù)個金屬球24系電連接第二連接點22。
下層半導(dǎo)體晶片12系設(shè)置于基板10的上表面16，藉由復(fù)數(shù)條導(dǎo)線26電連接至基板10的第一連接點20。
阻隔物14系以粘膠層15設(shè)置于下層半導(dǎo)體晶片12上，上層半導(dǎo)體晶片13亦以粘膠層15設(shè)置于阻隔物14上。如此，復(fù)數(shù)條導(dǎo)線26不致被上層半導(dǎo)體晶片13壓損。
此種半導(dǎo)體晶片堆疊組件，在制造上必須另行制作阻隔物14，再將阻隔物14先行涂上粘膠層15設(shè)于下層半導(dǎo)體晶片12，最后將上層半導(dǎo)體晶片13粘于阻隔物14上，因此，在制程上較為復(fù)雜，且整個封裝體積較厚，無法達到輕薄短小的需求；另下層半導(dǎo)體晶片12及上層半導(dǎo)體晶片13電連接至基板10距離長，使得訊號傳遞效果較差。
如圖2所示，習(xí)知的另一種半導(dǎo)體晶片堆疊組件包括基板30、下層半導(dǎo)體晶片32及上層半導(dǎo)體晶片34。
基板30設(shè)有上表面36及下表面38，上表面36形成有復(fù)數(shù)個第一連接點40，下表面38形成有復(fù)數(shù)個第二連接點42，復(fù)數(shù)個金屬球44系電連接第二連接點42。
下層半導(dǎo)體晶片32系設(shè)置于基板30的上表面36，藉由復(fù)數(shù)條導(dǎo)線46電連接至基板30的第一連接點40；黏膠層48系涂布于下層半導(dǎo)體晶片32上，用以將復(fù)數(shù)條導(dǎo)線46包覆住，而上層半導(dǎo)體晶片34系藉由黏膠層48黏著固定于下層半導(dǎo)體晶片32上，以形成半導(dǎo)體晶片的堆疊，如此，復(fù)數(shù)條導(dǎo)線26不致被上層半導(dǎo)體晶片34壓損。
惟，此種半導(dǎo)體晶片堆疊組件必須涂布較厚的黏膠層48，使得整個封裝體積較厚，無法達到輕薄短小的需求；另，下層半導(dǎo)體晶片32及上層半導(dǎo)體晶片34電連接至基板30距離長，使得訊號傳遞效果較差。
再者，上述兩種習(xí)知的半導(dǎo)體晶片堆疊組件，只能適用于半導(dǎo)體晶片的焊墊設(shè)于周邊者，若是半導(dǎo)體晶片的焊墊設(shè)于中央位置者則無法適用。
本實用新型包括基板、復(fù)數(shù)晶片及復(fù)數(shù)條導(dǎo)線；基板設(shè)有上、下表面；上表面形成有復(fù)數(shù)個第一連接點，下表面設(shè)有復(fù)數(shù)個第二連接點；復(fù)數(shù)晶片設(shè)置于基板上、下表面上；復(fù)數(shù)條導(dǎo)線分別連接于復(fù)數(shù)晶片與基板第一、二連接點；下表面設(shè)有凸緣層；凸緣層于下表面形成設(shè)置晶片的容置室，其上設(shè)有復(fù)數(shù)個分別與基板的第一、二連接點電連接的訊號輸出點。
其中凸緣層上設(shè)有使基板的第一、二連接點電連接至訊號輸出點的穿孔。
復(fù)數(shù)個晶片設(shè)有將其包覆藉以保護晶片及復(fù)數(shù)條導(dǎo)線的的封膠體。
基板上表面設(shè)有一晶片；下表面容置室內(nèi)設(shè)有一晶片。
基板上表面設(shè)并排的第一、二晶片；下表面容置室內(nèi)設(shè)有一晶片。
凸緣層上的復(fù)數(shù)訊號輸出點連接復(fù)數(shù)個金屬球。
復(fù)數(shù)個金屬球為球柵陣列金屬球。
