專(zhuān)利名稱(chēng)：內(nèi)存芯片堆棧構(gòu)造的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于電子器件領(lǐng)域，特別涉及一種內(nèi)存芯片。具體是指一種具有高記憶容量及訊號(hào)傳遞速度快的內(nèi)存芯片堆棧構(gòu)造。
如

圖1所示，為習(xí)知的一種內(nèi)存芯片堆棧構(gòu)造，它包括有一基板10、一下層內(nèi)存芯片12及一上層內(nèi)存芯片14基板10中央部位形成有一鏤空槽16；下層內(nèi)存芯片12系設(shè)置于基板10上，其上復(fù)數(shù)個(gè)焊墊18由鏤空槽16露出，藉由復(fù)數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)20電連接至基板10上，使下層內(nèi)存芯片12的訊號(hào)傳遞至基板10；上層內(nèi)存芯片14系背對(duì)背地設(shè)置于下層內(nèi)存芯片12上，其中央部位的焊墊22藉由復(fù)數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)24電連接至基板10，使訊號(hào)傳遞至基板10。
如上所述的內(nèi)存芯片堆棧構(gòu)造，由于內(nèi)存芯片的焊墊形成于中央位置，因此，上層內(nèi)存芯片14藉由復(fù)數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)24電連接至基板10上時(shí)，將造成導(dǎo)線(xiàn)24的弧度較大，如是，導(dǎo)線(xiàn)24的長(zhǎng)度較長(zhǎng)，將使訊號(hào)傳遞不易，且將使封裝完成的體積較大，無(wú)法達(dá)到輕薄短小的需求，再者，由于導(dǎo)線(xiàn)24的長(zhǎng)度較長(zhǎng)，將使導(dǎo)線(xiàn)24易于下垂而接觸到上層內(nèi)存芯片14的表面，而容易產(chǎn)生電訊號(hào)傳遞不良或短路的情形。
有鑒于此，本發(fā)明人本著精益求精，創(chuàng)新突破的精神，研發(fā)出本實(shí)用新型內(nèi)存芯片堆棧構(gòu)造，它可改進(jìn)上述習(xí)知內(nèi)存芯片堆棧的缺失，使其更為實(shí)用。

發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的主要目的，在于提供一種內(nèi)存芯片堆棧構(gòu)造，它具有縮短訊號(hào)傳遞距離的功效，以達(dá)到提高訊號(hào)傳遞效果的目的。
本實(shí)用新型的另一目的，在于提供一種內(nèi)存芯片堆棧構(gòu)造，它具有提高堆棧品質(zhì)的的功效，以達(dá)到提高生產(chǎn)良率的目的。
本實(shí)用新型的再一目的，在于提供一種內(nèi)存芯片堆棧構(gòu)造，它具有便于制造的功效，以達(dá)到更為實(shí)用的目的。
本實(shí)用新型的又一目的，在于提供一種內(nèi)存芯片堆棧構(gòu)造，它具有縮小封裝體積的功效，以達(dá)到輕薄短小的目的。
上述的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種內(nèi)存芯片堆棧構(gòu)造，其特征在于包括有一基板，其設(shè)有一上表面、一下表面及由上表面貫通至下表面的鏤空槽；一下層內(nèi)存芯片，其中央位置設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)焊墊，其系設(shè)置于該基板的上表面，而該復(fù)數(shù)個(gè)焊墊由該基板的鏤空槽露出，并藉由復(fù)數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)電連接該焊墊至基板的下表面；一上層內(nèi)存芯片，其中央位置設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)焊墊，其系背對(duì)背地設(shè)置于該下層內(nèi)存芯片上，使該復(fù)數(shù)個(gè)焊墊朝上；及一絕緣介質(zhì)，其中央位置形成一透空區(qū)，使其設(shè)置于該上層內(nèi)存芯片上時(shí)，該內(nèi)存芯片的復(fù)數(shù)個(gè)焊墊由該絕緣介質(zhì)的透空區(qū)露出，且該絕緣介質(zhì)上形成有復(fù)數(shù)條線(xiàn)路，該復(fù)數(shù)條線(xiàn)路藉由復(fù)數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)電連接至該上層內(nèi)存芯片的焊墊及該基板的上表面。
該基板的鏤空槽填充有一第一封膠體，用以保護(hù)該復(fù)數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)。
該基板的上表面覆蓋有一第二封膠體，用以保護(hù)上、下層內(nèi)存芯片及該絕緣介質(zhì)。
