專利名稱：封裝多個(gè)記憶體晶片的封裝記憶體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于信息存儲(chǔ)裝置，特別是一種封裝多個(gè)記憶體晶片的封裝記憶體。
記憶體晶片12設(shè)置于基板10上時(shí)，記憶體晶片12上的焊墊18則由基板10的鏤空槽16露出，復(fù)數(shù)條導(dǎo)線14系設(shè)置于基板10的鏤空槽16內(nèi)，其兩端分別電連接記憶體晶片12的焊墊18及基板10的第一連接端20，將訊號(hào)由基板10的第二連接端22輸出。
如圖2所示，以習(xí)知封裝記憶體構(gòu)成封裝記憶體模組時(shí)，系將封裝完成的兩封裝記憶體24設(shè)置于模板26上，由于兩封裝記憶體系個(gè)別封裝后，再行置放于模板26上，因此，其必然占據(jù)較多的模板26空間，以致使模板26的尺寸無法達(dá)到輕薄短小的需求，且在有限的模板26空間內(nèi)，無法提升封裝記憶體模組的記憶容量。
另，就封裝的效能而言，每記憶體晶片12個(gè)別封裝成封裝記憶體24時(shí)，將形成封裝材料的浪費(fèi)及封裝速度較慢，此為現(xiàn)存封裝記憶體的缺失。
然，若欲提升封裝記憶體的容量，記憶體晶片12的堆疊方式可有效提升單一封裝記憶體的容量，惟，此種記憶體晶片堆疊式的封裝記憶體在制程上較為不易，相對(duì)地使其封裝成本較高。
本實(shí)用新型的目的是提供一種制程便捷、提高封裝記憶體模組容量、縮小封裝記憶體模組體積、節(jié)省封裝材料、降低生產(chǎn)成本、提高封裝速度的封裝多個(gè)記憶體晶片的封裝記憶體。
本實(shí)用新型包括基板、復(fù)數(shù)個(gè)記憶體晶片、復(fù)數(shù)條導(dǎo)線、第一封膠體及第二封膠體；基板設(shè)有上、下表面及由上表面貫通至下表面的復(fù)數(shù)個(gè)鏤空槽，下表面設(shè)有第一、二連接點(diǎn)；復(fù)數(shù)個(gè)記憶體晶片設(shè)置于基板上，其中央位置形成分別由基板的鏤空槽露出的焊墊；復(fù)數(shù)條導(dǎo)線系容置于基板的各鏤空槽內(nèi)，其設(shè)有電連接于記憶體晶片的焊墊的第一端點(diǎn)及電連接于基板的第一連接點(diǎn)的第二端點(diǎn)；第一封膠體系覆蓋于基板的上表面并同時(shí)包覆住復(fù)數(shù)個(gè)記憶體晶片；第二封膠體系設(shè)于基板的各鏤空槽并包覆住復(fù)數(shù)條導(dǎo)線。
其中基板的第二連接點(diǎn)形成用以電連接至印刷電路板的球柵陣列金屬球。
基板上兩個(gè)鏤空槽；設(shè)置于基板上的兩個(gè)記憶體晶片的焊墊對(duì)應(yīng)并露出基板上的兩鏤空槽。
由于本實(shí)用新型包括基板、復(fù)數(shù)個(gè)記憶體晶片、復(fù)數(shù)條導(dǎo)線、第一封膠體及第二封膠體；基板設(shè)有上、下表面及由上表面貫通至下表面的復(fù)數(shù)個(gè)鏤空槽，下表面設(shè)有第一、二連接點(diǎn)；復(fù)數(shù)個(gè)記憶體晶片設(shè)置于基板上，其中央位置形成分別由基板的鏤空槽露出的焊墊；復(fù)數(shù)條導(dǎo)線系容置于基板的各鏤空槽內(nèi)，其設(shè)有電連接于記憶體晶片的焊墊的第一端點(diǎn)及電連接于基板的第一連接點(diǎn)的第二端點(diǎn)；第一封膠體系覆蓋于基板的上表面并同時(shí)包覆住復(fù)數(shù)個(gè)記憶體晶片；第二封膠體系設(shè)于基板的各鏤空槽并包覆住復(fù)數(shù)條導(dǎo)線。將復(fù)數(shù)個(gè)記憶體晶片同時(shí)封裝于同一封裝體內(nèi)，就整體的封裝效益而言，遠(yuǎn)大于單顆記憶體晶片的封裝，且封裝后的體積亦可較兩單顆記憶體晶片單獨(dú)封裝后相加為小，使其完成模組組裝后，可有效降低封裝記憶體模組的體積或提高單一尺寸封裝記憶體模組的記憶容量，可使封裝記憶體模組達(dá)到輕薄短小的需求，且在組裝于模板上時(shí)，僅須將含兩個(gè)以上記憶體晶片的本實(shí)用新型組配于模板上，較習(xí)知單個(gè)記憶體封裝的組配為便捷，相對(duì)地其整體制造成本較低；不僅制程便捷、提高封裝速度，而且提高封裝記憶體模組容量、縮小封裝記憶體模組體積、節(jié)省封裝材料、降低生產(chǎn)成本，從而達(dá)到本實(shí)用新型的目的。
圖2、為以習(xí)知的封裝記憶體構(gòu)成的封裝記憶體模組結(jié)構(gòu)示意剖視圖。
圖3、為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意剖視圖。
圖4、為以本實(shí)用新型構(gòu)成的封裝記憶體模組結(jié)構(gòu)示意剖視圖。
基板30設(shè)有上表面40、下表面42及兩個(gè)或兩個(gè)以上復(fù)數(shù)個(gè)由上表面40貫通至下表面42的鏤空槽44。
下表面42設(shè)有第一連接點(diǎn)46及第二連接點(diǎn)48。第二連接點(diǎn)48形成有用以電連接至印刷電路板的球柵陣列金屬球50。