由于本實用新型包括基板、復(fù)數(shù)晶片及復(fù)數(shù)條導(dǎo)線；基板設(shè)有上、下表面；上表面形成有復(fù)數(shù)個第一連接點，下表面設(shè)有復(fù)數(shù)個第二連接點；復(fù)數(shù)晶片設(shè)置于基板上、下表面上；復(fù)數(shù)條導(dǎo)線分別連接于復(fù)數(shù)晶片與基板第一、二連接點；下表面設(shè)有凸緣層；凸緣層于下表面形成設(shè)置晶片的容置室，其上設(shè)有復(fù)數(shù)個分別與基板的第一、二連接點電連接的訊號輸出點。將復(fù)數(shù)晶片分別設(shè)置于基板的上、下表面，便可將焊墊設(shè)于中央位置的復(fù)數(shù)晶片封裝于同一封裝體內(nèi)，如此可提升封裝體的容量，且在制程上較堆疊方式更為簡易，可降低生產(chǎn)成本者，同時解決焊墊設(shè)于中央位置的兩晶片無法堆疊封裝的問題；不僅可將多數(shù)個晶片封裝于一體、提高封裝體的容量、降低堆疊厚度、達到輕薄短小，而且適用于焊墊設(shè)于中央位置半導(dǎo)體晶片，從而達到本實用新型的目的。
圖2、為另一種習(xí)知的半導(dǎo)體晶片堆疊組件結(jié)構(gòu)示意剖視圖。
圖3、為本實用新型實施例一結(jié)構(gòu)示意剖視圖。
圖4、為本實用新型實施例二結(jié)構(gòu)示意剖視圖。
基板50設(shè)有上表面60及下表面62，上表面60形成有復(fù)數(shù)個第一連接點64，下表面62設(shè)有復(fù)數(shù)個第二連接點66。
第一晶片52中央位置形成有復(fù)數(shù)個焊墊68，其系設(shè)置于基板50的上表面60上，藉由復(fù)數(shù)條導(dǎo)線56電連接焊墊68至基板50的第一連接點64，使第一晶片52的訊號傳遞至基板50上。
凸緣層58系形成于基板50的下表面62上，使下表面62形成容置室70；凸緣層58上設(shè)有復(fù)數(shù)個訊號輸出點72及穿孔74，于穿孔74內(nèi)設(shè)有導(dǎo)線76，使基板50的第一、二連接點64、66電連接至訊號輸出點72。
第二晶片54系設(shè)于基板50的下表面62的容置室70內(nèi)，藉由復(fù)數(shù)條導(dǎo)線56電連接至基板50的第二連接點66。
封膠體59系用以將第一、二晶片52、54包覆，藉以保護住第一、二晶片52、54及復(fù)數(shù)條導(dǎo)線56。復(fù)數(shù)個金屬球78為球柵陣列金屬球(ball grid array)設(shè)置于該基板的下表面的凸緣層58上，并與訊號輸出點72形成電連接。
如此，將第一、二晶片52、54分別設(shè)置于基板10的上表面60及下表面62，便可將焊墊設(shè)于中央位置的第一、二晶片封裝于同一封裝體內(nèi)，如此可提升封裝體的容量，且在制程上較堆疊方式更為簡易，可降低生產(chǎn)成本者，同時解決焊墊設(shè)于中央位置的兩晶片無法堆疊封裝的問題。
實施例二如圖4所示，本實用新型包括有基板50、第一晶片52、第二晶片54、第三晶片61、復(fù)數(shù)條導(dǎo)線56、凸緣層58、封膠體59及復(fù)數(shù)個金屬球78。
基板50設(shè)有上表面60及下表面62，上表面60形成有復(fù)數(shù)個第一連接點64，下表面62設(shè)有復(fù)數(shù)個第二連接點66。
第一晶片52的周邊位置形成有復(fù)數(shù)個焊墊68，其系設(shè)置于基板50的上表面60上，藉由復(fù)數(shù)條導(dǎo)線56電連接焊墊68至基板50的第一連接點64，使第一晶片52的訊號傳遞至基板50上。
第三晶片61亦設(shè)置于基板50的上表面60上與第一晶片52并排設(shè)置，并藉由復(fù)數(shù)條導(dǎo)線56電連接至基板50的第一連接點64。
凸緣層58系形成于基板50的下表面62上，使下表面62形成有容置室70，凸緣層58上設(shè)有復(fù)數(shù)個訊號輸出點72及穿孔74，于穿孔74內(nèi)形成有導(dǎo)線76，使基板50的第一、二連接點64、66電連接至訊號輸出點72。
第二晶片54系設(shè)于基板50的下表面62的容置室70內(nèi)，藉由復(fù)數(shù)條導(dǎo)線56電連接至基板50的第二連接點66。
封膠體59系用以將第一、二、三晶片52、54、61包覆住，藉以保護住第一、二、三晶片52、54、61及復(fù)數(shù)條導(dǎo)線56。