該絕緣介質(zhì)為軟性電路板，其上布植有復(fù)數(shù)條線(xiàn)路。
該基板的下表面形成有球柵數(shù)組金屬球。
本實(shí)用新型的積極效果是由于本實(shí)用新型包括有一基板，其設(shè)有一上表面、一下表面及由上表面貫通至下表面的鏤空槽；一下層內(nèi)存芯片，其中央位置設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)焊墊，其系設(shè)置于該基板的上表面，而該復(fù)數(shù)個(gè)焊墊由該基板的鏤空槽露出，并藉由復(fù)數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)電連接該焊墊至基板的下表面；一上層內(nèi)存芯片，其中央位置設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)焊墊，其系背對(duì)背地設(shè)置于該下層內(nèi)存芯片上，使該復(fù)數(shù)個(gè)焊墊朝上；及一絕緣介質(zhì)，其中央位置形成一透空區(qū)，其設(shè)置于該上層內(nèi)存芯片上時(shí)，該內(nèi)存芯片的復(fù)數(shù)個(gè)焊墊由該絕緣介質(zhì)的透空區(qū)露出，且該絕緣介質(zhì)上形成有復(fù)數(shù)條線(xiàn)路，并藉由復(fù)數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)電連接至該上層內(nèi)存芯片的焊墊及該基板的上表面。
藉由如上的構(gòu)造組合，可降低該復(fù)數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)的長(zhǎng)度及弧度，使其更便于制造及得到較佳的訊號(hào)傳遞效果及降低其封裝體積。具體的優(yōu)點(diǎn)表現(xiàn)在1、絕緣介質(zhì)的線(xiàn)路可布植較寬大的直徑，而可提高訊號(hào)傳遞的效率及品質(zhì)。
2、電連接上層內(nèi)存芯片及基板的導(dǎo)線(xiàn)所形成的弧度較小，相對(duì)地可縮短訊號(hào)傳遞的距離，及減少整體封裝的體積，以達(dá)到輕薄短小的需求。
配合參閱圖2、圖3及圖4，本實(shí)施例中該內(nèi)存芯片堆棧構(gòu)造包括有一基板30、一下層內(nèi)存芯片32、一上層內(nèi)存芯片34及一絕緣介質(zhì)36
基板30設(shè)有一上表面38、一下表面40及一由上表面38貫通至下表面40的鏤空槽42，基板30的上表面30形成有復(fù)數(shù)個(gè)第一接點(diǎn)44，下表面40位于鏤空槽42周邊形成有第二接點(diǎn)46及復(fù)數(shù)個(gè)球柵(Ball Grid Array)數(shù)組金屬球48。
下層內(nèi)存芯片32中央部位形成有復(fù)數(shù)個(gè)焊墊50，其設(shè)于基板30的上表面38上，復(fù)數(shù)個(gè)焊墊50則由基板30的鏤空槽42露出，藉由復(fù)數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)52透過(guò)鏤空槽42電連接焊墊50至基板30的第二連接點(diǎn)46。
上層內(nèi)存芯片34中央部位形成有復(fù)數(shù)個(gè)焊墊54，其系背對(duì)背地設(shè)置于下層內(nèi)存芯片32上，使復(fù)數(shù)個(gè)焊墊54分別朝上。
絕緣介質(zhì)36于本實(shí)施例中為一軟性電路板，其中央部位設(shè)有一透空區(qū)56，且其上布植有復(fù)數(shù)條線(xiàn)路58，該復(fù)數(shù)條線(xiàn)路58兩端設(shè)有焊墊57、59，該絕緣介質(zhì)36系設(shè)置于上層內(nèi)存芯片34上，上層內(nèi)存芯片34上的復(fù)數(shù)個(gè)焊墊54則由透空區(qū)56露出。
參閱圖4，將絕緣介質(zhì)36設(shè)置于上層內(nèi)存芯片34后，藉由復(fù)數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)60經(jīng)由透空區(qū)56電連接上層內(nèi)存芯片34的焊墊54及絕緣介質(zhì)36的線(xiàn)路一端的焊墊59，及藉由復(fù)數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)62電連接基板30的第一連接點(diǎn)44及絕緣介質(zhì)36的線(xiàn)路另一端的焊墊57，如是，上層內(nèi)存芯片34即可與基板30相互導(dǎo)通。而后，將第一封膠體64填充于基板30的鏤空槽42，用以保護(hù)復(fù)數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)52，及將第二封膠體66覆蓋于基板30的上表面38，用以保護(hù)上、下層半導(dǎo)體芯片34、32及絕緣介質(zhì)36。