每一記憶體晶片32中央位置形成有焊墊52。兩記憶體晶片32設(shè)置于基板30上，其上的焊墊52分別由基板30的鏤空槽44露出。
復(fù)數(shù)條導(dǎo)線34系容置于基板30的鏤空槽44內(nèi)，其設(shè)有電連接于記憶體晶片32的焊墊52的第一端點(diǎn)54及電連接于基板30的第一連接點(diǎn)46的第二端點(diǎn)56，使每一記憶體晶片32與基板30形成電連接，用以將記憶體晶片32的訊號(hào)傳遞至基板30。
第一封膠體36系覆蓋于基板30的上表面40，同時(shí)將兩個(gè)或兩個(gè)以上復(fù)數(shù)個(gè)記憶體晶片32包覆住，以保護(hù)每一記憶體晶片32不受外力而受損。
第二封膠體38系設(shè)于基板30的每一鏤空槽44內(nèi)，用以包覆住復(fù)數(shù)條導(dǎo)線34。
如此，將兩個(gè)或兩個(gè)以上復(fù)數(shù)個(gè)記憶體晶片32同時(shí)封裝于同一封裝體內(nèi)，就整體的封裝效益而言，遠(yuǎn)大于單顆記憶體晶片32的封裝，且封裝后的體積亦可較兩單顆記憶體晶片32封裝后相加為小，使其完成模組組裝后，可有效降低封裝記憶體模組的體積或提高單一尺寸封裝記憶體模組的記憶容量。
如圖4所示，將封裝兩個(gè)或兩個(gè)以上復(fù)數(shù)個(gè)記憶體晶片32的本實(shí)用新型設(shè)置于模板60上時(shí)，可清楚的看出其所需模板60的尺寸遠(yuǎn)較習(xí)知圖2組配方式為小，可使封裝記憶體模組達(dá)到輕薄短小的需求，亦意味著同一尺寸的模板60可容納較大容量的封裝記憶體，且在組裝于模板60上時(shí)，僅須將含兩個(gè)以上記憶體晶片32的本實(shí)用新型組配于模板60上，較習(xí)知單個(gè)記憶體封裝的組配為便捷，相對(duì)地其整體制造成本較低。
權(quán)利要求1.一種封裝多個(gè)記憶體晶片的封裝記憶體，它包括基板、記憶體晶片、復(fù)數(shù)條導(dǎo)線、第一封膠體及第二封膠體；基板設(shè)有上、下表面及由上表面貫通至下表面的鏤空槽，下表面設(shè)有第一、二連接點(diǎn)；記憶體晶片設(shè)置于基板上，其中央位置形成由基板的鏤空槽露出的焊墊；復(fù)數(shù)條導(dǎo)線系容置于基板的鏤空槽內(nèi)，其設(shè)有電連接于記憶體晶片的焊墊的第一端點(diǎn)及電連接于基板的第一連接點(diǎn)的第二端點(diǎn)；第一封膠體系覆蓋于基板的上表面并包覆住記憶體晶片；第二封膠體系設(shè)于基板的鏤空槽并包覆住復(fù)數(shù)條導(dǎo)線；其特征在于所述的基板上設(shè)有復(fù)數(shù)鏤空槽；對(duì)應(yīng)于基板上鏤空槽數(shù)相對(duì)應(yīng)的復(fù)數(shù)記憶體晶片設(shè)置于基板上，其上焊墊分別由基板上鏤空槽露出；覆蓋于基板上表面上的第一封膠體同時(shí)包覆住復(fù)數(shù)記憶晶片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝多個(gè)記憶體晶片的封裝記憶體，其特征在于所述的基板的第二連接點(diǎn)形成用以電連接至印刷電路板的球柵陣列金屬球。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝多個(gè)記憶體晶片的封裝記憶體，其特征在于所述的基板上兩個(gè)鏤空槽；設(shè)置于基板上的兩個(gè)記憶體晶片的焊墊對(duì)應(yīng)并露出基板上的兩鏤空槽。
專利摘要一種封裝多個(gè)記憶體晶片的封裝記憶體。為提供一種制程便捷、提高封裝速度、提高封裝記憶體模組容量、縮小封裝記憶體模組體積、節(jié)省封裝材料、降低生產(chǎn)成本的信息存儲(chǔ)裝置，提出本實(shí)用新型，它包括設(shè)有上、下表面的基板、設(shè)置于基板上的復(fù)數(shù)個(gè)記憶體晶片、復(fù)數(shù)條導(dǎo)線及第一、二封膠體；基板設(shè)有由上表面貫通至下表面的復(fù)數(shù)個(gè)鏤空槽，下表面設(shè)有第一、二連接點(diǎn)；復(fù)數(shù)個(gè)記憶體晶片中央位置形成分別由基板的鏤空槽露出的焊墊；復(fù)數(shù)條導(dǎo)線系容置于基板的各鏤空槽內(nèi)，其設(shè)有分別電連接于記憶體晶片焊墊及基板第一連接點(diǎn)的第一、二端點(diǎn)；第一封膠體覆蓋于基板上表面并同時(shí)包覆住復(fù)數(shù)個(gè)記憶體晶片；第二封膠體設(shè)于基板的各鏤空槽并包覆住復(fù)數(shù)條導(dǎo)線。
文檔編號(hào)H01L23/48GK2528109SQ0220167
公開日2002年12月25日 申請(qǐng)日期2002年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月18日
發(fā)明者辛宗憲 申請(qǐng)人:勝開科技股份有限公司