復(fù)數(shù)個金屬球78為球柵陣列金屬球(ball grid array)設(shè)置于基板的下表面的凸緣層58上，并與訊號輸出點72形成電連接。
如此，將第一、二、三晶片52、54、61分別設(shè)置于基板10的上表面60及下表面62，便可將三個晶片封裝于同一封裝體內(nèi)，如此可提升封裝體的容量，且在制程上較堆疊方式更為簡易，可降低生產(chǎn)成本。
如上所述，本實用新型具有如下的優(yōu)點1、可將多數(shù)個晶片封裝于一封裝體內(nèi)，提升封裝體的容量及制造較為便利。
2、降低堆疊厚度，以達到輕薄短小的封裝體積。
3、可適用于焊墊設(shè)于中央位置的半導(dǎo)體晶片多晶片封裝。
權(quán)利要求1.一種多晶片封裝組件，它包括基板、復(fù)數(shù)晶片及復(fù)數(shù)條導(dǎo)線；基板設(shè)有上、下表面；上表面形成有復(fù)數(shù)個第一連接點，下表面設(shè)有復(fù)數(shù)個第二連接點；復(fù)數(shù)晶片設(shè)置于基板上、下表面上；復(fù)數(shù)條導(dǎo)線分別連接于復(fù)數(shù)晶片與基板第一、二連接點；其特征在于所述的下表面設(shè)有凸緣層；凸緣層于下表面形成設(shè)置晶片的容置室，其上設(shè)有復(fù)數(shù)個分別與基板的第一、二連接點電連接的訊號輸出點。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶片封裝組件，其特征在于所述的凸緣層上設(shè)有使基板的第一、二連接點電連接至訊號輸出點的穿孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶片封裝組件，其特征在于所述的復(fù)數(shù)個晶片設(shè)有將其包覆藉以保護晶片及復(fù)數(shù)條導(dǎo)線的的封膠體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶片封裝組件，其特征在于所述的基板上表面設(shè)有一晶片；下表面容置室內(nèi)設(shè)有一晶片。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶片封裝組件，其特征在于所述的基板上表面設(shè)并排的第一、二晶片；下表面容置室內(nèi)設(shè)有一晶片。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶片封裝組件，其特征在于所述的凸緣層上的復(fù)數(shù)訊號輸出點連接復(fù)數(shù)個金屬球。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多晶片封裝組件，其特征在于所述的復(fù)數(shù)個金屬球為球柵陣列金屬球。
專利摘要一種多晶片封裝組件。為提供一種可將多數(shù)個晶片封裝于一體、提高封裝體的容量、降低堆疊厚度、達到輕薄短小、適用于焊墊設(shè)于中央位置半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體元件，提出本實用新型，它包括基板、復(fù)數(shù)晶片及復(fù)數(shù)條導(dǎo)線；基板設(shè)有上、下表面；上表面形成有復(fù)數(shù)個第一連接點，下表面設(shè)有復(fù)數(shù)個第二連接點；復(fù)數(shù)晶片設(shè)置于基板上、下表面上；復(fù)數(shù)條導(dǎo)線分別連接于復(fù)數(shù)晶片與基板第一、二連接點；下表面設(shè)有凸緣層；凸緣層于下表面形成設(shè)置晶片的容置室，其上設(shè)有復(fù)數(shù)個分別與基板的第一、二連接點電連接的訊號輸出點。
文檔編號H01L23/48GK2528113SQ0220167
公開日2002年12月25日 申請日期2002年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月18日
發(fā)明者辛宗憲 申請人:勝開科技股份有限公司