在較佳實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明中所提出的具體實(shí)施例僅為了易于說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容，并非將本實(shí)用新型狹義地限制于實(shí)施例，凡依本實(shí)用新型的精神及其技術(shù)特征所作種種變化實(shí)施均屬本實(shí)用新型的范圍。
權(quán)利要求1.一種內(nèi)存芯片堆棧構(gòu)造，其特征在于包括有一基板，其設(shè)有一上表面、一下表面及由上表面貫通至下表面的鏤空槽；一下層內(nèi)存芯片，其中央位置設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)焊墊，其系設(shè)置于該基板的上表面，而該復(fù)數(shù)個(gè)焊墊由該基板的鏤空槽露出，并藉由復(fù)數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)電連接該焊墊至基板的下表面；一上層內(nèi)存芯片，其中央位置設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)焊墊，其系背對(duì)背地設(shè)置于該下層內(nèi)存芯片上，使該復(fù)數(shù)個(gè)焊墊朝上；及一絕緣介質(zhì)，其中央位置形成一透空區(qū)，使其設(shè)置于該上層內(nèi)存芯片上時(shí)，該內(nèi)存芯片的復(fù)數(shù)個(gè)焊墊由該絕緣介質(zhì)的透空區(qū)露出，且該絕緣介質(zhì)上形成有復(fù)數(shù)條線(xiàn)路，該復(fù)數(shù)條線(xiàn)路藉由復(fù)數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)電連接至該上層內(nèi)存芯片的焊墊及該基板的上表面。
2.如權(quán)利要求1所述內(nèi)存芯片堆棧構(gòu)造，其特征在于，該基板的鏤空槽填充有一第一封膠體，用以保護(hù)該復(fù)數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)。
3.如權(quán)利要求1所述內(nèi)存芯片堆棧構(gòu)造，其特征在于，該基板的上表面覆蓋有一第二封膠體，用以保護(hù)上、下層內(nèi)存芯片及該絕緣介質(zhì)。
4.如權(quán)利要求1所述內(nèi)存芯片堆棧構(gòu)造，其特征在于，該絕緣介質(zhì)為軟性電路板，其上布植有復(fù)數(shù)條線(xiàn)路。
5.如權(quán)利要求1所述內(nèi)存芯片堆棧構(gòu)造，其特征在于，該基板的下表面形成有球柵數(shù)組金屬球。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型內(nèi)存芯片堆棧構(gòu)造，包括有一基板，其上設(shè)有一鏤空槽；一下層內(nèi)存芯片，其中央位置設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)焊墊，是設(shè)置于該基板上，而該復(fù)數(shù)個(gè)焊墊由該基板的鏤空槽露出，并藉由復(fù)數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)電連接該焊墊至基板的下表面；一上層內(nèi)存芯片，其中央位置設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)焊墊，其系背對(duì)背地設(shè)置于該下層內(nèi)存芯片上，使該復(fù)數(shù)個(gè)焊墊朝上；及一絕緣介質(zhì)，其形成一透空區(qū)，其設(shè)置于該上層內(nèi)存芯片上時(shí)，該內(nèi)存芯片的復(fù)數(shù)個(gè)焊墊由該絕緣介質(zhì)的透空區(qū)露出，且該絕緣介質(zhì)上形成有復(fù)數(shù)條線(xiàn)路，并藉由復(fù)數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)電連接至該上層內(nèi)存芯片的焊墊及該基板的上表面。如是，可降低該復(fù)數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)的長(zhǎng)度及弧度，使其得到較佳的訊號(hào)傳遞效果及降低其封裝體積。
文檔編號(hào)H01L23/12GK2543206SQ0220798
公開(kāi)日2003年4月2日 申請(qǐng)日期2002年3月26日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月26日
發(fā)明者葉乃華, 彭鎮(zhèn)濱 申請(qǐng)人:勝開(kāi)科技股份有限公司